KR20130062579A - 투명전극용 은나노선 제조 방법 - Google Patents

투명전극용 은나노선 제조 방법 Download PDF

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    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Abstract

본 발명은 (a) 알루미늄 시트가 양극산화처리되어 상기 알루미늄 시트의 표면에 복수 개의 나노 크기의 세공들을 갖는 알루미나 양극산화막이 형성되는 단계; (b) 석출 전해질 용액 내의 상기 양극산화처리된 알루미늄 시트에 석출 전압이 공급되어, 상기 알루미나 양극산화막의 세공들에서 은나노선이 석출되는 단계(상기 석출 전해질 용액은 질산은을 유기용매로 용해한 용액이다); (c) 상기 은나노선이 석출된 알루미늄 시트가 시트 용액으로 용해되고, 상기 은나노선이 정제되는 단계; 및 (d) 상기 정제된 은나노선이 에탄올 또는 프로판올로 용해되어 은나노선 분산용액으로 생성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 개시한다. 상기와 같은 투명전극용 은나노선 제조 방법은 양극산화처리된 알루미늄 시트에 은나노선을 석출할 때 양극산화막을 손상시키지 않고, 은나노선을 알루미늄 시트에 걸쳐 고르게 석출할 수 있도록 한다.

Description

투명전극용 은나노선 제조 방법{FABRICATION METHOD OF SILVER NANOWIRE FOR TRANSPARENT CONDUCTING FILM}
본 발명은 투명전극을 제조하는 데에 이용되는 은나노선을 제조하는 투명전극용 은나노선 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 나노틀을 이용하여 은나노선을 고르게 제조하는 투명전극용 은나노선 제조 방법에 관한 것이다.
스마트폰의 등장으로 터치스크린에 대한 수요가 증가하고 있다. 터치스크린은 일반적으로 투명전극을 이용하여 제조되고 있다. 이러한 투명전극은 일반적으로 ITO(indium doped tin oxide)로 제조되고 있지만, ITO는 유연성이 떨어지고, 인듐의 가격이 지속적으로 상승하고 있다. 이로 인해, ITO를 대체할 투명전극용 소재가 연구 개발되고 있다. 그 예로서, 유연성을 갖는 탄소나노튜브, 그래핀, 전도성 폴리머, 은나노선 등이 있다.
하지만, 탄소 나노튜브는 제조 가격이 높고, 상호 간에 접촉시 접촉저항이 발생된다. 그래핀은 증착시 결정립과 결정립 사이의 경계가 생길 수 있으며, 탄소 나노튜브와 동일한 문제가 발생된다. 전도성 폴리머는 자외선 및 가시광선 영역의 일부를 흡수하고, 용해시킬만한 용매에 대한 연구가 이루어져야 하는 실정이다.
한편, 은나노선은 전기전도도가 우수하며, 상호 간에 자동으로 접합될 수 있고 상호 간에 접촉저항이 발생하지 않기에 투명전극으로 제조되는 데에 바람직하다. 은나노선을 안정적으로 제조하고 이를 분산시키기 위하여, 나노틀(nano template)을 이용한다. 다양한 나노틀 중에서 알루미늄 시트를 양극산화처리하여, 표면에 규칙적으로 나노 크기(30㎚ 내지 100㎚)의 세공(pore)들이 형성된 다공성 알루미나(porous anodic alumina(PAA) 또는 anodic aluminum oxide(AAO))가 이용된다. 이러한 다공성 알루미나를 이용한 전기 석출이 이루어진다. 이때, 전해질은 질산은(AgNO3) 용액으로 일반적으로 물에 질산은이 용해된 용액이다. 또한, 세공이 형성된 알루미늄 시트는 음극이고, 탄소전극은 양극이며, 교류 전압이 공급된다. 이로 인해, 다공성 알루미나의 세공에 은나노선이 석출되고, 석출된 은나노선은 투명전극을 제조하는 데에 이용될 수 있다.
