KR101897059B1 - Light emitting device, light emitting device package, and light unit - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광소자는, 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 위에 상기 제2 반도체층의 제1 영역을 노출시키는 제3 반도체층을 포함하는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함하고, 상기 제2 반도체층은 상기 제1 영역에 의하여 분리된 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 반도체층의 제2 영역 위에 배치되고, 상기 활성층은 상기 제2 반도체층의 제3 영역 위에 배치된다.A light emitting device according to an embodiment includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer over the first semiconductor layer, and a third semiconductor layer over the second semiconductor layer, the third semiconductor layer exposing a first region of the second semiconductor layer. 1 conductivity type semiconductor layer; An active layer on the first conductive semiconductor layer; A second conductive semiconductor layer on the active layer; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; Wherein the second semiconductor layer includes a second region and a third region separated by the first region and the first electrode is disposed over a second region of the second semiconductor layer, And is disposed over the third region of the second semiconductor layer.

Description

발광소자, 발광소자 패키지, 및 라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHT UNIT}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device, a light emitting device package,

실시 예는 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit.

발광소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 자외선과 같은 빛의 형태로 변환한다.Light emitting diodes (LEDs) are widely used as light emitting devices. Light emitting diodes convert electrical signals into light, such as infrared, visible, and ultraviolet, using the properties of compound semiconductors.

발광소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 발광소자가 적용되고 있다.As the light efficiency of a light emitting device is increased, a light emitting device is applied to various fields including a display device and a lighting device.

실시 예는 캐리어 흐름이 집중되는 것을 방지하고 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛을 제공한다. Embodiments provide a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit that can prevent concentration of carrier flow and improve light extraction efficiency.

실시 예에 따른 발광소자는, 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 위에 상기 제2 반도체층의 제1 영역을 노출시키는 제3 반도체층을 포함하는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함하고, 상기 제2 반도체층은 상기 제1 영역에 의하여 분리된 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 반도체층의 제2 영역 위에 배치되고, 상기 활성층은 상기 제2 반도체층의 제3 영역 위에 배치된다.A light emitting device according to an embodiment includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer over the first semiconductor layer, and a third semiconductor layer over the second semiconductor layer, the third semiconductor layer exposing a first region of the second semiconductor layer. 1 conductivity type semiconductor layer; An active layer on the first conductive semiconductor layer; A second conductive semiconductor layer on the active layer; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; Wherein the second semiconductor layer includes a second region and a third region separated by the first region and the first electrode is disposed over a second region of the second semiconductor layer, And is disposed over the third region of the second semiconductor layer.

실시 예에 따른 발광소자는, 캐리어 채널층; 상기 캐리어 채널층의 제1 영역 위에 제1 도전형의 제1 반도체층; 상기 캐리어 채널층의 제2 영역 위에 제1 도전형의 제2 반도체층; 상기 제2 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 제2 도전형의 제3 반도체층; 상기 제1 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제3 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes: a carrier channel layer; A first semiconductor layer of a first conductivity type on a first region of the carrier channel layer; A second semiconductor layer of a first conductivity type over a second region of the carrier channel layer; An active layer on the second semiconductor layer; A third semiconductor layer of a second conductivity type on the active layer; A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the third semiconductor layer; .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극; 을 포함하고, 상기 발광소자는, 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 위에 상기 제2 반도체층의 제1 영역을 노출시키는 제3 반도체층을 포함하는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함하고, 상기 제2 반도체층은 상기 제1 영역에 의하여 분리된 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 반도체층의 제2 영역 위에 배치되고, 상기 활성층은 상기 제2 반도체층의 제3 영역 위에 배치된다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body; A light emitting element disposed on the body; A first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting element; Wherein the light emitting element includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer over the first semiconductor layer, and a third semiconductor layer over the second semiconductor layer to expose a first region of the second semiconductor layer A first conductive semiconductor layer; An active layer on the first conductive semiconductor layer; A second conductive semiconductor layer on the active layer; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; Wherein the second semiconductor layer includes a second region and a third region separated by the first region and the first electrode is disposed over a second region of the second semiconductor layer, And is disposed over the third region of the second semiconductor layer.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극; 을 포함하고, 상기 발광소자는, 캐리어 채널층; 상기 캐리어 채널층의 제1 영역 위에 제1 도전형의 제1 반도체층; 상기 캐리어 채널층의 제2 영역 위에 제1 도전형의 제2 반도체층; 상기 제2 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 제2 도전형의 제3 반도체층; 상기 제1 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제3 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body; A light emitting element disposed on the body; A first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting element; The light emitting device comprising: a carrier channel layer; A first semiconductor layer of a first conductivity type on a first region of the carrier channel layer; A second semiconductor layer of a first conductivity type over a second region of the carrier channel layer; An active layer on the second semiconductor layer; A third semiconductor layer of a second conductivity type on the active layer; A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the third semiconductor layer; .

