KR20140006973A - 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법 - Google Patents

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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 제조 방법은 하기의 단계들, 즉 에피택셜 성장 캐리어(1)와 이 에피택셜 성장 캐리어에 에피택셜 증착되어 있는 활성 영역(23)을 가지는 반도체 레이어 시퀀스(20)를 포함하는 하나 이상의 광전자 구조(2)를 제공하는 단계, 캐리어(4)를 제공하는 단계, 에피택셜 성장 캐리어(1)를 배향하는 하나 이상의 광전자 구조의 측면을 이용해 이 캐리어(4) 위에 하나 이상의 광전자 구조(2)를 도포하는 단계, 보호 재료(5)로 하나 이상의 광전자 구조(2)를 코팅하는 단계로서, 보호 재료(5)가 캐리어(4)를 배향하는 에피택셜 성장 캐리어(1)의 외면 및 에피택셜 성장 캐리어(1) 및 반도체 레이어 시퀀스(20)의 측면들을 커버하고, 및 하나 이상의 광전자 구조(2)의 반도체 레이어 시퀀스(20)로부터 에피택셜 성장 캐리어(1)를 분리하는 단계를 포함한다.

Description

하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING AT LEAST ONE OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP}
본 발명은 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다.
종래 기술 WO 02/33760 A1호에는 소위 박막 발광 다이오드 칩의 제조 방법이 기술되어 있으며, 에피택셜 성장 기판(epitaxial growth substrate)은 웨이퍼 어셈블리(wafer assembly) 안에 있는 광전자 구조들로부터 분리된다. 이 광전자 구조들은 에피택셜 성장 기판의 분리 전에 에피택셜 성장 기판을 배향하는 광전자 구조의 측면과 함께 공동으로 캐리어(carrier)에 고정된다.
해결 과제는 제조 동안 반도체 칩의 손상 위험을 줄이는, 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따라 상기 방법은 하나 이상의 광전자 구조를 제공하는 방법 단계를 포함하고 있다. 이 광전자 구조는 특히 에피택셜 성장 캐리어(epitaxial growth carrier) 및 반도체 레이어 시퀀스를 포함하며, 반도체 레이어 시퀀스는 성장 캐리어에 에피택셜 증착되어 있다. 그외에도 상기 광전자 구조는 하나 이상의 활성 영역을 포함하며, 이 활성 영역은 나중의 광전자 반도체 칩의 작동 동안 전자기 방사선의 방출 또는 검출을 위해 제공되어 있다. 이 광전자 반도체 칩은 예를 들어 발광 다이오드 칩, 레이저 다이오드 칩 또는 포토다이오드 칩이 될 수 있다.
상기 에피택셜 성장 캐리어는 성장 기판의 일부 영역이며, 이 일부 영역은 반도체 레이어 시퀀스와 함께 에피택셜 성장 기판 및 에피택셜 증착된 반도체 레이어 시퀀스의 웨이퍼 복합체로부터 분리된다. 즉, 상기 광전자 구조들은 이미 성장 웨이퍼(growth wafer)로부터 다이싱된 소자들이며, 상기 성장 캐리어는 여전히 반도체 레이어 시퀀스와도 연결되어 있다. 특히 상기 방법에서 이와 같은 광전자 구조들의 다수가 제공될 수 있다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따르면 그외 방법 단계에서 캐리어가 제공된다. 이 캐리어는 광전자 반도체 칩의 추후 기계적 지지 소자이다. 예를 들어 이 캐리어는 연결 캐리어가 될 수 있으며, 상기 광전자 구조들은 후속 방법 단계에서 기계적으로 상기 연결 캐리어에 고정되어 전기 전도적으로 연결될 수 있다. 