KR20130045793A - 발광 다이오드 어레이 - Google Patents

발광 다이오드 어레이 Download PDF

Info

Publication number
KR20130045793A
KR20130045793A KR1020120048184A KR20120048184A KR20130045793A KR 20130045793 A KR20130045793 A KR 20130045793A KR 1020120048184 A KR1020120048184 A KR 1020120048184A KR 20120048184 A KR20120048184 A KR 20120048184A KR 20130045793 A KR20130045793 A KR 20130045793A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
electrode
array
diode unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020120048184A
Other languages
English (en)
Inventor
헝 리우
시펑 샤오
Original Assignee
포스텍 테크놀로지 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포스텍 테크놀로지 인코퍼레이티드 filed Critical 포스텍 테크놀로지 인코퍼레이티드
Publication of KR20130045793A publication Critical patent/KR20130045793A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/813Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/819Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 어레이에 관한 것으로, 본 발명은 복수 개의 발광 다이오드 유닛을 포함하고, 각각의 발광 다이오드 유닛이 직렬결합을 이루며, 상기 발광 다이오드 어레이에는 n열(row) 및 m행(column)이 있으며, 상기 m과 n에서 적어도 하나는 홀수이다.

Description

발광 다이오드 어레이{A LIGHT EMITTING DIODE ARRAY}
본 발명은 발광 다이오드 어레이에 관한 것으로, 특히 직렬결합(connected in series)하는 발광 다이오드 어레이에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED; Light-Emitting Diode)는 수명이 길고 부피가 작으며 전기소모가 적고 반응속도가 빠르다는 등의 장점이 있어서 지시등, 광고 간판, 자동차 램프, 디스플레이 패널, 통신기기 및 실내 조명 등의 다양한 제품에 광범위하게 응용된다.
도 1은 종래 발광 다이오드의 구조 설명도이다.
도시된 바와 같이, 종래의 발광 다이오드 칩(100)은 베이스(102), N형층(110), 발광층(125) 및 P형층(130)을 포함한다. 이 밖에도, 제1전극(115)과 제2전극(135)이 각각 N형층(110)과 P형층(130)에 형성되며 전기적 연결을 이룬다. 적당한 전압을 제1전극(115)과 제2전극(135)에 인가하면 전자는 N형층(110)을 이탈하여 정공과 발광층(125) 내에서 결합하여 발광하게 된다.
베이스(102)는 통상 사파이어로 제작된다; 예를 들어서, N형층(110)은 실리콘이 도핑된 알루미늄 질화 갈륨(AlGaN)이나 실리콘이 도핑된 질화 갈륨(GaN)으로 제작될 수 있고; P형층(130)은 마그네슘이 도핑된 알루미늄 질화 갈륨(AlGaN)이나 마그네슘이 도핑된 질화 갈륨(GaN)을 제작될 수 있다. 발광층(125)은 통상 단일 양자 우물(Quantum Well)이나 멀티 양자 우물, 예를 들어서 인듐 질화 갈륨 / 질화 갈륨으로 형성된다.
일반적으로, 단일 발광 다이오드 칩(100)을 구동하는 데에 제1전극(115) 및 제2전극(135) 사이에 대략 3볼트의 직류전압을 공급해야 하는데, 발광 다이오드 칩(100)을 손전등의 광원으로 사용하는 경우를 예로 들자면, 단일 발광 다이오드 칩(100)과 두 개의 1.5볼트짜리 전지를 직렬연결하여 발광 다이오드 칩(100)이 광원을 생성하도록 구동할 수 있게 된다.
그러나, 가정용 전원으로 발광 다이오드 칩(100)을 구동할 때 전압 변환 문제에 부딪치게 된다. 현재 전세계적으로 사용되는 가정용 전원은 대부분 110볼트 또는 220볼트의 교류전원이기 때문에 가정용 전원으로 발광 다이오드 칩(100)을 구동할 때 가정용 전원에 대해 전압 하강 및 정류 작업을 실시해야 한다.
가정용 전원(110V 또는 220V)과 발광 다이오드 칩(100)에서 필요로 하는 구동 전압(3V) 사이에 상당한 전압차가 존재하고 전압 변환 효율이 낮기 때문에 전압 변환 과정에서 예상 밖의 에너지 소모가 발생한다.