한편, 전기 석출에 이용되는 교류 전압의 크기가 클수록 은나노선이 알루미늄 시트에서 고르게 석출될 수 있다. 하지만, 은나노선의 석출시 제공되는 교류 전압이 10V이상이면 알루미늄 시트의 표면에 가스가 발생하여, 세공에서 은나노선이 석출되기도 전에 세공들이 형성된 양극산화막이 손상된다. 이로 인해, 은나노선이 알루미늄 시트 상에서 안정적이면서 고르게 석출되지 못하고 있는 실정이다.
본 발명은 투명전극을 제조하는 데에 이용되는 은나노선을 제조하는 방법으로서, 은나노선을 석출할 때 공급되는 석출 전압으로 인해 양극산화막이 손상되지 않고, 은나노선이 양극산화처리된 알루미늄 시트에서 안정적이면서도 고르게 석출되도록 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 (a) 알루미늄 시트가 양극산화처리되어 상기 알루미늄 시트의 표면에 복수 개의 나노 크기의 세공들을 갖는 알루미나 양극산화막이 형성되는 단계; (b) 석출 전해질 용액 내의 상기 양극산화처리된 알루미늄 시트에 석출 전압이 공급되어, 상기 알루미나 양극산화막의 세공들에서 은나노선이 석출되는 단계(상기 석출 전해질 용액은 질산은을 유기용매로 용해한 용액이다); (c) 상기 은나노선이 석출된 알루미늄 시트가 시트 용액으로 용해되고, 상기 은나노선이 정제되는 단계; 및 (d) 상기 정제된 은나노선이 에탄올 또는 프로판올로 용해되어 은나노선 분산용액으로 생성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 개시한다.
또한, 상기 (b) 단계에서, 상기 석출 전해질 용액은 0.001M 내지 0.1M의 몰농도이며, 4℃ 내지 25℃의 온도로 유지되고, 상기 석출 전압은 10㎐ 내지 300 ㎐의 주파수를 갖는 10V 이상의 교류 전압인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 개시한다.
또한, 상기 유기용매는 에탄올인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 개시한다.
또한, 상기 (a) 단계는, 상기 양극산화처리된 알루미늄 시트가 산성 용액 또는 염기성 용액으로 용해되어 상기 세공들의 지름이 증가되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 개시한다.
또한, 상기 (a) 단계에서 사용되는 전해질 용액은 황산, 인산 또는 옥살산인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 개시한다.
또한, 상기 (c) 단계에서, 상기 시트 용액은 0.001M 내지 0.1M의 몰농도를 갖고 5℃ 내지 30℃로 유지되는 인산 용액인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 개시한다.
또한, 상기 (c) 단계는, 상기 알루미늄 시트가 용해된 후에 원심 분리 또는 초음파 세척을 통해 상기 은나노선이 정제되는 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 개시한다.
또한, 상기 알루미늄 시트가 음극이고, 탄소전극이 양극인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법을 개시한다.
본 발명의 투명전극용 은나노선 제조 방법은 양극산화처리된 알루미늄 시트를 이용하여 투명전극을 제조하는 데에 이용되는 은나노선을 제조하는 방법이다. 양극산화처리된 알루미늄 시트에는 복수 개의 나노 크기의 세공들을 갖는 양극산화막이 형성된다. 이러한 양극산화처리된 알루미늄 시트는 석출 전해질 용액을 전기석출하는 데에 이용된다. 여기서, 석출 전해질 용액은 질산은(AgNO3)을 유기용매 특히 에탄올로 용해시킨 용액으로서, 0.001M 내지 0.1M의 몰농도를 갖고 4℃ 내지 25℃의 온도로 유지된다. 또한, 전기 석출이 이루어질 때 공급되는 석출 전압은 10㎐ 내지 300㎐의 주파수를 갖는 10V 이상의 교류 전압이다. 상기 석출 전압이 공급됨으로써, 양극산화막의 세공들에는 은나노선이 석출된다. 종래에는 10V 이상의 석출 전압이 공급되는 경우, 알루미늄 시트의 표면에 가스가 발생하여 은나노선의 석출이 이루어지지 못하였지만, 본 발명에 따른 투명전극용 은나노선 제조 방법에서는 석출 전해질 용액의 용매로서 에탄올 등과 같은 유기용매가 사용됨으로써, 10V 이상의 전압에서도 은나노선을 원활하게 석출한다. 따라서, 본 발명에 따른 투명전극용 은나노선 제조 방법은 상대적으로 높은 전압에서도 양극산화막의 손상없이 은나노선을 석출할 수 있으며, 알루미늄 시트에 걸쳐 고르게 은나노선을 석출할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명전극용 은나노선 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 2는 도 1에 도시된 투명전극용 은나노선 제조 방법에 사용되는 양극산화처리된 알루미늄 시트를 도시하는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 투명전극용 은나노선 제조 방법에서 황산을 전해질로 하여 양극산화처리된 알루미늄 시트의 세공들에 석출된 은나노선을 확대하여 도시하는 사진이다.
