KR20130051149A - Organic light emitting diode display device and method of driving the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 보상 및 고전위 전압의 보상의 손실을 줄이고 구동 트랜지스터의 이동도를 보정할 수 있는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting diode display and a driving method thereof, and more particularly, to an organic light emitting diode capable of reducing the loss of compensation of a threshold voltage and a compensation of a high potential voltage and correcting mobility of the driving transistor. A display device and a driving method thereof.
최근 정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.Recently, as the information society develops, the demand for the display field is increasing in various forms, and in response, various flat panel display devices, for example, liquid crystal, which have features such as thinning, light weight, and low power consumption BACKGROUND Liquid crystal display devices, plasma display panel devices, organic light emitting diode display devices, and the like have been studied.
유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display device)는 투명 기판에 적(R), 녹(G), 청(B) 등의 빛을 내는 유기 화합물을 사용하여 자체 발광되는 표시장치로서, 일반적으로 OLED 패널과 구동회로를 포함한다.An organic light emitting diode display device is a display device that emits light by using an organic compound that emits red (R), green (G), and blue (B) light on a transparent substrate. OLED panel and driving circuit are included.
따라서, 유기발광 다이오드 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않다.Therefore, the organic light emitting diode display does not require a separate light source, unlike a liquid crystal display device.
그 결과 백라이트 유닛이 필요 없어 액정표시장치 대비 제조 공정이 단순하고, 제조비용을 줄일 수 있는 장점이 있어 차세대 평판 표시 장치로 각광을 받고 있다As a result, there is no need for a backlight unit, so the manufacturing process is simpler than that of a liquid crystal display and the manufacturing cost can be reduced.
또한, 유기발광 다이오드 표시장치는 액정표시장치에 비해 시야각과 대조비 등이 우수할 뿐만 아니라, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓다는 장점을 가지고 있다.In addition, the organic light emitting diode display device has not only an excellent viewing angle and a contrast ratio, but also a direct current low voltage drive, a fast response speed, strong external shock, and a wide temperature range.
특히, 액티브 매트릭스 방식(active matrix type)에서는 화소영역에 인가되는 전류를 제어하는 전압이 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전압을 유지해 줌으로써, 게이트 배선 수에 관계없이 한 화면이 표시되는 동안 발광상태를 유지하도록 구동된다.In particular, in an active matrix type, a voltage controlling the current applied to the pixel region is charged in a storage capacitor, and the voltage is maintained until the next frame signal is applied. It is driven to maintain the light emitting state while one screen is displayed regardless of the number of gate wirings.
따라서, 액티브 매트릭스 방식에서는, 낮은 전류를 인가해 주더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 대형화가 가능한 장점을 가진다.
Therefore, in the active matrix system, the same luminance is achieved even when a low current is applied, which has the advantage of low power consumption and large size.
도1은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이고, 도2는 종래의 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호를 도시한 타이밍도이다.FIG. 1 is a view schematically showing an equivalent circuit of a pixel region of a conventional organic light emitting diode display, and FIG. 2 is a timing diagram showing a plurality of control signals supplied to a conventional organic light emitting diode display.
도1에 도시한 바와 같이, 각 화소영역(도1의 P)에는 제 1 내지 제 5 트랜지스터(T1 내지 T5)와 구동 트랜지스터(Tdr) 그리고 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광다이오드(Del)가 형성된다.As shown in FIG. 1, first to fifth transistors T1 to T5, a driving transistor Tdr, a storage capacitor Cst, and a light emitting diode Del are formed in each pixel area P of FIG. 1. .
여기서 제 1 내지 제 5 트랜지스터(T1 내지 T5) 및 구동 트랜지스터(Tdr)는 P타입의 트랜지스터일 수 있다.The first to fifth transistors T1 to T5 and the driving transistor Tdr may be P-type transistors.
제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 데이터 배선(DL)과 제 1 스캔배선(GL)에 연결되고, 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일단인 제 1 노드(N1)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the first transistor T1 are respectively connected to the data line DL and the first scan line GL, and the drain electrode of the first transistor T1 is one end of the storage capacitor Cst. It is connected to one node N1.
이러한 제 1 트랜지스터(T1)는 제 1 스캔배선(GL)을 통하여 공급되는 제 1 스캔 신호(S1)에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 1 노드(N1)에 데이터 전압(DATA)을 공급하는 스위칭 트랜지스터 역할을 한다.The first transistor T1 is turned on according to the first scan signal S1 supplied through the first scan line GL to apply the data voltage DATA to the first node N1. It serves as a switching transistor.
제 2 트랜지스터(T2)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 제 1 노드(N1) 및 발광제어 배선(EL)에 연결되고, 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극은 기준전압 배선에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the second transistor T2 are connected to the first node N1 and the light emission control wiring EL, respectively, and the drain electrode of the second transistor T2 is connected to the reference voltage wiring.
이러한 제 2 트랜지스터(T2)는 발광제어 배선(EL)을 통하여 공급되는 발광제어 신호(Em)에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 1 노드(N1)에 기준전압(Vref)을 공급하는 역할을 한다.The second transistor T2 is turned on according to the emission control signal Em supplied through the emission control line EL to supply the reference voltage Vref to the first node N1. Play a role.
제 3 트랜지스터(T3)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 스토리지 커패시터(Cst)의 타단인 제 2 노드(N2)와 제 1 스캔배선(GL)에 연결되고, 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the third transistor T3 are respectively connected to the second node N2 and the first scan wiring GL, which are the other ends of the storage capacitor Cst, and the drain electrode of the third transistor T3 is It is connected to the drain electrode of the driving transistor Tdr.
제 4 트랜지스터(T4)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극 및 발광제어 배선(EL)에 연결되고, 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 발광다이오드(Del)의 애노드 전극인 제 3 노드(N3)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the fourth transistor T4 are connected to the drain electrode and the emission control wiring EL of the driving transistor Tdr, respectively, and the drain electrode of the fourth transistor T4 is an anode of the light emitting diode Del. It is connected to the third node N3 which is an electrode.
제 5 트랜지스터(T5)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 기준전압 배선(VL) 및 제 2 스캔 배선(SL)에 연결되고, 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극은 제 3 노드(N3)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the fifth transistor T5 are connected to the reference voltage wiring VL and the second scan wiring SL, respectively, and the drain electrode of the fifth transistor T5 is connected to the third node N3. do.
구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 고전위 전압(ELVDD) 단자 및 제 2 노드(N2)에 연결되고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극은 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the driving transistor Tdr are connected to the high potential voltage ELVDD terminal and the second node N2, respectively, and the drain electrode of the driving transistor Tdr is connected to the drain electrode of the third transistor T3. Connected.
이러한 구동 트랜지스터(Tdr)가 턴-온(Turn-On)되는 동안에 발광다이오드(Del)로 전류가 흘러 발광다이오드(Del)가 발광하게 된다.While the driving transistor Tdr is turned on, current flows to the light emitting diode Del so that the light emitting diode Del emits light.
이때, 발광다이오드(Del)가 방출하는 빛의 세기는 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양에 비례하고, 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양은 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극으로 인가되는 데이터 전압(DATA)의 크기에 비례한다.In this case, the intensity of light emitted by the light emitting diode Del is proportional to the amount of current flowing through the light emitting diode Del, and the amount of current flowing through the light emitting diode Del is applied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. It is proportional to the magnitude of the voltage DATA.
그 결과 유기발광 다이오드 표시장치는 각 화소영역(P) 마다 다양한 크기의 데이터 전압(DATA)을 인가하여 상이한 계조를 표시함에 따라 영상을 표시할 수 있다.As a result, the organic light emitting diode display may display an image by applying different data voltages DATA to each pixel area P to display different gray levels.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2) 사이에 연결되며, 데이터 전압(DATA)을 한 프레임(frame) 동안 유지하여 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양을 일정하게 하고 발광다이오드(Del)가 표시하는 계조를 일정하게 유지시키는 역할을 한다.The storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the second node N2 and maintains the data voltage DATA for one frame to maintain a constant amount of current flowing through the light emitting diode Del. And it serves to keep the gray level displayed by the light emitting diode (Del) constant.
이하에서 위와 같은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 동작을 살펴보기로 한다.Hereinafter, the operation of the pixel area of the conventional organic light emitting diode display as described above will be described.
도2에 도시한 바와 같이, 제 1 시간(t1) 동안에, 하이 레벨의 제 1 스캔 신호(S1)가 인가되고, 로우 레벨의 제 2 스캔 신호(S2) 및 로우 레벨의 발광제어 신호(Em)가 각각 인가된다.As shown in Fig. 2, during the first time t1, the high level first scan signal S1 is applied, the low level second scan signal S2 and the low level light emission control signal Em Are applied respectively.
따라서, 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-온(Turn-On)되고, 제 3 노드(N3)를 기준전압(Vref)으로 초기화시킨다. 이때, 제 2 트랜지스터(T2) 및 제 4 트랜지스터(T4)는 턴-온(Turn-On)되어 있는 상태이다.Accordingly, the fifth transistor T5 is turned on and initializes the third node N3 to the reference voltage Vref. At this time, the second transistor T2 and the fourth transistor T4 are turned on.
여기서, 제 3 노드(N3)와 그라운드(GND) 사이의 전압차는 발광다이오드(Del)의 문턱전압(Vth) 이하일 수 있으며, 그 결과 제 1 시간(t1) 동안에, 발광다이오드(Del)를 통해 전류가 흐르지 않는다.Here, the voltage difference between the third node N3 and the ground GND may be equal to or less than the threshold voltage Vth of the light emitting diode Del. As a result, a current through the light emitting diode Del is generated during the first time t1. Does not flow.
제 2 시간(t2) 동안에, 제 1 스캔 신호(S1)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하면서 인가되며, 로우 레벨의 제 2 스캔 신호(S2)가 인가되고, 발광제어 신호(Em)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 변하면서 인가된다.During the second time t2, the first scan signal S1 is applied while changing from the high level to the low level, the second scan signal S2 of the low level is applied, and the emission control signal Em is at the low level. It is applied while changing from high level to.
