KR20130058271A - Ｃｉｓ계 박막 제조방법 - Google Patents
Ｃｉｓ계 박막 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130058271A KR20130058271A KR1020110124190A KR20110124190A KR20130058271A KR 20130058271 A KR20130058271 A KR 20130058271A KR 1020110124190 A KR1020110124190 A KR 1020110124190A KR 20110124190 A KR20110124190 A KR 20110124190A KR 20130058271 A KR20130058271 A KR 20130058271A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cis
- thin film
- back electrode
- selenization process
- indium
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 19
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- NMHFBDQVKIZULJ-UHFFFAOYSA-N selanylideneindium Chemical compound [In]=[Se] NMHFBDQVKIZULJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 19
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- -1 selenide compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N copper gallium Chemical compound [Cu].[Ga] CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
본 발명은 CIS계 박막 제조방법에 관한 것으로서, 셀렌화 공정을 2회 실시하여 CIS계 결정질 박막을 형성할 때 공간(cavity)결함이 없는 CIS계(Cu-III-VI2계, 다시말해 Cu(InXGa1-X)(SYSe1-Y)2) 박막을 제조하기 위한 CIS계 박막 제조방법을 제공한다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, (a) 배면전극 상에 인듐(In)을 증착하고 제1셀렌화 공정으로 인듐셀렌(InxSey)을 형성하는 단계; 및 (b) 인듐셀렌 위에 구리(Cu)를 증착하고 제2셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, (a) 배면전극 상에 인듐(In)을 증착하고 제1셀렌화 공정으로 인듐셀렌(InxSey)을 형성하는 단계; 및 (b) 인듐셀렌 위에 구리(Cu)를 증착하고 제2셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 CIS계 박막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 몰리브텐(Molybdenum: Mo) 배면전극이 증착된 기판위에 "III족 금속막-Cu 막"을 증착(혹은 적층)하고 셀렌화(혹은 황화)처리하여 CIS계 결정질 박막을 형성할 때 공간(cavity)결함이 없는 CIS계(Cu-III-VI2계, 다시말해 Cu(InXGa1-X)(SYSe1-Y)2) 박막을 제조하는 방법을 제공한다.
칼코피라이트(chalcopyrite) 구조의 구리인듐셀렌(CuInSe2; CIS)계 화합물은 직접 천이형 반도체로서 높은 광흡수 계수(1ㅧ 105 ㎝-1)와 밴드갭 조절의 용이성 및 열적 안정성 등으로 인해 고효율 박막태양전지용 흡수층과 적외선영역의 광검출기 재료로 주목받고 있다.
특히, CIS계(Cu(InXGa1-X)(SYSe1-Y)2)에 속하는 Cu(InGa)Se2 (CIGS) 태양전지의 경우, 박막태양전지 중 세계 최고 효율인 20.1%를 달성한바 있으며, 이는 기존 다결정 웨이퍼형 실리콘 태양전지의 효율에 근접하는 수치이다.
현재까지 연구되고 있는 CIS계 태양전지의 흡수층 제작방법은 동시증착(co-evaporation)법, 스퍼터링(sputtering)법, 전착(electro-deposition)법, 유기금속 기상성장법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)법 등이 있고, 상용화가 추진 중인 제작방법은 동시증착법과 스퍼터링법이 주를 이룬다. 이중 스퍼터링법은 비교적 장치가 간단하고 손쉽게 금속 또는 절연체를 대면적으로 증착할 수 있어 제품을 생산하는 장치로 폭넓게 활용되고 있으며, 많은 박막태양전지 기업에서 Cu와 III족 금속을 Mo 배면전극위에 스퍼터링 증착 후 셀렌화(selenization)를 통해 CIS계 흡수층 박막을 제조하고 있다.
통상적으로 CIGS 박막은 몰리브덴(molybdenum; Mo) 배면전극이 증착된 유리기판 위에 스퍼터링 장비를 이용하여 Cu-Ga-In 금속(금속과 셀레나이드 화합물을 포함) 한층한층 적층하고 셀레늄(Se) 소스를 주입하고 열을 가하여 식혀(열처리) 흡수층을 제조한다.
