KR101795038B1 - Light emitting device and light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 위에 배치된 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치된 전류차단층; 상기 발광구조물 및 상기 전류차단층 아래에 배치된 오믹접촉층; 상기 오믹접촉층 아래에 배치된 반사전극; 상기 발광구조물 위에 배치된 보호층; 상기 보호층 위에 배치되며, 상기 발광구조물 및 상기 보호층과 다른 굴절율을 갖는 제1층; 을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; An electrode disposed on the light emitting structure; A current blocking layer disposed below the light emitting structure; An ohmic contact layer disposed below the light emitting structure and the current blocking layer; A reflective electrode disposed below the ohmic contact layer; A protective layer disposed on the light emitting structure; A first layer disposed on the protective layer and having a refractive index different from that of the light emitting structure and the protective layer; .

Description

발광 소자 및 발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 예는 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device and a light emitting device package.

발광 소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선 또는 가시광선과 같은 빛의 형태로 변환한다.Light emitting diodes (LEDs) are widely used as light emitting devices. Light emitting diodes convert electrical signals into light, such as infrared or visible light, using the properties of compound semiconductors.

최근, 발광 소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 사용되고 있다.In recent years, as the light efficiency of a light emitting device has increased, it has been used in various fields including a display device, a lighting device, and the like.

실시 예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device and a light emitting device package having a new structure.

실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device and a light emitting device package capable of improving light extraction efficiency.

실시 예에 따른 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 위에 배치된 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치된 전류차단층; 상기 발광구조물 및 상기 전류차단층 아래에 배치된 오믹접촉층; 상기 오믹접촉층 아래에 배치된 반사전극; 상기 발광구조물 위에 배치된 보호층; 상기 보호층 위에 배치되며, 상기 발광구조물 및 상기 보호층과 다른 굴절율을 갖는 제1층; 을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; An electrode disposed on the light emitting structure; A current blocking layer disposed below the light emitting structure; An ohmic contact layer disposed below the light emitting structure and the current blocking layer; A reflective electrode disposed below the ohmic contact layer; A protective layer disposed on the light emitting structure; A first layer disposed on the protective layer and having a refractive index different from that of the light emitting structure and the protective layer; .

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 제1 리드전극 및 제2 리드전극; 을 포함하고,A light emitting device package according to an embodiment includes a body; A light emitting element disposed on the body; A first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting element; / RTI >

삭제delete

상기 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 위에 배치된 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치된 전류차단층; 상기 발광구조물 및 상기 전류차단층 아래에 배치된 오믹접촉층; 상기 오믹접촉층 아래에 배치된 반사전극; 상기 발광구조물 위에 배치된 보호층; 상기 보호층 위에 배치되며, 상기 발광구조물 및 상기 보호층과 다른 굴절율을 갖는 제1층; 을 포함한다.The light emitting device may include a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; An electrode disposed on the light emitting structure; A current blocking layer disposed below the light emitting structure; An ohmic contact layer disposed below the light emitting structure and the current blocking layer; A reflective electrode disposed below the ohmic contact layer; A protective layer disposed on the light emitting structure; A first layer disposed on the protective layer and having a refractive index different from that of the light emitting structure and the protective layer; .

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 제1 리드전극 및 제2 리드전극; 을 포함하고,A light emitting device package according to an embodiment includes a body; A light emitting element disposed on the body; A first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting element; / RTI >

삭제delete

실시 예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a light emitting device and a light emitting device package having a new structure.

실시 예는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.Embodiments can provide a light emitting device and a light emitting device package that can improve light extraction efficiency.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 2 내지 도 6은 도 1의 발광 소자를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 7 및 도 8은 실시 예에 따른 발광 소자의 광 추출 효율을 설명하는 도면이다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 10 내지 도 15는 도 9의 발광 소자를 제조하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 16은 다른 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 17은 다른 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 18 및 도 19는 실시 예에 따른 발광 소자의 광 추출 효율을 설명하는 도면이다.
도 20은 실시 예들에 따른 발광 소자가 적용된 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 21은 실시 예들에 따른 발광 소자가 적용된 표시장치의 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 실시 예들에 따른 발광 소자가 적용된 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 23은 실시 예들에 따른 발광 소자가 적용된 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.
FIGS. 2 to 6 are views for explaining a method of manufacturing the light emitting device of FIG.
7 and 8 are views for explaining the light extraction efficiency of the light emitting device according to the embodiment.
9 is a view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
FIGS. 10 to 15 are views for explaining a method of manufacturing the light emitting device of FIG.
16 is a view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
17 is a view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
18 and 19 are views for explaining light extraction efficiency of the light emitting device according to the embodiment.
20 is a view illustrating a light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiments is applied.
21 is a view showing an example of a display device to which the light emitting device according to the embodiments is applied.
22 is a view showing another example of a display device to which the light emitting device according to the embodiments is applied.
23 is a diagram showing an example of a lighting apparatus to which the light emitting device according to the embodiments is applied.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device package, and a method of manufacturing a light emitting device according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.

실시 예에 따른 발광 소자는, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광구조물(10), 전극(20), 전류차단층(30), 오믹접촉층(40), 반사전극(50), 보호층(90), 제1층(93) 을 포함한다.1, the light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure 10, an electrode 20, a current blocking layer 30, an ohmic contact layer 40, a reflective electrode 50, 90), and a first layer (93).

상기 발광구조물(10)은 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.The light emitting structure 10 may include a first conductivity type semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second conductivity type semiconductor layer 13. For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 13 is formed of an n- Type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN and the like, and an n-type dopant such as Si, Ge, or Sn can be doped.

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 12 is formed in such a manner that electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 13 meet with each other, And is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material of the active layer 12. [ The active layer 12 may be formed of any one of a single quantum well structure, a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum well structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 양자 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.The active layer 12 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? When the active layer 12 is implemented as the multiple quantum well structure, the active layer 12 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. For example, the InGaN well layer / GaN barrier layer . ≪ / RTI >

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 13 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr and Ba can be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductive type semiconductor layer 13. Thus, the light emitting structure 10 may include np, pn, npn, pnp And a bonding structure. The doping concentration of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be uniform or non-uniform. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be variously formed, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.In addition, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductive semiconductor layer 11 and the active layer 12. In addition, a second conductive type AlGaN layer may be formed between the second conductive type semiconductor layer 13 and the active layer 12.

상기 발광구조물(10) 아래에 상기 오믹접촉층(40)과 상기 반사전극(50)이 배치될 수 있다. 상기 발광구조물(10) 위에 상기 전극(20)이 배치될 수 있다. 상기 전극(20)과 상기 반사전극(50)은 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 또한 상기 반사전극(50)은 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.The ohmic contact layer 40 and the reflective electrode 50 may be disposed under the light emitting structure 10. The electrode 20 may be disposed on the light emitting structure 10. The electrode 20 and the reflective electrode 50 may provide power to the light emitting structure 10. The ohmic contact layer 40 may be formed in ohmic contact with the light emitting structure 10. In addition, the reflective electrode 50 may reflect light incident from the light emitting structure 10 to increase the amount of light extracted to the outside.

상기 오믹접촉층(40)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 40 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide layer. The ohmic contact layer 40 may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) Selected from IZO (IZO), ZnO, IrOx, RuOx, and NiO, which are selected from the group consisting of Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO May be formed of at least one material.

상기 반사전극(50)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사전극(50)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(50)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사전극(50)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective electrode 50 may be formed of a metal having a high reflectivity. For example, the reflective electrode 50 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au and Hf. The reflective electrode 50 may be formed of one of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc- Transparent conductive materials such as IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium-Tin-Oxide), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO) and ATO (Antimony-Tin-Oxide) To form a multi-layered structure. For example, in an embodiment, the reflective electrode 50 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, and Ag-Cu alloy.

상기 발광구조물(10)과 상기 오믹접촉층(40) 사이에 상기 전류차단층(CBL: Current Blocking Layer)(30)이 배치될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은 상기 전극(20)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되는 영역에 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 전극(20)과 상기 반사전극(40) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The current blocking layer (CBL) 30 may be disposed between the light emitting structure 10 and the ohmic contact layer 40. The current blocking layer 30 may be formed in a region where at least a portion of the current blocking layer 30 overlaps with the electrode 20 in the vertical direction so that a current is generated at the shortest distance between the electrode 20 and the reflective electrode 40 The light emitting efficiency of the light emitting device according to the embodiment can be improved by mitigating the concentration phenomenon.

