KR20180078933A - organic light emitting diode display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기 발광 다이오드 표시 장치에 관한 것으로, 특히 샘플링 트랜지스터의 누설 전류로 인하여 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 변동하여 휘도가 변동됨을 방지하기 위한 유기 발광 다이오드 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to an organic light emitting diode (OLED) display device for preventing variation of a gate voltage of a driving transistor due to a leakage current of a sampling transistor.
최근, 멀티미디어의 발달과 함께 평판 표시 장치의 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치가 상용화되고 있다. Recently, with the development of multimedia, the importance of flat panel display devices is increasing. In response to this, flat panel display devices such as liquid crystal display devices, plasma display devices, and organic light emitting display devices have been commercialized.
이러한, 평판 표시 장치 중에서 유기 발광 다이오드(OLED) 표시 장치는 전자와 정공의 재결합으로 유기 발광층을 발광시키는 자발광 소자로 휘도가 높고 구동 전압이 낮으며 고속의 응답속도를 가지며, 초박막화가 가능하고 시야각에 문제가 없어 차세대 평판 표시 장치로 주목 받고 있다.Among such flat panel display devices, an organic light emitting diode (OLED) display device is a self light emitting device that emits an organic light emitting layer by recombination of electrons and holes, has a high luminance, a low driving voltage, a high response speed, There is no problem in the next generation flat panel display device.
유기 발광 다이오드 표시 장치를 구성하는 다수의 서브 픽셀 각각은 애노드 및 캐소드와 이들 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED 소자와, 상기 OLED 소자를 독립적으로 구동하는 화소 구동 회로를 구비한다.Each of the plurality of subpixels constituting the organic light emitting diode display device includes an OLED element composed of an anode and a cathode and an organic light emitting layer therebetween, and a pixel driving circuit for independently driving the OLED element.
종래의 상기 화소 구동 회로를 설명하면 다음과 같다.The conventional pixel driving circuit will be described as follows.
도 1은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 서브 픽셀의 회로적 구성도이다.1 is a circuit configuration diagram of subpixels of a conventional organic light emitting diode display device.
종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 서브 픽셀은, 도 1에 도시한 바와 같이, 발광 소자(OLED)와, 이를 구동하는 다수의 트랜지스터를 포함하는 화소 구동 회로를 구비한다. A subpixel of a conventional organic light emitting diode display device includes a pixel driving circuit including a light emitting device OLED and a plurality of transistors for driving the same, as shown in FIG.
상기 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(Td), 스위칭 트랜지스터(T1), 제 1 내지 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3), 제 1 및 제 2 발광 트랜지스터(T4, T5), 센싱 트랜지스터(T6) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.The pixel driving circuit includes a driving transistor Td, a switching transistor T1, first and second sampling transistors T2 and T3, first and second light emitting transistors T4 and T5, a sensing transistor T6, And a capacitor Cst.
상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 각 서브 픽셀의 제 1 스캔 라인(SC1)에 게이트 전극이 접속되고, 데이터 라인(Vdata)에 소오스 전극이 접속되고, 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1 단자인 제 1 노드(N1)에 드레인 전극이 접속된다. The switching transistor Tl has a gate electrode connected to the first scan line SC1 of each subpixel, a source electrode connected to the data line Vdata, a first terminal of the storage capacitor Cst, A drain electrode is connected to the node N1.
이에 따라, 상기 스위칭 트랜지스터(SW1)는 각 서브 픽셀의 제 1 스캔 라인(SC1)으로부터의 제 1 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(Vdata)의 데이터 전압(Vdata)을 제 1 노드(N1)에 공급한다.The switching transistor SW1 supplies the data voltage Vdata of the data line Vdata to the first node N1 in response to the first scan signal from the first scan line SC1 of each subpixel do.
상기 스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)에 제 1 단자가 접속되고, 제 2 노드(N2)에 제 2 단자가 접속된다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 및 제 2 노드(N1, N2) 각각에 공급되는 전압들 간의 차 전압을 충전하여 상기 구동 트랜지스터(Td)의 구동 전압(Vgs)으로 공급한다. A first terminal of the storage capacitor Cst is connected to the first node N1, and a second terminal of the storage capacitor Cst is connected to the second node N2. The storage capacitor Cst charges the difference voltage between the voltages supplied to the first and second nodes N1 and N2 and supplies the difference voltage to the driving voltage Vgs of the driving transistor Td.
