KR20130126796A - 전기화학 커패시터용 전극 및 이를 포함하는 전기화학 커패시터 - Google Patents
전기화학 커패시터용 전극 및 이를 포함하는 전기화학 커패시터 Download PDFInfo
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Abstract
개시된 전기화학 커패시터용 전극은, 직물형 도전성 기판과, 상기 직물형 도전성 기판 상에 마련되는 복수의 나노와이어와, 상기 나노와이어들의 표면에 형성되는 나노입자층을 포함한다.
Description
전기화학 커패시터에 관한 것으로, 상세하게는 전기화학 커패시터용 전극에 관한 것이다.
초고용량 커패시터(supercapacitor 또는 ultracapacitor)로 알려져 있는 전기화학 커패시터는 전해질과 전극 사이의 계면에서 발생되는 전하 저장을 이용한 에너지 저장장치이다. 이러한 전기화학 커패시터는 전해 콘덴서와 이차전지의 중간적인 특성을 갖는 것으로, 급속 충방전이 가능하며, 높은 효율, 반영구적인 수명 특성으로 이차전지의 병용 및 대체 가능한 에너지 저장장치로 각광을 받고 있다. 1980년대에는 활성 탄소재료의 고비표면적을 이용한 소형 전기이중층 커패시터(EDLC; Electric Double Layer Capacitor)가 각종 전자기기의 메모리 백업용으로 상용화되었으며, 최근 들어 전극 재료와 제조기술의 발달로 고출력 특성의 중,대형 제품이 개발되어 효율적인 에너지 사용을 위해 군용, 우주 항공 및 의료용 등의 고부가 장비의 대출력 전원, HEV(Hybrid Electric Vehicle), FCEV(Fuel Cell Electric Vehicle)의 추진 동력시스템, 대체에너지 부하변동 대응 전원 시스템 등 차세대 고신뢰성 에너지 저장장치로서 중요성이 크게 부각되고 있다.
활성 탄소계 전기화학 커패시터는 가장 먼저 상용화되어 각종 전자기기의 메모리 백업용으로 사용되고 있으며, 유기 전해질 시스템에서는 알루미늄-활성탄소 복합 전극의 제조기술 도입으로 ESR(Equivalent Series Resistance)이 현저하게 감소된 커패시터가 개발됨으로써 출력 특성을 향상시킨 중대형의 제품 개발에 관심이 집중되고 있다. 활성 탄소를 전극으로 사용하는 전기화학 커패시터를 전기 이중층 커패시터라고 부르며, 알루미늄 전해 콘덴서에 비해 용량이 비약적으로 증가되었으며 극성이 바뀌어도 파괴되지 않는 장점이 있다. 활성탄소 전극재료의 경우 비정전용량은 비표면적에 비례하므로 다공성을 부여하여 전극재료의 고용량화에 따라 에너지 밀도의 향상을 꾀하고 있다. 그러나, 활성 탄소의 비저항을 낮추기 위하여 다공성을 감소시키면 비표면적이 감소하게 되어 에너지 밀도가 낮아지게 된다.
전도성 고분자는 경량 소재로서 각광을 받고 있는 전극 재료이지만, 현재까지 고분자의 열화 특성을 제어하기가 용이하지 않기 때문에 상용화에는 다소 시간이 걸리 예정이다. 그리고, 금속 산화물 전극 재료의 경우에는 RuO2는 박막 전극으로 제조할 경우 저항이 낮아 고출력 특성의 초고용량 커패시터를 제조할 수 있으며, 비정질의 수화물(RuO2XH2O)을 전극 재료로 사용하면 비정전용량이 월등하게 증가된다고 보고되고 있다. 다만, 루테늄의 높은 가격이 단점으로 지적되고 있어 가격이 싼 니켈 등을 사용하는 전극 재료의 개발 연구가 많이 시도되고 있으며, 전극 재료의 특성을 제어함으로써 용도에 따른 차별화된 특성을 갖는 전극 재료 개발에 대한 연구도 진행되고 있다.