상기 전류차단층(30)은 전기 절연성을 갖거나, 상기 발광구조물(10)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은 산화물, 질화물 또는 금속으로 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The current blocking layer 30 may have electrical insulation or may be formed using a material forming a Schottky contact with the light emitting structure 10. [ The current blocking layer 30 may be formed of an oxide, a nitride, or a metal. The current blocking layer 30 may include at least one of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO x , Ti, Al, .

상기 발광구조물(10)과 상기 오믹접촉층(40) 사이에 아이솔레이션층(80)이 더 배치될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 상기 발광구조물(10)의 하부 둘레 및 상기 오믹접촉층(40) 위에 배치될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예를 들어, 전기 절연성을 갖는 재질 또는 상기 발광 구조물(10)에 비해 낮은 전기 전도성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 아이솔레이션층(80)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 상기 전류차단층(30)과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 또한 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 채널층으로 지칭될 수도 있다.A channel layer 80 may be further disposed between the light emitting structure 10 and the ohmic contact layer 40. The channel layer 80 may be disposed on the lower periphery of the light emitting structure 10 and on the ohmic contact layer 40. For example, the channel layer 80 may be formed of an electrically insulating material or a material having a lower electrical conductivity than the light emitting structure 10. The channel layer 80 may be formed of, for example, an oxide or a nitride. For example, the channel layer 80 may be formed of a material such as SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , ITO, AZO, At least one of the groups may be selected. The channel layer 80 may be formed of the same material as the current blocking layer 30, or may be formed of different materials. The channel layer 80 may be referred to as a channel layer.

상기 반사전극(50) 아래에 확산방지막(55), 본딩층(60), 전도성 지지부재(70)가 배치될 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사전극(50) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사전극(50) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광 소자를 지지하며, 외부 전극과 전기적으로 연결되어 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. A diffusion barrier layer 55, a bonding layer 60, and a conductive support member 70 may be disposed under the reflective electrode 50. The diffusion barrier layer 55 may prevent a material contained in the bonding layer 60 from diffusing toward the reflective electrode 50 in the process of providing the bonding layer 60. The diffusion barrier layer 55 may prevent a material such as tin contained in the bonding layer 60 from affecting the reflective electrode 50 or the like. The diffusion barrier layer 55 may include at least one of Cu, Ni, Ti-W, W, and Pt. The bonding layer 60 may include a barrier metal or a bonding metal and may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, . The conductive supporting member 70 supports the light emitting device according to the embodiment and is electrically connected to the external electrode to provide power to the light emitting structure 10. [ The conductive support member 70 may be formed of a semiconductor substrate (for example, Si, Ge, GaN, GaAs) doped with Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, , ZnO, SiC, SiGe, and the like).

상기 발광구조물(10) 위에는 보호층(90)이 더 배치될 수 있다. 상기 보호층(90)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층(90)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.A protective layer 90 may be further disposed on the light emitting structure 10. The protective layer 90 may be formed of an oxide or a nitride. The passivation layer 90 may include, for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 .

상기 보호층(90) 위에 상기 제1층(93)이 더 배치될 수 있다. 상기 제1층(93)은 상기 발광구조물(10) 및 상기 보호층(90)과 다른 굴절율을 갖도록 구현될 수 있다. 이와 같이, 상기 제1층(93)이 상기 발광구조물(10) 및 상기 보호층(90)과 서로 다른 굴절율을 갖게 됨으로써 각 경계에서 전파되는 빛의 굴절 각도에 변화가 발생될 수 있게 된다. 이러한 효과로 인하여 상기 제1층(93)이 없을 경우에 비하여, 상기 제1층(93)이 배치된 경우의 광 추출 효과가 향상됨을 확인할 수 있었다. 이에 대해서는 도 7 및 도 8을 참조하여 다시 설명하기로 한다.The first layer (93) may be further disposed on the protective layer (90). The first layer 93 may have a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the protective layer 90. As the first layer 93 has a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the protective layer 90, a change in the refraction angle of light propagating at each boundary can be generated. As a result, the light extracting effect in the case where the first layer 93 is disposed is improved as compared with the case where the first layer 93 is absent. This will be described again with reference to FIGS. 7 and 8. FIG.

상기 제1층(93)은 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 예로서, 상기 제1층(93)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. The first layer 93 may be formed of a transparent conductive oxide layer. For example, the first layer 93 may be formed of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) Indium Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one selected material.

도 7 및 도 8은 실시 예에 따른 발광 소자의 광 추출 효율을 설명하는 도면이다. 도 8에서 점선으로 나타낸 것은 상기 제1층(93)이 배치되지 않은 경우의 광 추출 정도를 나타낸 것이며, 실선으로 나타낸 것은 상기 제1층(93)이 배치된 경우의 광 추출 정도를 나타낸 것이다. 도 8에서 실선은 도 7에 도시된 바와 같은 적층 구조로 제1층(ITO), 보호층(SiO2), 발광구조물(GaN), 오믹접촉층(ITO), 반사전극(Ag)으로 배치되는 경우에 대하여 도출된 것이다. 도 7에서 n은 굴절율을 나타내고 k는 흡수계수를 나타낸다.7 and 8 are views for explaining the light extraction efficiency of the light emitting device according to the embodiment. The dotted line in FIG. 8 shows the degree of light extraction in the case where the first layer 93 is not disposed, and the solid line shows the degree of light extraction in the case where the first layer 93 is disposed. 8, a solid line is disposed as a first layer (ITO), a protective layer (SiO 2 ), a light emitting structure (GaN), an ohmic contact layer (ITO), and a reflective electrode (Ag) As the case may be. 7, n represents the refractive index and k represents the absorption coefficient.

도 8에 도시된 바와 같이, 점선으로 표시된 경우 대략적으로 82.4%~83.1%의 광 추출 정도를 나타내며, 실선으로 표시된 경우 대략적으로 93.0%~94.5%의 광 추출 정도를 나타냄을 볼 수 있다. 이와 같이 상기 제1층(93)이 배치된 경우에 광 추출 효과가 증대됨을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 8, the dotted line indicates the light extraction rate of approximately 82.4% to 83.1%, and the solid line indicates the light extraction rate of approximately 93.0% to 94.5%. As described above, it can be confirmed that the light extracting effect is increased when the first layer 93 is disposed.

그러면 도 2 내지 도 6을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 제조방법을 설명하기로 한다.A method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will now be described with reference to FIGS. 2 to 6. FIG.

실시 예에 따른 발광 소자 제조방법에 의하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 성장기판(5) 위에 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 형성한다. 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 발광구조물(10)로 정의될 수 있다.2, the first conductive semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductive semiconductor layer (not shown) may be formed on the growth substrate 5, 13). The first conductive semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductive semiconductor layer 13 may be defined as a light emitting structure 10.

상기 성장기판(5)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 성장기판(5) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다. The growth substrate 5 may be formed of at least one of, for example, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. A buffer layer may be further formed between the first conductivity type semiconductor layer 11 and the growth substrate 5.

예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 13 is formed of an n- Type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN and the like, and an n-type dopant such as Si, Ge, or Sn can be doped.

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 12 is formed in such a manner that electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 13 meet with each other, And is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material of the active layer 12. [ The active layer 12 may be formed of any one of a single quantum well structure, a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum well structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 양자 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.The active layer 12 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? When the active layer 12 is formed of the multiple quantum well structure, the active layer 12 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. For example, the InGaN well layer / GaN barrier layer / RTI >

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 13 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr and Ba can be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductive type semiconductor layer 13. Thus, the light emitting structure 10 may include np, pn, npn, pnp And a bonding structure. The doping concentration of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be uniform or non-uniform. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be variously formed, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.In addition, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductive semiconductor layer 11 and the active layer 12. In addition, a second conductive type AlGaN layer may be formed between the second conductive type semiconductor layer 13 and the active layer 12.

