KR20130037044A - Light emitting device package and light unit having the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package and a light unit including the same are provided to control a color distribution by controlling an insertion position and a size of a fluorescent film. CONSTITUTION: A support member(12) includes a first metal layer(12-1) and a second metal layer(12-2). A light emitting chip(18) is electrically connected to the first metal layer and the second metal layer of the support member. A molding member(21) covers the light emitting chip. A first groove(22-1) is arranged in a region between the side of the molding member and the light emitting chip. A reflection layer(25) is arranged on the side of the molding member. A fluorescent film(23,24) is arranged in the first groove.

Description

발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT UNIT HAVING THE SAME}LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT UNIT HAVING THE SAME}

실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device and a light unit having the same.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다. A light emitting device, such as a light emitting device, is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing a conventional fluorescent lamp and an incandescent lamp.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source for various lamps used for indoor and outdoor use, lighting devices such as a liquid crystal display, an electric signboard, and a streetlight.

실시 예는 새로운 구조의 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시 예는 지지부재 상에 발광 칩을 배치하고, 상기 발광 칩을 덮는 몰딩부재 내에 형광체 필름 및 반사층을 둘레에 배치한 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package including a light emitting chip disposed on a support member and a phosphor film and a reflective layer disposed around a molding member covering the light emitting chip, and a light unit having the same.

실시 예는 몰딩부재 내의 형광체 필름을 지지부재의 상면에 대해 수직하거나 경사지게 배치한 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a light unit having the same, in which the phosphor film in the molding member is vertically or inclined with respect to the upper surface of the support member.

실시 예는 몰딩부재의 측면 또는 내부에 배치된 반사층을 형광체 필름의 외측에 배치한 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a light unit having the same, in which a reflective layer disposed on the side or inside of the molding member is disposed outside the phosphor film.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 제1금속층 및 제2금속층을 갖는 지지부재; 상기 지지부재의 제1금속층 및 제2금속층과 전기적으로 연결되며, 상기 제1금속층 및 상기 제2금속층 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 상기 지지부재의 위에 형성되고 상기 발광 칩을 덮는 몰딩부재; 상기 몰딩부재 내에 형성되며 상기 몰딩 부재의 측면과 상기 발광 칩 사이의 영역에 배치된 제1홈; 상기 형광체 필름의 외측에 배치된 반사층; 및 상기 제1홈 내에 배치된 형광체 필름을 포함한다. The light emitting device package according to the embodiment includes a support member having a first metal layer and a second metal layer; A light emitting chip electrically connected to the first metal layer and the second metal layer of the support member and disposed on at least one of the first metal layer and the second metal layer; A molding member formed on the support member and covering the light emitting chip; A first groove formed in the molding member and disposed in an area between the side surface of the molding member and the light emitting chip; A reflective layer disposed outside the phosphor film; And a phosphor film disposed in the first groove.

실시 예는 새로운 구조의 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시 예는 지지부재 상에 배치된 발광 칩의 둘레에 삽입되는 형광체 필름을 포함하는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package including a phosphor film inserted around a light emitting chip disposed on a support member.

실시 예는 발광 소자 패키지의 제조 공정을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the manufacturing process of the light emitting device package.

실시 예는 형광체 필름의 삽입 위치나 크기를 조절할 수 있어, 색 분포의 조절이 가능한 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment can adjust the insertion position or size of the phosphor film, thereby providing a light emitting device package capable of adjusting the color distribution.

실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛의 신뢰성이 개선될 수 있다.The embodiment may improve the reliability of the light emitting device package and the light unit having the same.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자 패키지의 형광체 필름의 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1의 발광 소자 패키지의 형광체 필름의 또 다른 예를 나타낸 평면도이다.
도 5는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 6은 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 7은 제4실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 8은 제5실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 9는 제6실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 10은 제7실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 도 1의 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 14는 도 1의 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 도 1의 발광 소자 패키지를 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.
1 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment.
FIG. 2 is a plan view of the light emitting device package of FIG. 1.
3 is a plan view illustrating another example of a phosphor film of the light emitting device package of FIG. 1.
4 is a plan view illustrating still another example of the phosphor film of the light emitting device package of FIG. 1.
5 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a second embodiment.
6 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a third embodiment.
7 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fourth embodiment.
8 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fifth embodiment.
9 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a sixth embodiment.
10 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a seventh embodiment.
11 is a view illustrating a light emitting chip according to an embodiment.
12 is a diagram illustrating another example of a light emitting chip according to one embodiment.
FIG. 13 is a diagram illustrating a display device having the light emitting device package of FIG. 1.
14 is a diagram illustrating another example of a display device having the light emitting device package of FIG. 1.
FIG. 15 is a view illustrating a lighting device having the light emitting device package of FIG. 1.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under"Quot; on "and" under "as used herein are intended to refer to all that is" directly "or" indirectly " . In addition, the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings. In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 평면도이다.1 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment, and FIG. 2 is a plan view of the light emitting device package of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 발광 소자 패키지(11)는 지지부재(12); 상기 지지부재(12) 위에 배치된 발광 칩(18); 상기 지지부재(12) 상에 배치된 몰딩부재(21); 상기 몰딩부재(21) 내에 배치된 형광체 필름(23,24); 및 상기 몰딩부재(21)의 측면에 배치된 반사층(25)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the light emitting device package 11 may include a support member 12; A light emitting chip 18 disposed on the support member 12; A molding member 21 disposed on the support member 12; Phosphor films 23 and 24 disposed in the molding member 21; And a reflective layer 25 disposed on the side of the molding member 21.

상기 지지부재(12)는 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB), 실리콘(silicon) 또는 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC)와 같은 실리콘 계열, 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN)과 같은 세라믹 계열, 폴리프탈아마이드(polyphthalamide: PPA)와 같은 수지 계열, 고분자액정(Liquid Crystal Polymer), 바닥에 금속층을 갖는 PCB(MCPCB: Metal core PCB) 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이러한 재질로 한정하지는 않는다. The support member 12 may be a resin based printed circuit board (PCB), silicon based on silicon or silicon carbide (SiC), ceramic based on aluminum nitride (AlN), or polyphthal It may be formed of at least one of a resin series such as amide (polyphthalamide (PPA)), a liquid crystal polymer (PCB), and a metal core PCB (MCPCB) having a metal layer on the bottom thereof, but is not limited thereto.

상기 지지부재(12)는 제1금속층(12-1), 제2금속층(12-2), 제1연결 부재(12-3), 제2연결 부재(12-4), 제1리드부(12-5) 및 제2리드부(12-6)를 포함한다. 상기 제1금속층(12-1) 및 제2금속층(12-2)은 상기 지지부재(12)의 상부에 서로 이격되게 배치된다. 상기 제1리드부(12-5) 및 제2리드부(12-6)는 상기 지지부재(12)의 하부에 서로 이격되게 배치된다. 상기 제1연결 부재(12-3)는 상기 지지부재(12)의 내부 또는 제1측면에 배치될 수 있으며, 상기 제1금속층(12-1)과 상기 제1리드부(12-5)를 서로 연결해 준다. 상기 제2연결 부재(12-4)는 상기 지지부재(12)의 내부 또는 제2측면에 배치될 수 있으며, 상기 제2금속층(12-2) 및 상기 제2리드부(12-6)를 서로 연결해 준다. The support member 12 may include a first metal layer 12-1, a second metal layer 12-2, a first connection member 12-3, a second connection member 12-4, and a first lead portion ( 12-5) and the second lead portion 12-6. The first metal layer 12-1 and the second metal layer 12-2 are spaced apart from each other on the support member 12. The first lead part 12-5 and the second lead part 12-6 are disposed to be spaced apart from each other under the support member 12. The first connection member 12-3 may be disposed inside or on the first side surface of the support member 12, and the first metal layer 12-1 and the first lead portion 12-5 may be disposed. Connect each other. The second connection member 12-4 may be disposed inside or on the second side surface of the support member 12, and the second metal layer 12-2 and the second lead part 12-6 may be disposed. Connect each other.

상기 제1금속층(12-1), 제2금속층(12-2), 제1리드부(12-5) 및 제2리드부(12-6)는 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선태적 합금으로 형성될 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다.The first metal layer 12-1, the second metal layer 12-2, the first lead part 12-5, and the second lead part 12-6 are made of a metal material, for example, titanium (Ti). At least one of copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), or It may be formed of these optional alloys, and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer.

상기 제1연결 부재(12-3) 및 상기 제2연결 부재(12-4)는 전도성 물질 예컨대, 금속을 이용하여 비아, 비아 홀, 쓰루 홀 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
The first connection member 12-3 and the second connection member 12-4 may be formed of at least one of a via, a via hole, and a through hole using a conductive material, for example, a metal.