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자는 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 위에 상기 제2 반도체층의 제1 영역을 노출시키는 제3 반도체층을 포함하는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함하고, 상기 제2 반도체층은 상기 제1 영역에 의하여 분리된 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 반도체층의 제2 영역 위에 배치되고, 상기 활성층은 상기 제2 반도체층의 제3 영역 위에 배치된다.A light unit according to an embodiment includes a substrate; A light emitting element disposed on the substrate; An optical member through which the light provided from the light emitting element passes; Wherein the light emitting device includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer over the first semiconductor layer, and a third semiconductor layer over the second semiconductor layer to expose a first region of the second semiconductor layer, 1 conductivity type semiconductor layer; An active layer on the first conductive semiconductor layer; A second conductive semiconductor layer on the active layer; A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the second conductive semiconductor layer; Wherein the second semiconductor layer includes a second region and a third region separated by the first region and the first electrode is disposed over a second region of the second semiconductor layer, And is disposed over the third region of the second semiconductor layer.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자는, 캐리어 채널층; 상기 캐리어 채널층의 제1 영역 위에 제1 도전형의 제1 반도체층; 상기 캐리어 채널층의 제2 영역 위에 제1 도전형의 제2 반도체층; 상기 제2 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 제2 도전형의 제3 반도체층; 상기 제1 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 제3 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 을 포함한다.A light unit according to an embodiment includes a substrate; A light emitting element disposed on the substrate; An optical member through which the light provided from the light emitting element passes; The light emitting device comprising: a carrier channel layer; A first semiconductor layer of a first conductivity type on a first region of the carrier channel layer; A second semiconductor layer of a first conductivity type over a second region of the carrier channel layer; An active layer on the second semiconductor layer; A third semiconductor layer of a second conductivity type on the active layer; A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer; A second electrode electrically connected to the third semiconductor layer; .

실시 예에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛은 캐리어 흐름이 집중되는 것을 방지하고 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The light emitting device, the light emitting device package, and the light unit according to the embodiments have an advantage that the carrier flow can be prevented from being concentrated and the light extraction efficiency can be improved.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 3은 실시 예에 따른 발광소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 따른 발광소자의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 7은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.
2 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment.
3 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment.
4 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment.
5 is a view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
6 is a view showing a display device according to an embodiment.
7 is a view showing another example of the display device according to the embodiment.
8 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(10), 활성층(14), 제2 도전형 반도체층(15), 제1 전극(17), 제2 전극(18)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(10), 상기 활성층(14), 상기 제2 도전형 반도체층(15)은 발광구조물로 정의될 수 있다. 상기 활성층(14)은 상기 제1 도전형 반도체층(10)과 상기 제2 도전형 반도체층(15) 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층(14)은 상기 제1 도전형 반도체층(10) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(15)은 상기 활성층(14) 위에 배치될 수 있다.1, the light emitting device according to the embodiment includes a first conductivity type semiconductor layer 10, an active layer 14, a second conductivity type semiconductor layer 15, a first electrode 17, (18). The first conductive semiconductor layer 10, the active layer 14, and the second conductive semiconductor layer 15 may be defined as a light emitting structure. The active layer 14 may be disposed between the first conductive semiconductor layer 10 and the second conductive semiconductor layer 15. The active layer 14 may be disposed on the first conductive semiconductor layer 10. The second conductivity type semiconductor layer 15 may be disposed on the active layer 14.

상기 제1 도전형 반도체층(10)은 기판(5) 위에 형성될 수 있다. 상기 기판(5)은 예로서 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. The first conductive semiconductor layer 10 may be formed on the substrate 5. At least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP and Ge can be used as the substrate 5.

예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(10)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(15)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(10)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(15)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다. For example, the first conductivity type semiconductor layer 10 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 15 is formed of an n- Type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. Also, the first conductive semiconductor layer 10 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 15 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(10)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(10)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(10)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 10 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 10 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Can be implemented. The first conductive semiconductor layer 10 may be selected from among GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, An n-type dopant such as Se or Te can be doped.

상기 활성층(14)은 상기 제1 도전형 반도체층(10)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(15)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(14)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(14)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer 10 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 15 meet with each other in the active layer 14, And is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material of the active layer 14. [ The active layer 14 may be formed of any one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, and a quantum well structure. However, the present invention is not limited thereto.