이어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광구조물(10)의 제1 영역 위에 전류차단층(30)을 형성하고 상기 발광구조물(10)의 제2 영역 위에 아이솔레이션층(80)을 형성한다. 상기 전류차단층(30)과 상기 이이솔레이션층(80)은 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)과 상기 아이솔레이션층(80)은 동시에 형성될 수도 있으며, 또한 순차적으로 형성될 수도 있다. 3, a current blocking layer 30 is formed on a first region of the light emitting structure 10, and a channel layer 80 is formed on a second region of the light emitting structure 10. Referring to FIG. The current blocking layer 30 and the isolation layer 80 may be selectively formed. The current blocking layer 30 and the channel layer 80 may be formed simultaneously or sequentially.

상기 전류차단층(30)은 전기 절연성을 갖거나, 상기 발광구조물(10)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은 산화물, 질화물 또는 금속으로 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있0다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예를 들어, 전기 절연성을 갖는 재질 또는 상기 발광 구조물(10)에 비해 낮은 전기 전도성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 아이솔레이션층(80)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 상기 전류차단층(30)과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 또한 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 채널층으로 지칭될 수도 있다.The current blocking layer 30 may have electrical insulation or may be formed using a material forming a Schottky contact with the light emitting structure 10. [ The current blocking layer 30 may be formed of an oxide, a nitride, or a metal. The current blocking layer 30 may include at least one of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO x , Ti, Al, 0. For example, the channel layer 80 may be formed of an electrically insulating material or a material having a lower electrical conductivity than the light emitting structure 10. The channel layer 80 may be formed of, for example, an oxide or a nitride. For example, the channel layer 80 may be formed of a material such as SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , ITO, AZO, At least one of the groups may be selected. The channel layer 80 may be formed of the same material as the current blocking layer 30, or may be formed of different materials. The channel layer 80 may be referred to as a channel layer.

그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 전류차단층(30) 및 상기 아이솔레이션층(80) 위에 오믹접촉층(40)을 형성한다.As shown in FIG. 4, an ohmic contact layer 40 is formed on the current blocking layer 30 and the channel layer 80.

상기 오믹접촉층(40)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 40 may be formed in ohmic contact with the light emitting structure 10. The ohmic contact layer 40 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide layer. The ohmic contact layer 40 may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) Selected from IZO (IZO), ZnO, IrOx, RuOx, and NiO, which are selected from the group consisting of Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO May be formed of at least one material.

이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 오믹접촉층(40) 위에 반사전극(50), 확산방지막(55), 본딩층(60) 및 전도성 지지부재(70)를 형성한다. 5, a reflective electrode 50, a diffusion barrier layer 55, a bonding layer 60, and a conductive support member 70 are formed on the ohmic contact layer 40.

상기 반사전극(50)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사전극(50)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(50)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사전극(50)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective electrode 50 may be formed of a metal having a high reflectivity. For example, the reflective electrode 50 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au and Hf. The reflective electrode 50 may be formed of one of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc- Transparent conductive materials such as IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium-Tin-Oxide), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO) and ATO (Antimony-Tin-Oxide) To form a multi-layered structure. For example, in an embodiment, the reflective electrode 50 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, and Ag-Cu alloy.

상기 확산방지막(55)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사전극(50) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사전극(50) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The diffusion barrier layer 55 may prevent a material contained in the bonding layer 60 from diffusing toward the reflective electrode 50 in the process of providing the bonding layer 60. The diffusion barrier layer 55 may prevent a material such as tin contained in the bonding layer 60 from affecting the reflective electrode 50 or the like. The diffusion barrier layer 55 may include at least one of Cu, Ni, Ti-W, W, and Pt.

상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광 소자를 지지하며, 외부 전극과 전기적으로 연결되어 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판인 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. The bonding layer 60 may include a barrier metal or a bonding metal and may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, . The conductive supporting member 70 supports the light emitting device according to the embodiment and is electrically connected to the external electrode to provide power to the light emitting structure 10. [ The conductive support member 70 may be a carrier wafer (for example, Si, Ge, or the like) that is a semiconductor substrate into which Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, and the like).

다음으로 상기 발광구조물(10)로부터 상기 성장기판(5)을 제거한다. 하나의 예로서, 상기 성장기판(5)은 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있다. 레이저 리프트 오프 공정(LLO)은 상기 성장기판(5)의 하면에 레이저를 조사하여, 상기 성장기판(5)과 상기 발광구조물(10)을 서로 박리시키는 공정이다.Next, the growth substrate 5 is removed from the light emitting structure 10. As one example, the growth substrate 5 may be removed by a laser lift off (LLO) process. The laser lift-off process (LLO) is a process of irradiating laser on the lower surface of the growth substrate 5 to peel the growth substrate 5 and the light-emitting structure 10 from each other.

이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 발광구조물(10)의 개별 칩의 경계를 따라 아이솔레이션(isolation) 에칭을 실시하여, 복수개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 구분할 수 있다. 상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각에 의해 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.Then, as shown in FIG. 6, a plurality of light emitting devices can be divided into individual light emitting device units by performing isolation etching along the boundaries of the individual chips of the light emitting structure 10. FIG. The isolation etching can be performed by, for example, dry etching such as ICP (Inductively Coupled Plasma), but is not limited thereto.

도 6을 참조하면, 상기 발광구조물(10)에 보호층(90), 제1층(93), 전극(20)을 형성할 수 있다. 상기 보호층(90)은 상기 발광구조물(10)이 외부 전극이나 상기 전극(20) 등과 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 6, a protective layer 90, a first layer 93, and an electrode 20 may be formed on the light emitting structure 10. The protective layer 90 may prevent the light emitting structure 10 from being electrically short-circuited to the external electrode or the electrode 20 or the like.

상기 보호층(90)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층(90)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(90)은 예를 들어, 전자빔 증착, PECVD, 스퍼터링과 같은 증착 방식에 의해 형성될 수 있다.The protective layer 90 may be formed of an oxide or a nitride. The passivation layer 90 may include, for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 . The protective layer 90 may be formed by a deposition method such as electron beam deposition, PECVD, or sputtering.

상기 전극(20)은 상기 반사전극(50)과 함께 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공하며, 상기 전류차단층(30)과 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다.The electrode 20 may supply power to the light emitting structure 10 together with the reflective electrode 50 and may be formed to overlap at least a part of the current blocking layer 30 in the vertical direction.

상기 보호층(90) 위에 상기 제1층(93)이 더 형성될 수 있다. 상기 제1층(93)은 상기 발광구조물(10) 및 상기 보호층(90)과 다른 굴절율을 갖도록 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1층(93)은 상기 발광구조물(10)의 굴절율에 비하여 더 작은 값을 갖고, 상기 보호층(90)의 굴절율에 비하여 더 큰 값을 갖도록 구현될 수 있다.The first layer (93) may be further formed on the protective layer (90). The first layer 93 may have a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the protective layer 90. For example, the first layer 93 may have a smaller value than the refractive index of the light emitting structure 10 and may have a larger value than the refractive index of the protective layer 90.

이와 같이, 상기 제1층(93)이 상기 발광구조물(10) 및 상기 보호층(90)과 서로 다른 굴절율을 갖게 됨으로써 각 경계에서 전파되는 빛의 굴절 각도에 변화가 발생될 수 있게 된다. 이러한 효과로 인하여 상기 제1층(93)이 없을 경우에 비하여, 상기 제1층(93)이 배치된 경우의 광 추출 효과가 향상됨을 확인할 수 있었다. As the first layer 93 has a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the protective layer 90, a change in the refraction angle of light propagating at each boundary can be generated. As a result, the light extracting effect in the case where the first layer 93 is disposed is improved as compared with the case where the first layer 93 is absent.

상기 제1층(93)은 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 예로서, 상기 제1층(93)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. The first layer 93 may be formed of a transparent conductive oxide layer. For example, the first layer 93 may be formed of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) Indium Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one selected material.

도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다.9 is a view showing a light emitting device according to an embodiment.