도 4는 도 1에 도시된 투명전극용 은나노선 제조 방법에서 옥살산을 전해질로 하여 양극산화처리된 알루미늄 시트의 세공들에 석출된 은나노선을 확대하여 도시하는 사진이다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명전극용 은나노선 제조 방법을 도시하는 흐름도이고, 도 2는 도 1에 도시된 투명전극용 은나노선 제조 방법에 사용되는 양극산화처리된 알루미늄 시트(10)를 도시하는 도면이다.
도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명전극용 은나노선 제조 방법은 도 2에 도시된 알루미늄 시트(10)를 이용하여 은나노선을 안정적으로 제조하는 방법이다. 이는 전기 석출 방법에 의해 이루어지는 데, 알루미늄 시트(10)를 음극으로 하고, 탄소 전극을 양극으로 한다.
알루미늄 시트(10)가 양극산화처리되는 단계(S101)가 이루어진다. S101 단계를 통해, 알루미늄 시트(10)의 표면에는 복수 개의 나노 크기의 세공(pore)(11a)들을 갖는 알루미나 양극산화막(11)이 형성된다. 세공(11a)을 갖는 양극산화막(11)이 형성된 알루미늄 시트(10)는 본 발명에서 나노틀(nano template)로서의 기능을 한다.
S101 단계는 다양한 양극산화 방법을 통해 이루어질 수 있다. 예를 들어, 황산, 옥살산, 인산 등을 전해질로 사용하여, 일정한 직류전압을 공급하면서 24시간 동안 이루어진다. 여기서, 전해질이 황산일 때, 황산은 8℃에서 0.3M의 몰농도를 갖고, 직류전압은 25V로 유지되는 것이 바람직하며, 전해질이 옥살산일 때, 옥살산은 17℃에서 0.3M의 몰농도를 갖고, 직류전압은 40V로 유지되는 것이 바람직하다.
또한, S101 단계에서는, 알루미나 양극산화막(11)의 세공(11a)의 지름이 증가되는 단계가 이루어질 수도 있다. 이때, 산성 용액이나 염기성 용액이 이용되는데, 이는 알루미늄이나 알루미나가 산성용액이든지 염기성 용액이든지 상관없이 용해될 수 있기 때문이다. 알루미나가 알루미늄보다 빨리 녹기 때문에, 산성 용액이나 염기성 용액에 의해 알루미나 양극산화막(11)의 세공(11a)의 지름은 증가될 수 있다. 특히, 세공(11a)의 지름을 증가시키는 데에는 인산 용액이 이용되는 것이 바람직하다. 이로 인해, 알루미나 양극산화막(11)의 세공(11a)은 획득하고자 하는 은나노선의 굵기를 고려하여 조절될 수 있다.
상기와 같은 세공(11a)의 지름을 증가시키는 단계는 알루미나 양극산화막(11)을 제거한 후에, 알루미나 양극산화막(11)이 제거된 알루미늄 시트(10)를 양극산화처리한 후에 이루어질 수도 있다.
한편, S101 단계 이전에, 알루미늄 시트(10)가 아세톤에서 초음파 세척되어, 알루미늄 시트(10) 표면의 유기물이 제거될 수 있다. 이어서, 알루미늄 시트(10)가 전해 연마용 전해질로 전해광 연마될 수 있다. 이때, 전해광 연마는 과염소산(HClO4)과 에탄올(EtOH)이 1:4의 부피비로 혼합된 전해 연마용 전해질에서 전류가 100㎃/㎠의 전류밀도로 4분 동안 공급됨으로써 이루어진다.
