KR20140002527U - 세그먼트화된 포커스 링 조립체 - Google Patents

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    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Abstract

본 고안의 실시예들은 포커스 링 세그먼트 및 포커스 링 조립체를 포함한다. 일 실시예에서, 상기 포커스 링 세그먼트는, 하부 링 세그먼트, 중간 링 세그먼트, 상부 링 세그먼트 및 립을 가진 원호형 본체를 포함한다. 상기 하부 링 세그먼트는 바닥면을 가지며, 상기 중간 링 세그먼트는 바닥면을 갖고, 상기 중간 링 세그먼트는 중간 링 세그먼트 바닥면에서 상기 하부 링 세그먼트에 연결된다. 상기 상부 링 세그먼트는 바닥면을 갖고, 상기 상부 링 세그먼트는 상부 링 세그먼트 바닥면에서 상기 중간 링 세그먼트에 연결된다. 상기 립은 상기 중간 링 세그먼트 위에서 수평으로 연장하며, 상기 립은 상기 포커스 링 세그먼트의 중심선을 향하여 방사상 내측으로 경사진다. 다른 실시예에서, 상기 포커스 링 조립체는 적어도 제 1 링 세그먼트와 제 2 링 세그먼트를 포함한다.

Description

세그먼트화된 포커스 링 조립체{SEGMENTED FOCUS RING ASSEMBLY}
본 고안의 실시예들은, 일반적으로, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 세그먼트화된 포커스 링 조립체에 관한 것이다.
반도체의 계속된 발달로 인하여, 기판들 상에 더 소형인 피쳐들의 패턴화가 요구되고 있다. 피쳐 사이즈가 축소됨에 따라, 제조사들은 소자 특성들과 성능의 제어를 유지하여야 하는 과제가 있다. 반도체 기판에서 피쳐들의 임계 치수들의 제어를 유지하는 것는 이 피쳐들을 형성하기 위해 사용되는 에칭 프로세스들의 기본 요건이다. 플라즈마 에칭 프로세스에서, 예컨대, 임계 치수(CD)는 게이트 구조, 트렌치 또는 비아 등의 폭일 수 있다.
기술 노드(technology nodes)들이 발전하고 임계 치수들이 축소됨에 따라, 기판에서 에지 배제부의 양(the amount of edge-exclusion)의 저감이 계속 강조되고 있다. 에지 배제부는 피쳐들 또는 소자들이 형성되지 않는 기판의 에지 부근의 영역을 의미한다. 에지 배제부의 저감은 기판의 에지에 더 가깝게 추가적인 소자들을 형성하기 위한 공간을 제공한다. 구조들이 에지에 더 가깝게 형성될수록, 에칭 프로세스들에서, 기판 전체에서의 CD 균일성을 유지하기가 더 어렵게 된다. CD 불균일성의 일반적인 형태가 "에지 롤-오프(roll-off)"로서 알려져 있으며, 이는 기판의 에지 부근에서 CD 제어의 급감을 특징으로 한다. 아울러, 연속적인 층들이 에칭될 때 CD의 변화인, CD 바이어스는 에지 부근에서 감소한다.
현재의 플라즈마 에칭 프로세스들은 기판의 에지 부근에 기판과 유사한 조성을 가진 "포커스 링"을 제공함으로써 이러한 문제점을 해소하고자 시도하고 있다. 포커스 링은 에칭되는 필름의 "연장부"로서 거동하여 기판 전체에서 에칭 부산물 종들의 균일한 집중을 촉진하는 것으로 생각된다. 이는 다시 더 균일한 에칭율을 촉진한다. 그러나, 특정 챔버 디자인들에서는 종래의 포커스 링을 수용할만한 충분한 공간이 없다.
따라서, 종래의 포커스 링의 대안이 요구된다.