실시 예에 따른 발광 소자는, 도 9에 도시된 바와 같이, 발광구조물(10), 전극(20), 전류차단층(30), 오믹접촉층(40), 반사전극(50), 보호층(90), 제1층(93), 제3층(31)을 포함한다.9, the light emitting device includes a light emitting structure 10, an electrode 20, a current blocking layer 30, an ohmic contact layer 40, a reflective electrode 50, a protective layer (not shown) 90, a first layer 93, and a third layer 31.

상기 발광구조물(10)은 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.The light emitting structure 10 may include a first conductivity type semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second conductivity type semiconductor layer 13. For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 13 is formed of an n- Type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN and the like, and an n-type dopant such as Si, Ge, or Sn can be doped.

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 12 is formed in such a manner that electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 13 meet with each other, And is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material of the active layer 12. [ The active layer 12 may be formed of any one of a single quantum well structure, a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum well structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 양자 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.The active layer 12 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? When the active layer 12 is implemented as the multiple quantum well structure, the active layer 12 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. For example, the InGaN well layer / GaN barrier layer . ≪ / RTI >

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 13 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr and Ba can be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductive type semiconductor layer 13. Thus, the light emitting structure 10 may include np, pn, npn, pnp And a bonding structure. The doping concentration of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be uniform or non-uniform. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be variously formed, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.In addition, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductive semiconductor layer 11 and the active layer 12. In addition, a second conductive type AlGaN layer may be formed between the second conductive type semiconductor layer 13 and the active layer 12.

상기 발광구조물(10) 아래에 상기 오믹접촉층(40)과 상기 반사전극(50)이 배치될 수 있다. 상기 발광구조물(10) 위에 상기 전극(20)이 배치될 수 있다. 상기 전극(20)과 상기 반사전극(50)은 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 또한 상기 반사전극(50)은 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.The ohmic contact layer 40 and the reflective electrode 50 may be disposed under the light emitting structure 10. The electrode 20 may be disposed on the light emitting structure 10. The electrode 20 and the reflective electrode 50 may provide power to the light emitting structure 10. The ohmic contact layer 40 may be formed in ohmic contact with the light emitting structure 10. In addition, the reflective electrode 50 may reflect light incident from the light emitting structure 10 to increase the amount of light extracted to the outside.

상기 오믹접촉층(40)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 40 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide layer. The ohmic contact layer 40 may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) Selected from IZO (IZO), ZnO, IrOx, RuOx, and NiO, which are selected from the group consisting of Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO May be formed of at least one material.

상기 반사전극(50)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사전극(50)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(50)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사전극(50)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective electrode 50 may be formed of a metal having a high reflectivity. For example, the reflective electrode 50 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au and Hf. The reflective electrode 50 may be formed of one of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc- Transparent conductive materials such as IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium-Tin-Oxide), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO) and ATO (Antimony-Tin-Oxide) To form a multi-layered structure. For example, in an embodiment, the reflective electrode 50 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, and Ag-Cu alloy.

상기 발광구조물(10)과 상기 오믹접촉층(40) 사이에 상기 전류차단층(CBL: Current Blocking Layer)(30)이 배치될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은 상기 전극(20)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되는 영역에 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 전극(20)과 상기 반사전극(40) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The current blocking layer (CBL) 30 may be disposed between the light emitting structure 10 and the ohmic contact layer 40. The current blocking layer 30 may be formed in a region where at least a portion of the current blocking layer 30 overlaps with the electrode 20 in the vertical direction so that a current is generated at the shortest distance between the electrode 20 and the reflective electrode 40 The light emitting efficiency of the light emitting device according to the embodiment can be improved by mitigating the concentration phenomenon.

상기 전류차단층(30)은 전기 절연성을 갖거나, 상기 발광구조물(10)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은 산화물, 질화물 또는 금속으로 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The current blocking layer 30 may have electrical insulation or may be formed using a material forming a Schottky contact with the light emitting structure 10. [ The current blocking layer 30 may be formed of an oxide, a nitride, or a metal. The current blocking layer 30 may include at least one of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO x , Ti, Al, .

상기 발광구조물(10)과 상기 전류차단층(30) 사이에 상기 제3층(31)이 배치될 수 있다. 상기 제3층(31)은 상기 발광구조물(10) 및 상기 전류차단층(30)과 다른 굴절율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 이와 같이, 상기 제3층(31)이 상기 발광구조물(10) 및 상기 전류차단층(30)과 서로 다른 굴절율을 갖게 됨으로써 각 경계에서 전파되는 빛의 굴절 각도에 변화가 발생될 수 있게 된다. 이러한 효과로 인하여 상기 제3층(31)이 없을 경우에 비하여, 상기 제3층(31)이 배치된 경우의 광 추출 효과가 향상됨을 확인할 수 있었다. The third layer 31 may be disposed between the light emitting structure 10 and the current blocking layer 30. The third layer 31 may be formed of a material having a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the current blocking layer 30. As such, since the third layer 31 has a different refractive index from the light emitting structure 10 and the current blocking layer 30, a change in the refraction angle of light propagating at each boundary can be generated. It is confirmed that the light extracting effect in the case where the third layer 31 is disposed is improved as compared with the case where the third layer 31 is not present.

상기 제3층(31)은 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 예로서, 상기 제3층(31)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. 상기 제3층(31)은 상기 오믹접촉층(40)과 같은 물질로 형성될 수도 있으며, 또한 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.The third layer 31 may be formed of a transparent conductive oxide layer. For example, the third layer 31 may be formed of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) Indium Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one selected material. The third layer 31 may be formed of the same material as the ohmic contact layer 40, or may be formed of different materials.

상기 제3층(31)은 상기 발광구조물(10)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제3층(31)은 상기 전류차단층(30)에 의하여 측면 및 하부면이 둘러쌓인 형태로 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3층(31)은 상기 오믹접촉층(40)과 전기적으로 절연될 수 있게 된다. The third layer 31 may be disposed in contact with the light emitting structure 10. The third layer 31 may be disposed such that the side surface and the lower surface thereof are surrounded by the current blocking layer 30. [ Accordingly, the third layer 31 can be electrically insulated from the ohmic contact layer 40.

상기 전류차단층(30)은 상기 발광구조물(10) 아래의 제1 영역에 배치될 수 있으며, 상기 오믹접촉층(40)은 상기 발광구조물(10) 아래의 제2 영역 및 상기 전류차단층(30) 아래에 배치될 수 있다.The current blocking layer 30 may be disposed in a first region under the light emitting structure 10 and the ohmic contact layer 40 may be formed in a second region below the light emitting structure 10 and the current blocking layer 30).

상기 발광구조물(10)과 상기 오믹접촉층(40) 사이에 아이솔레이션층(80)이 더 배치될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 상기 발광구조물(10)의 하부 둘레 및 상기 오믹접촉층 위에 배치될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예를 들어, 전기 절연성을 갖는 재질 또는 상기 발광 구조물(10)에 비해 낮은 전기 전도성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 아이솔레이션층(80)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 상기 전류차단층(30)과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 또한 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 채널층으로 지칭될 수도 있다.A channel layer 80 may be further disposed between the light emitting structure 10 and the ohmic contact layer 40. The channel layer 80 may be disposed on the bottom of the light emitting structure 10 and on the ohmic contact layer. For example, the channel layer 80 may be formed of an electrically insulating material or a material having a lower electrical conductivity than the light emitting structure 10. The channel layer 80 may be formed of, for example, an oxide or a nitride. For example, the channel layer 80 may be formed of a material such as SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , ITO, AZO, At least one of the groups may be selected. The channel layer 80 may be formed of the same material as the current blocking layer 30, or may be formed of different materials. The channel layer 80 may be referred to as a channel layer.

상기 아이솔레이션층(80)과 상기 발광구조물(10) 사이에 제2층(82)이 더 배치될 수 있다. 상기 제2층(82)은 상기 발광구조물(10) 및 상기 아이솔레이션층(80)과 다른 굴절율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2층(82)은 상기 발광구조물(10)의 굴절율에 비하여 더 작은 굴절율을 갖고 상기 아이솔레이션층(80)의 굴절율에 비하여 더 큰 굴절율을 갖는 물질로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2층(82)은 상기 제1층(31)과 같은 물질로 형성될 수도 있으며, 또한 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.A second layer (82) may be further disposed between the channel layer (80) and the light emitting structure (10). The second layer 82 may be formed of a material having a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the channel layer 80. For example, the second layer 82 may have a smaller refractive index than the refractive index of the light emitting structure 10 and may have a higher refractive index than the refractive index of the channel layer 80. The second layer 82 may be formed of the same material as the first layer 31 or may be formed of different materials.