그런 경우 상기 캐리어는 예를 들어 전기 절연 재료, 예를 들어 도핑되지 않은 실리콘 또는 세라믹 재료, 예를 들어 질화 알루미늄으로 이루어지는 본체를 포함하며, 이 본체 위에 및/또는 본체 안에 도체 트랙들 및/또는 접점 지점들(contact locations)이 광전자 구조들의 전기적 접촉을 위해 그리고 연결을 위해 제공되어 있다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 그외 방법 단계에서 하나 이상의 광전자 구조가 에피택셜 성장 캐리어를 배향하는 광전자 구조의 측면을 이용해 상기 캐리어 위에 도포되어 있다. 이 경우 이 광전자 구조는 캐리어와 기계적으로 고정되어 있으며 전기 전도적으로 연결되어 있다. 특히 다수의 광전자 구조들이 상기 캐리어 위에 도포될 수 있다. 그러나 다수의 캐리어가 제공될 수도 있으며, 각 캐리어 위에 하나 또는 복수의 광전자 구조들이 도포된다. 만약 다수의 광전자 구조들이 하나의 캐리어 위에 도포되면, 후속 방법 단계에서 이 캐리어가 광전자 구조들과 함께 개개의 광전자 반도체 칩으로 분리되며, 그런 경우 각 캐리어 부분은 하나 이상의 광전자 구조를 지지한다. 하나 이상의 광전자 구조를 상기 캐리어 위에 도포하는 것이 예를 들어 광전자 구조의 솔더링에 의해 이루어진다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 그외 방법 단계에서 하나 이상의 광전자 구조가 보호 재료로 코팅되며, 이 보호 재료는 상기 캐리어를 배향하는 에피택셜 성장 캐리어 외면 및 에피택셜 성장 캐리어와 반도체 레이어 시퀀스의 측면들을 커버한다. 이 경우 이 보호 재료는 균일한 두께의 레이어 안에 도포될 수 있다. 이 레이어의 두께는 바람직하게는 0.5㎛이상 및/또는 기껏해야 2㎛이다. 이 보호 재료는 예를 들어 전자기 방사선에 대하여 투과적이며, 특히 투명하며 및/또는 전기 절연적으로 형성되어 있다. 이 보호 재료는 증발(evaporation), 스퍼터링, CVD 방법, ALD(Atomic Layer Deposition) 방법을 이용해 또는 스핀 코팅을 이용해 도포될 수 있다. 이 보호 재료는, 이것이 광전자 구조를 커버하는 지점들에서, 바람직하게는 광전자 구조의 외면과 직접 접촉한다. 이 보호 재료는 특히 반도체 레이어 시퀀스의 측면의 영역에 존재하고, 거기에서 예를 들어 활성 영역이 측면에서 노출되어 있다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 그외 방법 단계에서 에피택셜 성장 캐리어는 하나 이상의 광전자 구조의 반도체 레이어 칩으로부터 분리된다. 즉, 에피택셜 성장 캐리어는 반도체 레이어 시퀀스로부터 제거되므로, 이 광전자 구조 중 반도체 레이어 시퀀스가 남게 되며 캐리어를 배향하는 광전자 구조 측면에서 노출된다. 이 경우 에피택셜 성장 캐리어는 예를 들어 완전히 반도체 레이어 시퀀스로부터 제거되므로, 에피택셜 성장 캐리어의 잔여가 반도체 레이어 시퀀스에 남지 않는다. 에피택셜 성장 캐리어의 외면이 적어도 국지적으로 보호 재료에 의해 커버되어 있기 때문에, 이 보호 재료 역시 부분적으로 성장 캐리어의 분리 시에 함께 제거된다. 그러나 보호 재료는 적어도 일시적으로 반도체 레이어 시퀀스의 측면들에 남아 성장 캐리어의 분리 후에도 이를 커버하고 있다.
하나 이상의 광전자 반도체 칩을 제조하기 위한 상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따르면 상기 방법은 하기의 단계들을 포함한다:
- 에피택셜 성장 캐리어 및 활성 영역을 가지는 반도체 레이어 시퀀스를 포함하는 하나 이상의 광전자 구조를 제공하는 단계로서, 이 반도체 레이어 시퀀스는 에피택셜 성장 캐리어 위에 에피택셜 증착되어 있다.
- 캐리어를 제공하는 단계,
- 에피택셜 성장 캐리어를 배향하는 광전자 구조 측면을 이용해 하나 이상의 광전자 구조를 캐리어 위에 도포하는 단계,
- 보호 재료로 하나 이상의 광전자 구조를 코팅하는 단계로서, 이 보호 재료가 에피택셜 성장 캐리어의, 캐리어를 배향하는 외면 및 이 에피택셜 성장 캐리어 및 반도체 레이어 시퀀스의 측면들을 커버하며,
- 하나 이상의 광전자 구조의 반도체 레이어 시퀀스로부터 에피택셜 성장 캐리어를 분리하는 단계.