본 발명의 실시예는 전기화학 커패시터용 전극 및 이를 포함하는 전기화학 커패시터를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 있어서,
직물형 도전성 기판;
상기 직물형 도전성 기판 상에 마련되는 복수의 나노와이어; 및
상기 나노와이어들의 표면에 형성되는 나노입자층;을 포함하는 전기화학 커패시터용 전극이 제공된다.
상기 나노와이어들은 예를 들면, ZnO, SnO2, Co3O4, Mn3O4, MnO, Fe2O3, Fe3O4, NiO, MoO3, MoO2, TiO2, CuO, Cu2O, LiFePO4, CeO2, RuO2, MnO2, Li4Ti5O12 또는 Li3V2(PO4)3 등 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 이러한 나노와이어들은 상기 직물형 도전성 기판 상에 수직 또는 일정한 각도로 경사지게 마련될 수 있다.
상기 나노입자층은 예를 들면, Ni(OH)2 또는 Co(OH)2 등과 같은 금속 수산화물(metal hydroxide) 이나 전이금속을 포함할 수 있다.
상기 직물형 도전성 기판은 직물 섬유(textile fiber)와, 상기 직물 섬유의 표면에 코팅된 도전층을 포함할 수 있다.
상기 직물 섬유는 폴리머를 포함할 수 있으며, 상기 도전층은 하나 이상의 금속층을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 금속층은 Ni, Cu 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 있어서,
한 쌍의 제1 및 제2 전극;
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 채워지는 전해질(electrolyte); 및
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 마련되는 분리막(separator);을 포함하고,
상기 제1 및 제2 전극은 각각, 직물형 도전성 기판과, 상기 직물형 도전성 기판 상에 마련되는 복수의 나노와이어와, 상기 나노와이어들의 표면에 형성되는 나노입자층;을 포함하는 전기화학 커패시터가 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 있어서,
직물 섬유의 표면에 도전층을 코팅하는 단계;
상기 도전층 상에 복수의 나노와이어를 성장시키는 단계; 및
상기 나노와이어들 표면에 나노입자층을 증착하는 단계;를 포함하는 전기화학 커패시터용 전극의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 전기화학 커패시터용 전극이 유연한 재질의 직물형 도전성 기판과 상기 직물형 도전성 기판 상에 마련되는 나노구조체를 포함한다. 따라서, 상기 직물형 도전성 기판이 단단한 재질의 기판에 비하여 비표면적이 상대적으로 크며, 또한 그 유연성으로 인해 커패시터의 충방전 사이클시 발생하는 스트레스 및 소자의 지속적인 움직임으로 인해 발생되는 물리적인 스트레스에 대해 강한 내구성을 가질 수 있다. 그리고, 상기 직물형 도전성 기판 상에 성장된 복수의 나노와이어는 높은 비표면적을 제공하고, 높은 정전용량값을 가지는 물질을 포함하는 나노입자층이 나노와이어들 표면에 비교적 균일하게 증착됨으로써 고품질의 전기화학 커패시터를 제작할 수 있다. 이에 따라, 대용량, 고에너지, 고전력밀도를 가진 슈퍼 커패시터를 구현할 수 있으며, 이러한 슈퍼 커패시터는 군사용, 우주 항공용 및 의료용 등의 고부가 장비의 대출력 파워의 전원으로 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전기화학 커패시터의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 전극(제2 전극)의 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제1 전극(제2 전극)의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 직물형 도전성 기판을 보여주는 사진들이다.
도 4c 및 도 4d는 직물형 도전성 기판에 성장된 ZnO 나노와이어들을 보여주는 사진들이다.
도 4e는 상기 ZnO 나노와이어들 표면에 증착된 Ni(OH)2 나노입자층을 보여조는 사진이다.
도 5는 도 1에 도시된 직물형 도전성 기판을 구성하는 직물 섬유 및 도전층을 도시한 것이다.
