KR20140008712A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140008712A
KR20140008712A KR1020120075611A KR20120075611A KR20140008712A KR 20140008712 A KR20140008712 A KR 20140008712A KR 1020120075611 A KR1020120075611 A KR 1020120075611A KR 20120075611 A KR20120075611 A KR 20120075611A KR 20140008712 A KR20140008712 A KR 20140008712A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solvent
substrate
chamber
gas
line
Prior art date
Application number
KR1020120075611A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102063109B1 (ko
Inventor
박철호
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020120075611A priority Critical patent/KR102063109B1/ko
Publication of KR20140008712A publication Critical patent/KR20140008712A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102063109B1 publication Critical patent/KR102063109B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 일측벽에 기판이 출입하는 개구를 가지는 하우징 및 상기 개구를 개폐하는 도어를 가지는 챔버; 상기 챔버의 내부공간에 제공되며 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 챔버의 일면에 연결되어 상기 내부공간으로, 상기 기판에 고형화된 물질을 어닐링 하는 용매가스를 공급하는 공급 유닛; 및 상기 내부공간에 흡입압력을 제공하는 배기유닛을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}
본 발명은 기판에 어닐링 공정을 수행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 디스플레이 패널을 제조하기 위해서, 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이 과정에서, 반도체 소자 또는 디스플레이 패널의 제조에 사용되는 기판에는 무기물, 유기물 또는 염료 등의 물질이 도포된다. 기판에 도포된 물질이 고형화된 후, 기판은 어닐링 공정이 수행될 수 있다. 어닐링 공정으로 분자 또는 원자들이 재배열되면, 기판에 도포된 물질의 결정 구조 또는 기판 표면의 평탄도 등이 변경된다.
어닐링 공정은 기판에 열을 가하여 수행될 수 있다. 기판에 도포된 물질의 분자 또는 원자가 운동 할 수 있는 에너지를 제공하기 위해서는, 기판을 고온으로 가열된다. 기판에 도포된 물질은 고분자물질 또는 유기물질일 수 있다. 물질의 분자량이 크면, 분자의 구조가 복잡하게 제공된다. 이러한 분자의 구조는 분자들 간의 상대적인 운동을 방해한다. 분자들이 재 배열되기 위해서는 기판을 일정 시간 이상 가열하여야 한다. 따라서, 어닐링 공정에 소요되는 시간이 길어진다. 또한, 기판을 일정시간 이상 가열하면, 물질이 열 변형될 수 있다.
본 발명은 기판을 가열하지 않고 어닐링 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판에 균일하게 용매 가스를 공급할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 일측벽에 기판이 출입하는 개구를 가지는 하우징 및 상기 개구를 개폐하는 도어를 가지는 챔버; 상기 챔버의 내부공간에 제공되며 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 챔버의 일면에 연결되어 상기 내부공간으로, 상기 기판에 고형화된 물질을 어닐링 하는 용매가스를 공급하는 공급 유닛; 및 상기 내부공간에 흡입압력을 제공하는 배기유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 공급 유닛은, 용매를 저장하는 용매탱크; 상기 용매탱크를 상기 챔버에 형성된 공급홀에 연결하는 공급라인; 및 상기 공급라인을 개폐하는 메인 밸브를 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 공급 유닛을 나타내는 도면이다.
도 3은 어닐링 공정이 수행되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 분자들이 재배열되는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 부재(200), 분배 부재(300), 배기유닛(400) 및 공급 유닛(500)을 포함한다.
챔버(100)는 하우징(110) 및 도어(120)를 포함한다. 하우징(110)은 기판 처리 장치(10)의 외관을 형성한다. 하우징(110)은 기판(도 3의 s)이 처리되는 내부공간이 형성되도록 제공된다. 하우징(110)의 일면에는 기판(s)이 반입되는 개구(111)가 형성되고, 개구(111)에는 도어(120)가 제공된다. 도어(120)는 개구(111)를 개폐한다. 도어(120)가 열려 개구(111)가 개방되면, 기판(s)이 챔버(100) 내부공간으로 반입된다. 기판(s)에는 어닐링 공정이 수행될 물질이 도포된 후 고형화 되어 있다. 기판(s)은 디스플레이패널을 형성에 제공되는 글라스 또는 반도체의 생산에 사용되는 웨이퍼 일수 있다. 또는 태양전지의 제조에 사용되는 기판(s)일 수 있다. 기판(s)이 반입된 후, 챔버(100) 내부공간에서 처리되는 동안, 도어(120)는 개구(111)를 차폐한다.