이 경우, 특히 반도체 레이어 시퀀스의 측면들 위에 보호 재료를 도포하면 반도체 레이어 시퀀스가 에피택셜 성장 캐리어의 분리 동안 손상으로부터 제거될 수 있다는 인식이 특히 여기에 설명되는 방법의 기초가 된다. 이와 같은 방식으로 광전자 반도체 칩의 수율이 증가될 수 있다. 이 경우 반도체 레이어 시퀀스 외에도 광전자 구조의 다른 소자들, 예를 들어 경우에 따라 존재하는 미러 레이어들(mirror layers) 및/또는 접촉 레이어들이 보호 재료를 통해 에피택셜 성장 캐리어의 분리 동안 손상으로부터 보호될 수 있다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 이 보호 재료는 하나 이상의 광전자 구조의 코팅 후에 캐리어에 의해 커버되지 않은, 하나 이상의 광전자 구조의 외면을 완전히 커버하며 캐리어의, 하나 이상의 광전자 구조를 대향하는 커버 영역을 적어도 국지적으로 커버한다. 즉, 이 보호 재료는 상기 광전자 구조의, 캐리어에 의해 커버되지 않은 전체 외면 위에 놓이므로, 반도체 레이어 시퀀스 및 에피택셜 성장 캐리어의 노출 측면들 및 에피택셜 성장 캐리어의, 캐리어를 배향하는 외면이 완전히 상기 보호 재료에 의해 커버되어 있다.
이 경우 보호 재료는, 특히 에피택셜 성장 캐리어의 외면과 캐리어를 연결하는 광전자 구조의 측면들 위에, 특히 캐리어와 광전자 구조 사이의 영역에도, 도포되므로, 광전자 구조가 이런 코팅 후에는 완전히 보호 재료 및 캐리어로 캡슐화되어 있다. 이 경우 이 보호 재료는 광전자 구조를 바람직하게는 형상 결합 방식으로 에워싸고 있다.
이 보호 재료는 예를 들어 액체의 침투로부터, 특히 캐리어와 광전자 구조 사이에 있는 영역에서 보호한다. 이 경우 캐리어의, 광전자 구조들을 대향하는 전체 커버 영역은 광전자 구조가 위치하지 않는 지점들에서 보호 재료에 의해 완전히 커버되어 있다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 남은 보호 재료는 에피택셜 성장 캐리어의 분리 후에 하나 이상의 광전자 구조의 반도체 레이어 시퀀스로부터 분리된다. 이 보호 재료는 영구적 보호 필름이 아니라 오히려 분리 공정 후 다시 제거될 수 있는 일시적 보호 필름이다. 즉, 이 실시예에서 보호 재료는 나중의 광전자 반도체 칩에서 추가적인 기능들을 갖지 않는다. 이 경우 유리하게는 분리 동안 보호를 위한 효과에 최적화되어 있는 보호 재료가 선택될 수 있다. 예를 들어 보호 재료가 방사선 불투과적으로 형성될 수 있는데, 광학적 과제들이 추가적 과정에서 충족되어야 하는 것은 아니기 때문이다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 상기 보호 재료의, 하나 이상의 광전자 구조를 배향하는 외면이 성장 캐리어의 분리 전에 적어도 국지적으로 반사 재료로 코팅된다. 이 경우 전체 외면은 반사 재료로 코팅될 수 있다. 만약 보호 재료가 나중의 반도체 칩에 남아 있는, 즉 분리 후 제거되지 않으면, 반사 재료는 특히 보호 재료 위에 도포된다. 이 반사 재료는 예를 들어 금속 레이어 또는 금속 레이어 시퀀스가 될 수 있다. 더 나아가서, 반사 재료는 전기 절연 재료가 될 수 있다. 예를 들어 확산 반사하도록 형성되어 있는, 이산화 티탄 입자를 포함하는 레이어가 외면 위에 도포될 수 있다. 이 외면은 반사 재료의 도포 후에 관찰자에게 예를 들어 백색으로 보인다.