상기 구동 트랜지스터(Td)는 상기 제 2 노드(N2)에 게이트 전극이 접속되고, 고전위 구동 전압원(VSS)에 소오스 전극이 접속되고, 제 3 노드(N3)에 드레인 전극이 접속된다.The driving transistor Td has a gate electrode connected to the second node N2, a source electrode connected to the high potential driving voltage source VSS, and a drain electrode connected to the third node N3.
이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(D-TFT)는 자신의 소오스-게이트간 전압(Vgs) 즉, 고전위 전압원(Vdd)과 제 2 노드(N2)사이에 걸리는 전압에 따라 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류량을 조절한다.Accordingly, the driving transistor D-TFT is turned on in response to the source-gate voltage Vgs, that is, the voltage applied between the high potential voltage source Vdd and the second node N2, Adjust the amount of current.
상기 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3)는 제 2 스캔 라인(SC2)에 게이트 전극이 접속되고, 상기 제 2 노드(N2)에 소오스 전극이 접속되고, 상기 제 3 노드(N3)에 드레인 전극이 접속된다.The first and second sampling transistors T2 and T3 are connected to a second scan line SC2 through a gate electrode, a source electrode connected to the second node N2, Drain electrodes are connected.
이에 따라, 상기 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3)는 제 2 스캔신호(SC2)에 따라 상기 제 2 및 제 3 노드(N2, N3) 간을 전기적으로 연결한다.Accordingly, the first and second sampling transistors T2 and T3 electrically connect the second and third nodes N2 and N3 according to the second scan signal SC2.
상기 제 1 발광 제어 트랜지스터(T4)는 발광 제어신호 라인(EM)에 게이트 전극이 접속되고, 상기 제 1 노드(N1)에 소오스 전극이 접속되고, 기준 전압 라인(Vref)에 드레인 전극이 접속된다.The first emission control transistor T4 has a gate electrode connected to the emission control signal line EM, a source electrode connected to the first node N1, and a drain electrode connected to the reference voltage line Vref .
이에 따라, 상기 제 1 발광 제어 트랜지스터(T4)는 발광 제어신호(EM)에 따라 제 1 노드(N1)에 기준 전압(Vref)을 인가한다.Accordingly, the first emission control transistor T4 applies the reference voltage Vref to the first node N1 according to the emission control signal EM.
상기 제 2 발광 제어 트랜지스터(T5)는 발광 제어신호 라인(EM)에 게이트 전극이 접속되고, 상기 제 3 노드(N3)에 소오스 전극이 접속되고, 제 4 노드(N4)에 드레인 전극이 접속된다.In the second emission control transistor T5, a gate electrode is connected to the emission control signal line EM, a source electrode is connected to the third node N3, and a drain electrode is connected to the fourth node N4 .
이에 따라, 상기 제 2 발광 제어 트랜지스터(T5)는 발광 제어신호(EM)에 따라 상기 제 3 및 제 4 노드(N3, N4) 간을 전기적으로 연결한다.Accordingly, the second emission control transistor T5 electrically connects the third and fourth nodes N3 and N4 in accordance with the emission control signal EM.
상기 센싱 트랜지스터(T6)는 상기 제 2 스캔 라인(SC2)에 게이트 전극이 접속되고, 상기 기준 전압 라인(Vref)에 소오스 전극이 접속되고, 상기 제 4 노드(N4)에 드레인 전극이 접속된다. The sensing transistor T6 has a gate electrode connected to the second scan line SC2, a source electrode connected to the reference voltage line Vref, and a drain electrode connected to the fourth node N4.
이에 따라, 상기 센싱 트랜지스터(T6)는 상기 제 2 스캔 신호(SC2)에 응답하여 기준 전압 라인(Vref)으로부터의 프리차징 전압을 제 4 노드(N4)에 공급하거나, 센싱 기간 동안 발광 소자(OLED)의 애노드 전극의 전압을 기준 전압 라인(Vref)에 공급한다.Accordingly, the sensing transistor T6 supplies the pre-charging voltage from the reference voltage line Vref to the fourth node N4 in response to the second scan signal SC2, To the reference voltage line Vref.
