KR20130033829A - Liquid crystal display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display device and a method for manufacturing the same are provided to connect a pixel bar to a pad, to form a second protection layer and a pixel electrode at the same time using a halftone mask, and to prevent the contact fault of the pixel bar. CONSTITUTION: A second contact hole(185) is formed on a second protection layer on a pixel bar(244). A pixel electrode is formed on the second contact hole. The pixel bar is connected to a pad(242) using a bridge layer(280) composed of a contact pattern and a lower metal. Even if the pixel electrode is collapsed in a contact area, the connection between the pad and the pixel bar using the bridge layer prevents the disconnection of the contact.

Description

액정 표시장치와 이의 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Liquid crystal display and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 액정 표시장치에 관한 것으로, 특히 하프톤 마스크(Half tone mask)를 이용한 단일 마스크 공정으로 보호층(PAS)과 픽셀 전극을 동시에 형성하여 제조 효율을 높임과 아울러, 패드 영역에서 픽셀 전극의 유실로 인한 컨택 불량을 방지할 수 있는 액정 표시장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and in particular, by forming a protective layer (PAS) and a pixel electrode at the same time in a single mask process using a half tone mask to increase manufacturing efficiency, The present invention relates to a liquid crystal display and a method for manufacturing the same, which can prevent contact failure due to loss.

최근에 들어 액정 표시장치에 터치 스크린의 적용에 있어서, 슬림(Slim)화를 위해 액정 패널에 터치 스크린이 내장된 형태로 개발이 이루어지고 있다. 특히, 하부기판에 형성된 공통 전극을 터치 센싱 전극으로 활용하는 인-셀 터치(in-cell touch) 타입의 액정 표시장치가 개발되고 있다.Recently, in the application of a touch screen to a liquid crystal display, development has been made in a form in which a touch screen is embedded in a liquid crystal panel for slimming. In particular, an in-cell touch type liquid crystal display using a common electrode formed on a lower substrate as a touch sensing electrode has been developed.

도 1은 종래 기술에 따른 액정 표시장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 종래 기술에 따른 액정 표시장치 픽셀 구조를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a liquid crystal display device according to the prior art, Figure 2 is a view showing a pixel structure of the liquid crystal display device according to the prior art.

도 1 및 도 2에서는 FFS(Fringe Field Switch) 모드의 TFT 어레이 기판(하부 기판) 구조를 나타내고 있으며, 인셀 터치 타입으로 터치 스크린이 TFT 어레이 기판에 내장된 것을 도시하고 있다.1 and 2 illustrate a TFT array substrate (lower substrate) structure in a FFS (Fringe Field Switch) mode, and show that a touch screen is embedded in a TFT array substrate in an in-cell touch type.

도 1 및 도 2에서는 컬러필터 어레이 기판(상부 기판) 및 액정층과, 액정 패널을 구동시키기 위한 구동 회로부의 도시는 생략되었다.1 and 2, illustration of a color filter array substrate (upper substrate) and a liquid crystal layer, and a driving circuit portion for driving the liquid crystal panel is omitted.

TFT 어레이 기판에는 화상이 표시되는 표시 영역(1)이 형성되고, 외곽부의 비 표시영역에 복수의 패드부(3, 4, 5)가 형성된다.The display area 1 in which an image is displayed is formed in a TFT array substrate, and the some pad part 3, 4, 5 is formed in the non-display area of an outer part.

표시 영역(1)에는 복수의 픽셀(pixel)이 형성된다.A plurality of pixels is formed in the display area 1.

복수의 패드부(3, 4, 5)는 유닛 온-오프 패드부(3, unit_on-off_pad), 유닛 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(4, unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting) 및 범프 인풋 더미/범프 아웃풋 더미(5, bump_input_dmy, bump_output_dmy)로 구성된다.The plurality of pad portions 3, 4, and 5 may include a unit on-off pad portion 3, a unit FPC pad portion / unit FPC shorting connection 4, unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting, and bump input dummy / bump output dummy. (5, bump_input_dmy, bump_output_dmy).

도 1에서는 패널의 상단부 외곽에 패드부가 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 패널의 좌우측 외곽 및 하단부 외곽에도 패드부가 형성될 수 있다.In FIG. 1, the pad part is formed outside the upper end of the panel, but the pad part may also be formed on the left and right outer sides and the lower end of the panel.

표시 영역에 형성된 복수의 픽셀(pixel) 각각은 서로 교차하는 데이터 라인들(미도시)과 게이트 라인들(미도시)에 의해 정의된다. 상기 데이터 라인들과 상기 게이트 라인들이 교차되는 영역 마다 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)가 형성된다.Each of the pixels formed in the display area is defined by data lines (not shown) and gate lines (not shown) that cross each other. A thin film transistor (TFT) is formed in each region where the data lines intersect the gate lines.

도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 액정 표시장치의 픽셀(pixel)은 글래스 기판(10) 상에 형성된 TFT, 공통 전극(60) 및 픽셀 전극(90)을 포함한다.Referring to FIG. 2, a pixel of the liquid crystal display according to the related art includes a TFT, a common electrode 60, and a pixel electrode 90 formed on the glass substrate 10.

구체적으로, 픽셀은 차광층(20, light shield), 버퍼층(22, buffer layer), TFT, 게이트 절연층(36, GI: gate insulator), 층간 절연층(40, ILD: Inter Layer Dielectric), 복수의 보호층(50, 80: PAS1, PAS2), 데이터 컨택(45, data contact), 공통 전극(60, Vcom electrode), 터치 센싱 라인(70, sensing line(3rd metal)) 및 픽셀 전극(90, pixel electrode)을 포함한다.In detail, the pixel may include a light shielding layer 20, a buffer layer 22, a TFT, a gate insulating layer 36 (GI), an interlayer insulating layer 40 (ILD), and a plurality of layers. the protective layer (50, 80: PAS1, PAS2 ), the data contacts (45, data contact), a common electrode (60, Vcom electrode), the touch sensing lines (70, sensing line (3 rd metal)) and a pixel electrode (90 , pixel electrode).

상기 TFT는 게이트 절연층(36)의 하부에 형성된 액티브(30), 소스(32), 드레인(34)과 게이트 절연층(36) 상부에 형성된 게이트(38)로 구성된다.The TFT is composed of an active 30 formed under the gate insulating layer 36, a source 32, a drain 34, and a gate 38 formed over the gate insulating layer 36.

상기 터치 센싱 라인(70)은 픽셀들을 가로지르도록 공통 전극(60) 상부에 형성되어, 픽셀들의 공통 전극(60)을 연결시킨다.The touch sensing line 70 is formed on the common electrode 60 to cross the pixels to connect the common electrodes 60 of the pixels.

여기서, 공통 전극(60)은 표시 기간에는 공통 전압(Vcom)을 픽셀에 공급하는 기능을 수행하고, 비 표시 기간에는 터치의 검출을 위한 터치 센싱 전극의 기능을 수행하게 된다.Here, the common electrode 60 performs the function of supplying the common voltage Vcom to the pixel in the display period, and performs the function of the touch sensing electrode for detecting the touch in the non-display period.

상술한 구성을 가지는 픽셀은 도 3에 도시된 제조방법을 통해 형성되게 된다.The pixel having the above-described configuration is formed through the manufacturing method shown in FIG.

도 3는 종래 기술에 따른 액정 표시장치의 제조방법에 따른 문제점을 나타내는 도면이다. 도 3에서는 층간 절연층(40)의 하부에 형성된 레이어들을 형성하기 위한 제조방법에 대한 도면은 도시하지 않고 있다.3 is a view showing a problem according to the manufacturing method of the liquid crystal display according to the prior art. In FIG. 3, a drawing of a manufacturing method for forming layers formed under the interlayer insulating layer 40 is not shown.

도 3을 참조하면, 층간 절연층(40) 포토 아크릴(photo acryl)로 제1 보호층(50, PAS1)을 형성하고, 데이터 컨택(45)과 중첩되는 영역을 식각하여 제1 컨택 홀(55)을 형성한다. 이때, 제1 보호층(50)은 3um의 두께로 형성되며, 상기 제1 컨택 홀(55)에 의해 데이터 컨택(45)의 상면이 노출된다.Referring to FIG. 3, the first protective layer 50 (PAS1) is formed of the interlayer insulating layer 40 photo acryl, and the region overlapping with the data contact 45 is etched to form the first contact hole 55. ). In this case, the first protective layer 50 is formed to a thickness of 3um, and the upper surface of the data contact 45 is exposed by the first contact hole 55.

이어서, 제1 보호층(50)의 상부 중에서 픽셀 영역에 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 공통 전극(60, Vcom electrode)을 형성한다.Subsequently, the common electrode 60 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO) in the pixel area of the upper portion of the first passivation layer 50. To form.

이후, 공통 전극(60) 상부에 터치 센싱 라인(70)을 형성하여 인접한 픽셀들의 공통 전극(60)을 연결시킨다.Thereafter, the touch sensing line 70 is formed on the common electrode 60 to connect the common electrodes 60 of adjacent pixels.

이어서, 공통 전극(60) 및 터치 센싱 라인(70)을 덮도록 제1 보호층(50) 상에 제2 보호층(80, PAS2)을 형성한다.Next, second protective layers 80 and PAS2 are formed on the first protective layer 50 to cover the common electrode 60 and the touch sensing line 70.

이어서, 하프톤 마스크(Half tone mask)를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 수행하여 데이터 컨택(45)의 상면이 노출되도록 제2 보호층(80, PAS2)을 식각하여 제2 컨택 홀(85)을 형성한다.Subsequently, the second passivation layer 80 (PAS2) is etched to expose the top surface of the data contact 45 by performing a photolithography process and an etching process using a half tone mask to thereby expose the second contact hole 85. ).