본 고안의 실시예들은 포커스 링 세그먼트 및 세그먼트화된 포커스 링 조립체를 포함한다. 일 실시예에서, 상기 포커스 링 세그먼트는, 하부 링 세그먼트, 중간 링 세그먼트, 상부 링 세그먼트 및 립을 가진 원호형 본체를 포함한다. 상기 하부 링 세그먼트는 바닥면을 가지며, 상기 중간 링 세그먼트는 바닥면을 갖고, 상기 중간 링 세그먼트는 중간 링 세그먼트 바닥면에서 상기 하부 링 세그먼트에 연결되며 상기 하부 링 세그먼트 위에서 수평으로 연장한다. 상기 상부 링 세그먼트는 바닥면을 갖고, 상기 상부 링 세그먼트는 상부 링 세그먼트 바닥면에서 상기 중간 링 세그먼트에 연결된다. 상기 립은 상기 중간 링 세그먼트 위에서 수평으로 연장하며, 상기 립은 상기 포커스 링 세그먼트의 중심선을 향하여 방사상 내측으로 경사진다.
다른 실시예에서, 세그먼트화된 포커스 링 조립체는 적어도 제 1 링 세그먼트와 제 2 링 세그먼트를 포함한다. 각각의 상기 링 세그먼트들은, 하부 링 세그먼트, 중간 링 세그먼트, 상부 링 세그먼트 및 립을 가진 원호형 본체를 포함한다. 상기 하부 링 세그먼트는 바닥면을 가지며, 상기 중간 링 세그먼트는 바닥면을 갖고, 상기 중간 링 세그먼트는 중간 링 세그먼트 바닥면에서 상기 하부 링 세그먼트에 연결되며 상기 하부 링 세그먼트 위에서 수평으로 연장한다. 상기 상부 링 세그먼트는 바닥면을 갖고, 상기 상부 링 세그먼트는 상부 링 세그먼트 바닥면에서 상기 중간 링 세그먼트에 연결된다. 상기 립은 상기 중간 링 세그먼트 위에서 수평으로 연장하며, 상기 립은 상기 포커스 링 세그먼트의 중심선을 향하여 방사상 내측으로 경사진다.
본 고안의 전술한 특징들이 구체적으로 이해될 수 있도록, 첨부도면에 그 일부가 도시된 실시예들을 참조하여, 위에서 약술한 본 고안을 더 구체적으로 설명한다. 그러나, 첨부도면들은 단지 본 고안의 전형적인 실시예들을 도시하고 있을 뿐이며, 본 고안은 다른 동등한 효과를 가진 실시예들을 포함할 수 있으므로, 그 범위를 제한하는 것으로 이해되어서는 아니됨을 유의하여야 한다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 세그먼트화된 포커스 링을 가진 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 2는 포커스 링 조립체를 가상선으로 도시한 도 1의 프로세싱 챔버의 기판 지지체의 평면도이다.
도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 포커스 링 세그먼트의 저면도이다.
도 4는 본 고안의 다른 실시예에 따른 포커스 링 세그먼트의 저면도이다.
도 5는 도 3의 단면선을 따라 취한 포커스 링 세그먼트의 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들은 가능한 한 동일한 참조번호들을 사용하여 표시하였다. 일 실시예에 개시된 요소들이 특별한 언급 없이 다른 실시예들에서도 유리하게 사용될 수 있음을 고려하였다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 세그먼트화된 포커스 링 조립체(102)를 가진 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 상기 프로세싱 챔버(100)는 측벽(104)들과 바닥(106)을 포함하는 챔버 본체(140)를 갖는다. 덮개(142)가 상기 챔버 본체(140) 상에 배치되어 프로세싱 공간(108)을 둘러싼다. 상기 프로세싱 챔버(100)는 가스원(110), 진공 펌프(112) 및 전원(114)에 커플링된다.
기판 지지 조립체(116)는 상기 프로세싱 챔버(100)의 프로세싱 공간(108) 내부에 거의 배치된다. 상기 기판 지지 조립체(116)는 기판 지지 페데스탈(138) 상에 배치되는 기판 지지체(118)를 포함한다. 상기 기판 지지 페데스탈(138)은 챔버 바닥(106)에 배치된다. 상기 기판 지지체(118)는 프로세싱시 기판(120)을 지지한다.
