KR20130078985A - Light emitting device, light emitting device package, and light unit - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting device, a light emitting device package, and a light unit are provided to improve light extraction by forming a surface boundary layer (SBL). CONSTITUTION: An active layer (13) is formed on a first conductive semiconductor layer (11). An electron barrier layer (15) is formed on the active layer. An SBL layer (17) is arranged on the electron barrier layer. A grain size is changed according to the distance between the SBL layer and the electron barrier layer. A second conductive semiconductor layer (19) is formed on the SBL layer.

Description

발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHT UNIT}Light-Emitting Device, Light-Emitting Device Package and Light Unit {LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHT UNIT}

실시 예는 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit.

발광소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 자외선과 같은 빛의 형태로 변환한다.Light emitting diodes (LEDs) are widely used as light emitting devices. Light emitting diodes convert electrical signals into light, such as infrared, visible, and ultraviolet, using the properties of compound semiconductors.

발광소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 발광소자가 적용되고 있다.As the light efficiency of a light emitting device is increased, a light emitting device is applied to various fields including a display device and a lighting device.

실시 예는 광 출력을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛을 제공한다. The embodiment provides a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit capable of improving light output.

실시 예에 따른 발광소자는, 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 전자차단층; 상기 전자차단층 위에 배치되며 상기 전자차단층으로부터의 거리에 따라 그레인 크기가 변화되는 SBL층; 상기 SBL층 위에 제2 도전형 반도체층; 을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes: a first conductive semiconductor layer; An active layer on the first conductive semiconductor layer; An electron blocking layer on the active layer; An SBL layer disposed on the electron blocking layer and having a grain size changed according to a distance from the electron blocking layer; A second conductivity type semiconductor layer on the SBL layer; .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극; 을 포함하고, 상기 발광소자는, 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 전자차단층; 상기 전자차단층 위에 배치되며 상기 전자차단층으로부터의 거리에 따라 그레인 크기가 변화되는 SBL층; 상기 SBL층 위에 제2 도전형 반도체층; 을 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment includes a body; A light emitting element disposed on the body; A first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting device; Wherein the light emitting device includes: a first conductive semiconductor layer; An active layer on the first conductive semiconductor layer; An electron blocking layer on the active layer; An SBL layer disposed on the electron blocking layer and having a grain size changed according to a distance from the electron blocking layer; A second conductivity type semiconductor layer on the SBL layer; .

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자는, 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 전자차단층; 상기 전자차단층 위에 배치되며 상기 전자차단층으로부터의 거리에 따라 그레인 크기가 변화되는 SBL층; 상기 SBL층 위에 제2 도전형 반도체층; 을 포함한다.According to an embodiment, a light unit includes a substrate; A light emitting device disposed on the substrate; An optical member through which light provided from the light emitting device passes; Wherein the light emitting device includes: a first conductive semiconductor layer; An active layer on the first conductive semiconductor layer; An electron blocking layer on the active layer; An SBL layer disposed on the electron blocking layer and having a grain size changed according to a distance from the electron blocking layer; A second conductivity type semiconductor layer on the SBL layer; .

실시 예에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛은 광 출력을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The light emitting device, the light emitting device package, and the light unit according to the embodiment have an advantage of improving light output.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2 내지 도 5는 실시 예에 따른 발광소자의 그레인 크기를 나타낸 도면이다.
도 6 및 도 7은 실시 예에 따른 발광소자의 광도를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 에너지 준위를 나타낸 도면이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 11은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.
2 to 5 are views showing grain size of the light emitting device according to the embodiment.
6 and 7 are diagrams showing the brightness of light emitting devices according to the embodiment.
8 is a view showing the energy level of the light emitting device according to the embodiment.
9 is a view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
10 is a view showing a display device according to the embodiment.
11 is a view showing another example of the display device according to the embodiment.
12 is a view showing a lighting device according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시될 수 있다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer may be exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(13), 전자차단층(EBL: Electron Blocking Layer, 15), SBL(Surface Boundary Layer)층(17), 제2 도전형 반도체층(19)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the light emitting device according to the embodiment includes a first conductive semiconductor layer 11, an active layer 13, an electron blocking layer (EBL) 15, and a surface boundary layer (SBL) layer. (17), the second conductivity type semiconductor layer 19 may be included.