Mo 배면전극 위에 증착된 금속을 Se 분위기에서 열처리하는 공정을 셀렌화(selenization)이라 하며, 일반적으로 대면적의 셀렌화 공정에는 Se 공급 유량 조절이 용이하고 반응성이 좋은 H2Se 기체가 사용되지만, H2Se 기체는 독성이 강할 뿐만 아니라 사용상 가스 누출을 막는 안전장치 등의 추가 장비가 필요하다.
이러한, 셀렌화에 의한 광흡수층 제조장치 및 그 제조방법에 대해서는 대한민국등록특허 제 10-0922890호(발명의 명칭 : CIGS 광흡수층 제조방법 및 CIGS 광흡수층을 포함하는 태양전지)(이하 '종래기술')외에 다수 출원 및 등록되어있다.
상기 종래기술은 화합물 박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법에 있어서, 기판의 상부에 구리갈륨(CuGa) 및 셀레나이드 화합물의 제 1혼합층과 구리인듐(CuIn) 및 셀레나이드 화합물의 제 2혼합층을 적층하여 전구체를 형성하는 단계; 및 상기 전구체를 열처리하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 혼합 금속 및 셀레나이드 화합물을 함께 사용하여 전구체를 형성함으로써, 셀렌화 공정에서 기판과의 접착 문제를 유발하지 않고 CIGS 광흡수층을 형성하는 효과가 있었다.
다만, 셀렌화 공정 후 CIGS 광흡수층과 Mo 배면전극 사이에 공간(cavity)이 형성되어 CIGS 박막과 Mo배면전극의 접촉면적이 줄어드는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 셀렌화 공정을 2회 실시하여 CIS계 결정질 박막을 형성할 때 공간(cavity)결함이 없는 CIS계(Cu-III-VI2계, 다시말해 Cu(InXGa1-X)(SYSe1-Y)2) 박막을 제조하기 위한 CIS계 박막 제조방법을 제공한다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, (a) 배면전극 상에 인듐(In)을 증착하고 제1셀렌화 공정으로 인듐셀렌(InxSey)을 형성하는 단계; 및 (b) 인듐셀렌 위에 구리(Cu)를 증착하고 제2셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 바람직하게, 상기 (a) 단계 이전에, 기판위에 배면전극을 증착하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 바람직하게, 상기 제1셀렌화 공정 또는 제2셀렌화 공정에서 기판의 온도는 250 ℃ 내지 550 ℃인 것을 특징으로 한다.
그리고 바람직하게, (a) 배면전극 상에 구리(Cu)를 증착하고 제1셀렌화 공정으로 구리셀렌(CuxSey)을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 구리셀렌 위에 인듐(In)을 증착하고 제2셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층을 형성하는 단계; 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, Mo 배면전극과 CIS계 박막 사이에 공간결함이 줄어들어 CIS계 박막태양전지의 효율 향상 효과가 있다.
도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 CIS계 박막 제조방법의 흐름도.
도 2 는 종래 기술에 따라 제조된 CIS계 박막의 측면도.
도 3 은 본 발명의 CIS계 박막 제조방법에 따라 제조된 CIS계 박막의 측면도.
도 2 는 종래 기술에 따라 제조된 CIS계 박막의 측면도.
도 3 은 본 발명의 CIS계 박막 제조방법에 따라 제조된 CIS계 박막의 측면도.
본 발명의 구체적 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서 본 발명에 관련된 공지 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 CIS계 박막 제조방법에 관하여 도 1 내지 도 3 을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 CIS계 박막 제조방법의 흐름도로서, 도시된 바와 같이 기판(10) 위에 배면전극(20)을 증착하는 단계(S100), 배면전극(20) 위에 인듐(In) 금속을 증착하는 단계(S200), 제1셀렌화 공정으로 InxSey를 형성하는 단계(S300), InxSey 위에 구리(Cu) 금속을 증착하는 단계(S400) 및 제2셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층(30)을 형성하는 단계를 포함한다.
