KR20130108053A - Integrated circuit device - Google Patents

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KR20130108053A
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: An integrated circuit device is provided to reduce the number of test pads and the size of test circuits. CONSTITUTION: An integrated circuit device (100) includes internal circuits (3-5), a test pad for control (11) and a test mode identification circuit (12). The test pad for control inputs a test control signal indicating a test mode which is a test type performed in the internal circuits. The mode identification circuit identifies a test mode based on the test control signal. The test mode identification circuit performs different operations in the internal circuits according to each test mode. While the internal circuits are being tested, a plurality of test signals which are produced in the internal circuits are sequentially outputted to a test pad for monitoring by test signal output selection circuit (13). [Reference numerals] (1) Input pad; (11) Test pad for control; (12) Test mode identification circuit; (13) Test signal output selection circuit; (14) Test pad for monitoring; (2) Input circuit; (3) Signal delivery circuit (internal circuit); (4) Logic circuit (internal circuit); (5) Function circuit (internal circuit); (6) Output circuit; (7) Output pad

Description

집적회로장치{INTEGRATED CIRCUIT DEVICE}[0001] INTEGRATED CIRCUIT DEVICE [0002]

본 발명은, 테스트 회로를 탑재한 집적회로장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an integrated circuit device mounted with a test circuit.

일반적으로, 집적회로장치의 제조과정에서는, 그것의 내부 로직이나 소자 특성의 양부를 판정하기 위한 테스트가 행해진다. 그 때문에, 많은 집적회로장치에는, 내부 로직이나 소자 특성을 측정하기 위한 패드(테스트 패드)와, 그 테스트에 도움이 되는 테스트 회로가 설치된다.Generally, in the manufacturing process of an integrated circuit device, a test is performed to determine its internal logic and its characteristics. Therefore, many integrated circuit devices are provided with a pad (test pad) for measuring internal logic and device characteristics, and a test circuit that is useful for the test.

종래의 집적회로 장치에서는, 테스트 패드 및 테스트 회로가, 집적회로장치 내부의 측정 타겟마다 설치되어 있었다. 그러나, 그 경우에는, 테스트 패드의 수 및 테스트 회로의 규모가, 테스트를 위한 측정 개소의 수에 비례해서 증대한다. 그 때문에, 집적회로장치에 탑재되는 회로 규모가 커져, 소비 전류가 증가하고, 제품의 코스트가 높아진다고 하는 문제가 생긴다.In a conventional integrated circuit device, a test pad and a test circuit are provided for each measurement target in the integrated circuit device. However, in that case, the number of test pads and the scale of the test circuit increase in proportion to the number of measurement points for testing. As a result, the circuit scale mounted on the integrated circuit device becomes large, the consumption current increases, and the cost of the product increases.

예를 들면, 하기의 특허문헌 1에는, 전원 단자와 접지 단자 사이에 흐르는 정지 전류(입력 단자에 신호가 주어지지 않고 있는 상태에서 흐르는 전류)를 2개의 테스트 패드를 거쳐 측정함으로써, 집적회로의 양부를 판정하는 수법이 제안되어 있다. 이 수법에 따르면, 테스트 패드의 수와 테스트 회로의 규모를 작게 하고, 또한, 단시간에 회로의 양부 판정을 행할 수 있다.
For example, the following Patent Document 1 discloses a technique in which a static current flowing between a power supply terminal and a ground terminal (a current flowing in a state in which no signal is applied to an input terminal) is measured via two test pads, A method of judging whether or not there is a problem is proposed. According to this method, the number of test pads and the size of the test circuit can be reduced, and the circuit can be judged in a short time.

일본국 특개소 61-82456호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-82456

특허문헌 1의 수법에서는, 정지 전류의 측정만 행해지고, 집적회로의 내부 로직이나 소자 특성을 확인하는 펑션 테스트는 행해지지 않는다. 그 때문에, 집적회로장치의 구체적인 불량 원인이나 불량 개소를 특정할 수 없다. 또한, 집적회로장치의 결함이 정지 전류에 영향을 미치지 않는 케이스도 생각되어, 양부를 오판단할 가능성도 있다.In the technique of Patent Document 1, only the static current is measured, and a function test for checking the internal logic or device characteristics of the integrated circuit is not performed. Therefore, it is not possible to specify the cause of the specific defect or the defective portion of the integrated circuit device. There is also a case where a defect in the integrated circuit device does not affect the quiescent current, and there is a possibility that the both parts are judged to be erroneous.

본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 집적회로의 내부 로직이나 소자 특성 등의 측정이 가능하고, 필요한 테스트 패드의 수와 테스트 회로의 규모의 증대를 억제할 수 있는 집적회로장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide an integrated circuit device capable of measuring internal logic and device characteristics of an integrated circuit and suppressing an increase in the number of test pads and the scale of a test circuit required The purpose is to provide.

본 발명에 관한 집적회로장치는, 내부회로와, 상기 내부회로에서 행하는 테스트의 종별인 테스트 모드를 표시하는 테스트 제어신호에 근거하여 상기 테스트 모드를 식별하고, 상기 내부회로에 각 테스트 모드에 따른 동작을 행하게 하는 테스트 모드 식별회로를 구비한 것이다.
The integrated circuit device according to the present invention includes an internal circuit and an operation circuit for identifying the test mode based on a test control signal indicating a test mode which is a type of test performed in the internal circuit, And a test mode identification circuit for performing the test mode identification circuit.

본 발명에 따르면, 테스트 모드 식별회로가 테스트 모드를 판별하고, 내부회로가 그 테스트 모드에 따른 동작을 행한다. 테스트 모드마다 테스트 회로를 설치하는 것이 아니고, 테스트 모드에 따라 내부회로의 동작을 변경하게 함으로써, 각종의 테스트를 실행할 수 있기 때문에, 테스트 회로의 규모를 작게 할 수 있다.
According to the present invention, the test mode identification circuit identifies the test mode, and the internal circuit performs the operation in accordance with the test mode. It is possible to reduce the scale of the test circuit because various tests can be performed by changing the operation of the internal circuit according to the test mode instead of installing the test circuit for each test mode.

도 1은 실시형태 1에 관한 집적회로장치의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 2는 실시형태 1에 관한 집적회로장치가 구비하는 테스트 모드 식별회로의 제1 구성예를 도시한 도면이다.
도 3은 실시형태 1에 관한 집적회로장치가 구비하는 테스트 모드 식별회로의 제2 구성예를 도시한 도면이다.
도 4는 실시형태 1에 관한 집적회로장치가 구비하는 테스트 모드 식별회로의 제3 구성예를 도시한 도면이다.
도 5는 T 플립플롭의 회로 구성예를 도시한 도면이다.
도 6은 T 플립플롭의 동작 시퀀스를 도시한 도면이다.
도 7은 실시형태 1에 관한 집적회로장치가 구비하는 테스트 신호 출력 선별회로의 제1 구성예를 도시한 도면이다.
도 8은 실시형태 1에 관한 집적회로장치가 구비하는 테스트 신호 출력 선별회로의 제2 구성예를 도시한 도면이다.
도 9는 테스트 신호 출력 선별회로의 동작 시퀀스를 도시한 도면이다.
도 10은 실시형태 1에 관한 집적회로장치의 제1 변경예를 나타낸 블록도이다.
도 11은 실시형태 1에 관한 집적회로장치의 제2 변경예를 나타낸 블록도이다.
도 12는 실시형태 2에 관한 집적회로장치의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 13은 실시형태 3에 관한 집적회로장치의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 14는 실시형태 3에 관한 집적회로장치가 구비하는 테스트 모드 식별회로의 구성예를 도시한 도면이다.
도 15는 실시형태 3에 관한 테스트 모드 식별회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 테스트 모드 신호의 제어에 의해 정특성 테스트가 실시 가능해지는 레벨 시프트 회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 17은 실시형태 3에 관한 테스트 신호 출력 선별회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 18은 실시형태 3에 있어서의 정특성 테스트의 시퀀스를 나타낸 타이밍도이다.
도 19는 정특성 테스트에 의해 인버터의 입출력 특성을 얻는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 20은 테스트 모드 신호의 제어에 의해 동특성 테스트가 실시 가능해지는 레벨 시프트 회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 21은 실시형태 3에 있어서 동특성 테스트의 시퀀스를 나타낸 타이밍도이다.
도 22는 테스트 모드 신호의 제어에 의해 내부회로의 스트레스 테스트가 실시 가능해지는 내부 전원회로의 일례를 도시한 도면이다.
도 23은 테스트 모드 신호의 제어에 의해 내부회로의 스트레스 테스트가 실시 가능해지는 내부 전원회로(간이 레귤레이터)의 일례를 도시한 도면이다.
도 24는 테스트 모드 신호의 제어에 의해 내부회로의 스트레스 테스트가 실시 가능해지는 내부 전원회로(간이 레귤레이터)의 일례를 도시한 도면이다.
도 25는 저전류회로의 일례를 도시한 도면이다.
도 26은 통상 동작 모드로부터 제3 테스트 모드(스트레스 테스트)로 이행할 때의 내부 전원회로의 동작 시퀀스를 나타낸 타이밍도이다.
도 27은 실시형태 3에 있어서의 통상 동작 모드의 시퀀스를 나타낸 타이밍도이다.
도 28은 실시형태 3에 관한 집적회로장치의 테스트 플로우의 일례를 도시한 도면이다.
1 is a block diagram showing a configuration of an integrated circuit device according to the first embodiment.
2 is a diagram showing a first configuration example of a test mode identification circuit included in the integrated circuit device according to the first embodiment.
3 is a diagram showing a second configuration example of a test mode identification circuit included in the integrated circuit device according to the first embodiment.
4 is a diagram showing a third configuration example of a test mode identification circuit included in the integrated circuit device according to the first embodiment.
5 is a diagram showing an example of the circuit configuration of the T flip-flop.
6 is a diagram showing an operation sequence of a T flip-flop.
7 is a diagram showing a first configuration example of a test signal output selection circuit included in the integrated circuit device according to the first embodiment.
8 is a diagram showing a second configuration example of a test signal output selection circuit included in the integrated circuit device according to the first embodiment.
9 is a diagram showing an operation sequence of the test signal output selection circuit.
10 is a block diagram showing a first modification example of the integrated circuit device according to the first embodiment.
11 is a block diagram showing a second modification example of the integrated circuit device according to the first embodiment.
12 is a block diagram showing a configuration of an integrated circuit device according to the second embodiment.
13 is a block diagram showing the configuration of the integrated circuit device according to the third embodiment.
14 is a diagram showing a configuration example of a test mode identification circuit included in the integrated circuit device according to the third embodiment.
15 is a diagram for explaining the operation of the test mode identification circuit according to the third embodiment.
16 is a diagram showing a configuration of a level shift circuit capable of performing a static characteristic test by controlling a test mode signal.
17 is a diagram showing the configuration of the test signal output selector circuit according to the third embodiment.
18 is a timing chart showing a sequence of a static characteristic test according to the third embodiment.
19 is a diagram for explaining a method of obtaining the input / output characteristics of the inverter by the positive characteristic test.
20 is a diagram showing a configuration of a level shift circuit capable of performing a dynamic characteristic test by control of a test mode signal.
21 is a timing chart showing a sequence of the dynamic characteristic test in the third embodiment.
22 is a diagram showing an example of an internal power supply circuit capable of performing a stress test of an internal circuit by control of a test mode signal.
23 is a diagram showing an example of an internal power supply circuit (simple regulator) in which a stress test of an internal circuit can be performed by controlling a test mode signal.
24 is a diagram showing an example of an internal power supply circuit (simple regulator) in which a stress test of an internal circuit can be performed by controlling a test mode signal.
25 is a diagram showing an example of a low-current circuit.
26 is a timing chart showing an operation sequence of the internal power supply circuit when transitioning from the normal operation mode to the third test mode (stress test).
27 is a timing chart showing a sequence of a normal operation mode in the third embodiment.
28 is a diagram showing an example of a test flow of the integrated circuit device according to the third embodiment.

