KR20140011093A - 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 - Google Patents

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KR20140011093A
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Abstract

유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 전기적 안정성 및 전자와 홀 수송능력이 우수하며, 삼중항 상태 에너지가 높아 인광발광재료의 발광효율을 향상시킬 수 있는 호스트, 정공수송물질 및 전자수송 물질로 사용할 수 있는 유기발광소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자를 제공할 수 있다.

Description

새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자{NOVEL COMPOUND FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기전계발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
정보화 사회로의 움직임이 가속화되면서 평판 디스플레이의 비중이 점차 증가하고 있다. 그 중 LCD(liquid crystal display)가 현재 가장 많이 쓰이고 있지만 액정에 전압을 가해 백라이트로부터의 빛을 컬러필터로 통과시켜 삼원색을 얻음으로써 화면을 만드는 방식이며, 유기EL(OLED; Organic Light Emitting Diodes)은 자체발광 소자로써 시야각 및 대조비 등이 우수하고, 경량 및 박형이 가능하며 휘는 성질의 기판에도 사용할 수 있어, 투명, 플렉서블 디스플레이가 가능하여 차세대 표시소자로서 주목을 받고 있다.
유기EL은 유기물 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합을 통해 여기자를 형성하고, 형성된 그 여기자로부터 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상으로 1963년 Pope 등에 의해 안트라센(anthracene)의 단결정으로부터 처음으로 발견되었고 이후 이스트만 코닥사의 탕(C.W Tang)등에 의해 적층형의 유기EL 소자의 보고(C.W Tang, S.A Vanslyke, Applied physics Letters. 51권 913p, 1987) 된 이후 활발히 연구 되고 있다.
유기전계발광소자에 사용되는 유기물질은 크게 고분자와 저분자 형태로 나누어 지며 저분자는 순 유기물질과 메탈과 킬레이트를 형성한 메탈 콤플렉스로 나뉘어 질 수 있다.
고분자 물질은 다양한 기능의 유닛을 고분자 체인에 결합하여 다 기능의 물질을 만들어 낼 수 있으나, 합성물 정제시나 소자 형성 시 어려움이 있고, 저분자 물질은 각 특성의 물질을 합성 할 수 있으나 다 기능의 특성을 나타내는 물질 합성에는 한계가 있다 하겠다.
유기전계발광소자를 적층구조로 형성할 수 있다. 적층구조의 장점으로는 각 기능에 맞게끔 물질을 선택하여 사용 할 수 있는 것인데, 일반적으로 소자구조는 양극과 음극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층을 형성하여 발광층에서 여기자 형성을 쉽게 하게 하고, 발광 효율을 높이게 끔 되어 있다.
발광물질은 호스트물질과 발광물질(도판트)물질로 크게 나눌 수 있고, 발광물질은 발광 기작에 따라 형광과 인광으로 구별된다.
화합물 내 전자의 여기 상태는 일중항 대 삼중항의 비율이 1:3으로 삼중항 상태가 3배 정도 더 생성된다. 따라서, 일중항 상태에서 기저상태로 떨어지는 형광의 내부양자효율이 25%에 그치는 반면 삼중항 상태에서 기저상태로 떨어지는 인광의 내부양자효율은 75%이다. 또한 일중항 상태에서 삼중항 상태로 계간전이가 일어날 경우 내부양자효율의 이론적 한계치는 100%에 달한다. 이러한 점을 이용해 발광효율을 개선한 발광재료가 인광 발광재료이다.
유기물의 특성상 인광 발광은 어려움이 있어, 인광 발광재료로는 전이금속(이리듐)을 이용한 유기금속화합물이 개발되고 있으며, 이를 보조하는 호스트 물질로 유기물질이 이용되고 있다. 인광발광물질을 보조하는 물질(호스트)는 밴드갭이 넓고 삼중항 상태 에너지가 높아야 한다. 전류효율과 발광효율이 우수한 인광물질이 각광을 받고 있으나 전자 수송능력과 홀 수송능력, 열적, 전기적으로 안정하고 특히 삼중항 상태에너지가 높은 호스트 물질이 아직 없어 개발이 시급하다.
본 발명은 전기적 안정성 및 전자와 홀 수송능력이 우수하며, 삼중항 상태 에너지가 높아 인광발광재료의 발광효율을 향상 시킬 수 있는 호스트로서 발광층에 사용 될 수 있는 유기발광소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기전기발광소자를 제공할 수 있다.
또한 본 발명은 유기전기발광소자의 전기수송재료나, 홀수송 재료에 사용될 수 있는 유기발광소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기전기 발광소자를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 하기 구조식 1로 표시되는 유기전계발광소자용 화합물이 제공될 수 있다.
[구조식 1]
Figure pat00001
상기 구조식 1에서,R1 및 R2는 서로 같거나 다를 수 있고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이거나, 또는 이웃한 벤젠고리의 탄소원자와 결합하여 그 사이의 탄소원자와 함께 치환 또는 비치환된 융합된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 융합된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기를 형성할 수 있고,
X1 및 X2는 서로 같거나 다를 수 있고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 산소원자, 황원자,
Figure pat00002
,
Figure pat00003
또는
Figure pat00004
이고,
R3 내지 R5는 서로 같거나 다를 수 있고, R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
Ar1은 하기 구조식 2 내지 4로 표시되고,
[구조식 2]
Figure pat00005
[구조식 3]
Figure pat00006
[구조식 4]
Figure pat00007
상기 구조식 2 내지 4에서,
R6 내지 R9는 서로 같거나 다를 수 있고, R6 내지 R9는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
Y1 내지 Y3는 서로 같거나 다를 수 있고, Y1 내지 Y3는 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
X3은 산소원자, 황원자 또는
Figure pat00008
이고,
R10은 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
X4는 산소원자, 황원자,
Figure pat00009
,
Figure pat00010
,
Figure pat00011
또는
Figure pat00012
이고,
R11 내지 R13은 서로 같거나 다를 수 있고, R11 내지 R13은 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
Ar2는 하기 구조식 5 내지 10으로 표시되고,
[구조식 5]
Figure pat00013
[구조식 6]
Figure pat00014
[구조식 7]
Figure pat00015
[구조식 8]
Figure pat00016
[구조식 9]
Figure pat00017
[구조식 10]
Figure pat00018
상기 구조식 5 내지 10에서,
R14 내지 R25는 서로 같거나 다를 수 있고, R14 내지 R25는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이거나, 또는 이웃한 벤젠고리의 탄소원자와 결합하여 그 사이의 탄소원자와 함께 치환 또는 비치환된 융합된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 융합된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기를 형성할 수 있고,
Y4 내지 Y11은 서로 같거나 다를 수 있고, Y4 내지 Y11은 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
X5 내지 X7은 서로 같거나 다를 수 있고, X5 내지 X7은 각각 독립적으로 산소원자, 황원자,
Figure pat00019
,
Figure pat00020
또는
Figure pat00021
이고,
R26 내지 R28은 서로 같거나 다를 수 있고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이다.
본 발명에서 보다 바람직하게는, 상기 구조식 1에서, R1 및 R2는 서로 같거나 다를 수 있고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
X1 및 X2는 서로 같거나 다를 수 있고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 산소원자, 황원자 또는
Figure pat00022
이고,
R3는 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
상기 구조식 2 내지 4에서, R6 내지 R9는 서로 같거나 다를 수 있고, R6 내지 R9는 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,
Y1 내지 Y3는 서로 같거나 다를 수 있고, Y1 내지 Y3는 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
X3은 산소원자, 황원자 또는
Figure pat00023
이고,
R10은 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
X4는 산소원자, 황원자,
Figure pat00024
또는