상기 포커스 링 조립체(102)는 기판 지지 조립체(116) 상에 지지되며, 기판 지지체(118)의 에지(144)와 결합한다. 상기 포커스 링 조립체(102)는 기판에 긴밀하게 외접하는 크기이며, 프로세싱시 기판이 미끄러지거나 심하게 이동하지 않도록, 기판 지지체(118) 상에 기판(120)이 배치되는 소정의 영역으로 한정된다.
일 실시예에서, 상기 프로세싱 챔버(100)는 복수의 리프팅 핑거(134)들을 구비한 리프트 후프(132)를 포함한다. 상기 리프트 후프(132)는 프로세싱 공간(108) 내에서 리프트 후프(132)의 수직 승강을 제어하기 위해 작동할 수 있는 선형 액추에이터 또는 모터와 같은 액추에이터(136)에 커플링된다. 상기 리프팅 핑거(134)들은, 리프트 후프(132)가 이송 위치(미도시)에 있을 때, 로봇들과 같은 기판 이송 장치들과 기판 지지 조립체(116) 사이로 기판들을 이송하도록 구성된다. 상기 리프팅 핑거(134)들은 기판 지지체(118) 상에 배치된 프로세싱 위치와 기판 지지 조립체(116) 위의 이송 위치 사이로 기판(120)을 이동시키기 위해 기판 지지 조립체(116)에 형성된 절개부(146)들과 정렬된다.
상기 프로세싱 공간(108)으로 프로세스 가스 및 다른 가스들을 제공하기 위해, 노즐 또는 가스 분배판과 같은 (가스 분배판(122)으로서 도 1에 도시된) 가스 유입구가 사용된다. 상기 가스 분배판(122)은 챔버(100) 내에서 기판 지지 조립체(116) 위에 배치된다. 상기 가스 분배판(122)은 복수의 가스 통로(124)들을 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 실시예에서, 상기 가스원(110)은 가스 분배판(122)을 통해 프로세싱 공간(108)으로 진입하는 가스들을 제공한다. 상기 프로세싱 가스는 기판 지지 조립체(116)를 향하여 가스 분배판(122)을 통해 흐르고, 프로세싱 챔버(100)의 바닥(106)에 위치된 배기 포트(126)를 통해 진공 펌프(112)에 의해 배출된다. 상기 배기 포트(126)에는 스로틀 밸브(128)가 배치되며, 상기 스로틀 밸브는 진공 펌프(112)와 함께 프로세싱 공간(108) 내의 압력을 제어하기 위해 사용된다.
도 1에 도시된 실시예에서, 상기 가스 분배판(122)은 정합 회로(130)를 통해 전원(114)에 연결된다. 상기 프로세싱 챔버(100)에 제공된 프로세스 가스 및 다른 가스들을 활성화하여 그 내부에 플라즈마를 형성하거나 및/또는 유지하기 위하여, 상기 정합 회로(130)를 통해 가스 분배판(122)으로 전력이 제공된다.
도 2는 가상선으로 도시된 포커스 링 조립체(102)를 가진 기판 지지체(118)의 평면도이다. 일 실시예에서, 상기 포커스 링 조립체(102)는, 2개의 대형 링 세그먼트(200)들과 1개의 소형 링 세그먼트(202)로서 도시된, 복수의 링 세그먼트들을 갖는다. 상기 링 세그먼트(200, 202)들은, 리프트 후프(132)의 리프팅 핑거(134)들이 포커스 링 조립체(102)를 통과할 수 있도록 함으로써, 상기 리프팅 핑거(134)들이 기판(120)을 (도 1에 도시된) 프로세싱 위치와 기판 지지체(118) 위에 이격된 이송 위치 사이로 이동시킬 수 있도록, 유리하게 이격되어 있다.
상기 포커스 링 조립체(102)의 각각의 링 세그먼트(200, 202)는 원호형 본체(220)를 포함한다. 각각의 원호형 본체(220)는 알루미늄, 석영 또는 임의의 다른 적당한 물질로 제조될 수 있다. 도 2에 도시된 실시예에서, 상기 포커스 링 조립체(102)는 2개의 대향 링 세그먼트(200)들과 1개의 소형 링 세그먼트(202)를 갖는다.
