KR20130114670A - 정류기 회로 - Google Patents

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KR20130114670A
KR20130114670A KR1020137011477A KR20137011477A KR20130114670A KR 20130114670 A KR20130114670 A KR 20130114670A KR 1020137011477 A KR1020137011477 A KR 1020137011477A KR 20137011477 A KR20137011477 A KR 20137011477A KR 20130114670 A KR20130114670 A KR 20130114670A
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resistor
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KR1020137011477A
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케파스 다마지오-코엘류
마티아스 뤼슈어
오스카르 아펠도른
토마스 베르너
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에이비비 테크놀로지 아게
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Abstract

본 발명은 정류기 유닛 (1) 을 갖는 정류기 회로에 관한 것이며, 상기 정류기 유닛 (1) 은 복수의 작동가능한 전력 반도체 스위치들을 포함하며, 그 DC 측이 용량성 에너지 저장 회로 (2) 에 접속되고, 용량성 에너지 저장 회로 (2) 는, 정류기 유닛 (1) 의 작동가능한 전력 반도체 스위치들에서의 전류 또는 전압의 증가 레이트를 제한하기 위한 적어도 하나의 부하 차단 네트워크 (3) 및 적어도 하나의 용량성 에너지 저장소를 포함한다. 용량성 에너지 저장 회로에서의 과전류의 원치 않는 발진을 저감시키기 위해, 용량성 에너지 저장 회로 (2) 는 단방향성 전류 통과 방향을 갖는 적어도 하나의 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 을 포함하며, 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 은 다이오드 및 감쇠 저항기를 포함한다.

Description

정류기 회로{RECTIFIER CIRCUIT}
본 발명은 전력 전자공학의 분야에 관한 것이다. 본 발명은 독립 청구항의 프리앰블에 따른 컨버터 회로에 기초한다.
컨버터 회로들은 오늘날 수많은 응용들에 이용되고 있다. 도 1 은 종래 기술에 기초한 문제의 타입의 컨버터 회로를 나타낸다. 통상 컨버터 회로는 그 내부에서 적어도 하나의 용량성 에너지 저장소를 구비하는 용량성 에너지 저장 회로 (2) 를 포함한다. 또한, 컨버터 회로는 컨버터 유닛 (1) 을 구비하고, 컨버터 유닛의 DC 전압 측은 용량성 에너지 저장 회로 (2) 에 접속된다. 예로서, 이러한 컨버터 유닛은 예를 들면, AC 전압을 요구하는 전기적 부하에 전력을 공급하기 위해 사용된다. 컨버터 유닛 (1) 자체는, 하프-브리지 또는 풀-브리지 회로들과 같이, 당업자에게 공지되어 있는 회로들을 형성하기 위해 접속되는 다수의 작동가능한 전력 반도체 스위치들을 구비한다.
또한, 용량성 에너지 저장 회로 (2) 는 추가적으로, 작동가능한 전력 반도체 스위치들이 스위칭할 때에 발생할 수도 있는, 컨버터 유닛 (1) 의 작동가능한 전력 반도체 스위치들에서의 스퓨리어스 고주파 또는 전압 피크들을 억제하기 위해, 적어도 하나의 스너버 네트워크 (3; snubber network) (스너버 회로라고 공지됨) 를 포함한다. 따라서, 이러한 스너버 네트워크 (3) 는, 사이리스터들, IGBT들, IGCT들 등과 같이, 컨버터 유닛 (1) 의 작동가능한 전력 반도체 스위치들에서의 전류 또는 전압 상승의 레이트의 제한을 유도한다. 도 1 에 나타낸 바와 같이, 스너버 네트워크는 통상 저항기, 인덕턴스, 커패시턴스 및 다이오드를 포함하고, 그때 상술된 컴포넌트들은 일반적으로 도 1 에 나타낸 방식으로 접속되어 있다.
