KR20130058249A - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130058249A
KR20130058249A KR1020110124161A KR20110124161A KR20130058249A KR 20130058249 A KR20130058249 A KR 20130058249A KR 1020110124161 A KR1020110124161 A KR 1020110124161A KR 20110124161 A KR20110124161 A KR 20110124161A KR 20130058249 A KR20130058249 A KR 20130058249A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
support
spacer
sliding plate
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020110124161A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101739014B1 (ko
Inventor
이병우
위규용
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020110124161A priority Critical patent/KR101739014B1/ko
Publication of KR20130058249A publication Critical patent/KR20130058249A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101739014B1 publication Critical patent/KR101739014B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착, 식각 등 기판에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판이 직접 또는 트레이를 통하여 안착되는 서셉터와; 상기 서셉터의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 상기 서셉터의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 상기 서셉터를 상하로 이동시키는 복수의 서셉터지지부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 {Substrate Processing Apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착, 식각 등 기판에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치는 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 밀폐된 처리공간을 형성하고 전원을 인가하거나 열을 가하여 처리환경을 형성하면서 서셉터에 안착된 기판을 증착, 식각 등 소정의 기판처리를 수행하는 장치가 있다.
이때 상기 기판처리장치는 처리공간을 형성하는 챔버본체와, 챔버본체의 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 가스분사부와, 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터를 포함하여 구성된다.
한편 대형기판의 처리 또는 많은 수의 기판들을 처리하기 위하여 기판처리장치의 전체 크기가 커지면서 기판이 안착되는 서셉터의 크기 또한 대형화되고 있다.
여기서 종래의 기판처리장치의 서셉터는 중앙부분에서만 지지되는 구조를 가지고 있다.
그런데 서셉터가 대형화되면서 크기 및 자중이 증가하게 되고, 종래의 기판처리장치의 서셉터는 크기 및 자중의 증가로 인하여 끝단 부분에서 처짐이 발생한다.
그리고 상기 서셉터는 끝단 부분에서의 처짐에 의하여 기판을 지지하는 지지면이 수평상태를 유지하지 못하여 가스분사부와의 수직거리 변화 등을 야기하여 균일한 기판처리를 저해하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 서셉터의 끝단 부분에서의 처짐을 방지할 수 있는 구조를 가지는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판이 직접 또는 트레이를 통하여 안착되는 서셉터와; 상기 서셉터의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 상기 서셉터의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 상기 서셉터를 상하로 이동시키는 복수의 서셉터지지부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 서셉터의 저면과 상기 서셉터지지부의 상면이 서로 이격되도록 하나 이상의 이격부가 상기 서셉터의 저면과 상기 서셉터지지부 사이에 설치될 수 있다.
상기 이격부는 상기 서셉터 또는 상기 서셉터지지부에 결합되는 이격부재를 포함할 수 있다.
상기 이격부는 상기 서셉터의 저면에 설치되는 이격부재와, 상기 이격부재에 대응되는 위치에 상기 서셉터지지부에 결합되어 상기 이격부재와 슬라이딩가능하게 상기 이격부재를 지지하는 슬라이딩플레이트를 포함할 수 있다.
상기 이격부재는 상기 서셉터의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재에 의하여 고정 결합될 수 있다.
상기 이격부들 중 일부의 이격부재는 상기 서셉터지지부에 대하여 상기 서셉터의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치될 수 있다.
상기 슬라이딩플레이트에 대하여 상기 서셉터의 중심으로부터 반경방향으로의 상기 이격부재의 슬라이딩을 가이드하는 하나 이상의 가이드부재가 상기 슬라이딩플레이트에 또는 상기 슬라이딩플레이트 부근에 설치될 수 있다.
상기 이격부재는 상기 서셉터의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재에 의하여 고정 결합되는 제1이격부재와, 상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트에 대하여 슬라이딩이 가능하게 상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트 사이에 개재되는 제2이격부재를 포함할 수 있다.