예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(19)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(19)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다. For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n type semiconductor layer to which an n type dopant is added as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 19 is a second conductivity type dopant. As a p-type dopant may be formed as a p-type semiconductor layer. In addition, the first conductive semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 19 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 may be formed of a compound semiconductor. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be implemented as, for example, a group II-VI or group III-V compound semiconductor.

예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Material. The first conductive semiconductor layer 11 may be selected from among GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, An n-type dopant such as Se or Te can be doped.

상기 활성층(13)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(19)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(13)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(13)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the active layer 13, electrons (or holes) injected through the first conductive semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive semiconductor layer 19 meet each other. It is a layer that emits light due to a band gap difference between energy bands according to the material of the active layer 13. The active layer 13 may be formed of any one of a single well structure, a multiple well structure, a quantum dot structure, or a quantum line structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(13)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(13)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(13)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(13)이 상기 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(13)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층, InGaN 우물층/InGaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.The active layer 13 may be implemented with a compound semiconductor. The active layer 13 may be implemented as, for example, a group II-VI or group III-V compound semiconductor. The active layer 13 may be implemented as an example of a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) have. When the active layer 13 is implemented as the multi-well structure, the active layer 13 may be implemented by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. For example, an InGaN well layer / GaN barrier layer, It may be implemented in a cycle of the InGaN well layer / InGaN barrier layer.

상기 제2 도전형 반도체층(19)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(19)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(19)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The second conductive semiconductor layer 19 may be implemented with, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity-type semiconductor layer 19 may be implemented as a compound semiconductor. The second conductivity-type semiconductor layer 19 may be implemented as, for example, a group II-VI or group III-V compound semiconductor.

에컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(19)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(19)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.I pray, a formula having the second conductive type semiconductor layer 19 is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) It can be implemented with a semiconductor material. The second conductive semiconductor layer 19 may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like, and may include Mg, Zn, Ca, P-type dopants such as Sr and Ba may be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(19)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 실시 예에 따른 발광소자는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(19) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(13) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 19 may include an n-type semiconductor layer. Also, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductivity type semiconductor layer 13. Accordingly, the light emitting device according to the embodiment may have at least one of np, pn, npn, and pnp junction structure. In addition, the doping concentrations of the impurities in the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 19 may be uniformly or non-uniformly formed. In addition, a first conductivity type InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductivity type semiconductor layer 11 and the active layer 13.

실시 예에 의하면, 상기 활성층(13)과 상기 제2 도전형 반도체층(19) 사이에 상기 전자차단층(15)과 상기 SBL층(17)이 배치될 수 있다. 상기 전자차단층(15)은 효율적인 정공의 이동(transfer)과 효과적인 전자의 구속(confinement)을 위해 배치될 수 있다. 예로서, 상기 전자차단층(15)은 제2 도전형의 AlGaN층으로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 전자차단층(15)은 p형 AlGaN층으로 구현될 수 있다.In example embodiments, the electron blocking layer 15 and the SBL layer 17 may be disposed between the active layer 13 and the second conductive semiconductor layer 19. The electron blocking layer 15 may be disposed for efficient hole transfer and effective electron confinement. For example, the electron blocking layer 15 may be implemented as an AlGaN layer of a second conductivity type. For example, the electron blocking layer 15 may be implemented as a p-type AlGaN layer.