<실시형태 1>&Lt; Embodiment 1 >

도 1은, 본 발명의 실시형태 1에 관한 집적회로장치(100)의 구성을 나타낸 블록도이다. 집적회로장치(100)는, 입력 신호가 인가되는 입력 패드(1)와, 해당 입력 패드(1)에 인가된 입력 신호를 내부회로에 공급하는 입력회로(2)를 갖고 있다. 도 1에 있어서는, 집적회로장치(100)가 구비하는 내부회로의 예로서, 신호 전달회로(3), 로직회로(4) 및 기능회로(5)(보호회로 등)를 나타내고 있다. 또한 집적회로장치(100)는, 로직회로(4)의 출력 신호가, 출력회로(6)를 통해 출력 패드(7)로부터 출력되는 구성으로 되어 있다. 이하에서는, 신호 전달회로(3), 로직회로(4) 및 기능회로(5)를 「내부회로(3∼5)」로 총칭하는 일도 있다.1 is a block diagram showing the configuration of an integrated circuit device 100 according to Embodiment 1 of the present invention. The integrated circuit device 100 has an input pad 1 to which an input signal is applied and an input circuit 2 for supplying an input signal applied to the input pad 1 to an internal circuit. 1, a signal transfer circuit 3, a logic circuit 4, and a functional circuit 5 (protection circuit, etc.) are shown as an example of an internal circuit included in the integrated circuit device 100. FIG. The integrated circuit device 100 is also configured such that the output signal of the logic circuit 4 is output from the output pad 7 through the output circuit 6. [ Hereinafter, the signal transfer circuit 3, the logic circuit 4, and the functional circuit 5 may be collectively referred to as &quot; internal circuits 3 to 5 &quot;.

본 실시형태에 관한 집적회로장치(100)는, 내부회로(3∼5)의 테스트를 행하기 위한 회로(테스트 회로)로서, 제어용 테스트 패드(11), 테스트 모드 식별회로(12), 테스트 신호 출력 선별회로(13), 모니터용 테스트 패드(14)를 구비하고 있다.The integrated circuit device 100 according to the present embodiment is a circuit (test circuit) for testing the internal circuits 3 to 5 and includes a control test pad 11, a test mode identification circuit 12, An output selection circuit 13, and a test pad 14 for a monitor.

제어용 테스트 패드(11)에는, 내부회로(3∼5)에 대해 행하는 테스트의 종별인 테스트 모드를 표시하는 테스트 제어신호가 입력된다. 테스트 모드 식별회로(12)는, 내부회로(3∼5)와 제어용 테스트 패드(11) 사이에 접속되어 있고, 제어용 테스트 패드(11)에 입력된 테스트 제어신호에 근거하여 테스트 모드를 식별한다. 그리고, 제어용 테스트 패드(11)는, 그 테스트 모드에 따른 동작을 내부회로(3∼5)에 행하게 하는 제어신호를 출력한다.In the control test pad 11, a test control signal indicating a test mode, which is a type of test performed on the internal circuits 3 to 5, is inputted. The test mode identification circuit 12 is connected between the internal circuits 3 to 5 and the control test pad 11 and identifies the test mode based on the test control signal input to the control test pad 11. [ Then, the control test pad 11 outputs a control signal for causing the internal circuits 3 to 5 to perform the operation in accordance with the test mode.

모니터용 테스트 패드(14)는, 테스트시에 내부회로(3∼5)의 소정 개소에 나타나는 신호(테스트 신호)를 관측하기 위한 패드이다. 테스트 신호 출력 선별회로(13)는, 내부회로(3∼5)와 모니터용 테스트 패드(14) 사이에 접속되고, 테스트시에 내부회로(3∼5)에 나타나는 복수의 테스트 신호 중에서, 모니터용 테스트 패드(14)에 출력할 테스트 신호를 선별한다. 더구나, 테스트 신호 출력 선별회로(13)는, 모니터용 테스트 패드(14)에 출력할 테스트 신호를, 시간과 함께 순차 전환하도록 동작한다. 이 테스트 신호 출력 선별회로(13)의 동작에 의해, 1개의 모니터용 테스트 패드(14)에서 복수의 테스트 신호를 포함하는 데이터 스트림을 관측할 수 있기 때문에, 모니터용 테스트 패드(14)의 수는 적어도 된다.
The monitor test pad 14 is a pad for observing signals (test signals) appearing at predetermined positions of the internal circuits 3 to 5 at the time of testing. The test signal output selecting circuit 13 is connected between the internal circuits 3 to 5 and the test test pad 14 for monitoring and selects among a plurality of test signals appearing in the internal circuits 3 to 5 The test signal to be output to the test pad 14 is selected. Moreover, the test signal output selection circuit 13 operates to sequentially switch test signals to be output to the monitor test pads 14 with time. Since the data stream including a plurality of test signals can be observed by one test pad 14 by the operation of the test signal output selection circuit 13, the number of monitor test pads 14 is At least.

[테스트 모드 식별회로의 구성예][Configuration example of test mode identification circuit]

도 2는, 실시형태 1에 관한 집적회로장치(100)가 구비하는 테스트 모드 식별회로(12)의 제1 구성예를 도시한 도면이다. 도 2의 테스트 모드 식별회로(12)는, 제어용 테스트 패드(11)에서 입력되는 테스트 제어신호의 크기(전압값)에 근거하여 테스트 모드를 식별하는 것으로, 콤퍼레이터(121, 122, 123)와 테스트 모드 식별 로직회로(124)로 이루어진 레벨 트리거회로이다.2 is a diagram showing a first configuration example of a test mode identification circuit 12 included in the integrated circuit device 100 according to the first embodiment. The test mode identification circuit 12 of FIG. 2 identifies the test mode based on the magnitude (voltage value) of the test control signal input from the control test pad 11, Is a level trigger circuit consisting of a mode identification logic circuit (124).

콤퍼레이터(121, 122, 123)는, 제어용 테스트 패드(11)에서 입력되는 테스트 제어신호의 크기(전압값)를, 각각 다른 기준전압(임계전압) Vref1, Vref2, Vref3과 비교한다(Vref1<Vref2<Vref3). 테스트 모드 식별 로직회로(124)는, 콤퍼레이터(121, 122, 123)의 각 출력에 근거하여, 테스트 모드를 판별하고, 그 테스트 모드에 따른 동작을 행하게 하는 제어신호를 내부회로(3∼5)에 출력한다. 이와 같이, 테스트 모드마다 테스트 회로를 설치하는 것이 아니고, 테스트 모드에 따라 내부회로(3∼5)의 동작을 변경시킴으로써, 테스트 회로의 규모를 작게 할 수 있다.The comparators 121, 122 and 123 compare the magnitude (voltage value) of the test control signal input from the control test pad 11 with different reference voltages (threshold voltages) V ref1 , V ref2 and V ref3 V ref1 < V ref2 < V ref3 ). The test mode identification logic circuit 124 determines a test mode based on each output of the comparators 121, 122 and 123 and outputs a control signal for causing the internal circuits 3 to 5 to perform operations in accordance with the test mode. . As described above, the scale of the test circuit can be reduced by changing the operation of the internal circuits 3 to 5 in accordance with the test mode, instead of providing a test circuit for each test mode.

또한, 테스트 모드 식별회로(12)가, 제어용 테스트 패드(11)에서 입력되는 테스트 제어신호의 크기에 근거하여 테스트 모드를 식별하므로, 테스트 모드가 2 이상 있는 경우에도 제어용 테스트 패드(11)는 1개로 충분하다. 따라서 제어용 테스트 패드(11)의 수를 적게 할 수 있다. 일반적으로, 프로세스 미세화가 진행하면 패드의 다음 단에 설치되는 보호회로의 규모가 커지기 때문에, 입력 패드의 수를 억제하는 것은, 종합적으로 회로 규모의 축소에 이어진다.Since the test mode identification circuit 12 identifies the test mode based on the size of the test control signal input from the control test pad 11, even if the test mode is 2 or more, Dogs are enough. Therefore, the number of control test pads 11 can be reduced. In general, as the miniaturization of the process progresses, the size of the protection circuit provided at the next stage of the pad increases, so that suppression of the number of input pads generally leads to reduction in circuit scale.

도 3은, 실시형태 1에 관한 집적회로장치(100)가 구비하는 테스트 모드 식별회로(12)의 제2 구성예를 도시한 도면이다. 도 3의 테스트 모드 식별회로(12)도, 도 2의 회로와 마찬가지로, 제어용 테스트 패드(11)에서 입력되는 테스트 제어신호의 크기에 근거하여 테스트 모드를 식별하는 레벨 트리거회로이지만, 인버터(121a, 122a, 123a)와 테스트 모드 식별 로직회로(124)로 구성되어 있다.3 is a diagram showing a second configuration example of the test mode identification circuit 12 included in the integrated circuit device 100 according to the first embodiment. The test mode identification circuit 12 in FIG. 3 is also a level trigger circuit for identifying the test mode based on the magnitude of the test control signal input from the control test pad 11, like the circuit in FIG. 2, 122a and 123a and a test mode identification logic circuit 124. [

인버터(121a, 122a, 123a)의 임계전압을, 각각 다른 값 Vref1, Vref2, Vref3로 설정함으로써, 도 2의 구성과 동일한 동작이 가능해서, 동일한 효과를 얻을 수 있다. 더구나, 인버터는 콤퍼레이터보다도 구성이 심플해서, 기준전압(Vref1∼Vref3)을 공급할 필요도 없기 때문에, 도 2의 구성보다도, 테스트 모드 식별회로(12)의 회로 규모를 축소할 수 있다.By setting the threshold voltages of the inverters 121a, 122a, and 123a to different values V ref1 , V ref2 , and V ref3 , the same operation as in the configuration of FIG. 2 is possible, and the same effect can be obtained. Moreover, since the inverter has a simpler structure than the comparator and does not need to supply the reference voltages V ref1 to V ref3, the circuit scale of the test mode identification circuit 12 can be reduced as compared with the configuration of Fig.

도 4는, 실시형태 1에 관한 집적회로장치(100)가 구비하는 테스트 모드 식별회로(12)의 제3 구성예를 도시한 도면이다. 도 4의 테스트 모드 식별회로(12)는, 제어용 테스트 패드(11)에서 입력되는 테스트 제어신호의 엣지(상승 또는 하강)를 카운트하는 카운터회로와, 이 카운터회로의 출력 신호에 근거하여 테스트 모드를 식별하는 디코더회로(127)로 구성되는 엣지 트리거회로이다. 이와 같이 테스트 모드 식별회로(12)를 엣지 트리거회로로 하는 경우, 제어용 테스트 패드(11)에서 공급하는 테스트 제어신호는 펄스 신호가 된다.4 is a diagram showing a third configuration example of the test mode identification circuit 12 included in the integrated circuit device 100 according to the first embodiment. The test mode identification circuit 12 of FIG. 4 includes a counter circuit for counting the edges (rising or falling) of a test control signal input from the control test pad 11, and a test mode And an decoder circuit 127 for identifying the edge trigger circuit. When the test mode identification circuit 12 is used as an edge trigger circuit, the test control signal supplied from the control test pad 11 becomes a pulse signal.

도 4의 테스트 모드 식별회로(12)가 구비하는 카운터회로는, 2단의 T 플립플롭(125, 126)(리셋 우선형)에 의해 구성되어 있다. 디코더회로(127)는, T 플립플롭(125, 126)의 출력 신호에 근거하여 테스트 모드를 판별하고, 그 테스트 모드에 따른 동작을 행하게 하는 제어신호를 내부회로(3∼5)에 출력한다. 디코더회로(127)는, 그것과 동일하게 동작하는 로직회로(테스트 모드 식별 로직회로)이어도 된다.The counter circuit included in the test mode identification circuit 12 of FIG. 4 is composed of two stages of T flip-flops 125 and 126 (reset priority type). The decoder circuit 127 determines the test mode based on the output signals of the T flip-flops 125 and 126 and outputs to the internal circuits 3 to 5 a control signal for performing the operation in accordance with the test mode. The decoder circuit 127 may be a logic circuit (test mode identification logic circuit) that operates in the same way.