상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가지며, 상기 제2이격부재는 세라믹재질을 가질 수 있다.
상기 슬라이딩플레이트는 아노다이징 처리되는 것이 바람직하다.
상기 서셉터지지부는 상기 공정챔버를 관통하도록 설치되며 승강구동장치에 의하여 상하로 구동되는 지지로드와, 상기 지지로드의 상단에 설치되어 상기 서셉터의 저면을 지지하는 지지플레이트를 포함할 수 있다.
상기 지지플레이트는 상기 서셉터를 향하는 상면과 반대쪽 면인 저면 쪽에는 구조보강을 위하여 상기 지지로드를 중심으로 방사상으로 형성된 복수의 리브가 형성될 수 있다.
상기 지지플레이트의 두께는 적어도 일부분에서 상기 지지로드로부터 끝단으로 가면서 감소할 수 있다.
상기 공정챔버는 복수개의 상기 서셉터지지부들의 지지로드의 하단과 연결되는 구동플레이트가 추가로 설치되며, 상기 승강구동장치는 상기 구동플레이트를 상하로 이동시켜 상기 서셉터지지부에 지지되는 상기 서셉터를 상하로 이동시키도록 구성될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 서셉터의 중심으로부터 이격된 복수의 지점에서 서셉터를 지지하는 복수의 서셉터지지부들을 포함함으로써 대형의 서셉터의 경우 그 지지되는 부분이 끝단 부분에 가까워져 서셉터의 끝단 부분에서 증가된 자중에 의한 처짐을 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 기판처리장치는 서셉터의 저면 및 서셉터를 지지하는 서셉터 지지부 사이에 하나 이상의 이격부를 설치하여 서셉터지지부가 서셉터의 저면과 간격을 두고 서셉터를 지지함으로써 서셉터로부터 서셉터지지부로의 열전달을 최소화하여 열방출을 최소화함으로써 균일한 기판처리환경을 유지할 수 있는 이점이 있다.
다시 말하면 종래의 기판처리장치는 서셉터를 지지하는 서셉터지지부를 통하여 열이 전달되는 경우 서셉터지지부로의 열전달에 의하여 열이 외부로 방출됨에 따라서 서셉터의 온도가 불균일하게 되고 서셉터의 온도가 불균일해지게 되면 서셉터에 지지되는 기판의 온도 또한 불균일해져 균일한 기판처리가 불가능하나, 본 발명에 따른 기판처리장치는 서셉터지지부로의 열전달을 최소화하여 균일한 기판처리환경을 유지할 수 있는 것이다.
또한 본 발명에 따른 기판처리장치는 서셉터가 서셉터지지부에 대하여 수평방향으로 이동 가능하도록 서셉터지지부가 서셉터를 지지하도록 구성함으로써 서셉터의 열변형을 흡수할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 단면도로서, 도 2에서 I-I방향의 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치의 서셉터를 보여주는 일부 평면도이다.
도 3은 도 2에서 서셉터의 대각선 방향의 기판처리장치의 Ⅲ-Ⅲ 방향 단면을 보여주는 일부 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 1의 기판처리장치의 서셉터에 설치된 이격부의 예들을 보여주는 단면도들이다.
도 5는 도 1의 기판처리장치의 서셉터지지부를 보여주는 일부 평면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 단면도로서, 도 2에서 I-I방향의 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판처리장치의 서셉터를 보여주는 일부 평면도이고, 도 3은 도 2에서 서셉터의 대각선 방향의 기판처리장치의 Ⅲ-Ⅲ 방향 단면을 보여주는 일부 단면도이고, 도 4a 및 도 4b는 도 1의 기판처리장치의 서셉터에 설치된 이격부의 예들을 보여주는 단면도들이고, 도 5는 도 1의 기판처리장치의 서셉터지지부를 보여주는 일부 평면도이다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)이 직접 또는 트레이를 통하여 안착되는 서셉터(130)와; 서셉터(130)의 중심으로부터 수평방향으로 이격된 복수의 각 지점에서 서셉터(130)의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 서셉터(130)를 상하로 이동시키는 복수의 서셉터지지부(200)들을 포함한다.
여기서 상기 기판처리장치의 기판처리대상은 증착, 식각 등 기판처리의 대상이면 어떠한 대상도 가능하며, 태양전지용 기판 등이 그 대상이 될 수 있다.
한편 상기 기판처리장치는 기판(10)이 이송로봇 등에 의하여 직접 이송되거나, 복수의 기판(10)들이 적재된 트레이(미도시)에 의하여 이송될 수 있다.
여기서 상기 트레이는 하나 이상, 바람직하게는 복수개의 기판(10)들을 적재하여 한꺼번에 이송하기 위한 구성으로 설계 및 디자인에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
그리고 상기 트레이는 기판(10)의 증착공정 등 기판처리에 영향을 주지 않는 재질이면 그레파이트(graphite), 석영 등의 비금속, 알루미늄, 알루미늄 합금 등 어떠한 재질 및 구조도 가능하다.
상기 공정챔버(100)는 증착공정 등과 같은 기판처리를 수행하는 장치로서 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측이 개방된 챔버본체(110)와 챔버본체(110)와 탈착 가능하게 결합되는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 챔버본체(110)는 상측이 개방된 그릇 형태를 가지며, 기판(10)이 입출될 수 있는 게이트(111, 112)가 하나 이상 형성된다. 본 실시예에서는 장방형의 챔버본체(110)에서 한 쌍의 게이트(111, 112)들이 서로 대향되도록 형성된다.
상기 상부리드(120)는 챔버본체(110)의 상측에 실링부재(미도시)가 개재되어 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 플레이트 또는 하측이 개방된 그릇 형태를 가질 수 있다.
상기 가스공급부(140)는 기판처리를 수행할 수 있도록 처리공간(S)의 상측에 설치되어 가스공급장치(미도시)로부터 가스를 공급받아 처리공간(S)으로 공급하기 위한 구성으로서, 공정 및 가스공급방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
상기 서셉터(130)는 공정이 원활하게 수행될 수 있도록 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
또한 상기 서셉터(130)는 공정이 원활하게 수행될 수 있도록 소정의 온도를 유지하기 위한 히터(미도시)가 설치될 수 있으며, 더 나아가 서셉터(130)는 히터로만 구성될 수 있다.
한편 기판처리를 수행하기 위해서는 공정챔버(100)에 전원이 인가되도록 구성될 수 있는데 이 경우 그 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서, 가스공급부(140)에 하나 이상의 RF전원, 하나 이상의 LF전원 등을 인가하여 상부전원을 구성하고, 서셉터(130)를 접지시킴으로써 하부전원을 구성할 수 있다.
상기 서셉터지지부(200)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 서셉터(130)의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 서셉터(130)를 상하로 이동시키는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
특히 상기 서셉터지지부(200)는 서셉터(130)의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 설치될 수 있도록 복수개로 구성됨이 바람직하다.
예를 들면, 상기 서셉터지지부(200)는 평면형상이 실질적으로 직사각형 형상을 가지는 서셉터(130)를 평면방향에서 4등분 하였을 때, 4등분으로 분할된 각 영역 내에서 4개로 설치될 수 있다.
그리고 상기 서셉터지지부(200)가 서셉터(130)를 지지하는 중심위치는 서셉터(130)의 전체 하중, 중앙부 및 끝단 부분에서의 처짐 등을 종합적으로 고려하여 위치될 수 있다.
한편 상기 서셉터지지부(200)는 공정챔버(100)를 관통하도록 설치되며 승강구동장치(미도시)에 의하여 상하로 구동되는 지지로드(250)와, 지지로드(250)의 상단에 설치되어 서셉터(130)의 저면을 지지하는 지지플레이트(210)를 포함할 수 있다.
상기 지지로드(250)는 공정챔버(100)를 관통하도록 설치되며 공정챔버(100)의 외부에 설치된 구동장치에 의하여 상하로 구동되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
여기서 상기 공정챔버(100)에는 지지로드(250)의 설치에 따른 밀폐를 위하여 상하로 신축이 가능한 벨로우즈(미도시)와 같은 부재가 설치된다.
그리고 상기 공정챔버(100)는 복수개의 서셉터지지부(200)의 지지로드(250)들의 상하구동을 위하여, 지지로드(250)들의 하단과 연결되는 구동플레이트(미도시)와, 구동플레이트를 상하로 이동시켜 서셉터지지부(200)에 지지되는 서셉터(130)를 상하로 이동시키는 승강구동장치가 더 설치될 수 있다.
상기 구동플레이트는 일예로서, 복수의 지지로드(250)들을 모두 지지하도록 복수의 지지로드(250)들과 모두 결합되어 상하이동에 의하여 지지로드(250)를 상하로 구동할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.
상기 승강구동장치는 구동플레이트를 상하로 구동할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 하나 또는 복수의 구동원을 포함하며 구동원으로부터 동력전달은 벨트 및 풀리의 조합, 스크류구조 등 다양한 구성이 가능하다.
한편 상기 지지로드(250)의 상하구동은 본 실시예에서의 예시한 예 이외에 다양한 구동이 가능함을 물론이다.
상기 지지플레이트(210)는 지지로드(250)와 결합되어 서셉터(130)를 지지하기 위한 구성으로서 지지플레이트(210)와 일체로 형성되거나 별도의 부재로서 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.
상기 지지플레이트(210)는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 그 두께가 적어도 일부분에서 지지로드(210)로부터 끝단으로 가면서 감소하도록 형성될 수 있다.
그리고 상기 지지플레이트(210)는 서셉터(130)를 향하는 상면은 상측에서 보았을 때 다각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
특히 상기 지지플레이트(210)는 서셉터(130)를 향하는 상면의 형상은 서셉터(130)의 저면형상과 유사한 형상을 이룸이 바람직한바, 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면형상과 실질적으로 동일한 형상을 이루는 것이 바람직하다.
그리고 상기 지지프레이트(210)는 상면에서 지지로드(210)로 결합되는 부분으로 가면서 적어도 일부가 원뿔대 또는 각뿔대 등의 형상을 이룰 수 있다.
또한 상기 지지플레이트(210)는 서셉터(130)를 향하는 상면과 반대쪽 면인 저면 쪽에는 구조보강을 위하여 지지로드(210)를 중심으로 방사상으로 형성된 복수의 리브(미도시)가 형성될 수 있다.
한편 상기 서셉터(130)는 앞서 설명한 바와 같이, 히터가 설치되는 경우 히터의 열이 서셉터지지부(200)에 전달되어 외부로 방출될 수 있는바 이를 방지할 필요가 있다.
따라서 상기 서셉터(130)의 저면과 서셉터지지부(200)의 상면이 서로 이격되도록 하나 이상의 이격부(300)가 서셉터(130)의 저면과 서셉터지지부(200) 사이에 설치되는 것이 바람직하다.
상기 이격부(300)는 서셉터(130)의 저면과 서셉터지지부(200)의 상면을 서로 이격시킬 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 서셉터(130) 또는 서셉터지지부(200)에 결합되는 하나 이상의 이격부재(310, 320)를 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 이격부(300)는 도 4a 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면에 설치되는 이격부재(310)와, 이격부재(310)에 대응되는 위치에 서셉터지지부(200)의 지지플레이트(210)에 결합되어 서셉터(130)의 열팽창 시 서셉터지지부(200)에 대하여 슬라이딩 가능하게 이격부재(310)를 지지하는 슬라이딩플레이트(320)를 포함할 수 있다.