상기 활성층(14)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(14)이 상기 다중 양자 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(14)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.The active layer 14 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? have. When the active layer 14 is implemented in the multiple quantum well structure, the active layer 14 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers, for example, an InGaN well layer / GaN barrier layer . ≪ / RTI >

상기 제2 도전형 반도체층(15)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(15)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(15)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 15 may be, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 15 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Can be implemented. The second conductive semiconductor layer 15 may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, A p-type dopant such as Sr, Ba or the like may be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(10)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(15)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(15) 위에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 배치될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(10) 및 상기 제2 도전형 반도체층(15) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 제공될 수 있다. 즉, 상기 제1 발광구조물의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductivity type semiconductor layer 10 may include a p-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 15 may include an n-type semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further disposed on the second conductivity type semiconductor layer 15. Accordingly, the light emitting structure may have at least one of np, pn, npn, and pnp junction structures. In addition, doping concentrations of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 10 and the second conductivity type semiconductor layer 15 can be uniformly or nonuniformly provided. That is, the structure of the first light emitting structure may be variously formed, but is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(10)과 상기 활성층(14) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 제공될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(15)과 상기 활성층(14) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 배치될 수도 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(10)과 상기 기판(5) 사이에는 버퍼층이 더 제공될 수도 있다. 예로서, 상기 버퍼층으로 언도프드 GaN층이 적용될 수 있다.In addition, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be provided between the first conductive semiconductor layer 10 and the active layer 14. A second conductivity type AlGaN layer may be disposed between the second conductivity type semiconductor layer 15 and the active layer 14. A buffer layer may further be provided between the first conductivity type semiconductor layer 10 and the substrate 5. As an example, an undoped GaN layer may be applied to the buffer layer.

상기 제1 도전형 반도체층(10)은 복수의 층으로 구현될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(10)은 제1 반도체층(11), 제2 반도체층(12), 제3 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체층(11)은 상기 기판(5) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 반도체층(12)은 상기 제1 반도체층(11) 위에 배치될 수 있다. 상기 제3 반도체층(13)은 상기 제2 반도체층(12) 위에 배치될 수 있으며, 상기 제2 반도체층(12)의 제1 영역을 노출시킬 수 있다. 상기 제3 반도체층(13)은 상기 제2 반도체층(12)의 제2 영역 위에 배치된 제1 부분(13a)과 상기 제2 반도체층(12)의 제3 영역 위에 배치된 제2 부분(13b)을 포함할 수 있다. 상기 제2 반도체층(12)은 상기 제3 반도체층(13)에 의하여 노출된 제1 영역과, 상기 제1 영역에 의하여 분리된 제2 영역 및 제3 영역을 포함할 수 있다. The first conductive semiconductor layer 10 may be formed of a plurality of layers. For example, the first conductive semiconductor layer 10 may include a first semiconductor layer 11, a second semiconductor layer 12, and a third semiconductor layer 13. The first semiconductor layer 11 may be disposed on the substrate 5. The second semiconductor layer 12 may be disposed on the first semiconductor layer 11. The third semiconductor layer 13 may be disposed on the second semiconductor layer 12 and may expose a first region of the second semiconductor layer 12. The third semiconductor layer 13 includes a first portion 13a disposed on the second region of the second semiconductor layer 12 and a second portion 13b disposed on the third region of the second semiconductor layer 12 13b. The second semiconductor layer 12 may include a first region exposed by the third semiconductor layer 13 and a second region and a third region separated by the first region.

상기 제2 반도체층(12)의 노출 구조는 건식 식각 또는 습식 식각을 통하여 수행될 수 있다. 또한 상기 제2 반도체층(12)의 노출 구조는 광전기화학식각(photo electro chemical etching)에 의하여 수행될 수도 있다. 이때, 상기 제2 반도체층(12)의 조성이 상기 제3 반도체층(13)의 조성과 다른 경우, 상기 제2 반도체층(12)은 일종의 식각 스토퍼(etching stopper)의 기능을 수행할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 반도체층(12)은 상기 활성층(14)의 하부면으로부터 1 마이크로 미터 내지 2 마이크로 미터 이격되어 배치될 수 있다.The exposed structure of the second semiconductor layer 12 may be performed by dry etching or wet etching. Also, the exposed structure of the second semiconductor layer 12 may be performed by photoelectrochemical etching. At this time, when the composition of the second semiconductor layer 12 is different from the composition of the third semiconductor layer 13, the second semiconductor layer 12 may function as an etching stopper . For example, the second semiconductor layer 12 may be disposed at a distance of 1 micrometer to 2 micrometers from the lower surface of the active layer 14.