도 5는, T 플립플롭(TFF)의 회로 구성예를 도시한 도면이다. 이 예에서는, T 플립플롭을, 4개의 AND 게이트(201∼204)와, 1개의 인버터(205)와, 2개의 RS 플립플롭(206, 207)을 사용해서 구성하고 있다. 또한, 도 6은, 도 5의 T 플립플롭의 동작 시퀀스를 나타낸 타이밍도이다. 도 6에 나타낸 것과 같이, 도 5의 T 플립플롭의 출력 단자(Q 단자)의 신호 레벨은, 이 T 플립플롭의 입력 단자(T 단자)에 입력되는 트리거 신호의 하강(L(Low) 레벨로부터 H(High) 레벨로의 변화)에 따라 반전한다. 또한, Q 단자의 신호 레벨은, 리셋 단자(Rst 단자)에 입력되는 리셋 신호의 상승(H 레벨로부터 L 레벨로의 변화)에 따라 L 레벨로 리셋된다.5 is a diagram showing an example of the circuit configuration of the T flip-flop (TFF). In this example, the T flip-flop is configured by using four AND gates 201 to 204, one inverter 205, and two RS flip-flops 206 and 207. 6 is a timing chart showing the operation sequence of the T flip-flop in Fig. As shown in Fig. 6, the signal level of the output terminal (Q terminal) of the T flip-flop of Fig. 5 changes from the falling (L (Low) level of the trigger signal input to the T terminal of the T flip- H (High) level). The signal level of the Q terminal is reset to the L level in accordance with the rise (change from H level to L level) of the reset signal input to the reset terminal (Rst terminal).

여기에서, 도 4의 테스트 모드 식별회로(12)의 T 플립플롭(125, 126)이, T 단자의 레벨의 하강에 따라, Q 단자의 레벨을 반전시키도록 동작하는 것으로 가정한다. 이 경우, 처음 단의 T 플립플롭(125)의 Q 단자의 신호 레벨은, 테스트 제어신호의 하강마다 반전하고, 2단째의 T 플립플롭(126)의 Q 단자의 신호 레벨은, 처음 단의 T 플립플롭(125)의 Q 단자의 신호 레벨의 하강마다 반전한다. 따라서, T 플립플롭(125,126)으로 이루어진 카운터회로의 출력 신호는, 2비트 2진수의 카운트 값을 표시하는 신호가 된다. 디코더회로(127)는, T 플립플롭(125, 126)이 출력한 2진수의 카운트 값으로부터 테스트 모드를 판별하고, 그 테스트 모드에 따른 동작을 행하게 하는 제어신호를 내부회로(3∼5)에 출력한다.Here, it is assumed that the T flip-flops 125 and 126 of the test mode identification circuit 12 of FIG. 4 operate to invert the level of the Q terminal in accordance with the falling of the level of the T terminal. In this case, the signal level of the Q terminal of the first-stage T flip-flop 125 is inverted every time the test control signal falls, and the signal level of the Q terminal of the second-stage T flip- Flop 125 is inverted every time the signal level of the Q terminal of the flip-flop 125 falls. Therefore, the output signal of the counter circuit formed by the T flip-flops 125 and 126 becomes a signal indicating the count value of 2-bit binary numbers. The decoder circuit 127 determines a test mode from the binary count values output from the T flip-flops 125 and 126 and outputs a control signal to the internal circuits 3 to 5 to perform the operation in accordance with the test mode Output.

이와 같이 테스트 모드 식별회로(12)가, 제어용 테스트 패드(11)에서 입력되는 테스트 제어신호의 펄스수(카운트 값)에 근거하여 테스트 모드를 식별함으로써, 테스트 모드가 2 이상 있는 경우에도 제어용 테스트 패드(11)는 1개로 충분하다. 따라서, 레벨 트리거 방식의 테스트 모드 식별회로(12)(도 2 및 도 3)와 마찬가지로, 제어용 테스트 패드(11)의 수를 적게 할 수 있다.As described above, the test mode identification circuit 12 identifies the test mode based on the number of pulses (count value) of the test control signal input from the control test pad 11, so that even when the test mode is two or more, (11) is sufficient. Therefore, the number of the control test pads 11 can be reduced like the level-triggered test mode identification circuit 12 (Figs. 2 and 3).

또한, 엣지 트리거 방식의 테스트 모드 식별회로(12)에서는, 신호 전압의 격차의 영향을 받기 어렵다고 하는 이점도 있다. 더구나, 카운터회로의 비트수를 증가시킴으로써, 식별할 테스트 모드의 수를 간단하게 증가시키는 것도 가능하다.
In addition, the test mode identification circuit 12 of the edge trigger system has an advantage that it is hardly influenced by the difference of signal voltages. Moreover, by increasing the number of bits of the counter circuit, it is also possible to simply increase the number of test modes to be discriminated.

[테스트 신호 출력 선별회로의 구성예][Configuration example of test signal output selection circuit]

도 7은, 실시형태 1에 관한 집적회로장치(100)가 구비하는 테스트 신호 출력 선별회로(13)의 제1 구성예를 도시한 도면이다. 앞서 설명한 것과 같이, 테스트 신호 출력 선별회로(13)는, 테스트시에 내부회로(3∼5)에 나타나는 복수의 테스트 신호 중에서, 모니터용 테스트 패드(14)에 출력할 테스트 신호를 선별하는 것으로, 모니터용 테스트 패드(14)에 출력할 테스트 신호를 시간과 함께 순차 전환하도록 동작한다.7 is a diagram showing a first configuration example of a test signal output selection circuit 13 provided in the integrated circuit device 100 according to the first embodiment. As described above, the test signal output selection circuit 13 selects test signals to be output to the monitor test pads 14 among a plurality of test signals appearing in the internal circuits 3 to 5 at the time of testing, And sequentially switches test signals to be output to the monitor test pads 14 with time.

도 7의 테스트 신호 출력 선별회로(13)는, 2단의 T 플립플롭(131, 132)(리셋 우선형)으로 구성된 카운터회로와, 이 카운터회로의 출력 신호에 따라, 복수의 테스트 신호를 순차 선택해서 모니터용 테스트 패드(14)에 출력하는 멀티플렉서(133)로 구성되는 엣지 트리거회로이다.7 includes a counter circuit composed of two stages of T flip-flops 131 and 132 (reset priority type), and a plurality of test signals in accordance with an output signal of the counter circuit. And a multiplexer 133 for selectively outputting the selected test signal to the monitor test pad 14.

테스트 신호 출력 선별회로(13)의 카운터회로는, 그것의 입력 단자(처음 단의 T 플립플롭(131)의 T 단자)에 입력되는 트리거 신호(T_IN)의 엣지(상승 또는 하강)를 카운트한다. 이 트리거 신호는, 소정 주기의 펄스 신호로서, 패드로부터 직접 입력되는 신호이어도 되고, 내부회로(3∼5)를 사용해서 생성한 신호이어도 된다.The counter circuit of the test signal output selection circuit 13 counts the edge (rising or falling) of the trigger signal T_IN input to its input terminal (T terminal of the T flip flop 131 at the initial stage). The trigger signal may be a pulse signal of a predetermined period, a signal directly input from the pad, or a signal generated by using the internal circuits 3 to 5.

멀티플렉서(133)에는, 내부회로(3∼5)로부터 출력되는 4개의 테스트 신호 IN0∼IN4가 입력되고 있고, 카운터회로의 출력 신호(2비트 2진수의 카운트 값)에 따라, 테스트 신호 IN0∼IN4 중 한 개를 순차 선택하여, 모니터용 테스트 패드(14)에 출력한다. 이에 따라, 테스트 신호 IN0∼IN4의 스트림을 한 개로 모은 높은 전송 레이트의 스트림이 모니터용 테스트 패드(14)에 출력된다.Four test signals IN0 to IN4 output from the internal circuits 3 to 5 are input to the multiplexer 133. The test signals IN0 to IN4 are input to the multiplexer 133 in accordance with the output signal (count value of 2-bit binary number) And outputs them to the test pad 14 for monitoring. As a result, a stream of the test signals IN0 to IN4 collected at one time and having a high transfer rate is output to the test pad 14 for monitoring.

이와 같이, 복수의 테스트 신호 IN0∼IN4의 데이터를 포함하는 스트림을, 1개의 모니터용 테스트 패드(14)로 관측할 수 있기 때문에, 모니터용 테스트 패드(14)의 수를 적게 할 수 있다. 일반적으로, 프로세스 미세화가 진행하면 출력 패드의 전단에 설치되는 보호회로의 규모도 커지기 때문에, 패드의 수를 억제하는 것은, 종합적으로 회로 규모의 축소에 이어진다.As described above, since the stream including the data of the plurality of test signals IN0 to IN4 can be observed with one test test pad 14, the number of test test pads 14 can be reduced. In general, when the process is miniaturized, the size of the protection circuit provided at the front end of the output pad is also increased. Therefore, suppression of the number of pads generally leads to reduction in circuit scale.

도 8은, 실시형태 1에 관한 집적회로장치(100)가 구비하는 테스트 신호 출력 선별회로(13)의 제2 구성예를 도시한 도면이다. 도 7에 나타낸 예에서는, 카운터회로의 출력 신호에 따라 테스트 신호 IN0∼IN4 중 한 개를 선택해서 모니터용 테스트 패드(14)에 출력하는 수단을, 디지털 소자인 멀티플렉서(133)로 했지만, 도 8과 같이, 그 수단을 4개의 아날로그 스위치(135∼138)를 사용해서 구성해도 된다. 이 경우, 아날로그 스위치(135∼138)는, 카운터회로의 출력 신호가 입력되는 디코더회로(134)에 의해 제어된다.8 is a diagram showing a second configuration example of the test signal output selection circuit 13 provided in the integrated circuit device 100 according to the first embodiment. In the example shown in Fig. 7, the means for selecting one of the test signals IN0 to IN4 according to the output signal of the counter circuit and outputting it to the test pad 14 for monitoring is the multiplexer 133 which is a digital element, The means may be constituted by using four analog switches 135 to 138 as shown in Fig. In this case, the analog switches 135 to 138 are controlled by the decoder circuit 134 to which the output signal of the counter circuit is inputted.

도 9는, 도 8의 테스트 신호 출력 선별회로(13)의 동작 시퀀스를 나타낸 타이밍도이다. 카운터회로의 처음 단의 T 플립플롭(131)의 출력 신호 Q1은, 트리거 신호 T_IN의 하강마다 반전하고, 2단째의 T 플립플롭(132)의 출력 신호 Q2는, T 플립플롭 131의 출력 신호 Q1의 하강마다 반전하므로, 카운터회로의 출력 신호 Q1, Q2는 2비트 2진수의 카운트 값이 된다. 디코더회로(134)의 출력 신호 Z0∼Z4는, 그 카운트 값에 따라 순서대로 H 레벨이 된다. 이 디코더회로(134)의 출력 신호 Z0∼Z4는, 모니터용 테스트 패드(14)에 출력할 신호를 선택하는 동작을 하므로, 이하에서는 이들 신호를 「선택신호」로 부른다.9 is a timing chart showing the operation sequence of the test signal output selector circuit 13 of Fig. The output signal Q1 of the T flip flop 131 at the first stage of the counter circuit is inverted every falling of the trigger signal T_IN and the output signal Q2 of the T flip flop 132 at the second stage is inverted at the falling edge of the output signal Q1 The output signals Q1 and Q2 of the counter circuit become count values of 2-bit binary numbers. The output signals Z0 to Z4 of the decoder circuit 134 become H levels in order in accordance with the count value. The output signals Z0 to Z4 of the decoder circuit 134 operate to select signals to be output to the monitor test pad 14, and these signals are hereinafter referred to as &quot; selection signals &quot;.