이 반사 재료는 예를 들어 광전자 반도체 칩의 활성 영역에서 발생되거나 또는 검출되는 특히 전자기 방사선의 반사를 위해 제공되어 있다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 이 반사 재료는 보호 재료의 노출 외면을 완전히 커버한다. 이 경우 반사 재료가 캐리어의 분리 동안 추가적인 보호 기능을 감지하고 상기 보호 재료의 보호 작용을 보완할 수 있다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 에피택셜 성장 캐리어의 분리는 식각 수단의 이용 하에 이루어지고, 보호 재료는 식각 수단에 의해 부식될 수 없으며 또는 식각 수단에 의해 식각 공정 동안 부식되지 않는다. 즉, 보호 재료는 식각 수단에 비해 예를 들어 화학적으로 불활성일 수 있다.
예를 들어 보호 재료가 방사선 투과 플라스틱(radiation permeable plastic)과 함께 형성되어 있으며 이것으로 이루어질 수 있다. 특히 보호 재료로서, 예를 들어 종래 기술 WO 2010/054628호에 기술되어 있는 것과 같은 유기 폴리머가 적합하다. 이 경우 종래 기술 WO 2010/054628호는 특히 거기에 설명된 유기 폴리머와 관련하여 역으로 참고가 된다.
이 경우 특히 적합한 보호 재료는 패럴린을 포함할 수 있거나 또는 패럴린으로 이루어질 수 있다. 특히 그와 같은 보호 재료는 광전자 반도체 칩 안에도 남을 수 있는 데, 이것은 예를 들어 활성 영역에서 발생하거나 또는 검출될 수 있는 전자기 방사선에 대해 투과적으로, 특히 투명하게 형성될 수 있기 때문이다.
여기에 설명되는 방법은, 특히 만약 예를 들어 레이저 커팅 공정과 같은 분리 기술들을 통해 에피택셜 증착되어 있는 반도체 레이어 시퀀스로부터 분리될 수 없는 재료가 성장 기판으로서 이용되면, 성장 캐리어의 분리를 위해 식각 재료를 이용하는 경우에도 적합하다. 예를 들어 상기 방법은 특히 실리콘을 포함하거나 또는 실리콘으로 이루어지는 성장 캐리어에 대해 특히 양호하게 적합하다. 성장 캐리어의 분리에 이용되는 화학 물질들이 광전자 구조의 소자들을 부식하는 것이 상기 보호 재료에 의해 억제한다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 성장 캐리어가 실리콘을 포함하고 반도체 레이어 시퀀스는 III-V 화합물 반도체 재료에, 특히 예를 들어 GaN과 같은 질화물 반도체 재료에 기반한다.
상기 방법의 하나 이상의 실시예에 따라 하나 이상의 광전자 구조는 n 측면 및 p 측면 접점 지점들을 이들의, 캐리어를 대향 측면에서 가지며, 이 접점 지점들은 하나 이상의 광전자 구조를 캐리어 위에 도포할 때 전기 전도적으로 캐리어와 연결된다. 즉, 광전자 구조의 어떤 전기적 연결 지점도 광전자 구조의, 캐리어를 배향하는 외면에 위치하지 않으며, 에피택셜 성장 캐리어의 분리 후 이는 반도체 레이어 시퀀스이다. 오히려 예를 들어 반도체 레이어 시퀀스의 n 측면의 접촉은 p 측면 및 활성 영역을 통해서 이루어진다. 그런 경우 전류 배분은 특히 광전자 반도체 칩의 방사선 출구 표면 또는 방사선 입구 표면에서 이루어지므로, 전자기 방사선의 흡수가 광전자 반도체 칩의 전류 배분 구조에서 발생할 수 없다. 특히 본딩 와이어 없는 광전자 소자를 제공하는 것이 이와 같은 광전자 구조로 가능하다. 상기 방법을 이용해 제조되는 광전자 반도체 칩은 예를 들어 표면 실장될 수 있는, 즉 반도체 칩의 전기적 연결 위치들은 캐리어의, 광전자 구조를 배향하는 외면에 위치한다.