지지 부재(200)는 챔버(100)의 내부공간에 위치된다. 지지 부재(200)의 상면에는 기판(s)이 위치된다. 리프트 핀(미도시)은 지지 부재(200)에 형성된 홀 (미도시)에 위치된다. 챔버(100) 내부로 반입된 기판(s)은 지지 부재(200) 위로 상승한 리프트 핀에 놓여진다. 리프트 핀에 기판(s)이 놓여지면, 리프트 핀은 지지 부재(200) 아래로 이동하게 되어, 기판(s)은 지지 부재(200)에 위치된다.
분배 부재(300)는 지지 부재(200)의 상부에 위치된다. 분배 부재(300)는 플레이트 형상으로 제공될 수 있다. 분배 부재(300)는 지지 부재(200)와 평행하게 위치될 수 있다. 분배 부재(300)는 개구(111) 보다 위에 위치된다. 하우징(110)의 내부공간은 분배 부재(300)에 의해 상부공간(112) 및 하부공간(113)으로 구획된다. 개구(111)는 하부공간(113)에 형성된다. 따라서, 분배 부재(300)는 하우징(110)으로 반입 또는 하우징(110)에서 반출되는 기판(s)의 이동을 방해하지 않는다. 분배 부재(300)에는 분배홀(301)들이 형성된다. 분배홀(301)들은 분배 부재(300)의 모든 영역에 걸쳐 형성된다. 분배홀(301)은 상부공간(112) 및 하부공간(113)이 연통되도록 한다.
배기유닛(400)은 챔버(100)의 일면에 연결된다. 배기유닛(400)은 펌프(401), 응축기(402) 및 조절부재(403)를 포함한다. 챔버(100)의 일면에는 배기홀(114)이 형성된다. 일 예로, 배기홀(114)은 챔버(100)의 측면 또는 챔버(100)의 하면에 형성될 수 있다. 배기홀(114)은 하부공간(113)에 형성된다. 펌프(401)는 배기라인(404)으로 배기홀(114)에 연결된다. 펌프(401)는 내부공간에 흡입압력을 제공한다. 배기라인(404)에는 응축기(402)가 제공된다. 응축기(402)의 펌프(401)의 앞쪽에 위치된다. 응축기(402)는 배기라인(404)을 유동하는 기체 또는 흄을 응축하여 부피를 줄인다. 따라서, 응축기(402)는 펌프(401)에 가해지는 부하를 감소시킨다.
도 2는 공급 유닛을 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 공급 유닛(500)은 용매탱크들(501, 502) 및 기체탱크(503)를 포함한다.
공급 유닛(500)은 상부공간(112)에 연결된다. 챔버(100)의 측면 또는 상면에는 공급홀(115)이 형성된다. 용매탱크들(501, 502) 및 기체탱크(503)는 공급라인(510, 511, 512, 513)으로 공급홀(115)에 연결된다. 공급라인(510, 511, 512, 513)은 메인라인(510), 제 1 라인(511), 제 2 라인(512) 및 제 3 라인(513)을 포함한다. 메인라인(510)의 일단은 공급홀(115)에 연결된다. 메인라인(510)의 타단에서는 제 1 라인(511) 내지 제 3 라인(513)이 병렬로 분지된다. 메인라인(510)에는 메인밸브(515) 및 유량조절부재(514)가 제공된다. 메인밸브(515)는 메인라인(510)으로 유동하는 용매의 흐름을 개폐한다. 또한, 유량조절부재(514)는 메인라인(510)으로 유동하는 용매의 양을 조절한다. 메인밸브(515)는 조절부재(403)를 보조하여, 유동하는 용매의 양을 조절할 수 있다. 제 1 라인(511)의 단부에는 제 1 용매탱크(501)가 연결되고, 제 2 라인(512)의 단부에는 제 2 용매탱크(502)가 연결된다. 제 1 용매탱크(501)는 기상의 제 1 용매를 제 1 라인(511)으로 공급한다. 제 2 용매탱크(502)는 기상의 제 2 용매를 제 2 라인(512)으로 공급한다. 제 1 라인(511) 및 제 2 라인(512)에는 각각 제 1 밸브(516) 및 제 2 밸브(517)가 제공된다. 제 1 밸브(516) 및 제 2 밸브(517)는 각각 제 1 라인(511) 및 제 2 라인(512)을 개폐하고, 제 1 라인(511) 및 제 2 라인(512)을 유동하는 용매의 양을 조절한다. 기체탱크(503)는 제 1 용매탱크(501) 및 제 2 용매탱크(502)에 병렬로 연결된다. 기체탱크(503)는 제 3 라인(513)의 단부에 연결된다. 기체탱크(503)는 제 3 라인(513)으로 기체를 공급한다. 제 3 라인(513)에는 제 3 밸브(518)가 제공된다. 제 3 밸브(518)는 제 3 라인(513)을 개폐하고, 유동하는 기체의 양을 조절한다.