이와 함께, 제2 보호층(80) 상에 포토레지스트(95, PR)를 도포하고, 픽셀 전극을 형성하기 위해 포토레지스트(95) 상에 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide) 물질로 픽셀 전극 레이어를 형성한다.In addition, the photoresist 95 (PR) is applied on the second protective layer 80, and indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like is formed on the photoresist 95 to form a pixel electrode. A pixel electrode layer is formed of indium tin zinc oxide (ITZO) material.

이후, 픽셀 전극 레이어를 패터닝하고, 포토레지스트(95)를 애싱 한 후, 리프트 오프(Lift Off) 공정을 수행하여 핑거 형상으로 픽셀 전극(90)을 형성하게 된다.Thereafter, the pixel electrode layer is patterned, the photoresist 95 is ashed, and a lift off process is performed to form the pixel electrode 90 in a finger shape.

이때, 하프톤 마스크의 하프톤 영역을 이용하여 제2 보호층(80) 상에 픽셀 전극(90)을 핑커 형태로 형성하게 된다. 그리고, 하프톤 마스크의 풀톤 영역을 이용하여 데이터 컨택(45)과 중첩되는 영역의 제2 보호층(80, PAS2)을 식각한다. 제2 컨택 홀(85) 내에도 픽셀 전극(90)이 형성하여 데이터 컨택(45)과 픽셀 전극(90)을 컨택 시킨다.In this case, the pixel electrode 90 is formed in a pinker shape on the second passivation layer 80 by using the halftone region of the halftone mask. Then, the second protective layers 80 and PAS2 in the region overlapping with the data contact 45 are etched using the full tone region of the halftone mask. The pixel electrode 90 is also formed in the second contact hole 85 to contact the data contact 45 and the pixel electrode 90.

상술한 제조방법에 의한 종래 기술에 따른 액정 표시장치는 제1 보호층(50)은 3um의 두께로 두껍게 형성되고, 포토레지스트(95)는 2um ~ 3um의 두께로 코팅된다.In the liquid crystal display according to the related art, the first protective layer 50 is formed to a thickness of 3 μm, and the photoresist 95 is coated to a thickness of 2 μm to 3 μm.

포토레지스트(95)의 코팅 시, 평탄화 특성이 있기 때문에 풀톤 영역과 대응되는 부분은 포토레지스트(95)가 형성된 부분의 두께는 5um ~ 6um로 두꺼워 진다. 이때, 제조공정 중 픽셀 전극(90)을 형성하기 위해 도포된 포토레지스트(95)가 애싱 공정 시, 모두 제거되지 않고 컨택 홀 내에 잔존할 수 있다.When the photoresist 95 is coated, the flattening characteristics of the photoresist 95 increase the thickness of the portion where the photoresist 95 is formed in the portion corresponding to the futon region, 5 μm to 6 μm. In this case, the photoresist 95 applied to form the pixel electrode 90 during the manufacturing process may remain in the contact hole without being removed during the ashing process.

구체적으로, 하프톤 영역의 타겟(target) 두께(0.5um ~ 1.0um)에 제1 보호층(50)의 두께(3um)가 더해져, 컨택 홀의 측벽 부분에 포토레지스트(95)는 3.5um ~ 5.5um의 두께로 잔존하게 된다.Specifically, the thickness (3um) of the first protective layer 50 is added to the target thickness (0.5um to 1.0um) of the halftone region, so that the photoresist 95 is 3.5um to 5.5 on the sidewall portion of the contact hole. It will remain in the thickness of um.

이렇게 포토레지스트(95)가 잔존하는 상태에서 리프트 오프 공정을 수행하면 컨택 홀 내에서 포트레지스트(95)가 스트립 되면서 픽셀 전극(90)이 유실되는 문제점이 발생하게 된다.When the lift-off process is performed while the photoresist 95 remains, the port resist 95 is stripped in the contact hole, causing the pixel electrode 90 to be lost.

포토레지스트(95)를 애싱 한 후, 리프트 오프 공정을 수행하면 컨택 홀 내에 잔존하는 포토레지스트(95)가 제거되면서, 컨택 홀에 형성된 픽셀 전극(90)도 함께 제거되는 문제점이 있다.After the ashing of the photoresist 95, the lift-off process removes the photoresist 95 remaining in the contact hole, and also removes the pixel electrode 90 formed in the contact hole.

도 4는 종래 기술에 따른 액정 표시장치의 패드부에서 픽셀 바의 단선이 발생되는 문제점을 나타내는 도면이다. 도 4에서는 복수의 패드부(3, 4, 5) 중에서 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(4, unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting)를 나타내고 있다.4 is a diagram illustrating a problem that disconnection of a pixel bar occurs in a pad part of a liquid crystal display according to the related art. In FIG. 4, the FPC pad part / unit FPC shorting connection part 4, unit_fpc_pad and unit_fpc_shorting among the plurality of pad parts 3, 4, and 5 are illustrated.

도 4를 참조하면, 복수의 패드부(3, 4, 5) 중에서 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(4, unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting)는 복수의 패드(12, pad), 픽셀 바(14, pixel bar) 및 파워 라인(16)을 포함한다.Referring to FIG. 4, among the plurality of pad parts 3, 4, and 5, the FPC pad part / unit FPC shorting connection part 4, unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting may include a plurality of pads 12, a pixel bar 14, and a pixel bar 14. ) And power line 16.

이러한, 패널의 외곽에 형성되는 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(4, unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting)는 표시 영역의 픽셀을 형성하는 제조공정을 이용하여 형성되게 된다.The FPC pad part / unit FPC shorting connection part 4 formed on the outer side of the panel 4 is formed using a manufacturing process for forming pixels of the display area.

제1 보호층(50, PAS1)을 넓게 식각하여 제1 컨택 홀(55)이 형성된다. 제1 컨택 홀(55) 내에 다수의 픽셀 패드가 배열되고, 패드(12)와 픽셀 바(14, pixel bar)가 연결되는 구조를 가진다.The first contact layer 55 is formed by widely etching the first passivation layer 50 (PAS1). A plurality of pixel pads are arranged in the first contact hole 55, and the pad 12 and the pixel bar 14 are connected to each other.

이때, 패드 영역에 형성되는 픽셀 전극(90)은 픽셀 영역의 픽셀 전극과 같이 데이터 전압이 공급되는 전극으로 기능하지 않고, 픽셀 바(14)를 패드(12)와 연결시키는 컨택으로 기능한다.In this case, the pixel electrode 90 formed in the pad region does not function as an electrode to which a data voltage is supplied as the pixel electrode of the pixel region, but functions as a contact connecting the pixel bar 14 to the pad 12.

제조공정 중, 제2 컨택 홀(85)이 존재하지 않는 픽셀 영역이 하프톤 영역을 이용하여 형성되는데, 이로 인해, 픽셀 영역과 동일하게 패드 영역에서도 제2 보호층(80) 상에 형성되는 픽셀 전극(90)이 유실되는 문제점이 발생될 수 있다.During the manufacturing process, a pixel region in which the second contact hole 85 does not exist is formed by using the halftone region. As a result, the pixel is formed on the second protective layer 80 in the pad region in the same manner as the pixel region. The problem that the electrode 90 is lost may occur.

이와 같이, 패드 영역에서 픽셀 전극(90)이 유실되면 표시 영역에 형성된 복수의 픽셀에 신호를 공급할 수 없어 제조가 완료된 패널의 검사를 원활히 수행할 수 없을 뿐만 아니라, 화상을 정상적으로 표시할 수 없는 구동 불량이 발생되는 문제점이 있다.As such, when the pixel electrode 90 is lost in the pad region, a signal cannot be supplied to a plurality of pixels formed in the display region, so that inspection of the completed panel can not be performed smoothly, and an image cannot be displayed normally. There is a problem that a defect occurs.

이러한, 픽셀 전극(90)의 유실에 따른 픽셀 바(14)의 컨택 불량을 방지하기 위한 방법으로써 제조 공정 중 터치 센싱 라인(70)의 메탈을 이용하여 패드(12)와 픽셀 바(14)를 연결시킬 수 있다.As a method for preventing contact failure of the pixel bar 14 due to the loss of the pixel electrode 90, the pad 12 and the pixel bar 14 may be formed using a metal of the touch sensing line 70 during the manufacturing process. Can be connected.