상기 발광 소자(OLED)는 상기 제 4 노드(N4)와 저전위 전압원(VSS) 사이에 접속되어 상기 제 4 노드(N4)의 전압에 따라 발광한다.The light emitting device OLED is connected between the fourth node N4 and the low potential voltage source VSS and emits light according to the voltage of the fourth node N4.
그러나, 상기 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3)의 누설 전류에 의해 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압에 변동이 발생하고, 이에 따라 상기 발광소자(OLED)에 흐르는 전류가 변화하고 더불어 휘도가 변화하게 된다.However, the gate voltage of the driving transistor Td fluctuates due to the leakage currents of the first and second sampling transistors T2 and T3, so that the current flowing through the light emitting element OLED changes, .
즉, 발광 시작 시점에서 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)이 제 3 노드(N3)의 전압보다 낮을 경우(Vg < N3 전압), 발광 구간 동안 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)이 상승하여 상기 구동트랜지스터(Td)의 게이트/소오스 간 전압(｜Vgs｜) 감소로 인하여 발광소자의 전류가 감소하게 된다. 반대로 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)이 제 3 노드(N3)의 전압보다 높을 경우(Vg > N3 전압), 발광 구간 동안 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)이 하강하여 상기 구동트랜지스터(Td)의 게이트/소오스 간 전압(｜Vgs｜) 증가로 인하여 발광소자의 전류가 증가하게 된다.That is, when the gate voltage Vg of the driving transistor Td is lower than the voltage of the third node N3 at the start of light emission (Vg <N3 voltage), the gate voltage of the driving transistor Td Vg) of the driving transistor Td increases and the current of the light emitting element decreases due to the decrease of the gate-source voltage (| Vgs |) of the driving transistor Td. Conversely, when the gate voltage Vg of the driving transistor Td is higher than the voltage of the third node N3 (Vg> N3 voltage), the gate voltage Vg of the driving transistor Td falls during the light emitting period The current of the light emitting element increases due to an increase in the gate-source voltage (Vgs) of the driving transistor Td.
상기 두 가지 경우 모두 상기 샘플링 트랜지스터(T2, T3)의 누설 전류에 의해 상기 발광소자의 전류 변동을 초래하고, 한 프레임 내에 발생하게 되며 이 수준이 심할 경우 플리커로 인지되게 된다.In both of the above cases, the leakage current of the sampling transistors T2 and T3 causes the current fluctuation of the light emitting device, and occurs within one frame. If the level is too high, the flicker is recognized.
그리고, 저속 구동을 할 경우, 프레임 주기가 길어지므로 누설 전류에 의한 휘도 변동이 더 심하게 나타난다.In addition, when the low-speed driving is performed, the frame period becomes long, so that the luminance fluctuation due to the leakage current appears more severely.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 발광 구간에 오프 상태가 되지만 누설 전류에 의해 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 변동을 보상하는 보상 트랜지스터를 더 구비한 유기 발광 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode (OLED) display device including a compensating transistor that compensates for a variation in a gate voltage of a driving transistor due to a leakage current even though the OLED is in an off state .
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치는, 발광 소자; 제 1 스캔 신호에 응답하여 데이터 전압을 제 1 노드에 공급하는 스위칭 트랜지스터; 상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속되어 상기 제 1 및 제 2 노드 간의 차 전압을 충전하는 스토리지 커패시터; 고전위 전압원과 상기 제 2 노드 사이의 전압에 따라 발광 소자에 흐르는 전류량을 조절하는 구동 트랜지스터; 제 2 스캔신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극 간을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 샘플링 트랜지스터; 그리고 제어 전압에 응답하여, 자산의 누설 전류에 의해, 발광 구간 동안 상기 제 2 노드에 정 전압원을 공급하거나, 상기 제 2 노드의 전압을 상기 정 전압원 쪽으로 방출하는 보상 트랜지스터를 구비함에 그 특징이 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display comprising: a light emitting element; A switching transistor for supplying a data voltage to a first node in response to a first scan signal; A storage capacitor connected between the first node and the second node to charge the difference voltage between the first node and the second node; A driving transistor for adjusting an amount of current flowing to the light emitting element according to a voltage between the high potential source and the second node; At least one sampling transistor electrically connecting a gate electrode and a drain electrode of the driving transistor in response to a second scan signal; And a compensating transistor for supplying a constant voltage source to the second node during a light emission period or discharging a voltage of the second node toward the constant voltage source in response to a control voltage in response to the leakage current of the asset .
