KR20130078932A - 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20130078932A
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Abstract

실시예에 의하면, 사이에 개재된 웨이퍼를 연마하는 상부 연마 패드 및 하부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치는, 서로 마주하는 상부 연마 패드와 하부 연마 패드의 중앙부보다 가장자리를 더 많이 절삭하여, 절삭된 상부 연마 패드와 하부 연마 패드의 가장 자리가 중앙부보다 더 큰 갭을 갖도록 하는 적어도 하나의 절삭 부재를 포함한다.

Description

웨이퍼 연마 패드 절삭 장치 및 방법{Apparatus and method for dressing pad for polishing wafer}
실시예는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 등을 제조하는 원재료인 단결정 실리콘 웨이퍼 등은 크게, 쉐이핑(shaping) 공정, 연마(polishing) 공정, 세정(cleaning) 공정을 거쳐 제조되며, 에피택셜층을 성장시키는 공정을 선택적으로 더 수행할 수 있다.
쉐이핑 공정은 잉곳(ingot) 형태의 단결정을 웨이퍼 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정, 슬라이싱 공정에 기인하는 결함을 제거하고 두께를 제어하기 위해 웨이퍼를 기계적으로 연마하는 래핑(lapping) 공정, 래핑 공정에 기인하는 결함을 화학적으로 제거하는 에칭(etching) 공정, 및 에칭 공정에 기인하는 결함을 제거하는 연삭(grinding) 공정으로 세분될 수 있다.
또한, 웨이퍼 연마 공정은 약 10㎛ 내지 20㎛ 정도의 웨이퍼 두께를 연마함으로써 쉐이핑 공정에 기인하는 표면 결함을 제거하고 웨이퍼의 평탄도를 좋게 하는 양면 연마(DSP:Double Side Polishing) 공정과, 약 1㎛ 내외의 두께를 미세하게 연마하여 거칠기(roughness)를 개선함으로써 경면화하는 최종 연마(final polishing) 공정으로 나눌 수 있다.
전술한 연마 공정은 연마 패드와 연마제를 이용하여 웨이퍼의 연마 평탄도를 확보한다. 이때 웨이퍼에서 연마된 물질과 연마제 내의 입자들이 서로 결합하여, 연마 패드 함침 구조에 침투하여 연마 패드의 유리화를 진행시킨다. 이와 같이 연마 패드의 일정 부분에서 진행된 유리화에 의하여 웨이퍼를 연마시키는 속도를 저감시키고, 연마 패드 표면의 불균일성을 초래하므로 이 연마 패드에 의하여 연마되는 웨이퍼의 표면의 평탄도를 악화시킨다.
이와 같은 연마 패드의 유리화를 제거하기 위하여 연마 공정에서는 연마 패드를 드레싱(dressing)하는 방법이 적용되고 있다. 이 연마 패드 드레싱 방법에는 브러시나 다이아몬드 페이퍼로 연마 패드의 표면을 긁어주는(또는, 절삭하는) 방법이 있다.
도 1a 및 1b는 일반적인 정반의 갭에 따른 평탄도 품질 수준을 나타내는 그래프로서, SBIR은 Site Back Ideal focal plane Range이고, SFQR은 reference plane-site front least square focal plane range로서 평탄도의 지표를 나타낸다.
일반적으로 라인 내의 DSP 장치의 실제 가공 평가시, 도 1a 및 1b에 도시된 바와 같이 정반 갭(gap) 차이에 따른 일정 갭 이하의 그룹(group) A 및 일정 갭 이상의 그룹 B 간의 품질 수준의 차이가 명확히 나타난다.
도 2(a) 내지 2(c)는 정반의 갭 차이를 만들기 위한 테스트 결과를 나타내며, 도 2(a)는 조건을 나타내고, 도 2(b)는 예상 효과를 나타내고, 도 2(c)는 테스트 결과를 나타낸다.