그러나, 패널의 검사가 완료된 후, 패드(12)와 픽셀 바(14) 사이는 스크라이브 라인(scribe line)을 따라 절단됨으로 인해 패드(12)와 픽셀 바(14)를 연결시키는 메탈이 외부로 노출되는 문제점이 발생되어 적용에 어려움이 있다.However, after the inspection of the panel is completed, the pad 12 and the pixel bar 14 are cut along the scribe line so that the metal connecting the pad 12 and the pixel bar 14 is exposed to the outside. There is a problem that is difficult to apply.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 하프톤 마스크(Half tone mask)를 이용한 단일 마스크 공정으로 보호층과 픽셀 전극을 동시에 형성하여 제조 효율을 높일 수 있는 액정 표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which may improve the manufacturing efficiency by simultaneously forming a protective layer and a pixel electrode in a single mask process using a half tone mask. It is technical problem to do.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 리프트 오프(lift off) 공정에 의한 픽셀 전극의 유실로 인해 발생되는 패드 영역에서 단선을 방지할 수 있는 액정 표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to solve the above problems, and to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent disconnection in a pad region caused by a loss of a pixel electrode due to a lift off process. It is a task.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 패드 영역에서 픽셀 바의 컨택 성능을 향상시킬 수 있는 액정 표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display and a method of manufacturing the same, which can improve the contact performance of a pixel bar in a pad region.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 패드가 형성된 패드 영역 및 픽셀 바가 형성된 컨택 영역을 포함하는 패드부가 패널 외곽부에 형성되는 액정 표시장치에 있어서, 상기 패드 영역의 제1 보호층 상부와, 상기 컨택 영역의 제1 보호층 상부 및 제1 컨택 홀 영역에 형성된 브리지 레이어; 상기 브리지 레이어를 덮도록 형성된 제2 보호층; 상기 패드 영역에서 하부 메탈과 중첩되는 영역의 제2 보호층 및 상기 컨택 영역의 컨택 바와 중첩되는 영역에 제2 보호층을 제거하여 형성된 적어도 하나의 제2 컨택 홀; 및 상기 패드 영역 상부 및 컨택 영역 상부에 투명 전도성 물질로 형성된 컨택 전극;을 포함하고, 상기 패드 영역의 패드와 상기 컨택 영역의 픽셀 바는 상기 브리지 레이어를 통해 연결된 것을 특징으로 한다.A liquid crystal display according to an embodiment of the present invention is a liquid crystal display in which a pad portion including a pad area having a pad and a contact area where a pixel bar is formed is formed at an outer portion of the panel, the upper portion of the first protective layer of the pad area; A bridge layer formed over the first passivation layer and the first contact hole region of the contact region; A second protective layer formed to cover the bridge layer; At least one second contact hole formed by removing the second passivation layer in the second passivation layer of the pad region and the overlapping contact bar of the contact region from the pad region; And a contact electrode formed of a transparent conductive material on the pad region and on the contact region, wherein the pad of the pad region and the pixel bar of the contact region are connected through the bridge layer.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 제조방법은 픽셀 패드가 형성된 패드 영역 및 픽셀 바가 형성된 컨택 영역을 포함하는 패드부가 패널 외곽부에 형성되는 액정 표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 패드 영역 및 상기 컨택 영역에 제1 보호층을 형성하고, 상기 컨택 영역에서 제1 보호층의 일부를 제거하여 제1 컨택 홀을 형성하는 단계; 상기 패드 영역의 제1 보호층 상에 브리지 레이어를 형성하고, 상기 컨택 영역의 제1 보호층 상부 및 제1 컨택 홀 영역에 브리지 레이어를 형성하는 단계; 상기 제1 보호층 및 상기 브리지 레이어를 덮도록 제2 보호층을 형성하는 단계; 상기 패드 영역 및 상기 컨택 영역의 브리지 레이어와 중첩되는 영역의 제2 보호층의 일부를 제거하여 적어도 하나의 제2 컨택 홀을 형성하는 단계; 및 상기 패드 영역 및 컨택 영역 상에 투명 전도성 물질을 도포하여 픽셀 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 브리지 레이어를 통해 상기 패드 영역의 패드와 상기 컨택 영역의 픽셀 바를 연결시키는 것을 특징으로 한다.In the manufacturing method of the liquid crystal display according to the embodiment of the present invention, a pad portion including a pad region having a pixel pad and a contact region having a pixel bar is formed in the outer portion of the panel, wherein the pad region and Forming a first protective layer in the contact region, and removing a portion of the first protective layer in the contact region to form a first contact hole; Forming a bridge layer on the first passivation layer of the pad area, and forming a bridge layer on the first passivation layer and the first contact hole area of the contact area; Forming a second protective layer to cover the first protective layer and the bridge layer; Forming at least one second contact hole by removing a portion of a second passivation layer in an area overlapping the pad area and the bridge layer of the contact area; And forming a pixel electrode by applying a transparent conductive material on the pad region and the contact region, and connecting the pad of the pad region and the pixel bar of the contact region through the bridge layer.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 제조방법은 하프톤 마스크(Half tone mask)를 이용한 단일 마스크 공정으로 보호층과 픽셀 전극을 동시에 형성하여 제조 효율을 높일 수 있다.In the method of manufacturing the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the protective layer and the pixel electrode may be simultaneously formed in a single mask process using a half tone mask to increase manufacturing efficiency.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 제조방법은 리프트 오프(lift off) 공정에 의한 픽셀 전극의 유실로 인해 발생되는 패드 영역에서 단선을 방지할 수 있다.The manufacturing method of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention can prevent disconnection in the pad region caused by the loss of the pixel electrode by the lift off process.

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치와 이의 제조방법은 패드 영역에서 픽셀 바의 컨택 성능을 향상시킬 수 있다.The liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same may improve the contact performance of the pixel bar in the pad area.

이 밖에도, 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 새롭게 파악될 수도 있을 것이다.In addition, other features and advantages of the present invention may be newly understood through embodiments of the present invention.

도 1은 종래 기술에 따른 액정 표시장치를 나타내는 도면.
도 2는 종래 기술에 따른 액정 표시장치 픽셀 구조를 나타내는 도면.
도 3는 종래 기술에 따른 액정 표시장치의 제조방법에 따른 문제점을 나타내는 도면.
도 4는 종래 기술에 따른 액정 표시장치의 패드부에서 픽셀 바의 단선이 발생되는 문제점을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 픽셀 구조를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 패드부를 나타내는 도면.
도 8은 도 7에 도시된 패드부의 컨택 영역을 확대하여 나타낸 도면.
도 9는 도 7에 도시된 A1-A2 선 및 B1-B2 선에 따른 단면도.
도 10 내지 도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면.
1 is a view showing a liquid crystal display device according to the prior art.
2 illustrates a liquid crystal display pixel structure according to the prior art.
3 is a view showing a problem according to the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the prior art.
4 is a diagram illustrating a problem that disconnection of a pixel bar occurs in a pad part of a liquid crystal display according to the related art.
5 is a diagram illustrating a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a diagram illustrating a pixel structure of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating a pad portion of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an enlarged view of a contact area of a pad unit shown in FIG. 7; FIG.
FIG. 9 is a cross-sectional view taken along lines A1-A2 and B1-B2 shown in FIG. 7; FIG.
10 to 14 illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a liquid crystal display and a method of manufacturing the same in which a touch screen is built according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어서 어떤 구조물(전극, 라인, 배선 레이어, 컨택)이 다른 구조물 "상부에 또는 상에" 및 "하부에 또는 아래에" 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석 되어야 한다.In describing embodiments of the present invention, when a structure (electrode, line, wiring layer, contact) is described as being formed "on or under" and "under or under" another structure, such descriptions may be It should be interpreted as including not only the case where they are in contact with each other, but also when a third structure is interposed between these structures.

아울러, 상기 "상부에 또는 상에" 및 "하부에 또는 아래에" 라는 표현은 도면에 기초하여 본 발명의 구성 및 제조방법을 설명하기 위한 것이다. 따라서, 상기 "상부에 또는 상에" 및 "하부에 또는 아래에" 라는 표현은 제조 공정 과정과 제조가 완료된 이후 구성에서 서로 상이할 수 있다.In addition, the expressions "above or on" and "below or below" are intended to explain the configuration and manufacturing method of the present invention based on the drawings. Thus, the expressions "above or above" and "below or below" may differ from each other in the manufacturing process and in the configuration after manufacture is complete.

액정 표시장치는 액정층의 배열을 조절하는 방식에 따라 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 등 다양하게 개발되어 있다.Liquid crystal displays have been developed in various ways, such as twisted nematic (TN) mode, vertical alignment (VA) mode, in plane switching (IPS) mode, and fringe field switching (FFS) mode.

그 중에서, 상기 IPS 모드와 상기 FFS 모드는 하부 기판 상에 픽셀 전극과 공통 전극을 배치하여 상기 픽셀 전극과 공통 전극 사이의 전계에 의해 액정층의 배열을 조절하는 방식이다.In the IPS mode and the FFS mode, a pixel electrode and a common electrode are disposed on a lower substrate to adjust the arrangement of the liquid crystal layer by an electric field between the pixel electrode and the common electrode.

특히, 상기 IPS 모드는 상기 픽셀 전극과 공통 전극을 평행하게 교대로 배열함으로써 양 전극 사이에서 횡전계를 일으켜 액정층의 배열을 조절하는 방식이다.Particularly, in the IPS mode, the pixel electrode and the common electrode are alternately arranged in parallel to each other to generate a transverse electric field between both electrodes to adjust the alignment of the liquid crystal layer.

이와 같은 IPS 모드는 상기 픽셀 전극과 상기 공통 전극 상측 부분에서 액정층의 배열이 조절되지 않아 그 영역에서 광의 투과도가 저하되는 단점이 있다.The IPS mode has a disadvantage in that the arrangement of the liquid crystal layer is not controlled in the upper portion of the pixel electrode and the common electrode, so that light transmittance in the region is reduced.

이와 같은 IPS 모드의 단점을 해결하기 위해 고안된 것이 상기 FFS 모드이다. 상기 FFS 모드는 상기 픽셀 전극과 상기 공통 전극을 절연층을 사이에 두고 이격되도록 형성시킨다.The FFS mode is designed to overcome the shortcomings of the IPS mode. In the FFS mode, the pixel electrode and the common electrode are formed to be spaced apart with an insulating layer therebetween.

이때, 하나의 전극은 판(plate) 형상 또는 패턴으로 구성하고 다른 하나의 전극은 핑거(finger) 형상으로 구성하여 양 전극 사이에서 발생되는 프린지 필드(Fringe Field)를 통해 액정층의 배열을 조절하는 방식이다.In this case, one electrode is configured in a plate shape or a pattern and the other electrode is configured in a finger shape to adjust the arrangement of the liquid crystal layer through a fringe field generated between the two electrodes. That's the way.