여기서, 발광 시작 시점에서, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 상기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터가 연결되는 제 3 노드의 전압보다 높고 상기 정 전압원보다 낮을 경우, 상기 보상 트랜지스터는, 상기 적어도 하나의 샘플링 트랜지스터의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 하강됨을 보상함을 특징으로 한다.Here, when the gate voltage of the driving transistor is higher than the voltage of the third node connected to the light emitting element and the driving transistor, and lower than the voltage of the constant voltage source, the compensating transistor is connected to the at least one sampling transistor And the gate voltage of the driving transistor is lowered due to the leakage current.
발광 시작 시점에서, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 상기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터가 연결되는 제 3 노드의 전압보다 낮고 상기 정 전압원보다 높을 경우, 상기 보상 트랜지스터는 상기 적어도 하나의 샘플링 트랜지스터의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 상승됨을 보상함을 특징으로 한다.When the gate voltage of the driving transistor is lower than a voltage of a third node connected to the light emitting element and the driving transistor and higher than the constant voltage source at the start of light emission, the compensating transistor is connected to the leakage current of the at least one sampling transistor The gate voltage of the driving transistor is compensated for.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The organic light emitting diode display according to the present invention has the following advantages.
즉, 본 발명은 보상 트랜지스터를 더 추하여, 발광 시작 시점에서, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 제 3 노드의 전압보다 높고 상기 정전압원보다 낮을 경우, 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터의 누설 전류에 의해, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 하강하더라도, 상기 보상 트랜지스터의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 하강이 보상되고, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 제 3 노드의 전압보다 낮고 상기 정전압원보다 높을 경우, 상기 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터의 누설 전류에 의해, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 상승하더라도, 상기 보상 트랜지스터의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 상승이 보상된다.That is, according to the present invention, the compensation transistor is further added so that, when the gate voltage of the driving transistor is higher than the voltage of the third node and lower than the constant voltage source at the start of light emission, by the leakage currents of the first and second sampling transistors , The falling of the gate voltage of the driving transistor is compensated for by the leakage current of the compensating transistor even if the gate voltage of the driving transistor is lowered and the gate voltage of the driving transistor is lower than the voltage of the third node, The rise of the gate voltage of the driving transistor is compensated for by the leakage current of the compensating transistor even if the gate voltage of the driving transistor rises due to the leakage current of the first and second sampling transistors.
따라서, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압 변동이 완화되므로, 플리커 수준이 감소하게 되어 저속 구동에 유리해 진다.Therefore, fluctuation of the gate voltage of the driving transistor is alleviated, and the flicker level is reduced, which is advantageous for low-speed driving.
도 1은 종래의 유기 발광 다이오드 표시 장치의 단위 서브 픽셀의 회로적 구성도
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 서브 픽셀의 회로적 구성도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 서브 픽셀의 전류 흐름도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 서브 픽셀의 전류 흐름도.1 is a circuit diagram of a unit sub-pixel of a conventional organic light emitting diode display device
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device.
FIG. 3 is a current flow diagram of a subpixel of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 4 is a current flow diagram of a subpixel of an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention. FIG.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the organic light emitting diode display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 서브 픽셀의 회로적 구성도이다.2 is a circuit block diagram of subpixels of an organic light emitting diode display device according to the present invention.
본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치를 구성하는 다수의 서브 픽셀 각각은 애노드 및 캐소드와 이들 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED 소자와, 상기 OLED 소자를 독립적으로 구동하는 화소 구동 회로를 구비한다.Each of the plurality of subpixels constituting the organic light emitting diode display device according to the present invention includes an OLED element composed of an anode and a cathode and an organic light emitting layer therebetween, and a pixel driving circuit for independently driving the OLED element.
즉, 도 2에 도시한 바와 같이, 발광 소자(OLED)와, 이를 구동하는 다수의 트랜지스터를 포함하는 화소 구동 회로를 구비한다. That is, as shown in FIG. 2, a pixel driving circuit including a light emitting element OLED and a plurality of transistors for driving the same is provided.