공정 내에서, 전술한 바와 같은 정반 갭 차이를 변화시킬 수 있는 방법은 다이아몬드 드레서(diamond dresser)이다. 이에 정반의 갭 차이를 만들기 위해서 테스트한 결과는 도 2(c)에 도시된 바와 같다. 도 2(a)에 도시된 조건으로 드레서의 레시피(recipe)를 변경하여 상대 속도에 따른 패드 프로파일을 확인한 결과, 도 2(b)에 도시된 패드 프로파일에 대한 예상 효과와 달리 도 2(c)에 도시된 바와 같이 기준치(REF)를 기준으로 두 가지 실험(TEST1, TEST2)에서 패드의 프로파일에 큰 변화가 없었으며 품질 수준 역시 기존 기준치(Ref) 대비 큰 경향성을 나타내지 않았다. 이에 상대 속도를 이용한 패드 프로파일 제어는 어렵다는 것을 알 수 있다. 공정에 적용 중인 원형 다이아몬드 드레서는 패드 전면에 걸친 드레싱이기 때문에, 선 기어부 및 인터널 기어부의 부분적인 제어가 힘들다.
도 3은 일반적인 패드 프로파일 변화를 나타내는 도면으로서, 상정반(10), 하정반(20), 인터널 기어부(30) 및 선 기어부(40)로 구성된다.
도 3을 참조하면, DSP 장치 내의 상정반(10)과 하정반(20)의 갭(50)의 차이 발생에 따른 품질 수준의 차이가 명확히 존재하는 바, 이에 정반(10, 20)의 형상을 전부 교체하거나, 재가공을 하기 위해서는 많은 시간과 자금이 필요하다.
또한, 다이아몬드 드레서를 이용한 패드 프로파일 제어에 있어 반경 기준 정반 갭을 제어하는데 한계가 있음에 따라 최소한의 비용으로 변경코자 하는 정반 갭 수준의 확보가 절실히 요구된다.
실시예는 정반 갭이 일정한 수준을 갖도록 패드의 프로파일을 최소한의 비용으로 변경시킴으로써, 웨이퍼 엣지의 품질과 평탄도를 개선하고 제어할 수 있도록 하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치 및 방법을 제공한다.
실시예에 의하면, 사이에 개재된 웨이퍼를 연마하는 상부 연마 패드 및 하부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치는, 서로 마주하는 상기 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 중앙부보다 가장자리를 더 많이 절삭하여, 상기 절삭된 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 가장 자리가 상기 중앙부보다 더 큰 갭을 갖도록 하는 적어도 하나의 절삭 부재를 포함한다. 이때, 절삭 부재는 상기 중앙부로부터 상기 가장 자리로 갈수록 부채꼴 또는 사다리꼴의 모양으로 증가하는 절삭면을 가질 수 있다.
또한, 절삭 장치는, 상기 중앙부로부터 상기 가장 자리로 갈수록 상기 상부 연마 패드의 절삭량이 선형적으로 증가하도록, 상기 상부 연마 패드를 절삭한다. 또는, 상기 중앙부로부터 상기 가장 자리로 갈수록 상기 하부 연마 패드의 절삭량이 선형적으로 증가하도록, 상기 하부 연마 패드를 절삭할 수도 있다. 또는, 상기 중앙부로부터 상기 가장 자리로 갈수록 상기 상부 및 하부 연마 패드의 각 절삭량이 선형적으로 증가하도록, 상기 상부 및 하부 연마 패드를 절삭할 수도 있다.
또한, 상기 상부 연마 패드의 가장 자리를 상기 하부 연마 패드의 가장 자리보다 더 절삭한다. 또는, 상기 하부 연마 패드의 가장 자리를 상기 상부 연마 패드의 가장 자리보다 더 절삭한다.
다른 실시예에 의하면, 사이에 개재된 웨이퍼를 연마하는 상부 연마 패드와 하부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치는, 서로 마주하는 상기 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 가장 자리보다 중앙부를 더 많이 절삭하여, 상기 웨이퍼의 엣지에서의 곡률을 증가시키도록 하는 절삭 부재를 포함할 수 있다.