다른 실시 예에 의하면, 공급 유닛(500)은 제 2 용매탱크(502)가 생략될 수 있다. 따라서, 공급 유닛(500)은 제 1 용매와 기체을 혼합하여 공급하거나 제 1 용매만을 공급할 수 있다. 또한, 공급 유닛(500)은 제 2 용매탱크(502) 및 기체탱크(503)가 생략될 수 있다.
도 3은 어닐링 공정이 수행되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하여, 어닐링 공정이 수행되는 과정을 설명한다.
어닐링 공정이 수행될 기판(s)은 챔버(100)로 반입되어 지지 부재(200)의 상면에 위치된다. 이후, 공급홀(115)로 용매 가스가 공급된다. 용매 가스는 제 1 용매, 제 2 용매 또는 기체가 혼합되어 형성된다. 제 1 밸브(516) 및 제 2 밸브(517)는 메인라인(510)으로 유입되는 제 1 용매 및 제 2 용매의 양을 조절한다. 일 예로, 제 1 밸브(516)는 개방되고 제 2 밸브(517)는 폐쇄되어 메인라인(510)으로 제 1 용매만 유입될 수 있다. 또한, 제 1 밸브(516) 및 제 2 밸브(517)는 일정 비율의 제 1 용매 및 제 2 용매가 메인 라인으로 유입되도록 조절될 수 있다. 제 3 밸브(518)는 메인라인(510)으로 유입되는 기체의 양을 조절한다. 메인라인(510)으로 유입된 기체는 공급홀(115)로 유입되는 용매 가스의 농도를 조절한다. 일 예로, 고농도의 용매가스를 공급할 때는, 제 3 밸브(518)는 폐쇄된다. 따라서, 제 1 용매와 제 2 용매가 혼합된 용매, 제 1 용매 또는 제 2 용매의 가스가 공급홀(115)로 공급된다. 또한, 저농도의 용매가스를 공급할 때는, 제 3 밸브(518)는 개방된다. 기체의 양은 제 1 용매 또는 제 2 용매와 일정 비율이 되도록 조절될 수 있다. 메인밸브(515)는 공급홀(115)로 공급되는 용매가스의 흐름을 개폐한다. 일 예로, 메인밸브(515)는 제 1 밸브(516), 제 2 밸브(517) 또는 제 3 밸브(518)와 동시에 개방될 수 있다. 따라서, 제 1 라인(511), 제 2 라인(512) 또는 제 3 라인(513)을 유동한 용매 및 기체는 메인라인(510)을 통해 공급홀(115)로 유동된다. 또한, 메인밸브(515)는 제 1 밸브(516), 제 2 밸브(517) 또는 제 3 밸브(518)보다 일정시간 늦게 개방될 수 있다. 따라서, 제 1 용매, 제 2 용매 또는 제 3 용매는 메인밸브(515)가 개방되기 전에 충분히 혼합될 수 있다. 조절부재(403)는 공급홀(115)로 공급되는 용매가스의 양 또는 압력을 조절한다.
공급홀(115)로 공급된 용매 가스는 상부공간(112)을 유동한다. 용매 가스의 흐름은 분배 부재(300)에 의해 가이드 된다. 따라서, 용매 가스는 층류를 이루며 상부공간(112)에 균일한 밀도로 퍼진다. 상부공간(112)의 용매 가스는 분배홀(301)을 통해 하부공간(113)으로 공급된다. 용매 가스는 상부공간(112)에 균일한 밀도로 퍼져 있으므로, 각 분배홀(301)을 유동하는 용매 가스의 밀도도 균일해 진다. 따라서, 용매가스는 하부공간(113)의 각 위치에 균일한 밀도로 공급된다.