상기 반사전극(50) 아래에 확산방지막(55), 본딩층(60), 전도성 지지부재(70)가 배치될 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사전극(50) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사전극(50) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광 소자를 지지하며, 외부 전극과 전기적으로 연결되어 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판인 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. A diffusion barrier layer 55, a bonding layer 60, and a conductive support member 70 may be disposed under the reflective electrode 50. The diffusion barrier layer 55 may prevent a material contained in the bonding layer 60 from diffusing toward the reflective electrode 50 in the process of providing the bonding layer 60. The diffusion barrier layer 55 may prevent a material such as tin contained in the bonding layer 60 from affecting the reflective electrode 50 or the like. The diffusion barrier layer 55 may include at least one of Cu, Ni, Ti-W, W, and Pt. The bonding layer 60 may include a barrier metal or a bonding metal and may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, . The conductive supporting member 70 supports the light emitting device according to the embodiment and is electrically connected to the external electrode to provide power to the light emitting structure 10. [ The conductive support member 70 may be a carrier wafer (for example, Si, Ge, or the like) that is a semiconductor substrate into which Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, and the like).

상기 발광구조물(10) 위에는 보호층(90)이 더 배치될 수 있다. 상기 보호층(90)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층(90)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.A protective layer 90 may be further disposed on the light emitting structure 10. The protective layer 90 may be formed of an oxide or a nitride. The passivation layer 90 may include, for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 .

상기 보호층(90) 위에 상기 제1층(93)이 더 배치될 수 있다. 상기 제1층(93)은 상기 발광구조물(10) 및 상기 보호층(90)과 다른 굴절율을 갖도록 구현될 수 있다. 이와 같이, 상기 제1층(93)이 상기 발광구조물(10) 및 상기 보호층(90)과 서로 다른 굴절율을 갖게 됨으로써 각 경계에서 전파되는 빛의 굴절 각도에 변화가 발생될 수 있게 된다. 이러한 효과로 인하여 상기 제1층(93)이 없을 경우에 비하여, 상기 제1층(93)이 배치된 경우의 광 추출 효과가 향상됨을 확인할 수 있었다. The first layer (93) may be further disposed on the protective layer (90). The first layer 93 may have a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the protective layer 90. As the first layer 93 has a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the protective layer 90, a change in the refraction angle of light propagating at each boundary can be generated. As a result, the light extracting effect in the case where the first layer 93 is disposed is improved as compared with the case where the first layer 93 is absent.

상기 제1층(93)은 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 예로서, 상기 제1층(93)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. The first layer 93 may be formed of a transparent conductive oxide layer. For example, the first layer 93 may be formed of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) Indium Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one selected material.

그러면 도 10 내지 도 15를 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 제조방법을 설명하기로 한다.A method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will now be described with reference to FIGS. 10 to 15. FIG.

실시 예에 따른 발광 소자 제조방법에 의하면, 도 10에 도시된 바와 같이, 성장기판(5) 위에 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 형성한다. 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 발광구조물(10)로 정의될 수 있다.10, the first conductive semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductive semiconductor layer (not shown) may be formed on the growth substrate 5, 13). The first conductive semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductive semiconductor layer 13 may be defined as a light emitting structure 10.

상기 성장기판(5)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 성장기판(5) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다. The growth substrate 5 may be formed of at least one of, for example, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. A buffer layer may be further formed between the first conductivity type semiconductor layer 11 and the growth substrate 5.

예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 13 is formed of an n- Type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN and the like, and an n-type dopant such as Si, Ge, or Sn can be doped.

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 12 is formed in such a manner that electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 13 meet with each other, And is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material of the active layer 12. [ The active layer 12 may be formed of any one of a single quantum well structure, a multiple quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, and a quantum well structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 양자 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.The active layer 12 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? When the active layer 12 is formed of the multiple quantum well structure, the active layer 12 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. For example, the InGaN well layer / GaN barrier layer / RTI >

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 13 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr and Ba can be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductive type semiconductor layer 13. Thus, the light emitting structure 10 may include np, pn, npn, pnp And a bonding structure. The doping concentration of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be uniform or non-uniform. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be variously formed, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.In addition, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductive semiconductor layer 11 and the active layer 12. In addition, a second conductive type AlGaN layer may be formed between the second conductive type semiconductor layer 13 and the active layer 12.

이어서, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 발광구조물(10) 위에 제3층(31) 및 제2층(82)을 형성한다. 도 11에는 상기 발광구조물(10)위에 상기 제3층(31) 및 상기 제2층(82)이 형성되는 경우를 기준으로 도시하였으나, 상기 제3층(31)만 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제3층(31) 및 상기 제2층(82)이 동시에 형성될 수도 있으며, 또한 순차적으로 형성될 수도 있다.Next, a third layer 31 and a second layer 82 are formed on the light emitting structure 10, as shown in FIG. 11, the third layer 31 and the second layer 82 are formed on the light emitting structure 10, but only the third layer 31 may be formed. In addition, the third layer 31 and the second layer 82 may be formed simultaneously or sequentially.

상기 제3층(31)은 상기 발광구조물(10)과 다른 굴절율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제3층(31)은 상기 발광구조물(10)의 굴절율에 비하여 더 작은 굴절율을 갖는 물질로 구현될 수 있다. 이와 같이, 상기 제3층(31)이 상기 발광구조물(10)과 서로 다른 굴절율을 갖게 됨으로써 각 경계에서 전파되는 빛의 굴절 각도에 변화가 발생될 수 있게 된다. The third layer 31 may be formed of a material having a refractive index different from that of the light emitting structure 10. For example, the third layer 31 may be formed of a material having a smaller refractive index than the refractive index of the light emitting structure 10. As the third layer 31 has a refractive index different from that of the light emitting structure 10, a change in the refraction angle of light propagating at each boundary can be generated.

상기 제3층(31)은 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 예로서, 상기 제3층(31)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. The third layer 31 may be formed of a transparent conductive oxide layer. For example, the third layer 31 may be formed of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) Indium Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one selected material.

상기 제2층(82)은 상기 발광구조물(10)과 다른 굴절율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2층(82)은 상기 발광구조물(10)의 굴절율에 비하여 더 작은 굴절율을 갖는 물질로 구현될 수 있다. 예로서, 상기 제2층(82)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. 상기 제2층(82)은 상기 제3층(31)과 같은 물질로 형성될 수도 있으며, 또한 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.The second layer (82) may be formed of a material having a refractive index different from that of the light emitting structure (10). For example, the second layer 82 may be formed of a material having a smaller refractive index than the refractive index of the light emitting structure 10. For example, the second layer 82 may include at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) Indium Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one selected material. The second layer 82 may be formed of the same material as the third layer 31, or may be formed of different materials.

다음으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 제3층(31) 위에 전류차단층(30)을 형성하고, 상기 제2층(82) 위에 아이솔레이션층(80)을 형성한다. 상기 전류차단층(30)과 상기 이이솔레이션층(80)은 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)과 상기 아이솔레이션층(80)은 동시에 형성될 수도 있으며, 또한 순차적으로 형성될 수도 있다. Next, a current blocking layer 30 is formed on the third layer 31 and a channel layer 80 is formed on the second layer 82, as shown in FIG. The current blocking layer 30 and the isolation layer 80 may be selectively formed. The current blocking layer 30 and the channel layer 80 may be formed simultaneously or sequentially.