상기 발광 칩(18)은 상기 지지부재(12)의 제1금속층(12-1) 상에 배치되고, 상기 제1금속층(12-1) 및 상기 제2금속층(12-2)과 전기적으로 연결된다. 상기 발광 칩(18)은 상기 제1금속층(12-1) 상에 본딩되고, 제2금속층(12-2)과 와이어(19)로 연결될 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광 칩(18)은 상기 제1금속층(12-1)과 상기 제2금속층(12-2)에 와이어(19)로 연결되거나, 플립 방식으로 본딩될 수 있다. 상기 발광 칩(18)은 상기 지지부재(12) 상에 하나 또는 복수개가 배치될 수 있다.The light emitting chip 18 is disposed on the first metal layer 12-1 of the support member 12 and electrically connected to the first metal layer 12-1 and the second metal layer 12-2. do. The light emitting chip 18 may be bonded on the first metal layer 12-1 and connected to the second metal layer 12-2 by a wire 19. As another example, the light emitting chip 18 may be connected to the first metal layer 12-1 and the second metal layer 12-2 by a wire 19 or bonded in a flip manner. One or more light emitting chips 18 may be disposed on the support member 12.

상기 발광 칩(18)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 UV(Ultraviolet) LED칩, 적색 LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩과 같은 유색 LED 칩을 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(18)은 상기 지지부재(12)의 상면에 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(18)으로부터 발생된 열은 상기 지지부재(12)를 통해 전도될 수 있다. 상기 발광 칩(18)의 표면에 형광체가 도포될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The light emitting chip 18 may selectively emit light in a range of visible light to ultraviolet light, for example, UV (Ultraviolet) LED chip, red LED chip, blue LED chip, green LED chip, yellow green LED It may optionally include a colored LED chip such as a chip. The light emitting chip 18 may be in contact with an upper surface of the support member 12, but is not limited thereto. Heat generated from the light emitting chip 18 may be conducted through the support member 12. Phosphor may be coated on the surface of the light emitting chip 18, but is not limited thereto.

상기 몰딩부재(21)는 상기 지지부재(12)의 상부에 미리 설정된 제1두께(D1)로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(21)는 도 2와 같이 다각형 형상이거나, 원형 또는 타원형 형상을 포함할 수 있다. 이러한 몰딩부재(21)는 미리 설정된 틀을 이용하여 트랜스퍼 몰딩 방식으로 제조될 수 있다.The molding member 21 may be formed to have a first thickness D1 set in advance on the support member 12. The molding member 21 may have a polygonal shape as shown in FIG. 2, or may include a circular or elliptical shape. The molding member 21 may be manufactured by a transfer molding method using a preset mold.

상기 몰딩부재(21)는 투광성 재질일 수 있으며, 그 굴절률은 2 미만의 물질로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(21)는 투광성 수지물로서, 예컨대 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지물로 형성될 수 있다.The molding member 21 may be made of a light transmissive material, and its refractive index may be formed of a material of less than two. The molding member 21 may be formed of a translucent resin, for example, a resin such as silicon or epoxy.

상기 몰딩부재(21)의 상면은 플랫한 면이거나, 중심부가 외측보다 더 오목한 면으로 형성되거나, 중심부가 외측보다 더 볼록한 면으로 형성될 수 있다. 또한 상기 몰딩부재(21)의 상면은 러프한 요철 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩부재(21)의 상부에 렌즈가 더 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 볼록한 렌즈, 중심부가 오목한 오목부를 갖는 볼록한 렌즈, 오목한 렌즈 중에서 선택적으로 포함할 수 있다.The upper surface of the molding member 21 may be a flat surface, a central portion may be formed more concave than the outside, or the central portion may be formed more convex than the outside. In addition, the upper surface of the molding member 21 may be formed in a rough concave-convex structure, but is not limited thereto. A lens may be further disposed on the molding member 21, and the lens may be selectively included among a convex lens, a convex lens having a concave portion at a central portion thereof, and a concave lens.

상기 몰딩부재(21)의 너비는 상기 지지부재(12)의 너비와 동일하거나, 더 좁게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The width of the molding member 21 may be the same as or more narrow than the width of the support member 12, but is not limited thereto.

상기 몰딩부재(21) 내에는 적어도 하나의 홈(22-1,22-2)이 형성될 수 있다. 상기 홈(22-1,22-2)은 상기 지지부재(12)의 상면에 대해 수직한 축을 기준으로 경사지게 형성될 수 있으며, 그 깊이는 상기 몰딩부재(21)의 상면으로부터 미리 설정된 깊이로 형성될 수 있다. 상기 홈(22-1,22-2)의 깊이는 상기 지지부재(12)의 상면과 이격되거나 상기 지지부재(12)의 상면이 노출되는 깊이로 형성될 수 있다. 상기 홈(22-1,22-2)는 오목부이거나 구멍일 수 있다. 상기 홈(22-1,22-2)은 상기 발광 칩(18)과 상기 몰딩부재(21)의 제1측면(S1) 사이에 배치되는 제1홈(22-1)과, 상기 발광 칩(18)과 상기 몰딩부재(21)의 제2측면(S2) 사이에 배치된 제2홈(22-2)을 포함할 수 있다.
At least one groove 22-1 and 22-2 may be formed in the molding member 21. The grooves 22-1 and 22-2 may be formed to be inclined with respect to an axis perpendicular to the upper surface of the support member 12, and a depth thereof is formed at a predetermined depth from an upper surface of the molding member 21. Can be. The depths of the grooves 22-1 and 22-2 may be formed to be spaced apart from the top surface of the support member 12 or to expose the top surface of the support member 12. The grooves 22-1 and 22-2 may be recesses or holes. The grooves 22-1 and 22-2 may include a first groove 22-1 disposed between the light emitting chip 18 and the first side surface S1 of the molding member 21, and the light emitting chip ( 18 and a second groove 22-2 disposed between the second side surface S2 of the molding member 21.

상기 형광체 필름(23,24)은 상기 홈(22-1,22-2)에 삽입된다. 상기 삽입된 형광체 필름(23,34)의 적어도 한 측면은 상기 몰딩부재(21)의 내부 면에 접착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The phosphor films 23 and 24 are inserted into the grooves 22-1 and 22-2. At least one side surface of the inserted phosphor films 23 and 34 may be adhered to an inner surface of the molding member 21, but is not limited thereto.

상기 형광체 필름(23,24)의 하면은 상기 지지부재(12)의 상면에 접촉되거나, 이격될 수 있다. 상기 형광체 필름(23,24)의 상면은 상기 몰딩부재(21)의 상면과 동일 평면 상에 배치되거나, 상기 몰딩부재(21)의 상면보다 더 낮거나 더 돌출되는 구조로 배치될 수 있다.Lower surfaces of the phosphor films 23 and 24 may contact or be spaced apart from the upper surface of the support member 12. Upper surfaces of the phosphor films 23 and 24 may be disposed on the same plane as the upper surface of the molding member 21 or may be disposed to have a lower or more protruding shape than the upper surface of the molding member 21.

상기 형광체 필름(23,24)은 제1홈(22-1)에 배치된 제1형광체 필름(23)과 제2홈(22-2)에 배치된 제2형광체 필름(24)을 포함한다. 상기 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)은 도 2와 같이 상기 발광 칩(18)으로부터 이격되며 서로 대향되게 배치된다. 상기 제1형광체 필름(23)은 제1홈(22-1)의 경사 구조를 따라 경사지게 배치될 수 있으며, 상기 제2형광체 필름(24)은 상기 제2홈(22-2)의 경사 구조를 따라 경사지게 배치될 수 있다. 상기 제2형광체 필름(24)의 경사 각도(θ1)는 상기 지지부재(12)의 상면을 기준으로 90도 초과 180도 미만으로서, 예컨대 91°~150°의 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1형광체 필름(23)의 경사 각도도 상기 제2형광체 필름(24)의 경사 각도의 범위로 형성될 수 있다. 상기 형광체 필름(23,24)은 상기 발광 칩(28)과의 간격보다는 상기 몰딩 부재(21)의 측면(S1,S2)과의 간격이 더 가깝게 배치될 수 있다.
The phosphor films 23 and 24 include a first phosphor film 23 disposed in the first groove 22-1 and a second phosphor film 24 disposed in the second groove 22-2. The first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 are spaced apart from the light emitting chip 18 and disposed to face each other as shown in FIG. 2. The first phosphor film 23 may be disposed to be inclined along the inclined structure of the first groove 22-1, and the second phosphor film 24 may have the inclined structure of the second groove 22-2. It may be disposed obliquely along. The inclination angle θ1 of the second phosphor film 24 is greater than 90 degrees and less than 180 degrees with respect to the upper surface of the support member 12, for example, may be formed in the range of 91 ° to 150 °. The inclination angle of the first phosphor film 23 may also be formed in the range of the inclination angle of the second phosphor film 24. The phosphor films 23 and 24 may be disposed closer to the side surfaces S1 and S2 of the molding member 21 than to the light emitting chip 28.