예를 들면 컨버터 유닛 (1) 에서의 에러의 결과로서 과전류 iF 가 이제 발생되면, 그리하여 적어도 하나의 용량성 에너지 저장소 및 스너버 네트워크 (3) 의 커패시턴스는 스너버 네트워크 (3) 의 인덕턴스와 함께, 큰 진폭으로 발진하고 오직 서서히 하강하는 과전류 iF 를 야기하는 공진 회로가 된다. 이러한 발진은 도 2 에 예로서 과전류 iF 의 파형으로 나타나 있다. 엄밀히, 과전류 iF 에서의 이러한 발진은 컨버터 유닛 (1) 의 작동가능한 전력 반도체 스위치들을 손상시키거나 또는 심지어 파괴시킬 수 있어, 따라서 매우 바람직하지 않다.
EP　1　619　785　A2 에는 저항기, 인덕턴스, 커패시턴스 및 다이오드를 갖는 스너버 네트워크를 구비하는 문제의 타입의 컨버터 회로가 특정되어 있다. 거기에는 발생하는 과전류에서의 상술한 발진을 감쇠 (damping) 시키기 위한 디바이스가 제공되어 있지 않다.
따라서, 본 발명의 목적은 용량성 에너지 저장 회로에서 과전류가 발생할 때에, 과전류에서의 발진이 최대한 회피될 수 있는 컨버터 회로를 특정하는 것이다.
이 목적은 청구항 1 의 특징들에 의해 달성된다. 종속 청구항들은 본 발명의 유리한 전개들을 특정한다.
본 발명에 따른 컨버터 회로는 컨버터 유닛을 포함하며, 컨버터 유닛은 다수의 작동가능한 전력 반도체 스위치들을 구비하며, 컨버터 유닛의 DC 전압 측이 용량성 에너지 저장 회로에 접속된다. 용량성 에너지 저장 회로는, 컨버터 유닛의 작동가능한 전력 반도체 스위치들에서의 전류 또는 전압 상승의 레이트를 제한하기 위한 적어도 하나의 스너버 네트워크 및 적어도 하나의 용량성 에너지 저장소를 구비한다. 본 발명에 따르면, 용량성 에너지 저장 회로는 단방향성 전류-흐름 방향을 갖는 적어도 하나의 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (passive nonactuatable damping unit) 을 구비하며, 수동 작동불가한 감쇠 유닛은 다이오드 및 감쇠 저항기를 구비한다. 또한, 스너버 네트워크는 저항기, 인덕턴스, 커패시턴스 및 다이오드를 구비하며, 스너버 네트워크의 저항기와 스너버 네트워크의 다이오드는 직렬로 접속되고, 스너버 네트워크의 저항기와 스너버 네트워크의 다이오드를 포함하는 직렬 회로는 스너버 네트워크의 인덕턴스와 병렬로 접속되고, 스너버 네트워크의 커패시턴스는 스너버 네트워크의 저항기와 스너버 네트워크의 다이오드 사이의 접속점에 접속된다. 전체적으로, 수동 작동불가한 감쇠 유닛에 대해 제공된 별도의 다이오드와 또한 스너버 네트워크에 대해 제공된 별도의 다이오드가 존재한다.
용량성 에너지 저장 회로에서 원치 않는 발진을 일반적으로 갖는 과전류가 이제 발생하면, 과전류에서의 이들 발진은 수동 작동불가한 감쇠 유닛에 의해 감쇠되고, 그리하여 과전류에서의 발진이 성공적으로 감소된다. 또한, 수동 작동불가한 감쇠 유닛은 다이오드와 감쇠 저항기의 결과로서 극히 간단한 설계이며, 그리하여 수동 작동불가한 감쇠 유닛은 매우 강건하고 저렴하고, 따라서 매우 용이하게 구현되고, 예를 들면 기존의 컨버터 회로 내로 개보수될 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 목적들, 이점들과 특징들은 도면들과 관련하여 후술되는 본 발명의 바람직한 실시형태들의 상세한 설명으로부터 분명해진다.
도 1 은 종래 기술에 기초한 컨버터 회로의 실시형태를 나타낸다.