다음으로, 석출 전해질 용액 내의 양극산화처리된 알루미늄 시트(10)에 석출 전압이 공급되어, 알루미나 양극산화막(11)의 세공(11a)들에서 은나노선이 석출되는 단계(102)가 이루어진다. 즉, S102 단계는 석출 전해질 용액 내에 양극산화처리된 알루미늄 시트(10)가 담겨진 상태에서 전기 석출을 통해 은나노선이 석출되는 단계이다.
S102 단계에서, 석출 전해질 용액은 질산은(AgNO3)을 유기용매로 용해시킨 용액이다. 이때, 질산은은 90% 이상의 순도를 갖고 유기용매는 에탄올인 것이 바람직하다. 석출 전해질 용액이 질산은이 용해된 용액이기 때문에, 전기 석출을 통해 은이온이 생성되고 은나노선으로 석출된다.
또한, 석출 전해질 용액의 몰농도는 0.001M 내지 0.1M로 이루어진다. 여기서, 몰농도는 1ℓ의 유기용매에 용해된 질산은의 몰수를 나타낸다. 만약 석출 전해질 용액의 몰농도가 0.001M보다 작으면, 용해된 질산은의 양이 적기 때문에, 석출되는 은나노선의 양이 적고 은나노선이 원활하게 석출되지 않는다. 또한 만약 석출 전해질 용액의 몰농도가 0.1M보다 크면, 유기용매가 용해시키지 못하는 질산은이 발생하게 된다. 즉, 석출 전해질 용액의 몰농도가 0.1M일 때, 질산은이 최대로 유기용매에 용해된 상태이다. 석출 전해질 용액은 4℃ 내지 25℃의 온도로 유지되어, 은나노선이 원활하게 석출될 수 있는 온도 조건을 갖는다.
S102 단계에서, 공급되는 석출 전압은 10㎐ 내지 300 ㎐의 주파수를 갖는 10V 이상의 교류 전압이다. 석출 전압이 상기의 주파수 범위를 벗어난다면, 은나노선이 원활하게 석출되지 않는다. 이때, 석출 전압이 10V 이상임에도 불구하고, 알루미나 양극산화막(11)은 손상되지 않는다. 이로 인해, 은나노선은 알루미나 양극산화막(11)의 세공(11a)에 걸쳐 고르게 안정적으로 석출된다. 이때, 세공(11a)들 각각에 석출된 은나노선의 길이는 거의 비슷하다. 이는 석출 전해질 용액이 질산은을 유기용매 특히, 에탄올로 용해함으로써 생성되기 때문이다.
한편, 은나노선이 석출된 알루미늄 시트(10)는 유기 용매(예를 들어 에탄올) 및 증류수로 세척될 수 있다.
다음으로, 은나노선이 석출된 알루미늄 시트(10)가 시트 용액으로 용해되고 은나노선이 정제되는 단계(S103)가 이루어진다. 시트 용액은 알루미나 및 알루미늄이 산성 용액 및 염기성 용액 모두에 의해 용해되기 때문에, 산성 용액 또는 염기성 용액 모두 가능하다. 특히, 시트 용액은 0.001M 내지 0.1M의 몰농도를 갖는 인산 용액이고, 5℃ 내지 30℃로 유지되는 것이 바람직하다. 이러한 시트 용액으로 인해, 알루미나 및 알루미늄이 원활하게 용해되고, 특히 알루미나 및 알루미늄이 지나치게 빨리 용해되지 않아, 은나노선들이 상호 간에 달라붙지 않고 떨어진 상태로 유지될 수 있다.
S103 단계에서는 시트 용액에 알루미늄 시트(10) 및 알루미나 양극산화막(11)이 용해된다. 즉, 은나노선만이 그 형태를 유지한다. 이때, 원심 분리 및 초음파 세척을 반복하여 은나노선이 정제되도록 한다.
다음으로, 정제된 은나노선이 에탄올 또는 프로판올로 용해되어 은나노선 분산용액으로 생성되는 단계(S104)가 이루어진다. S104 단계를 통해 생성된 은나노선 분산 용액이 투명전극을 제조하는 데에 이용된다.