상기 제1형광체 필름(23)은 상기 발광 칩(18)과 상기 몰딩부재(21)의 제1측면(S1) 사이에 배치되며, 상기 제2형광체 필름(24)은 상기 발광 칩(18)과 상기 몰딩부재(21)의 제2측면(S2) 사이에 배치될 수 있다.The first phosphor film 23 is disposed between the light emitting chip 18 and the first side surface S1 of the molding member 21, and the second phosphor film 24 is connected to the light emitting chip 18. It may be disposed between the second side surface (S2) of the molding member (21).

상기 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)의 두께는 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)의 길이(L1)는 도 2와 같이 상기 몰딩부재(21)의 제3측면(S3)과 제4측면(S4) 사이의 너비로서, 서로 동일하거나 다를 수 있다.
The thickness of the first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 may be the same, but is not limited thereto. The length L1 of the first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 is the width between the third side surface S3 and the fourth side surface S4 of the molding member 21 as shown in FIG. 2. And may be the same or different from each other.

상기 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)은 동일한 종류의 형광체이거나, 서로 다른 종류의 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 제1형광체 필름(23)은 내부에 황색 형광체가 첨가되고, 상기 제2형광체 필름(24)은 내부에 청색 형광체 또는/및 적색 형광체가 첨가될 수 있다. 또한 상기 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)은 적어도 한 종류의 이상의 형광체가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 예컨대, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 may be the same kind of phosphors, or different kinds of phosphors may be added. The yellow phosphor may be added to the first phosphor film 23, and the blue phosphor or / and the red phosphor may be added to the second phosphor film 24. In addition, at least one kind of phosphor may be added to the first phosphor film 23 and the second phosphor film 24, but is not limited thereto. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, a blue phosphor, and a yellow phosphor. The phosphor may be selectively formed among, for example, YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride-based materials.

상기 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층 내에 첨가되어 제조된 후, 미리 설정된 필름 두께로 커팅하여 제공될 수 있다. 이러한 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)은 상기 몰딩부재(21)의 제1홈(22-1)과 제2홈(22-2)에 슬라이드식으로 삽입되고, 필요시 교체될 수 있다. 상기 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)은 결합 또는 분리가 가능함으로써, 형광체 함량이 다른 필름이나, 형광체 종류가 다른 필름을 교체하여 사용할 수 있다. 이는 발광 칩(18)을 몰딩부재(21)로 몰딩한 다음, 최종 패키지 단에서 제1 및 제2형광체 필름(23,24)을 교체하여 색좌표 분포를 조절할 수 있다. The first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 may be prepared by being added to a light transmitting resin layer such as silicon or epoxy, and then cut to a predetermined film thickness. The first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 are slidably inserted into the first grooves 22-1 and the second grooves 22-2 of the molding member 21, and are required. Can be replaced. Since the first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 can be combined or separated, a film having a different phosphor content or a film having a different phosphor type can be replaced. This may be achieved by molding the light emitting chip 18 with the molding member 21 and then replacing the first and second phosphor films 23 and 24 in the final package stage to adjust the color coordinate distribution.

상기 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)은 발열원인 상기 발광 칩(18)으로부터 이격됨으로써, 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)이 변색되거나, 형광체가 몰딩부재(21)의 바닥면에 가라앉는 문제를 해결할 수 있다.
The first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 are spaced apart from the light emitting chip 18 as a heating source, so that the first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 are discolored, It is possible to solve the problem that the phosphor sinks to the bottom surface of the molding member 21.

상기 몰딩부재(21)에는 제1형광체 필름(23) 및 상기 제2형광체 필름(24)과 동일한 종류의 형광체 또는 다른 종류의 형광체가 첨가될 수 있다. 예컨대, 상기 몰딩부재(21)의 형광체는 황색 형광체일 수 있으며, 상기 제1 및 제2형광체 필름(23,24)은 청색 형광체와 적색 형광체 중 적어도 하나가 첨가될 수 있다. 형광체 함량은 황색 형광체가 청색 형광체나 적색 형광체 보다는 많이 첨가될 수 있다.
The molding member 21 may include a phosphor of the same kind as the first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 or a different kind of phosphor. For example, the phosphor of the molding member 21 may be a yellow phosphor, and the first and second phosphor films 23 and 24 may include at least one of a blue phosphor and a red phosphor. In the phosphor content, more yellow phosphors may be added than blue phosphors or red phosphors.

상기 몰딩부재(21)의 적어도 한 측면(S1-S4)에는 반사층(25)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(25)은 상기 몰딩부재(21)의 2측면 또는 전 측면에 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(21)의 2측면에 형성된 반사층(25)은 서로 대향되거나, 서로 인접한 측면에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부재(21)의 전 측면(S1-S4)에 형성된 반사층(25)은 위에서 볼 때, 도 2와 같이 프레임 형상, 링 형상, 다각통 형상을 포함한다.A reflective layer 25 may be formed on at least one side surface S1-S4 of the molding member 21. The reflective layer 25 may be formed on two sides or all sides of the molding member 21. The reflective layers 25 formed on two sides of the molding member 21 may be disposed opposite to each other or adjacent to each other. Reflective layer 25 formed on the front side (S1-S4) of the molding member 21, as shown in FIG. 2 includes a frame shape, a ring shape, a polygonal cylinder shape.

상기 반사층(25)과 상기 형광체 필름(23,24)과의 최소 간격(T1)은 적어도 10㎛ 이상 이격될 수 있으며, 이러한 간격(T1)은 상기 형광체 필름(23,24)을 통과한 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 형광체 필름(23,24)은 상기 발광 칩(18)과의 간격보다 상기 반사층(25)과의 간격이 더 가깝게 배치될 수 있다. 상기 반사층(25)과 상기 형광체 필름(23,24)은 상기 몰딩 부재(21)의 두께(D1) 이상의 깊이로 각각 형성될 수 있다.The minimum distance T1 between the reflective layer 25 and the phosphor films 23 and 24 may be spaced at least 10 μm or more, and the gap T1 may transmit light passing through the phosphor films 23 and 24. Can be reflected. The phosphor films 23 and 24 may be disposed closer to the reflective layer 25 than to the light emitting chip 18. The reflective layer 25 and the phosphor films 23 and 24 may be formed to have a depth greater than or equal to the thickness D1 of the molding member 21.

상기 반사층(25)의 재질은 반사 시트이거나, 금속층일 수 있다. 상기 반사층(25)은 Ag, Ag alloy, Ni, Al, Al alloy, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The reflective layer 25 may be made of a reflective sheet or a metal layer. The reflective layer 25 may include at least one of Ag, Ag alloy, Ni, Al, Al alloy, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf.

상기 반사층(25)의 높이는 상기 몰딩부재(21)의 제1두께(D1)와 동일하거나, 더 낮거나 높게 형성될 수 있다. 상기 반사층(25)은 높이에 따라 광 반사율이 달라질 수 있으므로, 배광 분포를 고려하여 높이를 조절할 수 있다.The height of the reflective layer 25 may be equal to, lower, or higher than the first thickness D1 of the molding member 21. Since the light reflectance may vary depending on the height of the reflective layer 25, the height may be adjusted in consideration of the light distribution.

상기 몰딩부재(21)의 상면과, 상기 제1형광체 필름(23)의 상면, 상기 제2형광체 필름(24)의 상면, 상기 반사층(25)의 상면은 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1형광체 필름(23)의 상면과 상기 제2형광체 필름(24)의 상면 중 적어도 하나는 상기 몰딩부재(21)의 상면보다 더 돌출될 수 있으며, 형광체 필름의 교체를 용이하게 할 수 있다.
An upper surface of the molding member 21, an upper surface of the first phosphor film 23, an upper surface of the second phosphor film 24, and an upper surface of the reflective layer 25 may be disposed on the same plane. At least one of an upper surface of the first phosphor film 23 and an upper surface of the second phosphor film 24 may protrude more than an upper surface of the molding member 21, and may facilitate replacement of the phosphor film. .

도 3은 도 1의 형광체 필름을 변형한 예이다. 3 is an example in which the phosphor film of FIG. 1 is modified.