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전기화학 커패시터에서, 시간에 따른 충전-방전 사이클 및 전류 밀도에 따른 비정전용량을 도시한 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 전극(제2 전극)의 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제1 전극(제2 전극)의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 직물형 도전성 기판을 보여주는 사진들이다.
도 4c 및 도 4d는 직물형 도전성 기판에 성장된 ZnO 나노와이어들을 보여주는 사진들이다.
도 4e는 상기 ZnO 나노와이어들 표면에 증착된 Ni(OH)2 나노입자층을 보여조는 사진이다.
도 5는 도 1에 도시된 직물형 도전성 기판을 구성하는 직물 섬유 및 도전층을 도시한 것이다.
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전기화학 커패시터에서, 시간에 따른 충전-방전 사이클 및 전류 밀도에 따른 비정전용량을 도시한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전기화학 커패시터의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 전기화학 커패시터(100)는 서로 이격되게 마련되는 한 쌍의 제1 및 제2 전극(110,120)과, 상기 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이를 채우는 전해질(electrolyte,140)과, 상기 제1 전극(110)과 제2 전극(120) 사이에 마련되어 상기 제1 및 제2 전극(110,120) 사이의 단락을 방지하기 위한 분리막(separator,130)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 전극(110,120)은 각각 양극 및 음극이 될 수 있다. 한편, 상기 제1 및 제2 전극(110,120)은 각각 음극 및 양극이 될 수도 있다. 이러한 제1 및 제2 전극(110,120) 상에는 각각 전류를 모아주는 제1 및 제2 집전체(151,152)가 더 마련될 수 있다.
상기 전해질(140) 이나 분리막(130)은 전기화학 커패시터에 통상적으로 사용되는 물질로 이루어질 수 있다. 상기 전해질(140)로는 수성 또는 유성 전해질, 예를 들면, 30 내지 35% KOH, 아세톤니트릴 중의 1M 테트라에틸암모늄 플루오로보레이트(TEABF4), 프로필렌 카르보네이트 중의 1M TEABF4 또는 1M LiPF6 등이 사용될 수 있다. 하지만 이는 단지 예시적인 것으로 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 상기 분리막(130)은 예를 들면, 종이(셀룰로오스계), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, PET, PTFE 또는 폴리아미드 등으로 제조된 중합체성 분리막이 사용될 수 있다. 하지만 이는 단지 예시적인 것으로 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 전극(제2 전극)의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 제1 전극(제2 전극)의 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 전기화학 커패시터(100)에 사용되는 제1 및 제2 전극(110,120)은 동일한 구조를 가지고 있다. 구체적으로, 상기 제1 및 제2 전극(110,120)은 각각 직물형 도전성 기판(111)과, 상기 직물형 도전성 기판(111) 상에 마련되는 복수의 나노구조체(112)를 포함한다. 상기 직물형 도전성 기판(111)은 유연한(flexible) 재질의 직물 섬유(textile fiber,111a)와, 상기 직물 섬유(111a)의 표면에 코팅된 도전층(111b)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 직물 섬유(111a)는 다수의 섬유 가닥들이 서로 소정 패턴으로 짜여진 2차원적 형상을 가질 수 있다. 이러한 직물 섬유(111a)는 예를 들면 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에스터(polyester) 또는 폴리우레탄(polyurethane) 등과 같은 폴리머(polymer)를 포함할 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 직물 섬유(111a)는 이외에도 다양한 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 직물 섬유(111a)의 직경을 필요에 따라 다양하게 조절될 수 있으며, 예를 들면 대략 20~150㎛ 정도가 될 수 있다. 그러나, 이는 단지 예시적인 것으로 이외에도 상기 직물 섬유(111a)는 얼마든지 다른 직경을 가질 수 있다.