그 결과 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 3 트랜지스터(T3)는 턴-온(Turn-On)되고 제 4 트랜지스터(T4)의 오프 지연 시간을 이용하여 제 2 노드(N2) 및 제 3 노드(N3)는 기준전압(Vref)으로 초기화된다. 이 때, 제 5 트랜지스터(T5)는 턴-온(Turn-On) 상태를 유지하므로 제 3 노드(N3)는 기준전압(Vref)을 유지하게 된다.As a result, the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned on and are turned on using the off delay time of the fourth transistor T4 and the second node N2 and the third node N3. Is initialized to the reference voltage Vref. In this case, since the fifth transistor T5 maintains a turn-on state, the third node N3 maintains the reference voltage Vref.
따라서, 제 3 노드(N3)의 전압은 기준전압(Vref)을 유지하기 때문에 제 2 시간(t2) 동안에도 발광다이오드(Del)를 통해 전류가 흐르지 아니하는 비발광 상태를 유지한다.Therefore, since the voltage of the third node N3 maintains the reference voltage Vref, a non-light emitting state in which no current flows through the light emitting diode Del is maintained even during the second time t2.
제 3 시간(t3) 동안에, 로우 레벨의 제 1 스캔 신호(S1) 및 로우 레벨의 제 2 스캔 신호(S2), 그리고 하이 레벨의 발광제어 신호(Em)가 각각 인가된다.During the third time t3, the low level first scan signal S1, the low level second scan signal S2, and the high level emission control signal Em are applied.
따라서, 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)이 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된다. 이 때, 제 4 트랜지스터(T4)는 턴-오프(Turn-Off) 상태를 유지하고 제 3 노드(N3)는 기준전압(Vref)을 유지하게 된다.Therefore, the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr is stored in the storage capacitor Cst. In this case, the fourth transistor T4 maintains a turn-off state and the third node N3 maintains a reference voltage Vref.
제 4 시간(t4) 동안에, 발광제어 신호(Em)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하면서 인가되고, 제 1 스캔 신호(S1) 및 제 2 스캔 신호(S2)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 변하면서 인가된다.During the fourth time t4, the emission control signal Em is applied while changing from the high level to the low level, and the first scan signal S1 and the second scan signal S2 change from the low level to the high level. Is approved.
그 결과 제 2 트랜지스터(T2) 및 제 4 트랜지스터(T4)는 턴-온(Turn-On)되고, 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 3 트랜지스터(T3) 및 제 5 트랜지스터(T5)는 턴-오프(Turn-Off)되면서 한 프레임동안 발광다이오드(Del)가 발광하게 된다.As a result, the second transistor T2 and the fourth transistor T4 are turned on, and the first transistor T1, the third transistor T3, and the fifth transistor T5 are turned off. (Turn-Off), the light emitting diode Del emits light for one frame.
유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역은 제 1 시간 내지 제 4 시간(t1~t4)의 반복을 통하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 및 고전위 전압(VDD)을 보상하면서 구동된다.The pixel region of the organic light emitting diode display device is driven while compensating the threshold voltage Vth and the high potential voltage VDD of the driving transistor Tdr through repetition of the first to fourth times t1 to t4.
이때, 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 1과 같이 정의된다.In this case, the current I OLED flowing through the light emitting diode Del is defined as in
[수학식 1][Equation 1]
여기서, k는 비례상수로서 구동 트랜지스터(Tdr)의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 값으로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L) 등에 의해서 결정될 수 있다.Here, k is a proportional constant that is determined by the structure and physical characteristics of the driving transistor Tdr, and the mobility of the driving transistor Tdr and the channel width W and channel length of the driving transistor Tdr. It can be determined by the ratio (W / L) of (L).
즉, 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 및 고전위 전압(VDD)의 변동에 무관하고, 데이터 전압(DATA) 및 기준전압(Vref)에 의해 결정될 수 있다.That is, the current I OLED flowing through the light emitting diode Del in the pixel region of the conventional organic light emitting diode display device is independent of the variation of the threshold voltage Vth and the high potential voltage VDD of the driving transistor Tdr. It may be determined by the data voltage DATA and the reference voltage Vref.
그런데 이와 같은 화소 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치가 3D 동시발광 구동을 하는 경우 등에서는 고전위 전압(VDD)이 보상이 되지 않는 문제점이 존재한다.However, there is a problem in that the high potential voltage VDD is not compensated for when the organic light emitting diode display having the pixel structure performs 3D co-emission.
그리하여 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 2와 같이 정의된다.Thus, the current I OLED flowing through the light emitting diode Del is defined as in
[수학식 2]&Quot; (2) "
따라서, 종래의 화소 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치가 3D 동시발광 구동을 하는 경우 등에서는 센싱 고전위 전압(VDDsensing)와 발광 고전위 전압(VDDemission)간의 편차로 고전위 전압(VDD)이 보상되지 않게 된다.Therefore, when the organic light emitting diode display having the conventional pixel structure performs 3D co-emission driving, the high potential voltage VDD is increased due to the deviation between the sensing high potential voltage VDD sensing and the emission high potential voltage VDD emission . Not compensated.
여기서, 센싱 고전위 전압(VDDsensing)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 센싱 시에 발생하는 센싱 에러 등이 반영된 전압이고, 발광 고전위 전압(VDDemission)은 발광다이오드(Del)의 발광시 공급되는 전압이다.Here, the sensing high potential voltage VDD sensing is a voltage reflecting a sensing error occurring when sensing the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr, and the light emitting high potential voltage VDD emission is a value of the light emitting diode Del. The voltage supplied at the time of light emission.
즉, 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 센싱 시에 센싱 에러 등이 발생하기 때문에 센싱 고전위 전압(VDDsensing)은 발광 고전위 전압(VDDemission)과 편차가 생기고, 그러한 센싱 고전위 전압(VDDsensing)과 발광 고전위 전압(VDDemission)간의 편차는 발광다이오드(Del)의 발광에 영향을 미치게 된다.That is, since a sensing error occurs during sensing of the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr, the sensing high potential voltage VDD sensing is different from the light emission high potential voltage VDD emission . The deviation between the VDD sensing and the light emission high potential voltage affects the light emission of the light emitting diode Del.
그리고, 제 3 시간(t3) 동안에, 문턱전압 센싱(Sensing)과 데이터 기입(Writing)이 동시에 진행됨에 따라 고속 구동 시에는 센싱(Sensing) 시간이 부족하여 보상 능력이 떨어지는 문제점이 있었다.
In addition, as the threshold voltage sensing and data writing are simultaneously performed during the third time t3, there is a problem in that a compensation time is insufficient due to a lack of sensing time during high-speed driving.
본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 보상 및 고전위 전압의 보상의 손실을 줄여 구동 트랜지스터의 이동도를 보정할 수 있는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
The present invention is to solve the above problems, an organic light emitting diode display and a driving method thereof capable of correcting the mobility of the driving transistor by reducing the compensation of the threshold voltage and the compensation of the high potential voltage of the driving transistor The purpose is to provide.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 유기발광 다이오드 표시장치는, 서로 교차하여 형성되는 스캔 배선 및 데이터 배선과; 고전위 전압 단자와 컨트롤 배선 및 제 2 노드와 연결되는 제 1 트랜지스터와; 제 1 노드와 상기 스캔 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되는 제 2 트랜지스터와; 상기 제 1 노드와 초기화 배선 및 제 1 기준 전압 배선과 연결되는 제 3 트랜지스터와; 제 3 노드와 상기 초기화 배선 및 제 2 기준 전압 배선과 연결되는 제 4 트랜지스터와; 상기 제 3 노드와 발광제어 배선 및 발광다이오드의 애노드 전극과 연결되는 제 5 트랜지스터와; 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터와; 고전위 전압 단자 및 상기 제 2 노드와 연결되는 제 2 커패시터와; 상기 제 5 트랜지스터의 드레인 전극 및 저전위 전압 단자에 연결되는 발광다이오드를 포함하며, 상기 제 1 노드 내지 상기 제 3 노드는 각각 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극과 드레인 전극에 연결되는 노드인 것을 특징으로 한다.An organic light emitting diode display for achieving the above object includes a scan wiring and a data wiring formed to cross each other; A first transistor connected to the high potential voltage terminal and the control wiring and the second node; A second transistor connected to a first node, the scan wiring and the data wiring; A third transistor connected to the first node, an initialization line, and a first reference voltage line; A fourth transistor connected to a third node, the initialization line, and the second reference voltage line; A fifth transistor connected to the third node, an emission control wiring, and an anode electrode of the light emitting diode; A first capacitor coupled between the first node and the second node; A second capacitor connected to the high potential voltage terminal and the second node; And a light emitting diode connected to the drain electrode and the low potential voltage terminal of the fifth transistor, wherein the first node to the third node are nodes connected to the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode of the driving transistor, respectively. It is done.
여기서, 상기 제 3 트랜지스터는, 상기 초기화 배선을 통하여 공급되는 초기화 신호에 따라 턴-온되어 상기 제 1 노드를 제 1 기준전압으로 초기화시킬 수 있다.The third transistor may be turned on according to an initialization signal supplied through the initialization line to initialize the first node to a first reference voltage.
그리고, 상기 제 1 기준전압은 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압보다 높은 전압일 수 있다.The first reference voltage may be higher than a threshold voltage of the driving transistor.
또한, 상기 제 2 기준 전압 배선을 통해 공급되는 제 2 기준 전압은 상기 발광다이오드의 문턱 전압보다 낮은 전압인 것이 바람직하다.In addition, the second reference voltage supplied through the second reference voltage line is preferably lower than the threshold voltage of the light emitting diode.
한편, 상기 제 1 커패시터의 용량(Cst) 및 상기 제 2 커패시터의 용량(Cm)은 Cst/(Cst+Cm)=0.2를 만족하는 값일 수 있다.Meanwhile, the capacitance Cst of the first capacitor and the capacitance Cm of the second capacitor may be values satisfying Cst / (Cst + Cm) = 0.2.
그리고, 상기 제 4 트랜지스터는, 상기 제 3 노드와 상기 초기화 배선 및 상기 저전위 전압 단자와 연결될 수 있다.