도 3을 참조하면, 몰딩부재(21) 내에 배치된 형광체 필름은 제 1내지 제4형광체 필름(23,24,23A,24A)을 포함한다. 제1형광체 필름(23)은 발광 칩(18)과 몰딩부재(21)의 제1측면(S1) 사이에 배치되며, 제2형광체 필름(24)은 발광 칩(18)과 몰딩부재(21)의 제2측면(S2) 사이에 배치되며, 제3형광체 필름(23A)은 발광 칩(18)과 몰딩부재(21)의 제3측면(S3) 사이에 배치되며, 제4형광체 필름(24A)은 발광 칩(18)과 몰딩부재(21)의 제4측면(S4) 사이에 배치된다. Referring to FIG. 3, the phosphor film disposed in the molding member 21 includes first to fourth phosphor films 23, 24, 23A, and 24A. The first phosphor film 23 is disposed between the light emitting chip 18 and the first side surface S1 of the molding member 21, and the second phosphor film 24 is the light emitting chip 18 and the molding member 21. Disposed between the second side surface S2 of the third phosphor film 23A is disposed between the light emitting chip 18 and the third side surface S3 of the molding member 21, and the fourth phosphor film 24A. Is disposed between the light emitting chip 18 and the fourth side surface S4 of the molding member 21.

상기 제1내지 제4형광체 필름(23,24,23A,24A)은 물리적으로 서로 분리되어, 개별적으로 홈(22-3) 내에 삽입될 수 있다. 상기 홈(22-3)은 다각형 또는 원 형상의 구멍일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1형광체 필름(23)과 상기 제2형광체 필름(24)은 서로 대향되며, 상기 제3형광체 필름(23A)과 상기 제4형광체 필름(24A)은 서로 대향되게 배치된다.The first to fourth phosphor films 23, 24, 23A, and 24A may be physically separated from each other, and may be individually inserted into the grooves 22-3. The groove 22-3 may be a polygonal or circular hole, but is not limited thereto. The first phosphor film 23 and the second phosphor film 24 face each other, and the third phosphor film 23A and the fourth phosphor film 24A are disposed to face each other.

상기 제1내지 제4형광체 필름(23,24,23A,24A)은 상기 발광 칩(18)의 측면을 커버하게 되며, 반사층(25)은 상기 제1 내지 제4형광체 필름(23,24,23A,24A)의 외측을 커버하게 된다.The first to fourth phosphor films 23, 24, 23A, and 24A cover side surfaces of the light emitting chip 18, and the reflective layer 25 includes the first to fourth phosphor films 23, 24, and 23A. , 24A) to cover the outside.

상기 몰딩부재(21)의 상면에서 상기 제1내지 제4형광체 필름(23,24,23A,24A)과 상기 반사층(25) 간의 간격은 동일할 수 있다.
An interval between the first to fourth phosphor films 23, 24, 23A, and 24A and the reflective layer 25 may be the same on the upper surface of the molding member 21.

도 4는 도 1의 형광체 필름의 다른 예이다.4 is another example of the phosphor film of FIG. 1.

도 4를 참조하면, 형광체 필름은 발광 칩(18)과 몰딩부재(21)의 제3측면(S3) 사이에 배치된 홈(22-4,22-5)에 삽입된 제3형광체 필름(23A)과, 발광 칩(18)과 몰딩부재(21)의 제4측면(S4) 사이에 형성된 홈(22-5)에 삽입된 배치된 제4형광체 필름(S4)을 포함한다. 여기서, 몰딩부재(21)의 상기 제3측면(S3)과 제4측면(S4)의 길이는 제1측면(S1)과 제2측면(S2)의 길이보다 길게 배치될 수 있다. Referring to FIG. 4, the phosphor film is a third phosphor film 23A inserted into grooves 22-4 and 22-5 disposed between the light emitting chip 18 and the third side surface S3 of the molding member 21. ) And a fourth phosphor film S4 inserted into a groove 22-5 formed between the light emitting chip 18 and the fourth side surface S4 of the molding member 21. The length of the third side surface S3 and the fourth side surface S4 of the molding member 21 may be longer than that of the first side surface S1 and the second side surface S2.

상기 제3형광체 필름(23A)과 상기 제4형광체 필름(24A)은 서로 대향되게 배치되며, 지지부재(12)의 제1전극층(21-1)의 너비와 동일하거나 더 넓은 간격(T2)으로 이격될 수 있다. 상기 제3형광체 필름(23A)과 상기 제4형광체 필름(24A)의 길이(L2)는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 상기 제3형광체 필름(23A)과 상기 제4형광체 필름(24A) 사이의 중앙에는 발광 칩(18)이 배치될 수 있다.
The third phosphor film 23A and the fourth phosphor film 24A are disposed to face each other, and are spaced apart from each other by a width T2 equal to or wider than the width of the first electrode layer 21-1 of the support member 12. Can be spaced apart. The length L2 of the third phosphor film 23A and the fourth phosphor film 24A may be the same or different from each other, and the center between the third phosphor film 23A and the fourth phosphor film 24A may be different. The light emitting chip 18 may be disposed.

도 5는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지이다.5 is a light emitting device package according to a second embodiment.

도 5를 참조하면, 발광소자 패키지(11A)는 지지부재(12), 발광 칩(18), 몰딩부재(21) 내에 복수의 홈(32-1,32-2) 및 복수의 형광체 필름(33,34)을 포함한다. 상기 복수의 홈(32-1,32-2)은 제1홈(32-1)과 제2홈(32-2)을 포함하며, 상기 복수의 형광체 필름(33,34)은 상기 제1홈(32-1)에 배치된 제1형광체 필름(33)과, 제2홈(32-2)에 배치된 제2형광체 필름(34)을 포함한다. 상기 제1홈(32-1)은 측 단면에서 볼 때 곡선형 구조로 형성되며, 상기 제2홈(32-2)은 측 단면에서 볼 때 곡선형 구조로 형성된다. 상기 제1홈(32-1)과 제2홈(32-2) 사이의 간격은 하부보다 상부가 더 이격되게 배치된다. 상기 곡선형 구조는 상기 홈(32-1,32-2)의 중심부가 몰딩부재(21)의 측면 방향으로 볼록한 구조로 정의할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1홈(32-1)과 제2홈(32-2)의 상면에서 볼 때, 곡선형 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1홈(32-1)과 제2홈(32-2)은 곡선형 구조이기 때문에, 그 깊이는 상기 몰딩부재(21)의 두께 이상의 깊이로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, the light emitting device package 11A includes a plurality of grooves 32-1 and 32-2 and a plurality of phosphor films 33 in the support member 12, the light emitting chip 18, and the molding member 21. , 34). The plurality of grooves 32-1 and 32-2 include a first groove 32-1 and a second groove 32-2, and the plurality of phosphor films 33 and 34 have the first grooves. The first phosphor film 33 disposed at 32-1 and the second phosphor film 34 disposed at the second groove 32-2 are included. The first groove 32-1 is formed in a curved structure when viewed from the side cross section, and the second groove 32-2 is formed in a curved structure when viewed from the side cross section. An interval between the first groove 32-1 and the second groove 32-2 is disposed to be spaced apart from the upper portion more than the lower portion. The curved structure may be defined as a structure in which the centers of the grooves 32-1 and 32-2 are convex in the lateral direction of the molding member 21, but are not limited thereto. When viewed from the top of the first groove 32-1 and the second groove 32-2, it may be formed in a curved structure. Since the first groove 32-1 and the second groove 32-2 have a curved structure, the depth of the first groove 32-1 and the second groove 32-2 may be greater than or equal to the thickness of the molding member 21.

상기 제1홈(32-1)에 삽입된 제1형광체 필름(33)은 곡선형 형태로 배치되며, 상기 제2홈(32-2)에 삽입된 제2형광체 필름(34)은 곡선형 형태로 배치된다. 상기 제1 및 제2형광체 필름(33,34)의 외 측면은 내 측면보다 더 넓은 면적을 갖고 곡면으로 배치되므로, 입사되거나 투과되는 광을 굴절시켜 줄 수 있다.The first phosphor film 33 inserted into the first groove 32-1 is disposed in a curved shape, and the second phosphor film 34 inserted into the second groove 32-2 is in a curved shape. Is placed. Since the outer side surfaces of the first and second phosphor films 33 and 34 have a larger area than the inner side surface and are disposed in a curved surface, the first and second phosphor films 33 and 34 may be refracted to incident or transmitted light.

상기 형광체 필름(33,34)은 발광 칩(18)의 양 측 방향 또는 모든 측 방향에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The phosphor films 33 and 34 may be disposed in both side directions or all side directions of the light emitting chip 18, but are not limited thereto.

반사층(35)은 상기 형광체 필름(33,34)의 외측에서 상기 형광체 필름(33,34)을 투과한 광을 반사하게 된다.
The reflective layer 35 reflects the light transmitted through the phosphor films 33 and 34 from the outside of the phosphor films 33 and 34.

도 6은 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.6 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a third embodiment.