실시 예에서는 상기 SBL층(17)의 도입으로 광 추출을 향상시킬 수 있는 방안을 제시하였다. 종래 전자차단층(15)은 상기 활성층(13)과 상기 제2 도전형 반도체층(19) 사이에 배치됨에 있어 균일한 물성으로 형성된다. 종래 전자차단층(15)은 챔버의 압력, 기판의 회전속도, 분위기 가스의 흐름, 성장 속도 등을 일정하게 유지함으로써 위치에 관계없이 균일하게 성장되도록 한다. 이에 따라 종래 전자차단층(15)은 그 두께에 따른 위치에 관계없이 균일한 물성을 갖게 된다. 즉 종래 전자차단층(15)은 상기 활성층(13)으로부터의 거리에 관계없이 균일한 물성을 갖도록 형성된다.In the embodiment, a method of improving light extraction by introducing the SBL layer 17 is proposed. The conventional electron blocking layer 15 is formed between the active layer 13 and the second conductivity type semiconductor layer 19 to have uniform physical properties. The conventional electron blocking layer 15 maintains the pressure of the chamber, the rotational speed of the substrate, the flow of the atmosphere gas, the growth rate, and the like so as to grow uniformly regardless of the position. Accordingly, the conventional electron blocking layer 15 has uniform physical properties regardless of the position according to its thickness. That is, the conventional electron blocking layer 15 is formed to have uniform physical properties regardless of the distance from the active layer 13.

실시 예에서는 상기 전자차단층(15) 위에 상기 SBL층(17)을 더 배치하였다. 상기 SBL층(17)은 상기 전자차단층(15)으로부터 거리에 따라 그레인 크기가 변화되도록 구현될 수 있다. In the embodiment, the SBL layer 17 is further disposed on the electron blocking layer 15. The SBL layer 17 may be implemented such that grain size changes with distance from the electron blocking layer 15.

예컨대 상기 SBL층(17)은 상기 전자차단층(15)으로부터 멀어질수록 그레인 크기가 점진적으로 증가 되도록 구현될 수 있다. 이는 공정 조건의 연속적인 변화를 통하여 구현될 수 있다. 하나의 예로서 챔범의 압력을 일정 범위에서 램프 업(ramp up) 시킴으로써 그레인 크기를 연속적으로 변화시킬 수 있다.For example, the SBL layer 17 may be implemented such that the grain size gradually increases as it moves away from the electron blocking layer 15. This can be achieved through a continuous change of process conditions. As an example, the grain size can be continuously changed by ramping up the chamber pressure in a range.

또한 상기 SBL층(17)은 상기 전자차단층(15)으로부터 멀어질수록 그레인 크기가 단계적으로 증가 되도록 구현될 수도 있다. 이는 공정 조건의 단계적인 변화를 통하여 구현될 수 있다. 하나의 예로서 챔버의 압력을 일정 범위에서 단계적으로 변화시킴으로써 그레인 크기를 단계적으로 변화시킬 수 있다.In addition, the SBL layer 17 may be implemented such that the grain size increases stepwise away from the electron blocking layer 15. This can be achieved through gradual change in process conditions. As an example, the grain size can be changed step by step by varying the pressure of the chamber in a range.

도 2 내지 도 5는 실시 예에 따른 SBL층(17)의 그레인 크기를 나타낸 AFM(Atomic Force Microscope) 이미지이다. 예로서, 도 2 내지 도 5에 도시된 SBL층(17)은 공정 조건에 변화를 줌으로써 그레인 크기가 다르게 성장될 수 있다. 예컨대 도 2에 도시된 SBL층(17)은 챔버의 압력이 100 torr에서 성장된 경우를 나타낸 것이며, 도 3에 도시된 SBL층(17)은 챔버의 압력이 250 torr에서 성장된 경우를 나타낸 것이며, 도 4에 도시된 SBL층(17)은 챔버의 압력이 400 torr에서 성장된 경우를 나타낸 것이며, 도 5에 도시된 SBL층(17)은 챔버의 압력이 500 torr에서 성장된 경우를 나타낸 것이다. 참고로, 상기 전자차단층(15)은 챔버의 압력이 100torr에서 성장되었다.2 to 5 are atomic force microscope (AFM) images showing grain size of the SBL layer 17 according to the embodiment. For example, the grain size of the SBL layer 17 illustrated in FIGS. 2 to 5 may be differently grown by changing process conditions. For example, the SBL layer 17 shown in FIG. 2 shows a case where the pressure of the chamber is grown at 100 torr, and the SBL layer 17 shown in FIG. 3 shows a case where the pressure of the chamber is grown at 250 torr. 4 shows the case where the pressure of the chamber is grown at 400 torr, and the SBL layer 17 shown in FIG. 5 shows the case where the pressure of the chamber is grown at 500 torr. . For reference, the electron blocking layer 15 was grown at a chamber pressure of 100 torr.