상기 전류차단층(30)은 전기 절연성을 갖거나, 상기 발광구조물(10)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은 산화물, 질화물 또는 금속으로 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있0다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예를 들어, 전기 절연성을 갖는 재질 또는 상기 발광 구조물(10)에 비해 낮은 전기 전도성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 아이솔레이션층(80)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 상기 전류차단층(30)과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 또한 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 채널층으로 지칭될 수도 있다.The current blocking layer 30 may have electrical insulation or may be formed using a material forming a Schottky contact with the light emitting structure 10. [ The current blocking layer 30 may be formed of an oxide, a nitride, or a metal. The current blocking layer 30 may include at least one of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO x , Ti, Al, 0. For example, the channel layer 80 may be formed of an electrically insulating material or a material having a lower electrical conductivity than the light emitting structure 10. The channel layer 80 may be formed of, for example, an oxide or a nitride. For example, the channel layer 80 may be formed of a material such as SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , ITO, AZO, At least one of the groups may be selected. The channel layer 80 may be formed of the same material as the current blocking layer 30, or may be formed of different materials. The channel layer 80 may be referred to as a channel layer.

그리고, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 전류차단층(30) 및 상기 아이솔레이션층(80) 위에 오믹접촉층(40)을 형성한다.As shown in FIG. 13, an ohmic contact layer 40 is formed on the current blocking layer 30 and the channel layer 80.

상기 오믹접촉층(40)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 40 may be formed in ohmic contact with the light emitting structure 10. The ohmic contact layer 40 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide layer. The ohmic contact layer 40 may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) Selected from IZO (IZO), ZnO, IrOx, RuOx, and NiO, which are selected from the group consisting of Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO May be formed of at least one material.

이어서, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 오믹접촉층(40) 위에 반사전극(50), 확산방지막(55), 본딩층(60) 및 전도성 지지부재(70)를 형성한다. 한편, 상기 제3층(31)은 상기 전류차단층(30)에 의하여 측면 및 하부면이 둘러쌓인 형태로 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3층(31)은 상기 오믹접촉층(40)과 전기적으로 절연될 수 있게 된다. 14, a reflective electrode 50, a diffusion barrier layer 55, a bonding layer 60, and a conductive supporting member 70 are formed on the ohmic contact layer 40. Meanwhile, the third layer 31 may be disposed such that the side surface and the bottom surface thereof are surrounded by the current blocking layer 30. [ Accordingly, the third layer 31 can be electrically insulated from the ohmic contact layer 40.

상기 반사전극(50)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사전극(50)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(50)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사전극(50)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective electrode 50 may be formed of a metal having a high reflectivity. For example, the reflective electrode 50 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au and Hf. The reflective electrode 50 may be formed of one of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc- Transparent conductive materials such as IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO (Indium-Gallium-Tin-Oxide), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO) and ATO (Antimony-Tin-Oxide) To form a multi-layered structure. For example, in an embodiment, the reflective electrode 50 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, and Ag-Cu alloy.

상기 확산방지막(55)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사전극(50) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사전극(50) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 확산방지막(55)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The diffusion barrier layer 55 may prevent a material contained in the bonding layer 60 from diffusing toward the reflective electrode 50 in the process of providing the bonding layer 60. The diffusion barrier layer 55 may prevent a material such as tin contained in the bonding layer 60 from affecting the reflective electrode 50 or the like. The diffusion barrier layer 55 may include at least one of Cu, Ni, Ti-W, W, and Pt.

상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광 소자를 지지하며, 외부 전극과 전기적으로 연결되어 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판인 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. The bonding layer 60 may include a barrier metal or a bonding metal and may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, . The conductive supporting member 70 supports the light emitting device according to the embodiment and is electrically connected to the external electrode to provide power to the light emitting structure 10. [ The conductive support member 70 may be a carrier wafer (for example, Si, Ge, or the like) that is a semiconductor substrate into which Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, and the like).

다음으로 상기 발광구조물(10)로부터 상기 성장기판(5)을 제거한다. 하나의 예로서, 상기 성장기판(5)은 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있다. 레이저 리프트 오프 공정(LLO)은 상기 성장기판(5)의 하면에 레이저를 조사하여, 상기 성장기판(5)과 상기 발광구조물(10)을 서로 박리시키는 공정이다.Next, the growth substrate 5 is removed from the light emitting structure 10. As one example, the growth substrate 5 may be removed by a laser lift off (LLO) process. The laser lift-off process (LLO) is a process of irradiating laser on the lower surface of the growth substrate 5 to peel the growth substrate 5 and the light-emitting structure 10 from each other.

이어서, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 발광구조물(10)의 개별 칩의 경계를 따라 아이솔레이션(isolation) 에칭을 실시하여, 복수개의 발광 소자를 개별 발광 소자 단위로 구분할 수 있다. 상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각에 의해 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.Next, as shown in FIG. 15, a plurality of light emitting devices may be divided into individual light emitting device units by performing isolation etching along the boundaries of individual chips of the light emitting structure 10. FIG. The isolation etching can be performed by, for example, dry etching such as ICP (Inductively Coupled Plasma), but is not limited thereto.

도 15를 참조하면, 상기 발광구조물(10)에 보호층(90), 제1층(93), 전극(20)을 형성할 수 있다. 상기 보호층(90)은 상기 발광구조물(10)이 외부 전극이나 상기 전극(20) 등과 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 15, a protective layer 90, a first layer 93, and an electrode 20 may be formed on the light emitting structure 10. The protective layer 90 may prevent the light emitting structure 10 from being electrically short-circuited to the external electrode or the electrode 20 or the like.

상기 보호층(90)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층(90)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(90)은 예를 들어, 전자빔 증착, PECVD, 스퍼터링과 같은 증착 방식에 의해 형성될 수 있다.The protective layer 90 may be formed of an oxide or a nitride. The passivation layer 90 may include, for example, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , or Al 2 O 3 . The protective layer 90 may be formed by a deposition method such as electron beam deposition, PECVD, or sputtering.

상기 전극(20)은 상기 반사전극(50)과 함께 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공하며, 상기 전류차단층(30)과 적어도 일부가 수직 방향으로 중첩되도록 형성될 수 있다.The electrode 20 may supply power to the light emitting structure 10 together with the reflective electrode 50 and may be formed to overlap at least a part of the current blocking layer 30 in the vertical direction.

상기 보호층(90) 위에 상기 제1층(93)이 더 형성될 수 있다. 상기 제1층(93)은 상기 발광구조물(10) 및 상기 보호층(90)과 다른 굴절율을 갖도록 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 제1층(93)은 상기 발광구조물(10)의 굴절율에 비하여 더 작은 값을 갖고, 상기 보호층(90)의 굴절율에 비하여 더 큰 값을 갖도록 구현될 수 있다.The first layer (93) may be further formed on the protective layer (90). The first layer 93 may have a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the protective layer 90. For example, the first layer 93 may have a smaller value than the refractive index of the light emitting structure 10 and may have a larger value than the refractive index of the protective layer 90.

이와 같이, 상기 제1층(93)이 상기 발광구조물(10) 및 상기 보호층(90)과 서로 다른 굴절율을 갖게 됨으로써 각 경계에서 전파되는 빛의 굴절 각도에 변화가 발생될 수 있게 된다. 이러한 효과로 인하여 상기 제1층(93)이 없을 경우에 비하여, 상기 제1층(93)이 배치된 경우의 광 추출 효과가 향상됨을 확인할 수 있었다. As the first layer 93 has a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the protective layer 90, a change in the refraction angle of light propagating at each boundary can be generated. As a result, the light extracting effect in the case where the first layer 93 is disposed is improved as compared with the case where the first layer 93 is absent.

상기 제1층(93)은 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 예로서, 상기 제1층(93)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. The first layer 93 may be formed of a transparent conductive oxide layer. For example, the first layer 93 may be formed of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) Indium Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one selected material.

실시 예에 따른 발광 소자에 의하면, 상기 발광구조물(10)과 상기 전류차단층(30) 사이에 상기 제3층(31)이 배치될 수 있다. 상기 제3층(31)은 상기 발광구조물(10) 및 상기 전류차단층(30)과 다른 굴절율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 이와 같이, 상기 제3층(31)이 상기 발광구조물(10) 및 상기 전류차단층(30)과 서로 다른 굴절율을 갖게 됨으로써 각 경계에서 전파되는 빛의 굴절 각도에 변화가 발생될 수 있게 된다. 이러한 효과로 인하여 상기 제3층(31)이 없을 경우에 비하여, 상기 제3층(31)이 배치된 경우의 광 추출 효과가 향상됨을 확인할 수 있었다. The third layer 31 may be disposed between the light emitting structure 10 and the current blocking layer 30, according to an embodiment of the present invention. The third layer 31 may be formed of a material having a refractive index different from that of the light emitting structure 10 and the current blocking layer 30. As such, since the third layer 31 has a different refractive index from the light emitting structure 10 and the current blocking layer 30, a change in the refraction angle of light propagating at each boundary can be generated. It is confirmed that the light extracting effect in the case where the third layer 31 is disposed is improved as compared with the case where the third layer 31 is not present.