상기 포커스 링 조립체(102)의 링 세그먼트(200, 202)들은 기판 지지체(118)의 중심선과 동심인 원형 배열(polar array)로 배열된다. 상기 링 세그먼트(200, 202)들은 링을 형성하도록 배열되며, 인접한 링 세그먼트(200, 202)들은, 기판(120)이 기판 지지체(118)로부터 리프팅되고 그 위에 안착될 때, 리프팅 핑거(134)들이 당해 링 세그먼트(200, 202)들을 통과할 수 있도록, 충분한 절개부(146)들을 노출하도록 이격된다.
도 3 및 도 4는 본 고안의 일 실시예에 따른 대형 링 세그먼트(200)와 소형 링 세그먼트(202)의 저면도들이다. 일 실시예에서, 대형 링 세그먼트(200)는 약 63°내지 약 73°, 예컨대, 68°인 원호각 "A"를 갖는다. 소형 링 세그먼트(202)는 약 39°내지 약 49°, 예컨대, 44°인 원호각 "B"을 갖는다. 대형 링 세그먼트(200)와 소형 링 세그먼트(202)는 모두, 도 5를 참조하여 하기한 바와 같이, 본체(220)의 바닥면에 형성된 원호형 슬롯(208)과 통공(206)을 포함한다. 상기 통공(206)과 슬롯(208)은 기판 지지 조립체(116)와 포커스 링 조립체(102)의 링 세그먼트(200, 202)들을 정렬시키기 위해 상기 기판 지지체(118)로부터 연장하는 기판 지지 핀(미도시)들을 수용하도록 구성된다. 상기 슬롯(208)은 당해 슬롯(208)의 길이를 규정하는 원호 세그먼트(D)의 길이의 약 두 배인 폭(C)을 갖는다. 일 실시예에서, C는 약 0.26인치 내지 약 0.28인치, 예컨대, 0.27인치이고, D는 약 0.13인치 내지 약 0.15인치, 예컨대, 0.14인치이다. 상기 슬롯(208)의 원호는 기판 지지체(118)와의 동심도 소실이나 현격한 내경 변화없이 링 세그먼트(200, 202)가 상당히 팽창할 수 있도록 한다.
도 5는 도 3 또는 도 4의 홀(206)을 통과하는 단면선을 따라 취한 포커스 링 조립체(102)의 단면도이다. 설명의 편의를 위하여, 참조번호 500은 대형 링 세그먼트(200)와 소형 링 세그먼트(202)를 모두 의미하며, 이하, 세그먼트(500)라 한다. 각각의 세그먼트(500)의 본체(200)는 외벽(502), 하부 링 세그먼트(504), 중간 링 세그먼트(506) 및 상부 링 세그먼트(508)를 포함한다. 하부 링 세그먼트(504), 중간 링 세그먼트(506) 및 상부 링 세그먼트(508)는 일반적으로 세그먼트의 중심선에 대해 수직한 평면에 적층되며, 본체(220)를 포함한 단일의 일체형 구조로서 세그먼트(500)의 원호를 규정한다. 상기 외벽(502)은 약 0.60인치 내지 약 0.70인치, 예컨대, 0.65인치의 높이(E)를 갖는다. 상기 하부 링 세그먼트(504)는 바닥면(512)과 하부 링 세그먼트 내벽(524)을 갖고, 상기 바닥면(512)은 또한 세그먼트(500)의 바닥면을 규정한다. 상기 외벽(502)은 약 0.01인치 내지 약 0.11인치, 예컨대, 0.06인치인 반경을 가진 라운드형 코너에서 상기 바닥면(512)과 만난다. 상기 바닥면(512)은 약 0.01인치 내지 약 0.07인치, 예컨대, 0.02인치인 반경을 가진 라운드형 코너에서 상기 하부 링 세그먼트 내벽(524)과 만난다. 상기 하부 링 세그먼트(504)는 중간 링 세그먼트(506)의 바닥면(510)과 하부 링 세그먼트(504)의 바닥면(512) 사이에 규정된 높이(F)를 갖고, 이는 약 0.21인치 내지 약 0.31인치, 예컨대, 0.26인치이다. 상기 하부 링 세그먼트(504)는 약 13.70인치 내지 약 13.80인치, 약 13.75인치의 외경(G)을 갖는다. 일 실시예에서, 상기 외경(G)은 또한 세그먼트(500)의 외경이다. 상기 하부 링 세그먼트(504)는 약 12.58인치 내지 약 12.68인치, 예컨대, 12.63인치의 내경(H)을 갖는다.