상기 도전층(111b)은 상기 직물 섬유(111a)의 외면 전체를 덮도록 코팅될 수 있다. 여기서, 상기 도전층(111b)은 무전해 도금 또는 스퍼터링 방법 등을 통해 직물 섬유(111a)의 표면에 코팅될 수 있다. 이러한 도전층(111b)은 예를 들면 대략 100nm ~ 1㎛ 정도의 두께로 형성될 수 있다. 그러나, 이는 단지 예시적인 것으로 상기 도전층(111b)은 이외에도 다른 다양한 두께로 형성될 수도 있다. 상기 도전층(111b)은 하나 이상의 금속층으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 금속층은 예를 들면, Ni, Cu 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 이는 단지 예시적인 것으로, 상기 도전층(111b)은 이외에도 다른 다양한 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 도전층(111b)은 상기 직물 섬유(111a) 상에 코팅된 Ni층 구조, 상기 직물 섬유(111a) 상에 코팅된 Cu층 구조, 상기 직물 섬유(111a) 상에 순차적으로 코팅된 Ni층 및 Cu층 구조나, Ni층 및 Au층 구조 등을 가질 수 있다. 하지만, 본 실시예는 이에 한정되는 것은 아니며 상기 도전층(111b)은 전술한 물질 이외에도 다른 다양한 금속 물질을 포함할 수 있으며, 또한 다양한 층 구조를 가질 수 있다.
상기 직물형 도전성 기판(111) 상에는 복수의 나노구조체(112)가 마련되어 있다. 여기서, 상기 나노구조체들(112)은 직물형 도전성 기판(111) 상에 마련되는 복수의 나노와이어(112a)와, 상기 나노와이어들(112a) 표면에 형성되는 나노입자층(112b)을 포함한다. 여기서, 상기 나노와이어들(112a)은 직물형 도전성 기판(111) 상에 수직 또는 일정한 각도로 경사지게 마련될 수 있다. 상기 복수의 나노와이어(112a)는 제1 및 제2 전극(110,120)의 비표면적을 증대시키는 역할을 한다. 이러한 나노와이어들(112a)은 예를 들면, ZnO, SnO2, Co3O4, Mn3O4, MnO, Fe2O3, Fe3O4, NiO, MoO3, MoO2, TiO2, CuO, Cu2O, LiFePO4, CeO2, RuO2, MnO2, Li4Ti5O12, Li3V2(PO4)3 등과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 하지만, 이는 단지 예시적인 것으로 이외에 다른 물질을 포함할 수도 있다. 그리고, 상기 나노와이어들(112a)의 표면에는 높은 정전용량(capacitance) 값을 가지는 물질을 포함하는 나노입자층(112b)이 증착되어 있다. 상기 나노입자층(112b)은 높은 비표면적을 제공하는 나노와이어들(112a)의 표면에 비교적 균일하게 증착될 수 있다. 이러한 나노입자층(112b)은 전이금속(transition metal) 또는 금속 수산화물(metal hydroxide)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 금속 수산화물은 예를 들면, Ni(OH)2또는 Co(OH)2를 포함할 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4a 및 도 4b에는 다수의 섬유가닥들이 소정 패턴으로 짜여진 직물 섬유(111a) 의 표면에 도전층(111b)이 증착되어 형성된 직물형 도전성 기판(111)의 예시적인 모습이 도시되어 있다. 그리고, 도 4c 및 도 4d에는 도 4a 및 도 4b에 도시된 직물형 도전성 기판(111) 상에 복수의 ZnO 나노와이어들(112a)이 성장된 모습이 예시적으로 도시되어 있으며, 도 4e에는 도 4d에 도시된 ZnO 나노와이어들(112a)의 표면에 Ni(OH)2 나노입자층(112b)이 증착된 모습이 예시적으로 도시되어 있다. 그리고, 도 5에는 직물형 도전성 기판(111)의 직물 섬유(111a)로서 폴리에스터가 사용되고, 도전층(111b)이 폴리에스터의 표면에 Ni층, Cu층, Ni층 및 Au층이 순차적으로 적층된 구조를 가지는 경우가 예시적으로 도시되어 있다.