아날로그 스위치(135∼138)는, 각각 디코더회로(134)가 출력하는 선택신호 Z0∼Z4가 H 레벨일 때 온한다. 따라서, 모니터용 테스트 패드(14)에는, Z0=H인 기간은 테스트 신호 IN0이 출력되고, Z1=H인 기간은 테스트 신호 IN1이 출력되고, Z2=H인 기간은 테스트 신호 IN2가 출력되고, Z3=H인 기간은 테스트 신호 IN3이 출력되게 된다. 즉, 트리거 신호 T_IN의 하강마다, 테스트 신호 IN0의 모니터 기간, 테스트 신호 IN1의 모니터 기간, 테스트 신호 IN2의 모니터 기간, 테스트 신호 IN2의 모니터 기간, 테스트 신호 IN0의 모니터 기간…의 순서로 전환된다.The analog switches 135 to 138 are turned on when the selection signals Z0 to Z4 output from the decoder circuit 134 are at the H level. Therefore, the test signal IN1 is outputted in the period for which Z0 = H in the monitor test pad 14, the test signal IN1 is outputted in the period of Z1 = H, the test signal IN2 is outputted in the period of Z2 = H, The test signal IN3 is outputted in the period where Z3 = H. That is, every time the trigger signal T_IN falls, the monitor period of the test signal IN0, the monitor period of the test signal IN1, the monitor period of the test signal IN2, the monitor period of the test signal IN2, .

테스트 신호 출력 선별회로(13)를 도 8의 구성으로 한 경우에도, 도 7의 경우와 동일한 효과가 얻어진다. 또한 도 8의 구성에서는, 테스트 신호 IN0∼IN4가 그대로(아날로그 신호로서) 모니터용 테스트 패드(14)에 출력되므로, 테스트 신호 IN0∼IN4의 전압값이나 전류값을, 모니터용 테스트 패드(14)를 거쳐 측정할 수 있다고 하는 이점도 있다.
Even when the test signal output selection circuit 13 is configured as shown in Fig. 8, the same effect as that of Fig. 7 can be obtained. 8, since the test signals IN0 to IN4 are directly outputted (as an analog signal) to the test test pad 14 for monitoring, the voltage values and the current values of the test signals IN0 to IN4 are supplied to the monitor test pad 14, There is an advantage that it is possible to measure it by way of.

[집적회로장치의 변경예][Modification example of integrated circuit device]

도 1의 집적회로장치(100)에서는, 테스트 제어신호가 입력되는 제어용 테스트 패드(11)가, 테스트 용도 이외의 다른 패드와는 독립하여 설치되어 있었지만, 다른 패드와 겸용하게 하여도 된다. 제어용 테스트 패드(11)를 다른 패드와 겸용하게 하면, 집적회로장치(100)의 회로 규모 및 회로 면적을 더욱 축소 할 수 있다.In the integrated circuit device 100 of Fig. 1, the control test pad 11 to which the test control signal is input is provided independently of the pad other than the test application, but may be used as another pad. If the control test pad 11 is also used as another pad, the circuit scale and circuit area of the integrated circuit device 100 can be further reduced.

예를 들면, 도 10은, 제어용 테스트 패드(11)를 입력 패드(1)와 겸용하게 한 예이다. 도 10에 있어서, 입력 패드(1)는, 테스트 모드 식별회로(12)에도 접속되어 있어, 테스트시에는 그것을 제어용 테스트 패드(11)로서 사용할 수 있다.For example, Fig. 10 shows an example in which the control test pad 11 is also used as the input pad 1. Fig. In Fig. 10, the input pad 1 is also connected to the test mode identification circuit 12, and it can be used as a control test pad 11 at the time of testing.

또한, 예를 들면, 도 11은, 제어용 테스트 패드(11)를 테스트 용도 이외의 신호 모니터용 패드와 겸용하게 한 예이다. 도 11에 있어서, 제어용 테스트 패드(11)는 내부 전원회로(8)에도 접속되어 있어, 테스트시 이외에는, 그것을 내부 전원회로(8)의 출력을 모니터하기 위한 패드로서 사용할 수 있다.
11 shows an example in which the control test pad 11 is also used as a signal monitor pad other than the test application. 11, the control test pad 11 is also connected to the internal power supply circuit 8 so that it can be used as a pad for monitoring the output of the internal power supply circuit 8 except at the time of testing.

<실시형태 2>&Lt; Embodiment 2 >

도 12는, 실시형태 2에 관한 집적회로장치(100)의 구성을 나타낸 블록도이다. 이 집적회로장치(100)에서는, 제어용 테스트 패드(11)가 생략되어 있고, 테스트 모드 식별회로(12)에는 기능회로(5)의 출력 신호가 입력되는 구성으로 되어 있다.12 is a block diagram showing the configuration of the integrated circuit device 100 according to the second embodiment. In this integrated circuit device 100, the control test pad 11 is omitted, and the output signal of the functional circuit 5 is inputted to the test mode identification circuit 12. [

실시형태 1의 집적회로장치(100)(도 1)에서는, 테스트 제어신호가 제어용 테스트 패드(11)를 통해 외부에서 입력되는 구성으로 했지만, 테스트 제어신호는 반드시 외부에서 입력되는 것이 아니어도 되고, 테스트시에 내부회로에 부수하는 기능회로(5)를 사용해서 생성시켜도 된다.In the integrated circuit device 100 (Fig. 1) of the first embodiment, the test control signal is externally input via the control test pad 11. However, the test control signal may not necessarily be externally input, It may be generated by using the functional circuit 5 attached to the internal circuit at the time of testing.

기능회로(5)로서는, 예를 들면 전원 전압 저하 보호회로(UV 보호회로), 전원 기동·차단회로, 단락 보호회로, 과열 보호회로 등등이 있다. 예를 들면, 전원 레벨을 의도적으로 변화시키는 것으로 하여 기능회로(5)의 보호 기능을 동작시켜, 각종의 보호 신호를 테스트 제어신호로서 테스트 모드 식별회로(12)에 입력한다. 이 경우, 테스트 모드 식별회로(12)는, 테스트 제어신호로서의 보호 신호의 조합에 근거하여 테스트 모드를 판별하고, 그 테스트 모드에 따른 동작을 내부회로(3∼5)에 행하게 한다. 또한, 테스트 신호 출력 선별회로(13)는, 그 테스트 모드에 따라, 측정 타겟이 되는 테스트 신호를 선별해서 모니터용 테스트 패드(14)에 송출한다.Examples of the function circuit 5 include a power supply voltage drop prevention circuit (UV protection circuit), a power supply start / stop circuit, a short circuit protection circuit, an overheat protection circuit, and the like. For example, the power supply level is intentionally changed to operate the protection function of the functional circuit 5, and various protection signals are input to the test mode identification circuit 12 as a test control signal. In this case, the test mode identification circuit 12 discriminates the test mode based on the combination of the protection signal as the test control signal, and causes the internal circuits 3 to 5 to perform the operation in accordance with the test mode. Further, the test signal output selection circuit 13 selects the test signal to be the measurement target according to the test mode, and sends it to the test pad 14 for monitoring.

본 실시형태에 따르면, 제어용 테스트 패드(11)를 생략할 수 있기 때문에, 회로 규모 및 집적회로장치(100)의 면적을 더욱 축소할 수 있다.
According to the present embodiment, since the control test pad 11 can be omitted, the circuit scale and the area of the integrated circuit device 100 can be further reduced.

<실시형태 3>&Lt; Embodiment 3 >

실시형태 3에서는, 내부회로로서 레벨 시프트 회로를 구비한 집적회로장치에, 본 발명을 적용한 구체예를 나타낸다. 도 13은, 실시형태 3에 관한 집적회로장치(100)의 구성을 나타낸 블록도이다.Embodiment 3 shows a specific example in which the present invention is applied to an integrated circuit device having a level shift circuit as an internal circuit. 13 is a block diagram showing the configuration of the integrated circuit device 100 according to the third embodiment.

이 집적회로장치(100)는, 입력 패드(1)에 입력된 신호를 받는 입력회로로서의 슈미트(Schmitt)회로(22)와, 신호 전달회로로서의 펄스 발생회로(23)와, 펄스 발생회로(23)의 출력 신호의 레벨 변환을 행하는 레벨 시프트회로(24)와, 기능회로로서의 전원 전압 저하 보호 및 파워 온 리셋(power-on reset)회로(이하 「UV·POR 보호회로」)(25)를 구비하고 있다.The integrated circuit device 100 includes a Schmitt circuit 22 as an input circuit for receiving a signal input to the input pad 1, a pulse generating circuit 23 as a signal transmitting circuit, a pulse generating circuit 23 And a power-on reset circuit (hereinafter referred to as &quot; UV &amp; POR protection circuit &quot;) 25 as a functional circuit .

테스트 모드 식별회로(12)의 출력 신호는, 펄스 발생회로(23) 및 내부 전원회로(8)에 공급되고 있다. 테스트시에는, 테스트 모드 식별회로(12)가, 펄스 발생회로(23) 및 내부 전원회로(8)를 제어하여, 각 테스트 모드에 따른 동작을 행하게 한다.The output signal of the test mode identification circuit 12 is supplied to the pulse generation circuit 23 and the internal power supply circuit 8. At the time of the test, the test mode identification circuit 12 controls the pulse generation circuit 23 and the internal power supply circuit 8 to perform the operation in accordance with each test mode.

테스트 신호 출력 선별회로(13)에는, 테스트시에 레벨 시프트회로(24)에 나타나는 테스트 신호가 입력된다. 또한, 테스트 신호 출력 선별회로(13)는, UV·POR 보호회로(25)에서 생성되는 신호에 의해 제어된다(상세한 것은 후술한다).A test signal appearing in the level shift circuit 24 is input to the test signal output selection circuit 13 during the test. The test signal output selection circuit 13 is controlled by a signal generated by the UV / POR protection circuit 25 (details will be described later).

도 14는, 본 실시형태에 관한 테스트 모드 식별회로(12)의 구성예를 도시한 도면이다. 이 테스트 모드 식별회로(12)는, 도 3과 마찬가지로 콤퍼레이터(121∼123)를 사용해서 구성한 레벨 트리거회로이다. 테스트 모드 식별 로직회로(124)는, AND 게이트(1241, 1242)와, 인버터(1243∼1246)로 구성되어 있고, 테스트 모드를 표시하는 테스트 모드 신호 TM1∼TM3을 출력한다. 여기에서도 기준전압 Vref1∼Vref3은, Vref1<Vref2<Vref3의 관계에 있는 것이라고 한다. 또한 제어용 테스트 패드(11)에서 입력되는 테스트 제어신호의 전압 레벨을 VTP로 한다.14 is a diagram showing a configuration example of the test mode identification circuit 12 according to the present embodiment. This test mode identification circuit 12 is a level trigger circuit configured by using comparators 121 to 123 as in FIG. The test mode identification logic circuit 124 is composed of AND gates 1241 and 1242 and inverters 1243 to 1246 and outputs test mode signals TM1 to TM3 for indicating test modes. Here, the reference voltages V ref1 to V ref3 are also referred to as V ref1 < V ref2 < V ref3 . And the voltage level of the test control signal input from the control test pad 11 is VTP.

도 15는, 테스트 제어신호의 전압 레벨 VTP과, 테스트 모드 식별회로(12)가 출력하는 테스트 모드 신호 TM1∼TM3의 레벨의 관계를 도시한 도면이다. VTP<Vref1이고, 콤퍼레이터(121, 122, 123)의 모든 출력이 L 레벨일 때는, TM1=L, TM2=L, TM=L이다. 또한, Vref1<VTP<Vref2이고, 콤퍼레이터 121의 출력만 H 레벨일 때에는, TM1=H, TM2=L, TM=L이 된다. Vref2<VTP<Vref3이고, 콤퍼레이터 121, 122의 출력이 H 레벨일 때에는, TM1=L, TM2=H, TM=L이 된다. Vref3<VTP이고, 콤퍼레이터(121, 122, 123)의 모든 출력이 H 레벨일 때에는, TM1=L, TM2=L, TM=H가 된다.15 is a diagram showing the relationship between the voltage level VTP of the test control signal and the levels of the test mode signals TM1 to TM3 output from the test mode identification circuit 12. In Fig. And VTP <V ref1, when the all of the output is at the L level of the comparator (121, 122, 123), and L = TM1, TM2 = L, TM = L. When V ref1 <V TP <V ref2 and only the output of the comparator 121 is at the H level, TM1 = H, TM2 = L, and TM = L. When Vref2 <VTP < Vref3 and the outputs of the comparators 121 and 122 are at H level, TM1 = L, TM2 = H, TM = L. When V ref3 <VTP and all outputs of the comparators 121, 122, and 123 are at H level, TM1 = L, TM2 = L, and TM = H.