도 2 는 도 1 에 나타낸 컨버터 회로의 용량성 에너지 저장 회로에서의 과전류에 대한 파형을 나타낸다.
도 3 은 본 발명에 따른 컨버터 회로의 제 1 실시형태를 나타낸다.
도 4 는 본 발명에 따른 컨버터 회로의 제 2 실시형태를 나타낸다.
도 5 는 본 발명에 따른 컨버터 회로의 제 3 실시형태를 나타낸다.
도 6 은 본 발명에 따른 컨버터 회로의 제 4 실시형태를 나타낸다.
도 7 은 도 3 에 나타낸 컨버터 회로의 용량성 에너지 저장 회로에서의 과전류에 대한 파형을 나타낸다.
도면에 사용된 참조 부호들 및 상기 참조 부호들의 의미는 참조 부호들의 리스트에 요약된 형태로 열거되어 있다. 원칙적으로, 도면들에서 동일한 부분들은 동일한 참조 부호들을 이용하여 제공된다. 기재된 실시형태들은 본 발명의 청구물의 예들이며, 제한적인 효과는 없다.
도 1 은 처음에 이미 언급되었는 종래 기술에 기초한 대중적인 컨버터 회로의 실시형태를 나타낸다. 이와 관련하여, 도 2 는 도 1 의 컨버터 회로의 용량성 에너지 저장 회로 (2) 에서의 과전류 iF 에 대한 파형을 나타낸다. 그 다음으로, 도 3 은 본 발명에 따른 컨버터 회로의 제 1 실시형태를 나타낸다. 일반적으로, 컨버터 회로는 컨버터 유닛 (1) 을 포함하고, 이 컨버터 유닛 (1) 은 다수의 작동가능한 전력 반도체 스위치들을 구비한다. 예로서, 그러면 이러한 작동가능한 전력 반도체 스위치는 게이트 턴-오프 사이리스터 (GTO; gate turn-off thyristor) 의 형태, 통합 게이트 커뮤테이티드 사이리스터 (IGCT; integrated gate commutated thyristor) 의 형태, 전력 MOSFET 의 형태 또는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT; insulated gate bipolar transistor) 의 형태로 존재할 수도 있다. 컨버터 유닛 (1) 의 DC 전압 측은 용량성 에너지 저장 회로 (2) 에 접속되며, 용량성 에너지 저장 회로 (2) 는 일반적으로 컨버터 유닛 (1) 의 작동가능한 전력 반도체 스위치들에서의 전류 또는 전압 상승의 레이트를 제한하기 위한 적어도 하나의 스너버 네트워크 (3) 및 적어도 하나의 용량성 에너지 저장소를 구비한다. 도 3 에 나타낸 제 1 실시형태에서는, 단일 용량성 에너지 저장소 및 단일 스너버 네트워크 (3) 가 제공되어 있다. 본 발명에 따르면, 용량성 에너지 저장 회로 (2) 는 일반적으로 단방향성 전류-흐름 방향을 갖는 적어도 하나의 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 를 구비하며, 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 은 다이오드 및 감쇠 저항기를 구비한다. 도 3 에 나타낸 제 1 실시형태에서는, 단일 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 이 제공되어 있다. 또한, 스너버 네트워크 (3) 는, 특히 도 3 에 나타낸 바와 같이, 저항기, 인덕턴스, 커패시턴스 및 다이오드를 구비하며, 스너버 네트워크 (3) 의 저항기와 스너버 네트워크 (3) 의 다이오드는 직렬로 접속되고, 스너버 네트워크 (3) 의 저항기와 스너버 네트워크 (3) 의 다이오드를 포함하는 직렬 회로는 스너버 네트워크 (3) 의 인덕턴스와 병렬로 접속되고, 스너버 네트워크 (3) 의 커패시턴스는 스너버 네트워크 (3) 의 저항기와 스너버 네트워크 (3) 의 다이오드 사이의 접속점에 접속되어 있다. 전체적으로, 그리하여 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 에 대해 별도의 다이오드가 제공되고 또한 스너버 네트워크 (3) 에 대해 별도의 다이오드가 제공되어 있다.