상기 제1 반도체층(11), 상기 제2 반도체층(12), 상기 제3 반도체층(13)은 서로 다른 조성으로 구현될 수도 있다. 또한 상기 제1 반도체층(11), 상기 제2 반도체층(12), 상기 제3 반도체층(13)은 동일 조성으로 구현될 수도 있다. 또한 상기 제1 반도체층(11), 상기 제2 반도체층(12), 상기 제3 반도체층(13)은 서로 다른 도핑 물질 및 도핑 농도를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 반도체층(11), 상기 제2 반도체층(12), 상기 제3 반도체층(13)은 서로 다른 캐리어 전달 속도를 가질 수 있다.The first semiconductor layer 11, the second semiconductor layer 12, and the third semiconductor layer 13 may have different compositions. The first semiconductor layer 11, the second semiconductor layer 12, and the third semiconductor layer 13 may have the same composition. In addition, the first semiconductor layer 11, the second semiconductor layer 12, and the third semiconductor layer 13 may include different doping materials and doping concentrations. Accordingly, the first semiconductor layer 11, the second semiconductor layer 12, and the third semiconductor layer 13 may have different carrier transfer rates.

실시 예에 의하면, 상기 제2 반도체층(12)에서의 캐리어 전달 속도가 상기 제3 반도체층(13)에서의 캐리어 전달 속도에 비하여 더 빠르게 구현할 수 있다. 상기 제2 반도체층(12)은 캐리어 채널층으로 지칭될 수도 있다. 예컨대, 상기 제2 반도체층(12)의 도핑 농도가 상기 제3 반도체층(13)의 도핑 농도에 비하여 더 높도록 구현할 수 있다. 예컨대, 상기 제2 반도체층(12)의 도핑 농도는 low × 1016 ~ high × 1019의 도핑 농도로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2 반도체층(12)은 , AlN층, AlGaN층 또는 InGaN층으로 구현되고, 상기 제3 반도체층(13)은 GaN층으로 구현될 수도 있다. 실시 예에 따른 상기 제2 반도체층(12) 및 상기 제3 반도체층(13)은 다양한 조성 및 도핑 농도를 갖도록 변형될 수 있다.According to the embodiment, the carrier transfer speed in the second semiconductor layer 12 can be realized faster than the carrier transfer speed in the third semiconductor layer 13. The second semiconductor layer 12 may be referred to as a carrier channel layer. For example, the doping concentration of the second semiconductor layer 12 may be higher than the doping concentration of the third semiconductor layer 13. For example, the doping concentration of the second semiconductor layer 12 may be a doping concentration of low x 10 16 to high x 10 19 . The second semiconductor layer 12 may be an AlN layer, an AlGaN layer, or an InGaN layer, and the third semiconductor layer 13 may be a GaN layer. The second semiconductor layer 12 and the third semiconductor layer 13 according to the embodiment may be modified to have various compositions and doping concentrations.

상기 제1 도전형 반도체층의 제3 반도체층(13) 위에 제1 전극(17)이 배치될 수 있으며, 상기 제2 도전형 반도체층(15) 위에 제2 전극(18)이 배치될 수 있다. 상기 제2 반도체층(12)은 상기 제3 반도체층(13)에 의하여 노출된 제1 영역과, 상기 제1 영역에 의하여 분리된 제2 영역 및 제3 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(17)은 상기 제2 반도체층(12)의 제2 영역 위에 배치될 수 있다. 상기 활성층(14)은 상기 제2 반도체층(12)의 제3 영역 위에 배치될 수 있다.The first electrode 17 may be disposed on the third semiconductor layer 13 of the first conductive semiconductor layer and the second electrode 18 may be disposed on the second conductive semiconductor layer 15 . The second semiconductor layer 12 may include a first region exposed by the third semiconductor layer 13 and a second region and a third region separated by the first region. The first electrode 17 may be disposed on a second region of the second semiconductor layer 12. The active layer 14 may be disposed on a third region of the second semiconductor layer 12.

상기 제1 전극(17) 및 상기 제2 전극(18)은 예컨대 Cr, Ti, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf, V 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(17) 및 상기 제2 전극(18)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 제1 전극(17) 및 상기 제2 전극(18)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, Ag-Cu 합금, IrOx, RuOx, NiO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The first electrode 17 and the second electrode 18 may be formed of at least one of Cr, Ti, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf, Or a metal or an alloy containing one of them. The first electrode 17 and the second electrode 18 may be formed of a metal or an alloy of ITO (Indium-Tin-Oxide), IZO (Indium-Zinc-Oxide), IZTO (Indium-Zinc-Tin-Oxide) ), IZO (Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO Oxide) or the like may be used. For example, in the embodiment, the first electrode 17 and the second electrode 18 include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, Ag-Cu alloy, IrOx, RuOx, can do.