도 2 는 종래 기술에 따라 제조된 CIS계 박막의 측면도로서, 도시된 바와 같이 종래에는 유리 기판(10)에 배면전극(20)을 형성하고 그 상단에 CIS계 박막을 형성하였다.
종래에는 배면전극(20) 상에 구리와 인듐을 한꺼번에 증착시킨 후 단 한번의 셀렌화 공정을 거쳤기 때문에 배면전극(20)과 CIS계 흡수층(30) 사이에 빈 공간(40)이 형성되어 CIS계 박막의 효율을 저하시키는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명에서는 CIS계 박막 형성시 2번의 셀렌화 공정으로 빈공간(40)을 획기적으로 감소시켰다.
먼저, 상기 S100 단계에서는 기판(10) 위에 배면전극(20)을 증착한다. 이때, 상기 기판(10)은 유리기판, 세라믹 기판 또는 금속기판 등이 쓰일 수 있다. 또한 상기 배면전극(20)은 몰리브덴(Mo)이 쓰일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 상기 S200 단계에서는 상기 배면전극(20) 위에 인듐(In) 또는 인듐-갈륨(In-Ga) 금속을 증착한다. 다만, 배면전극(20)에 증착하는 금속은 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 제1셀렌화 공정으로 배면전극(20)위에 형성된 인듐(In)계 금속과 셀레나이드 화합물이 결합하여 InxSey를 형성한다(S300). 상기 제1셀렌화 공정은 셀레나이드 화합물을 스퍼터링법, 동시증착법 등을 이용하여 배면전극(20)에 이미 형성된 인듐 금속과 결합시켜 InxSey이 되도록 할 수 있다.
또한, 인듐 금속을 배면전극(20)에 증착하는 것(S200)과 제1셀렌화 공정(S300)을 동시에 실행하여 배면전극(20) 위에 InxSey를 형성할 수도 있다.
뒤이어, 상기 형성된 InxSey에 구리(Cu) 금속을 증착하고(S400), 증착된 InxSey 및 구리(Cu)에 다시 제2셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층(30)을 형성한다(S500).
이때, 구리(Cu) 와 제2셀렌화 공정을 동시에 행할 수도 있고, 구리(Cu)를 먼저 증착시킨 후 제2셀렌화 공정을 진행할 수도 있다.
또한, 인듐을 먼저 증착하고 제1셀렌화 공정을 거쳐 구리를 증착하고 제2셀렌화 공정으로 CIS계 박막을 형성할 수도 있으나, 인듐과 구리의 순서를 바꿔 구리를 먼저 증착하고 제1셀렌화 공정을 거쳐 인듐을 증착하고 제2셀렌화 공정으로 CIS계 박막을 형성할 수도 있다.
그리고, 바람직하게는 상기 제1셀렌화 공정 또는 제2셀렌화 공정시 기판(10)의 온도를 250 ℃ 내지 550 ℃ 로 열처리한다.
따라서, 기존에 배면전극(20) 및 기판(10)위에 종래 Cu-In-Ga 금속 적층 후에 셀렌화를 통하여 제조한 CIS계 박막에 형성된 공간결함이 발생하던 것을, 본 발명에 따르면 2회 셀렌화 공정을 도입함으로 CIS계 박막과 배면전극(20)사이의 공간결함을 완전히 제거된 CIS계 박막을 제공함으로 효율을 높일 수 있다.
이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것이 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대해 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
10 : 기판 20 : 배면전극
30 : CIS계 흡수층 40 : 빈 공간
30 : CIS계 흡수층 40 : 빈 공간
Claims (4)
- (a) 배면전극 상에 인듐(In)을 증착하고 제1셀렌화 공정으로 인듐셀렌(InxSey)을 형성하는 단계; 및
(b) 상기 인듐셀렌 위에 구리(Cu)를 증착하고 제2셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 (a) 단계 이전에,
기판위에 배면전극을 증착하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1셀렌화 공정 또는 제2셀렌화 공정에서 기판의 온도는 250 ℃ 내지 550 ℃인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 제조방법.