도 2에서 측정된 그레인 크기는 0.407 나노미터이고, 도 3에서 측정된 그레인 크기는 0.563 나노미터이고, 도 4에서 측정된 그레인 크기는 0.748 나노미터이고, 도 5에서 측정된 그레인 크기는 0.761 나노미터이다. 실시 예에 의하면 압력 변화에 의하여 그레인 크기가 변화됨을 알 수 있다. 예컨대 챔버의 압력이 100 torr에서 400 torr로 변화됨에 따라 그레인 크기는 약 0.4 나노미터에서 약 0.7 나노미터로 변화됨을 알 수 있다. 이와 같이 챔버의 압력 변경 등의 공정 조건 조정을 통하여 그레인 크기의 변화를 제어할 수 있다.The grain size measured in FIG. 2 is 0.407 nanometers, the grain size measured in FIG. 3 is 0.563 nanometers, the grain size measured in FIG. 4 is 0.748 nanometers, and the grain size measured in FIG. 5 is 0.761 nanometers. to be. According to the embodiment it can be seen that the grain size is changed by the pressure change. For example, as the pressure of the chamber is changed from 100 torr to 400 torr, it can be seen that the grain size is changed from about 0.4 nanometers to about 0.7 nanometers. As such, the change in grain size may be controlled by adjusting process conditions such as a change in pressure of the chamber.

실시 예에서는 상기 각 조건에서 성장된 발광소자를 이용하여 광도를 측정하였으며, 그 결과는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같다. 도 6은 각 조건에 따라 성장된 발광소자의 광도에 따른 빈도를 나타낸 것이며, 도 7은 각 조건에 따라 성장된 발광소자의 광도 변화를 나타낸 것이다. 여기서, case 1은 상기 SBL층(17)이 챔버 압력이 100 torr에서 성장된 발광소자이고, case 2는 상기 SBL층(17)이 챔버 압력이 250 torr에서 성장된 발광소자이고, case 3은 상기 SBL층(17)이 챔버 압력이 400 torr에서 성장된 발광소자이고, case 4는 상기 SBL층(17)이 챔버 압력이 500 torr에서 성장된 발광소자이다. In the embodiment, the luminous intensity was measured using light emitting devices grown under the above conditions, and the results are shown in FIGS. 6 and 7. Figure 6 shows the frequency according to the brightness of the light emitting device grown according to each condition, Figure 7 shows the change in the brightness of the light emitting device grown according to each condition. In this case, case 1 is a light emitting device in which the SBL layer 17 is grown at a chamber pressure of 100 torr, case 2 is a light emitting device in which the SBL layer 17 is grown at a chamber pressure of 250 torr, and case 3 is a light emitting device. The SBL layer 17 is a light emitting device in which the chamber pressure is grown at 400 torr, and the case 4 is a light emitting device in which the SBL layer 17 is grown at a chamber pressure of 500 torr.

도 2 내지 도 7에 나타낸 바와 같이, 상기 SBL층(17)은 챔버의 압력 변화에 따라 그레인 크기가 변화됨을 알 수 있고, 그레인 크기에 따라 광도가 변화됨을 알 수 있다. 실시 예에 의하면 챔버의 압력이 100 torr에서 500 torr로 증가됨에 따라 그레인 크기는 0.407 나노미터에서 0.761 나노미터로 증가됨을 볼 수 있다. 한편, 그레인 크기 변화에 따른 광도 변화를 보면, case 1부터 case 3까지는 그레인 크기가 증가됨에 따라 광도가 증가 되지만, case 4의 경우에는 그레인 크기가 제일 크지만 광도는 case 3에 비하여 감소됨을 알 수 있다.As shown in FIGS. 2 to 7, the grain size of the SBL layer 17 may be changed according to the pressure change of the chamber, and the brightness may be changed according to the grain size. According to the embodiment, as the pressure in the chamber is increased from 100 torr to 500 torr, the grain size increases from 0.407 nanometers to 0.761 nanometers. On the other hand, when the brightness changes according to the change in grain size, the brightness increases as the grain size increases from case 1 to case 3, but in case 4 the grain size is the largest but the brightness decreases compared to case 3. have.