상기 화소 구동 회로는 구동 트랜지스터(Td), 스위칭 트랜지스터(T1), 제 1 내지 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3), 제 1 및 제 2 발광 트랜지스터(T4, T5), 센싱 트랜지스터(T6), 스토리지 커패시터(Cst) 및 보상 트랜지스터(T7)를 포함한다.The pixel driving circuit includes a driving transistor Td, a switching transistor T1, first and second sampling transistors T2 and T3, first and second light emitting transistors T4 and T5, a sensing transistor T6, A capacitor Cst and a compensation transistor T7.
상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 각 서브 픽셀의 제 1 스캔 라인(SC1)에 게이트 전극이 접속되고, 데이터 라인(Vdata)에 소오스 전극이 접속되고, 상기 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1 단자인 제 1 노드(N1)에 드레인 전극이 접속된다. The switching transistor Tl has a gate electrode connected to the first scan line SC1 of each subpixel, a source electrode connected to the data line Vdata, a first terminal of the storage capacitor Cst, A drain electrode is connected to the node N1.
이에 따라, 상기 스위칭 트랜지스터(SW1)는 각 서브 픽셀의 제 1 스캔 라인(SC1)으로부터의 제 1 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(Vdata)의 데이터 전압(Vdata)을 제 1 노드(N1)에 공급한다.The switching transistor SW1 supplies the data voltage Vdata of the data line Vdata to the first node N1 in response to the first scan signal from the first scan line SC1 of each subpixel do.
상기 스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)에 제 1 단자가 접속되고, 제 2 노드(N2)에 제 2 단자가 접속된다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 및 제 2 노드(N1, N2) 각각에 공급되는 전압들 간의 차 전압을 충전하여 상기 구동 트랜지스터(Td)의 구동 전압(Vgs)으로 공급한다. A first terminal of the storage capacitor Cst is connected to the first node N1, and a second terminal of the storage capacitor Cst is connected to the second node N2. The storage capacitor Cst charges the difference voltage between the voltages supplied to the first and second nodes N1 and N2 and supplies the difference voltage to the driving voltage Vgs of the driving transistor Td.
상기 구동 트랜지스터(Td)는 상기 제 2 노드(N2)에 게이트 전극이 접속되고, 고전위 구동 전압원(VSS)에 소오스 전극이 접속되고, 제 3 노드(N3)에 드레인 전극이 접속된다.The driving transistor Td has a gate electrode connected to the second node N2, a source electrode connected to the high potential driving voltage source VSS, and a drain electrode connected to the third node N3.
이에 따라, 상기 구동 트랜지스터(D-TFT)는 자신의 소오스-게이트간 전압(Vgs) 즉, 고전위 전압원(Vdd)과 제 2 노드(N2)사이에 걸리는 전압에 따라 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류량을 조절한다.Accordingly, the driving transistor D-TFT is turned on in response to the source-gate voltage Vgs, that is, the voltage applied between the high potential voltage source Vdd and the second node N2, Adjust the amount of current.
상기 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3)는 제 2 스캔 라인(SC2)에 게이트 전극이 접속되고, 상기 제 2 노드(N2)에 소오스 전극이 접속되고, 상기 제 3 노드(N3)에 드레인 전극이 접속된다.The first and second sampling transistors T2 and T3 are connected to a second scan line SC2 through a gate electrode, a source electrode connected to the second node N2, Drain electrodes are connected.
이에 따라, 상기 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3)는 제 2 스캔신호(SC2)에 따라 상기 제 2 및 제 3 노드(N2, N3) 간을 전기적으로 연결한다.Accordingly, the first and second sampling transistors T2 and T3 electrically connect the second and third nodes N2 and N3 according to the second scan signal SC2.
상기 제 1 발광 제어 트랜지스터(T4)는 발광 제어신호 라인(EM)에 게이트 전극이 접속되고, 상기 제 1 노드(N1)에 소오스 전극이 접속되고, 기준 전압 라인(Vref)에 드레인 전극이 접속된다.The first emission control transistor T4 has a gate electrode connected to the emission control signal line EM, a source electrode connected to the first node N1, and a drain electrode connected to the reference voltage line Vref .
이에 따라, 상기 제 1 발광 제어 트랜지스터(T4)는 발광 제어신호(EM)에 따라 제 1 노드(N1)에 기준 전압(Vref)을 인가한다.Accordingly, the first emission control transistor T4 applies the reference voltage Vref to the first node N1 according to the emission control signal EM.