상기 중간 링 세그먼트(506)는 상부 링 세그먼트(508)의 바닥면(514)과 중간 링 세그먼트(506)의 바닥면(510) 사이에 규정된 높이(I)를 갖고, 이는 약 0.18인치 내지 약 0.28인치, 예컨대, 0.23인치이다. 상기 바닥면(510)은 약 0.01인치 내지 약 0.07인치, 예컨대, 0.02인치인 반경을 가진 라운드형 코너에서 상기 하부 링 세그먼트 내벽(524)과 만난다. 상기 중간 링 세그먼트(506)는 약 11.91인치 내지 약 12.01인치, 약 11.96인치의 내경(J)을 갖는다. 상기 내경(J)은, 상기 기판 지지 조립체(116)를 프로세싱 환경으로부터 보호하기 위해 상기 기판(120)에 대해 상대적으로 가까워지기 시작할 때 기판 지지 조립체(116)에 의해 상기 바닥면(510)이 지지될 수 있도록, 상기 내경(H)보다 유리하게 더 작다.
일 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 중간 링 세그먼트(506)의 바닥면(510)은 그 내부에 형성된 통공(206)을 갖는다. 상기 통공(206)은 상기 슬롯(208)의 직경(D)과 동일한 치수들을 가진 직경(K)을 갖는다. 상기 통공(206)은 약 0.15인치 내지 약 0.25인치, 예컨대, 0.20인치인 내부 높이(L)를 갖는다. 도 5에 도시되지 않았으나, 상기 슬롯(208) 역시 상기 중간 링 세그먼트(506)의 바닥면(510)에 형성된다.
상기 상부 링 세그먼트(508)는 상면(518)과 립(520)을 갖는다. 상기 상부 링 세그먼트(508)의 상면(518)은 또한 세그먼트(500)의 상면을 규정한다. 상기 상부 링 세그먼트(508)는 약 11.79인치 내지 약 11.89인치, 예컨대, 11.84인치인 내경(M)을 갖는다. 상기 립(520)은 세그먼트(500)의 중심선을 향하여 상기 중간 링 세그먼트(506)의 내측에서 수평으로 연장한다. 상기 립(520)은 세그먼트(500)의 중심선을 향하여 상면(518)으로부터 방사상 내측 하방으로 연장하여 상부 링 세그먼트(508)의 바닥면(514)과 교차하는 경사진 내면(522)을 갖는다.
상기 경사진 내면(522)은 약 0.01인치 내지 약 0.11인치, 예컨대, 0.06인치인 반경을 가진 라운드형 코너에서 상면(518)과 만난다. 상기 외벽(502)은 약 0.01인치 내지 약 0.11인치, 예컨대, 0.06인치인 반경을 가진 라운드형 코너에서 상면(518)과 만난다. 상기 경사진 내면(522)은 상면(518)과 약 70°내지 약 80°, 예컨대, 75°로 규정된 각도(N)를 갖는다. 상기 경사진 내면(522)은 기판 지지체(118)와 약간 오정렬될 수 있는 기판들이 상기 기판 지지체(118)와 유리하게 더 동심인 위치로 안내될 수 있도록 한다. 상기 내경에 대응하는 립(522)의 내측 영역은 기판(120) 주위에 긴밀하게 맞춰지는 기판 수용 포켓을 유리하게 형성한다. 일 실시예에서, 상기 기판 수용 포켓은 기판(120)이 기판 지지 조립체(116)의 중심과 현저히 오정렬되지 않도록 방지함으로써 온도 균일도를 향상시키도록 구성된다. 아울러, 상기 내경(M)은 기판(120)과 매우 긴밀한 결합을 제공하도록 유리하게 선택됨으로써, 프로세싱 균일성 결과를 개선하면서, 프로세싱 환경에 노출되는 기판 지지체(118)의 영역을 최소화한다.