상기 이격부재(310)는 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재(313)에 의하여 고정 결합되는 등 다양한 방식에 의하여 서셉터(130)의 저면에 설치될 수 있다.
여기서 상기 이격부재(310)는 서셉터(130)의 저면으로부터 적어도 일부가 돌출되도록 설치되며, 열전달을 최소화할 수 있도록 세라믹재질과 같이 열전도성이 낮은 재질을 가지는 것이 바람직하다.
예로서 상기 이격부재(310)는 도 4a에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재(313)에 의하여 고정 결합되는 제1이격부재(311)와, 제1이격부재(311) 및 슬라이딩플레이트(320)에 대하여 슬라이딩이 가능하게 제1이격부재(311) 및 슬라이딩플레이트(320) 사이에 개재되는 제2이격부재(312)를 포함할 수 있다.
여기서 상기 제1이격부재(311) 및 슬라이딩플레이트(320)는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가지며, 제2이격부재(312)는 세라믹재질을 가지는 것이 바람직하다. 특히 상기 슬라이딩플레이트(320)는 아노다이징 처리가 되는 것이 더욱 바람직하다.
상기와 같은 구성에 의하여 서셉터(130)를 견고하게 지지하면서 이격부(300)를 통한 서셉터지지부(200)로의 열전달을 최소화할 수 있다.
상기 이격부재(310)의 다른 예로서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 서셉터(130)의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재(미도시)에 의하여 고정 결합될 수 있다.
이때 상기 이격부재(310)는 단일 재질의 부재로 구성되거나, 도 4a의 구성에서 제1이격부재(311) 및 제2이격부재(312)가 서로 고정 결합되어 구성될 수 있다.
한편 상기 슬라이딩플레이트(320)는 이격부재(310)에 대응되는 위치에 서셉터지지부(200)에 결합되어 이격부재(310)와 슬라이딩가능하게 이격부재(310)를 지지하는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.
그리고 상기 슬라이딩플레이트(320)는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가질 수 있으며, 이때 서셉터지지부(200)와 접촉되는 면에 열전달을 최소화하기 위하여 아노다이징 처리되는 것이 바람직하다.
한편 상기 서셉터(130)는 히터에 의하여 가열되는 경우 열변형이 발생되는 데 열변형 상태에 따라서 서셉터(130)의 중심을 기준으로 비틀어지는 비틀림이 발생될 수 있다. 이에 상기 서셉터(130)의 열변형에 따른 비틀림을 방지할 필요가 있다.
따라서 상기 서셉터(130)가 평면형상이 실질적으로 직사각형 형상을 가질 때, 도 3 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 이격부(300)들 중 일부는 이격부재(310)가 서셉터지지부(200)에 대하여 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치됨이 바람직하다.
특히 직사각형의 서셉터(130)의 열변형이 대각선을 기준으로 대칭이 됨을 고려하여 직사각형의 대각선에 대응되는 위치에 설치된 이격부(300)들의 적어도 일부의 이격부재(310)가 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치됨이 더욱 바람직하다.
이때 상기 이격부(300)들 중 직사각형의 대각선에 대응되는 위치에 설치된 이격부(300) 또한 복수 개로 설치될 수 있는바 대각선에 위치된 이격부(300)들 모두 또는 서로 대칭된 위치에 있는 일부의 이격부(300)들만 이격부재(310)가 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치될 수 있다.
상기 이격부재(310)가 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 하는 설치되는 구성으로서, 상기 이격부(300)의 슬라이딩플레이트(320) 또는 그 주변에는 이격부재(310)가 슬라이딩플레이트(320)에 대하여 서셉터(130)의 중심으로부터 반경방향으로의 슬라이딩을 가이드하는 하나 이상의 가이드부재(330)가 설치될 수 있다.