집적회로장치(100)의 내부회로의 동작 모드는, 테스트 모드 신호 TM1∼TM3에 따라 전환한다. 구체적으로는, 테스트 모드 신호 TM1∼TM3의 모두가 L 레벨일 때에는, 내부회로가 통상 동작을 행하는 통상 동작 모드가 된다. 테스트 모드 신호 TM1이 H 레벨일 때에는, 정특성 테스트용의 동작을 행하는 제1 테스트 모드가 된다. 테스트 모드 신호 TM2이 H 레벨일 때에는, 동특성 테스트용의 동작을 행하는 제2 테스트 모드가 된다. 테스트 모드 신호 TM3이 H 레벨일 때에는, 스트레스 테스트용의 동작을 행하는 제3 테스트 모드가 된다. 이때, 집적회로장치(100)의 테스트에는, 통상 동작이 정상으로 행해지는지 아닌지를 테스트하는 정상 동작 테스트도 포함되지만, 정상 동작 테스트는 통상 동작 모드에서 행하면 된다.The operation mode of the internal circuit of the integrated circuit device 100 switches according to the test mode signals TM1 to TM3. Specifically, when all of the test mode signals TM1 to TM3 are at the L level, the normal operation mode in which the internal circuit performs normal operation is obtained. When the test mode signal TM1 is at the H level, the first test mode for performing the operation for the positive characteristic test is obtained. When the test mode signal TM2 is at the H level, the second test mode for performing the operation for the dynamic characteristic test is obtained. When the test mode signal TM3 is at the H level, the third test mode for performing the stress test operation is obtained. At this time, the test of the integrated circuit device 100 includes a normal operation test for testing whether or not the normal operation is normally performed, but the normal operation test may be performed in the normal operation mode.

도 16은, 실시형태 3에 관한 집적회로장치(100)가 구비하는 레벨 시프트회로의 구성을 도시한 도면이다. 도 16에는, 펄스 발생회로(23)에 해당하는 부분과 레벨 시프트회로(24)에 해당하는 부분이 포함되어 있지만, 양자를 포함시킨 전체를 「레벨 시프트회로 LS」로 부르는 것으로 한다.16 is a diagram showing a configuration of a level shift circuit included in the integrated circuit device 100 according to the third embodiment. 16 includes a portion corresponding to the pulse generating circuit 23 and a portion corresponding to the level shift circuit 24, and the entirety including both of them is referred to as a &quot; level shift circuit LS &quot;.

도 16의 레벨 시프트회로 LS는, 테스트 모드 신호 TM1이 H 레벨이 되면 정특성 테스트를 실시 가능하도록 구성되어 있다. 통상 동작 모드(TM1=L)에 있어서는, 레벨 시프트회로 LS의 입력 단(펄스 발생회로(23)의 부분)에서, 입력 신호 IN_A의 상승시에 펄스 신호가 생성된다. 그러나, 제1 테스트 모드(TM1=H)에 있어서는, 레벨 시프트회로 LS의 입력 단에서, 입력 신호 IN_A와 동일한 파형의 신호가 생성된다. 즉 제1 테스트 모드에서는, 레벨 시프트회로(24)의 각 노드의 신호 레벨을, 입력 신호 IN_A의 레벨에 따른 값으로 고정할 수 있어, 레벨 시프트회로 LS의 정특성 테스트를 실시할 수 있다.The level shift circuit LS in FIG. 16 is configured to be able to perform the positive characteristic test when the test mode signal TM1 becomes the H level. In the normal operation mode (TM1 = L), the pulse signal is generated at the input terminal IN_A of the input terminal IN of the level shift circuit LS (part of the pulse generator circuit 23). However, in the first test mode (TM1 = H), a signal having the same waveform as the input signal IN_A is generated at the input terminal of the level shift circuit LS. That is, in the first test mode, the signal level of each node of the level shift circuit 24 can be fixed to a value corresponding to the level of the input signal IN_A, and the positive characteristic test of the level shift circuit LS can be performed.

도 17은, 실시형태 3에 관한 테스트 신호 출력 선별회로(13)의 구성예를 도시한 도면이다. 도 17에 나타낸 테스트 신호 출력 선별회로(13)는 도 8과 동일하다. 본 실시형태에서는, 테스트 신호 출력 선별회로(13)의 카운터회로(T 플립플롭(131,132))의 동작을 규정하는 트리거 신호 T_IN 및 리셋 신호 Rst_IN으로서, UV·POR 보호회로(25)가 구비하는 UV(전원 저하) 검출회로(251) 및 POR(파워 온 리셋) 검출회로(252)의 각 출력 신호를 사용하고 있다. 또한, 아날로그 스위치(135∼138)에는, 레벨 시프트회로 LS 내부의 내부소자(측정 대상소자)의 입력 신호와 출력 신호가 입력된다.17 is a diagram showing a configuration example of the test signal output selector circuit 13 according to the third embodiment. The test signal output selection circuit 13 shown in Fig. 17 is the same as that of Fig. In this embodiment, as the trigger signal T_IN and the reset signal Rst_IN for specifying the operation of the counter circuit (T flip-flop 131, 132) of the test signal output selection circuit 13, the UV (Power-down) detection circuit 251 and a POR (power-on reset) detection circuit 252 are used. An input signal and an output signal of an internal element (element to be measured) in the level shift circuit LS are input to the analog switches 135 to 138.

이때, UV 검출회로(251)는, 레벨 시프트회로 LS의 VB 단자와 VS 단자 사이의 전압(VBS=VB-VS)을 감시하고 있고, 전압 VBS가 소정값(UV 트립 전압)보다도 내려간 경우에 UV 검출회로(251)의 출력 신호(UV 검출 신호)가 H 레벨이 된다. 또한, POR 검출회로(252)의 출력 신호(파워 온 리셋 신호)는, 전원 시동시에 H 레벨이 되고, 그후, 전원전압이 소정값 이상에 이르면 L 레벨이 된다.At this time, the UV detection circuit 251 monitors the voltage (VBS = VB-VS) between the VB terminal and the VS terminal of the level shift circuit LS. When the voltage VBS is lower than a predetermined value (UV trip voltage) The output signal (UV detection signal) of the detection circuit 251 becomes H level. Further, the output signal (power-on reset signal) of the POR detection circuit 252 is at the H level at the start of the power supply, and then becomes the L level when the power supply voltage reaches the predetermined value or more.

여기에서는, 측정 대상소자를, 도 16의 레벨 시프트회로 LS의 출력 단의 인버터 INV1, INV2로 한 예를 나타낸다. 이 경우, 아날로그 스위치 135에는 인버터 INV1의 출력 신호 VMIN0이 입력되고, 아날로그 스위치 136에는 인버터 INV2의 출력 신호 VMIN1이 입력되고, 아날로그 스위치 137에는 인버터 INV1의 입력 신호 VMIN2이 입력되고, 아날로그 스위치 138에는 인버터 INV2의 입력 신호 VMIN3이 입력된다. 테스트 신호 출력 선별회로(13)는, 트리거 신호 T_IN에 동기하여, 이들 합계 4개의 측정 대상신호 VMIN0∼VMIN4를 순서대로 모니터용 테스트 패드(14)에 출력한다.Here, an example in which the elements to be measured are inverters INV1 and INV2 at the output stage of the level shift circuit LS in Fig. 16 is shown. In this case, the output signal VMIN0 of the inverter INV1 is input to the analog switch 135, the output signal VMIN1 of the inverter INV2 is input to the analog switch 136, the input signal VMIN2 of the inverter INV1 is input to the analog switch 137, The input signal VMIN3 of INV2 is input. The test signal output selection circuit 13 sequentially outputs the four measurement target signals VMIN0 to VMIN4 in total to the test pad 14 for monitoring in synchronization with the trigger signal T_IN.

도 18은, 본 실시형태에 있어서의 정특성 테스트의 시퀀스를 나타낸 타이밍도이다. 정특성 테스트를 행하는 경우, 테스트 제어신호의 전압 레벨 VTP은, Vref1<VTP<Vref1로 설정된다(시각 t10). 이 경우, 테스트 모드 신호 TM1이 H 레벨이 되어, 집적회로장치(100)의 내부회로는 제1 동작 모드가 된다.Fig. 18 is a timing chart showing a sequence of the static characteristics test in the present embodiment. When the positive characteristic test is performed, the voltage level VTP of the test control signal is set to V ref1 <VTP <V ref1 (time t10). In this case, the test mode signal TM1 becomes H level, and the internal circuit of the integrated circuit device 100 becomes the first operation mode.

앞서 설명한 것과 같이, 도 16의 레벨 시프트회로 LS에서는, 테스트 모드 신호 TM1이 H 레벨일 때, 그것의 입력 단(펄스 발생회로(23)의 부분)에서 입력 신호 IN_A와 동일한 파형의 신호가 생성된다(도 18의 VG_A참조).As described above, in the level shift circuit LS of FIG. 16, when the test mode signal TM1 is at the H level, a signal having the same waveform as that of the input signal IN_A is generated at its input terminal (part of the pulse generating circuit 23) (See VG_A in Fig. 18).

또한, 정특성 테스트에서는, 레벨 시프트회로 LS의 VB 단자와 VS 단자 사이의 전압(VBS=VB-VS)을 고정하고, VS 단자의 전압(VS 전압)을 연속적으로 변화시키면서, 측정 대상신호 VMIN0∼VMIN4의 측정을 행한다. 도 18에 나타낸 것과 같이, VS 단자의 전압을 서서히 상승시키면, 인버터 INV1, INV2의 입력 신호 VMIN2, VMIN3이 서서히 하강하여, 일정한 임계값을 초과하면 인버터 INV1, INV2의 출력 신호 VMIN 0, VMIN1이 H 레벨로 변화한다.In the positive characteristic test, the voltage (VBS = VB-VS) between the VB terminal and the VS terminal of the level shift circuit LS is fixed and the voltage (VS voltage) of the VS terminal is continuously changed, Measurement of VMIN4 is performed. As shown in Fig. 18, when the voltage of the VS terminal is gradually increased, the input signals VMIN2 and VMIN3 of the inverters INV1 and INV2 are gradually lowered and the output signals VMIN0 and VMIN1 of the inverters INV1 and INV2 become H Level.

예를 들면, 도 19에 나타낸 것과 같이, 인버터 INV1의 입력 신호 VMIN2의 VS 전압에 대한 의존성 커브와, 출력 신호 VMIN0의 VS 전압에 대한 의존성 커브를 취득하여, 양자를 합성하면, 인버터 INV1의 입출력 전압 커브를 얻을 수 있다. 인버터 INV2에 대해서도 마찬가지이다. 또한, VS 단자와 VB 단자 사이의 전류도 동시에 측정함으로써, 저항 RH1과 RH2의 저항값도 추정할 수 있다.For example, as shown in Fig. 19, when the curve of the dependency of the input signal VMIN2 of the inverter INV1 on the VS voltage and the curve of the dependency of the output signal VMIN0 on the VS voltage are obtained and the both are combined, You can get a curve. The same is true for the inverter INV2. The resistance between the resistors RH1 and RH2 can also be estimated by simultaneously measuring the current between the VS terminal and the VB terminal.

본 실시형태에서는, UV·POR 보호회로(25)의 UV 검출회로(251)로부터 출력되는 UV 검출 신호가, 트리거 신호 T_IN으로서 테스트 신호 출력 선별회로(13)에 입력된다. UV 검출회로(251)는, VB 단자와 VS 단자 사이의 전압 VBS가 UV 트립 전압보다도 내려가면, 트리거 신호 T_IN(UV 검출 신호)을 H 레벨로 한다. 본 실시형태에서는, 이것을 이용하여, 모니터용 테스트 패드(14)에 출력되는 신호의 전환을 행하고 있다.In this embodiment, the UV detection signal output from the UV detection circuit 251 of the UV · POR protection circuit 25 is input to the test signal output selection circuit 13 as the trigger signal T_IN. The UV detection circuit 251 sets the trigger signal T_IN (UV detection signal) to H level when the voltage VBS between the VB terminal and the VS terminal is lower than the UV trip voltage. In the present embodiment, the signal outputted to the monitor test pad 14 is switched using this.