본 발명의 목적은 복수 개의 발광 다이오드 유닛으로 하여금 직렬결합을 형성하도록 하여 발광 다이오드 유닛의 직렬연결 수량을 늘림으로써 발광 다이오드 어레이에 필요한 구동 전압을 높이고 외부 전압이 전압 변환하는 과정에서 발생하는 에너지 소모를 줄이는 발광 다이오드 어레이를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은 복수 개의 발광 다이오드 유닛을 발광 다이오드 어레이로 배열하고 상기 발광 다이오드 어레이에는 n열(row) 및 m행(column)이 포함되며 m과 n에서 적어도 하나는 홀수가 됨으로써 복수 개의 발광 다이오드 유닛을 편리하게 어레이로 배열하고, 또한 전류 입력단 및 전류 출력단으로 하여금 발광 다이오드 어레이의 가장자리나 코너에 위치하도록 하여 전원공급기와 발광 다이오드 어레이 사이의 전기적 연결을 편리하게 진행할 수 있게 하는 발광 다이오드 어레이를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수 개의 발광 다이오드 유닛으로 하여금 직렬결합을 형성하도록 하여 일반 가정용 전원으로 발광 다이오드 어레이를 편리하게 구동하도록 함으로써 발광 다이오드 어레이를 고정식 조명 광원으로 만드는 발광 다이오드 어레이를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 예를 들어서 사각형, 근사 평행사변형, 근사 사각형, 근사 정방형, 근사 다이아몬드형 등의 발광 다이오드 유닛을 어레이로 배열하고 또한 양극 전극과 음극 전극을 대략 대각 관계로 배치하여 두 전극 사이의 전류 분포의 균일성(uniform current spreading)을 높이고 발광 다이오드 유닛에서 생성된 광원의 균일도를 향상시키는 발광 다이오드 어레이를 제공하는 데에 있다.
상술한 목적을 이루기 위한 본 발명에 따른 발광 다이오드 어레이는, 복수 개의 발광 다이오드 유닛을 포함하고 모든 복수 개의 발광 다이오드 유닛이 직렬결합을 이루며 발광 다이오드 어레이에는 n열(row) 및 m행(column)이 있으며, 상기 m과 n에서 적어도 하나는 홀수이다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 각각의 발광 다이오드 유닛은 사각형이고 전기적 특성이 정반대인 제1전극과 제2전극이 구비되며, 제1전극은 사각형의 제1단점(端點)에 위치하거나 가깝게 위치하고 제2전극은 사각형의 제2단점(端點)에 위치하거나 가깝게 위치하며, 제1단점과 제2단점은 대체로 대각 관계(in a diagonal position)를 이룬다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 각각의 발광 다이오드 유닛은 근사 정방형이고 전기적 특성이 정반대인 제1전극과 제2전극이 구비되며, 제1전극은 근사 정방형의 제1단점에 위치하거나 가깝게 위치하고 제2전극은 근사 정방형의 제2단점에 위치하거나 가깝게 위치하며 제1단점과 제2단점은 대체로 대각 관계(in a diagonal position)를 이룬다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 발광 다이오드 어레이는 사각형이고 전류 입력단과 전류 출력단에 연결된다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 발광 다이오드 어레이는 근사 정방형이고 전류 입력단과 전류 출력단에 연결된다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 직렬결합의 첫 번째 발광 다이오드 유닛은 제2전극으로 전류 입력단에 연결되고 직렬결합의 마지막 발광 다이오드 유닛은 제1전극으로 전류 출력단에 연결된다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, m과 n 양자 중의 하나는 홀수이고 하나는 짝수이며, 전류 입력단과 전류 출력단은 상기 발광 다이오드 어레이의 한 가장자리 선에 위치하거나 가깝게 위치한다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, m과 n 양자는 모두 홀수이고 전류 입력단과 전류 출력단은 발광 다이오드 어레이의 대각위치에 위치하거나 가깝게 위치한다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 직렬결합 중의 첫 번째 발광 다이오드 유닛의 전극위치 패턴이 세 번째 발광 다이오드 유닛과 동일하다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 직렬결합 중의 첫 번째 발광 다이오드 유닛의 전극위치 패턴이 시계방향으로 90도 회전하면 두 번째 발광 다이오드 유닛과 같아지고 두 번째 발광 다이오드 유닛의 전극위치 패턴이 역시계방향으로 90도 회전하면 세 번째 발광 다이오드 유닛과 같아진다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예는 기판을 포함하고 또한 복수 개의 발광 다이오드 유닛이 기판 위에 설치된다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예는 직렬결합 중에서 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛을 연결하기 위한 복수 개의 와이어 본딩(wire bonding)을 포함한다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예는 직렬결합 중에서 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛을 연결하기 위한 복수 개의 인터컨넥션(interconnect)을 포함한다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 인터컨넥션(interconnect)은 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛의 최단 경로를 따라 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛의 전극을 연결한다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 발광 다이오드 유닛은 복수 개의 발광 다이오드(Stacking LEDs)를 적층하여 구성된다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서 적층되는 복수 개의 발광 다이오드(Stacking LEDs)는 수직 직렬연결 또는 수직 병렬연결 된다.
상기 발광 다이오드 어레이의 일실시예에서, 제1전극은 기판에 제일 가까운 발광 다이오드에 위치하고 제2전극은 기판으로부터 제일 멀리 떨어진 발광 다이오드에 위치한다.
도 1은 종래 발광 다이오드의 구조 설명도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 어레이의 입체 설명이도다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 어레이의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 어레이의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 어레이의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 어레이의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 어레이 내의 발광 다이오드 유닛의 단면 설명도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 발광 다이오드 어레이를 상세히 설명한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 어레이의 입체 설명도 및 평면도다.
도면에 제시된 바와 같이, 본 발명의 상기 발광 다이오드 어레이(200)는 주로 복수 개의 발광 다이오드 유닛(20)을 포함하고 각각의 발광 다이오드 유닛(20)이 직렬결합을 이루며, 사용할 때 단일 전원공급기(29)로 복수 개의 직렬연결된 발광 다이오드 유닛(20)을 동시에 구동할 수 있다.
본 발명은 주로 복수 개의 발광 다이오드 유닛(20)을 어레이 방식으로 하나의 기판(24)에 배열하고 또한 각각의 발광 다이오드 유닛(20)은 갭(36)을 통해 격리되며, 발광 다이오드 어레이(200)에는 n열(row) 및 m행(column)이 구비되고 m과 n은 적어도 하나가 홀수이다. 본 발명의 바람직한 일실시예에서 발광 다이오드 어레이(200)는 2열3행을 구비한다.
본 발명의 일실시예에서 각각의 발광 다이오드 유닛(20)은 제1소재층(21), 제2소재층(23), 적어도 하나의 제1전극(25) 및 적어도 하나의 제2전극(27)을 포함하고, 제1소재층(21) 및 제2소재층(23)은 적층하는 방식으로 설치되며 제2소재층(23)은 제1소재층(21)의 일부 표면에 설치된다. 제1전극(25)은 제1소재층(21)의 일부 표면에 설치되되 제2소재층(23)과 접촉하지 않고, 제2전극(27)은 제2소재층(23)의 일부 표면에 설치된다. 사용할 때 제1전극(25) 및 제2전극(27)에게 전원을 공급하여 발광 다이오드 유닛(20)에서 광원이 발생하도록 할 수 있다. 다른 실시예에서 본 발명의 상기 발광 다이오드 유닛(20)은 적층된 복수 개의 발광 다이오드(Stacking LEDs)일 수 있으며 이 구조는 후술하는 실시예에서 설명될 것이다.
본 발명의 일실시예에서 각각의 발광 다이오드 유닛(20)은 근사 평행사각형, 근사 사각형, 근사 정방형, 근사 다이아몬드형 등의 사각형일 수 있다. 제1전극(25) 및 제2전극(27)의 전기적 특성이 정반대이고 제1전극(25)은 사각형의 제1단점(端點)에 위치하거나 가깝게 위치하고, 제2전극(27)은 사각형의 제2단점(端點)에 위치하거나 가깝게 위치하고 제1단점과 제2단점은 대체로 대각 관계(in a diagonal position)를 이루어서 전극 사이의 전류 분포의 균일성(uniform current spreading)을 높이고 또한 각각의 발광 다이오드 유닛(20)의 발광 균일도를 향상시키기에 유리하다. 이 밖에도, 각각의 발광 다이오드 유닛(20)의 제1전극(25) 및 제2전극(27)을 대체로 대각관계로 배치하면 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛(20)의 전기적 연결에 더욱 유리하다.
상기 서로 다른 형상의 발광 다이오드 유닛(20)을 배열하여 서로 다른 형상의 발광 다이오드 어레이(200)를 형성할 수 있으며, 예를 들어, 사각형, 근사 평행사각형, 근사 사각형, 근사 정방형, 근사 다이아몬드형 등을 형성할 수 있다.
도 3에 제시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에서는 발광 다이오드 유닛(20)을 발광 다이오드 어레이(200)로 배열하기 전에 각각의 발광 다이오드 유닛(20)의 상대적인 전극 위치를 특별히 유의한 후 각각의 발광 다이오드 유닛(20)을 설치하여야 한다. 예를 들어, 직렬결합 중의 첫 번째 발광 다이오드 유닛(201)의 전극위치 패턴이 시계방향으로 90도 회전하면 두 번째 발광 다이오드 유닛(202)과 같아지고 두 번째 발광 다이오드 유닛(202)의 전극위치 패턴이 역시계방향으로 90도 회전하면 세 번째 발광 다이오드 유닛과 같아진다(203); 다시 말해, 첫 번째 발광 다이오드 유닛(201)의 전극위치 패턴은 세 번째 발광 다이오드 유닛(203)과 같다. 이러한 설계를 통해 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛의 전기적 특성이 다른 전극이 최단 거리를 유지하도록 하여 서로 인접하는 발광 다이오드의 직렬연결되는 전기적 연결에서 최단 와이어 본딩(22)이나 인터컨넥션(32)을 이용하도록 함으로써 전기 저항 및 원가를 낮춘다. 예를 들면, 첫 번째 발광 다이오드 유닛(201)의 제1전극(25)과 두 번째 발광 다이오드 유닛(202)의 제2전극(27)이 서로 인접하고 두 번째 발광 다이오드 유닛(202)의 제1전극(25)은 세 번째 발광 다이오드 유닛(203)의 제2전극(27)과 인접한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서 제공하는 발광 다이오드 어레이(200) 중의 m과 n에서 적어도 하나는 반드시 홀수이어야 한다. 이러한 설게를 통해 발광 다이오드 유닛이 다수 개의 행을 직렬연결 또는 다수 개의 열을 직렬연결할 때 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛(20)의 전기적 특성이 다른 전극이 최단 거리를 유지하도록 함으로써, 서로 인접하는 발광 다이오드(20)의 직렬연결되는 전기적 연결에서 최단 와이어 본딩(22)이나 인터컨넥션(32)을 이용하도록 함으로써 전기 저항 및 원가를 낮춘다. 예를 들면, 도 3에 제시된 바와 같이 세 번째 발광 다이오드 유닛(203)의 제1전극(25)과 네 번째 발광 다이오드 유닛(204)의 제2전극(27)이 서로 인접해 있다.
도 2와 도 3에 제시된 바와 같이, 와이어 본딩(wire bonding)(22)은 직렬결합에서 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛(20)을 연결할 수 있으며, 통상 갭(36)이 비교적 큰 경우에 적용된다; 도 4에 제시된 바와 같이, 인터컨넥션(interconnect)(32)은 직렬결합에서 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛(20)을 연결할 수 있으며 통상 갭(36)이 비교적 작은 경우에 적용된다.
인터컨넥션을 통해 LED 어레이를 형성하는 통상적인 방법은 아래와 같다. 절연 또는 전기저항이 높은 기판(34)에, 예를 들어서 사파이어, 탄화규소 또는 기타 3족 질화물 기판 위에 다수 개의 발광 다이오드 유닛(20)을 직렬연결 또는 병렬연결하여 발광 다이오드 어레이(300)를 형성할 수 있다. 각각의 발광 다이오드 유닛(20)은 갭(36)을 통해 이격되고 또한 인터컨넥션(internnect)(32)으로 다른 발광 다이오드 유닛(20)의 전극을 연결한다. 일반적으로, 각각의 발광 다이오드 유닛(20) 사이의 절연을 보장하기 위해 규소 산화물, 규소 질화물, 규소 질소 산화물 및 알루미늄 산화물 등의 산화재료를 먼저 침적하며, 절연재료는 발광 다이오드 어레이(300) 위에 놓이고 인터컨넥션(32)을 침적하며, 인터컨넥션(32)은 통상 금속재질을 사용한다.
본 발명의 일실시예에서 발광 다이오드 어레이(200)는 전류 입력단(271) 및 전류 출력단(251)을 포함하고, 사용 시 전원공급기(29)를 발광 다이오드 어레이(200)의 전류 입력단(271) 및 전류 출력단(251)과 서로 연결 시키고 각각의 발광 다이오드 유닛(20)에 전원을 공급할 수 있다.
도 3 및 도 4에 제시된 바와 같이, 근사 정방형이나 근사 사각형의 발광 다이오드 유닛(20)은 근사 정방형이나 근사 사각형의 발광 다이오드 어레이(200)로 배열될 수 있으며, 전류 입력단(271)과 전류 출력단(251)은 사각형이나 근사 정방형의 발광 다이오드 어레이(200)의 가장자리 선이나 대각위치에 위치하거나 가깝게 위치할 수 있다. 예를 들면, 직렬결합의 첫 번째 발광 다이오드 유닛(201)은 제2전극(27)으로 상기 전류 입력단(271)에 연결되고 직렬결합의 마지막 발광 다이오드 유닛(209)은 제1전극(25)으로 전류 출력단(251)에 연결된다.
전원공급기(29), 예를 들면 직류전원공급기는 주로 전압의 하강 및 정류를 진행하며 일반 가정용 전원, 예를 들어 110볼트나 220볼트의 가정용 전원을 수신하여 가정용 전원의 전압을 내리고 정류함으로써 적당한 크기의 직류전원을 출력하여 발광 다이오드 어레이(200)를 구동한다.
본 발명의 일실시예에서 복수 개의 발광 다이오드 유닛(20)의 직렬연결을 통해 발광 다이오드 어레이(200)를 구동할 때 필요로 하는 전압을 높여서 전원공급기(29)가 대폭적인 전압 변환을 실시할 필요 없이 발광 다이오드 어레이(200)를 구동할 수 있도록 함으로써 전압 변환하는 과정에서 발생하는 에너지 소모를 줄인다. 예를 들어, 도 3의 발광 다이오드 어레이(200)는 6개의 발광 다이오드 유닛(20)의 직렬연결을 포함하고 각각의 발광 다이오드 유닛(20)에서 필요로 하는 구동전압은 대략 3볼트이다. 다시 말해서, 발광 다이오드 어레이(200)에서 필요로 하는 구동전압은 대략 18볼트(3볼트 곱하기 6)가 된다. 그러면 전원공급기(29)는 일반 가정용 전원(110볼트나 220볼트)을 18볼트로 변환하면 발광 다이오드 어레이(200)를 구동할 수 있다.
본 실시예에서는 주로 발광 다이오드 어레이(200)에 6개의 발광 다이오드 유닛(20)이 포함되는 경우로 설명을 하지만 실제 응용 시 발광 다이오드 유닛(20)의 직렬연결 개수를 늘릴 수 있으며, 이 부분은 후속 실시예에서 설명을 할 것이다. 발광 다이오드 유닛(20)의 직렬연결 수량을 늘리면 발광 다이오드 어레이에서 필요로 하는 구동전압을 더욱 늘릴 수 있고 발광 다이오드 어레이의 발광 면적 및 발광 밝기를 높일 수 있다.
이 밖에도, 본 발명의 상기 발광 다이오드 어레이(200)에는 복수 개의 동일한 발광 다이오드 유닛(20)이 포함되고 동일한 색상의 광원을 생성할 수 있다. 본 발명의 일부 실시예에서 발광 다이오드 어레이(200)는 복수 개의 서로 다른 발광 다이오드 유닛(20)을 포함하여 서로 다른 색상의 광원, 예를 들면 적색, 초록색 또는 파랑색 광원을 생성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 어레이의 평면도다. 도면에 제시된 바와 같이, 본 발명의 상기 발광 다이오드 어레이(300)는 주로 복수 개의 발광 다이오드 유닛(20)을 포함하고, 각각의 발광 다이오드 유닛(20)은 어레이 방식으로 기판(34) 위에 배열되어 3열3행의 발광 다이오드 어레이(300)를 형성한다.
발광 다이오드 어레이(300)의 발광 다이오드 유닛(20)은 직렬연결하는 방식으로 연결된다. 예를 들어, 인터컨넥션(interconnect)(32)을 통해 직렬결합 중에서 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛(20)을 연결할 수 있으며, 실제 응용 시 발광 다이오드 유닛(20)을 적절하게 배열하여 인터컨넥션(32)이 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛의 최단 경로를 따라 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛(20)의 전극을 연결하도록 한다. 전극의 차광 면적을 줄이기 위해 인터컨넥션(32)과 이에 연결되는 제1전극(25), 제2전극(27)의 크기를 줄일 수 있지만, 전류 입력단(371) 및 전류 출력단(351)은 외부 전기적 연결을 위해 비교적 큰 면적을 유지할 수 있다. 9개의 발광 다이오드 유닛(20)의 직렬연결을 통해 발광 다이오드 어레이(300)가 필요로 하는 구동전압을 27볼트로 높임으로써 전압 변환하는 과정에서 발생하는 에너지 소모를 더욱 줄인다.
물론 직렬연결되는 발광 다이오드 유닛(20)의 수량을 더 늘릴 수 있는데, 예를 들어, 도 5에 제시된 바와 같이 15개의 발광 다이오드 유닛(20)을 직렬연결하는 방식으로 연결하여 5열3행의 발광 다이오드 어레이(400)를 배열하면 발광 다이오드 어레이(400)가 필요로 하는 구동전압은 대략 45볼트가 된다. 도 6에 제시된 바와 같이 25개의 발광 다이오드 유닛(20)을 직렬연결하는 방식으로 연결하여 5열5행의 발광 다이오드 어레이(500)를 배열하면 발광 다이오드 어레이(500)가 필요로 하는 구동전압은 대략 75볼트가 된다.
본 발명의 일실시예에서 각각의 발광 다이오드 유닛(20)은 근사 정방형이고, 발광 다이오드 어레이(200)의 m이 n과 같을 때 발광 다이오드 어레이(200)의 외관은 정방형에 가깝게 된다; 발광 다이오드 어레이(200)의 m이 n과 같지 않을 때 발광 다이오드 어레이(200)의 외관은 사각형에 가깝게 된다.
본 발명의 일부 실시예에서 n열m행의 발광 다이오드 어레이(200)의 m과 n 양자 중의 하나가 홀수이고 하나는 짝수일 때, 도 3에 제시된 바와 같이 전류 입력단(271) 및 전류 출력단(251)이 상기 발광 다이오드 어레이(200)의 가장자리 선에 위치하거나 가깝게 위치한다. n열m행의 발광 다이오드 어레이(300, 400, 500)의 m과 n이 모두 홀수일 경우, 도 4, 도 5 및 도 6에 제시된 바와 같이 전류 입력단(371, 471, 571) 및 전류 출력단(351, 451, 551)이 발광 다이오드 어레이(300, 400, 500)의 대각 위치에 위치하거나 가깝게 위치한다. 발광 다이오드 어레이(300, 400, 500)를 자주 사용되는 일반 전도성 프레임에 적용하고 전기적으로 연결 시킨다.
도 7에 제시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예에서 상기 발광 다이오드 유닛(20)은 적층된 복수 개의 발광 다이오드(Stacking LEDs)일 수 있고, 복수 개의 발광 다이오드는 수직 방식으로 적층(수직 직렬연결 또는 수직 병렬연결)하고 발광 다이오드 유닛(20)의 제1전극(25)은 기판에 제일 가까운 발광 다이오드에 위치하고 제2전극(27)은 기판으로부터 제일 멀리 떨어진 발광 다이오드에 위치한다.
발광 다이오드 유닛(20)은 제1 N형 반도체 재료층(211), 제1 P형 반도체 재료층(231), 터널접합(tunnel junction)(26), 제2 N형 반도체 재료층(213) 및 제2 P형 반도체 재료층(233)의 적층을 포함한다. 제1 N형 반도체 재료층(211) 및 제1 P형 반도체 재료층(231) 사이에는 제1능동층(active layer)(281)이 존재하고 제2 N형 반도체 재료층(213) 및 제2 P형 반도체 재료층(233) 사이에는 제2능동층(active layer)(283)이 존재한다. 이 밖에도, 제1전극(25)은 기판에 제일 가까운 발광 다이오드의 제1 N형 반도체 재료층(211) 표면에 설치되고 제2전극(27)은 기판으로부터 제일 멀리 떨어진 발광 다이오드의 제2 P형 반도체 재료층(233) 표면에 설치된다. 본 실시예에서 발광 다이오드 유닛(20)은 두 개의 발광 다이오드의 적층을 포함하고 두 개의 발광 다이오드와의 사이에 터널접합(26)이 설치되며, 다른 실시예에서 발광 다이오드 유닛(20)은 두 개 이상의 발광 다이오드의 적층을 포함할 수 있고, 또한 서로 인접하는 발광 다이오드 사이에 상기 터널접합(26)을 설치할 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐이며 본 발명의 실시 범위를 한정하지 않는다. 본 발명의 사상 범위 내에서, 즉 본 발명의 특허청구범위에서 기재한 형상, 구조, 특징 및 정신에 따라 실시한 변형 및 변경은 본 발명의 보호범위에 속한다.
100 : 발광 다이오드 칩 102 : 베이스
110 : N형층 115 : 제1전극
125 : 발광층 130 : P형층
135 : 제2전극 20 : 발광 다이오드 유닛
200 : 발광 다이오드 어레이 201 : 첫 번째 발광 다이오드 유닛
202 : 두 번째 발광 다이오드 유닛 203 : 세 번째 발광 다이오드 유닛
204 : 네 번째 발광 다이오드 유닛 209 : 마지막 발광 다이오드 유닛
21 : 제1소재층 211 : 제1 N형 반도체 재료층
213 : 제2 N형 반도체 재료층 22 : 와이어 본딩
23 : 제2소재층 231 : 제1 P형 반도체 재료층
233 : 제2 P형 반도체 재료층 24 : 기판
25 : 제1전극 251 : 전류 출력단
26 : 터널접합(tunnel junction) 27 : 제2전극
271 : 전류 입력단 281 : 제1능동층
283 : 제2능동층 29 : 전원공급기
300 : 발광 다이오드 어레이 32 : 인터컨넥션
34 : 기판 351 : 전류 출력단
36 : 갭 371 : 전류 입력단
400 : 발광 다이오드 어레이 451 : 전류 출력단
471 : 전류 입력단 500 : 발광 다이오드 어레이
551 : 전류 출력단 571 : 전류 입력단

Claims (8)

  1. 발광 다이오드 어레이에 있어서,
    복수 개의 발광 다이오드 유닛을 포함하고, 모든 상기 복수 개의 발광 다이오드 유닛이 직렬결합을 이루며, 상기 발광 다이오드 어레이에는 n열(row) 및 m행(column)이 있으며, 상기 m과 n에서 적어도 하나는 홀수인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이.
  2. 제1항에 있어서,
    각각의 발광 다이오드 유닛은 사각형이고, 전기적 특성이 정반대인 제1전극과 제2전극이 구비되며, 상기 제1전극은 상기 사각형의 제1단점(端點)에 위치하거나 가깝게 위치하고, 상기 제2전극은 상기 사각형의 제2단점(端點)에 위치하거나 가깝게 위치하며, 상기 제1단점과 상기 제2단점은 대체로 대각 관계(in a diagonal position)를 이루는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 어레이는 사각형이고, 전류 입력단과 전류 출력단에 연결되며, 상기 직렬결합의 첫 번째 발광 다이오드 유닛은 상기 제2전극으로 상기 전류 입력단에 연결되고, 상기 직렬결합의 마지막 발광 다이오드 유닛은 상기 제1전극으로 상기 전류 출력단에 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 m과 n 양자 중의 하나는 홀수이고 하나는 짝수이며, 상기 전류 입력단과 상기 전류 출력단은 상기 발광 다이오드 어레이의 한 가장자리 선에 위치하거나 가깝게 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 m과 n 양자는 모두 홀수이고, 상기 전류 입력단과 상기 전류 출력단은 상기 발광 다이오드 어레이의 대각 위치에 위치하거나 가깝게 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 직렬결합 중의 첫 번째 발광 다이오드 유닛의 전극위치 패턴이 세 번째 발광 다이오드 유닛과 동일하고, 상기 직렬결합 중의 첫 번째 발광 다이오드 유닛의 전극위치 패턴이 시계방향으로 90도 회전하면 두 번째 발광 다이오드 유닛과 같아지고, 두 번째 발광 다이오드 유닛의 전극위치 패턴이 역시계방향으로 90도 회전하면 세 번째 발광 다이오드 유닛과 같아지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이.
  7. 제1항에 있어서,
    기판을 포함하고, 상기 복수 개의 발광 다이오드 유닛을 상기 기판에 설치하며, 복수 개의 와이어 본딩(wire bonding) 또는 인터컨넥션(interconnect)을 통해 상기 직렬결합 중에서 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛을 연결하고, 상기 와이어 본딩이나 상기 인터컨넥션은 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛의 최단 경로를 따라 서로 인접하는 발광 다이오드 유닛의 전극을 연결하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 유닛은 복수 개의 발광 다이오드(Stacking LEDs)를 적층하여 구성되고, 복수 개의 상기 발광 다이오드(Stacking LEDs)는 수직 직렬연결 및/또는 수직 병렬연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 어레이.
KR1020120048184A 2011-10-26 2012-05-07 발광 다이오드 어레이 Ceased KR20130045793A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100138893 2011-10-26
TW100138893 2011-10-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130045793A true KR20130045793A (ko) 2013-05-06

Family

ID=46298231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120048184A Ceased KR20130045793A (ko) 2011-10-26 2012-05-07 발광 다이오드 어레이

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130105825A1 (ko)
EP (1) EP2587538A1 (ko)
JP (1) JP2013093544A (ko)
KR (1) KR20130045793A (ko)
TW (1) TW201318147A (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5939055B2 (ja) * 2012-06-28 2016-06-22 住友電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI622191B (zh) * 2013-11-25 2018-04-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
TWI647869B (zh) * 2013-11-25 2019-01-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
US20150263256A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Epistar Corporation Light-emitting array
JP6576094B2 (ja) * 2014-06-16 2019-09-18 シチズン電子株式会社 Led発光装置
FR3023061B1 (fr) 2014-06-27 2017-12-15 Commissariat Energie Atomique Diode de structure mesa a surface de contact sensiblement plane
DE102015102775A1 (de) * 2015-02-26 2016-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung von LED-Chips und Multi-Chip LED Gehäuse

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994007115A1 (fr) * 1992-09-17 1994-03-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Reseau de detecteurs a infrarouge et son procede de production
JPH10198040A (ja) * 1997-01-08 1998-07-31 Brother Ind Ltd 画像形成装置
US6548832B1 (en) * 1999-06-09 2003-04-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP3659098B2 (ja) * 1999-11-30 2005-06-15 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6445007B1 (en) * 2001-03-19 2002-09-03 Uni Light Technology Inc. Light emitting diodes with spreading and improving light emitting area
TWI222756B (en) * 2002-11-12 2004-10-21 Epitech Corp Ltd Lateral current blocking light emitting diode and method of making the same
US6871982B2 (en) * 2003-01-24 2005-03-29 Digital Optics International Corporation High-density illumination system
JP2007517378A (ja) * 2003-12-24 2007-06-28 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法
WO2006003913A1 (ja) * 2004-07-06 2006-01-12 Asagicreate Co., Ltd. 面状光源および電飾看板
JP4636501B2 (ja) * 2005-05-12 2011-02-23 株式会社沖データ 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置
JP3117281U (ja) * 2005-09-30 2006-01-05 鼎元光電科技股▲ふん▼有限公司 効率の高いマトリックス発光ダイオード素子
CN101263610B (zh) * 2005-09-30 2013-03-13 首尔Opto仪器股份有限公司 具有竖直堆叠发光二极管的发光器件
US20070090488A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Tyntek Corporation High-efficiency matrix-type LED device
KR100843402B1 (ko) * 2007-06-22 2008-07-03 삼성전기주식회사 Led 구동회로 및 led 어레이 장치
TWI369777B (en) * 2007-10-04 2012-08-01 Young Lighting Technology Corp Surface light source of backlight module in a flat panel display
DE102007063262A1 (de) * 2007-12-17 2009-06-18 Storz Endoskop Produktions Gmbh Beleuchtungsvorrichtung zum Erzeugen von Licht und zum Einkoppeln des Lichts in ein proximales Ende eines Lichtleitkabels einer Beobachtungsvorrichtung für die Endoskopie oder Mikroskopie
US8809893B2 (en) * 2008-11-14 2014-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
TWI411127B (zh) * 2008-11-19 2013-10-01 Sinology Entpr Ltd 模組化之發光二極體光源模組結構
JP4820454B2 (ja) * 2009-10-23 2011-11-24 シャープ株式会社 液晶表示装置及びテレビ受信装置
KR101601624B1 (ko) * 2010-02-19 2016-03-09 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US20110204376A1 (en) * 2010-02-23 2011-08-25 Applied Materials, Inc. Growth of multi-junction led film stacks with multi-chambered epitaxy system
US8492777B2 (en) * 2010-04-09 2013-07-23 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package, lighting device and light emitting diode package substrate

Also Published As

Publication number Publication date
EP2587538A1 (en) 2013-05-01
US20130105825A1 (en) 2013-05-02
TW201318147A (zh) 2013-05-01
JP2013093544A (ja) 2013-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8188489B2 (en) Light emitting diode for AC operation
US9349912B2 (en) Light emitting device having a plurality of light emitting cells
US10038029B2 (en) Light-emitting device
KR20130045793A (ko) 발광 다이오드 어레이
KR101202175B1 (ko) 발광 장치
US8354680B2 (en) AC light emitting diode having full-wave light emitting cell and half-wave light emitting cell
US7999271B2 (en) Luminous element having a plurality of cells
KR20130095054A (ko) 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US20110316012A1 (en) Organic light emitting diode segment
US20140091351A1 (en) Light emitting diode chip
JP2014107369A (ja) 半導体発光装置
CN109411578A (zh) 一种led芯片及led模组
CN202434517U (zh) 发光二极管阵列
KR101274041B1 (ko) 발광 장치
KR20210004476A (ko) 직병렬 연결된 복수의 발광 다이오드 칩을 갖는 발광 모듈
KR101651923B1 (ko) 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법
JP2014038989A (ja) 半導体発光装置および照明装置
KR101381987B1 (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN102403331A (zh) 发光二极管阵列
KR101205528B1 (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN210136890U (zh) 单晶、多晶共享型导线架及其发光装置
KR101283972B1 (ko) 3단자 발광 소자 및 이를 이용하는 조명 회로
KR101216937B1 (ko) 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치
JP2011055007A (ja) 交流駆動型の発光ダイオード
KR20120017136A (ko) 역방향 직렬접속된 발광셀 어레이가 구비된 교류용 발광다이오드 칩 구조

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20120507

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20130710

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20130917

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20130710

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I