여기에 설명되는 방법의 경우에서, 에피택셜 성장 기판 위에 에피택셜 증착되는 반도체 레이어 시퀀스를, 나중에 예를 들어 개별적인 광전자 반도체 칩에 할당될 개개의 광전자 구조들로 분할하는 것이 성장 캐리어의 분리 전에 이루어질 수 있다. 즉, 성장 캐리어의 분리 후 개별적인 광전자 반도체 칩으로 다이싱 할 때 활성 영역을 관통해 다이싱이 이루어질 필요가 없다.
하기에서 실시예들 및 관련 도면들을 참고로 여기에 설명되는 방법을 상술한다.
도 1a, 도 1b, 도 1c, 도 1d, 도 1e, 도 1f, 도 1g, 도 1h, 도 1i의 개략적인 단면도들을 이용하여 여기에 설명되는 방법의 실시예의 다른 방법 단계들을 상술한다.
도 2a 및 도 2b는 여기에 설명되는 방법을 이용하여 제조되는 광전자 반도체칩의 실시예의 개략도이다.
동일한 요소들, 동종의 요소들 또는 같은 효과를 갖는 요소들은 도면들에서 동일한 도면 부호를 갖는다. 도면들 및 이 도면들에 도시되어 있는 요소들의 크기 비율들은 스케일이 맞는 것으로 볼 수는 없다. 오히려 개별 요소들은 더 나은 도시를 위해 및/또는 더 나은 이해를 위해 과장될 정도로 크게 도시되어 있을 수 있다.
도 1a와 관련하여 여기에 설명되는 방법의 한 방법 단계를 상술하며, 이 방법 단계에서 반도체 레이어 시퀀스(20)가 에피택셜 성장 기판(epitaxial growth substrate)(10) 위에 에피택셜 증착된다. 에피택셜 성장 기판(10)은 예를 들어 실리콘 웨이퍼이며 실리콘을 포함하거나 실리콘으로 이루어져 있다. 반도체 레이어 시퀀스(20)는 예를 들어 질화물 반도체 재료, 예를 들어 GaN에 기반한다. 반도체 레이어 기판(20)은 p 전도성 레이어(21), n 전도성 레이어(22) 및 활성 영역(23)을 포함하며, 이 활성 영역은 p 측면(21)과 n 측면(22) 사이에 배치되어 있다.
다음 방법 단계로서 도 b에서 반도체 레이어 시퀀스가 개별적인 광전자 구조들(2)로 분할되고, 이러한 광전자 구조들은 나중에 예를 들어 개개의 반도체 칩에 할당될 수 있다. 이 경우 개별적인 광전자 구조들 사이에 있는 분리 트렌치들(separating trenches)(6) 외에 개별적인 광전자 구조들(2) 안에 VIA들(9) 역시 제공되어 있으며, 이 VIA는 p 측면(21) 및 각 광전자 구조의 활성 영역(23)을 관통하여 지나가 n 측면(22)까지 이른다.
그외에도 하나 또는 복수의 패시베이션 레이어들(25)이 도포된다. 이들은 예를 들어 이산화규소 및/또는 질화규소를 포함할 수 있거나 또는 이들 재료 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
도 1c와 관련하여 설명되는 방법 단계의 경우에, 전기 전도성 재료, 예를 들어 금속이 p 측면 접점 지점들(27)과 n 측면 접점 지점들(28)을 형성하기 위해 개별 구조들(2) 위에 도포된다. n 측면 접점 지점들(28)은 예를 들어 VIA들(9)을 통해 반도체 레이어 시퀀스의, 에피택셜 성장 기판(10)을 배향하는 쪽으로부터 n 측면(22)까지 연장해 있다. 도 1c에 도시되어 있는 것처럼, 이 경우 n 측면 접점 지점(28)은 p 측면 접점 지점(27)을 둘러싸고 있으며, p 측면 접점 지점은 링 형상으로 형성되어 있는 패시베이션 레이어(25)를 통해 n 측면 접점 지점(28)으로부터 분리되어 있다.
다음 방법 단계로서 도 1d에서, 이와 같이 제조된 복합체는 에피택셜 성장 기판(10)을 배향하는 쪽을 이용해 보조 캐리어 위에 도포되는, 예를 들어 접착된다. 이 보조 캐리어는 예를 들어 필름으로 형성될 수 있다. 그외에도 에피택셜 성장 기판(10)은 박막화될 수 있다. 이는 예를 들어 연마 및/또는 식각을 통해 이루어질 수 있다.