예를 들면, 도 18의 시각 t10∼t11의 사이에는, 테스트 신호 출력 선별회로(13)(도 17)의 디코더회로(134)가 출력하는 선택신호 Z0이 H 레벨이므로, 모니터용 테스트 패드(14)에 출력되는 신호 PAD_M은, 인버터 INV1의 출력 신호 VMIN0이다.18, since the selection signal Z0 output from the decoder circuit 134 of the test signal output selection circuit 13 (Fig. 17) is at the H level, the monitor test pads 14 ) Is the output signal VMIN0 of the inverter INV1.

VMIN0의 측정이 종료한 후, VB 단자와 VS 단자 사이의 전압 VBS를 UV 트립 전압보다 낮춤으로써, 트리거 신호 T_IN(UV 검출 신호)이 H 레벨로 된다. 그후, 전압 VBS를 원래 상태로 되돌리면, 트리거 신호 T_IN은 L 레벨로 되돌아온다(시각 t11). 이 트리거 신호 T_IN의 하강에 따라, 선택신호 Z0은 L 레벨이 되는 동시에 선택신호 Z1이 H 레벨로 된다. 그 결과, 시각 t11 이후에는, 모니터용 테스트 패드(14)의 신호 PAD_M이, 인버터 INV2의 출력 신호 VMIN1이 된다.After the measurement of VMIN0 is completed, the voltage VBS between the VB terminal and the VS terminal is lower than the UV trip voltage, so that the trigger signal T_IN (UV detection signal) becomes H level. Thereafter, when the voltage VBS is returned to the original state, the trigger signal T_IN returns to the L level (time t11). With the falling of the trigger signal T_IN, the selection signal Z0 becomes the L level and the selection signal Z1 becomes the H level. As a result, after time t11, the signal PAD_M of the monitor test pad 14 becomes the output signal VMIN1 of the inverter INV2.

마찬가지로, VMIN1의 측정이 종료한 후, 전압 VBS를 일단 UV 트립 전압보다 낮춤으로써, 트리거 신호 T_IN의 펄스가 생성되고, 트리거 신호 T_IN의 하강에 따라 선택신호 Z2가 H 레벨이 된다. 그것에 의해, 시각 t12 이후에는, 모니터용 테스트 패드(14)의 신호 PAD_M은, 인버터 INV1의 입력 신호 VMIN2가 된다.Likewise, after the measurement of VMIN1 is finished, the voltage VBS is once lower than the UV trip voltage to generate the pulse of the trigger signal T_IN, and the select signal Z2 becomes the H level in accordance with the falling of the trigger signal T_IN. Thereby, after time t12, the signal PAD_M of the monitor test pad 14 becomes the input signal VMIN2 of the inverter INV1.

더구나, VMIN2의 측정이 종료한 후, 전압 VBS를 일단 UV 트립 전압보다 낮춤으로써, 이번에는 선택신호 Z3이 H 레벨이 되고, 시각 t13 이후에는, 모니터용 테스트 패드(14)의 신호 PAD_M이, 인버터 INV2의 입력 신호 VMIN3가 된다.Further, after the measurement of the VMIN2 is finished, the voltage VBS is once lower than the UV trip voltage, the selection signal Z3 becomes H level at this time. After the time t13, the signal PAD_M of the monitor test pad 14, And becomes the input signal VMIN3 of INV2.

다음에, 레벨 시프트회로의 동특성 테스트(제2 테스트 모드)에 대해 설명한다. 도 20은, 테스트 모드 신호 TM2의 제어에 의해, 동특성 테스트가 실시 가능하게 되는 레벨 시프트회로의 구성예를 도시한 도면이다. 본 실시형태에서는, 레벨 시프트회로의 동특성 테스트를, 복수 경로의 레벨 시프트회로를 조합해서 행한다.Next, the dynamic characteristic test (second test mode) of the level shift circuit will be described. 20 is a diagram showing a configuration example of a level shift circuit in which a dynamic characteristic test can be performed by control of the test mode signal TM2. In the present embodiment, the dynamic characteristics test of the level shift circuit is performed by combining a plurality of path level shift circuits.

도 20에 나타낸 회로는, 2 경로의 레벨 시프트회로 LSA, LSB에 의해 SR 플립플롭을 구동하도록 구성되어 있다. 레벨 시프트회로 LSA, LSB의 각각은, 도 16의 레벨 시프트회로 LS와 거의 같은 구성이지만, SR 플립플롭의 전단에, 이 SR 플립플롭의 S 단자 및 R 단자가 동시에 H 레벨이 되는 것을 방지하는 인터록회로(16)가 설치되어 있다.The circuit shown in Fig. 20 is configured to drive the SR flip-flop by two-level level shift circuits LSA and LSB. Each of the level shift circuits LSA and LSB has substantially the same configuration as that of the level shift circuit LS of FIG. 16, but has a configuration in which the S and R terminals of the SR flip- Circuit 16 is provided.

또한, 레벨 시프트회로 LSA, LSB의 입력 단에는, 레벨 시프트회로 LSA, LSB에 동일한 신호를 입력시키는 테스트용 회로(15)가 설치되어 있다. 테스트용 회로(15)의 유효/무효는, 테스트 모드 신호 TM2에 의해 제어된다. 테스트 모드 신호 TM2이 L 레벨일 때에는, 테스트용 회로(15)는 무효가 되고, 레벨 시프트회로 LSA, LSB에는 각각의 입력 신호 IN_A, IN_B에 따른 펄스 신호가 입력된다.The input terminals of the level shift circuits LSA and LSB are provided with a test circuit 15 for inputting the same signal to the level shift circuits LSA and LSB. The validity / invalidity of the test circuit 15 is controlled by the test mode signal TM2. When the test mode signal TM2 is at the L level, the test circuit 15 is disabled, and the pulse signals corresponding to the respective input signals IN_A and IN_B are input to the level shift circuits LSA and LSB.

한편, 테스트 모드 신호 TM2가 H 레벨이 되면, 테스트용 회로(15)가 유효로 되어, 레벨 시프트회로 LSA, LSB에 동일한 신호가 입력되도록 한다. 이 경우, 입력 신호 IN_A, IN_B 중 어느 한 개가 상승하면, 레벨 시프트회로 LSA, LSB에 동시에 펄스 신호가 입력된다. 2개의 레벨 시프트회로 LSA, LSB이 정상적으로 동작하고 있으면, 인터록회로(16)가 동작하여, 출력 단의 SR 플립플롭의 출력 신호 OUT는 L 레벨로부터 변화하지 않는다.On the other hand, when the test mode signal TM2 becomes the H level, the test circuit 15 becomes valid and the same signal is input to the level shift circuits LSA and LSB. In this case, when any one of the input signals IN_A and IN_B rises, a pulse signal is simultaneously inputted to the level shift circuits LSA and LSB. If the two level shift circuits LSA and LSB normally operate, the interlock circuit 16 operates and the output signal OUT of the SR flip-flop at the output stage does not change from the L level.

따라서, 출력 단의 SR 플립플롭의 출력 신호 OUT가 H 레벨로 된 경우에는, 레벨 시프트회로 LSA, LSB 중 어느 한 개에 지연 등의 오동작이 생기고 있다고 판단할 수 있다. 또한, 그때 레벨 시프트회로 LSA, LSB에 나타나는 테스트 신호의 펄스폭이나 지연시간 등의 동특성을 측정함으로써, 오동작의 원인이나 발생 개소를 특정할 수 있다.Therefore, when the output signal OUT of the SR flip-flop at the output stage becomes H level, it can be judged that a malfunction such as delay is occurring in any one of the level shift circuits LSA and LSB. Further, by measuring the dynamic characteristics such as the pulse width and the delay time of the test signal appearing in the level shift circuits LSA and LSB at that time, it is possible to specify the cause of the malfunction or the occurrence position.

도 21은, 본 실시형태에 있어서의 동특성 테스트의 시퀀스를 나타낸 타이밍도이다. 여기에서는, 측정 대상 소자를, 도 20의 레벨 시프트회로 LSA, LSB의 각 출력 단에 설치된 4개의 인버터 INV0∼INV3으로 한 예를 나타낸다. 이 경우, 테스트 신호 출력 선별회로(13)(도 17)의 아날로그 스위치 135에는 인버터 INV0의 출력 신호 VMIN0이 입력되고, 아날로그 스위치 136에는 인버터 INV1의 출력 신호 VMIN1이 입력되고, 아날로그 스위치 137에는 인버터 INV2의 출력 신호 VMIN2가 입력되고, 아날로그 스위치 138에는 인버터 INV3의 출력 신호 VMIN3이 입력된다. 테스트 신호 출력 선별회로(13)는, 트리거 신호 T_IN에 동기하여, 이들 합계 4개의 측정 대상신호 VMIN0∼VMIN4를 순서대로 모니터용 테스트 패드(14)에 출력한다.21 is a timing chart showing a sequence of the dynamic characteristic test in the present embodiment. Here, an example in which the device to be measured is composed of four inverters INV0 to INV3 provided at the respective output terminals of the level shift circuits LSA and LSB in Fig. 20 is shown. In this case, the output signal VMIN0 of the inverter INV0 is input to the analog switch 135 of the test signal output selection circuit 13 (Fig. 17), the output signal VMIN1 of the inverter INV1 is input to the analog switch 136, The output signal VMIN2 of the inverter INV3 is input to the analog switch 138. [ The test signal output selection circuit 13 sequentially outputs the four measurement target signals VMIN0 to VMIN4 in total to the test pad 14 for monitoring in synchronization with the trigger signal T_IN.

이때, 여기에서도 테스트 신호 출력 선별회로(13)에 입력되는 트리거 신호 T_IN으로서, UV·POR 보호회로(25)의 UV 검출회로(251)의 출력 신호(UV 검출 신호)가 사용되고, 리셋 신호 Rst_IN으로서, POR 검출회로(252)의 출력 신호(파워 온 리셋 신호)가 사용되는 것으로 한다.Here, also here, the output signal (UV detection signal) of the UV detection circuit 251 of the UV / POR protection circuit 25 is used as the trigger signal T_IN input to the test signal output selection circuit 13, and as the reset signal Rst_IN , And the output signal (power-on reset signal) of the POR detection circuit 252 is used.

동특성 테스트를 행하는 경우, 테스트 제어신호의 전압 레벨 VTP은, Vref2<VTP<Vref3로 설정된다(시각 t20). 이 경우, 테스트 모드 신호 TM2가 H 레벨이 되어, 집적회로장치(100)의 내부회로는 제2 동작 모드가 된다.When the dynamic characteristic test is performed, the voltage level VTP of the test control signal is set to V ref2 <VTP <V ref3 (time t20). In this case, the test mode signal TM2 becomes H level, and the internal circuit of the integrated circuit device 100 becomes the second operation mode.

또한, 테스트 모드 신호 TM2가 H 레벨로 됨으로써, 테스트용 회로(15)가 유효로 된다. 따라서, 입력 신호 IN_A(또는 IN_B)의 상승에 응답하여, 레벨 시프트회로 LSA, LSB의 양쪽에 동일한 펄스 신호가 입력된다. 따라서 SR 플립플롭의 출력 신호 OUT의 상승의 유무를 관찰함으로써, 레벨 시프트회로 LSA, LSB의 이상을 검출할 수 있다.Further, since the test mode signal TM2 is at the H level, the test circuit 15 becomes effective. Therefore, in response to the rise of the input signal IN_A (or IN_B), the same pulse signal is input to both of the level shift circuits LSA and LSB. Therefore, by observing whether or not the output signal OUT of the SR flip-flop rises, it is possible to detect an abnormality in the level shift circuits LSA and LSB.