본 발명의 실시 예들에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치는 사용자의 터치 위치를 검출하는 터치 스크린이 내장된 인-셀 터치(in-cell touch) 타입의 액정 패널과, 상기 액정 패널에 광을 공급하는 백라이트 유닛(Back Light Unit) 및 구동 회로부를 포함하여 구성된다.According to embodiments of the present invention, a liquid crystal display having a touch screen includes an in-cell touch type liquid crystal panel having a touch screen for detecting a touch position of a user, and light to the liquid crystal panel. It is configured to include a backlight unit (Back Light Unit) and a driving circuit for supplying.

상기 구동 회로부는 타이밍 컨트롤러(T-con), 데이터 드라이버(D-IC), 게이트 드라이버(G-IC), 센싱 드라이버, 백라이트 구동부, 구동 회로들에 구동 전원을 공급하는 전원 공급부를 포함한다.The driving circuit unit includes a power supply unit for supplying driving power to a timing controller T-con, a data driver D-IC, a gate driver G-IC, a sensing driver, a backlight driving unit, and driving circuits.

여기서, 상기 구동 회로부의 전체 또는 일부는 COG(Chip On Glass) 또는 COF(Chip On Flexible Printed Circuit, Chip On Film) 방식으로 액정 패널 상에 형성될 수 있다.Here, all or part of the driving circuit unit may be formed on the liquid crystal panel in a chip on glass (COG) or chip on flexible printed circuit (chip on film) method.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치를 나타내는 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 픽셀 구조를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a diagram illustrating a pixel structure of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6에서는 FFS(Fringe Field Switch) 모드의 TFT 어레이 기판(하부 기판) 구조를 나타내고 있으며, 인셀 터치 타입으로 터치 스크린이 TFT 어레이 기판에 내재화 된 것을 도시하고 있다.5 and 6 show a TFT array substrate (lower substrate) structure in a FFS (Fringe Field Switch) mode, and show that the touch screen is internalized in the TFT array substrate in an in-cell touch type.

도 5 및 도 6에서는 컬러필터 어레이 기판(상부 기판), 액정층, 백라이트 유닛 및 구동 회로부의 도시는 생략되었다.5 and 6, illustration of the color filter array substrate (upper substrate), the liquid crystal layer, the backlight unit, and the driving circuit portion is omitted.

도 5를 참조하면, TFT 어레이 기판에는 화상이 표시되는 표시 영역(100)이 형성되고, 외곽부의 비 표시 영역(200)에 복수의 패드부(230, 240, 250)가 형성된다.Referring to FIG. 5, a display area 100 in which an image is displayed is formed on a TFT array substrate, and a plurality of pad parts 230, 240, and 250 are formed in a non-display area 200 of an outer portion.

표시 영역(100)에는 복수의 픽셀(pixel)이 형성된다.A plurality of pixels is formed in the display area 100.

비 표시 영역(200)에 형성된 복수의 패드부(230, 240, 250)는 유닛 온-오프 패드부(230, unit_on-off_pad), 유닛 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(240, unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting) 및 범프 인풋 더미/범프 아웃풋 더미(250, bump_input_dmy, bump_output_dmy)로 구성된다.The plurality of pad units 230, 240, and 250 formed in the non-display area 200 may include a unit on-off pad unit 230 and a unit FPC pad unit / unit FPC shorting connection unit 240 (unit_fpc_pad and unit_fpc_shorting). And bump input dummy / bump output dummy 250 (bump_input_dmy, bump_output_dmy).

도 5에서는 패널의 상단부 외곽에 패드부가 형성되는 것으로 도시하고 있으나, 패널의 좌우측 외곽 및 하단부 외곽에도 패드부가 형성될 수 있다.In FIG. 5, the pad part is formed outside the upper end of the panel, but the pad part may also be formed on the left and right outer sides and the lower end of the panel.

표시 영역에 형성된 복수의 픽셀(pixel) 각각은 서로 교차하는 데이터 라인들(미도시)과 게이트 라인들(미도시)에 의해 정의된다. 상기 데이터 라인들과 상기 게이트 라인들이 교차되는 영역 마다 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)가 형성된다.Each of the pixels formed in the display area is defined by data lines (not shown) and gate lines (not shown) that cross each other. A thin film transistor (TFT) is formed in each region where the data lines intersect the gate lines.

TFT 어레이 기판에는 복수의 픽셀이 형성되며, 상기 복수의 픽셀 각각은 서로 교차하는 데이터 라인들(미도시)과 게이트 라인들(미도시)에 의해 정의된다.A plurality of pixels are formed on the TFT array substrate, each of which is defined by data lines (not shown) and gate lines (not shown) that cross each other.

상기 데이터 라인들과 상기 게이트 라인들이 교차되는 영역 마다 TFT(Thin Film Transistor)가 형성된다. 또한, 복수의 픽셀 각각은 공통 전극(Vcom electrode) 및 픽셀 전극(pixel electrode)을 포함한다.Thin film transistors (TFTs) are formed in regions where the data lines intersect the gate lines. In addition, each of the plurality of pixels includes a common electrode Vcom electrode and a pixel electrode.

도 6을 참조하면, TFT 어레이 기판은 글래스 기판(110), 차광층(120), 버퍼층(122, buffer layer), 게이트 절연층(136, gate insulator), 데이터 컨택(145, data contact), 층간 절연층(140, ILD: Inter Layer Dielectric), 제1 보호층(150), 공통 전극(160, Vcom electrode), 터치 센싱 라인(170), 제2 보호층(180), 픽셀 전극(190, Pixel electrode) 및 액티브(130), 소스(132), 드레인(134), 게이트(138)로 이루어진 TFT를 포함한다.Referring to FIG. 6, the TFT array substrate may include a glass substrate 110, a light blocking layer 120, a buffer layer 122, a buffer insulating layer, a gate insulator 136, a data contact 145, and an interlayer. Insulating layer 140 (ILD: Inter Layer Dielectric), first protective layer 150, common electrode 160, Vcom electrode, touch sensing line 170, second protective layer 180, pixel electrode 190 electrode) and a TFT consisting of an active 130, a source 132, a drain 134, and a gate 138.

글래스 기판(110) 상부 중에서 TFT 영역에는 차광층(120)이 형성되고, 차광층(120)을 덮도록 버퍼층(122)이 형성된다. 차광층(120)은 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있고, 500Å의 두께를 가질 수 있다.The light blocking layer 120 is formed in the TFT region on the glass substrate 110, and the buffer layer 122 is formed to cover the light blocking layer 120. The light blocking layer 120 may be formed of molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and may have a thickness of 500 μs.

버퍼층(122)은 무기물, 일 예로서 SiO2, 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 2,000Å ~ 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.The buffer layer 122 may be formed of an inorganic material, for example, SiO 2 , or SiNx, and may have a thickness of 2,000 μs to 3,000 μs.

TFT 영역의 버퍼층(122) 상부 중에서 차광층(120)과 중첩되는 영역에 TFT의 액티브(130), 소스(132) 및 드레인(134)이 형성된다.An active 130, a source 132, and a drain 134 of the TFT are formed in an area overlapping the light blocking layer 120 among the buffer layer 122 of the TFT region.

여기서, 액티브(130)는 저온 폴리실리콘(P-Si)으로 형성될 수 있으며, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 소스(132) 및 드레인(134)은 액티브(130)의 반도체 레이어에 P 타입 또는 N 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.Here, the active 130 may be formed of low temperature polysilicon (P-Si), and may have a thickness of 500 μs. The source 132 and the drain 134 may be formed by doping P-type or N-type impurities into the semiconductor layer of the active 130.

버퍼층(122)의 상부 전면에는 액티브(130), 소스(132) 및 드레인(134)을 덮도록 게이트 절연층(136)이 형성된다. 이때, 게이트 절연층(136)은 SiO2로 형성될 수 있으며, 1,300Å의 두께를 가질 수 있다.A gate insulating layer 136 is formed on the upper front surface of the buffer layer 122 to cover the active 130, the source 132, and the drain 134. In this case, the gate insulating layer 136 may be formed of SiO 2 , and may have a thickness of 1,300 μs.

한편, 게이트 절연층(136)은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 또는 MTO(Middle Temperature Oxide)를 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 증착하여 형성될 수도 있다.The gate insulating layer 136 may be formed by depositing TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) or MTO (Middle Temperature Oxide) by Chemical Vapor Deposition (CVD).

게이트 절연층(136)의 상부 중에서 액티브(130)와 중첩되는 영역에는 게이트(138)가 형성된다. 이때, 게이트(138)는 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수 있으며, 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.A gate 138 is formed in an area of the gate insulating layer 136 that overlaps the active 130. In this case, the gate 138 may be formed of aluminum (Al) or molybdenum (Mo), and may have a thickness of 3,000 μm.

이와 같이, 게이트 절연층(136)을 사이에 두고, 액티브(130), 소스(132), 드레인(134) 및 게이트(138)가 형성되어 TFT가 구성되게 된다.As such, the active 130, the source 132, the drain 134, and the gate 138 are formed with the gate insulating layer 136 interposed therebetween, thereby forming a TFT.

게이트 절연층(136) 상부에는 게이트(138)를 덮도록 층간 절연층(140)이 형성된다.An interlayer insulating layer 140 is formed on the gate insulating layer 136 to cover the gate 138.

이때, 층간 절연층(140)은 SiO2 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 6,000Å의 두께를 가질 수 있다. 다른 예로서, 층간 절연층(140)은 SiO2(3,000Å)/SiNx(3,000Å)의 구조로도 형성될 수도 있다.In this case, the interlayer insulating layer 140 may be formed of SiO 2 or SiNx, and may have a thickness of 6,000 μs. As another example, the interlayer insulating layer 140 may also be formed in a structure of SiO 2 (3,000 μs) / SiNx (3,000 μs).