또한, 사이에 개재된 웨이퍼를 연마하는 상부 연마 패드 및 하부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 방법은, 서로 마주하는 상기 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 중앙부보다 가장자리를 더 많이 절삭하여, 상기 절삭된 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 가장 자리가 상기 중앙부보다 더 큰 갭을 갖도록 할 수 있다.
실시예에 따른 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치 및 방법은 상정반과 하정반 간의 갭 차이 발생에 따른 품질 수준의 명확히 차이가 발생하는 바, 정반 형상이 아닌 패드 프로파일(pad Profile)의 제어를 통해 상부 연마 패드와 하부 연마 패드 간의 갭이 특정한 범위 내에서 넓게 확보되도록 하기 때문에, 정반을 교체하거나 재가공할 필요없이 최소한의 비용으로 변경코자 하는 정반 갭 수준을 확보하여 웨이퍼의 품질을 개선킬 수 있도록 한다.
도 1a 및 1b는 일반적인 정반의 갭에 따른 평탄도 품질 수준을 나타내는 그래프이다.
도 2 (a) 내지 (c)는 정반의 갭 차이를 만들기 위한 테스트 결과를 나타낸다.
도 3은 일반적인 패드 프로파일 변화를 나타내는 도면이다.
도 4는 일반적인 웨이퍼 양면 연마 장치의 부분 절개 사시도를 나타낸다.
도 5a 및 도 5b는 실시예에 의해 상부 및 하부 연마 패드를 절삭한 이후 상부 및 하부 연마 패드의 프로파일 변화를 나타내는 도면이다.
도 6a 및 6b는 실시예에 의한 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치의 절삭 부재의 평면도 및 배면도를 나타낸다.
도 7은 실시예에 따른 절삭 부재의 평면도를 나타낸다.
도 8a 및 8b는 실시예에 의한 선 기어부 쪽 패드의 절삭량 증가와 관련된 변경 프로파일을 나타내는 도면이다.
도 9는 갭과 웨이퍼 엣지 스트레스 간의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은 실시예에 의한 모양을 갖는 절삭 부재의 절삭량과 동작을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도 4는 일반적인 웨이퍼 양면 연마 장치의 부분 절개 사시도를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 캐리어(210)는 웨이퍼 양면 연마 장치(200)에 장착되어 사용된다. 웨이퍼 양면 연마 장치(200)는 상부 연마 패드(232)가 하면에 부착된 상정반(202), 상정반(202)과 대향되게 설치되고 하부 연마 패드(234)가 상면에 부착된 하정반(204), 하정반(204)의 외주에 설치되어 회전되는 인터널 기어(internal gear)부(240), 상정반(202)의 중심부에 설치되어 인터널 기어부(240)와 반대 방향으로 회전되는 선 기어(sun gear)부(220) 및, 상정반(202)과 하정반(204) 사이에 설치되어 선 기어부(220)와 인터널 기어부(240)에 의하여 회전되는 캐리어(210)를 구비한다.
상정반(202)의 상부에는 연마액을 공급하는 노즐(미도시)이 설치되고, 상정반(202)에는 노즐을 통하여 공급된 연마액(260)이 하정반(204) 측으로 유입되도록 관통된 유입구가 형성되어 있다. 즉, 웨이퍼(250)를 연마시 유입구를 통해 슬러리(slurry)(260) 같은 연마액이 공급된다.
상정반(202)과 하정반(204)의 사이에 설치된 캐리어(210)에 웨이퍼(250)가 안착되고, 이 웨이퍼(250)는 상정반(202)과 하정반(204)에 각각 부착된 상부 연마 및 하부 연마 패드(232, 234) 사이에 개재되며 패드(232, 234)와 마찰되어 연마된다. 이와 같이, 웨이퍼(250)가 마찰되어 연마되는 것은, 상부 연마 패드(232) 및 하부 연마 패드(234)가 서로 반대되는 방향으로 회전함에 따라 이루어진다.