도 16은 다른 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다. 16 is a view illustrating a light emitting device according to another embodiment.

도 16에 도시된 실시 예에 따른 발광 소자를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 구성요소와 같은 구성요소에 대해서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.In the description of the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 16, the same components as those described with reference to FIG. 1 will not be described in detail.

도 9에 도시된 실시 예에 따른 발광 소자는 도 1을 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광 소자에 비하여 발광구조물(10)의 상부 표면에 제1 요철이 형성된 점에 차이가 있다. 이에 따라 상기 전극(25)의 하부 면은 상기 발광구조물(10)에 형성된 제1 요철에 대응되는 제2 요철을 포함한다. 또한, 상기 보호층(91) 및 상기 제1층(94)에도 요철이 형성될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 9 differs from the light emitting device according to the embodiment described with reference to FIG. 1 in that first irregularities are formed on the upper surface of the light emitting structure 10. Accordingly, the lower surface of the electrode 25 includes second irregularities corresponding to the first irregularities formed on the light emitting structure 10. Also, the protective layer 91 and the first layer 94 may have concavities and convexities.

이와 같이, 상기 발광구조물(10), 상기 보호층(91), 상기 제1층(94)에 요철 구조를 형성함으로써 외부로 빛이 추출될 수 있는 임계각에 변화를 주어 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다. 유사한 이유로서 상기 제3층(31)의 상부 면에도 요철 구조를 형성하는 경우 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다. Thus, by forming the concave-convex structure in the light emitting structure 10, the protective layer 91, and the first layer 94, the critical angle at which light can be extracted externally is changed to further improve the light extraction efficiency . For the same reason, when the concave-convex structure is formed on the upper surface of the third layer 31, the light extraction efficiency can be further improved.

도 17은 다른 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다. 17 is a view illustrating a light emitting device according to another embodiment.

도 17에 도시된 실시 예에 따른 발광 소자를 설명함에 있어, 도 9를 참조하여 설명된 구성요소와 같은 구성요소에 대해서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.In describing the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 17, detailed description about the same components as those described with reference to FIG. 9 will be omitted.

도 17에 도시된 실시 예에 따른 발광 소자는 도 9를 참조하여 설명된 실시 예에 따른 발광 소자에 비하여 발광구조물(10)의 상부 표면에 제1 요철이 형성된 점에 차이가 있다. 이에 따라 상기 전극(25)의 하부 면은 상기 발광구조물(10)에 형성된 제1 요철에 대응되는 제2 요철을 포함한다. 또한, 상기 보호층(91) 및 상기 제1층(94)에도 요철이 형성될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment shown in FIG. 17 differs from the light emitting device according to the embodiment described with reference to FIG. 9 in that first irregularities are formed on the upper surface of the light emitting structure 10. Accordingly, the lower surface of the electrode 25 includes second irregularities corresponding to the first irregularities formed on the light emitting structure 10. Also, the protective layer 91 and the first layer 94 may have concavities and convexities.

이와 같이, 상기 발광구조물(10), 상기 보호층(91), 상기 제1층(94)에 요철 구조를 형성함으로써 외부로 빛이 추출될 수 있는 임계각에 변화를 주어 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다. 유사한 이유로서 상기 제3층(31)의 상부 면에도 요철 구조를 형성하는 경우 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다. Thus, by forming the concave-convex structure in the light emitting structure 10, the protective layer 91, and the first layer 94, the critical angle at which light can be extracted externally is changed to further improve the light extraction efficiency . For the same reason, when the concave-convex structure is formed on the upper surface of the third layer 31, the light extraction efficiency can be further improved.

도 18 및 도 19는 도 1에 도시된 실시 예에 따른 발광 소자 위에 수지물이 형성된 경우의 광 추출 효율을 설명하는 도면이다. 도 19에서 점선으로 나타낸 것은 상기 제1층(93)이 배치되지 않은 경우의 광 추출 정도를 나타낸 것이며, 실선으로 나타낸 것은 상기 제1층(93)이 배치된 경우의 광 추출 정도를 나타낸 것이다. 도 19에서 실선은 도 18에 도시된 바와 같은 적층 구조로 수지물(에폭시), 제1층(ITO), 보호층(SiO2), 발광구조물(GaN), 오믹접촉층(ITO), 반사전극(Ag)으로 배치되는 경우에 대하여 도출된 것이다. 도 18에서 n은 굴절율을 나타내고 k는 흡수계수를 나타낸다.FIGS. 18 and 19 are views for explaining light extraction efficiency in the case where a resin material is formed on the light emitting device according to the embodiment shown in FIG. The dotted line in FIG. 19 shows the degree of light extraction in the case where the first layer 93 is not disposed, and the solid line shows the degree of light extraction in the case where the first layer 93 is disposed. In FIG. 19, the solid line is a laminate structure as shown in FIG. 18 in which a resin material (epoxy), a first layer (ITO), a protective layer (SiO 2 ), a light emitting structure (GaN), an ohmic contact layer (Ag). ≪ / RTI > 18, n represents the refractive index and k represents the absorption coefficient.

도 19에 도시된 바와 같이, 점선으로 표시된 경우 대략적으로 77%~81%의 광 추출 정도를 나타내며, 실선으로 표시된 경우 대략적으로 82%~84%의 광 추출 정도를 나타냄을 볼 수 있다. 이와 같이 상기 제1층(93)이 배치된 경우에 광 추출 효과가 증대됨을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 19, the dotted line represents the light extraction rate of about 77% to 81%, and the solid line represents the light extraction rate of about 82% to 84%. As described above, it can be confirmed that the light extracting effect is increased when the first layer 93 is disposed.

도 20은 실시 예들에 따른 발광 소자가 적용된 발광 소자 패키지를 나타낸 도면이다.20 is a view illustrating a light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiments is applied.

도 20을 참조하면, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(31) 및 제2 리드전극(32)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함한다.Referring to FIG. 20, a light emitting device package according to an embodiment includes a body 120, first and second lead electrodes 131 and 132 disposed on the body 120, And a molding member 140 surrounding the light emitting device 100. The first and second lead electrodes 31 and 32 are electrically connected to the first and second lead electrodes 31 and 32, .

상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 120 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and the inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 are electrically separated from each other to provide power to the light emitting device 100. The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100 and the heat generated from the light emitting device 100 To the outside.

상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 120 or may be disposed on the first lead electrode 131 or the second lead electrode 132.

상기 발광 소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 by a wire, flip chip or die bonding method.

상기 몰딩부재(140)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 140 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 140 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

실시 예에 따른 발광소자 또는 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting devices or light emitting device packages according to the embodiments may be arrayed on a substrate, and a lens, a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, etc., which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. The light unit may be implemented as a top view or a side view type and may be provided in a display device such as a portable terminal and a notebook computer, or may be variously applied to a lighting device and a pointing device. Still another embodiment can be realized by a lighting device including the semiconductor light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting device may include a lamp, a streetlight, an electric signboard, and a headlight.

실시 예에 따른 발광 소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 21 및 도 22에 도시된 표시 장치, 도 23에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다. The light emitting device according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and may include the display apparatus shown in Figs. 21 and 22, and the illumination apparatus shown in Fig.

도 21을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.21, a display device 1000 according to an embodiment includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, and a reflection member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflection member 1022 But is not limited to, a bottom cover 1011.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광 소자(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 1031 may be provided, and light may be provided directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device 100 according to the embodiment described above. The light emitting devices 100 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern. However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like. When the light emitting device 100 is provided on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광 소자(100)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting devices 100 may be mounted such that the light emitting surface of the light emitting device 100 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device 200 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 22는 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다. 22 is a view showing another example of the display device according to the embodiment.