용량성 에너지 저장 회로 (2) 에서 과전류 iF 가 발생할 때에, 대중적인 컨버터 회로들에서 통상 발생되는 바와 같은, 과전류 iF 에서의 발진은, 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 에 의해 성공적으로 감쇠되고, 그리하여 과전류 iF 에서의 발진이 감소된다. 그 이유는, 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 다이오드는 발진하는 과전류 iF 가, 특히 다이오드의 전도 방향으로, 감쇠 저항기를 통한 전류 경로를 유리하게 가지며, 그때 감쇠 저항기는 바람직한 방식으로 과전류 iF 에서의 발진을 감쇠시킨다는 것을 의미하기 때문이다. 이와 관련하여, 도 7 은 도 3 에 나타낸 컨버터 회로의 과전류 iF 에 대한 파형을 이용한 예로서 과전류 iF 의 상술한 감쇠를 나타낸다. 또한, 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 은 다이오드와 감쇠 저항기의 결과로서 극히 간단한 설계이며, 따라서 매우 강건하고 저렴하고, 그리하여 매우 용이하게 구현될 수 있다. 또한, 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 은 기존의 컨버터 회로들 내로 개보수하기에 특히 적합하다.
감쇠 저항기는 개별 컴포넌트일 수도 있고, 또는 그렇지 않으면 또한 저항기로의 공급 라인에서의 저항성 재료의 사용에 의해 형성될 수도 있다.
바람직하게는, 도 3 에 나타낸 제 1 실시형태에서의 예로서 나타낸 바와 같이, 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 다이오드는 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 감쇠 저항기와 직렬로 접속된다.
제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 를 갖는 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 경우에, 도 3 에서의 예로서 나타낸 바와 같이, 스너버 네트워크 (3) 는 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 에 접속된다. 예로서, 선정된 제 1 전압 전위 (A) 가 양 전압 전위이면, 선정된 제 2 전압 전위 (B) 는 동일한 값을 갖는 음 전압 전위이다. 그러면 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 은, 도 3 에서의 예로서 나타낸 바와 같이, 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 에 접속된다. 상기 언급된 스너버 네트워크 (3) 의 개개의 컴포넌트들의 상호접속은 이미 상술되었다. 스너버 네트워크 (3) 는, 예를 들면, 도 3 에 나타낸 방식으로 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 사이에 삽입된다.
도 3 에 나타낸 제 1 실시형태와 대조적으로, 도 4 에 나타낸 바와 같은 본 발명에 따른 컨버터 회로의 제 2 실시형태에서는, 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 감쇠 저항기는 스너버 네트워크 (3) 의 저항기이다. 이 대체안은 스너버 네트워크 (3) 의 이미 존재하는 저항기가 감쇠 저항기로서 사용되도록 허용하며, 이것은 추가적인 개별 감쇠 저항기가 생략될 수 있고 따라서 컴포넌트 비용, 공간 및 장착 복잡성을 감소시킬 수 있음을 의미한다. 도 4 에 나타낸 스너버 네트워크 (3) 는 마찬가지로 저항기, 인덕턴스, 커패시턴스 및 다이오드를 구비한다. 스너버 네트워크 (3) 의 개개의 상술된 컴포넌트들은, 예를 들면, 도 4 에 나타낸 방식으로 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 사이에 상호접속되어 있다. 도 4 에 나타낸 실시형태들에 대해서도 역시, 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 다이오드는, 발진하는 과전류 iF 가 감쇠 저항기를 통한 전류 경로를 가지도록 허용하며, 그때 감쇠 저항기는 바람직한 방식으로 과전류 iF 에서의 발진을 감쇠시킨다.