Figure pat00025
이고,
R11은 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
상기 구조식 5 내지 10에서, R14 내지 R25는 서로 같거나 다를 수 있고, R14 내지 R25는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이거나, 또는 이웃한 벤젠고리의 탄소원자와 결합하여 그 사이의 탄소원자와 함께 치환 또는 비치환된 융합된 C6 내지 C30 아릴기를 형성할 수 있고,
Y4 내지 Y11은 서로 같거나 다를 수 있고, Y4 내지 Y11은 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
X5 내지 X7은 서로 같거나 다를 수 있고, X5 내지 X7은 각각 독립적으로 산소원자, 황원자 또는
Figure pat00026
이고,
R26은 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 수 있다.
본 발명에서, 보다 바람직하게는 상기 구조식 1에서, R1 및 R2는 수소원자이고,
X1 및 X2는 서로 같거나 다를 수 있고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 산소원자, 황원자 또는
Figure pat00027
이고,
R3는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
상기 구조식 2 내지 4에서, R6 내지 R9는 수소원자이고,
Y1 내지 Y3는 서로 같거나 다를 수 있고, Y1 내지 Y3는 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
X3은 산소원자, 황원자 또는
Figure pat00028
이고,
R10은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,
X4는 산소원자, 황원자,
Figure pat00029
또는
Figure pat00030
이고,
R11은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
상기 구조식 5 내지 10에서, R14 내지 R25는 수소원자이고,
Y4 내지 Y11은 서로 같거나 다를 수 있고, Y4 내지 Y11은 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
X5 내지 X7은 서로 같거나 다를 수 있고, X5 내지 X7은 각각 독립적으로 산소원자, 황원자 또는
Figure pat00031
이고,
R26은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 하기 구조식 1로 표시되는 유기전계발광소자용 화합물이 제공될 수 있다.
[구조식 1]
Figure pat00032
상기 구조식 1에서,
R1 및 R2는 서로 같거나 다를 수 있고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이거나, 또는 이웃한 벤젠고리의 탄소원자와 결합하여 그 사이의 탄소원자와 함께 치환 또는 비치환된 융합된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 융합된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기를 형성할 수 있고,
X1 및 X2는 서로 같거나 다를 수 있고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 산소원자, 황원자,
Figure pat00033
,
Figure pat00034
또는
Figure pat00035
이고,
R3 내지 R5는 서로 같거나 다를 수 있고, R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
Ar1은 하기 구조식 B1 내지 B9로 표시되는 치환기이고,
Ar2는 하기 구조식 A1 내지 A9로 표시되는 치환기이다.
Figure pat00036
Figure pat00037
본 발명의 다른 측면에 따르면, 하기 화학식으로 표시되는 화합물 중에서 선택된 어느 하나인 유기전계발광소자용 화합물이 제공될 수 있다.
Figure pat00038
Figure pat00039
Figure pat00040
본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명에 따른 유기전계발광소자용 화합물을 포함하는 유기전계발광소자가 제공될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 제1전극, 제2전극 및 제1전극과 제2전극 사이에 단수 또는 복수의 유기물층을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 단수 또는 복수의 유기물층 중에서 선택된 1종 이상의 유기물층은 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 유기전계발광소자용 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자가 제공될 수 있다.
본 발명에서 상기 단수 또는 복수의 유기물층은 발광층을 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 복수의 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 복수의 유기물층은 전자주입층, 전자수송층, 정공차단층, 전자차단층, 정공수송층 및 정공주입층 중에서 선택된 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 포함할 수 있다.
본 발명은 전기적 안정성 및 전자와 홀 수송능력이 우수하며, 삼중항 상태 에너지가 높아 인광발광재료의 발광효율을 향상시킬 수 있는 호스트로서 발광층에 사용 될 수 있는 유기발광소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기전기발광소자를 제공할 수 있다.
또한 본 발명은 유기전기발광소자의 전기수송재료나, 홀수송 재료에 사용될 수 있는 유기발광소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기전기 발광소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면을 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면을 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 이하에서 사용될 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
또한, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 "형성되어" 있다거나 "적층되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소의 표면 상의 전면 또는 일면에 직접 부착되어 형성되어 있거나 적층되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 더 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, C1 내지 C20 아민기, 니트로기, C1 내지 C30 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C30 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C30 헤테로 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, C1 내지 C20 아민기, C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 4개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "이들의 조합"이란 별도의 정의가 없는 한, 둘 이상의 치환기가 연결기로 결합되어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 결합되어 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족 탄화수소기를 의미한다.
알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬(saturated alkyl)기" 일 수 있다.
알킬기는 적어도 하나의 이중결합 또는 삼중결합을 포함하고 있는 "불포화 알킬(unsaturated alkyl)기"일 수도 있다.
"알케닐렌(alkenylene)기"는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합으로 이루어진 작용기를 의미하며, "알키닐렌(alkynylene)기" 는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합으로 이루어진 작용기를 의미한다. 포화이든 불포화이든 간에 알킬기는 분지형, 직쇄형 또는 환형일 수 있다.
알킬기는 C1 내지 C30 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C20 알킬기, C1 내지 C10 알킬기 또는 C1 내지 C6 알킬기일 수도 있다.
예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자, 즉, 알킬쇄는 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
구체적인 예를 들어 상기 알킬기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 의미한다.
"시클로알킬(cycloalkyl)기"는 모노시클릭 또는 융합고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
"헤테로시클로알킬(heterocycloalkyl)기"는 시클로알킬기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로원자를 1 내지 4개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로시클로알킬기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