실시 예에 의하면, 상기 제1 전극(17) 및 상기 제2 전극(18)은 다층 구조로 구현될 수도 있다. 상기 제1 전극(17) 및 상기 제2 전극(18)은 오믹접촉층, 중간층, 상부층으로 구현될 수 있다. 상기 오믹접촉층은 Cr, V, W, Ti, Zn 등에서 선택된 물질을 포함하여 오믹 접촉을 구현할 수 있다. 상기 중간층은 Ni, Cu, Al 등에서 선택된 물질로 구현될 수 있다. 상기 상부층은 예컨대 Au를 포함할 수 있다.According to the embodiment, the first electrode 17 and the second electrode 18 may have a multi-layer structure. The first electrode 17 and the second electrode 18 may be formed of an ohmic contact layer, an intermediate layer, and an upper layer. The ohmic contact layer may include a material selected from the group consisting of Cr, V, W, Ti, and Zn to realize ohmic contact. The intermediate layer may be formed of a material selected from Ni, Cu, Al, and the like. The upper layer may comprise, for example, Au.

상기 제1 전극(17) 및 상기 제2 전극(18)에 전원이 제공됨에 따라, 상기 발광구조물로부터 빛이 제공될 수 있게 된다. 상기 제1 전극(17) 및 상기 제2 전극(18)에 전원이 제공되면 상기 제1 도전형 반도체층(13) 및 상기 제2 도전형 반도체층(15)에서 캐리어 이동이 발생된다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 전극(17)에 전원이 제공되면 상기 제2 반도체층(12)을 통하여 캐리어 전달이 발생된다. 이때, 상기 제2 반도체층(12)에서의 캐리어 전달 속도가 상기 제3 반도체층(13)에서의 캐리어 전달 속도에 비하여 빠르므로, 상기 제2 반도체층(12)을 통하여 캐리어 전달이 원활하게 진행될 수 있게 된다. 이에 따라 상기 제2 반도체층(12)을 통하여 상기 제1 전극(17)에 가까운 영역뿐만 아니라, 상기 제1 전극(17)이 위치된 영역의 반대 방향에 있는 상기 제2 반도체층(12)의 끝단까지 캐리어 전달이 원활하게 수행될 수 있게 된다. 이에 따라, 캐리어가 상기 제2 반도체층(12) 및 상기 제3 반도체층(13) 전체 영역에 스프레딩 될 수 있게 되고, 상기 제3 반도체층(13)이 일부 영역에 캐리어가 집중되는 것을 방지할 수 있게 된다. 이에 따라 상기 발광소자가 열화되는 것을 방지할 수 있게 되며, 발광소자를 효율적으로 이용할 수 있게 된다.As power is supplied to the first electrode 17 and the second electrode 18, light can be provided from the light emitting structure. When power is supplied to the first electrode 17 and the second electrode 18, carrier movement occurs in the first conductivity type semiconductor layer 13 and the second conductivity type semiconductor layer 15. According to the embodiment, when power is supplied to the first electrode 17, carrier transfer is generated through the second semiconductor layer 12. At this time, since the carrier transfer speed in the second semiconductor layer 12 is faster than the carrier transfer speed in the third semiconductor layer 13, carrier transfer smoothly proceeds through the second semiconductor layer 12 . The first semiconductor layer 12 and the second semiconductor layer 12 are formed on the second semiconductor layer 12 in the direction opposite to the region where the first electrode 17 is located, The carrier can be smoothly transferred to the end. As a result, the carriers can be spread over the entire area of the second semiconductor layer 12 and the third semiconductor layer 13, and the carriers can be prevented from being concentrated in some areas of the third semiconductor layer 13 . As a result, the light emitting device can be prevented from being deteriorated, and the light emitting device can be efficiently used.

한편, 상기 발광구조물 위에 보호층이 더 배치될 수 있다. 상기 보호층은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 보호층은 상기 발광구조물의 둘레에도 제공될 수 있다. On the other hand, a protective layer may be further disposed on the light emitting structure. The protective layer may be formed of an oxide or a nitride. The protective layer is, for example, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 . The protective layer may be provided around the light emitting structure.

도 2는 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 2에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 2 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment. In the following description of the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 2, a description of the parts overlapping with those described with reference to FIG. 1 will be omitted.