도 6a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전기화학 커패시터의 시간에 따른 충전-방전 사이클을 도시한 것이며, 도 6b는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전기화학 커패시터의 전류 밀도에 따른 비정전용량을 도시한 것이다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 결과는 폴리에스터 표면에 Au층이 증착된 직물형 전도성 기판 상에 ZnO 나노와이을 성장시킨 다음, ZnO 나노와이어들 표면에 Ni(OH)2 나노입자층을 증착하여 제1 및 제2 전극을 제작하고, Ag/AgCl를 전해질로 사용한 전기화학 커패시터로부터 얻어진 것이다. 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전기화학 커패시터에서는 충방전 사이클이 시간이 지나도 일정하고, 전류 밀도에 따른 비정전용량 값의 변화도 적으므로, 충방전의 재현성이 우수하다는 것을 알 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예에 따른 전기화학 커패시터(100)에 사용되는 제1 및 제2 전극(110,120)은 각각 직물형 도전성 기판(111)과 상기 직물형 도전성 기판(111) 상에 마련되는 나노구조체들(112)를 포함한다. 여기서, 상기 직물형 도전성 기판(111)은 유연한 재질로 이루어져 있으므로 단단한 재질의 기판에 비하여 비표면적이 상대적으로 크며, 또한 그 유연성으로 인해 커패시터의 충방전 사이클시 발생하는 스트레스 및 소자의 지속적인 움직임으로 인해 발생되는 물리적인 스트레스에 대해 강한 내구성을 가질 수 있다. 그리고, 상기 직물형 도전성 기판(111) 상에 성장된 복수의 나노와이어(112a)는 높은 비표면적을 제공하고, 높은 정전용량값을 가지는 물질(예를 들면, Ni(OH)2 등)을 포함하는 나노입자층(112b)이 나노와이어들(112a) 표면에 비교적 균일하게 증착됨으로써 고품질의 전기화학 커패시터, 즉 슈퍼 커패시터를 구현할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 전기화학 커패시터용 전극을 제작하는 방법을 설명한다. 한편, 이하에서 설명되는 전극의 제작방법은 단지 예시적인 것으로, 이에 한정되는 것은 아니다.
먼저, 폴리머 계열의 직물 섬유 상에 Au층이 증착된 직물형 전도성 기판을 에탄올에 용해된 5mM의 zinc acetate dehydrate 용액에 담궈서 3~4 번 코팅한 다음, 170℃에서 약 10분 동안 열처리한다. 이어서, 200ml의 12mM zinc nitrate hexahydrate 수용액과 12mM hexamethyleneetetramine(HMTA)이 포함된 유리 용기 안에서 상기 직물형 전도성 기판을 대략 95℃ 정도에서 2시간 정도 가열하여 ZnO 나노와이어들을 합성한다. 합성 후에는 증류수에 의한 세척 과정을 거쳐 다시 100℃에서 4시간 정도 건조한다.
다음으로, 0.1 mM의 Ni(NO3)2 수용액을 준비한 다음, nickel nitrate의 완만한 가수분해 반응을 유도하기 위해 0.01 nM의 NH4(OH)2 용액 0.1mL를 일정간격을 첨가하여 겔 용액을 얻고, 이를 일정기간 숙성시킨다. 그리고, 이 용액에 ZnO 나노와이어들이 성장된 직물형 전도성 기판을 4시간 담게 되면, ZnO 나노와이어들 표면에 Ni(OH)2 나노입자층이 균일하게 증착된다. 이후, 세척 과정을 거쳐 하루 정도 80℃에서 건조하게 되면 본 실시예에 따른 전기화학 커패시터용 전극이 완성된다.