하기에서는 본 발명에 따른 투명전극용 은나노선 제조 방법을 예시들을 나타낸다. 하기의 예시들 모두에서 알루미늄 시트는 1.5㎝ × 5㎝ × 5㎜의 크기를 갖고, 아세톤에서 초음파 세척되어 알루미늄 시트 표면의 유기물이 제거되며 전해 연마용 전해질을 이용하여 전해광 연마될 수 있다. 여기서, 전해광 연마는 HClO4와 EtOH가 1:4의 부피비로 혼합된 전해 연마용 전해질에서 100㎃/㎠의 전류밀도로 전류를 4분 동안 공급함으로써 이루어졌다.
실시예 1
알루미늄 시트는 0.3M의 몰농도를 갖고 17℃로 유지되는 옥살산을 전해질로 이용하고, 40V의 직류 전압이 24시간 동안 공급됨으로써 양극산화처리된다.
이어서, 석출 전해질 용액(에탄올로 질산은을 용해한 0.05M 몰농도의 용액이고, 5℃로 유지됨)에서 석출 전압(200㎐의 주파수를 갖는 40V의 교류 전압)이 공급되어, 양극산화처리된 알루미늄 시트에서 은나노선이 석출된다.
이어서, 은나노선이 석출된 알루미늄 시트는 0.1M의 몰농도를 갖고 30℃로 유지되는 인산용액으로 용해되고, 은나노선이 정제된다. 정제된 은나노선은 에탄올 또는 프로판올로 용해되어 은나노선 분산 용액으로 생성된다.
실시예 2
알루미늄 시트는 0.3M의 몰농도를 갖고 17℃로 유지되는 옥살산을 전해질로 이용하고, 40V의 직류 전압이 24시간 동안 공급됨으로써 양극산화처리된다. 이어서, 양극산화처리된 알루미늄 시트는 60℃의 크롬인산혼합용액에 16시간 동안 담궈져 양극산화막이 제거된다. 앞서 이루어진 양극산화처리가 15분 동안 추가로 이루어지고, 양극산화처리된 알루미늄 시트는 0.1M의 몰농도를 갖고 30℃로 유지되는 인산 용액에 70분 동안 담궈져, 양극산화막의 세공들의 지름이 증가된다.
이어서, 석출 전해질 용액(에탄올로 질산은을 용해한 0.05M 몰농도의 용액이고, 5℃로 유지됨)에서 석출 전압(200㎐의 주파수를 갖는 14V의 교류 전압)이 공급되어, 양극산화처리된 알루미늄 시트에서 은나노선이 석출된다.
이어서, 은나노선이 석출된 알루미늄 시트는 0.1M의 몰농도를 갖고 30℃로 유지되는 인산용액으로 용해되고, 은나노선이 정제된다. 정제된 은나노선은 에탄올 또는 프로판올로 용해되어 은나노선 분산 용액으로 생성된다.
실시예 3
알루미늄 시트는 0.3M의 몰농도를 갖고 8℃로 유지되는 황산을 전해질로 이용하고, 25V의 직류 전압이 24시간 동안 공급됨으로써 양극산화처리된다.
이어서, 석출 전해질 용액(에탄올로 질산은을 용해한 0.05M 몰농도의 용액이고, 5℃로 유지됨)에서, 석출 전압(200㎐의 주파수를 갖는 25V의 교류 전압)이 공급되어, 양극산화처리된 알루미늄 시트에서 은나노선 석출된다.
이어서, 은나노선이 석출된 알루미늄 시트는 0.1M의 몰농도를 갖고 30℃로 유지되는 인산용액으로 용해되고, 은나노선이 정제된다. 정제된 은나노선은 에탄올 또는 프로판올로 용해되어 은나노선 분산 용액으로 생성된다.