드레인(134)의 상면이 노출되도록 게이트 절연층(136) 및 층간 절연층(140)의 일부가 식각되고, 데이터 컨택(145)이 드레인(134)과 접속되도록 형성된다.A portion of the gate insulating layer 136 and the interlayer insulating layer 140 are etched to expose the top surface of the drain 134, and the data contact 145 is formed to be connected to the drain 134.

이러한, 데이터 컨택(145)은 드레인(134)과 후술되는 픽셀 전극(190)을 접속시킨다. 이때, 데이터 컨택(145)은 6,000Å의 두께를 가지도록 형성되고, 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)몰리브덴(Mo)이 적층된 구조로 형성될 수 있다.The data contact 145 connects the drain 134 and the pixel electrode 190 described later. In this case, the data contact 145 may be formed to have a thickness of 6,000 μm and may have a structure in which molybdenum (Mo) / aluminum (Al) molybdenum (Mo) is stacked.

층간 절연층(140) 상부에는 데이터 컨택(145)을 덮도록 제1 보호층(150, PAS1)이 형성된다. 이때, 제1 보호층(150)은 포토 아크릴(photo acryl)로 형성되며, 3um의 두께를 가진다.The first passivation layer 150 (PAS1) is formed on the interlayer insulating layer 140 to cover the data contact 145. In this case, the first protective layer 150 is formed of photo acryl and has a thickness of 3 μm.

제1 보호층(150)의 상부 중에서 픽셀 영역에는 공통 전극(160, Vcom electrode)이 형성된다.A common electrode 160 (Vcom electrode) is formed in the pixel area of the first passivation layer 150.

이러한, 공통 전극(160)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로, 500Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.The common electrode 160 is a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO), and may be formed to have a thickness of 500 μs.

터치 센싱 라인(170)은 픽셀을 가로지르도록 공통 전극(160) 상부에 형성되어 인접한 픽셀들의 공통 전극(160)을 연결시킨다. 이를 통해, 공통 전극(160)이 비 표시 기간에 터치 센싱 전극의 기능을 가지게 된다.The touch sensing line 170 is formed on the common electrode 160 to cross the pixels to connect the common electrodes 160 of adjacent pixels. As a result, the common electrode 160 has a function of the touch sensing electrode in the non-display period.

여기서, 터치 센싱 라인(170)은 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있으며, 1,500Å ~ 2,000Å의 두께를 가질 수 있다. 한편, 터치 센싱 라인(170)은 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/ 몰리브덴(Mo)이 적층된 구조로도 형성될 수 있다.Here, the touch sensing line 170 may be formed of molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and may have a thickness of 1,500 kPa to 2,000 kPa. Meanwhile, the touch sensing line 170 may be formed in a structure in which molybdenum (Mo) / aluminum (Al) / molybdenum (Mo) is stacked.

이러한, 터치 센싱 라인(170)은 인접한 픽셀들의 공통 전극(160)을 연결하여 터치 블록을 구성시킨다. 이때, 터치 블록은 X축 방향의 터치 위치를 검출하기 위한 터치 로우 블록(touch row block)과, Y축 방향의 터치 위치를 검출하기 위한 터치 컬럼 블록(touch column block)로 구성된다.The touch sensing line 170 connects the common electrodes 160 of adjacent pixels to form a touch block. In this case, the touch block includes a touch row block for detecting the touch position in the X-axis direction and a touch column block for detecting the touch position in the Y-axis direction.

터치 스크린이 사용자의 터치 위치를 검출하기 위해서는 X축 및 Y축의 좌표를 인식해야 함으로, 터치 로우 블록과 터치 컬럼 블록은 서로 컨택되지 않고 분리되어야 한다.Since the touch screen needs to recognize the coordinates of the X and Y axes in order to detect the touch position of the user, the touch row block and the touch column block should be separated from each other without contact.

이를 위해, 터치 컬럼 블록의 터치 센싱 라인(170)은 TFT 어레이 기판의 데이터 라인과 중첩되도록 형성된 도전성 라인을 이용하여 Y축 방향으로 연결되어, Y축 방향에서 사용자의 터치 위치가 인식되도록 한다.To this end, the touch sensing line 170 of the touch column block is connected in the Y-axis direction by using a conductive line formed to overlap the data line of the TFT array substrate, so that the user's touch position is recognized in the Y-axis direction.

터치 로우 블록의 터치 센싱 라인(170)은 TFT 어레이 기판에 게이트 라인이 형성될 때 함께 형성된 게이트 메탈을 브릿지로 이용하여 터치 컬럼 블록과의 컨택을 피하고, X축 방향에서 사용자의 터치 위치가 인식되도록 한다.The touch sensing line 170 of the touch row block uses the gate metal formed together when the gate line is formed on the TFT array substrate as a bridge to avoid contact with the touch column block and to recognize the touch position of the user in the X-axis direction. do.

이와 같이, 터치 로우 블록과 터치 컬럼 블록이 분리되도록 하여 X축 및 Y축 방향에서 사용자의 터치 위치가 검출되도록 한다.In this way, the touch row block and the touch column block are separated so that the touch position of the user is detected in the X and Y axis directions.

제1 보호층(150) 상부에는 공통 전극(160) 및 터치 센싱 라인(170)을 덮도록 제2 보호층(180)이 형성된다. 이때, 제2 보호층(180)은 SiO2, 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 2,000Å ~ 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.The second passivation layer 180 is formed on the first passivation layer 150 to cover the common electrode 160 and the touch sensing line 170. In this case, the second protective layer 180 may be formed of SiO 2 or SiNx, and may have a thickness of 2,000 μs to 3,000 μs.

상기 제1 보호층(150) 중에서 데이터 컨택(145)과 중첩되는 영역에는 제1 컨택 홀(155)이 형성된다.A first contact hole 155 is formed in an area of the first passivation layer 150 that overlaps the data contact 145.

제1 컨택 홀(155)의 상부에는 제2 보호층(180)이 식각되어 제2 컨택 홀(185)이 형성된다.The second passivation layer 180 is etched on the first contact hole 155 to form a second contact hole 185.

제2 보호층(180)의 상부 중에서 픽셀 영역에 픽셀 전극(190)이 핑커(finger) 형상으로 형성된다. 그리고, 제1 컨택 홀(155) 및 제2 컨택 홀(185) 내에 픽셀 전극(190)이 형성되어 데이터 컨택(145)과 접속된다. 이러한, 컨택 구조를 통해, 데이터 컨택(145)을 경유하여 TFT의 드레인(134)과 픽셀 전극(190)이 접속된다.The pixel electrode 190 is formed in a pixel shape on the pixel area among the second passivation layer 180. The pixel electrode 190 is formed in the first contact hole 155 and the second contact hole 185 to be connected to the data contact 145. Through this contact structure, the drain 134 of the TFT and the pixel electrode 190 are connected via the data contact 145.

이때, 픽셀 전극(190)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로, 500Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다In this case, the pixel electrode 190 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO), and may have a thickness of 500 μs.

상기 제2 보호층(180)과 상기 픽셀 전극(190)은 하나의 하프 톤 마스크(HTM: half tone mask)를 이용한 단일 마스크 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다.The second passivation layer 180 and the pixel electrode 190 may be simultaneously formed through a single mask process using one half tone mask (HTM).

본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 표시 기간에는 픽셀들의 픽셀 전극에 인가된 데이터 전압과 공통 전극에 인가된 공통 전압(Vcom)에 따라 액정층을 투과하는 광의 투과율을 조절하여 영상 신호에 따른 화상을 표시한다.In the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, in the display period, the transmittance of light passing through the liquid crystal layer is adjusted according to the image signal according to the data voltage applied to the pixel electrodes of the pixels and the common voltage Vcom applied to the common electrode. Display an image.

그리고, 비 표시 기간에는 상기 터치 센싱 라인(170)에 의해 접속된 각 픽셀의 공통 전극(160)을 터치 센싱 전극으로 구동시켜 사용자의 터치에 따른 정전용량(Ctc)의 변화를 감지한다. 그리고, 사용자의 터치에 따른 터치 정전용량과 기준 정전용량을 비교하여 터치 위치(TS)를 검출한다.In the non-display period, the common electrode 160 of each pixel connected by the touch sensing line 170 is driven by the touch sensing electrode to detect a change in capacitance Ctc according to a user's touch. The touch position TS is detected by comparing the touch capacitance according to the user's touch with the reference capacitance.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 패드부를 나타내는 도면이고, 도 8은 도 7에 도시된 컨택 영역을 확대하여 나타내는 도면이며, 도 9는 도 7에 도시된 A1-A2 선 및 B1-B2 선에 따른 단면도.FIG. 7 is a view illustrating a pad portion of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 8 is an enlarged view of the contact area shown in FIG. 7, and FIG. 9 is a line A1-A2 shown in FIG. 7 and FIG. Sectional view along lines B1-B2.

도 7 내지 도 9에서는 복수의 패드부(230, 240, 250) 중에서 유닛 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(240, unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting)를 나타내고 있다.7 to 9 illustrate a unit FPC pad unit / unit FPC shorting connection unit 240 among the plurality of pad units 230, 240, and 250, unit_fpc_pad and unit_fpc_shorting.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 복수의 패드부(230, 240, 250) 중에서 유닛 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(240)는 복수의 패드(242, pad), 픽셀 바(244, pixel bar 또는 픽셀 라인) 및 파워 라인(246)을 포함한다.7 to 9, the unit FPC pad unit / unit FPC shorting connection unit 240 among the plurality of pad units 230, 240, and 250 may include a plurality of pads 242 and pads and a pixel bar 244. Or pixel lines) and power lines 246.

이러한, 유닛 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(240)는 복수의 패드(242)가 형성된 패드 영역과, 픽셀 바(244)와 패드(242)를 연결시키는 컨택 영역으로 구성된다.The unit FPC pad unit / unit FPC shorting connection unit 240 includes a pad area in which a plurality of pads 242 are formed, and a contact area connecting the pixel bar 244 and the pad 242.

FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(240)는 픽셀을 형성하는 제조공정을 이용하여 형성되게 되는데, 각각의 패드(242) 내에는 픽셀에 신호를 공급하기 위한 패드 패턴이 배열된 구조를 가진다.The FPC pad unit / unit FPC shorting connection unit 240 is formed using a manufacturing process for forming a pixel, and each pad 242 has a structure in which a pad pattern for supplying a signal to the pixel is arranged.

또한, FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(240)의 컨택 영역에는 하부 메탈(270) 및 픽셀 전극(190)이 형성된다. 이때, 컨택 영역에 형성된 하부 메탈(270) 및 픽셀 전극(190)은 제1 컨택 홀(155)과 이격되어 형성된다.In addition, a lower metal 270 and a pixel electrode 190 are formed in the contact area of the FPC pad part / unit FPC shorting connection part 240. In this case, the lower metal 270 and the pixel electrode 190 formed in the contact region are formed to be spaced apart from the first contact hole 155.

FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(240)의 픽셀 바(244)와 패드(242)는 이격되도록 형성되어 있어 직접 연결되지 않고, 컨택 패턴(260)과 하부 메탈(270)로 구성된 브리지 패턴(280)을 통해 연결된다.The pixel bar 244 and the pad 242 of the FPC pad unit / unit FPC shorting connection unit 240 are formed to be spaced apart from each other, and thus are not directly connected to each other. Is connected via).

상기 브리지 레이어(280)는 컨택 패턴(260)과 하부 메탈(270)로 구성될 수 있다.The bridge layer 280 may be formed of a contact pattern 260 and a lower metal 270.

컨택 패턴(260)은 픽셀 영역의 공통 전극(160)과 동일 레이어 상에 형성될 수 있으며, 공통 전극(160)의 재료인 투명 전도성 물질(ITO)로 컨택 패턴(260)이 형성된다.The contact pattern 260 may be formed on the same layer as the common electrode 160 in the pixel area, and the contact pattern 260 is formed of a transparent conductive material (ITO) that is a material of the common electrode 160.

그리고, 하부 메탈(270)은 픽셀 영역에 형성된 터치 센싱 라인(170)의 메탈을 이용하여 형성될 수 있으며, 터치 센싱 라인(170)이 형성될 때 하부 메탈(270)이 함께 형성될 수 있다.The lower metal 270 may be formed using the metal of the touch sensing line 170 formed in the pixel area, and the lower metal 270 may be formed together when the touch sensing line 170 is formed.

픽셀 바(244)와 패드(242)를 연결시키기 위해, 픽셀 바(244) 상의 제2 보호층(180)에 제2 컨택 홀(185)을 형성하고, 그 위에 픽셀 전극(190)을 형성한다. 이때, 컨택 패턴(260)과 하부 메탈(270)로 구성된 브리지 레이어(280)를 이용하여 픽셀 바(244)와 패드(242)를 연결시킨다.In order to connect the pixel bar 244 and the pad 242, a second contact hole 185 is formed in the second passivation layer 180 on the pixel bar 244, and a pixel electrode 190 is formed thereon. . In this case, the pixel bar 244 and the pad 242 are connected using the bridge layer 280 formed of the contact pattern 260 and the lower metal 270.

따라서, 하프톤 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정, 식각 공정 및 리프트 오프 공정을 이용하여 제2 보호층(180)과 픽셀 전극(190)을 동시에 형성할 때, 컨택 영역에서 픽셀 전극(190)이 유실되더라도 픽셀 바(244)와 패드(242)는 브리지 레이어(280)를 연결되어 컨택이 단선되지 않게 된다.Therefore, when the second protective layer 180 and the pixel electrode 190 are simultaneously formed using a photolithography process, an etching process, and a lift-off process using a halftone mask, even if the pixel electrode 190 is lost in the contact region. The pixel bar 244 and the pad 242 are connected to the bridge layer 280 so that the contact is not disconnected.

여기서, 픽셀 바(244)는 제1 컨택 홀(155)과 중첩되지 않도록 20um의 간격을 두고 형성된다.Here, the pixel bar 244 is formed at an interval of 20 um so as not to overlap with the first contact hole 155.

픽셀 바(244) 상에 형성되는 제2 컨택 홀(185)은 가로-세로 6um*6um의 크기로 형성된다.The second contact hole 185 formed on the pixel bar 244 is formed to have a size of 6um * 6um.

이러한, 제2 컨택 홀(185)은 도 7에 도시된 바와 같이, 하나의 픽셀 바(244) 상에 1개가 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 픽셀 바(244)의 컨택 성능을 더 높이기 위해, 도 8에 도시된 바와 같이, 하나의 픽셀 바(244) 상에 복수의 제2 컨택 홀(185)이 형성될 수 있다.As illustrated in FIG. 7, one second contact hole 185 may be formed on one pixel bar 244. However, the present invention is not limited thereto, and in order to further improve the contact performance of the pixel bar 244, as illustrated in FIG. 8, a plurality of second contact holes 185 may be formed on one pixel bar 244. have.

픽셀 바(244)의 컨택 영역은 제조 공정 중, 클리어 영역을 이용하게 되는데, 이때, 클리어 영역은 하부 메탈(270)보다 작은 사이즈로 형성한다. 제2 보호층(180)을 에칭하여 제2 컨택 홀(185)을 형성할 때, 하부 메탈(270)이 에치 스톱(etch stop)으로 기능하게 된다.The contact area of the pixel bar 244 uses a clear area during the manufacturing process, where the clear area is formed to have a smaller size than the lower metal 270. When the second protective layer 180 is etched to form the second contact hole 185, the lower metal 270 functions as an etch stop.

도 9에 도시된 바와 같이, 컨택 영역에 형성된 제2 컨택 홀(185)은 하부 메탈(270)보다 작은 사이즈를 가지도록 형성된다. 일 예로서, 하부 메탈(270)의 편측보다 10um 작은 크기를 가지도록 제2 컨택 홀(185)이 형성된다.As shown in FIG. 9, the second contact hole 185 formed in the contact region is formed to have a smaller size than the lower metal 270. As an example, the second contact hole 185 is formed to have a size smaller than one side of the lower metal 270.

유닛 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(240)뿐만 아니라, 온-오프 패드부(230) 및 범프 인풋 더미/범프 아웃풋 더미(250)도 상술한 브리지 레이어(280)를 이용하여 패드(242)와 픽셀 바(242)를 연결시킬 수 있다.In addition to the unit FPC pad unit / unit FPC shorting connection 240, the on-off pad unit 230 and the bump input dummy / bump output dummy 250 may be connected to the pad 242 using the bridge layer 280 described above. The pixel bars 242 may be connected.

상술한, 구성을 가지는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 패드부는 픽셀 바(244)에 제2 컨택 홀(185)을 형성하고, 하부 메탈(270)과 컨택 패턴(260)으로 구성된 브리지 레이어(280)를 이용하여 픽셀 바(244)와 패드 영역의 패드(242)를 연결시킬 수 있다. 이를 통해, 하프톤 마스크를 이용하여 제2 보호층(180)과 픽셀 전극(190)을 동시에 형성하면서도, 패드 영역에서 픽셀 바(244)의 컨택 불량을 방지할 수 있다.The pad part of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention having the above-described configuration forms a second contact hole 185 in the pixel bar 244 and includes a bridge formed of the lower metal 270 and the contact pattern 260. The pixel bar 244 may be connected to the pad 242 of the pad area using the layer 280. As a result, the second passivation layer 180 and the pixel electrode 190 may be simultaneously formed using the halftone mask while preventing contact failure of the pixel bar 244 in the pad region.

도 10 내지 도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.10 to 14 illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 10 내지 도 14는 도 7에 도시된 A1-A2 선 및 B1-B2 선에 따른 단면을 기준으로 제조공정을 도시하고 있으며, 표시 영역의 픽셀을 형성하기 위한 제조방법에 대한 도시는 생략하였다.10 to 14 illustrate manufacturing processes based on cross sections taken along lines A1-A2 and B1-B2 shown in FIG. 7, and a description of a manufacturing method for forming pixels in the display area is omitted.

이하, 도 10 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치의 제조방법을 설명하기로 한다. A1-A2 선에 따른 단면도는 패드 영역 중 하나의 패드에 해당하는 부분을 도시하고 있다. B1-B2 선에 따른 단면도는 픽셀 바의 컨택 영역을 나타내고 있다.Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 14. A cross-sectional view along the lines A1-A2 shows a portion corresponding to one pad in the pad area. A cross-sectional view along the lines B1-B2 shows the contact area of the pixel bar.

도 10을 참조하면, 패드 영역 및 컨택 영역에 제1 보호층(150, PAS1)을 형성한다.Referring to FIG. 10, first protective layers 150 and PAS1 may be formed in the pad region and the contact region.

이후, 컨택 영역에서, 하프톤 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 수행하여 제1 보호층(150, PAS1)의 일부를 식각한다. 제1 보호층(150)이 식각된 영역은 제1 컨택 홀(155)이 된다. 이러한, 제1 보호층(150)은 하프톤 마스크의 클리어 영역을 이용하여 형성할 수 있다.Subsequently, a portion of the first passivation layer 150 (PAS1) is etched by performing a photolithography process and an etching process using a halftone mask in the contact region. The region where the first protective layer 150 is etched becomes the first contact hole 155. The first protective layer 150 may be formed using a clear region of the halftone mask.

이때, 제1 보호층(150)은 포토 아크릴(photo acryl)로 형성될 수 있으며, 3um의 두께를 가질 수 있다.In this case, the first protective layer 150 may be formed of photo acryl and may have a thickness of 3 μm.