배기유닛(400)은 어닐링 공정이 수행되는 동안, 내부공간의 용매 가스를 일정 밀도로 유지한다. 일 예로, 용매 가스는 설정 밀도 보다 높게 내부공간에 공급될 수 있다. 이 때, 배기 유닛은 내부공간의 용매 가스를 배기하여, 용매 가스의 밀도를 낮춘다. 또한, 배기유닛(400)은 설정시간의 경과에 따라 용매 가스 밀도를 변경할 수 있다. 일 예로, 배기유닛(400)은 용매 가스의 밀도를 설정 시간의 경과에 따라 단계적으로 낮출 수 있다. 또한, 배기유닛(400)은 에닐링 공정이 완료된 후, 내부공간의 기체 또는 용매 가스를 외부로 배기한다.
도 4는 분자들이 재배열 되는 모습을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하여, 기판에 고형화된 물질이 어닐링 되는 과정을 설명한다.
기판에 공급된 용매(sb) 가스는 고형화된 물질에 침투한다. 고형화된 물질의 분자(m)(또는 원자, 이하 분자(m)에 대해서만 기재 한다) 사이에는 용매(sb)가 위치된다. 용매(sb)는 분자(m)와 분자(m) 사이의 거리를 증가시킨다. 분자(m)가 고분자(m)인 경우에, 분자(m)의 구조는 복잡하게 형성된다. 복잡한 분자(m)구조는 분자(m)와 분자(m)의 상대적 운동을 방해한다. 그러나, 분자(m) 사이의 거리가 증가되면, 분자(m)의 운동성이 향상된다. 따라서, 용매(sb)는 분자(m)가 일정 위치에서 운동할 수 있도록 한다. 분자(m)의 방향성 또는 위치가 변경되면서, 고형화된 물질은 어닐닝 된다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 수개가 동시에 사용될 수 있다. 일 예로, 기판 처리 장치(10)는 수개가 상하로 배치되거나, 수개가 일렬로 배치될 수 있다. 각각의 기판 처리 장치(10)는 기판(s)에 어닐링 공정을 수행하므로, 복수의 기판(s)에 어닐링 공정이 동시에 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기판을 가열하지 않고 어닐링 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 어닐링 공정이 수행되는 동안 열 에너지에 의한 물질의 변성이 방지된다.
또한, 기판에 고형화된 물질에 따라 용매(sb) 가스는 상이하게 제공될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따르면 다양한 물질이 어닐링 될 수 있다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
본 발명 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(11)는 챔버(130), 지지 부재(210), 배기유닛(410) 및 공급 유닛(530)을 포함한다.
도 5의 기판 처리 장치(11)는 분배 부재(도 1의 300)가 제공되지 않는다. 공급 유닛(530)의 구성은 도 1의 기판 처리 장치(11)와 동일하므로, 반복된 설명은 생략한다.
챔버(130)에는 가열부재(133)가 제공된다. 가열부재(133)는 챔버(130)의 측면, 상면 또는 하면에 제공될 수 있다. 가열부재(133)는 내부공간에 열을 공급한다. 어닐링 공정이 수행되는 동안, 내부공간은 가열부재(133)에서 제공되는 열로 일정 온도를 유지할 수 있다.
지지부재(210)에는 하부 가열부재(211)가 제공된다. 하부 가열부재(211)는 지지부재(210) 및 내부공간에 열을 공급한다. 어닐링 공정이 수행되는 동안, 기판(s)은 하부 가열부재(211)에 의해 일정 온도로 유지될 수 있다.
배기유닛(410)은 응축기 및 조절부재가 생략되어 제공된다. 배기홀(131)은 챔버(130)의 일면에 형성된다. 일 예로, 배기홀(131)은 챔버(130)의 상면, 측면 또는 하면에 형성될 수 있다. 공급홀(132)은 챔버(130)의 일면에 형성된다. 공급홀(132)은 배기홀(131)과 동일한 면 또는 상이한 면에 형성될 수 있다. 일 예로, 공급홀(132) 및 배기홀(131)은 상이한 챔버(130)의 측면에 형성될 수 있다. 이 때, 공급홀(132) 및 배기홀(131)의 챔버(130) 저면에서의 높이는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 공급홀(132) 및 배기홀(131)은 동일한 챔버(130)의 측면에 형성될 수 있다. 이때, 공급홀(132)은 배기홀(131)의 상부, 하부 또는 일측에 형성될 수 있다.