The fourth transistor may be connected to the third node, the initialization line, and the low potential voltage terminal.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법은, 제 1 내지 제 5 트랜지스터와 제 1 및 제 2 커패시터와 구동 트랜지스터 및 발광다이오드를 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터가 초기화 신호에 의해 턴-온되고 상기 제 5 트랜지스터가 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 제 1 노드를 제 1 기준전압으로 초기화시키는 제 1 단계와; 상기 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터는 턴-오프되고 상기 제 5 트랜지스터가 턴-온되는 동안에, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 제 2 단계와; 상기 제 2 트랜지스터가 스캔 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 데이터 전압을 상기 제 1 커패시터에 저장하는 제 3 단계와; 상기 제 1 트랜지스터가 컨트롤 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 제 2 노드에 고전위 전압을 공급하여 상기 제 1 노드에 걸리는 전압을 상기 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압 이상으로 승압시키는 제 4 단계와; 상기 제 1 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터가 턴-온되고 상기 제 5 트랜지스터가 상기 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 발광다이오드가 발광하는 제 5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of driving an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention for achieving the above object includes a first to fifth transistor, a first and a second capacitor, a driving transistor and a light emitting diode. A method of driving an organic light emitting diode display, wherein the first node is connected to a first node while the third transistor and the fourth transistor are turned on by an initialization signal and the fifth transistor is turned on by an emission control signal. A first step of initializing to a reference voltage; A second step of sensing a threshold voltage of the driving transistor while the third transistor and the fourth transistor are turned off and the fifth transistor is turned on; Storing a data voltage in the first capacitor while the second transistor is turned on by a scan signal; While the first transistor is turned on by a control signal, supplying a high potential voltage to a second node to boost a voltage across the first node above a threshold voltage of the driving transistor; And a fifth step in which the light emitting diode emits light while the first transistor and the driving transistor are turned on and the fifth transistor is turned on by the light emission control signal.
여기서, 상기 제 1 단계 동안에, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱함에 따라 상기 제 2 노드에 걸리는 전압이 감소할 수 있다.Here, during the first step, the voltage applied to the second node may decrease as the threshold voltage of the driving transistor is sensed.
그리고, 상기 제 1 기준전압은 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압보다 높은 전압일 수 있다.The first reference voltage may be higher than a threshold voltage of the driving transistor.
또한, 상기 제 4 트랜지스터가 턴-온되는 동안에 제 2 기준 전압이 공급될 수 있다.In addition, a second reference voltage may be supplied while the fourth transistor is turned on.
그리고, 상기 제 2 기준 전압은 상기 발광다이오드의 문턱 전압보다 낮은 전압인 것이 바람직하다.The second reference voltage is preferably lower than the threshold voltage of the light emitting diode.
한편, 상기 제 1단계 동안에 발생하는 제 1 센싱 에러에 따른 전압 변화량(α)과 상기 제 2단계 동안에 발생하는 제 2 센싱 에러에 따른 전압 변화량(β)은 α=4β를 만족할 수 있다.Meanwhile, the voltage change amount α according to the first sensing error occurring during the first step and the voltage change amount β according to the second sensing error occurring during the second step may satisfy α = 4β.
그리고, 상기 제 1 커패시터의 용량(Cst) 및 상기 제 2 커패시터의 용량(Cm)은 Cst/(Cst+Cm)=0.2를 만족하는 값인 것이 바람직하다.In addition, the capacitance Cst of the first capacitor and the capacitance Cm of the second capacitor are preferably values satisfying Cst / (Cst + Cm) = 0.2.
또한, 상기 제 4 트랜지스터가 턴-온되는 동안에 저전위 전압이 공급될 수도 있다.
In addition, a low potential voltage may be supplied while the fourth transistor is turned on.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 제 2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법은, 제 1 내지 제 5 트랜지스터와 제 1 및 제 2 커패시터와 구동 트랜지스터 및 발광다이오드를 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터가 초기화 신호에 의해 턴-온되고 상기 제 5 트랜지스터가 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 제 1 노드를 제 1 기준전압으로 초기화시키는 제 1 단계와; 상기 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터는 턴-오프되고 상기 제 5 트랜지스터가 턴-온되는 동안에, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 제 2 단계와; 상기 제 1 트랜지스터가 컨트롤 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 제 2 노드에 고전위 전압을 공급하여 상기 제 1 노드에 걸리는 전압을 상기 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압 이상으로 승압시키는 제 4 단계와; 상기 제 1 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터가 턴-온되고 상기 제 5 트랜지스터가 상기 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 발광다이오드가 발광하는 제 5 단계와; 상기 제 2 단계와 상기 제 4 단계 사이에 상기 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하는 제 6 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode display device including first to fifth transistors, first and second capacitors, a driving transistor, and a light emitting diode. A method of driving an organic light emitting diode display, wherein the first node is connected to a first node while the third transistor and the fourth transistor are turned on by an initialization signal and the fifth transistor is turned on by an emission control signal. A first step of initializing to a reference voltage; A second step of sensing a threshold voltage of the driving transistor while the third transistor and the fourth transistor are turned off and the fifth transistor is turned on; While the first transistor is turned on by a control signal, supplying a high potential voltage to a second node to boost a voltage across the first node above a threshold voltage of the driving transistor; A fifth step of causing the light emitting diode to emit light while the first transistor and the driving transistor are turned on and the fifth transistor is turned on by the light emission control signal; And a sixth step of sensing the mobility of the driving transistor between the second step and the fourth step.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 구동방법에서는, 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 보상 및 고전위 전압의 보상의 손실을 줄여 구동 트랜지스터의 이동도를 보정함에 따라 트랜지스터 소자의 불균일에 의한 휘도 편차를 효과적으로 줄일 수 있다.As described above, in the organic light emitting diode display and the driving method thereof according to the present invention, the mobility of the driving transistor is corrected by reducing the compensation of the threshold voltage of the driving transistor and the loss of the compensation of the high potential voltage. It is possible to effectively reduce the luminance deviation caused by.
또한, 고전위 전압을 실시간으로 보상하여 프레임 홀딩(Frame Holding)을 개선하고, Motion Picture Response Time(MPRT) 특성을 향상시킬 수 있다.
In addition, the frame holding may be improved by compensating the high potential voltage in real time, and the motion picture response time (MPRT) characteristics may be improved.
도1은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이다.
도2는 종래의 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호를 도시한 타이밍도이다.
도3은 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이다.
도5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호와, 제 1 및 제 2 노드의 전압 변화 그리고 발광다이오드를 흐르는 전류의 전류 변화를 도시한 타이밍도이다.
도6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이다.
도7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호와, 제 1 및 제 2 노드의 전압 변화 그리고 발광다이오드를 흐르는 전류의 전류 변화를 도시한 타이밍도이다.
도8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 문턱전압 보상 특성을 설명하기 위해 참조되는 도면이다.
도9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 이동도 보상 특성을 설명하기 위해 참조되는 도면이다.
도10은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 고전위 전압 보상 특성을 설명하기 위해 참조되는 도면이다.
도11은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서의 데이터 전압에 따른 전류 편차를 도시한 도면이다.
도12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서의 데이터 전압에 따른 전류 편차를 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing an equivalent circuit of a pixel area of a conventional organic light emitting diode display.
2 is a timing diagram illustrating a plurality of control signals supplied to a conventional organic light emitting diode display.
3 is a schematic view of an organic light emitting diode display according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram schematically showing an equivalent circuit of a pixel region of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a timing diagram illustrating a plurality of control signals supplied to the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention, voltage changes of the first and second nodes, and current changes of the current flowing through the light emitting diodes. .
FIG. 6 schematically illustrates an equivalent circuit of a pixel area of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a timing diagram illustrating a plurality of control signals supplied to an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention, voltage changes of first and second nodes, and current changes of current flowing through the light emitting diodes. .
FIG. 8 is a diagram referred to describe threshold voltage compensation characteristics of a driving transistor in a pixel area of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a diagram referred to describe mobility compensation characteristics of a driving transistor in a pixel area of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram referred to for describing a high potential voltage compensation characteristic in a pixel area of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a diagram illustrating a current deviation according to data voltages in a pixel area of the organic light emitting diode display device according to the first and second embodiments of the present invention.
FIG. 12 is a diagram illustrating a current deviation according to a data voltage in a pixel area of an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도3은 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이다.3 is a view schematically showing an organic light emitting diode display according to the present invention, and FIG. 4 is a view schematically showing an equivalent circuit of a pixel region of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention. .
도3 및 도4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치(100)는, 영상을 표시하는 표시패널(110)과 소스 드라이버(120), 스캔 드라이버(130)와, 소스 드라이버(120) 및 스캔 드라이버(130) 각각의 구동 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어부(140) 등을 포함할 수 있다.3 and 4, the organic light emitting
표시패널(110)은, 서로 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하는 다수의 스캔 배선(GL1 내지 GLm) 및 다수의 데이터 배선(DL1 내지 DLn) 그리고, 다수의 발광제어 배선(EL1 내지 ELm)을 포함할 수 있다.The
그리고, 각 화소영역(P)을 제어하기 위한 제어신호를 공급하기 위한 다수의 초기화 배선(IL) 및 다수의 컨트롤 배선(CTL)이 다수의 스캔 배선(GL1 내지 GLm)과 평행하게 이격되어 형성될 수 있다.In addition, a plurality of initialization wires IL and a plurality of control wires CTL for supplying a control signal for controlling each pixel area P may be formed to be spaced apart in parallel with the plurality of scan wires GL1 to GLm. Can be.
각 화소영역(P)은 동일한 구성을 가지므로, 이하에서는 편의상 다수의 스캔 배선(GL1 내지 GLm)을 스캔 배선(GL)으로, 제 1 내지 제n데이터 배선(DL1 내지 DLn)을 데이터 배선(DL)으로, 다수의 발광제어 배선(EL1 내지 ELm)을 발광제어 배선(EL)으로 설명하기로 한다.Since each pixel area P has the same configuration, hereinafter, for convenience, a plurality of scan wires GL1 to GLm are referred to as scan wires GL, and the first to nth data wires DL1 to DLn are referred to as data wires DL. ), A plurality of light emission control wirings EL1 to ELm will be described as light emission control wirings EL.
한편, 각 화소영역(P)에는 제 1 내지 제 5 트랜지스터(T1 내지 T5)와 구동 트랜지스터(Tdr) 그리고 제 1 커패시터(Cst) 및 제 2 커패시터(Cm)와 발광다이오드(Del)가 형성될 수 있다.Meanwhile, in each pixel area P, first to fifth transistors T1 to T5, a driving transistor Tdr, a first capacitor Cst, a second capacitor Cm, and a light emitting diode Del may be formed. have.