상기 가이드부재(330)는 서셉터(130)의 열변형이 있는 경우 서셉터(130)를 지지하는 이격부재(310)가 슬라이딩될 때 그 슬라이딩을 가이드하기 위한 구성으로서 어떠한 구성도 가능하며, 슬라이딩플레이트(320)와 함께 서셉터지지부(200)에 고정 결합될 수 있다.
상기 가이드부재(330)는 이격부재(310)가 서셉터(130)의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 하는 목적으로 설치되는 것 이외에 이격부재(310)의 슬라이딩을 가이드하기 위한 구성으로도 사용될 수 있음은 물론이다.
한편 상기 이격부(300)는 서셉터(130)의 저면에 설치되는 이격부재(310)와, 서셉터지지부(200)에 결합되는 이격부재(310)를 실시예로서 설명되었으나, 다양한 실시예가 가능하다.
예를 들면, 상기 이격부는 세라믹재질의 이격부재와, 이격부재와 고정 결합되는 금속재질의 슬라이딩플레이트를 포함하며, 이격부재 및 슬라이딩플레이트로 구성되는 이격부는 서셉터(130)의 저면에 고정 결합되고 서셉터지지부(300)의 상면에 슬라이딩가능하게 설치될 수 있다.
한편 앞서 설명한 실시예에서는 이격부재(310)가 서셉터(130)의 저면에 설치되고 서셉터지지부(200)에 대하여 슬라이딩 가능하게 이동하는 구성을 가지는 것으로 설명하였으나, 그 반대로서 이격부재(310)가 서셉터지지부(200)에 설치되고 서셉터(130)가 이격부재(310)에 대하여 슬라이딩 가능하도록 구성될 수 있다.
예를 들면, 상기 이격부는 서셉터지지부(200)에 고정 결합되며 서셉터(130)의 저면을 슬라이딩 가능하게 지지하는 하나 이상의 이격부재를 포함할 수 있다.
이때 상기 서셉터(130)는 이격부재에 의하여 지지되는 부분에서 그 저면을 보호하고 슬라이딩이 원활하도록 슬라이딩플레이트가 고정결합될 수 있다.
또한 상기 서셉터(130)는 이격부재의 일부가 삽입되도록 이격부재에 의하여 지지되는 부분이 요홈부로서 형성될 수 있다. 여기서 상기 요홈부는 서셉터(130)의 슬라이딩이 가능하도록 이격부재의 크기보다 크게 형성된다.
상기 이격부재는 서셉터(130)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며 도 4a에 도시된 구성과 유사하게 서셉터(130)의 저면을 지지하는 제1이격부재 및 제1이격부재와 고정 결합되는 제2이격부재를 포함할 수 있다.
여기서 상기 제1이격부재는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가지며, 제2이격부재는 세라믹재질을 가지는 것이 바람직하다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
100 : 공정챔버 130 : 서셉터
200 : 서셉터지지부 300 : 이격부

Claims (14)

  1. 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버와;
    상기 공정챔버에 설치되어 기판이 직접 또는 트레이를 통하여 안착되는 서셉터와;
    상기 서셉터의 중심으로부터 이격된 복수의 각 지점에서 상기 서셉터의 저면을 지지하도록 설치되어 상하이동에 의하여 상기 서셉터를 상하로 이동시키는 복수의 서셉터지지부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 서셉터의 저면과 상기 서셉터지지부의 상면이 서로 이격되도록 하나 이상의 이격부가 상기 서셉터의 저면과 상기 서셉터지지부 사이에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 이격부는 상기 서셉터 또는 상기 서셉터지지부에 결합되는 이격부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 이격부는
    상기 서셉터의 저면에 설치되는 이격부재와,
    상기 이격부재에 대응되는 위치에 상기 서셉터지지부에 결합되어 상기 이격부재와 슬라이딩가능하게 상기 이격부재를 지지하는 슬라이딩플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 이격부재는 상기 서셉터의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재에 의하여 고정 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 이격부들 중 일부의 이격부재는 상기 서셉터지지부에 대하여 상기 서셉터의 중심을 기준으로 반경 방향으로만 슬라이딩 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 슬라이딩플레이트에 대하여 상기 서셉터의 중심으로부터 반경방향으로의 상기 이격부재의 슬라이딩을 가이드하는 하나 이상의 가이드부재가 상기 슬라이딩플레이트에 또는 상기 슬라이딩플레이트 부근에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 이격부재는
    상기 서셉터의 저면에 끼움 결합되거나 체결부재에 의하여 고정 결합되는 제1이격부재와, 상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트에 대하여 슬라이딩이 가능하게 상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트 사이에 개재되는 제2이격부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1이격부재 및 상기 슬라이딩플레이트는 알루미늄 또는 알루미늄합금재질을 가지며, 상기 제2이격부재는 세라믹재질을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 슬라이딩플레이트는 아노다이징 처리된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 서셉터지지부는