도 22를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 22, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the above-described light emitting device 100 is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1020)과 상기 발광 소자(100)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The substrate 1020 and the light emitting device 100 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, the at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, and light condensation of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 23은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.23 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 23을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.23, the lighting apparatus 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, a connection terminal (not shown) installed in the case 1510 and supplied with power from an external power source 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having a good heat dissipation property, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 제공되는 실시 예에 따른 발광 소자(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 복수 개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격 되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device 100 according to an embodiment provided on the substrate 1532. A plurality of the light emitting devices 100 may be arrayed in a matrix or spaced apart at a predetermined interval.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 1532 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrate, and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be a coating layer such as a white color, a silver color, or the like whose surface is efficiently reflected by light.

상기 기판(1532)에는 적어도 하나의 발광 소자(100)가 배치될 수 있다. 상기 발광 소자(100) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device 100 may be disposed on the substrate 1532. Each of the light emitting devices 100 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a colored light emitting diode that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting devices 100 to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is coupled to an external power source through a socket, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through wiring.

실시 예는 상기 발광 소자(200)가 패키징된 후 상기 기판에 탑재되어 발광 모듈로 구현되거나, LED 칩 형태로 탑재되어 패키징하여 발광 모듈로 구현될 수 있다. The embodiment may be implemented as a light emitting module mounted on the substrate after the light emitting device 200 is packaged, or may be implemented as a light emitting module mounted on an LED chip.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

5... 성장기판 10... 발광구조물
11... 제1 도전형 반도체층 12... 활성층
13... 제2 도전형 반도체층 20, 25... 전극
30... 전류차단층 31... 제3층
40... 오믹접촉층 50... 반사전극
60... 본딩층 70... 전도성 지지부재
80... 아이솔레이션층 82... 제2층
90... 보호층 93... 제1층5 ... growth substrate 10 ... light emitting structure
11 ... first conductive type semiconductor layer 12 ... active layer
13 ... second conductivity type semiconductor layers 20, 25 ... electrode
30 ... current blocking layer 31 ... third layer
40 ... ohmic contact layer 50 ... reflective electrode
60 ... bonding layer 70 ... conductive supporting member
80 ... Isolation layer 82 ... Second layer
90 ... protective layer 93 ... first layer

Claims (15)

제1 도전형 반도체층과 제2도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물;
상기 발광구조물 아래에 배치된 전류차단층;
상기 발광구조물 및 상기 전류차단층 아래에 배치된 오믹접촉층;
상기 오믹접촉층 아래에 배치된 반사전극;
상기 발광 구조물 위에 배치된 복수의 전극;
상기 발광구조물 측면 및 상면과, 상기 복수의 전극 사이에 배치된 보호층; 및
상기 보호층 위에 배치되며, 상기 발광구조물 및 상기 보호층과 다른 굴절율을 갖는 제1층;을 포함하고,
상기 오믹접촉층은 상기 발광 구조물 및 상기 전류차단층과 접촉하고 상기 발광 구조물의 최외각보다 더 도출되고,
상기 반사전극은 상기 전류차단층과 오버랩되지 않는 영역에 볼록부를 포함하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A current blocking layer disposed below the light emitting structure;
An ohmic contact layer disposed below the light emitting structure and the current blocking layer;
A reflective electrode disposed below the ohmic contact layer;
A plurality of electrodes disposed on the light emitting structure;
A side surface and an upper surface of the light emitting structure, and a protective layer disposed between the plurality of electrodes; And
And a first layer disposed on the protective layer and having a different refractive index from the light emitting structure and the protective layer,
Wherein the ohmic contact layer is in contact with the light emitting structure and the current blocking layer and is more extended than the outermost edge of the light emitting structure,
Wherein the reflective electrode includes a convex portion in a region that does not overlap with the current blocking layer. 제1항에 있어서,
상기 제1층은
상기 발광구조물과 이격되며, 투명 도전성 산화막층을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
The first layer
And a transparent conductive oxide film layer spaced apart from the light emitting structure. 제2항에 있어서, 상기 제1층은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하고,
상기 오믹접촉층은 상기 제2도전형 반도체층의 하면과 접촉하는 발광 소자.The method of claim 2, wherein the first layer is formed of a material selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), aluminum gallium zinc oxide (AGZO), indium zinc tin oxide (IZTO) Indium Aluminum Zinc Oxide (IGZO), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZON (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO At least one selected material,
And the ohmic contact layer is in contact with the lower surface of the second conductive type semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 전류차단층은 절연층을 포함하며,
상기 전극과 상하간에 중첩되는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the current blocking layer comprises an insulating layer,
Wherein the electrode overlaps with the electrode vertically. 제1항에 있어서, 상기 발광구조물의 외곽 둘레 하부 및 상기 오믹접촉층 위에 배치된 아이솔레이션층을 더 포함하는 발광 소자.The light emitting device according to claim 1, further comprising a lower layer surrounding the light emitting structure and a channel layer disposed on the ohmic contact layer. 제5항에 있어서,
상기 아이솔레이션층은 상기 보호층과 맞닿는 발광 소자.6. The method of claim 5,
And the channel layer is in contact with the protective layer. 제5항에 있어서, 상기 아이솔레이션층과 상기 발광구조물 사이에 배치되며, 상기 발광구조물 및 상기 아이솔레이션층과 다른 굴절율을 갖는 제2층을 포함하는 발광 소자.The light emitting device of claim 5, further comprising a second layer disposed between the channel layer and the light emitting structure and having a refractive index different from that of the light emitting structure and the channel layer. 제7항에 있어서,
상기 아이솔레이션층은 상기 제2 층의 저면과 측면을 감싸고,
상기 오믹접촉층은 상기 제2층과 상기 전류차단층 사이에 배치되는 발광 소자.8. The method of claim 7,
Wherein the isolation layer surrounds the bottom and side surfaces of the second layer,
And the ohmic contact layer is disposed between the second layer and the current blocking layer. 제1항에 있어서,
상기 발광구조물의 상부 표면은 제1 요철을 포함하며,
상기 전극의 하부 면은 상기 발광구조물의 제1 요철에 대응되는 제2 요철을 포함하고,
상기 반사전극 아래에 배치되는 확산방지막을 포함하는 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the upper surface of the light emitting structure includes a first irregularity,
A lower surface of the electrode includes a second irregularity corresponding to a first irregularity of the light emitting structure,
And a diffusion prevention film disposed under the reflective electrode. 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1층의 굴절율은 상기 발광구조물의 굴절율에 비하여 작은 값을 갖고, 상기 보호층의 굴절율에 비하여 큰 값을 갖는 발광 소자.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the refractive index of the first layer is smaller than the refractive index of the light emitting structure and the refractive index of the first layer is larger than the refractive index of the protective layer. 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에에 있어서,
상기 발광구조물과 상기 전류차단층 사이에 배치되며, 상기 발광구조물 및 상기 전류차단층과 다른 굴절율을 갖는 제3층을 포함하며,
상기 전류차단층은 상기 제3 층의 저면과 측면을 감싸는 발광 소자.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
And a third layer disposed between the light emitting structure and the current blocking layer and having a refractive index different from that of the light emitting structure and the current blocking layer,
Wherein the current blocking layer surrounds the bottom and side surfaces of the third layer. 제11항에 있어서, 상기 제3층과 상기 오믹접촉층은 같은 물질로 형성된 발광 소자.12. The light emitting device of claim 11, wherein the third layer and the ohmic contact layer are formed of the same material. 제11항에 있어서, 상기 제3층과 상기 오믹접촉층은 전기적으로 절연된 발광 소자.12. The light emitting device according to claim 11, wherein the third layer and the ohmic contact layer are electrically insulated. 삭제delete 몸체;
상기 몸체 위에 배치되며, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의한 발광 소자;
상기 발광 소자에 전기적으로 연결된 제1 리드전극 및 제2 리드전극;을 포함하는 발광 소자 패키지.Body;
The light emitting device according to any one of claims 1 to 9, which is disposed on the body.
And a first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting element.
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