선 기어부(220)의 외주면에 형성된 기어부 및 인터널 기어부(240)의 내부면에 형성된 기어부는 캐리어(210)의 외주면에 형성된 기어(212)와 서로 치합된다. 이에, 상정반(202) 및 하정반(204)이 구동원(미도시)에 의해 회전됨에 따라, 캐리어(210)는 자전 및 공전하게 된다.
이러한 캐리어(210)는 상정반(202)과 하정반(204)에 의해 연마되는 웨이퍼(250)를 지지하고, 웨이퍼(250)를 연마하는 상부 연마 패드 및 하부 연마 패드(232, 234)의 평탄화를 유지시키는 역할을 한다.
이하, 실시예에 의한 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치 및 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 5a 및 도 5b는 실시예에 의해 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)를 절삭한 이후 상부 연마 패드(232)와 하부 연마 패드(234)의 프로파일 변화를 나타내는 도면이다.
실시예에 의한 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치는 서로 마주하는 상부 연마 패드(232) 및 하부 연마 패드(234) 중 적어도 하나의 중앙부보다 가장 자리를 더 많이 절삭한다. 따라서, 도 3에 도시된 일반적인 상부 및 하부 연마 패드(10, 20)와 비교할 때, 실시예에 의한 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치에 절삭된 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)는 도 5a 또는 도 5b에 도시된 바와 같이 중앙부에서의 갭(d1)보다 가장자리에서의 갭(d2)이 더 커질 수 있어, 상부 및 하부 연마 패드(232, 234) 간의 갭이 일정하게 확보될 수 있다.
즉, 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)의 중앙부보다 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)의 가장 자리가 더 많이 절삭되어, 도 5a 또는 도 5b에 도시된 바와 같이 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)는 적절한 곡률을 갖게 된다. 이로 인해, 상부 연마 패드(232)와 하부 연마 패드(234)의 가장자리에서의 갭(d2)이 일정한 값 이상을 가질 수 있다.
실시예에 의하면, 상부 연마 패드(232)와 하부 연마 패드(234)의 가장 자리에서의 갭(d2)이 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)의 중앙부의 갭(d1) 보다 크도록 하기 위해서, 도 3에 도시된 상부 연마 패드(10)와 비교할 때 도 5a에 도시된 상부 연마 패드(232)의 가장 자리를 하부 연마 패드(234)의 가장 자리보다 더 절삭할 수 있다.
다른 실시예에 의하면, 상부 연마 패드(232)와 하부 연마 패드(234)의 가장 자리에서의 갭(d2)이 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)의 중앙부의 갭(d1) 보다 크도록 하기 위해서, 도 3에 도시된 하부 연마 패드(20)와 비교할 때 도 5b에 도시된 하부 연마 패드(234)의 가장 자리를 상부 연마 패드(232)의 가장 자리보다 더 절삭할 수도 있다.
도 6a 및 6b는 실시예에 의한 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치의 절삭 부재(403)의 평면도 및 배면도를 나타낸다. 즉, 도 6a는 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)를 절삭하기 위해 닿는 절삭 부재(403)의 전면(front side)을 나타내고, 도 6b는 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)와 닿지 않은 절삭 부재(403)의 배면(back side)을 나타낸다.
도 7은 실시예에 따른 절삭 부재(403)의 평면도를 나타낸다.
도 6a, 6b, 및 도 7에 도시된 바와 같이, 절삭 부재(403)는 다수의 부위들(A, B, C)을 갖고, 절삭 부재(403)의 절삭 면적은 중앙부(A)로부터 가장 자리(C)로 갈수록 부채꼴 또는 사다리꼴의 모양으로 증가할 수 있다. 예를 들어, 실시예에 의한 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치는, 도 7에 도시된 중앙부(A)로부터 가장 자리(C)로 갈수록 상부 연마 패드(232)의 절삭량이 선형적으로 증가하도록 도 5a에 도시된 바와 같이 상부 연마 패드(232)를 절삭할 수 있다.