도 1e와 관련하여 설명되는 것처럼, 다음 방법 단계에서, 에피택셜 성장 기판(10)은 분리 트렌치들(6)을 따라서 분리되므로, 개개의 광전자 구조들(2)이 생기며, 각 광전자 구조(2)는 에피택셜 성장 캐리어(1)를 포함하고, 이 에피택셜 성장 캐리어는 이전의 에피택셜 성장 기판에서 생긴다.
도 1f와 관련하여 설명되는 방법 단계에서, 개개의 광전자 구조들(2)이 캐리어(4) 위에 도포된다. 이 캐리어(4)는 p 접점들(41)과 n 접점들(42)을 포함하며, 이들은 각각 광전자 구조들(2)을 배향하는 쪽으로부터 캐리어(4)의 본체를 관통해 광전자 구조들(2)의 p 측면 접점 지점들(27) 및 n 측면 접점 지점들(28) 쪽으로 연장해 있다. 예를 들어 광전자 구조들은 솔더링 공정에 의해 캐리어(4)와 연결되어 있다. 이 경우 예를 들어 금-납-솔더 재료가 1.5㎛이상 및 기껏해야 4.5㎛, 예를 들어 3㎛의 두께로 이용될 수 있다.
도 1g와 관련하여 설명되는 방법 단계에서, 보호 재료(5)의 레이어는 광전자 구조들(2)의 노출 외면들 및 캐리어(4)의 커버 영역(4a) 위에 도포된다. 이 보호 재료는 광전자 구조들(2)을 완전히 에워싸고 있다. 예를 들어 보호 재료(5)는 폴리머, 투명 폴리머로 형성되어 있다. 레이어 두께는 예를 들어 0.5㎛와 2㎛ 사이에 있다. 보호 재료는 패럴린으로 이루어질 수 있거나 또는 패럴린을 포함할 수 있다.
그외 방법 단계로서 도 1h에서, 선택적으로 반사 재료(7)로 이루어진 레이어가 보호 재료(5)의 노출 외면 위에 도포된다. 예를 들어 이것은 예를 들어 알루미늄 및/또는 은을 포함할 수 있는 반사성 금속 코팅이다. 이런 레이어의 도포는, 특히 상기 레이어가 보호 재료(5)로부터 나중에 제거되어야 하는 경우에, 선택적이다.
후속 방법 단계로서 도 1i에서, 각 에피택셜 성장 캐리어(1)는 각 광전자 구조(2)로부터 제거된다. 이는 예를 들어 연마와 식각의 조합을 통해 이루어진다. 이 방법 동안 보호 재료(5)로 이루어진 레이어 및 경우에 따라서는 반사 재료(7)가 광전자 구조들(2)을 손상으로부터 보호한다.
도 2a와 관련하여, 상기 방법을 이용해 제조된 광전자 반도체 칩의 개략적인 단면도가 도시되어 있다. 이 실시예에서 보호 재료(5)는 광전자 반도체 칩 안에 남는다. 도 2a에서 알 수 있는 것처럼, 보호 재료(5)는 반도체 레이어 시퀀스(20)의 측면들을 캐리어(4)까지 완전히 커버하고 있다. 그 결과 보호 재료(5)는 성장 캐리어의 분리 동안, 예를 들어 식각 수단으로부터, 여기에서 멀티레이어로서 형성되어 있는 예를 들어 미러 레이어(24)도 보호한다. 미러 레이어(24)는 예를 들어 은을 포함할 수 있다.
보호 재료(5)를 배향하는 외면에 반사 재료(7)가 도포되어 있으며, 이 반사 재료는 광전자 반도체 칩의 작동 동안 예를 들어 활성 영역(23)에서 발생되는 전자기 방사선을 반도체 레이어 시퀀스(20)의 n 측면(22)의, 캐리어(4)를 배향하는 외면 쪽으로 반사할 수 있다. 이 경우에 외면은 KOH 식각에 의해 거칠게 되며, 이는 광방출에 대한 확률을 개선할 수 있다.
반도체 레이어 시퀀스(20) 및 반사 재료(7)와 보호 재료(5)의 외면 위에 패시베이션 레이어(8)가 도포되어 있으며, 이 패시베이션 레이어는 예를 들어 이산화규소로 형성될 수 있다.