실시예 4
알루미늄 시트는 0.3M의 몰농도를 갖고 8℃로 유지되는 황산을 전해질로 이용하고, 25V의 직류 전압이 24시간 동안 공급됨으로써 양극산화처리된다. 이어서, 양극산화처리된 알루미늄 시트는 60℃의 크롬인산혼합용액에 16시간 동안 담궈져 양극산화막이 제거된다. 앞서 이루어진 양극산화처리가 15분 동안 추가로 이루어지고, 양극산화처리된 알루미늄 시트는 0.1M의 몰농도를 갖고 30℃로 유지되는 인산 용액에 25분 동안 담궈져, 양극산화막의 세공들의 지름이 증가된다.
이어서, 석출 전해질 용액(에탄올로 질산은을 용해한 0.05M 몰농도의 용액이고, 5℃로 유지됨)에서, 석출 전압(200㎐의 주파수를 갖는 14V의 교류 전압)이 공급되어, 양극산화처리된 알루미늄 시트에서 은나노선 석출된다.
이어서, 은나노선이 석출된 알루미늄 시트는 0.1M의 몰농도를 갖고 30℃로 유지되는 인산용액으로 용해되고, 은나노선이 정제된다. 정제된 은나노선은 에탄올 또는 프로판올로 용해되어 은나노선 분산 용액으로 생성된다.
도 3은 도 1에 도시된 투명전극용 은나노선 제조 방법에서 황산을 전해질로 하여 양극산화처리된 알루미늄 시트의 세공들에 석출된 은나노선을 확대하여 도시하는 사진이고, 도 4는 도 1에 도시된 투명전극용 은나노선 제조 방법에서 옥살산을 전해질로 하여 양극산화처리된 알루미늄 시트의 세공들에 석출된 은나노선을 확대하여 도시하는 사진이다.
도 3과 도 4는 주사전자현미경(scanning electron microscope; SEM)을 이용하여 촬영된 사진으로서, 도 3은 실시예 2에서 촬영된 사진이고, 도 4는 실시예 4에서 촬영된 사진이다.
도 3과 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 투명전극용 은나노선 제조 방법은 은나노선들을 알루미늄 시트(10)에 형성된 세공(11a)들에서 고르게 비슷한 길이로 석출되도록 한다.
이상, 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다. 또한, 특허청구범위의 기재 중 괄호 내의 기재는 기재의 불명료함을 방지하기 위한 것이며, 특허청구범위의 권리범위는 괄호 내의 기재를 모두 포함하여 해석되어야 한다.
10: 알루미늄 시트
11: 알루미나 양극산화막
11a: 세공

Claims (8)

  1. (a) 알루미늄 시트가 양극산화처리되어 상기 알루미늄 시트의 표면에 복수 개의 나노 크기의 세공들을 갖는 알루미나 양극산화막이 형성되는 단계;
    (b) 석출 전해질 용액 내의 상기 양극산화처리된 알루미늄 시트에 석출 전압이 공급되어, 상기 알루미나 양극산화막의 세공들에서 은나노선이 석출되는 단계(상기 석출 전해질 용액은 질산은을 유기용매로 용해한 용액이다);
    (c) 상기 은나노선이 석출된 알루미늄 시트가 시트 용액으로 용해되고, 상기 은나노선이 정제되는 단계; 및
    (d) 상기 정제된 은나노선이 에탄올 또는 프로판올로 용해되어 은나노선 분산용액으로 생성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서
    상기 석출 전해질 용액은 0.001M 내지 0.1M의 몰농도이며, 4℃ 내지 25℃의 온도로 유지되고,
    상기 석출 전압은 10㎐ 내지 300 ㎐의 주파수를 갖는 10V 이상의 교류 전압인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기용매는 에탄올인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계는,
    상기 양극산화처리된 알루미늄 시트가 산성 용액 또는 염기성 용액으로 용해되어 상기 세공들의 지름이 증가되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 (a) 단계에서 사용되는 전해질 용액은 황산, 인산 또는 옥살산인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,
    상기 시트 용액은 0.001M 내지 0.1M의 몰농도를 갖고 5℃ 내지 30℃로 유지되는 인산 용액인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는,
    상기 알루미늄 시트가 용해된 후에 원심 분리 또는 초음파 세척을 통해 상기 은나노선이 정제되는 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 알루미늄 시트가 음극이고, 탄소전극이 양극인 것을 특징으로 하는 투명전극용 은나노선 제조 방법.
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