"방향족(aromatic)기"는 고리 형태인 작용기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 작용기를 의미한다. 구체적인 예로 아릴기와 헤테로아릴기가 있다.
"아릴(aryl)기"는 모노시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
"헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로원자를 1 내지 4개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 4개 포함할 수 있다.
아릴기 및 헤테로아릴기에서 고리의 원자수는 탄소수 및 비탄소원자수의 합이다.
"알킬아릴기" 또는 "아릴알킬기"와 같이 조합하여 사용할 때, 상기에 든 각각의 알킬 및 아릴의 용어는 상기 나타낸 의미와 내용을 가진다.
"아릴알킬기"이란 용어는 벤질과 같은 아릴 치환된 알킬 라디칼을 의미하며 알킬기에 포함된다.
"알킬아릴기"이란 용어는 알킬 치환된 아릴 라디칼을 의미하며 아릴기에 포함된다.
이하 본 발명의 유기전계발광소자에 대해 설명하도록 한다.
도 1 및 2를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따르면 본 발명에 따른 유기전계발광소자용 화합물을 포함하는 유기전계발광소자(1)가 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 유기전계발광소자는 제1전극(110); 제2전극(150); 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 단수 또는 복수의 유기물층(130)을 포함하며, 상기 단수 또는 복수의 유기물층(130) 중에서 선택된 1종 이상의 유기물층은 본 발명에 따른 유기발광소자용 화합물을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 단수 또는 복수의 유기물층(130)은 발광층(134)을 포함할 수 있다.
또한 상기 복수의 유기물층(130)은 발광층(134)을 포함하고, 상기 복수의 유기물층은 전자주입층(131), 전자수송층(132), 정공차단층(133), 전자차단층(135), 정공수송층(136) 및 정공주입층(137) 중에서 선택된 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다.
상기 발광층(134)은 호스트와 도펀트를 포함할 수 있다.
상기 유기전계발광소자는 바람직하게는 투명기판에 의하여 지지된다. 투명기판의 재료로는 양호한 기계적 강도, 열안정성 및 투명성을 갖는 한 특별한 제한은 없다. 구체적인 예를 들면, 유리, 투명 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 유기전계발광소자의 양극재료로서는 4eV 이상의 일함수를 갖는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 또는 이의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는 금속인 Au 또는 CuI, ITO(인듐 주석 산화물), SnO2 및 ZnO와 같은 투명 전도성 재료를 들 수 있다. 양극 필름의 두께는 10 내지 200nm 가 바람직하다.
본 발명의 유기전계발광소자의 음극 재료로서는 4eV 미만의 일함수를 갖는 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 또는 이의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, Na, Na-K 합금, 칼슘, 마그네슘, 리튬, 리튬 합금, 인듐, 알루미늄, 마그네슘 합금, 알루미늄 합금을 들 수 있다. 이외에, 알루미늄/AlO2, 알루미늄/리튬, 마그네슘/은 또는 마그네슘/인듐 등도 사용될 수 있다. 음극필름의 두께는 10 내지 200nm 가 바람직하다.
유기 EL 소자의 발광효율을 높이기 위해서는 하나 이상의 전극은 바람직하게는 10% 이상의 광투과율을 가지는 것이 바람직하다. 전극의 쉬트저항은 바람직하게는 수백 Ω/mm 이하이다. 전극의 두께는 10nm 내지 1㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 400nm 이다. 이러한 전극은 화학적 기상증착(CVD), 물리적 기상증착(PVD) 등의 기상증착법 또는 스퍼터링법을 통하여 상기한 전극 재료를 박막으로 형성하여 제조할 수 있다.
또한 본 발명의 목적에 적합하게 본 발명의 유기전계발광소자용 화합물이 사용될 때, 공지된 정공수송 물질, 정공주입 물질, 발광층 물질, 발광층의 호스트 물질, 전자수송 물질, 및 전자주입 물질이 상기 각각의 유기물층에서 단독으로 사용되거나 또는 본 발명의 유기전계발광소자용 화합물과 선택적으로 병행하여 사용될 수 있다.
정공 수송 물질로서 N,N-dicarbazolyl-3,5-benzene(mCP), poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrenesulfonate (PEDOT:PSS), N, N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine(NPD), N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐(TPD), N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N'N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N'N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐, 코퍼(II)1,10,15,20-테트라페닐-21H,23H-포피린 등과 같은 포피린(porphyrin)화합물 유도체, 주쇄 또는 측쇄내에 방향족 3차아민을 갖는 중합체, 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)시클로헥산, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4, 4', 4'-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민과 같은 트리아릴아민 유도체, N-페닐카르바졸 및 폴리비닐카르바졸과 같은 카르바졸 유도체, 무금속 프탈로시아닌, 구리프탈로시아닌과 같은 프탈로시아닌 유도체, 스타버스트 아민 유도체, 엔아민스틸벤계 유도체, 방향족 삼급아민과 스티릴 아민 화합물의 유도체, 및 폴리실란 등을 들 수 있다.
전자 수송 물질로서 diphenylphosphine oxide-4-(triphenylsilyl)phenyl (TSPO1), Alq3, 2,5-디아릴 실롤 유도체(PyPySPyPy), 퍼플루오리네이티드 화합물(PF-6P), Octasubstituted cyclooctatetraene 화합물(COTs)을 들 수 있다.
본 발명의 유기전계발광소자에 있어서, 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층은 상기한 화합물의 하나 이상의 종류를 함유하는 단일 층으로 형성되거나, 또는 상호 적층된, 상이한 종류의 화합물을 함유하는 복수의 층으로 구성될 수 있다.
발광재료로서 예를 들면 축광 형광재료, 형광증백제, 레이저 색소, 유기 신틸레이터 및 형광 분석용 시약을 들 수 있다. 구체적으로는, 카바졸계 화합물, 포스핀옥사이드계 화합물, 카바졸계 포스핀옥사이드 화합물, bis((3,5-difluoro-4-cyanophenyl)pyridine) iridium picolinate(FCNIrpic), tris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq3), 안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 코로넨, 루브렌 및 퀴나크리돈과 같은 폴리아로마틱 화합물, 퀴터페닐과 같은 올리고페닐렌 화합물, 1,4-비스 (2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸-5-페닐-2-옥사졸릴)벤젠, 1,4-비스(5-페닐-2-옥사졸릴)벤젠, 2,5-비스(5-t-부틸-2-벤즈옥사졸릴)사이오펜, 1,4-디페닐-1,3-부타디엔, 1,6-디페닐-1,3,5-헥사트리엔,1,1,4,4-테트라페닐-1,3-부타디엔과 같은 액체신틸레이션용 신틸레이터, 옥신 유도체의 금속착체, 쿠마린 색소, 디시아노메틸렌피란 색소, 디시아노메틸렌사이오피란 색소, 폴리메틴 색소, 옥소벤즈안트라센 색소, 크산텐 색소, 카르보스티릴 색소, 페릴렌 색소, 옥사진 화합물, 스틸벤 유도체, 스피로 화합물, 옥사디아졸 화합물 등을 들 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자를 구성하는 각 층은 진공 증착, 스핀 코팅 또는 캐스팅과 같은 공지된 방법을 통하여 박막으로 형성시키거나, 각 층에서 사용되는 재료를 이용하여 제조할 수 있다. 이들 각층의 막두께에 대해서는 특별한 제한은 없으며, 재료의 특성에 따라 알맞게 선택할 수 있으나, 보통 2nm 내지 5,000nm의 범위에서 결정될 수 있다.
본 발명의 따른 유기전계발광소자용 화합물은 진공 증착법에 의하여 형성될 수 있으므로, 박막 형성 공정이 간편하고, 핀홀(pin hole)이 거의 없는 균질한 박막으로 용이하게 얻을 수 있는 장점이 있다.
[실시예]
이하, 실시예를 통하여 본 발명에 따른 유기전계발광소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법을 더욱 구체적으로 설명한다. 그러나 이는 예시를 위한 것으로서 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것이 아니다.
실시예 1: 화합물 1의 제조
Figure pat00041
(1) 제조예 1-1 : 중간체 1-1 합성
Figure pat00042
2-bromoaniline (100g, 0.318mol/시그마알드리치)에 1,2,4-tribromobenzene (132g, 0.763mol/시그마알드리치)과 촉매 Pd2(dba)3 (5.49g, 0.006mol/피엔에이치테크), t-buthyl phosphine (2.57g, 0.013mol/시그마알드리치), NaOtBu (7.3g, 0.763mol)에 톨루엔을 1000ml 넣고 교반하여 용해 후 15시간 이상 질소 하에서 환류 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후 물을 반응 용매량 만큼 첨가(3회)하여 유기층 추출하여 농축 후 칼럼 정제(hexane:methylene chloride)하여 중간체 1-1을 56.89g (수율: 36%)수득하였다.