기판 지지체(118)의 표면에서 기판(120)의 균일한 위치결정과 기판(120) 위에서 플라즈마 균일성을 모두 향상시키기 위해서는 각각의 세그먼트(200, 202)들 간의 치수들의 균일성이 중요하므로, 상기 세그먼트(200, 202)들은 단일의 링으로부터 제조되어, 적절한 크기의 세그먼트들로 절단될 수 있다. 이에 의해, 각각의 세그먼트(200, 202)가 개별적으로 제조되면 실현될 수 없는 세그먼트대 세그먼트의 치수 균일성이 보장된다.
본 고안의 실시예들에 대해 전술하였으나, 본 고안의 다른 추가적인 실시예들이 그 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 그 범위는 하기된 특허청구범위에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 포커스 링 세그먼트로서,
    원호형(arc-shaped) 본체를 포함하며,
    상기 원호형 본체는,
    바닥면을 가진 하부 링 세그먼트;
    바닥면을 가진 중간 링 세그먼트 ― 상기 중간 링 세그먼트는 중간 링 세그먼트 바닥면에서 상기 하부 링 세그먼트에 연결되며 상기 하부 링 세그먼트 위에서 수평으로 연장함 ―;
    바닥면을 가진 상부 링 세그먼트 ― 상기 상부 링 세그먼트는 상부 링 세그먼트 바닥면에서 상기 중간 링 세그먼트에 연결됨 ―; 및
    상기 중간 링 세그먼트 위에서 수평으로 연장하는 립 ― 상기 립은 상기 포커스 링 세그먼트의 중심선을 향하여 방사상 내측으로 경사짐 ―
    을 포함하는,
    포커스 링 세그먼트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 포커스 링 세그먼트는 약 0.65인치의 높이를 가진 외벽을 갖는,
    포커스 링 세그먼트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 링 세그먼트는 약 13.75인치의 외경을 갖는,
    포커스 링 세그먼트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 링 세그먼트는 약 12.63인치의 내경을 갖는,
    포커스 링 세그먼트.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 링 세그먼트는 약 0.23인치의 높이를 갖는,
    포커스 링 세그먼트.
  6. 제 6 항에 있어서,
    상기 중간 링 세그먼트는 약 11.96인치의 내경을 갖는,
    포커스 링 세그먼트.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 링 세그먼트는 통공(aperture)을 포함하는,
    포커스 링 세그먼트.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 중간 링 세그먼트는 슬롯을 포함하는,
    포커스 링 세그먼트.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 링 세그먼트는 약 0.23인치의 높이를 갖는,
    포커스 링 세그먼트.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 상부 링 세그먼트는 약 11.84인치의 내경을 갖는,
    포커스 링 세그먼트.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 립은 약 75°각도로 경사진,
    포커스 링 세그먼트.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 포커스 링은 약 44°의 원호각(arc angle)을 가진,
    포커스 링 세그먼트.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 포커스 링은 약 68°의 원호각을 가진,
    포커스 링 세그먼트.
  14. 포커스 링 조립체로서,
    적어도 제 1 링 세그먼트 및 제 2 링 세그먼트를 포함하고, 상기 링 세그먼트들 각각은 원호형 본체를 포함하며,
    상기 원호형 본체는,
    바닥면을 가진 하부 링 세그먼트;
    바닥면을 가진 중간 링 세그먼트 ― 상기 중간 링 세그먼트는 중간 링 세그먼트 바닥면에서 상기 하부 링 세그먼트에 연결되며 상기 하부 링 세그먼트 위에서 수평으로 연장함 ―;
    바닥면을 가진 상부 링 세그먼트 ― 상기 상부 링 세그먼트는 상부 링 세그먼트 바닥면에서 상기 중간 링 세그먼트에 연결됨 ―; 및
    상기 중간 링 세그먼트 위에서 수평으로 연장하는 립 ― 상기 립은 상기 포커스 링 세그먼트의 중심선을 향하여 방사상 내측으로 경사짐 ―
    을 포함하는,
    포커스 링 조립체.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 적어도 제 1 링 세그먼트는 2개의 제 1 링 세그먼트들을 포함하는,
    포커스 링 조립체.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 링 세그먼트는 상기 제 2 링 세그먼트의 원호각보다 더 큰 원호각을 갖는,
    포커스 링 조립체.