동특성 테스트의 경우도, 정특성 테스트와 마찬가지로, 모니터용 테스트 패드(14)를 통해 측정 대상신호(VMIN0∼VMIN4 중 어느 한개)의 측정을 행할 때마다, 전압 VBS를 일단 UV 트립 전압보다 낮춤으로써, UV 검출회로(251)로부터 트리거 신호 T_IN의 펄스가 출력되어, 모니터용 테스트 패드(14)의 신호 PAD_M이 전환된다. 도 21에 있어서, 모니터용 테스트 패드(14)에는, 시각 t20∼t21의 사이에는, 인버터 INV0의 출력 신호 VMIN0이 출력되고, 시각 t21∼t22의 사이에는, 인버터 INV1의 출력 신호 VMIN1이 출력되고, 시각 t22∼t23의 사이에는, 인버터 INV2의 출력 신호 VMIN2가 출력되고, 시각 t23∼t24의 사이에는, 인버터 INV3의 출력 신호 VMIN3이 출력된다.In the case of the dynamic characteristic test, the voltage VBS is once lower than the UV trip voltage every time the measurement target signal (any one of VMIN0 to VMIN4) is measured through the monitor test pad 14 like the positive characteristic test, A pulse of the trigger signal T_IN is outputted from the UV detection circuit 251, and the signal PAD_M of the monitor test pad 14 is switched. 21, the output signal VMIN0 of the inverter INV0 is output between the times t20 and t21, the output signal VMIN1 of the inverter INV1 is output between the times t21 and t22, Between times t22 and t23, the output signal VMIN2 of the inverter INV2 is outputted, and the output signal VMIN3 of the inverter INV3 is outputted between the times t23 and t24.

이어서, 레벨 시프트회로의 스트레스 테스트(제3 테스트 모드)에 대해 설명한다. 도 22는, 테스트 모드 신호 TM3의 제어에 의해, 내부회로의 스트레스 테스트가 실시 가능해지는 내부 전원회로(8)의 회로도이다. 여기에서는, 스트레스 테스트의 대상을 도 20에 나타낸 레벨 시프트회로 LSA, LSB로 하여 설명한다.Next, the stress test (third test mode) of the level shift circuit will be described. 22 is a circuit diagram of the internal power supply circuit 8 in which the stress test of the internal circuit is enabled by the control of the test mode signal TM3. Here, the object of the stress test is described as the level shift circuits LSA and LSB shown in Fig.

이 내부 전원회로(8)는, 레벨 시프트회로 LSA, LSB에 전원을 공급하는 것으로, 내부 전원전압을 출력하는 증폭기(303)와, 이 연산증폭기(303)에 입력하는 전압을 전환하는 아날로그 스위치(301, 302)를 구비하고 있다. 아날로그 스위치 301에는 통상 동작용의 기준전압이 인가되고 있고, 아날로그 스위치 302에는 스트레스 테스트용의 기준전압이 인가되고 있다.The internal power supply circuit 8 supplies power to the level shift circuits LSA and LSB and includes an amplifier 303 for outputting an internal power supply voltage and an analog switch for switching the voltage input to the operational amplifier 303 301, and 302, respectively. A reference voltage for normal operation is applied to the analog switch 301, and a reference voltage for stress testing is applied to the analog switch 302.

테스트 모드 신호 TM3이 L 레벨일 때, 아날로그 스위치 301이 온, 아날로그 스위치 302가 오프가 되어, 증폭기(303)에 통상 동작용의 기준전압이 입력된다. 따라서, 내부 전원전압은, 통상 동작용의 기준전압과 같아진다. 한편, 테스트 모드 신호 TM3이 H 레벨이 되면, 아날로그 스위치 301이 오프, 아날로그 스위치 302가 온으로 되어, 증폭기(303)에 스트레스 테스트용의 기준전압이 입력된다. 따라서, 내부 전원전압은, 스트레스 테스트용의 기준전압으로 변화한다.When the test mode signal TM3 is at the L level, the analog switch 301 is turned on, the analog switch 302 is turned off, and the reference voltage of the normal operation is inputted to the amplifier 303. Therefore, the internal power supply voltage is usually equal to the reference voltage for operation. On the other hand, when the test mode signal TM3 becomes the H level, the analog switch 301 is turned off, the analog switch 302 is turned on, and the reference voltage for the stress test is inputted to the amplifier 303. [ Therefore, the internal power supply voltage changes to the reference voltage for the stress test.

스트레스 테스트용의 기준전압에 관해, 예를 들면, 외부 전원전압을 소자 정격값 내로 설정하고, 그것을 스트레스 테스트용의 기준전압으로서 사용해도 된다.Regarding the reference voltage for the stress test, for example, the external power supply voltage may be set within the element rating value and used as the reference voltage for the stress test.

또한, 내부 전원회로(8)는, 트랜지스터를 사용해서 구성하는 간이 레귤레이터이어도 된다. 도 23 및 도 24는, 스트레스 테스트가 실시가능한 내부 전원회로(8)로서의 간이 레귤레이터의 구성예이다.The internal power supply circuit 8 may be a simple regulator configured by using transistors. 23 and 24 are structural examples of a simple regulator as an internal power supply circuit 8 capable of performing a stress test.

도 23은, 내부 전원전압 VREG을 출력하는 트랜지스터(312)의 베이스 전위(VB)를, 제너 다이오드(313)에서 생기는 기준전압 VZ로 할지, 전원전압 VCC로 할지를, 테스트 모드 신호 TM3으로 제어된 PMOS 트랜지스터(314)에 의해 전환하는 구성으로 되어 있다.23 shows whether the base potential VB of the transistor 312 that outputs the internal power supply voltage VREG is a reference voltage VZ or a power supply voltage VCC generated by the zener diode 313, And is switched by the transistor 314.

또한, 도 24는, 내부 전원전압 VREG을 출력하는 트랜지스터(322)의 베이스 전위(VB)를, 제너 다이오드(323)에서 생기는 기준전압 VZ로 할지, 전원전압 VCC로 할지를, 테스트 모드 신호 TM3으로 제어된 NMOS 트랜지스터(324)에 의해 전환하는 구성으로 되어 있다. 도 24에 사용되고 있는 저전류회로는, 예를 들면, 도 25의 구성의 것이 고려된다.24 shows whether or not the base potential VB of the transistor 322 for outputting the internal power supply voltage VREG is set to be the reference voltage VZ or the power supply voltage VCC generated by the zener diode 323 by the test mode signal TM3 The NMOS transistor 324 is turned on. As the low-current circuit used in Fig. 24, for example, the configuration of Fig. 25 is considered.

도 26은, 통상 동작 모드로부터 제3 테스트 모드(스트레스 테스트)로 이행할 때의 내부 전원회로(8)의 동작 시퀀스를 나타낸 타이밍도이며, 내부 전원회로(8)가 도 23의 구성인 경우를 나타내고 있다. TM1=TM2=TM3=L인 통상 동작 모드에 있어서는, PMOS 트랜지스터(314)가 온되어 있고, 트랜지스터(312)의 베이스 전위(VB)는 트랜지스터(312)에 생기는 기준전압 VZ와 같아진다. 그 때문에, 내부 전원전압 VREG은 VZ-Vbe로 된다(Vbe는 트랜지스터(312)의 베이스 에미터간 전압 강하). VZ-Vbe는, 도 22의 통상 동작용 기준전위에 해당한다.26 is a timing chart showing the operation sequence of the internal power supply circuit 8 when transitioning from the normal operation mode to the third test mode (stress test). In the case where the internal power supply circuit 8 has the configuration shown in Fig. 23 Respectively. The PMOS transistor 314 is turned on and the base potential VB of the transistor 312 becomes equal to the reference voltage VZ generated in the transistor 312 in the normal operation mode in which TM1 = TM2 = TM3 = L. Therefore, the internal power supply voltage VREG becomes VZ-Vbe (Vbe is the voltage drop between the base emitter of the transistor 312). VZ-Vbe corresponds to the normal operation action reference potential in Fig.

한편, TM3=H가 되는 제3 테스트 모드에서는, PMOS 트랜지스터(314)가 오프하고, 트랜지스터(312)의 베이스 전위(VB)는 전원전압 VCC와 같아진다. 그 때문에, 내부 전원전압 VREG은, VCC-Vbe로 상승한다. VCC-Vbe는, 도 22의 스트레스 테스트용 기준전위에 해당한다.On the other hand, in the third test mode in which TM3 = H, the PMOS transistor 314 is turned off and the base potential VB of the transistor 312 becomes equal to the power supply voltage VCC. Therefore, the internal power supply voltage VREG rises to VCC-Vbe. VCC-Vbe corresponds to the reference potential for the stress test in Fig.

이때, 스트레스 테스트의 대상이 되는 블록은, 미리 스트레스 테스트시의 인가전압을 견딜 수 있는 소자 및 구조가 채용되고 있고, 스트레스 테스트시에 있어서도, 권장 조건(통상 동작 모드)에서의 동작과, 동일한 시퀀스의 동작을 행할 수 있도록 설계되어 있다.At this time, a block and a structure that can withstand an applied voltage at the time of the stress test are adopted as the block to be subjected to the stress test. In the stress test, the operation in the recommended condition (normal operation mode) And the like.

도 27은, 통상 동작 모드에 있어서의 레벨 시프트회로 LSA, LSB의 동작 시퀀스를 나타낸 타이밍도이다. 통상 동작 모드에 있어서, 모니터용 테스트 패드(14)를 통해 측정 대상신호(VMIN0∼VMIN4 중 어느 한개)의 측정을 행함으로써, 통상 동작 테스트를 행할 수 있다.27 is a timing chart showing the operation sequence of the level shift circuits LSA and LSB in the normal operation mode. In the normal operation mode, the normal operation test can be performed by measuring the measurement target signal (any one of VMIN0 to VMIN4) through the test pad 14 for monitoring.

스트레스 테스트는, 테스트 모드 신호 TM3을 H 레벨로 하고(도 17에 있어서 VTP>Vref2), 내부 전원전압을 스트레스 테스트용 기준전압으로 설정한 후에, 레벨 시프트회로 LSA, LSB에, 도 27과 동일한 시퀀스를 행하게 함으로써, 실시된다.In the stress test, after the test mode signal TM3 is set to the H level (VTP> Vref2 in FIG. 17), the internal power supply voltage is set as the stress test reference voltage and then the same sequence as in FIG. 27 is applied to the level shift circuits LSA and LSB Is performed.

스트레스 테스트에 있어서의 측정 대상소자 및 측정 대상신호는, 기본적으로 통상 동작 테스트의 경우와 동일하게 한다. 그리고, 스트레스 테스트에서 얻어진 측정 결과가, 통상 동작 테스트에서 얻은 측정 결과와 비교된다. 이와 같이 내부 전원전압이 다른 2개의 모드에서 내부회로에 동일한 시퀀스의 동작을 행하게 하고, 각 모드에서 동일한 측정 대상신호를 모니터함으로써, 측정 대상신호의 펄스폭이나 지연시간 등의 전원전압 의존성을 파악할 수 있다. 그것에 의해, 측정 대상소자의 전기적 특성의 불량을 검출할 수 있다.The measurement object element and the measurement object signal in the stress test are basically the same as those in the normal operation test. Then, the measurement result obtained in the stress test is compared with the measurement result obtained in the normal operation test. In this manner, in the two modes in which the internal power supply voltage is different, the same sequence of operations is performed in the internal circuit, and the same measurement target signal is monitored in each mode, so that the dependence of the power supply voltage such as the pulse width and the delay time of the measurement target signal have. Thus, it is possible to detect the defective electrical characteristics of the device under measurement.

이때, 통상 동작 모드(및 제3 테스트 모드)에서는, 도 27에 나타낸 것과 같이, 레벨 시프트회로 LSA, LSB에는 서로 상보적인 입력 신호 IN_A, IN_B가 각각 입력된다.At this time, in the normal operation mode (and the third test mode), as shown in FIG. 27, the input signals IN_A and IN_B complementary to each other are inputted to the level shift circuits LSA and LSB, respectively.