이미 상술된 바와 같은 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 를 가지며 또한 추가적인 제로 전압 전위 (NP) 를 갖는 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 경우에, 2개의 스너버 네트워크들 (3) 및 2개의 수동 작동불가한 감쇠 유닛들 (4) 이 제공된다. 값의 관점에서, 제로 전압 전위 (NP) 는 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 사이에 엄밀하게 위치되는 것이 바람직하며, 따라서 그때, 예를 들면 동일한 값을 갖는 양의 제 1 전압 전위 (A) 및 음의 제 2 전압 전위 (B) 의 경우에, 제로 전압 전위는 0V 의 값을 갖는 전위를 가진다. 예로서, 도 5 는 본 발명에 따른 컨버터 회로의 제 3 실시형태를 나타내며, 여기서 용량성 에너지 저장 회로 (2) 는 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 와 추가적인 제로 전압 전위 (NP) 를 갖도록 설계된다. 도 5 가 나타내는 바와 같이, 스너버 네트워크들 (3) 중 하나의 스너버 네트워크는 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제 1 전압 전위 (A) 및 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제로 전압 전위 (NP) 에 접속되고, 스너버 네트워크들 (3) 중 다른 하나의 스너버 네트워크는 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제 2 전압 전위 (B) 및 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제로 전압 전위 (NP) 에 접속된다. 또한, 수동 작동불가한 감쇠 유닛들 (4) 중 하나의 수동 작동불가한 감쇠 유닛은 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제 1 전압 전위 (A) 및 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제로 전압 전위 (NP) 에 접속되고, 수동 작동불가한 감쇠 유닛들 (4) 중 다른 하나의 수동 작동불가한 감쇠 유닛은 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제 2 전압 전위 (B) 및 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 제로 전압 전위 (NP) 에 접속된다. 바람직하게는, 도 5 에 나타낸 제 3 실시형태에서의 예로서 나타낸 바와 같이, 각각의 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 다이오드는 연관된 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 감쇠 저항기와 직렬로 접속된다. 도 5 에 나타낸 실시형태에 대해서도 역시, 각각의 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 다이오드는, 발진하는 과전류 iF 가 각각의 감쇠 저항기를 통한 전류 경로를 가지도록 허용하며, 그때 감쇠 저항기는 바람직한 방식으로 과전류 iF 에서의 발진을 감쇠시킨다. 개개의 스너버 네트워크들 (3) 은, 예를 들면, 도 5 에 나타낸 방식으로, 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 와 제로 전압 전위 (NP) 사이에 삽입된다.
도 5 에 나타낸 제 3 실시형태와 대조적으로, 도 6 에 나타낸 본 발명에 따른 컨버터 회로의 제 4 실시형태에서는, 수동 작동불가한 감쇠 유닛들 (4) 중 각각의 수동 작동불가한 감쇠 유닛의 감쇠 저항기는 스너버 네트워크들 (3) 중 각각의 스너버 네트워크의 저항기이다. 이 대체안은 각각의 스너버 네트워크 (3) 의 이미 존재하는 저항기가 감쇠 저항기로서 사용되도록 허용하며, 이것은 추가적인 개별 감쇠 저항기가 생략될 수 있고 따라서 컴포넌트 비용, 공간 및 장착 복잡성을 감소시킬 수 있음을 의미한다. 도 6 에 나타낸 실시형태에 대해서도 역시, 각각의 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 다이오드는, 발진하는 과전류 iF 가 각각의 감쇠 저항기를 통한 전류 경로를 가지도록 허용하며, 그때 감쇠 저항기는 바람직한 방식으로 과전류 iF 에서의 발진을 감쇠시킨다. 도 6 에 예로서 나타낸 바와 같이, 각각의 스너버 네트워크 (3) 는 마찬가지로 저항기, 인덕턴스, 커패시턴스 및 다이오드를 구비하며, 각각의 스너버 네트워크 (3) 의 개개의 상술된 컴포넌트들은 예를 들면, 도 6 에 나타낸 방식으로 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 와 제로 전압 전위 (NP) 사이에 상호접속된다.
