JP5482211B2 - 電力変換装置のスナバ回路 - Google Patents
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Description
図3に、フルブリッジ構成の共振形インバータの一般的な例を示す。以下、図3のインバータを電磁調理器に応用した場合について説明する。
電磁調理器は一般に、平板上に巻いた加熱コイルの上面に鍋を配置し、誘導加熱の原理で鍋を加熱する調理器である。この調理器の加熱コイルと鍋は、結合係数の悪いトランスと見なせることから、図示のようなLR直列回路の誘導性負荷4となる。
i 0は負荷電流、i10,i20はそれぞれ半導体素子10,20に流れる電流である。共振形インバータを共振周波数近傍で動作させるため、負荷電流i 0は図4(a)のように、おおよそ正弦波波形となる。このとき、共振形インバータのスイッチング周期がLC共振周期より短く、オン直後の半導体素子電流がダイオードに流れるため、ターンオン損失は発生しない(ゼロ電流スイッチング)。また、半導体素子1,2,10,20と並列にスナバコンデンサ31,32, 310,320を接続することで、ターンオフ時の電圧上昇を抑制し、ターンオフ損失を大幅に低減することができる。
負荷として誘導性負荷を用いる共振形インバータ等でスナバ回路を用いる場合の、スイッチングアーム周辺回路を図5に示す。これは、直流の電位差をもつPN間に、スイッチング素子とこれに逆並列に接続したダイオードからなる半導体素子1,2を直列接続し、これらの素子と並列にスナバコンデンサ31,32を接続して構成している。
同図のicは半導体素子1のコレクタ電流、vceは半導体素子1のコレクタ−エミッタ間電圧を示す。スナバコンデンサ31,32がない場合、半導体素子1がターンオフした瞬間のvceは瞬時に上昇するため、電圧,電流波形は図6(a)のようになる。これに対し、スナバコンデンサ31,32を接続すると、半導体素子1がターンオフした瞬間、誘導性負荷4や配線インダクタンスなどに蓄えられていたエネルギーは、スナバコンデンサ31を充電し、スナバコンデンサ32を放電する。その結果、スナバコンデンサ31,32の充放電に伴い、半導体素子1に印加される電圧のdV/dtが図6(b)のように小さくなるため、ターンオフ損失が減少する。
また、特許文献2では、各半導体素子のゲート電極どうしを接続する導体と、ソース電極どうしを接続する導体とを近接配置し、ゲート−ソース間電圧のばらつきを抑制することで、電流が特定の素子に集中することを防ぎ、電流アンバランスを抑制する方法が提案されている。
前記負荷の一端から前記半導体素子を経て、前記直流の電位差を持つ二点のいずれかに至る線路の配線長が長い方の半導体素子と並列に接続されるコンデンサの静電容量よりも、同じく配線長が短い半導体素子と並列に接続されるコンデンサの静電容量の方を大きくする措置を、直流の電位差を持つ二点のうちの高電位側または低電位側につながる少なくとも一方のスイッチングアームにおいて施すことを特徴とする。
この請求項1の発明では、前記各コンデンサの容量比を、並列接続された各半導体素子に流れる電流値の比に応じて定めることができる(請求項2の発明)。
いま、半導体素子11がオンのときに流れる電流をic1、同じく半導体素子12がオンのときに流れる電流をic2とすると、2つの半導体素子の性能がほぼ同じであれば、配線インダクタンス5の影響により、ic1>ic2となる。
この発明を適用した場合の電圧,電流波形を図2に示す。ターンオフの瞬間、半導体素子11,12に流れていた電流(破線参照)は並列に接続されたコンデンサ311,312に流れ、これらを充電する。一方で、半導体素子11,12に流れていた電流は、或るターンオフ時間をかけて急速に0に近づいていく。
v=∫idt/C…(1)
で表わされる。従って、図1のスナバコンデンサ311,312の電圧変化率dv/dtは、1/Cに比例(Cに反比例)する。つまり、コンデンサ容量が大きいほど、dv/dtは小さくなる。
半導体素子11,12に流れていた電流は、ターンオフとともに並列接続されているスナバコンデンサ311,312に転流し、充電が開始される。このときスナバコンデンサ311,312に流れる電流をそれぞれics1,ics2とすると、スナバコンデンサ311,312に印加される電圧、すなわち半導体素子11,12のコレクタ−エミッタ間電圧vce1,vce2は、次の(2)式のように求められる。
vce1=∫ics1dt/Cs1,
vce2=∫ics2dt/Cs2…(2)
Poff1=ic1×∫ics1dt/Cs1,
Poff2=ic2×∫ics2dt/Cs2…(3)
と表わせる。ここで、
ic1=k・(k:実数)ic2…(4)
であるとすると、スナバコンデンサ311,312に流れる電流は、ターンオフ直前に半導体素子11,12に流れていた電流に依存するので、
ics1=k・ics2…(5)
の関係となる。
ic1×∫ics1dt/Cs1=ic2×∫ics2dt/Cs2…(6)
が成立する。この(6)式に上記(4),(5)式の電流の関係を考慮すると、
k・ic2×∫k・ics2dt/Cs1=ic2×∫ics2dt/Cs2…(7)
となる。これより、
Cs1=k2・Cs2…(8)
なる関係が導かれる。
実際には、メーカの提供するコンデンサの容量は予め定まっているため、k2倍となる容量のコンデンサを選ぶことは必ずしも容易ではない。しかし、k2倍に最も近い容量のコンデンサとすることで、ターンオフ損失のアンバランスを最低限に抑えることが可能となる。
Claims (2)
- スイッチング素子とこれに逆並列に接続されたダイオードとからなる半導体素子を複数個並列に接続するとともに、この半導体素子のそれぞれと並列にコンデンサを接続してスイッチングアームを形成し、このスイッチングアームを直列接続した直列回路を直流の電位差を持つ二点間に接続し、その直列回路の中間接続点に負荷の一端を接続して電力を供給する電力変換装置において、
前記負荷の一端から前記半導体素子を経て、前記直流の電位差を持つ二点のいずれかに至る線路の配線長が長い方の半導体素子と並列に接続されるコンデンサの静電容量よりも、同じく配線長が短い半導体素子と並列に接続されるコンデンサの静電容量の方を大きくする措置を、直流の電位差を持つ二点のうちの高電位側または低電位側につながる少なくとも一方のスイッチングアームにおいて施すことを特徴とする電力変換装置のスナバ回路。 - 前記各コンデンサの容量比を、並列接続された各半導体素子に流れる電流値の比に応じて定めることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置のスナバ回路。
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