이는, case 1으로부터 case 3까지는 상기 SBL층(17)의 그레인 크기가 커짐에 따라 상기 활성층(13)으로부터 발광되는 빛이 상기 SBL층(17)을 거치면서 광 경로에 영향이 발생되는 것으로 해석된다. 이에 따라 상기 활성층(13)으로부터 발광 되는 빛이 상기 SBL층(17)을 거치면서 전반사 조건을 벗어나게 되어 외부로 추출될 수 있는 광량이 늘어나고 결과적으로 광 추출 효과를 향상시키는 것으로 해석된다.This is interpreted that from case 1 to case 3, as the grain size of the SBL layer 17 increases, the light emitted from the active layer 13 passes through the SBL layer 17, thereby affecting the optical path. . As a result, the light emitted from the active layer 13 passes through the SBL layer 17 and is out of the total reflection condition, thereby increasing the amount of light that can be extracted to the outside and consequently improving the light extraction effect.

한편, case 4의 경우에는, 상기 SBL층(17)의 그레인 크기 영향만을 고려한다면 광도가 더 커져야 할 것이나, 상기 SBL층(17)의 그레인 크기가 이후 성장되는 상기 제2 도전형 반도체층(19)의 결정성에 영향을 미치게 되고, 그레인 크기가 일정 크기를 넘어서게 되면 상기 제2 도전형 반도체층(19)의 결정 품질에 부정적인 영향을 미치게 되어 오히려 광도가 떨어지게 되는 것으로 해석된다.On the other hand, in case 4, if only considering the effect of the grain size of the SBL layer 17, the brightness should be greater, but the second conductivity-type semiconductor layer 19, the grain size of the SBL layer 17 is subsequently grown ), And the grain size exceeds a certain size, negatively affects the crystal quality of the second conductivity-type semiconductor layer 19, so that the brightness is deteriorated.

또한, 상기 SBL층(17)의 그레인 크기는 일종의 러프니스(roughness)로 해석될 수도 있다. 상기 그레인 크기는 AFM 이미지에서 그레인 영역의 높고 낮음에 따른 정도를 나타낸 것으로 볼 수도 있으며, 상기 SBL층(17) 표면에서의 러프니스 차이에 따라 광 추출 효과가 달라지는 것으로 해석될 수 있다. In addition, the grain size of the SBL layer 17 may be interpreted as a kind of roughness. The grain size may be regarded as indicating the degree of high and low grain area in the AFM image, and the light extraction effect may vary according to the roughness difference on the surface of the SBL layer 17.

실시 예에 의하면, 상기 SBL층(17)은 상기 전자차단층(15)과 같은 물질로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 SBL층(17)과 상기 전자차단층(15)은 p형 AlGaN층으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 전자차단층(15)은 280 옹스트롬 내지 340 옹스트롬의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 SBL층(17)은 60 옹스트롬 내지 100 옹스트롬으 두께로 형성될 수 있다.According to an embodiment, the SBL layer 17 may be formed of the same material as the electron blocking layer 15. For example, the SBL layer 17 and the electron blocking layer 15 may be implemented as a p-type AlGaN layer. For example, the electron blocking layer 15 may be formed to a thickness of 280 angstroms to 340 angstroms, and the SBL layer 17 may be formed to a thickness of 60 angstroms to 100 angstroms.

도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 에너지 준위를 나타낸 도면이다.8 is a view showing the energy level of the light emitting device according to the embodiment.

예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 n형 GaN층으로 구현될 수 있고, 상기 활성층(13)은 복수의 InGaN 우물층/InGaN 장벽층으로 구현될 수 있고, 상기 전자차단층(15)은 p형 AlGaN층으로 구현될 수 있고, 상기 SBL층(17)은 p형 AlGaN층으로 구현될 수 있고, 상기 제2 도전형 반도체층(19)은 p형 GaN층으로 구현될 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 may be implemented as an n-type GaN layer, the active layer 13 may be implemented as a plurality of InGaN well layers / InGaN barrier layers, and the electron blocking layer ( 15) may be implemented as a p-type AlGaN layer, the SBL layer 17 may be implemented as a p-type AlGaN layer, and the second conductive semiconductor layer 19 may be implemented as a p-type GaN layer. .