이상에서 본 발명의 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
100... 전기화학 커패시터 110... 제1 전극
111... 직물형 도전성 기판 111a... 직물 섬유
111b... 도전층 112... 나노구조체
112a... 나노와이어 112b... 나노입자층
120... 제2 전극 130... 분리막
140... 전해질 151... 제1 집전체
152.. 제2 집전체
111... 직물형 도전성 기판 111a... 직물 섬유
111b... 도전층 112... 나노구조체
112a... 나노와이어 112b... 나노입자층
120... 제2 전극 130... 분리막
140... 전해질 151... 제1 집전체
152.. 제2 집전체
Claims (18)
- 직물형 도전성 기판;
상기 직물형 도전성 기판 상에 마련되는 복수의 나노와이어; 및
상기 나노와이어들의 표면에 형성되는 나노입자층;을 포함하는 전기화학 커패시터용 전극. - 제 1 항에 있어서,
상기 나노와이어들은 금속 산화물을 포함하는 전기화학 커패시터용 전극. - 제 2 항에 있어서,
상기 금속 산화물은 ZnO, SnO2, Co3O4, Mn3O4, MnO, Fe2O3, Fe3O4, NiO, MoO3, MoO2, TiO2, CuO, Cu2O, LiFePO4, CeO2, RuO2, MnO2, Li4Ti5O12, 및 Li3V2(PO4)3 중 적어도 하나를 포함하는 전기화학 커패시터용 전극. - 제 2 항에 있어서,
상기 나노와이어들은 상기 직물형 도전성 기판 상에 수직 또는 일정한 각도로 경사지게 마련되는 전기화학 커패시터용 전극. - 제 2 항에 있어서,
상기 나노입자층은 금속 수산화물(metal hydroxide) 또는 전이금속을 포함하는 전기화학 커패시터용 전극. - 제 5 항에 있어서,
상기 금속 수산화물은 Ni(OH)2 또는 Co(OH)2를 포함하는 전기화학 커패시터용 전극. - 제 1 항에 있어서,
상기 직물형 도전성 기판은 직물 섬유(textile fiber)와, 상기 직물 섬유의 표면에 코팅된 도전층을 포함하는 전기화학 커패시터용 전극. - 제 7 항에 있어서,
상기 직물 섬유는 폴리머를 포함하는 전기화학 커패시터용 전극. - 제 7 항에 있어서,
상기 도전층은 하나 이상의 금속층을 포함하는 전기화학 커패시터용 전극. - 제 9 항에 있어서,
상기 금속층은 Ni, Cu 및 Au 중 적어도 하나를 포함하는 전기화학 커패시터용 전극. - 한 쌍의 제1 및 제2 전극;
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 채워지는 전해질(electrolyte); 및
상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 마련되는 분리막(separator);을 포함하고,
상기 제1 및 제2 전극은 각각, 직물형 도전성 기판과, 상기 직물형 도전성 기판 상에 마련되는 복수의 나노와이어와, 상기 나노와이어들의 표면에 형성되는 나노입자층;을 포함하는 전기화학 커패시터. - 제 11 항에 있어서,
상기 나노와이어들은 금속 산화물을 포함하는 전기화학 커패시터. - 제 12 항에 있어서,
상기 나노입자층은 금속 수산화물 또는 전이금속을 포함하는 전기화학 커패시터. - 제 11 항에 있어서,
상기 직물형 도전성 기판은 직물 섬유와, 상기 직물 섬유의 표면에 코팅된 도전층을 포함하는 전기화학 커패시터. - 제 14 항에 있어서,
상기 직물 섬유는 폴리머를 포함하고, 상기 도전층은 하나 이상의 금속층을 포함하는 전기화학 커패시터. - 직물 섬유의 표면에 도전층을 코팅하는 단계;
상기 도전층 상에 복수의 나노와이어를 성장시키는 단계; 및
상기 나노와이어들 표면에 나노입자층을 증착하는 단계;를 포함하는 전기화학 커패시터용 전극의 제조방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 나노와이어들은 금속 산화물을 포함하는 전기화학 커패시터용 전극의 제조방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 나노입자층은 금속 수산화물 또는 전이금속을 포함하는 전기화학 커패시터용 전극의 제조방법.
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