이후, 패드 영역 및 컨택 영역에 컨택 패턴(260) 및 하부 메탈(270)을 순차적으로 형성하여 브리지 레이어(280)를 형성한다.Thereafter, the contact pattern 260 and the lower metal 270 are sequentially formed in the pad region and the contact region to form the bridge layer 280.

이때, 컨택 영역에서, 컨택 패턴(260)은 제1 보호층(150) 상부 및 제1 컨택 홀(155) 영역에 모두 형성된다. 그리고, 하부 메탈(270)은 제1 보호층(150) 상부에만 형성된다.In this case, in the contact region, the contact pattern 260 is formed in both the upper portion of the first passivation layer 150 and the region of the first contact hole 155. The lower metal 270 is formed only on the first passivation layer 150.

여기서, 하부 메탈(270)은 후속 공정에서 제2 보호층이 식각되어 형성되는 제 2컨택 홀의 에치 스톱(etch stop)의 역할을 한다.Here, the lower metal 270 serves as an etch stop of the second contact hole formed by etching the second protective layer in a subsequent process.

이어서, 도 11을 참조하면, 제1 보호층(150) 상부 및 제1 컨택 홀(155) 영역에 제2 보호층(180, PAS2)을 형성한다. 이때, 브리지 레이어(280)를 제2 보호층(180)으로 덮는다. 제2 보호층(180)은 SiO2, 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 2,000Å ~ 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.Subsequently, referring to FIG. 11, second passivation layers 180 and PAS2 are formed on the first passivation layer 150 and in the region of the first contact hole 155. In this case, the bridge layer 280 is covered with the second protective layer 180. The second passivation layer 180 may be formed of SiO 2 or SiNx, and may have a thickness of 2,000 μs to 3,000 μs.

이어서, 도 12를 참조하면, 제2 보호층(180) 상에 포토레지스트(195)를 도포한 후, 하프톤 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 수행한다.Next, referring to FIG. 12, after the photoresist 195 is coated on the second passivation layer 180, a photolithography process and an etching process using a halftone mask are performed.

패드 영역에서, 브리지 레이어(280)와 일부 중첩되는 영역의 포토레지스트(195)는 제거되어 클리어 영역으로 형성된다. 이때, 클리어 영역은 하부 메탈(270)보다는 작은 사이즈를 가지도록 형성된다.In the pad region, the photoresist 195 in the region partially overlapping the bridge layer 280 is removed to form a clear region. In this case, the clear region is formed to have a smaller size than the lower metal 270.

한편, 컨택 영역에서, 브리지 레이어(280)와 일부 중첩되는 영역의 포토레지스트(195)는 제거되어 클리어 영역으로 형성된다.Meanwhile, in the contact region, the photoresist 195 in an area partially overlapping the bridge layer 280 is removed to form a clear region.

그리고, 브리지 레이어(280)와 중첩되지 않는 부분의 포토레지스트(195)는 하프톤 영역 또는 노멀 영역으로 형성된다.The photoresist 195 of the portion not overlapping with the bridge layer 280 is formed as a halftone region or a normal region.

이러한, 패드 영역 및 컨택 영역에 형성된 클리어 영역에 의해 제2 보호층(180)의 상부가 노출된다.The upper portion of the second passivation layer 180 is exposed by the clear region formed in the pad region and the contact region.

이어서, 도 13을 참조하면, 애싱 공정을 수행하여 클리어 영역에 의해 노출된 제2 보호층(180)을 제거하여 브리지 레이어(280)를 노출시킨다.Subsequently, referring to FIG. 13, the bridge layer 280 is exposed by removing the second protective layer 180 exposed by the clear region by performing an ashing process.

구체적으로, 패드 영역에서 클리어 영역의 제2 보호층(180)이 제거되어 제2 컨택 홀(185)이 형성된다. 제2 컨택 홀(185)에 의해 브리지 레이어(280)가 노출된다.In detail, the second protective layer 180 of the clear region is removed from the pad region to form the second contact hole 185. The bridge layer 280 is exposed by the second contact hole 185.

또한, 컨택 영역에서도 클리어 영역의 제2 보호층(180)이 제거되어 제2 컨택 홀(185)이 형성된다. 이때, 컨택 영역에 형성되는 제2 컨택 홀(185)은 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 픽셀 바(244)의 상부에 형성되어 픽셀 바(244)를 노출시키게 된다.In addition, the second protective layer 180 of the clear region is removed from the contact region to form the second contact hole 185. In this case, as illustrated in FIGS. 7 and 8, the second contact hole 185 formed in the contact region is formed on the pixel bar 244 to expose the pixel bar 244.

픽셀 바(244) 상에 형성되는 제2 컨택 홀(185)은 가로-세로 6um*6um의 크기로 형성된다.The second contact hole 185 formed on the pixel bar 244 is formed to have a size of 6um * 6um.

이러한, 제2 컨택 홀(185)은 도 7에 도시된 바와 같이, 하나의 픽셀 바(244) 상에 1개가 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 픽셀 바(244)의 컨택 성능을 더 높이기 위해, 도 8에 도시된 바와 같이, 하나의 픽셀 바(244) 상에 복수의 제2 컨택 홀(185)이 형성될 수 있다.As illustrated in FIG. 7, one second contact hole 185 may be formed on one pixel bar 244. However, the present invention is not limited thereto, and in order to further improve the contact performance of the pixel bar 244, as illustrated in FIG. 8, a plurality of second contact holes 185 may be formed on one pixel bar 244. have.

상기 제1 컨택 홀(155) 및 제2 컨택 홀(185)은 하프톤 마스크의 클리어 영역을 이용하여 형성된다.The first contact hole 155 and the second contact hole 185 are formed using a clear region of the halftone mask.

이어서, 도 14를 참조하면, 패드 영역 상에 ITO와 같은 투명 전도성 물질로 픽셀 전극(190)을 형성한다.14, the pixel electrode 190 is formed of a transparent conductive material such as ITO on the pad region.

또한, 패드 영역의 외곽부 및 컨택 영역 상에도 ITO와 같은 투명 전도성 물질로 픽셀 전극(190)을 형성한다.In addition, the pixel electrode 190 may be formed of a transparent conductive material such as ITO on the periphery of the pad region and the contact region.

여기서, 컨택 영역의 픽셀 바(244)와 패드 영역의 패드(242)는 이격되도록 형성되어 있어 직접 연결되지 않고, 브리지 레이어(280)어를 통해 연결된다.Here, the pixel bar 244 of the contact region and the pad 242 of the pad region are formed to be spaced apart from each other, and are not directly connected, but are connected through the bridge layer 280.

따라서, 제2 보호층(180)과 픽셀 전극(190)을 동시에 형성하기 위해 리프트 오프 공정을 수행하여, 패드 영역에서 픽셀 전극(190)이 일부 유실되더라도 패드(242)와 픽셀 바(244)의 컨택이 단락되지 않게 된다.Therefore, a lift-off process is performed to simultaneously form the second passivation layer 180 and the pixel electrode 190, so that even if the pixel electrode 190 is partially lost in the pad region, the pad 242 and the pixel bar 244 may be removed. The contact will not be shorted.

여기서, 픽셀 바(244)는 제1 컨택 홀(155)과 중첩되지 않도록 20um의 간격을 두고 형성된다.Here, the pixel bar 244 is formed at an interval of 20 um so as not to overlap with the first contact hole 155.

제2 컨택 홀(185)은 하부 메탈(270)보다 작은 사이즈를 가지도록 형성된다. 일 예로서, 하부 메탈(270)의 편측보다 10um 작은 크기를 가지도록 제2 컨택 홀(185)이 형성된다.The second contact hole 185 is formed to have a smaller size than the lower metal 270. As an example, the second contact hole 185 is formed to have a size smaller than one side of the lower metal 270.

제1 컨택 홀(155)의 경계면에서 픽셀 바(244)의 컨택이 끊어지는 것을 방지하기 위해, 컨택 영역에서 브리지 레이어(280) 중 컨택 패턴(260)의 길이를 신장시켜 픽셀 바(244)와 패드(242)의 컨택을 위한 브리지로 이용하게 된다.In order to prevent the contact of the pixel bar 244 from breaking at the boundary of the first contact hole 155, the length of the contact pattern 260 of the bridge layer 280 in the contact area is extended to increase the length of the contact between the pixel bar 244 and the pixel bar 244. It is used as a bridge for the contact of the pad 242.

픽셀 바(244)의 컨택을 위한 브리지로 컨택 패턴(260)은 픽셀 바(244)의 하부까지 그 길이가 신장될 수 있다. 이때, 공통 전극의 투명 메탈을 모두 이용하여 컨택 패턴(260)을 형성할 수 있다.As a bridge for contacting the pixel bar 244, the contact pattern 260 may extend to the bottom of the pixel bar 244. In this case, the contact pattern 260 may be formed using all the transparent metals of the common electrode.

유닛 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부(240)뿐만 아니라, 온-오프 패드부(230) 및 범프 인풋 더미/범프 아웃풋 더미(250)도 상술한 브리지 레이어(280)를 이용하여 패드(242)와 픽셀 바(242)를 연결시킬 수 있다.In addition to the unit FPC pad unit / unit FPC shorting connection 240, the on-off pad unit 230 and the bump input dummy / bump output dummy 250 may be connected to the pad 242 using the bridge layer 280 described above. The pixel bars 242 may be connected.

패드 영역에 형성되는 제2 보호층(180)의 제2 컨택 홀(185) 및 패드(242)의 사이지는 변경될 수 있으며, 프로브 팁(probe tip)으로 검사가 가능한 수준의 사이즈이면 된다.The size of the second contact hole 185 and the pad 242 of the second passivation layer 180 formed in the pad region may be changed, and may be a size that can be inspected by a probe tip.