실시 예에 의하면, 상기 SBL층(17)의 에너지 준위는 상기 활성층(13)의 에너지 준위에 비하여 높게 구현될 수 있다. 또한 상기 SBL층(17)의 에너지 준위는 상기 전자차단층(15)의 에너지 준위와 같게 구현될 수 있다. 상기 활성층(13)을 이루는 복수의 InGaN 우물층은 제1 에너지 준위를 갖도록 구현되고, 상기 활성층(13)을 이루는 복수의 InGaN 장벽층은 제2 에너지 준위를 갖도록 구현될 수 있다.According to an embodiment, the energy level of the SBL layer 17 may be higher than the energy level of the active layer 13. In addition, the energy level of the SBL layer 17 may be implemented to be the same as the energy level of the electron blocking layer 15. The plurality of InGaN well layers forming the active layer 13 may be implemented to have a first energy level, and the plurality of InGaN barrier layers forming the active layer 13 may be implemented to have a second energy level.

또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자는 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결된 제1 전극과 상기 제2 도전형 반도체층(19)에 전기적으로 연결된 제2 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 발광소자는 수직형 발광소자로 구현될 수 있으며 또한 수평형 발광소자로 구현될 수도 있다.According to an embodiment, the light emitting device may further include a first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer 11 and a second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer 19. Can be. The light emitting device may be implemented as a vertical light emitting device, or may be implemented as a horizontal light emitting device.

도 9는 실시 예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.9 is a view illustrating a light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiment is applied.

도 9를 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함한다.9, the light emitting device package according to the embodiment includes a body 120, a first lead electrode 131 and a second lead electrode 132 disposed on the body 120, and the body 120. The light emitting device 100 according to the embodiment, which is provided to and electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132, and the molding member 140 surrounding the light emitting device 100. Include.

상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 120 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and the inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 are electrically separated from each other to provide power to the light emitting device 100. The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100 and the heat generated from the light emitting device 100 To the outside.

상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 120 or may be disposed on the first lead electrode 131 or the second lead electrode 132.

상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 by a wire, flip chip or die bonding method.

상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 140 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 140 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting devices or light emitting device packages according to the embodiments may be arrayed on a substrate, and a lens, a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, etc., which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. The light unit may be implemented as a top view or a side view type and may be provided in a display device such as a portable terminal and a notebook computer, or may be variously applied to a lighting device and a pointing device. Still another embodiment may be embodied as a lighting device including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting device may include a lamp, a streetlight, an electric signboard, and a headlight.

실시 예에 따른 발광소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 10 및 도 11에 도시된 표시 장치, 도 12에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다. The light emitting device according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and may include the display apparatus shown in Figs. 10 and 11, and the illumination apparatus shown in Fig.

도 10을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.10, a display device 1000 according to an embodiment includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, and a reflection member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, a light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflection member 1022 But is not limited to, a bottom cover 1011.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 1031 may be provided, and light may be provided directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device or a light emitting device package 200 according to the embodiment described above. The light emitting device package 200 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern. However, the substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto. When the light emitting device package 200 is provided on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted such that the light emitting surface of the light emitting device package 200 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device package 200 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and / or vertical prism sheet focuses the incident light into the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041) 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 11은 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다. 11 is a view showing another example of the display device according to the embodiment.

도 11을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 11, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the above-described light emitting device 100 is arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The substrate 1020 and the light emitting device package 200 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, and light condensation of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 12는 실시 예에 따른 조명장치의 사시도이다.12 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 12를 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12, the lighting device 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, and a connection terminal installed in the case 1510 and receiving power from an external power source. 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having good heat dissipation, and may be formed of, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 제공되는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 복수 개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격 되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device or a light emitting device package 200 according to an embodiment provided on the substrate 1532. The plurality of light emitting device packages 200 may be arranged in a matrix form or spaced apart at predetermined intervals.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrates and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that reflects light efficiently, or a surface may be coated with a color, for example, white or silver, in which the light is efficiently reflected.