도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지는 지지부재(12), 발광 칩(18), 몰딩부재(21) 내에 복수의 형광체 필름(43,44)과 반사층(45,46)을 포함한다.Referring to FIG. 6, the light emitting device package includes a support member 12, a light emitting chip 18, and a plurality of phosphor films 43 and 44 and reflective layers 45 and 46 in the molding member 21.

상기 복수의 형광체 필름(43,44)은 상기 발광 칩(18)과 상기 몰딩부재(21)의 제1측면(S1) 사이에 배치된 제1형광체 필름(43)과, 상기 발광 칩(18)과 상기 몰딩부재(21)의 제2측면(S2) 사이에 배치된 제2형광체 필름(44)을 포함한다. 상기 제1형광체 필름(43)과 상기 제2형광체 필름(44)은 상기 지지부재(12)의 상면에 대해 수직한 구조로 배치된다. The plurality of phosphor films 43 and 44 may include a first phosphor film 43 disposed between the light emitting chip 18 and the first side surface S1 of the molding member 21, and the light emitting chip 18. And a second phosphor film 44 disposed between the second side surface S2 of the molding member 21. The first phosphor film 43 and the second phosphor film 44 are arranged in a structure perpendicular to the upper surface of the support member 12.

여기서, 상기 제1형광체 필름(43)이 배치된 제1홈(42-1)은 수직한 형태로 형성되며, 상기 제2형광체 필름(44)이 배치된 제2홈(42-2)은 수직한 형태로 형성된다.Here, the first groove 42-1 on which the first phosphor film 43 is disposed is formed in a vertical shape, and the second groove 42-2 on which the second phosphor film 44 is disposed is vertical. It is formed in one form.

반사층(45,46)은 상기 몰딩부재(21)의 각 측면(S1,S2)으로부터 소정 간격(T3)으로 이격되게 배치되며, 경사진 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(45,46)은 상기 제1형광체 필름(43)과 상기 몰딩부재(21)의 제1측면(S1) 사이에 배치된 제1반사층(45), 상기 제2형광체 필름(44)과 상기 몰딩부재(21)의 제2측면(S2) 사이에 배치된 제2반사층(46)을 포함한다. The reflective layers 45 and 46 may be spaced apart from the side surfaces S1 and S2 of the molding member 21 at predetermined intervals T3, and may be inclined. The reflective layers 45 and 46 may include a first reflection layer 45 and a second phosphor film 44 disposed between the first phosphor film 43 and the first side surface S1 of the molding member 21. The second reflective layer 46 is disposed between the second side surface S2 of the molding member 21.

상기 제1반사층(45)은 경사진 제3홈(42-3) 내에 형성되며, 상기 제2반사층(46)은 경사진 제4홈(42-4) 내에 형성된다. 상기 제3홈(42-3)과 상기 제4홈(42-4)은 경사진 구조로 형성될 수 있으며, 그 깊이는 상기 몰딩 부재(21)의 두께 이상으로 형성될 수 있다.The first reflection layer 45 is formed in the inclined third groove 42-3, and the second reflection layer 46 is formed in the inclined fourth groove 42-4. The third groove 42-3 and the fourth groove 42-4 may be formed to have an inclined structure, and a depth of the third groove 42-3 and the fourth groove 42-4 may be formed to be greater than or equal to the thickness of the molding member 21.

상기 제1반사층(45)과 상기 제1형광체 필름(43) 사이의 간격은 하부 영역이 상부 영역보다 더 좁게 배치되며, 상기 제2반사층(46)과 상기 제2형광체 필름(44) 사이의 간격은 하부 영역이 상부 영역보다 더 좁게 배치될 수 있다. 상기 제1반사층(45)과 상기 제2반사층(46)이 경사진 구조로 배치됨으로써, 광 반사 효율과 지향각을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1 및 제2반사층(46)의 경사 각도(θ2)는 상기 지지부재(12)의 상면을 기준으로 30도 이상 90도 미만의 각도로 형성될 수 있다. The interval between the first reflecting layer 45 and the first phosphor film 43 is a lower region is disposed narrower than the upper region, the interval between the second reflecting layer 46 and the second phosphor film 44 The lower region may be arranged narrower than the upper region. Since the first reflection layer 45 and the second reflection layer 46 are disposed in an inclined structure, the light reflection efficiency and the directivity angle may be improved. The inclination angle θ2 of the first and second reflection layers 46 may be formed at an angle of 30 degrees or more and less than 90 degrees with respect to the upper surface of the support member 12.

여기서, 상기 형광체 필름(43,44)은 상기 발광 칩(18)의 둘레에 배치될 수 있으며, 상기 반사층(45,46)은 상기 발광 칩(18)의 둘레에 배치된 형광체 필름(43,44)의 외 측을 커버할 수 있도록 경사진 구조로 배치될 수 있다.
Here, the phosphor films 43 and 44 may be disposed around the light emitting chip 18, and the reflective layers 45 and 46 may be disposed around the light emitting chip 18. It may be arranged in an inclined structure to cover the outside of the).

도 7은 제4실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.7 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to a fourth embodiment.

도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지는 지지부재(12), 발광 칩(18), 몰딩부재(21) 내에 복수의 형광체 필름(43,44) 및 반사층(45A,46A)을 포함한다.Referring to FIG. 7, the light emitting device package includes a support member 12, a light emitting chip 18, a plurality of phosphor films 43 and 44, and reflective layers 45A and 46A in the molding member 21.

상기 복수의 형광체 필름(43,44)은 수직한 홈(42-1,42-2)에 배치된 제1형광체 필름(43)과 제2형광체 필름(44)을 포함한다. 상기 제1형광체 필름(43)과 상기 제2형광체 필름(44) 사이의 간격을 보면, 상부 영역 간의 간격과 하부 영역 간의 간격이 서로 동일할 수 있다.The plurality of phosphor films 43 and 44 include a first phosphor film 43 and a second phosphor film 44 disposed in vertical grooves 42-1 and 42-2. Looking at the interval between the first phosphor film 43 and the second phosphor film 44, the interval between the upper region and the lower region may be equal to each other.

상기 반사층(45A,46A)은 곡선형 구조를 갖는 홈(42-5,42-6) 내에 배치된 제1반사층(45A)과 제2반사층(46A)을 포함한다. 상기 제1반사층(45A)과 상기 제2반사층(46A) 사이의 간격은 하부 영역이 상부 영역보다 더 좁게 배치될 수 있다.
The reflective layers 45A and 46A include a first reflective layer 45A and a second reflective layer 46A disposed in the grooves 42-5 and 42-6 having a curved structure. An interval between the first reflective layer 45A and the second reflective layer 46A may be lower than that of the upper region.

도 8은 제5실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.8 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to a fifth embodiment.

도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지는 지지부재(13), 발광 칩(18), 몰딩부재(21) 내에 적어도 하나의 홈(52-1,52-2), 상기 홈(52-1,52-2) 내에 수평 방향으로 중첩된 형광체 필름(53,54)과 반사층(55,56)을 포함한다.Referring to FIG. 8, the light emitting device package may include at least one groove 52-1 and 52-2 and the groove 52-1 and 52 in the support member 13, the light emitting chip 18, and the molding member 21. -2) phosphor films 53 and 54 and reflective layers 55 and 56 superposed in the horizontal direction.

상기 홈(52-1,52-2)은 도 2와 같이 서로 이격되게 배치되거나, 도 3과 같이 서로 연결된 구조로 형성될 수 있다.The grooves 52-1 and 52-2 may be spaced apart from each other as shown in FIG. 2, or may be formed in a structure connected to each other as shown in FIG. 3.

상기 형광체 필름(53,54)의 외 측면에 반사층(55,56)이 접촉되게 배치된다.The reflective layers 55 and 56 are in contact with the outer side surfaces of the phosphor films 53 and 54.

상기 형광체 필름(53,54)과 상기 반사층(55,56)의 높이는 동일한 높이이거나, 상기 반사층(55,56)이 상기 형광체 필름(53,54)의 높이보다 더 높게 배치될 수 있다.
The heights of the phosphor films 53 and 54 and the reflective layers 55 and 56 may be the same height, or the reflective layers 55 and 56 may be higher than the heights of the phosphor films 53 and 54.

상기 형광체 필름(53,54)과 반사층(55,56)이 각각의 홈(52-1,52-2)에 수평 방향으로 겹쳐 각각 배치됨으로써, 상기 반사층(55,56)을 별도로 삽입하는 문제를 해결할 수 있다. 상기 형광체 필름(53,54)과 반사층(55,56)을 미리 일체로 제조한 후, 상기 홈(52-1,52-2)에 삽입하거나 제거할 수 있어, 교체가 간편하다. The phosphor films 53 and 54 and the reflecting layers 55 and 56 overlap the grooves 52-1 and 52-2 in the horizontal direction, respectively, so that the reflecting layers 55 and 56 are separately inserted. I can solve it. Since the phosphor films 53 and 54 and the reflective layers 55 and 56 are integrally manufactured in advance, the phosphor films 53 and 54 may be inserted into or removed from the grooves 52-1 and 52-2, thereby simplifying replacement.