또 다른 실시 예로, 가열부재(133)는 생략될 수 있다. 또는, 하부 가열부재(211)가 생략될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 의하면, 가열부재(133) 또는 하부 가열부재(211)는 내부공간 또는 기판이 일정 온도로 유지되도록 한다. 따라서, 어닐링 공정의 효율이 상승 된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치 100:챔버
110: 하우징 111: 개구
114: 배기홀 120:도어
200: 지지 부재 300: 분배 부재
400: 배기유닛 500: 공급 유닛
501: 제 1 용매탱크 502: 제 2 용매탱크
510: 메인라인 511: 제 1 라인
512: 제 2 라인 515: 메인밸브

Claims (2)

  1. 일측벽에 기판이 출입하는 개구를 가지는 하우징 및 상기 개구를 개폐하는 도어를 가지는 챔버;
    상기 챔버의 내부공간에 제공되며 기판을 지지하는 지지 부재;
    상기 챔버의 일면에 연결되어 상기 내부공간으로, 상기 기판에 고형화된 물질을 어닐링 하는 용매가스를 공급하는 공급 유닛; 및
    상기 내부공간에 흡입압력을 제공하는 배기유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급 유닛은,
    용매를 저장하는 용매탱크;
    상기 용매탱크를 상기 챔버에 형성된 공급홀에 연결하는 공급라인; 및
    상기 공급라인을 개폐하는 메인 밸브를 포함하는 기판 처리 장치.
KR1020120075611A 2012-07-11 2012-07-11 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102063109B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120075611A KR102063109B1 (ko) 2012-07-11 2012-07-11 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120075611A KR102063109B1 (ko) 2012-07-11 2012-07-11 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140008712A true KR20140008712A (ko) 2014-01-22
KR102063109B1 KR102063109B1 (ko) 2020-01-08

Family

ID=50142385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120075611A KR102063109B1 (ko) 2012-07-11 2012-07-11 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102063109B1 (ko)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282449A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Japan Pionics Co Ltd 気化器及び半導体製造装置の洗浄方法
KR100835752B1 (ko) * 2007-07-09 2008-06-05 세메스 주식회사 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치
KR20080077910A (ko) * 2007-02-21 2008-08-26 후지쯔 가부시끼가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 반도체 장치의 제조방법
KR100858693B1 (ko) * 2000-12-19 2008-09-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리장치, 열처리방법 및 패턴형성방법
WO2011127186A1 (en) * 2010-04-08 2011-10-13 The Regents Of The University Of Michigan Enhanced bulk heterojunction devices prepared by thermal and solvent vapor annealing processes
JP2012033904A (ja) * 2010-06-30 2012-02-16 National Institute For Materials Science 有機半導体薄膜形成方法、半導体素子及び有機電界効果トランジスタ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858693B1 (ko) * 2000-12-19 2008-09-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 열처리장치, 열처리방법 및 패턴형성방법
JP2003282449A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Japan Pionics Co Ltd 気化器及び半導体製造装置の洗浄方法
KR20080077910A (ko) * 2007-02-21 2008-08-26 후지쯔 가부시끼가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 반도체 장치의 제조방법
KR100835752B1 (ko) * 2007-07-09 2008-06-05 세메스 주식회사 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치
WO2011127186A1 (en) * 2010-04-08 2011-10-13 The Regents Of The University Of Michigan Enhanced bulk heterojunction devices prepared by thermal and solvent vapor annealing processes
JP2012033904A (ja) * 2010-06-30 2012-02-16 National Institute For Materials Science 有機半導体薄膜形成方法、半導体素子及び有機電界効果トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
KR102063109B1 (ko) 2020-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101850255B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20170114456A1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR20120140627A (ko) 일괄식 처리 장치
KR101274890B1 (ko) 기판 탑재 기구 및 그것을 이용한 기판 처리 장치
US20160035601A1 (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR100905258B1 (ko) 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치
CN108511366A (zh) 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
KR100859975B1 (ko) 다단 진공 건조 장치
KR101120029B1 (ko) 배치식 기판 처리 장치
US9418866B2 (en) Gas treatment method
JP5107318B2 (ja) 加熱処理装置
CN114570621A (zh) 减压干燥装置
KR102134949B1 (ko) 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법
KR102063109B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN108878324B (zh) 基板处理装置
CN216605955U (zh) 减压干燥装置
KR101016065B1 (ko) 배치식 열처리 장치
KR102053177B1 (ko) 반도체 기판의 공정 처리 챔버 장치
KR20200102725A (ko) 기판 적재부 및 기판처리 장치
WO2011142193A1 (ja) 金属膜形成システム、金属膜形成方法及びコンピュータ記憶媒体
KR102248048B1 (ko) 가스 분배장치
KR100542629B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치 및 방법
KR102315663B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101344920B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20220413397A1 (en) Support unit, bake apparatus and substrate treating apparatus including the same

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant