KR20130057595A - Organic light emitting diode display device and method of driving the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An OLED(Organic Light-Emitting Diode) display device and a driving method thereof are provided to compensate for the threshold voltage and mobility deviation of a driving transistor. CONSTITUTION: An OLED display device(100) includes a display panel(110), a source driver(120), a scan driver(130), and a timing control part(140). The display panel includes multiple scan lines(GL1-GLm), multiple data lines(DL1-DLn), and multiple light-emission control lines(EL1-ELm), which cross each other and define multiple pixel regions(P). A data driver includes a driver IC(Integrated Circuit) supplying a data signal to the display panel. The data driver generates a data signal by using a converted image signal and multiple data control signals received from the timing control part and supplies the generated data signal to the display panel through the data lines. The timing control part generates multiple data signals, etc. and supplies to each driver IC of the data driver. The scan driver generates a scan signal by using a control signal received from the timing control part and supplies the generated scan signal to the display panel through the scan lines.

Description

유기발광 다이오드 표시장치 및 그 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SAME}Organic light emitting diode display and its driving method {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SAME}

본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도 편차를 보정하여 트랜지스터 특성 차이에 의해 발생되는 휘도 불균일을 개선할 수 있는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode display and a driving method thereof, and more particularly, to an organic light emitting diode display capable of correcting a threshold voltage and mobility variation of a driving transistor to improve luminance unevenness caused by a difference in transistor characteristics. An apparatus and a driving method thereof are provided.

최근 정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.Recently, as the information society develops, the demand for the display field is increasing in various forms, and in response, various flat panel display devices, for example, liquid crystal, which have features such as thinning, light weight, and low power consumption BACKGROUND Liquid crystal display devices, plasma display panel devices, organic light emitting diode display devices, and the like have been studied.

유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display device)는 투명 기판에 적(R), 녹(G), 청(B) 등의 빛을 내는 유기 화합물을 사용하여 자체 발광되는 표시장치로서, 일반적으로 OLED 패널과 구동회로를 포함한다.An organic light emitting diode display device is a display device that emits light by using an organic compound that emits red (R), green (G), and blue (B) light on a transparent substrate. OLED panel and driving circuit are included.

따라서, 유기발광 다이오드 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않다.Therefore, the organic light emitting diode display does not require a separate light source, unlike a liquid crystal display device.

그 결과 백라이트 유닛이 필요 없어 액정표시장치 대비 제조 공정이 단순하고, 제조비용을 줄일 수 있는 장점이 있어 차세대 평판 표시 장치로 각광을 받고 있다As a result, there is no need for a backlight unit, so the manufacturing process is simpler than that of a liquid crystal display and the manufacturing cost can be reduced.

또한, 유기발광 다이오드 표시장치는 액정표시장치에 비해 시야각과 대조비 등이 우수할 뿐만 아니라, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓다는 장점을 가지고 있다.In addition, the organic light emitting diode display device has not only an excellent viewing angle and a contrast ratio, but also a direct current low voltage drive, a fast response speed, strong external shock, and a wide temperature range.

특히, 액티브 매트릭스 방식(active matrix type)에서는 화소영역에 인가되는 전류를 제어하는 전압이 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전압을 유지해 줌으로써, 게이트 배선 수에 관계없이 한 화면이 표시되는 동안 발광상태를 유지하도록 구동된다.In particular, in an active matrix type, a voltage controlling the current applied to the pixel region is charged in a storage capacitor, and the voltage is maintained until the next frame signal is applied. It is driven to maintain the light emitting state while one screen is displayed regardless of the number of gate wirings.

따라서, 액티브 매트릭스 방식에서는, 낮은 전류를 인가해 주더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 대형화가 가능한 장점을 가진다.
Therefore, in the active matrix system, the same luminance is achieved even when a low current is applied, which has the advantage of low power consumption and large size.

도1은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이고, 도2는 종래의 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호를 도시한 타이밍도이다.FIG. 1 is a view schematically showing an equivalent circuit of a pixel region of a conventional organic light emitting diode display, and FIG. 2 is a timing diagram showing a plurality of control signals supplied to a conventional organic light emitting diode display.

도1에 도시한 바와 같이, 각 화소영역(도1의 P)에는 제 1 내지 제 5 트랜지스터(T1 내지 T5)와 구동 트랜지스터(Tdr) 그리고 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광다이오드(Del)가 형성된다.As shown in FIG. 1, first to fifth transistors T1 to T5, a driving transistor Tdr, a storage capacitor Cst, and a light emitting diode Del are formed in each pixel area P of FIG. 1. .

여기서 제 1 내지 제 5 트랜지스터(T1 내지 T5) 및 구동 트랜지스터(Tdr)는 P타입의 트랜지스터일 수 있다.The first to fifth transistors T1 to T5 and the driving transistor Tdr may be P-type transistors.

제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 데이터 배선(DL)과 제 1 스캔 배선(GL)에 연결되고, 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일단인 제 1 노드(N1)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the first transistor T1 are connected to the data line DL and the first scan line GL, respectively, and the drain electrode of the first transistor T1 is one end of the storage capacitor Cst. It is connected to one node N1.

이러한 제 1 트랜지스터(T1)는 제 1 스캔 배선(GL)을 통하여 공급되는 제 1 스캔 신호(S1)에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 1 노드(N1)에 데이터 전압(DATA)을 공급하는 스위칭 트랜지스터 역할을 한다.The first transistor T1 is turned on according to the first scan signal S1 supplied through the first scan line GL to apply the data voltage DATA to the first node N1. It serves as a switching transistor.

제 2 트랜지스터(T2)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 제 1 노드(N1) 및 발광제어 배선(EL)에 연결되고, 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극은 기준전압 배선(VL)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the second transistor T2 are respectively connected to the first node N1 and the emission control wiring EL, and the drain electrode of the second transistor T2 is connected to the reference voltage wiring VL. .

이러한 제 2 트랜지스터(T2)는 발광제어 배선(EL)을 통하여 공급되는 발광제어 신호(Em)에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 1 노드(N1)에 기준전압(Vref)을 공급한다.The second transistor T2 is turned on according to the emission control signal Em supplied through the emission control line EL to supply the reference voltage Vref to the first node N1. .

즉, 제 2 트랜지스터(T2)는 발광기간 중 트랜지스터 들의 누설전류에 의한 영향으로 구동 트랜지스터(Tdr)의 데이터 전압이 변하는 것을 방지하는 역할을 한다.That is, the second transistor T2 serves to prevent the data voltage of the driving transistor Tdr from changing due to the leakage current of the transistors during the light emission period.

제 3 트랜지스터(T3)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 스토리지 커패시터(Cst)의 타단인 제 2 노드(N2)와 제 1 스캔 배선(GL)에 연결되고, 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the third transistor T3 are respectively connected to the second node N2 and the first scan line GL, which are the other ends of the storage capacitor Cst, and the drain electrode of the third transistor T3 is It is connected to the drain electrode of the driving transistor Tdr.

제 4 트랜지스터(T4)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극 및 발광제어 배선(EL)에 연결되고, 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 발광다이오드(Del)의 애노드 전극인 제 3 노드(N3)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the fourth transistor T4 are connected to the drain electrode and the emission control wiring EL of the driving transistor Tdr, respectively, and the drain electrode of the fourth transistor T4 is an anode of the light emitting diode Del. It is connected to the third node N3 which is an electrode.

이와 같은 제 3 트랜지스터(T3) 및 제 4 트랜지스터(T4)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 특성을 센싱하는 역할을 한다.The third transistor T3 and the fourth transistor T4 serve to sense the characteristics of the driving transistor Tdr.

제 5 트랜지스터(T5)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 기준전압 배선(VL) 및 제 2 스캔 배선(SL)에 연결되고, 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극은 제 3 노드(N3)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the fifth transistor T5 are connected to the reference voltage wiring VL and the second scan wiring SL, respectively, and the drain electrode of the fifth transistor T5 is connected to the third node N3. do.

이러한 제 5 트랜지스터(T5)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 특성을 센싱 중에 발광다이오드(Del)의 발광을 막는 역할을 한다.The fifth transistor T5 prevents light emission of the light emitting diode Del while sensing the characteristics of the driving transistor Tdr.

구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 고전위 전압(ELVDD) 단자 및 제 2 노드(N2)에 연결되고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극은 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the driving transistor Tdr are connected to the high potential voltage ELVDD terminal and the second node N2, respectively, and the drain electrode of the driving transistor Tdr is connected to the drain electrode of the third transistor T3. Connected.

이러한 구동 트랜지스터(Tdr)가 턴-온(Turn-On)되는 동안에 발광다이오드(Del)로 전류가 흘러 발광다이오드(Del)가 발광하도록 전류원 역할을 한다.While the driving transistor Tdr is turned on, current flows to the light emitting diode Del to serve as a current source so that the light emitting diode Del emits light.

이때, 발광다이오드(Del)가 방출하는 빛의 세기는 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양에 비례하고, 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양은 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극으로 인가되는 데이터 전압(DATA)의 크기에 비례한다.In this case, the intensity of light emitted by the light emitting diode Del is proportional to the amount of current flowing through the light emitting diode Del, and the amount of current flowing through the light emitting diode Del is applied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. It is proportional to the magnitude of the voltage DATA.

그 결과 유기발광 다이오드 표시장치는 각 화소영역(P) 마다 다양한 크기의 데이터 전압(DATA)을 인가하여 상이한 계조를 표시함에 따라 영상을 표시할 수 있다.As a result, the organic light emitting diode display may display an image by applying different data voltages DATA to each pixel area P to display different gray levels.

스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2) 사이에 연결되며, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 노드 전압을 저장한다.The storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the second node N2 and stores the gate node voltage of the driving transistor Tdr.

즉, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 전압(DATA)을 한 프레임(frame) 동안 유지하여 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양을 일정하게 하고 발광다이오드(Del)가 표시하는 계조를 일정하게 유지시키는 역할을 한다.
That is, the storage capacitor Cst maintains the data voltage DATA for one frame to maintain a constant amount of current flowing through the light emitting diode Del and to maintain a constant gray level displayed by the light emitting diode Del. Play a role.

이하에서 위와 같은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 동작을 살펴보기로 한다.Hereinafter, the operation of the pixel area of the conventional organic light emitting diode display as described above will be described.

도2에 도시한 바와 같이, 제 1 시간(t1) 동안에, 하이 레벨의 제 1 스캔 신호(S1)가 인가되고, 로우 레벨의 제 2 스캔 신호(S2) 및 로우 레벨의 발광제어 신호(Em)가 각각 인가된다.As shown in Fig. 2, during the first time t1, the high level first scan signal S1 is applied, the low level second scan signal S2 and the low level light emission control signal Em Are applied respectively.

따라서, 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-온(Turn-On)되고, 제 3 노드(N3)를 기준전압(Vref)으로 초기화시킨다. 이때, 제 2 트랜지스터(T2) 및 제 4 트랜지스터(T4)는 턴-온(Turn-On)되어 있는 상태이다.Accordingly, the fifth transistor T5 is turned on and initializes the third node N3 to the reference voltage Vref. At this time, the second transistor T2 and the fourth transistor T4 are turned on.

여기서, 제 3 노드(N3)와 그라운드(GND) 사이의 전압차는 발광다이오드(Del)의 문턱전압(Vth) 이하일 수 있으며, 그 결과 제 1 시간(t1) 동안에, 발광다이오드(Del)를 통해 전류가 흐르지 않는다.Here, the voltage difference between the third node N3 and the ground GND may be equal to or less than the threshold voltage Vth of the light emitting diode Del. As a result, a current through the light emitting diode Del is generated during the first time t1. Does not flow.

제 2 시간(t2) 동안에, 제 1 스캔 신호(S1)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하면서 인가되며, 로우 레벨의 제 2 스캔 신호(S2)가 인가되고, 발광제어 신호(Em)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 변하면서 인가된다.During the second time t2, the first scan signal S1 is applied while changing from the high level to the low level, the second scan signal S2 of the low level is applied, and the emission control signal Em is at the low level. It is applied while changing from high level to.

그 결과 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 3 트랜지스터(T3)는 턴-온(Turn-On)되고 제 4 트랜지스터(T4)의 오프 지연 시간을 이용하여 제 2 노드(N2) 및 제 3 노드(N3)는 기준전압(Vref)으로 초기화된다. 이 때, 제 5 트랜지스터(T5)는 턴-온(Turn-On) 상태를 유지하므로 제 3 노드(N3)는 기준전압(Vref)을 유지하게 된다.As a result, the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned on and are turned on using the off delay time of the fourth transistor T4 and the second node N2 and the third node N3. Is initialized to the reference voltage Vref. In this case, since the fifth transistor T5 maintains a turn-on state, the third node N3 maintains the reference voltage Vref.

따라서, 제 3 노드(N3)의 전압은 기준전압(Vref)을 유지하기 때문에 제 2 시간(t2) 동안에도 발광다이오드(Del)를 통해 전류가 흐르지 아니하는 비발광 상태를 유지한다.Therefore, since the voltage of the third node N3 maintains the reference voltage Vref, a non-light emitting state in which no current flows through the light emitting diode Del is maintained even during the second time t2.

제 3 시간(t3) 동안에, 로우 레벨의 제 1 스캔 신호(S1) 및 로우 레벨의 제 2 스캔 신호(S2), 그리고 하이 레벨의 발광제어 신호(Em)가 각각 인가된다.During the third time t3, the low level first scan signal S1, the low level second scan signal S2, and the high level emission control signal Em are applied.

따라서, 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)이 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된다. 이 때, 제 4 트랜지스터(T4)는 턴-오프(Turn-Off) 상태를 유지하고 제 3 노드(N3)는 기준전압(Vref)을 유지하게 된다.Therefore, the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr is stored in the storage capacitor Cst. In this case, the fourth transistor T4 maintains a turn-off state and the third node N3 maintains a reference voltage Vref.

제 4 시간(t4) 동안에, 발광제어 신호(Em)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하면서 인가되고, 제 1 스캔 신호(S1) 및 제 2 스캔 신호(S2)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 변하면서 인가된다.During the fourth time t4, the emission control signal Em is applied while changing from the high level to the low level, and the first scan signal S1 and the second scan signal S2 change from the low level to the high level. Is approved.

그 결과 제 2 트랜지스터(T2) 및 제 4 트랜지스터(T4)는 턴-온(Turn-On)되고, 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 3 트랜지스터(T3) 및 제 5 트랜지스터(T5)는 턴-오프(Turn-Off)되면서 한 프레임동안 발광다이오드(Del)가 발광하게 된다.As a result, the second transistor T2 and the fourth transistor T4 are turned on, and the first transistor T1, the third transistor T3, and the fifth transistor T5 are turned off. (Turn-Off), the light emitting diode Del emits light for one frame.

유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역은 제 1 시간 내지 제 4 시간(t1~t4)의 반복을 통하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 및 고전위 전압(VDD)을 보상하면서 구동된다.The pixel region of the organic light emitting diode display device is driven while compensating the threshold voltage Vth and the high potential voltage VDD of the driving transistor Tdr through repetition of the first to fourth times t1 to t4.

이때, 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 1과 같이 정의된다.In this case, the current I OLED flowing through the light emitting diode Del is defined as in Equation 1.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서, k는 비례상수로서 구동 트랜지스터(Tdr)의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 값으로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L) 등에 의해서 결정될 수 있다.Here, k is a proportional constant that is determined by the structure and physical characteristics of the driving transistor Tdr, and the mobility of the driving transistor Tdr and the channel width W and channel length of the driving transistor Tdr. It can be determined by the ratio (W / L) of (L).

즉, 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역에서 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 및 고전위 전압(VDD)의 변동에 무관하고, 데이터 전압(DATA) 및 기준전압(Vref)에 의해 결정될 수 있다.That is, the current I OLED flowing through the light emitting diode Del in the pixel region of the conventional organic light emitting diode display device is independent of the variation of the threshold voltage Vth and the high potential voltage VDD of the driving transistor Tdr. It may be determined by the data voltage DATA and the reference voltage Vref.

그런데 이와 같은 화소 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치는 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 3 트랜지스터(T3)가 동일한 신호선에 의해 구동되기 때문에 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압 센싱(Sensing)과 데이터 기입(Writing)이 동시에 진행하게 된다.However, in the organic light emitting diode display having such a pixel structure, since the first transistor T1 and the third transistor T3 are driven by the same signal line, the threshold voltage sensing and the data writing of the driving transistor Tdr are performed. Writing will proceed simultaneously.

그 결과 고속구동이 요구되는 고해상도 대면적 패널에 적용할 경우에는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압 센싱(Sensing) 시간이 부족하여 보상 능력이 떨어지는 문제점이 있었다.As a result, when applied to a high-resolution large area panel requiring high-speed driving, there is a problem that the compensating ability is deteriorated due to a lack of threshold voltage sensing time of the driving transistor Tdr.

그리고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압만 보상하고 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도 편차에 따른 보정이 이루어 지지 않아 이동도 편차에 따른 휘도 불균일이 발생하는 문제점이 존재한다.
In addition, there is a problem that luminance unevenness occurs due to the mobility variation because only the compensation of the threshold voltage of the driving transistor Tdr is performed and the correction is not performed according to the mobility variation of the driving transistor Tdr.

본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도 편차를 보정하여 트랜지스터 특성 차이에 의해 발생되는 휘도 불균일을 개선할 수 있는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
The present invention is to solve the above problems, an organic light emitting diode display and a method of driving the organic light emitting diode display that can correct the luminance unevenness caused by the transistor characteristic difference by correcting the threshold voltage and mobility deviation of the driving transistor. It aims to provide.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 유기발광 다이오드 표시장치는, 제 2 노드와 센싱 배선 및 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 제 1 트랜지스터와; 데이터 배선과 스캔 배선 및 제 1 노드에 연결되는 제 2 트랜지스터와; 상기 제 1 노드와 상기 센싱 배선 및 기준전압 배선과 연결되는 제 3 트랜지스터와; 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 발광제어 배선 및 발광다이오드의 애노드 전극과 연결되는 제 4 트랜지스터와; 상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터와; 상기 제 1 노드 및 상기 발광다이오드의 애노드 전극 사이에 연결되는 제 2 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting diode display for achieving the above object includes: a first transistor connected to a second node, a sensing wiring, and a drain electrode of a driving transistor; A second transistor connected to the data line, the scan line and the first node; A third transistor connected to the first node, the sensing wiring, and a reference voltage wiring; A fourth transistor connected to the drain electrode of the driving transistor, the emission control wiring, and the anode electrode of the light emitting diode; A first capacitor coupled between the first node and the second node; And a second capacitor connected between the first node and the anode electrode of the light emitting diode.

여기서, 상기 기준전압 배선을 통해 전달되는 기준전압은 상기 데이터 배선을 통해 전달되는 데이터 전압보다 큰 전압일 수 있으며, 하이 기준전압 또는 로우 기준전압일 수 있다.Here, the reference voltage delivered through the reference voltage wiring may be a voltage larger than the data voltage transferred through the data wiring, and may be a high reference voltage or a low reference voltage.

그리고, 상기 제 3 트랜지스터는, 상기 센싱 배선을 통하여 공급되는 센싱 신호에 따라 턴-온되어 상기 제 1 노드를 하이 기준전압으로 초기화시킬 수 있다.
The third transistor may be turned on according to a sensing signal supplied through the sensing wiring to initialize the first node to a high reference voltage.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법은, 제 1 내지 제 4 트랜지스터와 제 1 및 제 2 커패시터와 구동 트랜지스터 및 발광다이오드를 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터 및 제 3 트랜지스터가 센싱 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 제 1 커패시터의 일단인 제 1 노드를 하이 기준전압으로 초기화시키는 단계와; 상기 제 1 트랜지스터 및 제 3 트랜지스터는 턴-온되고 기준전압 배선을 통해 로우 기준전압이 전달되는 동안에, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 단계와; 상기 제 2 트랜지스터가 스캔 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 제 1 노드에 데이터 전압을 인가하는 단계와; 상기 제 4 트랜지스터가 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 발광다이오드가 발광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A method of driving an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the organic light-emitting comprising a first to fourth transistor, the first and second capacitors, a driving transistor and a light emitting diode. A method of driving a diode display, the method comprising: initializing a first node, one end of the first capacitor, to a high reference voltage while the first transistor and the third transistor are turned on by a sensing signal; Sensing a threshold voltage of the driving transistor while the first transistor and the third transistor are turned on and a low reference voltage is transmitted through a reference voltage wiring; Applying a data voltage to the first node while the second transistor is turned on by a scan signal; And the light emitting diode emits light while the fourth transistor is turned on by the light emission control signal.

여기서, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 단계에서, 상기 제 2 노드에 걸리는 전압이 증가할 수 있다.In the sensing of the threshold voltage of the driving transistor, the voltage applied to the second node may increase.

그리고, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 센싱 시간은 하나의 수평주기보다 긴 시간인 것이 바람직하다.The sensing time for sensing the threshold voltage of the driving transistor is preferably longer than one horizontal period.

또한, 상기 제 1 노드에 데이터 전압을 인가하는 단계에서, 상기 제 1 커패시터의 부스팅에 의해 상기 제 2 노드에 걸리는 전압이 감소할 수 있다.Also, in the step of applying a data voltage to the first node, the voltage applied to the second node may be reduced by boosting the first capacitor.

그리고, 상기 발광다이오드가 발광하는 단계에서, 상기 제 1 커패시터 및 제 2 커패시터의 부스팅에 의해 발생한 상기 제 1 노드의 전압 변화량이 상기 제 2 노드에 반영되어 상기 제 2 노드에 걸리는 전압이 증가하는 것이 바람직하다.In the light emitting diode, the voltage change of the first node caused by the boosting of the first capacitor and the second capacitor is reflected to the second node to increase the voltage applied to the second node. desirable.

이때, 상기 제 1 노드의 전압 변화량은 상기 데이터 전압에 따라 달라질 수 있다.
In this case, the voltage change amount of the first node may vary according to the data voltage.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에서는, 데이터 기입을 위한 스캔신호를 공급하는 스캔 배선과 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위한 센싱신호를 공급하는 센싱 배선을 분리하여 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱 시간을 늘림에 따라 구동 트랜지스터의 문턱전압 및 이동도 편차를 보정할 수 있다.As described above, in the organic light emitting diode display according to the present invention, the scan wiring for supplying the scan signal for data writing and the sensing wiring for supplying the sensing signal for sensing the threshold voltage of the driving transistor are separated. As the threshold voltage sensing time increases, the threshold voltage and mobility deviation of the driving transistor may be corrected.

그 결과 트랜지스터 특성 차이에 의해 발생되는 휘도 불균일을 개선할 수 있다.As a result, luminance unevenness caused by difference in transistor characteristics can be improved.

그리고, 데이터 전압에 따른 이동도 편차를 보정하여 휘도 불균일을 개선할 수 있다.In addition, the luminance variation may be improved by correcting the mobility variation according to the data voltage.

또한, 구동 트랜지스터의 문턱전압 센싱 시간 증가에 따라 고속구동/고해상도/대면적 패널의 휘도 균일도를 향상 시킬 수 있다.
In addition, as the threshold voltage sensing time of the driving transistor increases, luminance uniformity of the high-speed driving / high resolution / large area panel may be improved.

도1은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이다.
도2는 종래의 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호를 도시한 타이밍도이다.
도3은 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이다.
도5는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호와, 기준전압 변화 및 제 2 노드의 전압 변화를 개략적으로 도시한 타이밍도이다.
도6은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치 및 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에서 구동 트랜지스터의 이동도 보정에 따른 전류 편차를 비교하기 위해 참조되는 도면이다.
도7은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에서 데이터 전압에 따른 보정 능력을 비교하기 위해 참조되는 도면이다.
1 is a view schematically showing an equivalent circuit of a pixel area of a conventional organic light emitting diode display.
2 is a timing diagram illustrating a plurality of control signals supplied to a conventional organic light emitting diode display.
3 is a schematic view of an organic light emitting diode display according to the present invention.
4 is a schematic diagram illustrating an equivalent circuit of a pixel area of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a timing diagram schematically illustrating a plurality of control signals supplied to an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, a reference voltage change, and a voltage change of a second node.
FIG. 6 is a view referred to compare a current deviation according to mobility correction of a driving transistor in a conventional organic light emitting diode display and an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a view referred to to compare the correction capability according to the data voltage in the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도3은 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 등가회로를 개략적으로 도시한 도면이다.3 is a view schematically showing an organic light emitting diode display according to the present invention, and FIG. 4 is a view schematically showing an equivalent circuit of a pixel region of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.

도3 및 도4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치(100)는, 영상을 표시하는 표시패널(110)과 소스 드라이버(120), 스캔 드라이버(130)와, 소스 드라이버(120) 및 스캔 드라이버(130) 각각의 구동 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어부(140) 등을 포함할 수 있다.3 and 4, the organic light emitting diode display 100 according to the present invention includes a display panel 110, a source driver 120, a scan driver 130, and a source driver for displaying an image. The timing controller 140 may control driving timing of the 120 and the scan driver 130, respectively.

표시패널(110)은, 서로 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하는 다수의 스캔 배선(GL1 내지 GLm) 및 다수의 데이터 배선(DL1 내지 DLn) 그리고, 다수의 발광제어 배선(EL1 내지 ELm)을 포함할 수 있다.The display panel 110 includes a plurality of scan lines GL1 to GLm and a plurality of data lines DL1 to DLn and a plurality of light emission control lines EL1 to ELm that cross each other to define a plurality of pixel regions P. ) May be included.

그리고, 각 화소영역(P)을 제어하기 위한 제어신호를 공급하기 위한 다수의 센싱 배선(SL)이 다수의 스캔 배선(GL1 내지 GLm)과 평행하게 이격되어 형성될 수 있다.In addition, a plurality of sensing lines SL for supplying a control signal for controlling each pixel area P may be formed to be spaced apart in parallel with the plurality of scan lines GL1 to GLm.

각 화소영역(P)은 동일한 구성을 가지므로, 이하에서는 편의상 다수의 스캔 배선(GL1 내지 GLm)을 스캔 배선(GL)으로, 제 1 내지 제n데이터 배선(DL1 내지 DLn)을 데이터 배선(DL)으로, 다수의 발광제어 배선(EL1 내지 ELm)을 발광제어 배선(EL)으로 설명하기로 한다.Since each pixel area P has the same configuration, hereinafter, for convenience, a plurality of scan wires GL1 to GLm are referred to as scan wires GL, and the first to nth data wires DL1 to DLn are referred to as data wires DL. ), A plurality of light emission control wirings EL1 to ELm will be described as light emission control wirings EL.

한편, 각 화소영역(P)에는 제 1 내지 제 54 트랜지스터(T1 내지 T4)와 구동 트랜지스터(Tdr) 그리고 제 1 커패시터(C1) 및 제 2 커패시터(C2)와 발광다이오드(Del)가 형성될 수 있다.Meanwhile, in each pixel area P, first to 54th transistors T1 to T4, a driving transistor Tdr, a first capacitor C1, a second capacitor C2, and a light emitting diode Del may be formed. have.

여기서, 제 1 내지 제 4 트랜지스터(T1 내지 T4) 및 구동 트랜지스터(Tdr)는 도시된 바와 같이, P타입의 트랜지스터일 수 있지만, 이에 한정되지 않고, N타입의 트랜지스터를 적용할 수 있다.Here, the first to fourth transistors T1 to T4 and the driving transistor Tdr may be P-type transistors as illustrated, but are not limited thereto, and N-type transistors may be applied.

제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 제 1 커패시터(C1)의 타단인 제 2 노드(N2)와 센싱 배선(SL)에 연결되고, 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the first transistor T1 are respectively connected to the second node N2 and the sensing wiring SL, which are the other ends of the first capacitor C1, and the drain electrode of the first transistor T1 is driven. It is connected to the drain electrode of the transistor Tdr.

이러한 제 1 트랜지스터(T1)는 센싱 배선(SL)을 통하여 공급되는 센싱 신호에 따라 턴-온(Turn-On)되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 노드와 게이트 노드 사이에 스위치 역할을 한다.The first transistor T1 is turned on according to a sensing signal supplied through the sensing line SL to serve as a switch between the drain node and the gate node of the driving transistor Tdr.

제 2 트랜지스터(T2)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 데이터 배선(DL)과 스캔 배선(GL)에 연결되고, 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극은 제 1 커패시터(C1)의 일단인 제 1 노드(N1)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the second transistor T2 are respectively connected to the data line DL and the scan line GL, and the drain electrode of the second transistor T2 is one end of the first capacitor C1. It is connected to node N1.

이러한 제 2 트랜지스터(T2)는 스캔 배선(GL)을 통하여 공급되는 스캔 신호에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 스위칭 트랜지스터 역할을 한다.The second transistor T2 is turned on according to a scan signal supplied through the scan line GL to serve as a switching transistor for supplying a data voltage Vdata to the first node N1. .

제 3 트랜지스터(T3)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 제 1 노드(N1) 및 센싱 배선(SL)에 연결되고, 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 기준전압 배선(VL)에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the third transistor T3 are connected to the first node N1 and the sensing wiring SL, respectively, and the drain electrode of the third transistor T3 is connected to the reference voltage wiring VL.

이러한 제 3 트랜지스터(T3)는 센싱 배선(SL)을 통하여 공급되는 센싱 신호에 따라 턴-온(Turn-On)되어 제 1 노드(N1)에 기준전압을 공급하는 역할을 한다.The third transistor T3 is turned on according to a sensing signal supplied through the sensing line SL to supply a reference voltage to the first node N1.

제 4 트랜지스터(T4)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극 및 발광제어 배선(EL)에 연결되고, 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 발광다이오드(Del)의 애노드 전극에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the fourth transistor T4 are connected to the drain electrode and the emission control wiring EL of the driving transistor Tdr, respectively, and the drain electrode of the fourth transistor T4 is an anode of the light emitting diode Del. Connected to the electrode.

이러한 제 4 트랜지스터(T4)는 발광제어 배선(EL)을 통하여 공급되는 발광제어 신호에 따라 턴-온(Turn-On)되어 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 노드와 발광다이오드(Del)의 애노드 노드 사이에서 스위치 역할을 하여 발광다이오드(Del)의 발광 타이밍을 제어한다.The fourth transistor T4 is turned on according to the light emission control signal supplied through the light emission control line EL, and thus is connected between the drain node of the driving transistor Tdr and the anode node of the light emitting diode Del. Serves as a switch to control the light emitting timing of the light emitting diode (Del).

구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극 및 게이트 전극은 각각 고전위 전압(ELVDD) 단자 및 제 2 노드(N2)에 연결되고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극은 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극에 연결된다.The source electrode and the gate electrode of the driving transistor Tdr are connected to the high potential voltage ELVDD terminal and the second node N2, respectively, and the drain electrode of the driving transistor Tdr is connected to the drain electrode of the first transistor T1. Connected.

구동 트랜지스터(Tdr)는 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양을 조절하는 역할을 하는데, 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양은 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극으로 인가되는 데이터 전압(Vdata)의 크기에 비례한다.The driving transistor Tdr controls the amount of current flowing through the light emitting diode Del, and the amount of current flowing through the light emitting diode Del is controlled by the data voltage Vdata applied to the gate electrode of the driving transistor Tdr. Proportional to size.

즉, 유기발광 다이오드 표시장치(100)는 각 화소영역(P) 마다 다양한 크기의 데이터 전압을 인가하여 상이한 계조를 표시함에 따라 영상을 표시할 수 있다.That is, the organic light emitting diode display 100 may display an image by applying different data voltages to each pixel region P to display different gray levels.

제 1 커패시터(C1)는 제 1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2) 사이에 연결되며, 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth) 및 데이터 전압(Vdata)을 저장한다.The first capacitor C1 is connected between the first node N1 and the second node N2 and stores the threshold voltage Vth and the data voltage Vdata of the driving transistor Tdr.

이러한 제 1 커패시터(C1)는 데이터 전압을 한 프레임(frame) 동안 유지하여 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류의 양을 일정하게 하고 발광다이오드(Del)가 표시하는 계조를 일정하게 유지시키는 역할을 하는 스토리지 커패시터일 수 있다.The first capacitor C1 maintains the data voltage for one frame to keep the amount of current flowing through the light emitting diode Del constant and to maintain the gray level displayed by the light emitting diode Del. It may be a storage capacitor.

제 2 커패시터(C2)는 제 1 노드(N1) 및 발광다이오드(Del)의 애노드 전극 사이에 연결되며, 발광구간 동안에 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류 양에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility)를 보정하는 역할을 한다.The second capacitor C2 is connected between the first node N1 and the anode electrode of the light emitting diode Del, and the mobility of the driving transistor Tdr depends on the amount of current flowing through the light emitting diode Del during the light emitting period. It is responsible for compensating mobility.

발광다이오드(Del)의 애노드 전극은 제4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극과 연결되고, 캐소드 전극은 저전위 전압(ELVSS) 단자와 연결된다.The anode electrode of the light emitting diode Del is connected to the drain electrode of the fourth transistor T4, and the cathode electrode is connected to the low potential voltage ELVSS terminal.

데이터 드라이버(120)는 표시패널(110)로 데이터 신호를 공급하는 적어도 하나의 드라이버 IC(미도시)를 포함할 수 있다.The data driver 120 may include at least one driver IC (not shown) for supplying a data signal to the display panel 110.

그리고, 데이터 드라이버(120)는 타이밍 제어부(140)로부터 전달 받은 변환된 영상 신호(R/G/B)와 다수의 데이터 제어신호를 이용하여 데이터 신호를 생성하고, 생성한 데이터 신호를 데이터 배선(DL)을 통해 표시패널(110)로 공급한다.The data driver 120 generates a data signal using the converted image signal R / G / B received from the timing controller 140 and a plurality of data control signals, and converts the generated data signal into a data wire ( The display panel 110 is supplied to the display panel 110 through DL.

타이밍 제어부(140)는 인터페이스를 통해 그래픽 카드와 같은 시스템(System)으로부터 다수의 영상 신호 및 수직동기신호(VSY), 수평동기신호(HSY), 데이터 인에이블 신호(DE) 등과 같은 다수의 제어신호를 전달 받을 수 있다.The timing controller 140 controls a plurality of video signals and a plurality of control signals such as a vertical synchronization signal VSY, a horizontal synchronization signal HSY, a data enable signal DE, and the like from a system such as a graphics card through an interface. Can be delivered.

그리고, 타이밍 제어부(140)는, 다수의 데이터 신호 등을 생성하여 데이터 드라이버(120)의 각 드라이버 IC로 공급할 수 있다.In addition, the timing controller 140 may generate a plurality of data signals and supply the same to each driver IC of the data driver 120.

스캔 드라이버(130)는 타이밍 제어부(140)로부터 전달 받은 제어신호를 이용하여 스캔 신호를 생성하고, 생성된 스캔 신호를 스캔 배선(GL)을 통해 표시패널(110)로 공급하도록 제어할 수 있다.The scan driver 130 may generate a scan signal using the control signal received from the timing controller 140, and control the scan driver 130 to supply the generated scan signal to the display panel 110 through the scan line GL.

이하에서 위와 같은 유기발광 다이오드 표시장치의 화소영역의 동작을 살펴보기로 한다.
Hereinafter, the operation of the pixel area of the organic light emitting diode display as described above will be described.

도5는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에 공급되는 다수의 제어신호와, 기준전압 변화 및 제 2 노드의 전압 변화를 개략적으로 도시한 타이밍도이다. 도4를 참조하여 설명한다.5 is a timing diagram schematically illustrating a plurality of control signals supplied to an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, a reference voltage change, and a voltage change of a second node. A description with reference to FIG.

도5에 도시한 바와 같이, 제 1 시간(t1) 동안에, 발광제어 신호(Em)는 로우 레벨에서 하이 레벨로 변하면서 인가되고, 센싱 신호(Sen)는 하이 레벨에서 로우 레벨로 변하면서 인가되며, 하이 레벨의 스캔 신호(Scan)가 인가될 수 있다.As shown in Fig. 5, during the first time t1, the emission control signal Em is applied while changing from a low level to a high level, and the sensing signal Sen is applied while changing from a high level to a low level. , A high level scan signal Scan may be applied.

이때, 기준전압 배선(VL)을 통해 되는 기준전압(VRef)은 하이 레벨의 기준전압인 하이 기준전압(VRef_H)일 수 있다.In this case, the reference voltage VRef through the reference voltage line VL may be a high reference voltage VRef_H which is a high level reference voltage.

따라서, 제 1 트랜지스터(T1)가 로우 레벨의 센싱 신호(Sen)에 의해 턴-온(Turn-On)되고, 제 1 노드(N1)는 하이 기준전압(VRef_H)으로 초기화된다.Accordingly, the first transistor T1 is turned on by the low level sensing signal Sen, and the first node N1 is initialized to the high reference voltage VRef_H.

한편, 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 3 트랜지스터(T3)가 턴-온(Turn-On)되는 경우에 구동 트랜지스터(Tdr)도 턴-온(Turn-On)되지만, 그 전에 제 4 트랜지스터(T4)가 턴-오프(Turn-Off)되기 때문에 발광다이오드(Del)로 흐르는 전류를 차단시킬 수 있다.Meanwhile, when the first transistor T1 and the third transistor T3 are turned on, the driving transistor Tdr is also turned on, but before that, the fourth transistor T4 is turned on. ) Is turned off (Turn-Off) can cut off the current flowing to the light emitting diode (Del).

이때, 제 2 트랜지스터(T2)는 턴-오프(Turn-Off)상태이다.At this time, the second transistor T2 is in a turn-off state.

보다 자세히 설명하면, 제 1 시간(t1) 동안에 제 1 노드(N1)는 하이 기준전압(VRef_H)으로 초기화되고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)보다 커지게 된다.In more detail, during the first time t1, the first node N1 is initialized to the high reference voltage VRef_H, and the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor Tdr is changed to the driving transistor (T1). It becomes larger than the threshold voltage Vth of Tdr.

그리고, 제 3 트랜지스터(T3)가 턴-온(Turn-On)되는 동안에, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제 2 노드(N2)에서 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)을 센싱하기 시작한다.
While the third transistor T3 is turned on, sensing the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr at the second node N2 which is the source electrode of the driving transistor Tdr. To start.

제 2 시간(t2) 동안에, 하이 레벨의 발광제어 신호(Em) 및 로우 레벨의 센싱 신호(Sen) 그리고 하이 레벨의 스캔 신호(Scan)가 각각 인가될 수 있다.During the second time t2, a high level emission control signal Em, a low level sensing signal Sen, and a high level scan signal Scan may be applied, respectively.

이때, 기준전압 배선(VL)을 통해 되는 기준전압(VRef)은 로우 레벨의 기준전압(VRef)인 로우 기준전압(VRef_L)일 수 있으며, 제 2 시간(t2)은 한 수평주기(1H)보다 긴 시간일 수 있으며, 예를 들어 한 수평주기(1H)의 다섯 배인 5H일 수 있다.In this case, the reference voltage VRef through the reference voltage line VL may be a low reference voltage VRef_L, which is a low level reference voltage VRef, and the second time t2 is greater than one horizontal period 1H. It can be a long time, for example 5H, which is five times one horizontal period 1H.

그 결과 제 1 트랜지스터(T1)는 턴-온(Turn-On) 상태를 유지하고, 제 1 노드(N1)는 로우 기준전압(VRef_L)이 인가되고, 제 1 커패시터(C1)의 부스팅에 의해 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 제 1 노드(N1)의 전압 변화량(VRef_H-VRef_L)가 반영되어 'Vg0-VREF_L-VREF_H'로 낮아질 수 있다.As a result, the first transistor T1 maintains a turn-on state, the first node N1 receives a low reference voltage VRef_L, and is boosted by boosting the first capacitor C1. The voltage V N2 applied to the second node N2 may be lowered to 'Vg0-VREF_L-VREF_H' by reflecting the voltage change amount VRef_H-VRef_L of the first node N1.

여기서, Vg0는 제 4 트랜지스터(T4)가 턴-오프(Turn-Off)되면서 순간적으로 증가하게 된 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자전압일 수 있다.Here, Vg0 may be a gate terminal voltage of the driving transistor Tdr which is increased instantaneously as the fourth transistor T4 is turned off.

그리고, 제 2 시간(t2) 동안 제 2 노드(N2)에서 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)을 센싱하고, 시간이 지나면서 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 'ELVDD-Vth'까지 증가하게 된다.In addition, the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr is sensed at the second node N2 for the second time t2, and the voltage V N2 applied to the second node N2 as time passes is' It is increased to ELVDD-Vth '.

이때, 제 2 트랜지스터(T2) 및 제 4 트랜지스터(T4)는 턴-오프(Turn-Off)상태이다.
At this time, the second transistor T2 and the fourth transistor T4 are in a turn-off state.

제 3 시간(t3) 동안에, 하이 레벨의 발광제어 신호(Em) 및 로우 레벨의 센싱 신호(Sen) 그리고 로우 레벨의 스캔 신호(Scan)가 각각 인가될 수 있다.During the third time t3, a high level emission control signal Em, a low level sensing signal Sen, and a low level scan signal Scan may be applied, respectively.

이때, 기준전압 배선(VL)을 통해 되는 기준전압(VRef)은 로우 레벨의 기준전압인 로우 기준전압(VRef_L)일 수 있으며, 제 3 시간(t3)은 예를 들어 한 수평주기(1H)일 수 있다.In this case, the reference voltage VRef through the reference voltage wiring VL may be a low reference voltage VRef_L, which is a low level reference voltage, and the third time t3 is, for example, one horizontal period 1H. Can be.

따라서, 제 2 트랜지스터(T2)가 턴-온(Turn-On)되면서 제 1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)을 공급한다.Therefore, while the second transistor T2 is turned on, the second transistor T2 supplies the data voltage Vdata to the first node N1.

여기서, 제 1 트랜지스터(T1) 및 제 3 트랜지스터(T3) 그리고 제 4 트랜지스터(T4)는는 턴-오프(Turn-Off)상태이다.Here, the first transistor T1, the third transistor T3, and the fourth transistor T4 are in a turn-off state.

제 3 시간(t3) 동안에 제 1 노드(N1)에 걸리는 전압(VN1)은 데이터 전압(Vdata)이 되고, 이때 제 1 노드(N1)의 전압 변화량은 'VRef_L-Vdata'이 된다.During the third time t3, the voltage V N1 applied to the first node N1 becomes the data voltage Vdata, and the voltage change amount of the first node N1 becomes 'VRef_L-Vdata'.

그리고, 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 제 1 커패시터(C1)의 부스팅에 의해 제 1 노드(N1)의 전압 변화량(VRef_L-Vdata)이 반영되어 'ELVDD-Vth+Vdata-VRef_L'가 된다.In addition, the voltage V N2 applied to the second node N2 is reflected by the voltage change amount VRef_L-Vdata of the first node N1 due to the boosting of the first capacitor C1, and thus 'ELVDD-Vth + Vdata-'. VRef_L '.

즉, 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 제 1 커패시터(C1)의 부스팅에 의해 'ELVDD-Vth+Vdata-VRef_L'가 된다.
That is, the voltage V N2 applied to the second node N2 becomes 'ELVDD-Vth + Vdata-VRef_L' by boosting the first capacitor C1.

제 4 시간(t4) 동안에, 로우 레벨의 발광제어 신호(Em) 및 하이 레벨의 센싱 신호(Sen) 그리고 하이 레벨의 스캔 신호(Scan)가 각각 인가될 수 있다.During the fourth time t4, the low level emission control signal Em, the high level sensing signal Sen, and the high level scan signal Scan may be applied.

이때, 기준전압 배선(VL)을 통해 되는 기준전압(VRef)은 하이 레벨의 기준전압(VRef)인 하이 기준전압(VRef_H)일 수 있다.In this case, the reference voltage VRef through the reference voltage line VL may be a high reference voltage VRef_H which is a high level reference voltage VRef.

그 결과 제 4 트랜지스터(T4)와 구동 트랜지스터(Tdr)가 턴-온(Turn-On)되고, 발광다이오드(Del)로 전류(IOLED)가 흐르게 되어 발광상태가 된다.As a result, the fourth transistor T4 and the driving transistor Tdr are turned on, and the current I OLED flows through the light emitting diode Del to become a light emitting state.

여기서, 제 1 트랜지스터 내지 제 3 트랜지스터(T1~T3)는 턴-오프(Turn-Off)상태이다.Here, the first to third transistors T1 to T3 are in a turn-off state.

제 4 시간(t4) 동안에 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)이 'ELVDD-Vth+Vdata-VRef_L'가 되면, 구동 트랜지스터(Tdr)에 전류가 흐르게 되어 발광다이오드(Del)의 애노드 노드에서 전압 변화가 일어난다.When the voltage V N2 applied to the second node N2 becomes 'ELVDD-Vth + Vdata-VRef_L' during the fourth time t4, a current flows in the driving transistor Tdr, whereby the anode of the light emitting diode Del Voltage changes occur at the nodes.

그리고, 발광다이오드(Del)의 애노드 노드에서 전압 변화는 제 2 커패시터(C2)의 부스팅에 의해 제 1 노드(N1)에서 전압 변화(ΔV)를 발생시키게 된다.The voltage change at the anode node of the light emitting diode Del generates a voltage change ΔV at the first node N1 by boosting the second capacitor C2.

그 결과 제 2 노드(N2)에 걸리는 전압(VN2)은 제 1 노드(N1)의 전압 변화량(?V)이 반영되어 'ELVDD-Vth+Vdata-VRef_L+ΔV'가 되면서 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도가 보상된다.As a result, the voltage V N2 applied to the second node N2 becomes 'ELVDD-Vth + Vdata-VRef_L + ΔV' by reflecting the voltage change amount? V of the first node N1 and driving transistor Tdr. The mobility of is compensated.

이때, 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 2와 같이 정의될 수 있다.In this case, the current I OLED flowing through the light emitting diode Del may be defined as in Equation 2.

[수학식 2]&Quot; (2) "

Figure pat00002
Figure pat00002

여기서, k는 비례상수로서 구동 트랜지스터(Tdr)의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 값으로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비(W/L) 등에 의해서 결정될 수 있다.Here, k is a proportional constant that is determined by the structure and physical characteristics of the driving transistor Tdr, and the mobility of the driving transistor Tdr and the channel width W and channel length of the driving transistor Tdr. It can be determined by the ratio (W / L) of (L).

그리고, Vsg는 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 노드 및 게이트 노드 사이의 전압을 의미하고, Vth는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압을 의미한다.Vsg denotes a voltage between a source node and a gate node of the driving transistor Tdr, and Vth denotes a threshold voltage of the driving transistor Tdr.

따라서, Vsg는 Vs-Vg이므로 'ELVDD-(ELVDD-Vth+Vdata-VRef_L+ΔV)'가 되어 'ELVDD'가 소거되고, (Vsg-Vth)는 '(Vth-Vdata+VRef_L-ΔV)-Vth'가 되어 'Vth'가 소거된다. (Vs: ELVDD, Vg: ELVDD-Vth +Vdata-VRef_L+ΔV)Therefore, since Vsg is Vs-Vg, it becomes' ELVDD- (ELVDD-Vth + Vdata-VRef_L + ΔV) 'and' ELVDD 'is erased, and (Vsg-Vth) is' (Vth-Vdata + VRef_L-ΔV) -Vth 'Vth' is erased. (Vs: ELVDD, Vg: ELVDD-Vth + Vdata-VRef_L + ΔV)

그리하여 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 고전위 전압(ELVDD)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 변화의 영향을 받지 않게 된다.Thus, the current I OLED flowing through the light emitting diode Del is not affected by the change of the high potential voltage ELVDD and the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr.

그리고, 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 입력하는 각 화소영역(P)마다 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 발광다이오드(Del)로 흐르는 전류양이 달라지고, 발광다이오드(Del)로 흐르는 전류양이 달라지면서 제 1 노드(N1)에서 전압 변화(ΔV)도 달라지므로 데이터 전압(Vdata)에 따라 서로 다른 이동도(mobility) 보정능력을 갖게 된다.In addition, the amount of current flowing to the light emitting diode Del varies according to the data voltage Vdata applied to each pixel region P input to the current I OLED flowing through the light emitting diode Del, and the light emitting diode Del As the amount of current flowing in the V1 varies, the voltage change ΔV also changes at the first node N1, and thus has different mobility correction capability according to the data voltage Vdata.

결과적으로 제 4 시간(t4) 동안에 발광다이오드(Del)를 흐르는 전류(IOLED)는 고전위 전압(ELVDD)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)에 무관하고, 데이터 전압(Vdata) 및 로우 기준전압(VRef_L)에 의해 결정될 수 있다.As a result, the current I OLED flowing through the light emitting diode Del during the fourth time t4 is independent of the high potential voltage ELVDD and the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr, and the data voltage Vdata and It may be determined by the row reference voltage VRef_L.

종래의 유기발광 다이오드 표시장치는 제 1 트랜지스터(도1의 T1) 및 제 3 트랜지스터(도1의 T3)가 동일한 신호선에 의해 구동되기 때문에 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압 센싱(Sensing)과 데이터 기입(Writing)이 동시에 진행하게 된다.In the conventional organic light emitting diode display device, since the first transistor (T1 in FIG. 1) and the third transistor (T3 in FIG. 1) are driven by the same signal line, the threshold voltage sensing and data writing of the driving transistor Tdr are performed. (Writing) will proceed simultaneously.

그 결과 고속구동이 요구되는 고해상도 대면적 패널에 적용할 경우에는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압 센싱(Sensing) 시간이 부족하여 보상 능력이 떨어지는 문제점이 있었다.As a result, when applied to a high-resolution large area panel requiring high-speed driving, there is a problem that the compensating ability is deteriorated due to a lack of threshold voltage sensing time of the driving transistor Tdr.

그리고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)만 보상하고 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도 편차에 따른 보정이 이루어 지지 않아 이동도 편차에 따른 휘도 불균일이 발생하는 문제점이 존재했었다.In addition, there is a problem that luminance unevenness occurs due to the mobility variation because only the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr is compensated and the correction is not performed according to the mobility variation of the driving transistor Tdr.

하지만 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에서는 스캔신호(Scan)를 공급하는 스캔 배선(GL)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth)을 센싱하기 위한 센싱신호를 공급하는 센싱 배선(SL)을 분리하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압 센싱 시간을 늘림에 따라 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압(Vth) 및 이동도(mobility) 편차를 보정할 수 있다.However, in the organic light emitting diode display according to the present invention, the sensing line SL for supplying a sensing signal for sensing the scan line GL for supplying the scan signal Scan and the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr. As a result of increasing the threshold voltage sensing time of the driving transistor Tdr, the threshold voltage Vth and mobility deviation of the driving transistor Tdr may be corrected.

그 결과 트랜지스터 특성 차이에 의해 발생되는 휘도 불균일을 개선할 수 있다.As a result, luminance unevenness caused by difference in transistor characteristics can be improved.

그리고, 데이터 전압(Vdata)에 따라 제 1 노드(N1)에서 전압 변화(ΔV)가 달라지기 때문에, 데이터 전압(Vdata)에 따른 이동도(mobility) 편차를 보정하여 휘도 불균일을 개선할 수 있다.In addition, since the voltage change ΔV varies at the first node N1 according to the data voltage Vdata, the luminance variation may be corrected by correcting the mobility variation according to the data voltage Vdata.

또한, 본 발명에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에서는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱전압 센싱(Sensing) 시간이 충분하기 때문에 고속구동/고해상도/대면적 패널패널에 적용할 경우에도 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.
In addition, in the organic light emitting diode display according to the present invention, since the threshold voltage sensing time of the driving transistor Tdr is sufficient, luminance uniformity can be improved even when applied to a high-speed driving / high resolution / large area panel panel. .

도6은 종래의 유기발광 다이오드 표시장치 및 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에서 구동 트랜지스터의 이동도 보정에 따른 전류 편차를 비교하기 위해 참조되는 도면이고, 도7은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에서 데이터 전압에 따른 보정 능력을 비교하기 위해 참조되는 도면이다.FIG. 6 is a view referred to compare a current deviation according to mobility correction of a driving transistor in a conventional organic light emitting diode display and an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, and FIG. In the organic light emitting diode display according to an example, the drawings are referred to for comparing the correction capability according to the data voltage.

유기발광 다이오드 표시장치에서 Δμ(%)가 -10 내지 10인 경우에 도6에 도시한 바와 같이, 이동도 편차(Δμ)에 따른 종래의 유기발광 다이오드 표시장치에서의 Error(%)는 본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치에서의 Error(%)보다 그 편차가 크다.When Δμ (%) is -10 to 10 in the organic light emitting diode display, as shown in FIG. 6, the error (%) in the conventional organic light emitting diode display according to the mobility deviation Δμ is determined by the present invention. The deviation is larger than the error (%) in the organic light emitting diode display device.

예를 들어, 이동도 편차(Δμ)에 따른 종래의 유기발광 다이오드 표시장치에서의 Error(%)는 약 -8 내지 7.5이고, 이동도 편차(Δμ)에 따른 본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치에서의 Error(%)는 약 -5 내지 5이다.For example, the error (%) in the conventional organic light emitting diode display according to the mobility deviation (Δμ) is about -8 to 7.5, and in the organic light emitting diode display of the present invention according to the mobility deviation (Δμ) Error (%) of about -5 to 5.

따라서, 본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치에서는 Error(%) 편차가 감소하여 종래 대비 이동도 편차가 보정되었음을 알 수 있다.Therefore, in the organic light emitting diode display device of the present invention, it can be seen that the deviation of error (%) is reduced and the mobility deviation is corrected.

그 결과 본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치에서는 트랜지스터 특성 차이에 의해 발생되는 휘도 불균일을 개선할 수 있다.
As a result, in the organic light emitting diode display device of the present invention, luminance unevenness caused by difference in transistor characteristics can be improved.

유기발광 다이오드 표시장치에서 Δμ(%)가 -10 내지 10인 경우에 도7에 도시한 바와 같이, 데이터 전압(그레이 레벨)에 따른 Error(%)는 그레이 레벨(Low_gray, Middle_gray, High_gray)에 따라 달라진다.In the case of Δμ (%) of -10 to 10 in the organic light emitting diode display, as shown in FIG. 7, the error (%) according to the data voltage (gray level) depends on the gray level (Low_gray, Middle_gray, High_gray). Different.

예를 들어, 중간 그레이 레벨(Middle_gray)인 경우에 Error(%)는 약 -6 내지 5이고, 하이 그레이 레벨(High_gray)인 경우에 Error(%)는 약 -4 내지 5이다.For example, Error (%) is about -6 to 5 in the case of the middle gray level (Middle_gray), and Error (%) is about -4 to 5 in the case of the high gray level (High_gray).

다시 말해서, 본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치에서는 데이터 전압에 따라 발광다이오드로 흐르는 전류양이 달라지고, 제 1 노드에서 전압 변화(ΔV)도 달라지므로 데이터 전압에 따라 서로 다른 이동도(mobility) 보정능력을 갖게 된다.In other words, in the organic light emitting diode display of the present invention, the amount of current flowing to the light emitting diode is changed according to the data voltage, and the voltage change ΔV is also changed at the first node. You have the ability.

따라서, 본 발명의 유기발광 다이오드 표시장치에서는 데이터 전압에 따라 서로 다른 이동도(mobility) 보정능력을 갖게 되고, 결과적으로 데이터 전압에 따른 이동도(mobility) 편차를 보정하여 휘도 불균일을 개선할 수 있다.
Accordingly, the organic light emitting diode display according to the present invention has different mobility correction capability according to the data voltage, and as a result, the luminance variation can be corrected by correcting the mobility variation according to the data voltage. .

이상과 같은 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위 및 이와 균등한 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiments of the present invention as described above are merely illustrative, and those skilled in the art can make modifications without departing from the gist of the present invention. Accordingly, the protection scope of the present invention includes modifications of the present invention within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

100: 유기발광 다이오드 표시장치 110: 표시패널
120: 소스 드라이버 130: 스캔 드라이버
140: 타이밍 제어부
Tdr: 구동 트랜지스터 Del: 발광다이오드
100: organic light emitting diode display 110: display panel
120: source driver 130: scan driver
140: timing controller
Tdr: driving transistor Del: light emitting diode

Claims (10)

제 2 노드와 센싱 배선 및 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 제 1 트랜지스터와;
데이터 배선과 스캔 배선 및 제 1 노드에 연결되는 제 2 트랜지스터와;
상기 제 1 노드와 상기 센싱 배선 및 기준전압 배선과 연결되는 제 3 트랜지스터와;
상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 발광제어 배선 및 발광다이오드의 애노드 전극과 연결되는 제 4 트랜지스터와;
상기 제 1 노드 및 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터와;
상기 제 1 노드 및 상기 발광다이오드의 애노드 전극 사이에 연결되는 제 2 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
A first transistor connected to the second node, the sensing wiring and the drain electrode of the driving transistor;
A second transistor connected to the data line, the scan line and the first node;
A third transistor connected to the first node, the sensing wiring, and a reference voltage wiring;
A fourth transistor connected to the drain electrode of the driving transistor, the emission control wiring, and the anode electrode of the light emitting diode;
A first capacitor coupled between the first node and the second node;
And a second capacitor connected between the first node and the anode electrode of the light emitting diode.
제1항에 있어서,
상기 기준전압 배선을 통해 전달되는 기준전압은 상기 데이터 배선을 통해 전달되는 데이터 전압보다 큰 전압인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And a reference voltage transmitted through the reference voltage line is greater than a data voltage transmitted through the data line.
제1항에 있어서,
상기 기준전압 배선을 통해 전달되는 기준전압은 하이 기준전압 또는 로우 기준전압인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
And the reference voltage transmitted through the reference voltage wiring is a high reference voltage or a low reference voltage.
제3항에 있어서,
상기 제 3 트랜지스터는,
상기 센싱 배선을 통하여 공급되는 센싱 신호에 따라 턴-온되어 상기 제 1 노드를 하이 기준전압으로 초기화시키는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
The third transistor,
And turn on the first signal according to the sensing signal supplied through the sensing wiring to initialize the first node to a high reference voltage.
제 1 내지 제 4 트랜지스터와 제 1 및 제 2 커패시터와 구동 트랜지스터 및 발광다이오드를 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서,
상기 제 1 트랜지스터 및 제 3 트랜지스터가 센싱 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 제 1 커패시터의 일단인 제 1 노드를 하이 기준전압으로 초기화시키는 단계와;
상기 제 1 트랜지스터 및 제 3 트랜지스터는 턴-온되고 기준전압 배선을 통해 로우 기준전압이 전달되는 동안에, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 단계와;
상기 제 2 트랜지스터가 스캔 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 제 1 노드에 데이터 전압을 인가하는 단계와;
상기 제 4 트랜지스터가 발광제어 신호에 의해 턴-온되는 동안에, 상기 발광다이오드가 발광하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
A driving method of an organic light emitting diode display device comprising first to fourth transistors, first and second capacitors, a driving transistor, and a light emitting diode,
Initializing a first node, one end of the first capacitor, to a high reference voltage while the first transistor and the third transistor are turned on by a sensing signal;
Sensing a threshold voltage of the driving transistor while the first transistor and the third transistor are turned on and a low reference voltage is transmitted through a reference voltage wiring;
Applying a data voltage to the first node while the second transistor is turned on by a scan signal;
The light emitting diode emits light while the fourth transistor is turned on by a light emitting control signal
Method of driving an organic light emitting diode display device comprising a.
제5항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 단계에서,
상기 제 2 노드에 걸리는 전압이 증가하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 5,
In the sensing of the threshold voltage of the driving transistor,
And a voltage applied to the second node is increased.
제6항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 센싱 시간은 하나의 수평주기보다 긴 시간인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method according to claim 6,
And a sensing time for sensing the threshold voltage of the driving transistor is longer than one horizontal period.
제5항에 있어서,
상기 제 1 노드에 데이터 전압을 인가하는 단계에서,
상기 제 1 커패시터의 부스팅에 의해 상기 제 2 노드에 걸리는 전압이 감소하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 5,
In the step of applying a data voltage to the first node,
And a voltage applied to the second node is reduced by boosting the first capacitor.
제5항에 있어서,
상기 발광다이오드가 발광하는 단계에서,
상기 제 1 커패시터 및 제 2 커패시터의 부스팅에 의해 발생한 상기 제 1 노드의 전압 변화량이 상기 제 2 노드에 반영되어 상기 제 2 노드에 걸리는 전압이 증가하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
The method of claim 5,
In the step of emitting the light emitting diode,
A method of driving an organic light emitting diode display device, characterized in that the voltage change of the first node caused by boosting of the first capacitor and the second capacitor is reflected to the second node to increase the voltage applied to the second node. .
제9항에 있어서,
상기 제 1 노드의 전압 변화량은 상기 데이터 전압에 따라 달라지는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치의 구동방법.
10. The method of claim 9,
The method of driving an organic light emitting diode display device, wherein the voltage change amount of the first node varies according to the data voltage.
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