실시 예에 의하면, 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 측면이 경사지게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 상부 폭이 하부 폭에 비하여 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 상부에서 하부로 경사지게 형성될 수 있다. 상기 활성층(14)의 측면도 경사지게 제공될 수 있다. 상기 활성층(15)의 상부 폭이 하부 폭에 비하여 더 넓게 제공될 수 있다. 또한 상기 제3 반도체층(13)의 측면도 경사지게 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물 내에서 진행되는 빛이 외부로 보다 효과적으로 추출될 수 있게 된다.According to the embodiment, the side surface of the second conductivity type semiconductor layer 15 may be provided at an angle. The top width of the second conductivity type semiconductor layer 15 may be wider than the bottom width. And may be formed to be inclined downward from the upper portion of the second conductive type semiconductor layer 15. The side surface of the active layer 14 may also be provided at an angle. The upper width of the active layer 15 may be wider than the lower width. Also, the side surfaces of the third semiconductor layer 13 may be inclined. As a result, the light traveling in the light emitting structure can be extracted more effectively.

상기 발광구조물의 경사 구조는 건식 식각 또는 습식 식각을 통하여 수행될 수 있다. 또한 상기 발광구조물의 경사 구조는 광전기화학식각(photo electro chemical etching)에 의하여 수행될 수도 있다. The inclined structure of the light emitting structure may be performed by dry etching or wet etching. In addition, the inclined structure of the light emitting structure may be performed by photo electrochemical etching.

도 3은 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 3에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 3 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment. In the following description of the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 3, a description of a portion overlapping with the portion described with reference to FIG. 1 will be omitted.

실시 예에 의하면, 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 측면이 경사지게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 상부 폭이 하부 폭에 비하여 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 상부에서 하부로 경사지게 형성될 수 있다. 상기 활성층(14)의 측면도 경사지게 제공될 수 있다. 상기 활성층(15)의 상부 폭이 하부 폭에 비하여 더 넓게 제공될 수 있다. 또한 상기 제3 반도체층(13)의 측면도 경사지게 제공될 수 있다. 실시 예에 의하면, 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 측면에 광 추출 패턴(16)이 제공될 수 있다. 상기 광 추출 패턴(16)은 러프니스 또는 요철 구조일 수 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물 내에서 진행되는 빛이 외부로 보다 효과적으로 추출될 수 있게 된다.According to the embodiment, the side surface of the second conductivity type semiconductor layer 15 may be provided at an angle. The top width of the second conductivity type semiconductor layer 15 may be wider than the bottom width. And may be formed to be inclined downward from the upper portion of the second conductive type semiconductor layer 15. The side surface of the active layer 14 may also be provided at an angle. The upper width of the active layer 15 may be wider than the lower width. Also, the side surfaces of the third semiconductor layer 13 may be inclined. According to the embodiment, the light extracting pattern 16 may be provided on the side surface of the second conductive type semiconductor layer 15. The light extracting pattern 16 may have a roughness or irregular structure. As a result, the light traveling in the light emitting structure can be extracted more effectively.

상기 발광구조물의 경사 구조는 건식 식각 또는 습식 식각을 통하여 수행될 수 있다. 또한 상기 발광구조물의 경사 구조는 광전기화학식각(photo electro chemical etching)에 의하여 수행될 수도 있다. The inclined structure of the light emitting structure may be performed by dry etching or wet etching. In addition, the inclined structure of the light emitting structure may be performed by photo electrochemical etching.

또한 상기 제2 도전형 반도체층(15) 위에 투명전극(19)이 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 제2 전극(19)에 전원이 인가되면, 상기 투명전극(19)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(15)에 캐리어가 잘 확산될 수 있게 된다. 상기 투명전극(19)은, 예를 들어 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 구현될 수 있다.A transparent electrode 19 may be disposed on the second conductive type semiconductor layer 15. Accordingly, when power is applied to the second electrode 19, carriers can be diffused to the second conductive type semiconductor layer 15 through the transparent electrode 19. The transparent electrode 19 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), or indium aluminum nitride oxide (IAZO) (IGTO), IGTO (Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO (Aluminum-Zinc-Oxide) and ATO (Antimony-Tin-Oxide) .

도 4는 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 4에 도시된 실시 예에 따른 발광소자를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 4 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment. In the following description of the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 4, the overlapping parts with those described with reference to FIG. 1 will not be described.

실시 예에 의하면, 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 측면이 경사지게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 상부 폭이 하부 폭에 비하여 더 넓게 제공될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(15)의 상부에서 하부로 경사지게 형성될 수 있다. 상기 활성층(14)의 측면도 경사지게 제공될 수 있다. 상기 활성층(15)의 상부 폭이 하부 폭에 비하여 더 넓게 제공될 수 있다. 또한 상기 제3 반도체층(13)의 측면도 경사지게 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물 내에서 진행되는 빛이 외부로 보다 효과적으로 추출될 수 있게 된다.According to the embodiment, the side surface of the second conductivity type semiconductor layer 15 may be provided at an angle. The top width of the second conductivity type semiconductor layer 15 may be wider than the bottom width. And may be formed to be inclined downward from the upper portion of the second conductive type semiconductor layer 15. The side surface of the active layer 14 may also be provided at an angle. The upper width of the active layer 15 may be wider than the lower width. Also, the side surfaces of the third semiconductor layer 13 may be inclined. As a result, the light traveling in the light emitting structure can be extracted more effectively.

상기 발광구조물의 경사 구조는 건식 식각 또는 습식 식각을 통하여 수행될 수 있다. 또한 상기 발광구조물의 경사 구조는 광전기화학식각(photo electro chemical etching)에 의하여 수행될 수도 있다. The inclined structure of the light emitting structure may be performed by dry etching or wet etching. In addition, the inclined structure of the light emitting structure may be performed by photo electrochemical etching.

실시 예에 의하면, 상기 제3 반도체층(13)은 제1 부분(13a), 제2 부분(13b), 제3 부분(13c)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(13a)과 상기 제2 부분(13b)은 상기 제3 부분(13c)을 통하여 연결될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 전극(17)을 통하여 전원이 인가되면, 캐리어는 상기 제2 반도체층(12)과 상기 제3 반도체층(13)을 통하여 전파될 수 있게 된다. 이때, 상기 제3 반도체층(13)에 비하여 상기 제2 반도체층(12)의 캐리어 전달 속도가 더 빠르게 구현되므로, 상기 제2 반도체층(12)을 통한 캐리어 전달이 더 빠르게 진행될 수 있다. 이에 따라 상기 제2 반도체층(12)을 통하여 캐리어가 발광구조물의 전체 영역에 확산될 수 있게 된다.According to the embodiment, the third semiconductor layer 13 may include a first portion 13a, a second portion 13b, and a third portion 13c. The first portion 13a and the second portion 13b may be connected through the third portion 13c. Accordingly, when the power is applied through the first electrode 17, the carriers can be propagated through the second semiconductor layer 12 and the third semiconductor layer 13. At this time, since the carrier transfer speed of the second semiconductor layer 12 is faster than that of the third semiconductor layer 13, the carrier transfer through the second semiconductor layer 12 can proceed more quickly. Thus, carriers can be diffused into the entire region of the light emitting structure through the second semiconductor layer 12.

예컨대, 상기 제2 반도체층(12)은 상기 활성층(14)의 하부면으로부터 1 마이크로 미터 내지 2 마이크로 미터 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 식각 깊이는 상기 활성층(14)의 하부면으로부터 0.5 마이크로 미터 내지 1.5 마이크로 미터로 구현될 수 있다.For example, the second semiconductor layer 12 may be disposed at a distance of 1 micrometer to 2 micrometers from the lower surface of the active layer 14. In addition, the etching depth may be 0.5 to 1.5 micrometers from the bottom surface of the active layer 14.

도 5는 실시 예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.5 is a view illustrating a light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiment is applied.

도 5를 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함한다.5, a light emitting device package according to an embodiment includes a body 120, a first lead electrode 131 and a second lead electrode 132 disposed on the body 120, And a molding member 140 surrounding the light emitting device 100. The first and second lead electrodes 131 and 132 are electrically connected to the first and second lead electrodes 131 and 132, .

상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 120 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and the inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 are electrically separated from each other to provide power to the light emitting device 100. The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100 and the heat generated from the light emitting device 100 To the outside.

상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 120 or may be disposed on the first lead electrode 131 or the second lead electrode 132.

상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 by a wire, flip chip or die bonding method.

상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 140 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 140 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting devices or light emitting device packages according to the embodiments may be arrayed on a substrate, and a lens, a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, etc., which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. The light unit may be implemented as a top view or a side view type and may be provided in a display device such as a portable terminal and a notebook computer, or may be variously applied to a lighting device and a pointing device. Still another embodiment may be embodied as a lighting device including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting device may include a lamp, a streetlight, an electric signboard, and a headlight.

실시 예에 따른 발광소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 6 및 도 7에 도시된 표시 장치, 도 8에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다. The light emitting device according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and may include the display apparatus shown in Figs. 6 and 7, and the illumination apparatus shown in Fig.

도 6을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.6, a display device 1000 according to an embodiment includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, and a reflection member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflection member 1022 But is not limited to, a bottom cover 1011.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 1031 may be provided, and light may be provided directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device 100 according to the embodiment described above. The light emitting devices 100 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern. However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like. When the light emitting device 100 is provided on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광소자(100)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(100)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting devices 100 may be mounted such that the light emitting surface of the light emitting device 100 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device 100 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 7은 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다. 7 is a view showing another example of the display device according to the embodiment.