도 2b에는 광전자 반도체 칩의 개략적인 사시도가 도시되어 있으며, 이 광전자 반도체 칩은 예를 들어 표면 실장가능한 발광 다이오드 칩이다.
본 발명은 실시예들을 참고한 설명 때문에 이들 실시예에 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 새로운 각 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하고 있으며, 이는, 상기 특징이나 또는 조합 자체가 청구항들 또는 실시예들에서 명시적으로 제공되어 있지 않을지라도, 특히 특징들의 각 조합을 청구항들 안에서 포함하고 있다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 102011013821.8호 우선권을 주장하며, 이의 공개 내용은 이것으로 역으로 참고가 된다.

Claims (11)

  1. 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법으로서, 상기 방법은
    - 성장 캐리어(1) 및 활성 영역(23)을 가지는 반도체 레이어 시퀀스(20)를 포함하는 하나 이상의 광전자 구조(2)를 제공하는 단계로서, 반도체 레이어 시퀀스는 성장 캐리어 위에 에피택셜 증착되어 있으며,
    - 캐리어(4)를 제공하는 단계,
    - 성장 캐리어(1)를 배향하는 쪽을 이용해 하나 이상의 광전자 구조(2)를 캐리어(4) 위에 도포하는 단계,
    - 보호 재료(5)로 하나 이상의 광전자 구조(2)를 코팅하는 단계로서, 보호 재료(5)가 성장 캐리어(1)의, 캐리어(4)를 배향하는 외면 및 성장 캐리어(1) 및 반도체 레이어 시퀀스(20)의 측면들을 커버하며,
    - 하나 이상의 광전자 구조(2)의 반도체 레이어 시퀀스(20)로부터 성장 캐리어(1)를 분리하는 단계를 포함하는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    - 보호 재료(5)가 패럴린을 포함하며,
    - 보호 재료(5)는 하나 이상의 광전자 구조(2)의 코팅 후 하나 이상의 광전자 구조(2)의, 캐리어(4)에 의해 커버되지 않은 외면을 완전히 커버하고 캐리어(4)의, 광전자 구조(2)를 대향하는 하나 이상의 커버 영역(4a)을 적어도 국지적으로 커버하고,
    - 성장 캐리어(1)의 분리 전에 보호 재료(5)의, 광전자 구조(2)를 배향하는 하나 이상의 외면이 적어도 국지적으로 반사 재료(7)로 코팅되는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  3. 제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 보호 재료(5)는 하나 이상의 광전자 구조(2)의 코팅 후 하나 이상의 광전자 구조(2)의, 캐리어(4)에 의해 커버되지 않은 외면을 완전히 커버하고 캐리어(4)의, 하나 이상의 광전자 구조(2)를 대향하는 커버 영역(4a)을 적어도 국지적으로 커버하는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 남은 보호 재료(5)가 성장 캐리어의 분리 후에 하나 이상의 광전자 구조(2)의 반도체 레이어 시퀀스(20)로부터 제거되는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 성장 캐리어(1)의 분리 전에 보호 재료(5)의, 하나 이상의 광전자 구조(2)를 대향하는 외면이 반사 재료(7)로 코팅되는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 반사 재료(7)가 보호 재료(5)의 노출 외면을 완전히 커버하는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 성장 캐리어(1)의 분리는 식각 수단의 이용 하에 이루어지고 보호 재료(5)는 식각 수단에 의해 부식될 수 없는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 보호 재료(5)는 방사선 투과 플라스틱으로 이루어지는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 보호 재료(5)가 패럴린을 포함하는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 성장 캐리어(1)는 실리콘을 포함하고 반도체 레이어 시퀀스(20)는 질화물 반도체 재료에 기반하는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 광전자 구조(2)가 n 측면(27) 및 p 측면(28) 접점 지점들을 이의, 캐리어(4)를 대향하는 쪽에서 가지며, 접점 지점들(27, 28)은 하나 이상의 광전자 구조(2)를 캐리어(4) 위에 도포할 때 캐리어(4)와 전기적 전도성으로 연결되어 있는 하나 이상의 광전자 반도체 칩의 제조 방법.
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