상기 제 2 발광 제어 트랜지스터(T5)는 발광 제어신호 라인(EM)에 게이트 전극이 접속되고, 상기 제 3 노드(N3)에 소오스 전극이 접속되고, 제 4 노드(N4)에 드레인 전극이 접속된다.In the second emission control transistor T5, a gate electrode is connected to the emission control signal line EM, a source electrode is connected to the third node N3, and a drain electrode is connected to the fourth node N4 .
이에 따라, 상기 제 2 발광 제어 트랜지스터(T5)는 발광 제어신호(EM)에 따라 상기 제 3 및 제 4 노드(N3, N4) 간을 전기적으로 연결한다.Accordingly, the second emission control transistor T5 electrically connects the third and fourth nodes N3 and N4 in accordance with the emission control signal EM.
상기 센싱 트랜지스터(T6)는 상기 제 2 스캔 라인(SC2)에 게이트 전극이 접속되고, 상기 기준 전압 라인(Vref)에 소오스 전극이 접속되고, 상기 제 4 노드(N4)에 드레인 전극이 접속된다. The sensing transistor T6 has a gate electrode connected to the second scan line SC2, a source electrode connected to the reference voltage line Vref, and a drain electrode connected to the fourth node N4.
이에 따라, 상기 센싱 트랜지스터(T6)는 상기 제 2 스캔 신호(SC2)에 응답하여 기준 전압 라인(Vref)으로부터의 프리차징 전압을 제 4 노드(N4)에 공급하거나, 센싱 기간 동안 발광 소자(OLED)의 애노드 전극의 전압을 기준 전압 라인(Vref)에 공급한다.Accordingly, the sensing transistor T6 supplies the pre-charging voltage from the reference voltage line Vref to the fourth node N4 in response to the second scan signal SC2, To the reference voltage line Vref.
상기 발광 소자(OLED)는 상기 제 4 노드(N4)와 저전위 전압원(VSS) 사이에 접속되어 상기 제 4 노드(N4)의 전압에 따라 발광한다.The light emitting device OLED is connected between the fourth node N4 and the low potential voltage source VSS and emits light according to the voltage of the fourth node N4.
상기 보상 트랜지스터(T7)는 발광 구간에 턴 오프시키는 제어 전압(Vcontrol)이 게이트 전극이 접속되고, 정 전압원(Vcc)에 소오스 전극이 접속되고, 상기 제 2 노드(N2)에 드레인 전극이 접속된다. The compensation transistor T7 has a gate electrode connected to a control voltage Vcontrol for turning off the light emitting section, a source electrode connected to a constant voltage source Vcc, and a drain electrode connected to the second node N2 .
이에 따라, 상기 보상 트랜지스터(T7)는 상기 제어 전압(Vcontrol)에 응답하여, 자신의 턴 오프 시의 누설 전류에 의해, 발광 구간 동안 상기 정 전압원(Vcc)의 전압을 제 2 노드(N2)에 공급하거나, 상기 제 2 노드(N2)의 전압을 상기 정 전압원(Vcc)쪽으로 방출한다.Accordingly, in response to the control voltage Vcontrol, the compensating transistor T7 supplies the voltage of the constant voltage source Vcc to the second node N2 during the light emission period by the leakage current at the turn- Or discharges the voltage of the second node N2 toward the constant voltage source Vcc.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 서브 픽셀의 전류 흐름도이고, 도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치의 서브 픽셀의 전류 흐름도이다.FIG. 3 is a current flow diagram of a subpixel of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a current flow diagram of a subpixel of an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention.
상기 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3)의 누설 전류에 의해 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압에 변동이 발생하게 되지만, 상기 보상 트랜지스터의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압에 변동이 보상 된다.The gate voltage of the driving transistor Td varies due to the leakage currents of the first and second sampling transistors T2 and T3. However, due to the leakage current of the compensating transistor, the gate voltage of the driving transistor Td Is compensated for.