또는, 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치는, 도 7에 도시된 중앙부(A)로부터 가장 자리(C)로 갈수록 하부 연마 패드(234)의 절삭량이 선형적으로 증가하도록 도 6b에 도시된 바와 같이 하부 연마 패드(234)를 절삭할 수 있다.
또는, 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치는, 중앙부(A)로부터 가장 자리(C)로 갈수록, 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)의 절삭량이 선형적으로 증가하도록 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)를 모두 절삭할 수도 있다.
즉, 전술한 상부 및 하부 연마 패드(232, 234) 중 적어도 하나의 절삭량은 다음 수학식 1과 같이 선형적으로 증가할 수 있다.
Figure pat00001
여기서, QA, QB, QC는 도 7에 도시된 절삭 부재(403)의 각 부(A, B, C)에 의해 패드가 절삭되는 량을 각각 나타낸다.
전술한 바와 같이, 상부 및 하부 연마 부재(232, 234) 중 적어도 하나에서, 인터널 기어부(240) 쪽(C)이 선 기어부(220) 쪽(A) 보다 상대적으로 더 많이 절삭될 수 있도록, 절삭 부재(403)는 부채꼴 또는 사다리꼴의 모양을 갖는다. 따라서, 인터널 기어부(240) 쪽(C)에 더 많은 절삭 효과가 부여되므로, 도 5a 또는 도 5b에 도시된 바와 같이 상부 및 하부 연마 패드(232, 234)의 가장 자리 사이의 갭(d2)이 일정 수준 이상으로 유지될 수 있다.
그러므로, 실시예에 의하면 양호한 품질 수준을 보인 정반(202, 204)의 형상 갭과 유사하게 패드(232, 234)의 절삭된 모양만을 변경하여, 평탄도(flatness) 품질의 산포를 개선시킬 수 있다.
도 8a 및 8b는 실시예에 의한 선 기어부(220) 쪽 패드(232, 234)의 절삭량 증가와 관련된 변경 프로파일을 나타내는 도면이다.
실시예에 의하면, 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치는 서로 마주하는 상부 연마 패드(232) 및 하부 연마 패드(234) 중 적어도 하나의 가장 자리보다 중앙부를 더 많이 절삭할 수도 있다. 이 경우, 도 8b에 도시된 바와 같이 웨이퍼(250)의 엣지(300)에서의 곡률이 증가될 수 있다. 즉, 도 8b를 참조하면, 웨이퍼(250)의 가장 자리의 평탄도가 제어되어 웨이퍼(250)의 엣지 드롭(edge drop)(300)이 극대화되어, ZDD(Z height Double Derivative) 품질이 개선됨을 알 수 있다. 여기서, ZDD는 반경 방향 거리에서의 웨이퍼 표면의 높이로 정의된다.
즉, 선 기어부(220) 쪽(A)에 위치한 패드(232, 234)의 절삭량을 늘임으로써 인터널 기어부(240)에서의 가공 스트레스를 늘임으로써, 웨이퍼(250)의 엣지부(300)의 곡률을 증가시킬 수 있어, 실리콘 온 절연(SOI:Silicon On Insulator) 등의 엣지 드롭이 유리한 웨이퍼 형상 제어에 유리하게 적용될 수 있다.
도 9는 갭과 웨이퍼 엣지 스트레스(wafer edge stress) 간의 관계를 나타내는 그래프이다. 여기서, 참조부호 '320'은 웨이퍼 엣지에 걸리는 마찰(friction)을 나타낸 것으로서, 선 기어부(220)와 인터널 기어부(240)의 마찰의 최소 임계점을 나타낸다.
정반 갭은 웨이퍼 엣지에만 영향을 미치는 인터널 기어부(240)에서의 스트레스(310)와 선 기어부(220)에서의 스트레스(312) 변화를 가져옴에 따라 상대적으로 큰 각속도와 면적을 가진 인터널 기어부(240)에서의 스트레스(310) 변화가 더 크다.