또한 도 27에서는, 전원 시동시에 있어서의 동작이 표시되어 있다. 전원이 시동하면, POR 검출회로(252)의 출력 신호인 리셋 신호 Rst_IN이 H 레벨로 되고, 테스트 신호 출력 선별회로(13)의 카운터회로가 리셋되어(도 17에 있어서 Q1=Q2=L이 된다), 선택신호 Z0이 H 레벨로 설정된다. 그후, VB 단자와 VS 단자 사이의 전압 VBS(=VB-VS(VS는 일정값))이 소정값에 이르면 리셋 신호 Rst_IN이 L 레벨로 되고, 테스트 신호 출력 선별회로(13)의 동작이, 선택신호 Z0가 H 레인의 상태로부터 개시되게 된다(시각 t30).In Fig. 27, the operation at the time of power supply start is displayed. When the power supply is started, the reset signal Rst_IN, which is the output signal of the POR detection circuit 252, goes high and the counter circuit of the test signal output circuit 13 is reset (Q1 = Q2 = L in Fig. 17 ), The selection signal Z0 is set to the H level. Thereafter, when the voltage VBS (= VB-VS (VS is a constant value)) between the VB terminal and the VS terminal reaches a predetermined value, the reset signal Rst_IN attains the L level, and the operation of the test signal output circuit 13 The signal Z0 is started from the state of the H-lane (time t30).

그후에는, 다른 테스트의 경우와 마찬가지로, 모니터용 테스트 패드(14)를 통해 측정 대상신호(VMIN0∼VMIN4 중 어느 한개)의 측정을 행할 때마다, 전압 VBS를 일단 UV 트립 전압보다 낮춤으로써, UV 검출회로(251)로부터 트리거 신호 T_IN의 펄스가 출력되어, 모니터용 테스트 패드(14)의 신호 PAD_M이 전환한다. 도 27에 있어서, 모니터용 테스트 패드(14)에는, 시각 t30∼t31의 사이에는, 인버터 INV0의 출력 신호 VMIN0이 출력되고, 시각 t31∼t32의 사이에는, 인버터 INV1의 출력 신호 VMIN1이 출력되고, 시각 t32∼t33의 사이에는, 인버터 INV2의 출력 신호 VMIN2가 출력되고, 시각 t33∼t34의 사이에는, 인버터 INV3의 출력 신호 VMIN3이 출력된다.Thereafter, the voltage VBS is once lower than the UV trip voltage every time measurement of the measurement target signal (any one of the measurement target signals VMIN0 to VMIN4) is performed through the monitor test pad 14 as in the other tests, A pulse of the trigger signal T_IN is output from the circuit 251, and the signal PAD_M of the monitor test pad 14 is switched. 27, the output signal VMIN0 of the inverter INV0 is outputted between the times t30 and t31, the output signal VMIN1 of the inverter INV1 is outputted between the times t31 and t32, Between times t32 and t33, the output signal VMIN2 of the inverter INV2 is outputted, and the output signal VMIN3 of the inverter INV3 is outputted between the times t33 and t34.

도 28은, 본 실시형태에 관한 집적회로장치(100)의 테스트 플로우의 일례를 나타낸 것이다. 이 테스트 플로우는, 통상 동작 모드에서 행하는 1회째의 통상 동작 테스트(S2), 제1 테스트 모드에서 행하는 정특성 테스트(S3), 제2 테스트 모드에서 행하는 동특성 테스트(S4), 제3 테스트 모드에서 행하는 스트레스 테스트(S5) 및, 통상 동작 모드에서 행해지는 2회째의 통상 동작 테스트(S6)를, 종래부터 행해지고 있는 집적회로장치의 일반적인 테스트(S1, S7)에 짜넣은 것이다.28 shows an example of a test flow of the integrated circuit device 100 according to the present embodiment. This test flow includes a first normal operation test (S2) performed in the normal operation mode, a static characteristic test (S3) performed in the first test mode, a dynamic characteristic test (S4) performed in the second test mode, And the second normal operation test (S6) performed in the normal operation mode are included in the general tests (S1, S7) of the integrated circuit device which has been performed conventionally.

이 테스트 플로우에서는, 1회째의 통상 동작 테스트, 정특성 테스트(S3), 동특성 테스트(S4), 스트레스 테스트(S5) 및, 2회째의 통상 동작 테스트(S6)는, 이 순서로 실행된다. 스트레스 테스트후에, 2회째의 통상 동작 테스트를 행함으로써, 각종의 테스트 실시중에 열화한 집적회로장치를 찾아내, 배제 할 수 있다.In this test flow, the first normal operation test, the static characteristic test (S3), the dynamic characteristic test (S4), the stress test (S5), and the second normal operation test (S6) are executed in this order. By performing the second normal operation test after the stress test, the integrated circuit device deteriorated during the execution of various tests can be found out and eliminated.

이때, 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 각 실시형태를 자유롭게 조합하거나, 각 실시형태를 적절히, 변형, 생략하는 것이 가능하다.
At this time, the present invention can be combined freely with each embodiment within the scope of the invention, or it is possible to modify and omit each embodiment as appropriate.

1 입력 패드, 2 입력회로, 3 신호 전달회로, 4 로직회로, 5 기능회로, 6 출력회로, 7 출력 패드, 8 내부 전원회로, 11 제어용 테스트 패드, 12 테스트 모드 식별회로, 13 테스트 신호 출력 선별회로, 14 모니터용 테스트 패드, 15 테스트용 회로, 16 인터록회로, 22 슈미트회로, 23 펄스 발생회로, 24 레벨 시프트회로, 25 UV·POR 보호회로, 251 UV 검출회로, 252 POR 검출회로, 100 집적회로장치, 121∼123 콤퍼레이터, 124 테스트 모드 식별 로직회로, 121a∼123a 인버터, 125, 126 T 플립플롭, 127 디코더회로, 131, 132 T 플립플롭, 133 멀티플렉서, 134 디코더회로, 135∼137 아날로그 스위치, LS, LSA, LSB 레벨 시프트회로.1 input pad, 2 input circuit, 3 signal transfer circuit, 4 logic circuit, 5 function circuit, 6 output circuit, 7 output pad, 8 internal power circuit, 11 control test pad, 12 test mode identification circuit, 13 test signal output selection Circuit, 14 monitor test pad, 15 test circuit, 16 interlock circuit, 22 Schmitt circuit, 23 pulse generation circuit, 24 level shift circuit, 25 UV · POR protection circuit, 251 UV detection circuit, 252 POR detection circuit, Circuitry, 121 to 123 comparator, 124 test mode identification logic circuit, 121a to 123a inverter, 125, 126 T flip flop, 127 decoder circuit, 131, 132 T flip flop, 133 multiplexer, 134 decoder circuit, 135-137 analog switch , LS, LSA, LSB level shift circuit.

Claims (13)

내부회로와,
상기 내부회로에서 행하는 테스트의 종별인 테스트 모드를 표시하는 테스트 제어신호에 근거하여 상기 테스트 모드를 식별하고, 상기 내부회로에 각 테스트 모드에 따른 동작을 행하게 하는 테스트 모드 식별회로를 구비한 것을 특징으로 하는 집적회로장치.
An internal circuit,
And a test mode identification circuit for identifying the test mode on the basis of a test control signal indicating a test mode which is a type of a test performed in the internal circuit, and for causing the internal circuit to operate according to each test mode. Integrated circuit device.
제 1항에 있어서,
상기 내부회로의 테스트시에 이 내부회로에 나타나는 테스트 신호를 관측하기 위한 모니터용 테스트 패드와,
상기 내부회로의 테스트시에 이 내부회로에 나타나는 복수의 테스트 신호 중에서, 상기 모니터용 테스트 패드에 출력할 테스트 신호를 선별하는 테스트 신호 출력 선별회로를 더 구비하고,
상기 테스트 신호 출력 선별회로는, 상기 모니터용 테스트 패드에 출력할 테스트 신호를, 시간과 함께 순차 전환하는 집적회로장치.
The method of claim 1,
A monitor test pad for observing a test signal appearing in the internal circuit at the time of testing the internal circuit,
And a test signal output selection circuit for selecting a test signal to be output to the monitor test pad from among a plurality of test signals appearing in the internal circuit at the time of testing the internal circuit,
And the test signal output selection circuit sequentially switches test signals to be output to the monitor test pads with time.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 테스트 모드 식별회로는, 상기 테스트 제어신호의 크기에 근거하여 테스트 모드를 식별하는 집적회로장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the test mode identification circuit identifies a test mode based on a magnitude of the test control signal.
제 3항에 있어서,
상기 테스트 모드 식별회로는, 상기 테스트 제어신호가 입력되는 콤퍼레이터를 사용해서 구성한 레벨 트리거회로를 포함하는 집적회로장치.
The method of claim 3, wherein
Wherein the test mode identification circuit includes a level trigger circuit configured by using a comparator to which the test control signal is input.
제 3항에 있어서,
상기 테스트 모드 식별회로는, 상기 테스트 제어신호가 입력되는 인버터를 사용해서 구성한 레벨 트리거회로를 포함하는 집적회로장치.
The method of claim 3, wherein
Wherein the test mode identification circuit includes a level trigger circuit configured by using an inverter to which the test control signal is input.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 테스트 모드 식별회로는, 상기 테스트 제어신호가 입력되는 카운터회로를 포함하고, 이 카운터회로의 출력 신호에 근거하여 테스트 모드를 식별하는 집적회로장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the test mode identification circuit includes a counter circuit to which the test control signal is input and identifies a test mode based on an output signal of the counter circuit.
제 2항에 있어서,
상기 테스트 신호 출력 선별회로는,
소정 주기의 펄스 신호가 입력되는 카운터회로와,
이 카운터회로의 출력 신호에 따라, 상기 복수의 테스트 신호를 순차 선택해서 상기 모니터용 테스트 패드에 출력하는 멀티플렉서를 구비한 집적회로장치.
The method of claim 2,
Wherein the test signal output selection circuit comprises:
A counter circuit to which a pulse signal of a predetermined period is input;
And a multiplexer for sequentially selecting the plurality of test signals in accordance with an output signal of the counter circuit and outputting the selected test signals to the test pads for monitoring.
제 2항에 있어서,
상기 테스트 신호 출력 선별회로는,
상기 모니터용 테스트 패드에 접속되고, 상기 복수의 테스트 신호가 입력되는 복수의 아날로그 스위치와,
소정 주기의 펄스 신호가 입력되는 카운터회로와,
이 카운터회로의 출력 신호에 따라, 상기 복수의 아날로그 스위치를 순차 선택해서 온시키는 디코더회로를 구비한 집적회로장치.
The method of claim 2,
Wherein the test signal output selection circuit comprises:
A plurality of analog switches connected to the testpads for monitoring and to which the plurality of test signals are input;
A counter circuit to which a pulse signal of a predetermined period is input;
And a decoder circuit for sequentially selecting and turning on the plurality of analog switches in response to an output signal of the counter circuit.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 테스트 제어신호를 입력하기 위한 제어용 테스트 패드를 더 구비한 집적회로장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
And a control test pad for inputting the test control signal.
제 9항에 있어서,
상기 제어용 테스트 패드는, 테스트 용도 이외의 다른 패드와 겸용되고 있는 집적회로장치.
The method of claim 9,
Wherein said control test pad is also used as a pad other than a test application.
제 10항에 있어서,
상기 다른 패드는, 신호 입력용 또는 신호 모니터용의 패드인 집적회로장치.
The method of claim 10,
And the other pad is a pad for signal input or signal monitor.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 테스트 제어신호는, 상기 내부회로의 테스트시에 이 내부회로에 부수하는 기능회로를 동작시킴으로써 생성되는 집적회로장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the test control signal is generated by operating a functional circuit associated with the internal circuit at the time of testing the internal circuit.
제 12항에 있어서,
상기 테스트 제어신호는, 상기 기능회로로부터 복수 출력되고,
상기 테스트 모드 식별회로는, 상기 복수의 테스트 제어신호의 조합에 근거하여 상기 테스트 모드를 식별하는 집적회로장치.
13. The method of claim 12,
A plurality of test control signals are output from the functional circuit,
Wherein the test mode identification circuit identifies the test mode based on a combination of the plurality of test control signals.
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