참조 부호들의 리스트
1 : 컨버터 유닛
2 : 용량성 에너지 저장 회로
3 : 스너버 네트워크
4 : 수동 작동불가한 감쇠 유닛
A : 제 1 전압 전위
B : 제 2 전압 전위
NP : 제로 전압 전위

Claims (6)

  1. 컨버터 유닛 (1) 을 구비한 컨버터 회로로서,
    상기 컨버터 유닛 (1) 은 다수의 작동가능한 전력 반도체 스위치들을 구비하며, 상기 컨버터 유닛의 DC 전압 측이 용량성 에너지 저장 회로 (2) 에 접속되고,
    상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 는, 상기 컨버터 유닛 (1) 의 상기 작동가능한 전력 반도체 스위치들에서의 전류 또는 전압 상승의 레이트를 제한하기 위한 적어도 하나의 스너버 네트워크 (3; snubber network) 및 적어도 하나의 용량성 에너지 저장소를 구비하며,
    상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 는 단방향성 전류-흐름 방향을 갖는 적어도 하나의 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4; passive nonactuatable damping unit) 을 구비하며, 상기 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 은 다이오드 및 감쇠 저항기를 구비하며,
    상기 스너버 네트워크 (3) 는 저항기, 인덕턴스, 커패시턴스 및 다이오드를 구비하며, 상기 스너버 네트워크 (3) 의 상기 저항기와 상기 스너버 네트워크 (3) 의 상기 다이오드는 직렬로 접속되고, 상기 스너버 네트워크 (3) 의 상기 저항기와 상기 스너버 네트워크 (3) 의 상기 다이오드를 포함하는 직렬 회로는 상기 스너버 네트워크 (3) 의 상기 인덕턴스와 병렬로 접속되고, 상기 스너버 네트워크 (3) 의 상기 커패시턴스는 상기 스너버 네트워크 (3) 의 상기 저항기와 상기 스너버 네트워크 (3) 의 상기 다이오드 사이의 접속점에 접속되는 것을 특징으로 하는 컨버터 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 상기 다이오드는 상기 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 상기 감쇠 저항기와 직렬로 접속되는 것을 특징으로 하는 컨버터 회로.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 를 갖는 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 경우에, 상기 스너버 네트워크 (3) 는 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 에 접속되고, 상기 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 은 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 에 접속되는 것을 특징으로 하는 컨버터 회로.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수동 작동불가한 감쇠 유닛 (4) 의 상기 감쇠 저항기는 상기 스너버 네트워크 (3) 의 상기 저항기인 것을 특징으로 하는 컨버터 회로.
  5. 제 1 항에 있어서,
    제 1 및 제 2 전압 전위 (A, B) 와 제로 전압 전위 (NP) 를 갖는 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 경우에, 2개의 스너버 네트워크들 (3) 및 2개의 수동 작동불가한 감쇠 유닛들 (4) 이 제공되고,
    상기 2개의 스너버 네트워크들 (3) 중 하나의 스너버 네트워크는 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제 1 전압 전위 (A) 및 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제로 전압 전위 (NP) 에 접속되고, 상기 2개의 스너버 네트워크들 (3) 중 다른 하나의 스너버 네트워크는 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제 2 전압 전위 (B) 및 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제로 전압 전위 (NP) 에 접속되고,
    상기 2개의 수동 작동불가한 감쇠 유닛들 (4) 중 하나의 수동 작동불가한 감쇠 유닛은 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제 1 전압 전위 (A) 및 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제로 전압 전위 (NP) 에 접속되고, 상기 2개의 수동 작동불가한 감쇠 유닛들 (4) 중 다른 하나의 수동 작동불가한 감쇠 유닛은 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제 2 전압 전위 (B) 및 상기 용량성 에너지 저장 회로 (2) 의 상기 제로 전압 전위 (NP) 에 접속되는 것을 특징으로 하는 컨버터 회로.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 2개의 수동 작동불가한 감쇠 유닛들 (4) 중 각각의 수동 작동불가한 감쇠 유닛의 감쇠 저항기는 상기 2개의 스너버 네트워크들 (3) 중 각각의 스너버 네트워크의 저항기인 것을 특징으로 하는 컨버터 회로.
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