상기 반사층(55,56)은 별도의 시트로 제공되거나, 상기 형광체 필름(53,54)에 코팅된 반사 코팅층일 수 있다.The reflective layers 55 and 56 may be provided as separate sheets or may be reflective coating layers coated on the phosphor films 53 and 54.

여기서, 지지부재(13)는 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB), 실리콘(silicon) 또는 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC)와 같은 실리콘 계열, 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN)과 같은 세라믹 계열, 폴리프탈아마이드(polyphthalamide: PPA)와 같은 수지 계열, 고분자액정(Liquid Crystal Polymer), 바닥에 금속층을 갖는 PCB(MCPCB: Metal core PCB) 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이러한 재질로 한정하지는 않는다. Here, the support member 13 is a resin-based printed circuit board (PCB), silicon (silicon) or silicon carbide (silicon carbide (SiC)), such as silicon-based, ceramic nitride such as aluminum nitride (Aluminum nitride (AlN)), poly It may be formed of at least one of a resin series such as phthalamide (polyphthalamide (PPA)), a liquid crystal polymer (PCB), and a metal core PCB (MCPCB) having a metal layer on the bottom thereof, but is not limited thereto.

상기 지지부재(13)는 제1금속층(13-1)과 제2리드부(13-3)가 상기 지지부재(13)의 제1측면을 통해 서로 연결될 수 있으며, 제2금속층(13-2)과 제2리드부(13-4)가 상기 지지부재(13)의 제2측면을 통해 서로 연결될 수 있다.
The support member 13 may have a first metal layer 13-1 and a second lead portion 13-3 connected to each other through a first side surface of the support member 13, and a second metal layer 13-2. ) And the second lead portion 13-4 may be connected to each other through the second side surface of the support member 13.

도 9는 제6실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.9 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to a sixth embodiment.

도 9를 참조하면, 발광 소자 패키지는 지지부재(13), 발광 칩(18), 지지부재(12) 위에 배치된 몰딩부재(21) 내에 형광체 필름(63,64)과 반사층(65,66)을 포함한다. 상기 형광체 필름(63,64)과 반사층(65,66)은 하나의 페어 구조로 밀착되어 배치되고, 상기 형광체 필름(63,64)과 상기 반사층(65,66)의 구조를 경사진 홈(62-1,62-2)에 배치한다. 이에 따라 상기 형광체 필름(63,64)과 상기 반사층(65,66)이 경사진 구조로 제공됨으로써, 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다.Referring to FIG. 9, the light emitting device package includes phosphor films 63 and 64 and reflective layers 65 and 66 in a molding member 21 disposed on the support member 13, the light emitting chip 18, and the support member 12. It includes. The phosphor films 63 and 64 and the reflective layers 65 and 66 are arranged in close contact with each other in a pair structure, and the grooves 62 inclined the structures of the phosphor films 63 and 64 and the reflective layers 65 and 66. -1,62-2). Accordingly, the phosphor films 63 and 64 and the reflective layers 65 and 66 may be provided in an inclined structure, thereby improving light reflection efficiency.

또한 상기 반사층(65,66)의 일면 상에 형광체 필름(63,64)이 배치됨으로써, 파장 변환된 광을 반사를 효과적으로 수행할 수 있다.In addition, since the phosphor films 63 and 64 are disposed on one surface of the reflective layers 65 and 66, the wavelength-converted light may be effectively reflected.

상기 형광체 필름(63,64)과 상기 반사층(65,66)은 도 5와 같이, 측 단면에서 볼 때 또는 상면에서 볼 때 곡선형 구조로 형성될 수 있다.
The phosphor films 63 and 64 and the reflective layers 65 and 66 may be formed in a curved structure when viewed from a side cross section or as viewed from an upper surface as shown in FIG. 5.

도 10은 제7실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.10 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to a seventh embodiment.

도 10을 참조하면, 발광 소자 패키지는 지지부재(12), 발광 칩(18), 지지부재(12) 상에 제1몰딩부재(21-1)와 제2몰딩부재(21-2)를 포함하는 몰딩부재(21), 반사층(75,76)을 포함한다.Referring to FIG. 10, the light emitting device package includes a support member 12, a light emitting chip 18, and a first molding member 21-1 and a second molding member 21-2 on the support member 12. And a molding member 21 and reflective layers 75 and 76.

상기 지지부재(12) 상에 상기 제1몰딩부재(21-1)를 형성된 다음, 제1홈(72-1) 및 제2홈(72-1)을 형성하고, 상기 제1홈(72-1) 및 제2홈(72-1) 내에 제1형광체 필름(73) 및 제2형광체 필름(74)을 각각 삽입하게 된다. 그리고, 상기 제1몰딩부재(21-1) 위에 제2몰딩부재(22-2)를 형성한 다음, 제3홈(72-3) 및 제4홈(72-4)을 각각 형성하게 된다. 상기 제3홈(72-3) 및 제4홈(72-4) 내에 반사층(75,76)을 각각 형성하게 된다. 상기 제1홈(72-1) 및 제2홈(72-1)의 깊이는 상기 발광 칩(18)보다 적어도 두꺼운 깊이를 갖고, 상기 제1몰딩부재(21-1)의 두께와 동일하거나 상기 제1몰딩부재(21-1)의 두께 이상의 깊이로 형성될 수 있다.After the first molding member 21-1 is formed on the support member 12, a first groove 72-1 and a second groove 72-1 are formed, and the first groove 72-is formed. 1) and the first phosphor film 73 and the second phosphor film 74 are respectively inserted into the second grooves 72-1. The second molding member 22-2 is formed on the first molding member 21-1, and then a third groove 72-3 and a fourth groove 72-4 are formed, respectively. Reflective layers 75 and 76 are formed in the third and fourth grooves 72-3 and 72-4, respectively. The depths of the first grooves 72-1 and the second grooves 72-1 have a depth that is at least thicker than that of the light emitting chip 18, and is equal to or greater than the thickness of the first molding member 21-1. The first molding member 21-1 may have a depth greater than or equal to the thickness thereof.

상기 제1몰딩부재(21-1) 내의 제1 및 제2홈(72-1,72-2) 각각에는 형광체 필름(73,74)이 상기 발광 칩(18)의 적어도 양 측과 대응되게 배치되며, 상기 반사층(75,76)은 상기 제1 및 제2몰딩부재(21-1,21-2) 내에서 상기 형광체 필름(73,74)의 외측을 커버하게 된다.In each of the first and second grooves 72-1 and 72-2 in the first molding member 21-1, phosphor films 73 and 74 are disposed to correspond to at least both sides of the light emitting chip 18. The reflective layers 75 and 76 cover outer sides of the phosphor films 73 and 74 in the first and second molding members 21-1 and 21-2.

상기 형광체 필름(73,74)의 높이는 상기 몰딩부재(21)의 제1두께보다 낮고 상기 제1몰딩부재(21-1)의 두께(T4)와 동일한 두께로 형성될 수 있다. 상기 형광체 필름(73,74)은 수직하거나 경사지게 배치되며, 상기 반사층(75,76)은 경사지거나 곡선형 구조로 형성될 수 있다.The heights of the phosphor films 73 and 74 may be lower than the first thickness of the molding member 21 and have the same thickness as the thickness T4 of the first molding member 21-1. The phosphor films 73 and 74 may be vertically or inclined, and the reflective layers 75 and 76 may be inclined or curved.

다른 예로서, 반사층은 상기 몰딩부재(21)의 적어도 2측면 또는 전 측면에 상기 형광체 필름(73,74)의 외 측면을 커버하기 위해 형성될 수 있다.As another example, the reflective layer may be formed on at least two sides or all sides of the molding member 21 to cover the outer side surfaces of the phosphor films 73 and 74.

실시 예(들)에 따른 상기 몰딩부재 내에는 산란제가 배치될 수 있으며, 상기의 산란되는 산화물 재지로서, 상기 몰딩부재의 굴절률보다 더 높은 굴절률을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 또한 상기 몰딩부재의 표면에 형광체층이 더 도포될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A scattering agent may be disposed in the molding member according to the embodiment (s), and the scattering oxide material may include a material having a refractive index higher than that of the molding member. In addition, the phosphor layer may be further applied to the surface of the molding member, but is not limited thereto.

<발광 칩> <Light Emitting Chip>

실시 예에 따른 발광 칩은 도 11 및 도 12를 예를 참조하여, 설명하기로 한다. A light emitting chip according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 11 and 12.

도 11를 참조하면, 발광 칩(18)은 발광 구조물(110) 아래에 오믹층(121)이 형성되며, 상기 오믹층(121) 아래에 반사층(124)이 형성되며, 상기 반사층(124) 아래에 지지부재(125)가 형성되며, 상기 반사층(124)과 상기 발광 구조물(110)의 둘레에 보호층(123)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 11, in the light emitting chip 18, an ohmic layer 121 is formed below the light emitting structure 110, a reflective layer 124 is formed below the ohmic layer 121, and below the reflective layer 124. The support member 125 may be formed on the passivation layer, and a protective layer 123 may be formed around the reflective layer 124 and the light emitting structure 110.

이러한 발광 칩(18)는 제2도전형 반도체층(115) 아래에 오믹층(121) 및 채널층(123), 반사층(125) 및 지지부재(125)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다. The light emitting chip 18 forms an ohmic layer 121, a channel layer 123, a reflective layer 125, and a support member 125 under the second conductive semiconductor layer 115, and then removes the growth substrate. Can be formed.

상기 오믹층(121)은 발광 구조물(110)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(115)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 오믹층(121) 내부는 전극(116)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.The ohmic layer 121 is in ohmic contact with the lower layer of the light emitting structure 110, for example, the second conductive semiconductor layer 115, and the material may be selected from a metal oxide, a metal nitride, an insulating material, and a conductive material. Indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and any combination of these Can be formed. In addition, the metal material and the light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO can be used in a multilayer structure. For example, IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / / Ag / Ni or the like. An inside of the ohmic layer 121 may further include a layer blocking current so as to correspond to the electrode 116.

상기 보호층(123)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(123)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(124)와 같은 금속이 발광 구조물(110)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.The protective layer 123 may be selected from a metal oxide or an insulating material, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), or IGZO. (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 . The protective layer 123 may be formed using a sputtering method or a deposition method, and may prevent a metal such as the reflective layer 124 from shorting the layers of the light emitting structure 110.

상기 반사층(124)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(124)은 상기 발광 구조물(110)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The reflective layer 124 may be formed of a material including metals such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and optional combinations thereof. The reflective layer 124 may be formed larger than the width of the light emitting structure 110, which may improve the light reflection efficiency.

상기 지지부재(125)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(125)와 상기 반사층(124) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The support member 125 is a base substrate and is a metal such as copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W) or a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC). A bonding layer may be further formed between the support member 125 and the reflective layer 124, and the bonding layer may bond the two layers to each other. The disclosed light emitting chip is one example and is not limited to the features disclosed above. The light emitting chip may be selectively applied to the above embodiment of the light emitting device, but is not limited thereto.

도 12의 발광 칩은 도 11과 다른 구조를 나타낸다.The light emitting chip of FIG. 12 has a structure different from that of FIG.

도 12를 참조하면, 발광 칩(28)은 기판(111), 버퍼층(112), 제1도전형 반도체층(113), 활성층(114), 제2도전형 반도체층(115), 제1 전극(116), 및 제2전극(117)을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(113), 활성층(114) 및 제2도전형 반도체층(115)은 발광 구조물(110)로 정의될 수 있다.Referring to FIG. 12, the light emitting chip 28 may include a substrate 111, a buffer layer 112, a first conductive semiconductor layer 113, an active layer 114, a second conductive semiconductor layer 115, and a first electrode. 116, and a second electrode 117. The first conductive semiconductor layer 113, the active layer 114, and the second conductive semiconductor layer 115 may be defined as the light emitting structure 110.

상기 기판(111)은 투광성, 절연성 기판, 또는 전도성 기판일 수 있으며, 예컨대 사파이어 기판(Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga2O3, 그리고 GaAs으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 기판(111)은 성장 기판일 수 있으며, 상기 성장 기판 위에는 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체로 성장될 수 있다. The substrate 111 may be a light transmissive, insulating substrate, or a conductive substrate, for example, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga 2 O 3 , and GaAs Can be selected from. The substrate 111 may be a growth substrate, and has a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1) on the growth substrate. It can be grown into a semiconductor.

상기 버퍼층(112)은 상기 기판(111)과 반도체와의 격자 상수 차이를 완화시켜 주기 위한 층으로서, 2족 내지 6족 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(112)위에는 언도핑된 3족-5족 화합물 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The buffer layer 112 is a layer for alleviating the difference in lattice constant between the substrate 111 and the semiconductor, and may be formed of a group 2 to group 6 compound semiconductor. An undoped group III-V compound semiconductor layer may be further formed on the buffer layer 112, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(112) 위에는 제1도전형 반도체층(113)이 형성되고, 상기 제1도전형 반도체층(113) 위에는 활성층(124)이 형성되며, 상기 활성층(124) 위에는 제2도전형 반도체층(115)이 형성된다. A first conductive semiconductor layer 113 is formed on the buffer layer 112, an active layer 124 is formed on the first conductive semiconductor layer 113, and a second conductive semiconductor layer is formed on the active layer 124. 115 is formed.

상기 제1도전형 반도체층(113)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형이 N형 반도체인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(114)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first conductive semiconductor layer 113 is a compound semiconductor of Group III-V elements doped with a first conductive dopant, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like can be selected. When the first conductive type is an N type semiconductor, the first conductive type dopant includes an N type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductive semiconductor layer 114 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조, 양자 선 구조, 양자 점 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(114)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층의 주기, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다. The active layer 114 may be formed of a single quantum well structure, a multiple quantum well structure, a quantum line structure, or a quantum dot structure. The active layer 114 may be formed with a period of a well layer and a barrier layer, for example, an InGaN well layer / GaN barrier layer or an InGaN well layer / AlGaN barrier layer, using a compound semiconductor material of Group III-V group elements. have.

상기 활성층(114)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.A conductive clad layer may be formed on or under the active layer 114, and the conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor.

상기 활성층(114) 위에는 상기 제2도전형 반도체층(115)이 형성되며, 상기 제 2도전형 반도체층(115)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2도전형이 P형 반도체인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 Mg, Ze 등과 같은 P형 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(115)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있고, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductive semiconductor layer 115 is formed on the active layer 114, and the second conductive semiconductor layer 115 is a compound semiconductor of a group III-V group element doped with a second conductive dopant. GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like. When the second conductive type is a P type semiconductor, the second conductive type dopant includes a P type dopant such as Mg and Ze. The second conductive semiconductor layer 115 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

또한 상기 제2도전형 반도체층(115) 위에는 제3도전형 반도체층 예컨대, N형 반도체층이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(135)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합, P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나가 형성될 수 있다. In addition, a third conductive semiconductor layer, for example, an N-type semiconductor layer, may be formed on the second conductive semiconductor layer 115. The light emitting structure 135 may have at least one of an N-P junction, a P-N junction, an N-P-N junction, and a P-N-P junction structure.

상기 제2도전형 반도체층(115) 위에는 전류 확산층이 형성될 수 있으며, 상기 전류 확산층은 투광성 전도층일 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) 등에서 선택적으로 형성될 수 있다. A current spreading layer may be formed on the second conductive semiconductor layer 115, and the current spreading layer may be a transparent conductive layer, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium zinc tin oxide (IZTO). ), Selectively formed from indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO) Can be.

상기 제1도전형 반도체층(113) 위에는 제1전극(116)이 형성되며, 제2도전형 반도체층(115) 위에는 제2전극(117)이 형성될 수 있다. 상기 제1전극(116) 및 제2전극(117)은 와이어를 통해 다른 지지부재의 금속층에 연결될 수 있다.
The first electrode 116 may be formed on the first conductive semiconductor layer 113, and the second electrode 117 may be formed on the second conductive semiconductor layer 115. The first electrode 116 and the second electrode 117 may be connected to a metal layer of another support member through a wire.

<조명 시스템><Lighting system>

상기에 개시된 실시 예(들)의 발광 소자는 발광 칩을 패키징한 구조로서, 보드 상에 복수개 배치하여 발광 모듈이나 라이트 유닛 등과 같은 조명 시스템에 제공될 수 있다. 상기의 실시 예 중 선택된 발광 소자를 조명 시스템에 적용될 수 있다.The light emitting device of the embodiment (s) disclosed above is a structure in which a light emitting chip is packaged, and a plurality of light emitting devices may be disposed on a board and provided to a lighting system such as a light emitting module or a light unit. The light emitting device selected from the above embodiments may be applied to a lighting system.

실시예에 따른 발광 소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 13 및 도 14에 도시된 표시 장치, 도 15에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may be applied to the light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged, and includes a display device as shown in FIGS. 13 and 14 and a lighting device as shown in FIG. have.

도 13은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 13 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 13을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 13, the display apparatus 1000 according to the exemplary embodiment includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 that provides light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061, a light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflective member 1022 on the optical sheet 1051. The bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사부재(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective member 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 diffuses light to serve as a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 바텀커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(11)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(11)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 1031 may be disposed in the bottom cover 1011, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device package 11 according to the exemplary embodiment disclosed above, and the light emitting device package 11 may be arranged on the substrate 1033 at predetermined intervals. have.

상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(11)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto. When the light emitting device package 11 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat dissipation plate may contact the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광 소자 패키지(11)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(11)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting device packages 11 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device package 11 may directly or indirectly provide light to a light incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflection 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 may improve the luminance of the light unit 1050 by reflecting light incident to the lower surface of the light guide plate 1041 and pointing upward. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 may be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light transmissive sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and / or vertical prism sheet focuses the incident light into the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Here, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light emitting module 1031, but are not limited thereto.

도 14는 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다. 14 is a diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment.

도 14를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자 패키지(11)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 14, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the light emitting device package 11 disclosed above is arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155. .

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자 패키지(11)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The substrate 1120 and the light emitting device package 11 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a poly methy methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and vertical prism sheets focus the incident light onto the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, condensing, etc. of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 15는 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.15 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 15를 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15, the lighting device 1500 may include a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, and a connection terminal installed in the case 1510 and receiving power from an external power source. 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having good heat dissipation, for example, may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(11)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(11)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 11 according to an embodiment mounted on the substrate 1532. The plurality of light emitting device packages 11 may be arranged in a matrix form or spaced apart at predetermined intervals.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrates and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that reflects light efficiently, or a surface may be coated with a color, for example, white or silver, in which the light is efficiently reflected.

상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(11)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(11) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 11 may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 11 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a colored light emitting diode emitting red, green, blue or white colored light, and a UV emitting diode emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(11)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 11 to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

11,11A: 발광 소자 패키지 12,13: 지지부재
21: 몰딩부재 18: 발광 칩
23,23A,24,24A,33,34,43,44,53,54,63,64,73,74: 형광체 필름
25,35,45,45A,46A,55,56,65,66,75,76: 반사층
11, 11A: light emitting device package 12, 13: support member
21: molding member 18: light emitting chip
23,23A, 24,24A, 33,34,43,44,53,54,63,64,73,74: phosphor film
25,35,45,45A, 46A, 55,56,65,66,75,76: reflective layer

Claims (18)

제1금속층 및 제2금속층을 갖는 지지부재;
상기 지지부재의 제1금속층 및 제2금속층과 전기적으로 연결되며, 상기 제1금속층 및 상기 제2금속층 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩;
상기 지지부재의 위에 형성되고 상기 발광 칩을 덮는 몰딩부재;
상기 몰딩부재 내에 형성되며 상기 몰딩 부재의 측면과 상기 발광 칩 사이의 영역에 배치된 제1홈;
상기 형광체 필름의 외측에 배치된 반사층; 및
상기 제1홈 내에 배치된 형광체 필름을 포함하는 발광 소자 패키지.
A support member having a first metal layer and a second metal layer;
A light emitting chip electrically connected to the first metal layer and the second metal layer of the support member and disposed on at least one of the first metal layer and the second metal layer;
A molding member formed on the support member and covering the light emitting chip;
A first groove formed in the molding member and disposed in an area between the side surface of the molding member and the light emitting chip;
A reflective layer disposed outside the phosphor film; And
A light emitting device package comprising a phosphor film disposed in the first groove.
제1항에 있어서, 상기 제1홈과 상기 몰딩부재의 측면들 중 적어도 한 측면 사이에 배치된 제2홈을 포함하며,
상기 반사층은 상기 제2홈 내에 배치되는 발광 소자 패키지.
The method of claim 1, further comprising a second groove disposed between the first groove and at least one of the side surfaces of the molding member,
The reflective layer is a light emitting device package disposed in the second groove.
제1항에 있어서, 상기 반사층은 상기 몰딩 부재의 양 측면 또는 모든 측면에 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the reflective layer is disposed on both or all sides of the molding member. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1홈은 상기 발광 칩의 양 측면과 상기 몰딩부재의 제1측면과 제2측면 사이에 각각 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1 or 2, wherein the first groove is disposed between both side surfaces of the light emitting chip and the first side surface and the second side surface of the molding member. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1홈은 상기 발광 칩과 상기 몰딩부재의 전 측면들 사이에 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 1 or 2, wherein the first groove is disposed between all the side surfaces of the light emitting chip and the molding member. 제1항에 있어서, 상기 제1홈은 상기 지지부재의 상면에 대해 수직하거나 경사지게 배치되는 발광 소자 패키지. The light emitting device package of claim 1, wherein the first groove is vertically or inclined with respect to an upper surface of the support member. 제2항에 있어서, 상기 제1홈과 제2홈 중 적어도 하나는 상기 지지부재의 상면에 대해 수직하거나 경사지게 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 2, wherein at least one of the first and second grooves is disposed perpendicularly or inclined with respect to an upper surface of the support member. 제1항에 있어서, 상기 제1홈은 측 단면에서 볼 때, 곡선형 구조로 형성되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the first groove has a curved structure when viewed from a side cross section. 제2항에 있어서, 상기 제1홈과 제2홈 중 적어도 하나는 측 단면에서 볼 때, 곡선형 구조로 형성되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 2, wherein at least one of the first groove and the second groove is formed in a curved structure when viewed in a side cross section. 제6항 또는 제8항에 있어서, 상기 반사층은 상기 제1홈 내에서 상기 형광체 필름의 외측에 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 6 or 8, wherein the reflective layer is disposed outside the phosphor film in the first groove. 제2항에 있어서, 상기 제1홈과 제2홈 중 어느 하나는 상기 지지부재의 상면에 대해 수직하거나 경사지게 배치되며, 다른 하나는 측 단면이 곡선형 구조로 형성되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 2, wherein one of the first and second grooves is disposed perpendicularly or inclined with respect to an upper surface of the support member, and the other has a side cross section having a curved structure. 제1항에 있어서, 상기 제1홈은 상기 몰딩 부재의 상면으로부터 상기 몰딩 부재의 두께 이상의 깊이로 형성되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the first groove is formed to have a depth greater than or equal to the thickness of the molding member from an upper surface of the molding member. 제2항에 있어서, 상기 제1홈 및 제2홈 중 적어도 하나는 상기 몰딩 부재의 상면으로부터 상기 몰딩 부재의 두께 이상의 깊이로 형성되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 2, wherein at least one of the first groove and the second groove is formed to have a depth greater than or equal to the thickness of the molding member from an upper surface of the molding member. 제2항에 있어서, 상기 몰딩 부재는 상기 지지부재 상에 배치된 제1몰딩 부재; 및 상기 제1몰딩 부재 상에 배치된 제2몰딩 부재를 포함하며,
상기 제1홈은 상기 제1몰딩부재에 형성되며,
상기 제2홈은 상기 제1몰딩 부재와 상기 제2몰딩 부재에 형성되는 발광 소자 패키지.
The method of claim 2, wherein the molding member comprises: a first molding member disposed on the support member; And a second molding member disposed on the first molding member,
The first groove is formed in the first molding member,
The second groove is a light emitting device package formed in the first molding member and the second molding member.
제1항에 있어서, 상기 형광체 필름은 상기 발광 칩과의 간격보다는 상기 몰딩 부재의 측면과의 간격이 더 가깝게 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the phosphor film is disposed closer to the side surface of the molding member than to the light emitting chip. 제1항에 있어서, 상기 지지부재의 바닥에 배치된 제1리드부 및 제2리드부;
상기 제1금속층과 상기 제1리드부는 상기 지지부재의 내부 또는 측면을 통해 서로 연결되며,
상기 제2금속층과 상기 제2리드부는 상기 지지부재의 내부 또는 측면을 통해 서로 연결되는 발광 소자 패키지.
The display apparatus of claim 1, further comprising: a first lead portion and a second lead portion disposed on a bottom of the support member;
The first metal layer and the first lead portion are connected to each other through the inside or side of the support member,
The second metal layer and the second lead portion is a light emitting device package connected to each other through the inside or side of the support member.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체 필름은 상기 발광 칩과의 간격보다 상기 반사층과의 간격이 더 가까운 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to any one of claims 1 to 3, wherein the phosphor film is closer to the reflective layer than to the light emitting chip. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체 필름과 상기 반사층은 상기 몰딩 부재의 두께 이상의 높이로 각각 배치되는 발광 소자 패키지.
The light emitting device package according to any one of claims 1 to 3, wherein the phosphor film and the reflective layer are each disposed at a height equal to or greater than a thickness of the molding member.
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