    상기 공정챔버를 관통하도록 설치되며 승강구동장치에 의하여 상하로 구동되는 지지로드와, 상기 지지로드의 상단에 설치되어 상기 서셉터의 저면을 지지하는 지지플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 지지플레이트는 상기 서셉터를 향하는 상면과 반대쪽 면인 저면 쪽에는 구조보강을 위하여 상기 지지로드를 중심으로 방사상으로 형성된 복수의 리브가 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 지지플레이트의 두께는 적어도 일부분에서 상기 지지로드로부터 끝단으로 가면서 감소하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 공정챔버는 복수개의 상기 서셉터지지부들의 지지로드의 하단과 연결되는 구동플레이트가 추가로 설치되며,
    상기 승강구동장치는 상기 구동플레이트를 상하로 이동시켜 상기 서셉터지지부에 지지되는 상기 서셉터를 상하로 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR1020110124161A 2011-11-25 2011-11-25 기판처리장치 KR101739014B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110124161A KR101739014B1 (ko) 2011-11-25 2011-11-25 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110124161A KR101739014B1 (ko) 2011-11-25 2011-11-25 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130058249A true KR20130058249A (ko) 2013-06-04
KR101739014B1 KR101739014B1 (ko) 2017-05-24

Family

ID=48857558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110124161A KR101739014B1 (ko) 2011-11-25 2011-11-25 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101739014B1 (ko)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100792397B1 (ko) * 2005-08-29 2008-01-08 주식회사 유진테크 변형방지용 보강구조를 갖는 엘씨디제조장비용 서셉터

Also Published As

Publication number Publication date
KR101739014B1 (ko) 2017-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004179600A (ja) 半導体製造装置
KR101405299B1 (ko) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
KR20060051356A (ko) 플라즈마 화학 증착 서셉터 지지 구조
KR20150130261A (ko) 향상된 프로세스 균일성 및 감소된 기판 미끄러짐을 위한 서셉터들
KR101199954B1 (ko) 기판 처리용 보트
KR20130058249A (ko) 기판처리장치
KR20130021755A (ko) 서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착장치
US9052145B2 (en) Substrate firing device
KR20140003362A (ko) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
KR101015389B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101904802B1 (ko) 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20140079279A (ko) 개선된 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101990533B1 (ko) 배치식 기판처리장치
KR101167989B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102170150B1 (ko) 분리형 기판 열처리 장치
KR101361711B1 (ko) 공정챔버의 지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치
CN103928369B (zh) 磷化铟晶片退火盒
KR101199939B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101800915B1 (ko) 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치
KR101167977B1 (ko) 히터 지지대
KR20160127867A (ko) 서셉터 유닛을 포함한 급속 열처리 장치
KR101593493B1 (ko) 대면적 유리기판 열처리 장치
JP2013134986A (ja) 基板処理装置及びそれを有する基板処理システム
KR101232597B1 (ko) 기판처리장치
KR20190011610A (ko) 개선된 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200309

Year of fee payment: 4