상기 기판(1532)에는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 LED(Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 200 may be disposed on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a colored light emitting diode emitting red, green, blue or white colored light, and a UV emitting diode emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 200 to obtain color and luminance. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

실시 예는 발광소자가 패키징된 후 상기 기판에 탑재되어 발광 모듈로 구현되거나, LED 칩 형태로 탑재되어 패키징하여 발광 모듈로 구현될 수 있다. According to the embodiment, the light emitting device may be packaged and mounted on the substrate to be implemented as a light emitting module, or may be mounted and packaged as an LED chip to be implemented as a light emitting module.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

11: 제1 도전형 반도체층 13: 활성층
15: 전자차단층 17: SBL층
19: 제2 도전형 반도체층11: first conductive semiconductor layer 13: active layer
15: electron blocking layer 17: SBL layer
19: second conductive type semiconductor layer

Claims (11)

제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 위에 활성층;
상기 활성층 위에 전자차단층;
상기 전자차단층 위에 배치되며 상기 전자차단층으로부터의 거리에 따라 그레인 크기가 변화되는 SBL층;
상기 SBL층 위에 제2 도전형 반도체층;
을 포함하는 발광소자.A first conductive semiconductor layer;
An active layer on the first conductive semiconductor layer;
An electron blocking layer on the active layer;
An SBL layer disposed on the electron blocking layer and having a grain size changed according to a distance from the electron blocking layer;
A second conductivity type semiconductor layer on the SBL layer;
. 제1항에 있어서,
상기 SBL층은 상기 전자차단층으로부터 멀어질수록 그레인 크기가 점진적으로 증가 되는 발광소자.The method of claim 1,
The SBL layer has a grain size gradually increases as the SBL layer moves away from the electron blocking layer. 제1항에 있어서,
상기 SBL층은 상기 전자차단층으로부터 멀어질수록 그레인 크기가 단계적으로 증가 되는 발광소자.The method of claim 1,
The SBL layer has a grain size stepwise increases as the SBL layer moves away from the electron blocking layer. 제1항에 있어서,
상기 SBL층은 p형 AlGaN층인 발광소자.The method of claim 1,
The SBL layer is a p-type AlGaN layer light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 SBL층은 그레인 크기가 0.4 나노미터에서 0.7 나노미터로 변화되는 발광소자.The method of claim 1,
The SBL layer has a grain size of 0.4 nanometers to 0.7 nanometers. 제1항에 있어서,
상기 전자차단층은 상기 SBL층과 같은 물질로 형성된 발광소자.The method of claim 1,
The electron blocking layer is formed of the same material as the SBL layer. 제1항에 있어서,
상기 활성층은 복수의 InGaN 우물층/InGaN 장벽층을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The active layer includes a plurality of InGaN well layers / InGaN barrier layer. 제7항에 있어서,
상기 복수의 InGaN 우물층은 제1 에너지 준위를 갖고, 상기 복수의 InGaN 장벽층은 제2 에너지 준위를 갖는 발광소자.The method of claim 7, wherein
Wherein the plurality of InGaN well layers has a first energy level, and the plurality of InGaN barrier layers have a second energy level. 제7항에 있어서,
상기 SBL층의 에너지 준위는 상기 활성층의 에너지 준위에 비하여 높은 발광소자.The method of claim 7, wherein
The energy level of the SBL layer is higher than the energy level of the active layer. 몸체;
상기 몸체 위에 배치되며, 제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 의한 발광소자;
상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극;
을 포함하는 발광소자 패키지.Body;
A light emitting element disposed on the body and according to any one of claims 1 to 9;
A first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting device;
Emitting device package. 기판;
상기 기판 위에 배치되며, 제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 의한 발광소자;
상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재;
를 포함하는 라이트 유닛.Board;
A light emitting device disposed on the substrate and according to any one of claims 1 to 9;
An optical member through which light provided from the light emitting device passes;
Light unit comprising a.
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