(2) 제조예 1-2 : 중간체 1-2 합성
Figure pat00043
중간체 1-1 (50g, 0.101mol)에 Pd(OAc)2 (1.14g, 0.0051mol/피엔에이치테크), tricyclohexylphosphine (2.83g, 0.0101mol/시그마알드리치), acetonitrile을 중간체 (1-1) g당 10ml 넣어 준 후 질소 분위기하에서 100℃, 24시간 반응을 진행 시킨 후, 메탄올을 부어 결정을 석출하고 필터링 후 메탄올 1000ml로 세척 하였다. 얻은 고체 분말을 실리카를 이용한 칼럼 정제(EA:hexane)하여 중간체 1-2를 22g(수율: 65%)수득하였다.
(3) 제조예 1-3 : 중간체 1-3 합성
Figure pat00044
중간체 1-2 (20g, 0.0596mol)에 Bromobenzene (20.57g, 0.131mol), 촉매Pd2(dba)3 (0.55g, 0.000596mol), t-buthyl phosphine (0.24g, 0.0012mol), NaOtBu (6.9g, 0.072mol)에 톨루엔을 넣고 질소 분위기하에서 80℃ 4시간 반응 시킨 후 물을 부어 추출하고 헥산으로 재결정하여 중간체 1-3을 23.2g(수율: 80%)얻었다.
(4) 제조예 1-4 : 중간체 1-4 합성
Figure pat00045
중간체 1-3 (23g, 0.0471mol)을 정제된 THF용액 1000ml에 녹인 후 질소 환류 하에서 -78℃로 낮추고, n-BuLi (3.02g, 0.047mol)을 적가한 후 2시간 동안 교반시켜 주었다. 그 후 트리메틸보레이트(8.31g, 0.08mol/시그마알드리치)를 저온에서 천천히 넣어 준 후 온도를 상승시켜 상온에서 24시간 교반하여 반응시켰다. 염산(10M)을 넣어(리트머스 종이로 확인) 중화 후 반응을 종료 하였다. 디클로로메탄으로 추출한 후 헥산으로 재결정 하여 중간체 1-4를 8.52g(수율: 40%)수득하였다.
(5) 제조예 1-5: 화합물 1의 합성
Figure pat00046
중간체 1-4 (39.8g, 0.088mol)와 1.3-dibromobenzen (10g, 0.042mol/시그마알드리치)을 톨루엔 용액에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.97g, 0.00084mol), K2CO3 (17.04g, 0.126mol)을 넣고 질소 하에서 12시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼 정제(EA:hexane) 하여 화합물 1을 15.3g(수율: 82%)을 수득하였다.
H-NMR(200MHz, CDCl3, δ ppm : 1H (7.70/S, 7.67/S) 2H (7.25/M, 7.53/S, 7.48/D) 4H (7.33/M, 7.94/D, 7.45/M, 8.55/D) 8H (7.58/M) 10H (7.50/D)
LC/Mass [M+H]+ : 892.03
실시예 2 : 화합물 2의 제조
Figure pat00047
(1) 제조예 2-1 : 화합물 2의 합성
Figure pat00048
중간체 1-4는 실시예1의 방법과 동일하게 제조하였다.
중간체 1-4 (20g, 0.044mol)와 2.6-dibromopyridine (7.1g, 0.03mol/시그마알드리치)을 톨루엔 용액에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.97g, 0.00084mol), K2CO3 (17.04g, 0.126mol)을 넣고 질소 하에서 12시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 화합물 2를 15.3g(수율: 78%) 수득하였다.
H-NMR(200MHz, CDCl3), δ ppm : 1H (7,44/S) 2H (8.28/S, 6.86/D) 4H (7.25/M, 7.33/D, 7.94/D, 8.55/D, 7.45/M) 8H (7.58/M) 10H (7.50/D)
LC/Mass [M+H]+ :893.05
실시예 3 : 화합물 4 합성
Figure pat00049
(1) 제조예 3-1 : 화합물 4의 합성
Figure pat00050
중간체 1-4는 실시예1의 방법과 동일하게 제조하였다.
중간체 1-4 (15g, 0.033mol)과 2.5-dibromothiophene (4.81g, 0.02mol/시그마알드리치)을 톨루엔 용액에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.75g, 0.00066mol), K2CO3 (17.04g, 0.126mol)을 넣고 질소 하에서 12시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane)하여 화합물 4를 11.1g(수율: 75%) 수득하였다.
H-NMR(200MHz, CDCl3), δ ppm : 2H (7.58/M, 7.73/S, 7.77/S) 4H (8.55/D, 7.25/M, 7.33/M, 7.94/D, 7.45/M) 6H (7.58/M) 8H (7.50/D)
LC/Mass [M+H]+ :898.09
실시예 4 : 화합물 5 합성
Figure pat00051
(1) 제조예 4-1 : 중간체 5-1 합성
Figure pat00052
중간체 1-4는 실시예1의 방법과 동일하게 제조하였다
중간체 1-4 (20.35g, 0.045mol)과 2-Iodo-6-bromopyridine (14g, 0.049mol/시그마알드리치)을 톨루엔 용액 500ml에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (1.0g), 0.00094mol), K2CO3 (17.04g, 0.126mol)을 넣고 질소 하에서 6시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane)하여 중간체 5-1을 19g(수율: 75%) 수득하였다.
(2) 제조예 4-2 : 화합물 5의 합성
Figure pat00053
중간체 5-1 (22.4g, 0.029mol)과 시약 5-2(4-3,5-di(pyridin-4-yl)pyridinyl boronic acid, 9g, 0.03mol/시안(중국))을 톨루엔 용액 에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.5.g, 0.00043mol), K2CO3 (11.76g, 0.087mol)을 넣고 질소 하에서 12시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane)하여 화합물 5를 18.5g(수율: 89%) 수득하였다.
H-NMR(200MHz, CDCl3), δ ppm : 1H (8.28/D, 6.93/D, 7.22/D, 7.78/M) 2H (8.98/M, 7.33/M, 7.45/M, 7.94/D, 7.25/M, 8.55/D ) 4H (8.78/D, 8.50/D, 7.58/M, 7.50/D)
LC/Mass[M+H]+ :717.83
실시예 5 : 화합물 7의 합성
Figure pat00054
(1) 제조예 : 5-1 : 중간체 7-1의 합성
Figure pat00055
1,2,4-tribromobenzene(10 g, 0.032 mol), 2-bromobenzenethiol (13.2 g, 0.070 mol/시그마알드리치), NaOH (3.2 g, 0.079 mol)에 EtOH을 1,2,4-tribromobenzene 100ml 넣고 4시간 이상 질소 하에서 환류하였다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후 물을 반응 용매량 (100ml)만큼 첨가하여 추출 후 칼럼 정제(n-hexane:methylene chloride)하여 중간체 7-1를 14.4 g (수율: 85.35%)수득하였다. (m/z=531)
(2) 제조예 : 5-2 : 중간체 7-2의 합성
Figure pat00056
화합물 7-1 (10 g, 0.019 mol), DDQ(2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone, 9.4 g, 0.041 mol)에 methylene chloride을 100ml 넣고 상온에서 24시간 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후 물을 반응 용매량 만큼 첨가하여 추출 후 칼럼 정제(n-Hexane:methylene chloride)하여 중간체 7-2를 6.2 g(89.17%)수득 하였다. (m/z=369)
(3) 제조예 5-3 : 중간체 7-3의 합성
Figure pat00057
중간체 7-2 (13g, 0.035mol)을 정제된 THF용액 70ml에 녹인 후 질소 환류 하에서 -78℃로 낮추어 준 후 n-BuLi (2.7g, 0.042mol)을 적가 시켜 준 후 2시간 동안 교반 시켜 주었다. 그 후 트리메틸보레이트 (5.9g, 0.056mol)을 저온 하에서 천천히 넣어 준 후 온도를 상승시켜 상온에서 24시간 교반하여 반응시킨다. 염산(10M)을 넣어 중화(리트머스 종이로 확인) 후 반응을 종료하였다. 디클로로메탄으로 추출한 후 헥산으로 재결정하여 중간체 7-3을 5.1g(수율: 43.35%)수득하였다.
(4) 제조예 5-4 : 화합물 7의 합성
Figure pat00058
중간체 7-3 (15.5g, 0.046mol)과 2,6-dibromopyridine (5g, 0.021mol)을 톨루엔 용액에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.23g, 0.0004mol), K2CO3 (7.29g, 0.053mol)을 넣고 질소 하에서 12시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출 후 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 화합물 7을 11.95g(수율: 86.32%) 수득하였다.
H-NMR(200MHz, CDCl3), δ ppm : 1H (7.44/M) 2H (8.51/S, 6.86/D) 4H (7.52/M, 7.50/M, 7.98/D, 8.45/D )