- (a) 배면전극 상에 구리(Cu)를 증착하고 제1셀렌화 공정으로 구리셀렌(CuxSey)을 형성하는 단계; 및
(b) 상기 구리셀렌 위에 인듐(In)을 증착하고 제2셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층을 형성하는 단계; 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110124190A KR101335656B1 (ko) | 2011-11-25 | 2011-11-25 | Ｃｉｓ계 박막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110124190A KR101335656B1 (ko) | 2011-11-25 | 2011-11-25 | Ｃｉｓ계 박막 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130058271A true KR20130058271A (ko) | 2013-06-04 |
| KR101335656B1 KR101335656B1 (ko) | 2013-12-03 |
Family
ID=48857579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110124190A KR101335656B1 (ko) | 2011-11-25 | 2011-11-25 | Ｃｉｓ계 박막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101335656B1 (ko) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100850000B1 (ko) | 2005-09-06 | 2008-08-01 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 흡수층의 제조방법 |
| KR100977529B1 (ko) * | 2008-03-20 | 2010-08-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 3단계 열처리에 의한 ｃｉｇｓ 박막 제조 방법 및 ｃｉｇｓ태양전지 |
| EP2257994B1 (en) * | 2008-04-04 | 2018-01-17 | Kuraray America Inc. | Solar cell modules comprising high melt flow poly(vinyl butyral) encapsulants |
| KR20110060139A (ko) * | 2009-11-30 | 2011-06-08 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 제조 방법 |
-
2011
- 2011-11-25 KR KR1020110124190A patent/KR101335656B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101335656B1 (ko) | 2013-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8691619B2 (en) | Laminated structure for CIS based solar cell, and integrated structure and manufacturing method for CIS based thin-film solar cell | |
| US7842534B2 (en) | Method for forming a compound semi-conductor thin-film | |
| US9087954B2 (en) | Method for producing the pentanary compound semiconductor CZTSSe, and thin-film solar cell | |
| JP2009283508A (ja) | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の製造方法 | |
| KR20100121503A (ko) | Ｃｉｓ계 태양전지의 적층 구조 및 집적 구조 | |
| CN102751388B (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 | |
| JP2008235794A (ja) | 光電変換材およびその製造方法、半導体素子、並びに太陽電池 | |
| JP2011129631A (ja) | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の製造方法 | |
| US20100210065A1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
| US20140256082A1 (en) | Method and apparatus for the formation of copper-indiumgallium selenide thin films using three dimensional selective rf and microwave rapid thermal processing | |
| JP2009170928A (ja) | Ｃｉｓ系太陽電池の製造方法 | |
| CN103469170B (zh) | 一种用于薄膜太阳能电池的溅射靶 | |
| KR101482786B1 (ko) | 산화인듐을 이용한 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조방법 | |
| KR101181095B1 (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| US8809105B2 (en) | Method of processing a semiconductor assembly | |
| JP2011119478A (ja) | 化合物半導体太陽電池 | |
| JP2009135517A (ja) | Ｃｉｓ系太陽電池の製造方法 | |
| CN103474514B (zh) | 铜铟镓硒太阳能电池的制备方法 | |
| KR101335656B1 (ko) | Ｃｉｓ계 박막 제조방법 | |
| KR101388458B1 (ko) | 급속 열처리 공정을 사용한 ｃｉｇｓ 박막의 제조방법 | |
| KR20180056676A (ko) | Cigs 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20120007166A (ko) | 안전한 셀레늄 소스를 이용한 ｃｉｓ계 박막태양전지 흡수층 제조방법 | |
| JP2013065916A (ja) | Ｃｉｓ系太陽電池の製造方法 | |
| JP5904361B2 (ja) | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池、及びその製造方法 | |
| JP2011249686A (ja) | 光電変換素子の製造方法および光電変換素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161026 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171020 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181029 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191113 Year of fee payment: 7 |