  17. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 링 세그먼트의 원호각은 약 68°이고, 상기 제 2 링 세그먼트의 원호각은 약 44°인,
    포커스 링 조립체.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 하부 링 세그먼트는 약 13.75인치의 외경을 갖는,
    포커스 링 조립체.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 하부 링 세그먼트는 약 12.63인치의 내경을 갖는,
    포커스 링 조립체.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 2개의 제 1 링 세그먼트들 및 상기 제 2 링 세그먼트는 단일의 링으로부터 제조된,
    포커스 링 조립체.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106548967B (zh) * 2015-09-18 2020-04-28 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置以及半导体加工设备
JP6278498B1 (ja) 2017-05-19 2018-02-14 日本新工芯技株式会社 リング状部材の製造方法及びリング状部材
CN114401580B (zh) * 2022-03-01 2023-12-19 江苏蚩煜科技有限公司 一种低真空团簇及重离子束流射频环形电极组聚焦系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195928A (ja) * 1998-12-01 2000-07-14 Greene Tweed Of Delaware Inc 半導体ウェ―ハ又はその他の加工物を保持するためのツ―ピ―ス型クランプリング
JP2011003730A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Mitsubishi Materials Corp プラズマ処理装置用シリコンリング
KR20110005665U (ko) * 2009-12-01 2011-06-09 램 리써치 코포레이션 플라즈마 에칭 챔버용 에지 링 어셈블리

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5891348A (en) * 1996-01-26 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Process gas focusing apparatus and method
KR100660416B1 (ko) * 1997-11-03 2006-12-22 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 개량된 저질량 웨이퍼 지지 시스템
US6589352B1 (en) * 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
US7713841B2 (en) * 2003-09-19 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Methods for thinning semiconductor substrates that employ support structures formed on the substrates
US7128806B2 (en) * 2003-10-21 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Mask etch processing apparatus
US7501161B2 (en) * 2004-06-01 2009-03-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for reducing arcing during plasma processing
US7544270B2 (en) * 2005-11-14 2009-06-09 Infineon Technologies Ag Apparatus for processing a substrate
TWI495402B (zh) * 2008-10-09 2015-08-01 Applied Materials Inc 具有射頻迴流路徑之電漿處理腔室
JP5100617B2 (ja) * 2008-11-07 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 リング状部材及びその製造方法
US8409995B2 (en) * 2009-08-07 2013-04-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method
WO2011082020A2 (en) * 2009-12-31 2011-07-07 Applied Materials, Inc. Shadow ring for modifying wafer edge and bevel deposition
WO2011094230A2 (en) * 2010-01-27 2011-08-04 Applied Materials, Inc. Life enhancement of ring assembly in semiconductor manufacturing chambers
CN104428271B (zh) * 2012-07-05 2017-03-08 株式会社尼康 多晶CaF2构件、用于等离子体处理装置的构件、等离子体处理装置及聚焦环的制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195928A (ja) * 1998-12-01 2000-07-14 Greene Tweed Of Delaware Inc 半導体ウェ―ハ又はその他の加工物を保持するためのツ―ピ―ス型クランプリング
JP2011003730A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Mitsubishi Materials Corp プラズマ処理装置用シリコンリング
KR20110005665U (ko) * 2009-12-01 2011-06-09 램 리써치 코포레이션 플라즈마 에칭 챔버용 에지 링 어셈블리

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TWM464809U (zh) 2013-11-01
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