KR100835752B1 - 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치 - Google Patents
기판 제조용 초임계 유체 공급 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100835752B1 KR100835752B1 KR1020070068741A KR20070068741A KR100835752B1 KR 100835752 B1 KR100835752 B1 KR 100835752B1 KR 1020070068741 A KR1020070068741 A KR 1020070068741A KR 20070068741 A KR20070068741 A KR 20070068741A KR 100835752 B1 KR100835752 B1 KR 100835752B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- supercritical fluid
- fluid supply
- pressure
- reservoir
- solvent
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (7)
- 초임계 유체와 상기 초임계 유체의 성능을 향상시키기 위한 공용매를 혼합하고 혼합된 상기 초임계 유체와 상기 공용매를 공정 챔버에 공급하기 위한 제1 및 제2 저장소;상기 각각의 저장소에 상기 공용매를 공급하기 위한 제1 및 제2 공용매 공급부;상기 각각의 저장소에 상기 초임계 유체를 공급하기 위한 적어도 하나의 초임계 유체 공급부; 및상기 각각의 저장소에서 상기 혼합된 초임계 유체와 공용매를 상기 공정 챔버로 공급하는 혼합 유체 공급부를 포함하되,상기 초임계 유체 공급부는 상기 제1 및 제2 저장소에 연결되어 상기 각각의 저장소 내부의 상기 혼합된 초임계 유체와 공용매를 초임계 상태로 가압하기 위한 고압 펌프를 포함하는 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 초임계 유체 공급부는 2 개가 구비되어, 제1 초임계 유체 공급부는 상기 제1 저장소에 연결되고, 제2 초임계 유체 공급부는 상기 제 2 저장소에 연결되는 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 초임계 유체 공급부는 1 개가 구비되어, 상기 제1 저장소에 연결된 제1 저장소 연결 밸브와 상기 제2 저장소에 연결된 제2 저장소 연결 밸브의 개폐를 조절함으로써 상기 제1 저장소와 상기 제2 저장소 내부의 압력을 순차적으로 제어하는 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 초임계 유체 공급부는,액체 상태의 상기 초임계 유체를 저장하는 유체 저장부;상기 액체 상태의 초임계 유체를 임계 온도 이상으로 가열하는 히터; 및상기 초임계 유체의 공급을 개폐하는 초임계 유체 공급 밸브를 더 포함하는 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 공용매 공급부는,상기 공용매를 저장하는 공용매 저장부; 및상기 공용매의 공급을 개폐하는 공용매 공급 밸브를 포함하는 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 초임계 유체는 초임계 이산화 탄소인 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 공용매는 불산 또는 불산 피리딘염을 포함하는 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070068741A KR100835752B1 (ko) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070068741A KR100835752B1 (ko) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100835752B1 true KR100835752B1 (ko) | 2008-06-05 |
Family
ID=39770279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070068741A KR100835752B1 (ko) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100835752B1 (ko) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140008712A (ko) * | 2012-07-11 | 2014-01-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR101385412B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2014-04-14 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기액 혼합 유체 생성 장치, 기액 혼합 유체 생성 방법, 처리 장치 및 처리 방법 |
KR20180036263A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-09 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 조성물, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR20190000529A (ko) * | 2017-06-23 | 2019-01-03 | 주식회사 케이씨텍 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
KR20210041689A (ko) * | 2019-10-07 | 2021-04-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040025908A1 (en) | 2000-04-18 | 2004-02-12 | Stephen Douglas | Supercritical fluid delivery system for semiconductor wafer processing |
KR20050032943A (ko) * | 2003-10-02 | 2005-04-08 | 그린텍이십일 주식회사 | 반도체의 제조를 위한 세정방법 및 세정장치 |
KR20060080902A (ko) * | 2006-03-31 | 2006-07-11 | (주)인포윈 | 초고압 혼합유체를 이용한 환경친화적 미세 회로 세정 방법 |
-
2007
- 2007-07-09 KR KR1020070068741A patent/KR100835752B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040025908A1 (en) | 2000-04-18 | 2004-02-12 | Stephen Douglas | Supercritical fluid delivery system for semiconductor wafer processing |
KR20050032943A (ko) * | 2003-10-02 | 2005-04-08 | 그린텍이십일 주식회사 | 반도체의 제조를 위한 세정방법 및 세정장치 |
KR20060080902A (ko) * | 2006-03-31 | 2006-07-11 | (주)인포윈 | 초고압 혼합유체를 이용한 환경친화적 미세 회로 세정 방법 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101385412B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2014-04-14 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기액 혼합 유체 생성 장치, 기액 혼합 유체 생성 방법, 처리 장치 및 처리 방법 |
KR20140008712A (ko) * | 2012-07-11 | 2014-01-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102063109B1 (ko) * | 2012-07-11 | 2020-01-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR20180036263A (ko) * | 2016-09-30 | 2018-04-09 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 조성물, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR101966808B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2019-04-08 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 조성물, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US10773281B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-09-15 | Semes Co., Ltd. | Anhydrous substrate cleaning composition, substrate treating method, and substrate treating apparatus |
KR20190000529A (ko) * | 2017-06-23 | 2019-01-03 | 주식회사 케이씨텍 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
KR102413443B1 (ko) * | 2017-06-23 | 2022-06-28 | 주식회사 케이씨텍 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
KR20210041689A (ko) * | 2019-10-07 | 2021-04-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102378329B1 (ko) * | 2019-10-07 | 2022-03-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
US11942337B2 (en) | 2019-10-07 | 2024-03-26 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100835752B1 (ko) | 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치 | |
US6745494B2 (en) | Method and apparatus for processing wafers under pressure | |
US8951383B2 (en) | Apparatus for treating wafers using supercritical fluid | |
US7648581B2 (en) | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, substrate processing system, substrate cleaning program and storage medium | |
TWI623968B (zh) | 使用液態二氧化碳以使半導體基板乾燥的方法及設備 | |
US20120064727A1 (en) | Substrate treatment equipment and method of treating substrate using the same | |
US20070000521A1 (en) | System and method for mid-pressure dense phase gas and ultrasonic cleaning | |
US20080057838A1 (en) | Photoresist stripping apparatus and internal air circulating system thereof | |
KR20110012743A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
US20090084405A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR20030032029A (ko) | 고압 처리장치 및 고압 처리방법 | |
JP5189121B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 | |
US20220189796A1 (en) | Etching device and etching method thereof | |
US20070221252A1 (en) | High-pressure processing method | |
KR20100124584A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR100872873B1 (ko) | 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치 | |
KR20190002060A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR20110080857A (ko) | 기판 이송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
WO2005005063A1 (en) | Cleaning and drying a substrate | |
US7562663B2 (en) | High-pressure processing apparatus and high-pressure processing method | |
US20080083427A1 (en) | Post etch residue removal from substrates | |
JP2005142301A (ja) | 高圧処理方法、及び高圧処理装置 | |
KR20090035947A (ko) | 반도체 기판용 초임계 유체 공급 장치 | |
CN109300802B (zh) | 用于干燥晶片的装置及方法 | |
KR100481157B1 (ko) | 기판 건조 방법 및 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130522 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140530 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150513 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160520 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170512 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190425 Year of fee payment: 12 |