LC/Mass[M+H]+ :656.87
실시예 6 : 화합물 8의 합성
Figure pat00059
(1) 제조예 6-1 : 화합물 8의 합성
Figure pat00060
중간체 7-3은 실시예5의 방법과 동일하게 제조하였다
중간체 7-3 (10.2g, 0.03mol)과 1,3-dibromobenzene (3.54g, 0.015mol)을 톨루엔 용액에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.23g, 0.0004mol), K2CO3 (7.29g, 0.053mol)을 넣고 질소 하에서 4시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출 후 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 화합물 8을 6.9g(수율:70%)을 수득하였다.
H-NMR(200MHz, CDCl3), δ ppm : 1H (7.57/M, 7.70/S) 2H (8.00/S, 7.48/D) 4H ( 7.52/M, 7.50/M, 8.45/D, 7.98/D)
LC/Mass[M+H]+ :655.88
실시예 7 : 화합물 10 합성
Figure pat00061
(1) 제조예 7-1 : 중간체10 -1 합성
Figure pat00062
1-bromo-3-iodobenzene (10 g, 0.035 mol), 2-bromobenzenethiol (8 g, 0.042 mol/시그마알드리치), NaOH (1.8 g, 0.046 mol)에 EtOH을 100ml 넣고 4시간 이상 질소 하에서 환류하였다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후 물을 반응 용매량 만큼 첨가하여 추출 후 칼럼 정제(n-Hexane:methylene chloride)하여 중간체 10-1을 10.6 g (수율= 87.16%)수득하였다. (m/z=343)
(2) 제조예 7-2 : 중간체 10-2 합성
Figure pat00063
중간체 10-1 (10 g, 0.029 mol), DDQ(2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone, 7.9 g, 0.035 mol)에 methylene chloride을 100ml 넣고 상온에서 24시간 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후 물을 반응 용매량 만큼 첨가하여 추출 후 칼럼 정제(n-Hexane:methylene chloride)하여 중간체 10-2를 6.24 g(81.6%)수득하였다. (m/z=263)
(3) 제조예 7-3 : 중간체 10-3 합성
Figure pat00064
중간체 10-2(10g, 0.038mol)에 2-bromoaniline (7.8g, 0.046mol)과 촉매Pd2(dba)3 (0.70g, 0.008mol), t-buthyl phosphine (0.31g, 0.015mol), NaOtBu (4.7g, 0.049mol)에 톨루엔을 100ml 넣고 교반하여 용해 후 15시간 이상 질소하에서 환류 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후 물을 반응 용매량 만큼 첨가하여 유기층 추출하여 농축 후 칼럼 정제(헥산:methylene chloride)하여 중간체 10-3을 10.83g (수율:80.45%)수득하였다. (m/z=352)
(4) 제조예 7-4 : 중간체 10-4 합성
Figure pat00065
중간체 10-3 (10g, 0.0282mol)에 Pd(OAc)2 (0.13g, 0.0006mol), tricyclohexylphosphine (0.32g, 0.001mol)을 acetonitrile 200ml에 넣어 준 후 질소 분위기하에서 100℃로 24시간 반응을 진행 시킨 후, 메탄올을 부어 결정을 석출하고 필터링 후 메탄올 1000ml로 세척 하였다. 얻은 고체 분말을 실리카를 이용한 칼럼정제(EA:henxane)하여 중간체 10-4를 5.1g(수율: 66.1%)수득하였다. (m/z=273)
(4) 제조예 7-5 : 중간체 10- 5합성
Figure pat00066
중간체 10-4 (10.2g, 0.037mol)에 N-Bromosuccinimide (10g, 0.056mol/시그마알드리치)을 THF 250ml에 넣고 교반하여 용해 후 5시간 이상 질소 하에서 환류 교반하였다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후 물을 반응 용매량 만큼 첨가하여 유기층 추출하여 농축 후 칼럼 정제(hexane:methylene chloride)하여 중간체 10-5를 11g (수율: 83.7%)수득하였다. (m/z=352)
(4) 제조예 7-6 : 중간체 10-6 합성
Figure pat00067
중간체 10-5 (10g, 0.0284mol)을 정제된 THF용액 300ml에 녹인 후 질소 환류 하에서 -78℃로 낮추고 n-BuLi (2.2g, 0.034mol)을 적가 시켜 준 후 2시간 동안 교반 시켜 주었다. 그 후 트리메틸보레이트 (4.4g, 0.043mol)을 저온 하에서 천천히 넣어 준 후 온도를 상승시켜 상온에서 24시간 교반하여 반응시켰다. 염산(10M)을 넣어 중화(리트머스 종이로 확인) 후 반응을 종료 하였다. 디클로로메탄으로 추출 한 후 헥산으로 재결정 하여 중간체 10-6을 6.8g(수율: 75.5%)수득하였다. (m/z=317)
(5) 제조예 7-7 : 중간체 10-7 합성
Figure pat00068
중간체 10-6 (6.8g, 0.032mol)과 2,8-dibromodibenzo[b,d]thiophene (8.8g, 0.026mol/시그마알드리치)을 톨루엔 용액 300ml에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.23g, 0.0004mol), K2CO3 (4.4g, 0.032mol)을 넣고 질소 하에서 3시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 중간체 10-7을 4.31g(수율: 42%) 수득하였다.(m/z=534)
(6) 제조예 7-8 : 중간체 10-8 합성
Figure pat00069
중간체 10-7 (9.6g, 0.018mol)과 3,5-di(pyridin-2-yl)phenylboronic acid (7.4g, 0.027mol/시안(중국))을 톨루엔 용액에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.19g, 0.0004mol), K2CO3 (4.0g, 0.029mol)을 넣고 질소 하에서 12시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 화합물 10-8을 10.38g(수율: 84.3%) 수득하였다.(m/z=685)
(7) 제조예 7-9 : 화합물 10 의 합성
Figure pat00070
중간체 10-8 (34g, 0.0596mol)에 Bromobenzene (20.57g, 0.131mol), 촉매Pd2(dba)3 (0.55g, 0.000596mol), t-buthyl phosphine (0.24g, 0.0012mol), NaOtBu (6.9g, 0.072mol)에 톨루엔을 넣고 질소 분위기하에서 80℃ 4시간 반응 시킨 후 물을 부어 추출하고 헥산으로 재결정하여 화합물 10을 36.3g(수율:80%)얻었다.
HNMR(200MHz,CDCl3), ppm:1H(7.50/M, 8.68/S, 7.53/S, 7.98/D, 8.55/D, 7.25/M, 7.33/M, 7.94/D, 7.45/M, 8.45/D, 7.52/M) 2H(7.00/M, 7.51/M, 8.50/D, 7.26/D, 8.23/S, 7.50/D, 8.00/S, 8.00/D, 7.86/D, 7.58/M)
LC/Mass [M+H]+ :762.95
실시예 8 : 화합물 15 합성
Figure pat00071
(1) 제조예 8-1 : 중간체 15-1 합성
Figure pat00072
중간체 1-4는 실시예 1의 방법과 동일하게 제조하였다
중간체 1-4 (20.35g, 0.045mol)와 1-bromo-3-iodobenzene (13.8g, 0.049mol/시그마알드리치)을 톨루엔 용액 500ml에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (1.g, 0.00094mol), K2CO3 (17.04g, 0.126mol)을 넣고 질소 하에서 6시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 화합물 15-1을 19g(수율: 75%) 수득하였다 (m/z=562.1)
(1) 제조예 8-2 : 화합물 15 합성
Figure pat00073
중간체 7-3은 실시예 5의 방법과 동일하게 제조하였다
중간체 15-1 (15g, 0.027mol)과 중간체 7-3(9g, 0.027mol)을 톨루엔 용액 200ml에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.19g, 0.0004mol), K2CO3 (4.0g, 0.029mol)을 넣고 질소하에서 12시간 환류 교반하여 반응하였다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출 후 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 화합물 15를 16.9g(수율:81%) 수득하였다.(m/z=685)
H-NMR(200MHz, CDCl3), δ ppm : 1H (8.00/S, 7.57/M, 7.70/S, 7.77/S) 2H (7.52/M, 8.45/D, 7.50/M, 7.98/D, 7.48/D, 7.45/M, 7.25/M, 7.33/M, 7.94/D, 8.55/D) 4H (7.50/D, 7.58/M)
LC/Mass [M+H]+ :773.98
실시예9 : 화합물 16 합성
Figure pat00074
(1) 제조예 9-1 : 중간체 16-1 합성
Figure pat00075
중간체 7-3은 실시예 5의 방법과 동일하게 제조하였다
중간체 7-3 (20.35g, 0.06mol)과 2-Iodo-5-bromopyridine (18.3g, 0.065mol/시그마알드리치)을 톨루엔 용액 1000ml에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.6g, 0.00054mol), K2CO3 (17.04g, 0.126mol)을 넣고 질소 하에서 4시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 중간체 16-1을 20g(수율: 75%) 수득하였다
(2) 제조예 9-2 : 화합물 16 합성
Figure pat00076
중간체 16-1 (9.6g, 0.021mol)과 3,5-di(pyridin-3-yl)phenylboronic acid (5.9g, 0.022mol/시안(중국))을 톨루엔 용액에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.19g, 0.0004mol), K2CO3 (4.0g, 0.029mol)을 넣고 질소 하에서 12시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane)하여 화합물 16을 10.04g(수율: 80%) 수득하였다
H-NMR(200MHz, CDCl3), δ ppm : 1H (7.72/S, 7.44/M, 8.51/S) 2H (8.70/D, 7.57/M, 8.42/D, 9.24/S, 8.17/S, 6.86/D, 7.98/D, 7.50/M, 7.52/M, 8.45/D)
LC/Mass[M+H]+ :598.75
실시예 10 : 화합물 18 합성
Figure pat00077
(1) 제조예 10-1 : 중간체 18-1 합성
Figure pat00078
중간체 7-3은 실시예 5의 방법과 동일하게 제조하였다
중간체 7-3 (10.2g, 0.03mol)과 1-bromo-3-iodobenzene (9.1g, 0.032mol/시그마알드리치)을 톨루엔 용액 400ml에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.5.g, 0.00046mol), K2CO3 (8.5g, 0.062mol)을 넣고 질소 하에서 4시간 환류 교반하여 반응하였다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출 후 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 중간체 18-1을 10g(수율:75%)을 수득하였다
(2) 제조예 10-2 : 화합물 18 합성
Figure pat00079
1-phenylbenzoimidazole(4.9g, 0.025mol)을 정제된 THF 200ml에 넣고 NaH(sodiumhydride, azole(0.72g, 0.03mol) O℃에서 적가한 후 2시간 교반시켜 주었다. 상온으로 온도를 올린 후 중간체 18-1(9g, 0.02mol) THF 100ml에 녹여 적가 한 후 질소 하에서 4시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 물과 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane)하여 중간체 18을 6.7g(수율:60%) 수득하였다
H-NMR(200MHz,CDCl3), δ ppm : 1H (7.59/D, 8.56/D, 7.45/M, 7.70/S, 8.00/S, 7.57/M, 8.24/D, 7.48/D) 2H (7.22/M, 7.50/D, 7.50/M, 7.58/M, 7.98/D, 7.52/D, 8.45/D)
LC/Mass[M+H]+ :559.71
실시예 11 : 화합물 21 합성
Figure pat00080
(1) 제조예 11-1 : 중간체 21-1 합성
Figure pat00081
중간체 7-3은 실시예 5의 방법과 동일하게 제조하였다
중간체 7-3 (9g, 0.022mol)과 2,5-dibromothiophene (6.g, 0.025mol)을 톨루엔 용액 250ml에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.25.g, 0.00023mol), K2CO3 (8.5g, 0.062mol)을 넣고 질소 하에서 80℃에서 4시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출하고 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 중간체 21-1을 3.9g(수율: 45%) 수득하였다.
(2)제조예 11-2 : 화합물 21 합성
Figure pat00082
N-phenylbenzimidazole (4.9g, 0.025mol)을 정제된 THF 200ml에 넣고 NaH(sodiumhydride, azole (0.72g, 0.03mol) O℃에서 적가 한 후 2시간 동안 교반시켜 주었다. 상온으로 온도를 올리고 중간체 21-1(9g, 0.016mol) 적가한 후 질소 하에서 3시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 물과 디클로로메탄으로 추출 후 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 중간체 21을 4.9g(수율:54%) 수득하였다.
H-NMR(200MHz, CDCl3), δ ppm : 1H (7.45/M, 8.56/D, 7.59/D, 8.00/S) 2H (8.45/D, 7.50/D, 7.50/M, 7.52/M, 7.22/M, 7.98/D, 7.73/S, 7.58/M)
LC/Mass[M+H]+ :565.74
실시예 12 : 화합물 22 합성
Figure pat00083
(1) 제조예 12-1 : 화합물 22 합성
Figure pat00084
중간체 7-3은 실시예 5의 방법과 동일하게 제조하였다
중간체 7-3 (11.2g, 0.034mol)과 2,5-dibromothiophene (3.87.g, 0.016mol)을 톨루엔 용액 250ml에 넣고 Pd(pph)4(팔라듐테트라키스) (0.5.g, 0.00046mol), K2CO3 (8.5g, 0.062mol)을 넣고 질소 하에서 10시간 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 디클로로메탄으로 추출 후 실리카 칼럼정제(EA:hexane) 하여 화합물 22를 8g(수율: 82%) 수득하였다
H-NMR(200MHz, CDCl3), δ ppm : 2H (8.00/S, 7.73/D) 4H (7.52/M, 7.50/M, 7.98/D, 8.45/D)
LC/Mass[M+H]+ :661.91
본 발명의 시험예에서 쓰이는 약어는 아래와 같다.
NPB: N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine
Ir(ppy)3: Iridium, tris(2-phenylpyidine)
Balq: Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum
Alq3: tris(8-quinolinolato)-aluminium(III)
CBP: (4,4-N,N-dicarbazole)biphenyl
시험예 1: 화합물 1을 발광층의 호스트 재료로 하여 유기전계발광소자 제조
ITO로 코팅된 유리기판 위에 NPB를 증착하여 120nm의 정공수송층을 형성하였으며, 이어서 Ir(ppy)3을 도펀트로 하여 화합물 1의 증착속도를 0.1nm/sec, Ir(ppy)3 증착속도를 0.009nm/sec로 증착하고, 증착속도 비율이 9%가 되도록 Ir(ppy)3을 도핑하여 정공수송층 상에 발광층을 30nm 두께로 형성하였다.
그 위에 Balq를 10nm 두께로 증착하여 정공이 발광층을 지나 전자수송층으로 이동하는 것을 방지하는 정공차단층을 형성하고, 그 위에 Alq3를 증착하여 40nm의 전자수송층을 형성하였으며, 그 위에 불화리튬을 증착하여 1nm의 전자주입층을 형성하였다. 전자주입층 상에 알루미늄을 증착하여 120nm의 음극을 형성하여 유기전계발광소자를 제조하였다.
이때, 각 물질의 증착속도는 유기물질인, 화합물 1, NPB, Alq3, Balq는 0.1 nm/sec, 불화리튬은 0.01 nm/sec, 알루미늄은 0.5 nm/sec로 하였다.
시험예 2 내지 12
화합물 1대신에 표 2에 기재된 발광재료를 사용한 것을 제외하고는 시험예 1과 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 제조하였다.
비교시험예 1
상기 화합물 1 대신 (4,4-N,N-dicarbazole)biphenyl (CBP)를 발광재료로 사용한 것을 제외하고는 시험예 1과 동일한 방법으로 유기전계발광소자를 제조하였다.
이하, 상기 시험예 1 내지 12와 비교시험예 1에 따라 제조된 유기전계발광소자의 특성을 비교한 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
발광재료 구동전압(V)
(at 1000cd/m2)		 발광효율
(cd/A)		 색(CIX(x,y))
시험예 1 화합물 1 4.1 28 0.30, 0.65
시험예 2 화합물 2 5.2 22 0.29, 0.66
시험예 3 화합물 4 5.3 27 0.30, 0.60
시험예 4 화합물 5 4.9 31 0.31, 0.63
시험예 5 화합물 7 5.5 29 0.33, 0.60
시험예 6 화합물 8 4.5 40 0.28, 0.64
시험예 7 화합물 10 4.1 35 0.35, 0.59
시험예 8 화합물 15 5.0 28 0.34, 0.60
시험예 9 화합물 16 5.2 35 0.33, 0.66
시험예 10 화합물 18 4.9 38 0.33, 0.63
시험예 11 화합물 21 5.3 40 0.29, 0.63
시험예 12 화합물 22 4.2 35 0.30, 0.66
비교시험예 1 CBP 6.5 19 0.33, 0.63
구동전압 및 발광효율 측정
위에서 만든 유기발광소자(기판크기: 25×25mm/증착면적: 2×2mm)을 IVL 측정셋트(CS-2000+지그+IVL프로그램)에 고정 한 후 전류를 1mA/m2씩 상승시키며 증착면의 발광 휘도(cd/m2), 구동전압(V), 전류밀도(A/m2), 발광효율(cd/A)을 측정하여 휘도가 1000cd/m2 일때 구동전압과 발광효율을 표 1에 나타내었다.
표 1을 참고하면, 본 발명에 따른 유기전계발광소자용 화합물이 유기전계발광소자의 발광층의 호스트 물질로 사용될 때 종래의 CBP를 사용할 때보다 구동전압이 상당히 떨어지고, 발광효율이 상당히 우수함을 보여주고 있다.

Claims (9)

  1. 하기 구조식 1로 표시되는 유기전계발광소자용 화합물.
    [구조식 1]
    Figure pat00085

    상기 구조식 1에서,
    R1 및 R2는 서로 같거나 다를 수 있고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이거나, 또는 이웃한 벤젠고리의 탄소원자와 결합하여 그 사이의 탄소원자와 함께 치환 또는 비치환된 융합된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 융합된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기를 형성할 수 있고,
    X1 및 X2는 서로 같거나 다를 수 있고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 산소원자, 황원자,
    Figure pat00086
    ,
    Figure pat00087
    또는
    Figure pat00088
    이고,
    R3 내지 R5는 서로 같거나 다를 수 있고, R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
    Ar1은 하기 구조식 2 내지 4로 표시되고,
    [구조식 2]
    Figure pat00089

    [구조식 3]
    Figure pat00090

    [구조식 4]
    Figure pat00091

    상기 구조식 2 내지 4에서,
    R6 내지 R9는 서로 같거나 다를 수 있고, R6 내지 R9는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
    Y1 내지 Y3는 서로 같거나 다를 수 있고, Y1 내지 Y3는 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
    X3은 산소원자, 황원자 또는
    Figure pat00092
    이고,
    R10은 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
    X4는 산소원자, 황원자,
    Figure pat00093
    ,
    Figure pat00094
    , 또는
    Figure pat00096
    이고,
    R11 내지 R13은 서로 같거나 다를 수 있고, R11 내지 R13은 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
    Ar2는 하기 구조식 5 내지 10으로 표시되고,
    [구조식 5]
    Figure pat00097

    [구조식 6]
    Figure pat00098

    [구조식 7]
    Figure pat00099

    [구조식 8]
    Figure pat00100

    [구조식 9]
    Figure pat00101

    [구조식 10]
    Figure pat00102

    상기 구조식 5 내지 10에서,
    R14 내지 R25는 서로 같거나 다를 수 있고, R14 내지 R25는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이거나, 또는 이웃한 벤젠고리의 탄소원자와 결합하여 그 사이의 탄소원자와 함께 치환 또는 비치환된 융합된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 융합된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기를 형성할 수 있고,
    Y4 내지 Y11은 서로 같거나 다를 수 있고, Y4 내지 Y11은 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
    X5 내지 X7은 서로 같거나 다를 수 있고, X5 내지 X7은 각각 독립적으로 산소원자, 황원자,
    Figure pat00103
    ,
    Figure pat00104
    또는
    Figure pat00105
    이고,
    R26 내지 R28은 서로 같거나 다를 수 있고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구조식 1에서, R1 및 R2는 서로 같거나 다를 수 있고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
    X1 및 X2는 서로 같거나 다를 수 있고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 산소원자, 황원자 또는
    Figure pat00106
    이고,
    R3는 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
    상기 구조식 2 내지 4에서, R6 내지 R9는 서로 같거나 다를 수 있고, R6 내지 R9는 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,
    Y1 내지 Y3는 서로 같거나 다를 수 있고, Y1 내지 Y3는 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
    X3은 산소원자, 황원자 또는
    Figure pat00107
    이고,
    R10은 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
    X4는 산소원자, 황원자,
    Figure pat00108
    또는
    Figure pat00109
    이고,
    R11은 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고,
    상기 구조식 5 내지 10에서, R14 내지 R25는 서로 같거나 다를 수 있고, R14 내지 R25는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이거나, 또는 이웃한 벤젠고리의 탄소원자와 결합하여 그 사이의 탄소원자와 함께 치환 또는 비치환된 융합된 C6 내지 C30 아릴기를 형성할 수 있고,
    Y4 내지 Y11은 서로 같거나 다를 수 있고, Y4 내지 Y11은 각각 독립적으로 탄소원자 또는 질소원자이고,
    X5 내지 X7은 서로 같거나 다를 수 있고, X5 내지 X7은 각각 독립적으로 산소원자, 황원자 또는
    Figure pat00110
    이고,
    R26은 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자용 화합물.
  3. 하기 구조식 1로 표시되는 유기전계발광소자용 화합물.
    [구조식 1]
    Figure pat00111

    상기 구조식 1에서,
    R1 및 R2는 서로 같거나 다를 수 있고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이거나, 또는 이웃한 벤젠고리의 탄소원자와 결합하여 그 사이의 탄소원자와 함께 치환 또는 비치환된 융합된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 융합된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기를 형성할 수 있고,
    X1 및 X2는 서로 같거나 다를 수 있고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 산소원자, 황원자,
    Figure pat00112
    ,
    Figure pat00113
    또는
    Figure pat00114
    이고,
    R3 내지 R5는 서로 같거나 다를 수 있고, R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로 아릴기이고,
    Ar1은 하기 구조식 B1 내지 B9로 표시되는 치환기이고,
    Ar2는 하기 구조식 A1 내지 A9로 표시되는 치환기이다.
    Figure pat00115

    Figure pat00116
  4. 하기 화학식으로 표시되는 화합물 중에서 선택된 어느 하나인 유기전계발광소자용 화합물.
    Figure pat00117

    Figure pat00118

    Figure pat00119
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 유기전계발광소자용 화합물을 포함하는 유기전계발광소자.
  6. 제1전극, 제2전극 및 제1전극과 제2전극 사이에 단수 또는 복수의 유기물층을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서,
    상기 단수 또는 복수의 유기물층 중에서 선택된 1종 이상의 유기물층은 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 유기전계발광소자용 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 단수 또는 복수의 유기물층은 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 복수의 유기물층은 전자주입층, 전자수송층, 정공차단층, 전자차단층, 정공수송층 및 정공주입층 중에서 선택된 1종 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 발광층은 호스트와 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016140497A3 (ko) * 2015-03-03 2016-10-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2017092473A1 (zh) * 2015-12-04 2017-06-08 广州华睿光电材料有限公司 一种连吲哚杂环类化合物及其在有机电子器件中的应用
WO2018034444A1 (ko) * 2016-08-17 2018-02-22 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR101861159B1 (ko) * 2015-07-27 2018-05-25 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2018123783A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
KR20190037772A (ko) * 2017-09-29 2019-04-08 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2020071720A1 (ko) * 2018-10-01 2020-04-09 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101321755B (zh) * 2005-12-01 2012-04-18 新日铁化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
WO2010113761A1 (ja) 2009-03-31 2010-10-07 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子
KR101758865B1 (ko) 2009-12-28 2017-07-17 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
US8637857B2 (en) 2010-04-06 2014-01-28 Basf Se Substituted carbazole derivatives and use thereof in organic electronics

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019055950A (ja) * 2015-03-03 2019-04-11 ドク サン ネオルクス カンパニー リミテッド 有機電気素子用化合物、これを用いた有機電気素子及びその電子装置
CN111018881B (zh) * 2015-03-03 2022-11-01 德山新勒克斯有限公司 有机电气元件用化合物、利用其的有机电气元件及其电子装置
CN107428773A (zh) * 2015-03-03 2017-12-01 德山新勒克斯有限公司 有机电气元件用化合物、利用其的有机电气元件及其电子装置
US10717744B2 (en) 2015-03-03 2020-07-21 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electric element, organic electric element comprising the same and electronic device thereof
JP2018510148A (ja) * 2015-03-03 2018-04-12 ドク サン ネオルクス カンパニー リミテッド 有機電気素子用化合物、これを用いた有機電気素子及びその電子装置
US20180141957A1 (en) * 2015-03-03 2018-05-24 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electric element, organic electric element comprising the same and electronic device thereof
WO2016140497A3 (ko) * 2015-03-03 2016-10-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN111018881A (zh) * 2015-03-03 2020-04-17 德山新勒克斯有限公司 有机电气元件用化合物、利用其的有机电气元件及其电子装置
KR101861159B1 (ko) * 2015-07-27 2018-05-25 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2017092473A1 (zh) * 2015-12-04 2017-06-08 广州华睿光电材料有限公司 一种连吲哚杂环类化合物及其在有机电子器件中的应用
WO2018034444A1 (ko) * 2016-08-17 2018-02-22 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
US11296279B2 (en) 2016-08-17 2022-04-05 Duk San Neolux Co., Ltd. Compound for organic electric element, organic electric element comprising the same and electronic device thereof
WO2018123783A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 新日鉄住金化学株式会社 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
KR20190037772A (ko) * 2017-09-29 2019-04-08 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2020071720A1 (ko) * 2018-10-01 2020-04-09 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

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