즉, 도 3에 도시한 바와 같이, 발광 시작 시점에서, 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)이 제 3 노드(N3)의 전압보다 높고 상기 정 전압원(Vcc)보다 낮을 경우(Vcc > Vg > N3 전압), 상기 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3)의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)이 하강하지만, 상기 보상 트랜지스터(T7)의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)의 하강이 보상된다.3, when the gate voltage Vg of the driving transistor Td is higher than the voltage of the third node N3 and lower than the constant voltage source Vcc (Vcc> The gate voltage Vg of the driving transistor Td is lowered due to the leakage current of the first and second sampling transistors T2 and T3 but the leakage current of the compensating transistor T7 The lowering of the gate voltage Vg of the driving transistor Td is compensated.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 발광 시작 시점에서, 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)이 제 3 노드(N3)의 전압보다 낮고 상기 정 전압원(Vcc)보다 높을 경우(N3 전압 > Vg > Vcc), 상기 제 1 및 제 2 샘플링 트랜지스터(T2, T3)의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)이 상승하지만, 상기 보상 트랜지스터(T7)의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg)의 상승이 보상된다.4, when the gate voltage Vg of the driving transistor Td is lower than the voltage of the third node N3 and higher than the voltage of the constant voltage source Vcc at the start of light emission (N3 voltage The gate voltage Vg of the driving transistor Td is raised by the leakage current of the first and second sampling transistors T2 and T3 but the leakage current of the compensating transistor T7 The rise of the gate voltage Vg of the driving transistor Td is compensated.
이와 같은 방법에 의해, 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg) 변동이 완화되고, 상기 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전압(Vg) 변동이 완화되므로 플리커 수준이 감소하게 되어 저속 구동에 유리해 진다.This method relaxes the fluctuation of the gate voltage Vg of the driving transistor Td and alleviates the fluctuation of the gate voltage Vg of the driving transistor Td so that the level of the flicker is reduced, Loses.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents. Will be clear to those who have knowledge of.
Claims (3)
제 1 스캔 신호에 응답하여 데이터 전압을 제 1 노드에 공급하는 스위칭 트랜지스터;
상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 접속되어 상기 제 1 및 제 2 노드 간의 차 전압을 충전하는 스토리지 커패시터;
고전위 전압원과 상기 제 2 노드 사이의 전압에 따라 발광 소자에 흐르는 전류량을 조절하는 구동 트랜지스터;
제 2 스캔신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극 간을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 샘플링 트랜지스터; 그리고
제어 전압에 응답하여, 자산의 누설 전류에 의해, 발광 구간 동안 상기 제 2 노드에 정 전압원을 공급하거나, 상기 제 2 노드의 전압을 상기 정 전압원 쪽으로 방출하는 보상 트랜지스터를 구비한 유기 발광 다이오드 표시 장치.A light emitting element;
A switching transistor for supplying a data voltage to a first node in response to a first scan signal;
A storage capacitor connected between the first node and the second node to charge the difference voltage between the first node and the second node;
A driving transistor for adjusting an amount of current flowing to the light emitting element according to a voltage between the high potential source and the second node;
At least one sampling transistor electrically connecting a gate electrode and a drain electrode of the driving transistor in response to a second scan signal; And
And a compensating transistor for supplying a constant voltage source to the second node during a light emitting period or discharging a voltage of the second node toward the constant voltage source in response to a control voltage in response to a leakage current of an asset, .
발광 시작 시점에서, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 상기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터가 연결되는 제 3 노드의 전압보다 높고 상기 정 전압원보다 낮을 경우, 상기 보상 트랜지스터는, 상기 적어도 하나의 샘플링 트랜지스터의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 하강됨을 보상하는 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method according to claim 1,
When the gate voltage of the driving transistor is higher than a voltage of a third node connected to the light emitting element and the driving transistor and lower than the constant voltage source at the start of light emission, the compensating transistor has a leakage current of the at least one sampling transistor And compensates for a falling of the gate voltage of the driving transistor.
발광 시작 시점에서, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 상기 발광 소자와 상기 구동 트랜지스터가 연결되는 제 3 노드의 전압보다 낮고 상기 정 전압원보다 높을 경우, 상기 보상 트랜지스터는 상기 적어도 하나의 샘플링 트랜지스터의 누설 전류에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압이 상승됨을 보상하는 유기 발광 다이오드 표시 장치.The method according to claim 1,
When the gate voltage of the driving transistor is lower than a voltage of a third node connected to the light emitting element and the driving transistor and higher than the constant voltage source at the start of light emission, the compensating transistor is connected to the leakage current of the at least one sampling transistor Thereby compensating for a rise in the gate voltage of the driving transistor.
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