실시예에 의한 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치 및 방법에 의하면, 절삭 부재(403)를 이용하여 특정 범위 내에서 패드(232, 234) 간의 일정한 갭이 확보될 수 있도록 패드(232, 234)를 절삭하기 때문에, 양호한 웨이퍼의 엣지 품질을 제공하고, 웨이퍼 엣지를 제어할 수 있도록 한다.
도 10은 실시예에 의한 모양을 갖는 절삭 부재(403)의 절삭량과 동작을 설명하기 위한 도면이다.
기존의 다이아몬드 드레서의 경우, 인터널 기어부(30)와 선 기어부(40)의 서로 다른 상대속도의 비로 인해, 상정반(10)과 하정반(20) 사이에서 캐리어에 실린 웨이퍼가 공전과 자전을 동시에 진행하였다.
그러나, 본 실시예에 의한 절삭 부재(403)는 상정반(202)과 하정반(204) 사이에서 화살표 방향(332, 334)으로 공전만을 진행한다.
실시예의 경우, 절삭 부재(403)가 부채꼴 또는 사다리꼴의 형태를 가지므로, 패드(232, 234)가 화살표 방향(330, 334)으로 회전할 때 패드(232, 234)의 인터널 기어부(240) 쪽이 선 기어부(220) 쪽 보다 더 많이 절삭될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10, 202: 상정반 20, 204: 하정반
30, 240: 인터널 기어 40, 220: 선 기어
210: 캐리어 250: 웨이퍼
403: 절삭 부재

Claims (9)

  1. 사이에 개재된 웨이퍼를 연마하는 상부 연마 패드 및 하부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치에 있어서,
    서로 마주하는 상기 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 중앙부보다 가장자리를 더 많이 절삭하여, 상기 절삭된 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 가장 자리가 상기 중앙부보다 더 큰 갭을 갖도록 하는 적어도 하나의 절삭 부재를 포함하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 절삭 부재는
    상기 중앙부로부터 상기 가장 자리로 갈수록 부채꼴 또는 사다리꼴의 모양으로 증가하는 절삭면을 갖는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 중앙부로부터 상기 가장 자리로 갈수록 상기 상부 연마 패드의 절삭량이 선형적으로 증가하도록, 상기 상부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 중앙부로부터 상기 가장 자리로 갈수록 상기 하부 연마 패드의 절삭량이 선형적으로 증가하도록, 상기 하부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 중앙부로부터 상기 가장 자리로 갈수록 상기 상부 및 하부 연마 패드의 각 절삭량이 선형적으로 증가하도록, 상기 상부 및 하부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 상부 연마 패드의 가장 자리를 상기 하부 연마 패드의 가장 자리보다 더 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 하부 연마 패드의 가장 자리를 상기 상부 연마 패드의 가장 자리보다 더 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치.
  8. 사이에 개재된 웨이퍼를 연마하는 상부 연마 패드와 하부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치에 있어서,
    서로 마주하는 상기 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 가장 자리보다 중앙부를 더 많이 절삭하여, 상기 웨이퍼의 엣지에서의 곡률을 증가시키도록 하는 절삭 부재를 포함하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 장치.
  9. 사이에 개재된 웨이퍼를 연마하는 상부 연마 패드 및 하부 연마 패드를 절삭하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 방법에 있어서,
    서로 마주하는 상기 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 중앙부보다 가장자리를 더 많이 절삭하여, 상기 절삭된 상부 연마 패드와 상기 하부 연마 패드의 가장 자리가 상기 중앙부보다 더 큰 갭을 갖도록 하는 웨이퍼 연마 패드 절삭 방법.
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JP2006055943A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Allied Material Corp Cmpパッドコンディショナー
KR100723436B1 (ko) * 2005-12-29 2007-05-30 삼성전자주식회사 연마패드의 컨디셔너 및 이를 구비하는 화학기계적연마장치

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