여기서, 제 1 내지 제 5 트랜지스터(T1 내지 T5) 및 구동 트랜지스터(Tdr)는 도시된 바와 같이, P타입의 트랜지스터일 수 있지만, 이에 한정되지 않고, N타입의 트랜지스터를 적용할 수 있다.Here, the first to fifth transistors T1 to T5 and the driving transistor Tdr may be P-type transistors as shown, but are not limited thereto, and an N-type transistor may be applied.
제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 고전위 전압(ELVDD) 단자와 컨트롤 배선(CTL)에 연결되고, 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제 2 노드(N2)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the first transistor T1 are connected to the high potential voltage ELVDD terminal and the control wiring CTL, respectively, and the drain electrode of the first transistor T1 is the source electrode of the driving transistor Tdr. It is connected to the second node N2.
이러한 제 1 트랜지스터(T1)는 컨트롤 배선(CTL)을 통하여 공급되는 컨트롤 신호(Ctrl)에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 2 노드(N2)에 고전위 전압(ELVDD)을 공급한다.The first transistor T1 is turned on according to the control signal Ctrl supplied through the control wiring CTL to supply the high potential voltage ELVDD to the second node N2.
제 2 트랜지스터(T2)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 스토리지 커패시터(Cst)의 일단인 제 1 노드(N1)와 스캔 배선(GL)에 연결되고, 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극은 데이터 배선(DL)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the second transistor T2 are respectively connected to the first node N1 and the scan wiring GL, which are one end of the storage capacitor Cst, and the drain electrode of the second transistor T2 is connected to the data wiring. Connected to (DL).
이러한 제 2 트랜지스터(T2)는 스캔 배선(GL)을 통하여 공급되는 스캔 신호(S1)에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 역할을 한다.The second transistor T2 is turned on according to the scan signal S1 supplied through the scan line GL to supply the data voltage Vdata to the first node N1. do.
제 3 트랜지스터(T3)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 제 1 노드(N1)와 초기화 배선(IL)에 연결되고, 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 제 1 기준 전압 배선(VL1)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the third transistor T3 are connected to the first node N1 and the initialization line IL, respectively, and the drain electrode of the third transistor T3 is connected to the first reference voltage line VL1. do.
이러한 제 3 트랜지스터(T3)는 초기화 배선(IL)을 통하여 공급되는 초기화 신호(Init)에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 1 노드(N1)에 제 1 기준전압(Vref_1)을 공급하는 역할을 한다.The third transistor T3 is turned on according to the initialization signal Init supplied through the initialization line IL to supply the first reference voltage Vref_1 to the first node N1. Play a role.
제 4 트랜지스터(T4)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극인 제 3 노드(N3)와 초기화 배선(IL)에 연결되고, 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 제 2 기준 전압 배선(VL2)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the fourth transistor T4 are connected to the third node N3, which is the drain electrode of the driving transistor Tdr, and the initialization wiring IL, respectively. 2 is connected to the reference voltage wiring (VL2).
이러한 제 4 트랜지스터(T4)는 초기화 배선(IL)을 통하여 공급되는 초기화 신호(Init)에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극으로 제 2 기준전압(Vref_2)을 공급한다.The fourth transistor T4 is turned on according to the initialization signal Init supplied through the initialization line IL, and is the second reference voltage Vref_2 as the drain electrode of the fourth transistor T4. To supply.
따라서, 제 4 트랜지스터(T4)의 턴-온(Turn-On)시에, 발광다이오드(Del)로 흐르는 전류는 줄어들게 된다.Therefore, when the fourth transistor T4 is turned on, the current flowing to the light emitting diode Del is reduced.
여기서, 제 2 기준전압(Vref_2)은 발광다이오드(Del)의 문턱전압(Vth)보다 낮은 전압일 수 있다.Here, the second reference voltage Vref_2 may be a voltage lower than the threshold voltage Vth of the light emitting diode Del.
제 5 트랜지스터(T5)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 제 3 노드(N3)와 발광제어 배선(EL)에 연결되고, 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극은 발광다이오드(Del)의 애노드 전극에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the fifth transistor T5 are respectively connected to the third node N3 and the light emission control wiring EL, and the drain electrode of the fifth transistor T5 is connected to the anode electrode of the light emitting diode Del. Connected.
이러한 제 5 트랜지스터(T5)는 발광제어 배선(EL)을 통하여 공급되는 발광제어 신호(Em)에 따라 턴-온(Turn-On)되어 발광다이오드(Del)의 발광 타이밍을 제어하는 역할을 한다.The fifth transistor T5 is turned on according to the emission control signal Em supplied through the emission control line EL to control the emission timing of the light emitting diode Del.
구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 제 2 노드(N2) 및 제 1 노드(N1)에 연결되고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극은 제 3 노드(N3)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the driving transistor Tdr are connected to the second node N2 and the first node N1, respectively, and the drain electrode of the driving transistor Tdr is connected to the third node N3.
구동 트랜지스터(Tdr)는 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양을 조절하는 역할을 하는데, 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양은 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극으로 인가되는 데이터 전압(Vdata)의 크기에 비례한다. The driving transistor Tdr controls the amount of current flowing through the light emitting diode Del, and the amount of current flowing through the light emitting diode Del is controlled by the data voltage Vdata applied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. Proportional to size.
즉, 유기발광 다이오드 표시장치는 각 화소영역(P) 마다 다양한 크기의 데이터 전압을 인가하여 상이한 계조를 표시함에 따라 영상을 표시할 수 있다.That is, the organic light emitting diode display may display an image by applying different data voltages to each pixel region P to display different gray levels.
제 1 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2) 사이에 연결되며, 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2)의 전압차를 저장한다.The first capacitor Cst is connected between the first node N1 and the second node N2 and stores the voltage difference between the first node N1 and the second node N2.
이러한 제 1 커패시터(Cst)는 데이터 전압을 한 프레임(frame) 동안 유지하여 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양을 일정하게 하고 발광다이오드(Del)가 표시하는 계조를 일정하게 유지시키는 역할을 하는 스토리지 커패시터일 수 있다.The first capacitor Cst maintains a data voltage for one frame to maintain a constant amount of current flowing through the light emitting diode Del, and to maintain a constant gray level displayed by the light emitting diode Del. It may be a storage capacitor.
제 2 커패시터(Cm)는 고전위 전압(ELVDD) 단자 및 제 2 노드(N2) 사이에 연결되며, 제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극과 드레인 전극의 전압차를 저장한다.The second capacitor Cm is connected between the high potential voltage ELVDD terminal and the second node N2 and stores a voltage difference between the source electrode and the drain electrode of the first transistor T1.
발광다이오드(Del)의 애노드 전극은 제5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극과 연결되고, 캐소드 전극은 저전위 전압(ELVSS) 단자와 연결된다.The anode electrode of the light emitting diode Del is connected with the drain electrode of the fifth transistor T5, and the cathode electrode is connected with the low potential voltage ELVSS terminal.
데이터 드라이버(120)는 표시패널(110)로 데이터 신호를 공급하는 적어도 하나의 드라이버 IC(미도시)를 포함할 수 있다.The
데이터 드라이버(120)는 타이밍 제어부(140)로부터 전달 받은 변환된 영상 신호(R/G/B)와 다수의 데이터 제어신호를 이용하여 데이터 신호를 생성하고, 생성한 데이터 신호를 데이터 배선(DL)을 통해 표시패널(110)로 공급한다.The
타이밍 제어부(140)는 인터페이스를 통해 그래픽 카드와 같은 시스템(System)으로부터 다수의 영상 신호 및 수직동기신호(VSY), 수평동기신호(HSY), 데이터 인에이블 신호(DE) 등과 같은 다수의 제어신호를 전달 받을 수 있다.The
그리고, 타이밍 제어부(140)는, 다수의 데이터 신호 등을 생성하여 데이터 드라이버(120)의 각 드라이버 IC로 공급할 수 있다.In addition, the
스캔 드라이버(130)는 타이밍 제어부(140)로부터 전달 받은 제어신호를 이용하여 스캔 신호를 생성하고, 생성된 스캔 신호를 스캔 배선(GL)을 통해 표시패널(110)로 공급하도록 제어할 수 있다.The
이하에서 위와 같은 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 동작을 살펴보기로 한다.
Hereinafter, the operation of the pixel area of the organic light emitting diode display as described above will be described.
도5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호와, 제 1 및 제 2 노드의 전압 변화 그리고 발광다이오드를 흐르는 전류의 전류 변화를 도시한 타이밍도이다.FIG. 5 is a timing diagram illustrating a plurality of control signals supplied to the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention, voltage changes of the first and second nodes, and current changes of the current flowing through the light emitting diodes. .
도5에 도시한 바와 같이, 제 1 시간(t1) 동안에, 로우 레벨의 초기화 신호(Init) 및 하이 레벨의 컨트롤 신호(Ctrl)가 인가되고, 또한 로우 레벨의 발광제어 신호(Em) 및 하이 레벨의 스캔 신호(S1)가 각각 인가될 수 있다.As shown in Fig. 5, during the first time t1, the low level initialization signal Init and the high level control signal Ctrl are applied, and the low level light emission control signal Em and the high level are applied. Scan signals S1 may be applied.
따라서, 제 3 트랜지스터(T3)가 턴-온(Turn-On)되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극인 제 1 노드(N1)는 제 1 기준전압(Vref_1)으로 초기화되고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제 2 노드(N2)에서 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)을 센싱하게 된다.Accordingly, the third transistor T3 is turned on so that the first node N1, which is the gate electrode of the driving transistor Tdr, is initialized to the first reference voltage Vref_1, and the driving transistor Tdr. The threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr is sensed at the second node N2, which is a source electrode of.
그리고, 제 4 트랜지스터(T4)가 턴-온(Turn-On)되어 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극으로 제 2 기준전압(Vref_2)이 공급된다.The fourth transistor T4 is turned on to supply the second reference voltage Vref_2 to the drain electrode of the fourth transistor T4.
여기서, 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극에 인가되는 제 2 기준전압(Vref_2)은 발광다이오드(Del)의 문턱전압(Vth)보다 낮은 전압일 수 있다. (Vref_2<Vth)The second reference voltage Vref_2 applied to the drain electrode of the fourth transistor T4 may be a voltage lower than the threshold voltage Vth of the light emitting diode Del. (Vref_2 <Vth)
또한, 제 5 트랜지스터(T5)는 턴-온(Turn-On)되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극과 발광다이오드(Del)의 애노드 전극을 접속시킨다.In addition, the fifth transistor T5 is turned on to connect the drain electrode of the driving transistor Tdr and the anode electrode of the light emitting diode Del.
이때, 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2)는 턴-오프(Turn-Off)상태가 된다.At this time, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned off.
보다 자세히 설명하면, 제 1 시간(t1) 동안에 제 1 노드(N1)는 제 1 기준전압(Vref_1)으로 초기화되므로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)보다 커지게 된다. (Vref_1>Vth)In more detail, since the first node N1 is initialized to the first reference voltage Vref_1 during the first time t1, the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor Tdr is changed to the driving transistor. It becomes larger than the threshold voltage Vth of Tdr. (Vref_1> Vth)
따라서, 구동 트랜지스터(Tdr)는 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)가 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)에 도달할 때까지 턴-온(Turn-On)되어 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 결과적으로 제 1 기준전압(Vref_1)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)의 전압차인 'Vref_1-Vth'까지 낮아지게 된다.Accordingly, the driving transistor Tdr is turned on until the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode reaches the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr, thereby driving the second node N2. As a result, the voltage V N2 is lowered to 'Vref_1-Vth' which is a voltage difference between the first reference voltage Vref_1 and the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr.
한편, 제 2 노드(N2)에서는 제 1 시간(t1) 동안에 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 저항 등에 따른 제 1 센싱 에러가 발생할 수 있으며, 그 때의 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 기준 전압(REF)과 문턱전압(Vth)의 전압차인 'Vref_1-Vth'에 제 1 센싱 에러에 따른 전압 변화량(α)을 더한 'Vref_1-Vth+α'일 수 있다.Meanwhile, at the second node N2, a first sensing error may occur due to the channel resistance of the driving transistor Tdr during the first time t1, and the voltage V N2 applied to the second node N2 at that time may occur. ) May be 'Vref_1-Vth + α' which is a voltage difference 'α' according to the first sensing error to 'Vref_1-Vth' which is a voltage difference between the reference voltage REF and the threshold voltage Vth.
그리고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 저항 등에 의해 영향을 받을 수 있으며, 예를 들어, 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 저항 등이 커질수록 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility)가 낮아질 수 있다.The mobility of the driving transistor Tdr may be affected by the channel resistance of the driving transistor Tdr. For example, as the channel resistance of the driving transistor Tdr increases, the driving transistor Tdr is increased. ) Mobility can be lowered.
그런데, 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 저항 등이 커질수록 제 1 센싱 에러에 따른 전압 변화량(α)도 커지므로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility)는 제 1 센싱 에러에 따른 전압 변화량(α)에 영향을 받는다고 할 수 있다.However, as the channel resistance of the driving transistor Tdr is increased, the voltage change amount α according to the first sensing error also increases, so that the mobility of the driving transistor Tdr is determined by the voltage change amount according to the first sensing error ( It can be said that it is affected by α).
그러므로, 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치(100)에서는 제 1 시간(t1) 동안에 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 저항 등에 따른 제 1 센싱 에러에 따른 전압 변화량(α)을 센싱하여 제 2 노드의 전압(VN2)을 'Vref_1-Vth+α'로 제어함으로써, 이를 이용하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility)를 보상할 수 있다.Therefore, in the organic light emitting
제 1 노드(N1)에 걸리는 전압(VN1)은 제 1 기준전압(Vref_1)이고, 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 'Vref_1-Vth+α'이 된다.The voltage V N1 applied to the first node N1 is the first reference voltage Vref_1 and the voltage V N2 applied to the second node N2 becomes 'Vref_1-Vth + α'.
한편, 제 1 시간(t1) 동안에 구동 트랜지스터(Tdr) 및 제 4 트랜지스터(T4)가 동시에 턴-온(Turn-On)될 때 제 2 노드(N2)에서 제 2 기준 전압 배선(VL2) 방향으로 전류 패스가 형성되어 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)가 줄어들게 된다.
On the other hand, when the driving transistor Tdr and the fourth transistor T4 are turned on at the same time during the first time t1, the second node N2 is moved toward the second reference voltage line VL2. A current path is formed so that the current I OLED flowing through the light emitting diode Del is reduced.
제 2 시간(t2) 동안에, 하이 레벨의 초기화 신호(Init) 및 하이 레벨의 컨트롤 신호(Ctrl)가 인가되고, 또한 로우 레벨의 발광제어 신호(Em) 및 하이 레벨의 스캔 신호(S1)가 각각 인가될 수 있다.During the second time t2, the high level initialization signal Init and the high level control signal Ctrl are applied, and the low level light emission control signal Em and the high level scan signal S1 are respectively applied. Can be applied.
그 결과 제 3 트랜지스터(T3)가 턴-오프(Turn-Off)되면서 제 1 노드(N1)가 플로팅(floating) 상태에 놓이고, 제 2 노드(N2)에서 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)을 센싱하게 된다.As a result, as the third transistor T3 is turned off, the first node N1 is in a floating state, and the threshold voltage of the driving transistor Tdr is applied at the second node N2. Vth) is sensed.
이때, 제 5 트랜지스터(T5)는 턴-온(Turn-On)상태이고, 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 2 트랜지스터(T2) 및 제 4 트랜지스터(T4)는 턴-오프(Turn-Off)상태이다.At this time, the fifth transistor T5 is in a turn-on state, and the first transistor T1, the second transistor T2, and the fourth transistor T4 are in a turn-off state. to be.
제 2 시간(t2) 동안에 제 1 노드(N1)는 플로팅(floating)되므로, 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2)는 제 1 커패시터(Cst)에 의해 커플링(coupling)되어 제 1 노드(N1)에 걸리는 전압(VN1) 및 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 서서히 낮아진다.Since the first node N1 floats during the second time t2, the first node N1 and the second node N2 are coupled by the first capacitor Cst to be coupled to the first node N1. The voltage V N1 applied to the node N1 and the voltage V N2 applied to the second node N2 are gradually lowered.
따라서, 제 2 시간(t2) 동안에 제 2 센싱 에러가 발생할 수 있으며, 그 결과 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 제 1 기준전압(Vref_1)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)의 전압차에 제 2 센싱 에러에 따른 전압 변화량(β)만큼 낮아진 'Vref_1-Vth-β'일 수 있다.Accordingly, a second sensing error may occur during the second time t2, and as a result, the voltage V N2 applied to the second node N2 is equal to the threshold voltage of the first reference voltage Vref_1 and the driving transistor Tdr. It may be 'Vref_1-Vth-β' lowered by the voltage change amount β according to the second sensing error to the voltage difference of Vth.
그리고, 제 1 노드(N1)에 걸리는 전압(VN1)은 제 2 노드(N2)에서의 전압 변화량(-α-β)가 반영되어 'Vref_1-α-β'로 낮아진다.The voltage V N1 applied to the first node N1 is lowered to 'Vref_1-α-β' by reflecting the voltage change amount (−α−β) at the second node N2.
이때, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility) 보정 정도는 제 1 시간(t1) 및 제 2 시간(t2)의 시간 비를 조정하여 제어할 수 있다.In this case, the degree of mobility correction of the driving transistor Tdr may be controlled by adjusting a time ratio between the first time t1 and the second time t2.
한편, 제 3 노드(N3)에 걸리는 전압은 발광다이오드(Del)의 문턱전압(Vth)보다 낮도록 유지되기 때문에 제 2 시간(t2) 동안에 발광다이오드(Del)를 통해 전류가 흐르지 아니하는 비발광 상태가 된다.
On the other hand, since the voltage applied to the third node N3 is maintained to be lower than the threshold voltage Vth of the light emitting diode Del, the non-light-emitting that no current flows through the light emitting diode Del during the second time t2. It becomes a state.
제 3 시간(t3) 동안에, 하이 레벨의 초기화 신호(Init) 및 하이 레벨의 컨트롤 신호(Ctrl)가 인가되고, 또한 하이 레벨의 발광제어 신호(Em) 및 로우 레벨의 스캔 신호(S1)가 각각 인가될 수 있다.During the third time t3, the high level initialization signal Init and the high level control signal Ctrl are applied, and the high level emission control signal Em and the low level scan signal S1 are respectively applied. Can be applied.
따라서, 제 2 트랜지스터(T2)가 턴-온(Turn-On)되면서 제 1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)을 공급한다.Therefore, while the second transistor T2 is turned on, the second transistor T2 supplies the data voltage Vdata to the first node N1.
여기서, 제 1 트랜지스터(T1)와 제 3 트랜지스터 내지 제 5 트랜지스터(T3~T5)는 턴-오프(Turn-Off)상태이다.Here, the first transistor T1 and the third to fifth transistors T3 to T5 are in a turn-off state.
제 3 시간(t3) 동안에 제 1 노드(N1)에 걸리는 전압(VN1)은 데이터 전압(Vdata)으로낮아지는데, 이때 제 1 노드(N1)의 전압 변화량은 'Vref_1-α-β-Vdata'이 된다.During the third time t3, the voltage V N1 applied to the first node N1 is lowered to the data voltage Vdata, where the voltage change amount of the first node N1 is 'Vref_1-α-β-Vdata' Becomes
그리고, 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 제 1 커패시터(Cst)에 의해 제 1 노드(N1)의 전압 변화량(Vref_1-α-β-Vdata)이 반영되어 'Vref_1-Vth-β-C'(Vref_1-α-β-Vdata)'가 된다.In addition, the voltage V N2 applied to the second node N2 is reflected by the voltage change amount Vref_1-α-β-Vdata of the first node N1 by the first capacitor Cst, and thus 'Vref_1-Vth-'. β-C '(Vref_1-α-β-Vdata)'.
이때, C'는 수학식 3과 같이 정의되며, Cst 및 Cm은 각각 제 1 커패시터의 용량과 제 2 커패시터의 용량을 나타낸다.In this case, C 'is defined as in Equation 3, and Cst and Cm represent the capacitance of the first capacitor and the capacitance of the second capacitor, respectively.
[수학식 3]&Quot; (3) "
즉, 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 제 1 커패시터(Cst)의 커패시턴스 홀딩(Holding) 특성에 따라 변하게 되고 C'의 비율로 전압 변화량이 반영되기 때문에, 데이터 전압(Vdata)의 손실(Loss)을 최소화하기 위해서는 제 1 커패시터(Cst)의 용량을 충분히 크게 설계할 필요가 있다.
That is, since the voltage V N2 applied to the second node N2 is changed according to the capacitance holding characteristic of the first capacitor Cst and the amount of voltage change is reflected at the ratio of C ′, the data voltage Vdata. To minimize the loss, it is necessary to design the capacity of the first capacitor Cst sufficiently large.
제 4 시간(t4) 동안에, 하이 레벨의 초기화 신호(Init) 및 로우 레벨의 컨트롤 신호(Ctrl)가 인가되고, 또한 하이 레벨의 발광제어 신호(Em) 및 하이 레벨의 스캔 신호(S1)가 각각 인가될 수 있다.During the fourth time t4, the high level initialization signal Init and the low level control signal Ctrl are applied, and the high level emission control signal Em and the high level scan signal S1 are respectively applied. Can be applied.
그 결과 제 1 트랜지스터(T1)가 턴-온(Turn-On)되면서 제 2 노드(N2)에 고전위 전압(ELVDD)이 공급된다.As a result, the high potential voltage ELVDD is supplied to the second node N2 while the first transistor T1 is turned on.
여기서, 제 2 트랜지스터 내지 제 5 트랜지스터(T2~T5)는 턴-오프(Turn-Off)상태이고, 구동 트랜지스터(Tdr)는 턴-온(Turn-On)상태이다.Here, the second to fifth transistors T2 to T5 are in a turn-off state, and the driving transistor Tdr is in a turn-on state.
제 4 시간(t4) 동안에 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 고전위 전압(ELVDD)이 된다.The voltage V N2 applied to the second node N2 during the fourth time t4 becomes the high potential voltage ELVDD.
그리고, 제 2 커패시터(Cm)의 커플링(coupling) 작용을 통하여 제 2 노드(N2)가 가지고 있는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 정보 및 고전위 전압(ELVDD) 정보를 제 1 노드(N1)로 전달된다.In addition, the threshold voltage Vth information and the high potential voltage ELVDD information of the driving transistor Tdr of the second node N2 are coupled to the first node through a coupling action of the second capacitor Cm. Is passed to (N1).
즉, 제 1 노드(N1)에 걸리는 전압(VN1)은 커플링(coupling) 작용에 의해 제 2 노드(N1)에 걸리는 전압 변화량(ELVDD-{Vref_1-Vth-β-C'(Vref_1-α-β-Vdata)})이 반영되어 'Vdata+[ELVDD-{Vref_1-Vth-β-C'(Vref_1-α-β-Vdata)}]'이 된다.
That is, the voltage V N1 applied to the first node N1 is the amount of voltage change ELVDD- {Vref_1-Vth-β-C '(Vref_1-α) applied to the second node N1 by a coupling action. -[beta] -Vdata)}) becomes' Vdata + [ELVDD- {Vref_1-Vth-β-C '(Vref_1-α-β-Vdata)}]'.
제 5 시간(t5) 동안에, 하이 레벨의 초기화 신호(Init) 및 로우 레벨의 컨트롤 신호(Ctrl)가 인가되고, 또한 로우 레벨의 발광제어 신호(Em) 및 하이 레벨의 스캔 신호(S1)가 각각 인가될 수 있다.During the fifth time t5, the high level initialization signal Init and the low level control signal Ctrl are applied, and the low level light emission control signal Em and the high level scan signal S1 are respectively applied. Can be applied.
그 결과 제 5 트랜지스터(T5)와 구동 트랜지스터(Tdr)가 턴-온(Turn-On)되면서 발광다이오드(Del)로 전류가 흐르게 되어 발광상태가 된다.As a result, while the fifth transistor T5 and the driving transistor Tdr are turned on, current flows to the light emitting diode Del, thereby making it a light emitting state.
여기서, 제 2 트랜지스터 내지 제 4 트랜지스터(T2~T5)는 턴-오프(Turn-Off)상태이고, 제 1 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(Tdr)는 턴-온(Turn-On)상태이다.Here, the second to fourth transistors T2 to T5 are in a turn-off state, and the first transistor T1 and the driving transistor Tdr are in a turn-on state.
제 5 시간(t5) 동안에 제 1 노드(N1)에 걸리는 전압(VN1)은 'Vdata+[ELVDD-{Vref_1-Vth-β-C'(Vref_1-α-β-Vdata)}]'이고, 제 2 노드(N1)에 걸리는 전압은 고전위 전압(ELVDD)을 유지한다.The voltage V N1 applied to the first node N1 during the fifth time t5 is 'Vdata + [ELVDD- {Vref_1-Vth-β-C' (Vref_1-α-β-Vdata)}], and The voltage across the two nodes N1 maintains the high potential voltage ELVDD.
그리고, 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 4와 같이 정의될 수 있다.The current I OLED flowing through the light emitting diode Del may be defined as shown in
[수학식 4]&Quot; (4) "
여기서, 여기서, k는 비례상수로서 구동 트랜지스터(Tdr)의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 값으로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L) 등에 의해서 결정될 수 있다.Here, k is a proportional constant that is determined by the structure and physical characteristics of the driving transistor Tdr, and includes the mobility of the driving transistor Tdr and the channel width W of the driving transistor Tdr. It can be determined by the ratio (W / L) of the channel length (L).
그리고, C'는 수학식 3에 의해 정의되며 제 1 커패시터(Cst)의 용량 및 제 2 커패시터(Cm)의 용량을 조절하여 C'의 크기를 0.2로 설정할 수 있다.In addition, C 'is defined by Equation 3 and the size of C' may be set to 0.2 by adjusting the capacitance of the first capacitor Cst and the capacitance of the second capacitor Cm.
또한, α는 제 1 센싱 에러에 따른 전압 변화량이고, β는 제 2 센싱 에러에 따른 전압 변화량인데, 제 1 시간(t1)과 제 2 시간(t2)을 적절히 조정하면 α=4β로 설정될 수 있다.In addition, α is the amount of change in voltage according to the first sensing error, β is the amount of change in voltage according to the second sensing error, α = 4β can be set if the first time t1 and the second time t2 is properly adjusted. have.
수학식 4에 α=4β를 대입하여 βC'*(α+β)이 삭제되고 C'=0.2를 대입하면 수학식 5와 같이 정의될 수 있다.Substituting α = 4β in
[수학식 5][Equation 5]
결과적으로 제 5 시간(t5) 동안에 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)에 무관하고, 데이터 전압(DATA) 및 제 1 기준전압(Vref_1)에 의해 결정될 수 있다.As a result, the current I OLED flowing through the light emitting diode Del during the fifth time t5 is independent of the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr, and the data voltage DATA and the first reference voltage Vref_1. Can be determined by.
한편, 종래에는 유기발광 다이오드 표시장치가 3D 동시발광 구동을 하는 경우 등에서는 센싱 고전위 전압(VDDsensing)와 발광 고전위 전압(VDDemission)간의 편차로 고전위 전압(VDD)이 보상되지 않아 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)가 수학식 2와 같이 고전위 전압(VDD)에 영향을 받는 문제점이 있었다.On the other hand, in the case where the organic light emitting diode display is driving 3D co- emission , the high potential voltage VDD is not compensated due to the deviation between the sensing high potential voltage VDD sensing and the light emission high potential voltage VDD emission . The current I OLED flowing through the diode Del has a problem of being affected by the high potential voltage VDD as shown in
하지만 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서는 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N1)에 제 1 커패시터(Cst)를 형성하여 제 1 노드(N1)의 커플링(coupling) 작용에 의해 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 센싱 시 고전위 전압(ELVDDsensing)과 발광 시 고전위 전압(ELVDDemission)이 편차를 줄일 수 있다.However, in the pixel area of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention, a first capacitor Cst is formed at the first node N1 and the second node N1 to couple the first node N1 to a couple. Due to the coupling action, the high potential voltage ELVDD sensing when sensing the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr and the ELVDD emission when emitting light can reduce the deviation.
그 결과 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서는 3D 동시발광 구동을 하는 경우 등에서 고전위 전압(ELVDD)을 보상할 수 있다.As a result, in the pixel area of the organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention, the high potential voltage ELVDD may be compensated for when 3D simultaneous emission driving is performed.
또한, 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 저항에 의한 제 1 센싱 에러에 따른 전압 변화량(α)도 제거되므로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility)가 보상될 수 있다.In addition, since the voltage variation α according to the first sensing error due to the channel resistance of the driving transistor Tdr is also removed, the mobility of the driving transistor Tdr can be compensated.
그리고, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth), 고전위 전압(ELVDD) 보상 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility) 보정을 하여 트랜지스터의 불균일에 의한 휘도 편차를 효과적으로 줄일 수 있다.In addition, the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention corrects the threshold voltage Vth, the high potential voltage ELVDD of the driving transistor Tdr, and corrects the mobility of the driving transistor Tdr. Therefore, the luminance variation due to the nonuniformity of the transistor can be effectively reduced.
또한, 고전위 전압(ELVDD)을 실시간으로 보상하여 프레임 홀딩(Frame Holding) 및 Motion Picture Response Time(MPRT) 특성을 향상시킬 수 있다.
In addition, the high potential voltage ELVDD may be compensated in real time to improve frame holding and motion picture response time (MPRT) characteristics.
도6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이다. 본 발명의 제 2 실시예에서의 일부 구성은 본 발명의 제 1 실시예와 실질적으로 동일하기 때문에 이하에서는 본 발명의 제 1 실시예와의 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.FIG. 6 schematically illustrates an equivalent circuit of a pixel area of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention. Since some configurations in the second embodiment of the present invention are substantially the same as the first embodiment of the present invention, the following description will focus on differences from the first embodiment of the present invention.
도6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제 4 트랜지스터(T4)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극인 제 3 노드(N3)와 초기화 배선(IL)에 연결되고, 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 저전위 전압(ELVSS) 단자에 연결된다.As shown in FIG. 6, the source electrode and the gate electrode of the fourth transistor T4 according to the second embodiment of the present invention are respectively the third node N3 and the initialization wiring (drain electrode) of the driving transistor Tdr. IL), and the drain electrode of the fourth transistor T4 is connected to the low potential voltage ELVSS terminal.
이러한 제 4 트랜지스터(T4)는 초기화 배선(IL)을 통하여 공급되는 초기화 신호(Init)에 따라 턴-온(Turn-On)되며, 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극으로 저전위 전압(ELVSS)이 공급되어 발광다이오드(Del)로 흐르는 전류를 줄이는 역할을 한다.The fourth transistor T4 is turned on according to the initialization signal Init supplied through the initialization line IL, and the low potential voltage ELVSS is a drain electrode of the fourth transistor T4. This supply serves to reduce the current flowing to the light emitting diode (Del).
여기서, 저전위 전압(ELVSS)은 발광다이오드(Del)의 문턱전압(Vth)보다 낮은 전압일 수 있다.The low potential voltage ELVSS may be a voltage lower than the threshold voltage Vth of the light emitting diode Del.
즉, 발광다이오드(Del)로 흐르는 전류를 줄이기 위해서 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극으로 공급되는 전압은 발광다이오드(Del)의 문턱전압(Vth)보다 낮은 전압이면 되는 바, 별도로 제 2 기준전압(Vref_2)을 공급하는 대신에 전위 전압(ELVSS)을 공급하도록 한 것이다.That is, the voltage supplied to the drain electrode of the fourth transistor T4 may be lower than the threshold voltage Vth of the light emitting diode Del in order to reduce the current flowing to the light emitting diode Del. Instead of supplying (Vref_2), the potential voltage ELVSS is supplied.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극을 저전위 전압(ELVSS) 단자에 연결함에 따라 제 2 기준 전압 배선(도4의 VL2)을 제거할 수 있다.Therefore, in the second embodiment of the present invention, the second reference voltage wiring (VL2 of FIG. 4) may be removed by connecting the drain electrode of the fourth transistor T4 to the low potential voltage ELVSS terminal.
이와 같은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치도 본 발명의 제 1 실시예에 따른 타이밍도에 따라 구동될 수 있다.
The organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention may also be driven according to the timing diagram according to the first embodiment of the present invention.
도7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호와, 제 1 및 제 2 노드의 전압 변화 그리고 발광다이오드를 흐르는 전류의 전류 변화를 도시한 타이밍도이다. 본 발명의 제 3 실시예에서의 일부 타이밍은 본 발명의 제 1 실시예에서의 타이밍과 실질적으로 동일하기 때문에 이하에서는 본 발명의 제 1 실시예와의 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.FIG. 7 is a timing diagram illustrating a plurality of control signals supplied to an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention, voltage changes of first and second nodes, and current changes of current flowing through the light emitting diodes. . Since some timings in the third embodiment of the present invention are substantially the same as the timings in the first embodiment of the present invention, the following description will focus on differences from the first embodiment of the present invention.
도7에 도시한 바와 같이, 제 6 시간(t6) 동안에, 하이 레벨의 초기화 신호(Init) 및 하이 레벨의 컨트롤 신호(Ctrl)가 각각 인가되고, 스캔 신호(S1)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하면서 인가되고, 또한 발광제어 신호(Em)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변하면서 인가될 수 있다.As shown in Fig. 7, during the sixth time t6, the high level initialization signal Init and the high level control signal Ctrl are applied, respectively, and the scan signal S1 goes from the high level to the low level. The light emission control signal Em may be applied while changing from a low level to a high level.
본 발명의 제 3 실시예의 타이밍도에서는 스캔 신호(S1) 인가 타이밍을 변경하여(일정 시간 앞당겨) 이동도(mobility) 센싱 구간을 추가하였다.In the timing diagram of the third embodiment of the present invention, the mobility sensing period is added by changing the timing of applying the scan signal S1 (a predetermined time earlier).
각 화소 영역에서 구현되는 계조에 해당하는 데이터 전압(Vdata) 마다 센싱 전류가 다르기 때문에 본 발명의 제 1 실시예의 타이밍도에 의해 구동하면, 모든 계조에 대해서 동일한 정도로 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 및 고전위 전압(ELVDD)을 보상할 수 없는 문제점이 발생한다.Since the sensing currents are different for each of the data voltages Vdata corresponding to the gray scales implemented in each pixel area, when driving according to the timing diagram of the first embodiment of the present invention, the threshold voltages of the driving transistors Tdr are the same to all the gray scales. Vth) and the high potential voltage ELVDD cannot be compensated for.
따라서, 본 발명의 제 3 실시예의 타이밍도에서는 스캔 신호(S1)가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하면서 동시에 발광제어 신호(Em)가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변하는 이동도(mobility) 센싱 구간인 제 6 시간(t6)을 추가한 것이다.Accordingly, in the timing diagram of the third exemplary embodiment of the present invention, the scan signal S1 changes from a high level to a low level, and at the same time, the emission control signal Em changes in mobility from a low level to a high level. 6 hours (t6) is added.
그 결과 데이터 전압(Vdata)에 따른 구동 트랜지스터(Tdr)의 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility) 보정 효과를 향상시킬 수 있다.As a result, the mobility correction effect of the driving transistor Tdr of the driving transistor Tdr according to the data voltage Vdata may be improved.
그리고, 모든 계조에 대해서 동일한 정도로 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 및 고전위 전압(ELVDD)이 보상되도록 할 수 있다.The threshold voltage Vth and the high potential voltage ELVDD of the driving transistor Tdr may be compensated to the same degree for all gray levels.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치는 모두 본 발명의 제 3 실시예에 따른 타이밍도에 따라 구동될 수 있다.
The organic light emitting diode display according to the first and second embodiments of the present invention may be driven according to the timing diagram according to the third embodiment of the present invention.
도8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 문턱전압 보상 특성을 설명하기 위해 참조되는 도면이고, 도9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 이동도 보상 특성을 설명하기 위해 참조되는 도면이며, 도10은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 고전위 전압 보상 특성을 설명하기 위해 참조되는 도면이다.FIG. 8 is a diagram for explaining threshold voltage compensation characteristics of a driving transistor in a pixel area of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 9 is an organic diagram according to the first exemplary embodiment of the present invention. 10 is a diagram illustrating a mobility compensation characteristic of a driving transistor in a pixel region of a light emitting diode display, and FIG. 10 is a high potential voltage compensation characteristic in a pixel region of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention. It is a drawing referred to to explain.
도8에서, 좌측 그림은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 문턱전압 보상 특성을 나타내는 것이고, 우측 그림은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 문턱전압 보상 특성을 나타내는 것이다.In FIG. 8, the left figure shows threshold voltage compensation characteristics of a driving transistor in a pixel area of a conventional organic light emitting diode display, and the right figure shows a pixel area of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention. Threshold voltage compensation characteristics of the driving transistor are shown.
도8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 문턱전압 보상 특성은 종래 대비 여러 계조(31~255)에 걸쳐서 문턱전압(Vth)의 에러(%)는 줄어들었음을 알 수 있다.As shown in FIG. 8, the threshold voltage compensation characteristic of the driving transistor in the pixel region of the organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention has a threshold voltage (Vth) over several gray levels (31 to 255). It can be seen that the error of% is reduced.
예를 들어, 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 Error Vth(%)가 1~9로 다양하게 나타나는 반면에 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서는 Error Vth(%)가 대부분 1~3으로 나타난다.For example, Error Vth (%) may vary from 1 to 9 in the pixel region of a conventional organic light emitting diode display, whereas Error Vth in the pixel region of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention. (%) Is mostly 1 to 3.
도9에서, 좌측 그림은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 이동도 보상 특성을 나타내는 것이고, 우측 그림은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 이동도 보상 특성을 나타내는 것이다.9, the left figure shows the mobility compensation characteristics of the driving transistor in the pixel region of the conventional organic light emitting diode display, and the right figure shows the pixel region of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention. The mobility compensation characteristics of the driving transistors are shown.
도9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구동 트랜지스터의 이동도 보상 특성은 종래 대비 여러 계조(31~255)에 걸쳐서 이동도(mobility)의 에러(%)는 줄어들었음을 알 수 있다.As shown in FIG. 9, the mobility compensation characteristic of the driving transistor in the pixel area of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention is more mobility than the prior art. It can be seen that the error of% is reduced.
예를 들어, 계조(127) 이하에서 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 Error mobility(%)가 1~9로 다양하게 나타나는 반면에 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서는 Error mobility(%)가 대부분 1~3으로 나타난다.For example, the error mobility (%) is varied from 1 to 9 in the pixel area of the conventional organic light emitting diode display device below the
도10에서, 좌측 그림은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 고전위 전압 보상 특성을 나타내는 것이고, 우측 그림은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 고전위 전압 보상 특성을 나타내는 것이다.In FIG. 10, the left figure shows the high potential voltage compensation characteristic in the pixel region of the conventional organic light emitting diode display, and the right figure shows the high potential in the pixel region of the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention. Voltage compensation characteristics.
도10에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 구고전위 전압 보상 특성은 종래 대비 여러 계조(31~255)에 걸쳐서 고전위 전압(ELVDD)의 에러(%)는 줄어들었음을 알 수 있다.As shown in FIG. 10, in the pixel area of the organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention, the high potential voltage compensation characteristic has a high potential of It can be seen that the error (%) is reduced.
예를 들어, 고전위 전압(ELVDD)가 11이상일 경우 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 Error VDD(%)가 1~9로 다양하게 나타나는 반면에 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서는 Error VDD(%)가 대부분 1로 나타난다.
For example, when the high potential voltage ELVDD is 11 or more, the error VDD (%) varies from 1 to 9 in the pixel region of the conventional organic light emitting diode display, whereas the organic light emitting diode according to the first embodiment of the present invention In the pixel region of the LED display device, the error VDD (%) is mostly 1.
도11은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서의 데이터 전압에 따른 전류 편차를 도시한 도면이고, 도12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서의 데이터 전압에 따른 전류 편차를 도시한 도면이다.FIG. 11 is a diagram illustrating a current deviation according to data voltages in a pixel area of an organic light emitting diode display device according to first and second embodiments of the present invention, and FIG. 12 is a diagram illustrating an organic variation according to a third embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram illustrating current deviation according to data voltage in a pixel area of a light emitting diode display.
도11에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 데이터 전압(Vdata)이 작아짐에 따라 기준 전류(Ref)와 이동도(mobility)가 15%일 때의 전류(IOLED)의 전류 편차가 증가함을 알 수 있다.As shown in FIG. 11, as the data voltage Vdata decreases in the pixel region of the organic light emitting diode display according to the first and second exemplary embodiments of the present invention, the reference current Ref and mobility are increased. It can be seen that the current deviation of the current (I OLED ) at 15% increases.
예를 들어, 데이터 전압(Vdata)가 2인 경우에 기준 전류(Ref)와 이동도(mobility)가 15%일 때의 전류(IOLED)의 전류 편차는 약 300n이다.For example, when the data voltage Vdata is 2, the current deviation between the reference current Ref and the current I OLED when the mobility is 15% is about 300n.
도12에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서도 데이터 전압(Vdata)이 작아짐에 따라 기준 전류(Ref)와 이동도(mobility)가 15%일 때의 전류(IOLED)의 전류 편차가 증가한다.As shown in FIG. 12, the reference current Ref and the mobility are 15% as the data voltage Vdata decreases in the pixel region of the organic light emitting diode display according to the third exemplary embodiment of the present invention. The current deviation of the current I OLED at the time increases.
하지만, 본 발명의 제 3 실시예의 경우는 데이터 전압(Vdata)가 2인 경우에 기준 전류(Ref)와 이동도(mobility)가 15%일 때의 전류(IOLED)의 전류 편차는 약 150n이다.However, in the third embodiment of the present invention, when the data voltage Vdata is 2, the current deviation of the current I OLED when the reference current Ref and the mobility is 15% is about 150n. .
즉, 본 발명의 제 3 실시예에서 전류(IOLED)의 전류 편차는 제 1 및 제 2 실시예 대비 전류 편차폭이 감소한다.
That is, in the third embodiment of the present invention, the current deviation of the current I OLED is reduced compared to the first and second embodiments.
이상과 같은 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위 및 이와 균등한 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiments of the present invention as described above are merely illustrative, and those skilled in the art can make modifications without departing from the gist of the present invention. Accordingly, the protection scope of the present invention includes modifications of the present invention within the scope of the appended claims and equivalents thereof.
100: 유기발광 다이오드 표시장치 110: 표시패널
120: 소스 드라이버 130: 스캔 드라이버
140: 타이밍 제어부
Tdr: 구동 트랜지스터 Del: 발광다이오드100: organic light emitting diode display 110: display panel
120: source driver 130: scan driver
140: timing controller
Tdr: driving transistor Del: light emitting diode
Claims (15)
고전위 전압 단자와 컨트롤 배선 및 제 2 노드와 연결되는 제 1 트랜지스터와;
제 1 노드와 상기 스캔 배선 및 상기 데이터 배선과 연결되는 제 2 트랜지스터와;
상기 제 1 노드와 초기화 배선 및 제 1 기준 전압 배선과 연결되는 제 3 트랜지스터와;
제 3 노드와 상기 초기화 배선 및 제 2 기준 전압 배선과 연결되는 제 4 트랜지스터와;
상기 제 3 노드와 발광제어 배선 및 발광다이오드의 애노드 전극과 연결되는 제 5 트랜지스터와;
상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터와;
고전위 전압 단자 및 상기 제 2 노드와 연결되는 제 2 커패시터와;
상기 제 5 트랜지스터의 드레인 전극 및 저전위 전압 단자에 연결되는 발광다이오드를 포함하며,
상기 제 1 노드 내지 상기 제 3 노드는 각각 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극과 드레인 전극에 연결되는 노드인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
Scan wiring and data wiring formed to cross each other;
A first transistor connected to the high potential voltage terminal and the control wiring and the second node;
A second transistor connected to a first node, the scan wiring and the data wiring;
A third transistor connected to the first node, an initialization line, and a first reference voltage line;
A fourth transistor connected to a third node, the initialization line, and the second reference voltage line;
A fifth transistor connected to the third node, an emission control wiring, and an anode electrode of the light emitting diode;
A first capacitor coupled between the first node and the second node;
A second capacitor connected to the high potential voltage terminal and the second node;
A light emitting diode connected to the drain electrode and the low potential voltage terminal of the fifth transistor,
And the first node to the third node are nodes connected to a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode of the driving transistor, respectively.
상기 제 3 트랜지스터는,
상기 초기화 배선을 통하여 공급되는 초기화 신호에 따라 턴-온되어 상기 제 1 노드를 제 1 기준전압으로 초기화시키는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The third transistor,
And turn on the first signal to initialize the first node to the first reference voltage according to the initialization signal supplied through the initialization wiring.
상기 제 1 기준전압은 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압보다 높은 전압인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 2,
And the first reference voltage is higher than a threshold voltage of the driving transistor.
상기 제 2 기준 전압 배선을 통해 공급되는 제 2 기준 전압은 상기 발광다이오드의 문턱 전압보다 낮은 전압인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And a second reference voltage supplied through the second reference voltage wire is lower than a threshold voltage of the light emitting diode.
상기 제 1 커패시터의 용량(Cst) 및 상기 제 2 커패시터의 용량(Cm)은 Cst/(Cst+Cm)=0.2를 만족하는 값인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The capacitance Cst of the first capacitor and the capacitance Cm of the second capacitor are values satisfying Cst / (Cst + Cm) = 0.2.
상기 제 4 트랜지스터는,
상기 제 3 노드와 상기 초기화 배선 및 상기 저전위 전압 단자와 연결되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The fourth transistor,
And the third node, the initialization line, and the low potential voltage terminal.
상기 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터가 초기화 신호에 의해 턴-온되고 상기 제 5 트랜지스터가 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 제 1 노드를 제 1 기준전압으로 초기화시키는 제 1 단계와;
상기 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터는 턴-오프되고 상기 제 5 트랜지스터가 턴-온되는 동안에, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 제 2 단계와;
상기 제 2 트랜지스터가 스캔 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 데이터 전압을 상기 제 1 커패시터에 저장하는 제 3 단계와;
상기 제 1 트랜지스터가 컨트롤 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 제 2 노드에 고전위 전압을 공급하여 상기 제 1 노드에 걸리는 전압을 상기 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압 이상으로 승압시키는 제 4 단계와;
상기 제 1 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터가 턴-온되고 상기 제 5 트랜지스터가 상기 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 발광다이오드가 발광하는 제 5 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
A driving method of an organic light emitting diode display device comprising first to fifth transistors, first and second capacitors, a driving transistor, and a light emitting diode,
A first step of initializing a first node to a first reference voltage while the third transistor and the fourth transistor are turned on by an initialization signal and the fifth transistor is turned on by an emission control signal;
A second step of sensing a threshold voltage of the driving transistor while the third transistor and the fourth transistor are turned off and the fifth transistor is turned on;
Storing a data voltage in the first capacitor while the second transistor is turned on by a scan signal;
While the first transistor is turned on by a control signal, supplying a high potential voltage to a second node to boost a voltage across the first node above a threshold voltage of the driving transistor;
A fifth step in which the light emitting diode emits light while the first transistor and the driving transistor are turned on and the fifth transistor is turned on by the light emission control signal
Method of driving an organic light emitting diode display device comprising a.
상기 제 1 단계 동안에,
상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱함에 따라 상기 제 2 노드에 걸리는 전압이 감소하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 7, wherein
During the first step,
And a voltage applied to the second node decreases as the threshold voltage of the driving transistor is sensed.
상기 제 1 기준전압은 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압보다 높은 전압인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 7, wherein
And the first reference voltage is higher than a threshold voltage of the driving transistor.
상기 제 4 트랜지스터가 턴-온되는 동안에 제 2 기준 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 7, wherein
And a second reference voltage is supplied while the fourth transistor is turned on.
상기 제 2 기준 전압은 상기 발광다이오드의 문턱 전압보다 낮은 전압인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 10,
And the second reference voltage is lower than a threshold voltage of the light emitting diode.
상기 제 1단계 동안에 발생하는 제 1 센싱 에러에 따른 전압 변화량(α)과 상기 제 2단계 동안에 발생하는 제 2 센싱 에러에 따른 전압 변화량(β)은 α=4β를 만족하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 7, wherein
The amount of change in voltage (α) according to the first sensing error occurring during the first step and the amount of change in voltage (β) according to the second sensing error occurring during the second step satisfy α = 4β. Method of driving a diode display device.
상기 제 1 커패시터의 용량(Cst) 및 상기 제 2 커패시터의 용량(Cm)은 Cst/(Cst+Cm)=0.2를 만족하는 값인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 7, wherein
The capacitance Cst of the first capacitor and the capacitance Cm of the second capacitor are values satisfying Cst / (Cst + Cm) = 0.2.
상기 제 4 트랜지스터가 턴-온되는 동안에 저전위 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 7, wherein
A low potential voltage is supplied while the fourth transistor is turned on.
상기 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터가 초기화 신호에 의해 턴-온되고 상기 제 5 트랜지스터가 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 제 1 노드를 제 1 기준전압으로 초기화시키는 제 1 단계와;
상기 제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터는 턴-오프되고 상기 제 5 트랜지스터가 턴-온되는 동안에, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 제 2 단계와;
상기 제 1 트랜지스터가 컨트롤 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 제 2 노드에 고전위 전압을 공급하여 상기 제 1 노드에 걸리는 전압을 상기 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압 이상으로 승압시키는 제 4 단계와;
상기 제 1 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터가 턴-온되고 상기 제 5 트랜지스터가 상기 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 발광다이오드가 발광하는 제 5 단계와;
상기 제 2 단계와 상기 제 4 단계 사이에 상기 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하는 제 6 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.A driving method of an organic light emitting diode display device comprising first to fifth transistors, first and second capacitors, a driving transistor, and a light emitting diode,
A first step of initializing a first node to a first reference voltage while the third transistor and the fourth transistor are turned on by an initialization signal and the fifth transistor is turned on by an emission control signal;
A second step of sensing a threshold voltage of the driving transistor while the third transistor and the fourth transistor are turned off and the fifth transistor is turned on;
While the first transistor is turned on by a control signal, supplying a high potential voltage to a second node to boost a voltage across the first node above a threshold voltage of the driving transistor;
A fifth step of causing the light emitting diode to emit light while the first transistor and the driving transistor are turned on and the fifth transistor is turned on by the light emission control signal;
A sixth step of sensing mobility of the driving transistor between the second step and the fourth step
Method of driving an organic light emitting diode display device comprising a.
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