도 7을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 7, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the above-described light emitting device 100 is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1020)과 상기 발광소자(100)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The substrate 1020 and the light emitting device 100 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, the at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, and light condensation of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 8은 실시 예에 따른 조명장치의 사시도이다.8 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.8, the lighting apparatus 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, a connection terminal (not shown) installed in the case 1510 and supplied with power from an external power source 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having a good heat dissipation property, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 제공되는 실시 예에 따른 발광소자(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 복수 개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격 되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device 100 according to an embodiment provided on the substrate 1532. A plurality of the light emitting devices 100 may be arrayed in a matrix or spaced apart at a predetermined interval.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 1532 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrate, and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be a coating layer such as a white color, a silver color, or the like whose surface is efficiently reflected by light.

상기 기판(1532)에는 적어도 하나의 발광소자(100)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(100) 각각은 적어도 하나의 LED(Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device 100 may be disposed on the substrate 1532. Each of the light emitting devices 100 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a colored light emitting diode that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting devices 100 to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is coupled to an external power source through a socket, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through wiring.

실시 예는 상기 발광소자(100)가 패키징된 후 상기 기판에 탑재되어 발광 모듈로 구현되거나, LED 칩 형태로 탑재되어 패키징하여 발광 모듈로 구현될 수 있다. The embodiment may be implemented as a light emitting module mounted on the substrate after the light emitting device 100 is packaged, or as a light emitting module mounted on an LED chip.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

5: 기판 10: 제1 도전형 반도체층
11: 제1 반도체층 12: 제2 반도체층
13: 제3 반도체층 14: 활성층
15: 제2 도전형 반도체층 16: 광 추출 패턴
17: 제1 전극 18: 제2 전극
19: 투명전극5: substrate 10: first conductivity type semiconductor layer
11: first semiconductor layer 12: second semiconductor layer
13: third semiconductor layer 14: active layer
15: second conductive type semiconductor layer 16: light extraction pattern
17: first electrode 18: second electrode
19: Transparent electrode

Claims (13)

제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 위에 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 위에 상기 제2 반도체층의 제1 영역을 노출시키는 제3 반도체층을 포함하는 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 위에 활성층;
상기 활성층 위에 제2 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함하고,
상기 제2 반도체층은 상기 제1 영역에 의하여 분리된 제2 영역 및 제3 영역을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 반도체층의 제2 영역 위에 배치되고, 상기 활성층은 상기 제2 반도체층의 제3 영역 위에 배치되며,
상기 제2도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2반도체층의 제3영역 상에 배치된 상기 제3반도체층의 일측면과 상기 제2반도체층의 제2영역 상에 배치된 상기 제3반도체층의 타측면은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 좁아지며 경사지고 서로 마주보며,
상기 제2반도체층의 제3영역 상에 배치된 상기 제2도전형 반도체층의 일측면은 광추출 패턴이 제공되는 발광소자.A first conductive semiconductor layer including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer over the first semiconductor layer, and a third semiconductor layer over the second semiconductor layer to expose a first region of the second semiconductor layer;
An active layer on the first conductive semiconductor layer;
A second conductive semiconductor layer on the active layer;
A first electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer; And
And a second electrode electrically connected to the second conductive type semiconductor layer,
Wherein the second semiconductor layer includes a second region and a third region separated by the first region, the first electrode is disposed over a second region of the second semiconductor layer, Layer over the third region of the layer,
The second semiconductor layer, the second semiconductor layer, the active layer, the second semiconductor layer, the second semiconductor layer, the second semiconductor layer, the active layer and the third semiconductor layer, The other side of the layer becomes narrower from the upper part to the lower part, is inclined and facing each other,
And one side of the second conductive type semiconductor layer disposed on the third region of the second semiconductor layer is provided with a light extracting pattern. 제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층은 상기 제3 반도체층에 비하여 캐리어 전달 속도가 더 빠르고,
상기 제2 반도체층은 상기 제3 반도체층에 비하여 더 높은 도핑 농도를 갖는 발광소자.2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the second semiconductor layer has a faster carrier transfer rate than the third semiconductor layer,
Wherein the second semiconductor layer has a higher doping concentration than the third semiconductor layer. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층은 AlN, AlGaN층 또는 InGaN층으로 형성되고, 상기 제3 반도체층은 GaN층을 포함하고,
상기 제2반도체층은 상기 활성층의 하부면으로부터 1마이크로미터 내지 2마이크로미터 이격되어 배치되는 발광소자.The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the second semiconductor layer is formed of an AlN, AlGaN layer, or InGaN layer, the third semiconductor layer includes a GaN layer,
Wherein the second semiconductor layer is disposed at a distance of 1 micrometer to 2 micrometers from a lower surface of the active layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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