상술한 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치와 이의 제조방법은 하프톤 마스크(Half tone mask)를 이용한 단일 마스크 공정으로 제2 보호층(180)과 픽셀 전극(190)을 동시에 형성하여 제조 효율을 높일 수 있다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same according to the exemplary embodiment of the present invention provide a manufacturing efficiency by simultaneously forming the second passivation layer 180 and the pixel electrode 190 in a single mask process using a half tone mask. Can increase.

또한, 픽셀 전극(190)의 형성 시, 리프트 오프(lift off) 공정에 의한 픽셀 전극(190)의 유실로 인해 발생되는 패드 영역에서 픽셀 바(244)가 단선되는 것을 방지할 수 있다. 이를 통해, 패드부에 형성되는 픽셀 바의 컨택 성능을 향상시킬 수 있다.In addition, when the pixel electrode 190 is formed, the pixel bar 244 may be prevented from being disconnected in the pad area caused by the loss of the pixel electrode 190 due to a lift off process. Through this, the contact performance of the pixel bar formed in the pad portion may be improved.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100: 표시 영역 200: 비 표시 영역
110: 글래스 기판 120: 차광층
122: 버퍼층 130: 액티브
132: 소스 134: 드레인
136: 게이트 절연층 138: 게이트
140: 층간 절연층 145: 데이터 컨택
150: 제1 보호층 155: 제1 컨택 홀
160: 공통 전극 170: 터치 센싱 라인
180: 제2 보호층 185: 제2 컨택 홀
190: 픽셀 전극 195: 포토레지스트
242: 패드 244: 픽셀 바
246: 파워 라인 260: 컨택 패턴
270: 하부 메탈 280: 브리지 레이어
230: 유닛 온-오프 패드부
240: 유닛 FPC 패드부/유닛 FPC 쇼팅 연결부
250: 범프 인풋 더미/범프 아웃풋 더미
100: display area 200: non-display area
110: glass substrate 120: light shielding layer
122: buffer layer 130: active
132: source 134: drain
136: gate insulating layer 138: gate
140: interlayer insulating layer 145: data contact
150: first protective layer 155: first contact hole
160: common electrode 170: touch sensing line
180: second protective layer 185: second contact hole
190: pixel electrode 195: photoresist
242: Pad 244: Pixel Bar
246: power line 260: contact pattern
270: lower metal 280: bridge layer
230: unit on-off pad portion
240: unit FPC pad part / unit FPC shorting connection part
250: Bump Input Dummy / Bump Output Dummy

Claims (16)

패드가 형성된 패드 영역 및 픽셀 바가 형성된 컨택 영역을 포함하는 패드부가 패널 외곽부에 형성되는 액정 표시장치에 있어서,
상기 패드 영역의 제1 보호층 상부와, 상기 컨택 영역의 제1 보호층 상부 및 제1 컨택 홀 영역에 형성된 브리지 레이어;
상기 브리지 레이어를 덮도록 형성된 제2 보호층;
상기 패드 영역에서 하부 메탈과 중첩되는 영역의 제2 보호층 및 상기 컨택 영역의 컨택 바와 중첩되는 영역에 제2 보호층을 제거하여 형성된 적어도 하나의 제2 컨택 홀; 및
상기 패드 영역 상부 및 컨택 영역 상부에 투명 전도성 물질로 형성된 컨택 전극;을 포함하고,
상기 패드 영역의 패드와 상기 컨택 영역의 픽셀 바는 상기 브리지 레이어를 통해 연결된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
A liquid crystal display device, wherein a pad portion including a pad region on which a pad is formed and a contact region on which a pixel bar is formed is formed on an outer portion of a panel.
A bridge layer formed over the first passivation layer of the pad region, over the first passivation layer and the first contact hole region of the contact region;
A second protective layer formed to cover the bridge layer;
At least one second contact hole formed by removing the second passivation layer in the second passivation layer of the pad region and the overlapping contact bar of the contact region from the pad region; And
And a contact electrode formed of a transparent conductive material on the pad region and on the contact region.
And a pad of the pad area and a pixel bar of the contact area are connected through the bridge layer.
제 1 항에 있어서,
상기 브리지 레이어는 투명 전도성 물질로 형성된 컨택 패턴과 불투명 전도성 메탈 재질로 형성된 하부 메탈로 구성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 1,
The bridge layer is a liquid crystal display comprising a contact pattern formed of a transparent conductive material and a lower metal formed of an opaque conductive metal material.
제 2 항에 있어서,
상기 컨택 영역에서, 상기 컨택 메탈은 상기 제1 보호층 상부 및 상기 제1 컨택홀 영역에 형성되고,
상기 하부 메탈은 상기 제1 보호층 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 2,
In the contact region, the contact metal is formed on the first protective layer and the first contact hole region,
And the lower metal is formed on the first passivation layer.
제 1 항에 있어서,
상기 픽셀 바 상에 형성된 제2 컨택 홀은 가로 6um 및 세로 6um의 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 1,
And a second contact hole formed on the pixel bar having a size of 6 μm in width and 6 μm in length.
제 1 항에 있어서,
상기 픽셀 바는 상기 제1 컨택 홀로부터 20um 거리를 두고 이격되도록 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 1,
And the pixel bar is spaced apart from the first contact hole at a distance of 20 um from the first contact hole.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 컨택 홀의 사이즈는 상기 하부 메탈의 편측보다 10um 작도록 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 1,
The size of the second contact hole is formed to be 10um smaller than the one side of the lower metal.
제 1 항에 있어서,
상기 패드부는 유닛 온-오프 패드부, 유닛 FPC 패드/유닛 FPC 쇼팅 연결부(unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting) 및 범프 인풋 더미/범프 아웃풋 더미를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
The method of claim 1,
And the pad unit includes a unit on-off pad unit, a unit FPC pad / unit FPC shorting connection unit (unit_fpc_pad, unit_fpc_shorting), and a bump input dummy / bump output dummy.
픽셀 패드가 형성된 패드 영역 및 픽셀 바가 형성된 컨택 영역을 포함하는 패드부가 패널 외곽부에 형성되는 액정 표시장치의 제조방법에 있어서,
상기 패드 영역 및 상기 컨택 영역에 제1 보호층을 형성하고, 상기 컨택 영역에서 제1 보호층의 일부를 제거하여 제1 컨택 홀을 형성하는 단계;
상기 패드 영역의 제1 보호층 상에 브리지 레이어를 형성하고, 상기 컨택 영역의 제1 보호층 상부 및 제1 컨택 홀 영역에 브리지 레이어를 형성하는 단계;
상기 제1 보호층 및 상기 브리지 레이어를 덮도록 제2 보호층을 형성하는 단계;
상기 패드 영역 및 상기 컨택 영역의 브리지 레이어와 중첩되는 영역의 제2 보호층의 일부를 제거하여 적어도 하나의 제2 컨택 홀을 형성하는 단계; 및
상기 패드 영역 및 컨택 영역 상에 투명 전도성 물질을 도포하여 픽셀 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 브리지 레이어를 통해 상기 패드 영역의 패드와 상기 컨택 영역의 픽셀 바를 연결시키는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
A method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein a pad portion including a pad region on which a pixel pad is formed and a contact region on which a pixel bar is formed is formed at an outer portion of the panel.
Forming a first protective layer on the pad region and the contact region, and removing a portion of the first protective layer from the contact region to form a first contact hole;
Forming a bridge layer on the first passivation layer of the pad area, and forming a bridge layer on the first passivation layer and the first contact hole area of the contact area;
Forming a second protective layer to cover the first protective layer and the bridge layer;
Forming at least one second contact hole by removing a portion of a second passivation layer in an area overlapping the pad area and the bridge layer of the contact area; And
And forming a pixel electrode by applying a transparent conductive material on the pad region and the contact region.
And a pixel bar of the contact area and a pad of the pad area through the bridge layer.
제 8 항에 있어서,
상기 제1 컨택 홀 및 제2 컨택 홀은 하프톤 마스크의 클리어 영역을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method of claim 8,
Wherein the first contact hole and the second contact hole are formed using a clear region of a halftone mask.
제 8 항에 있어서,
상기 픽셀 바 상에 형성된 제2 컨택 홀은 가로 6um 및 세로 6um의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method of claim 8,
And a second contact hole formed on the pixel bar having a width of 6 μm and a length of 6 μm.
제 8 항에 있어서,
상기 픽셀 바는 상기 제1 컨택 홀로부터 20um 거리를 두고 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method of claim 8,
And the pixel bar is formed to be spaced apart from the first contact hole at a distance of 20 um.
제 8 항에 있어서,
상기 제2 컨택 홀의 사이즈는 상기 하부 메탈의 편측보다 10um 작도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method of claim 8,
The size of the second contact hole is formed to be less than 10um than the one side of the lower metal, the manufacturing method of the liquid crystal display device.
제 8 항에 있어서,
상기 브리지 레이어는 투명 전도성 물질로 형성된 컨택 패턴과 불투명 전도성 메탈 재질로 형성된 하부 메탈로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method of claim 8,
The bridge layer may include a contact pattern formed of a transparent conductive material and a lower metal formed of an opaque conductive metal material.
제 13 항에 있어서,
상기 컨택 패턴은 표시 영역에 형성되는 공통 전극의 투명 메탈로 형성되고,
상기 하부 메탈은 표시 영역에 형성되는 터치 센싱 라인의 메탈로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method of claim 13,
The contact pattern is formed of a transparent metal of a common electrode formed in the display area,
And the lower metal is formed of a metal of a touch sensing line formed in the display area.
제 8 항에 있어서,
상기 하부 메탈은 상기 제2 보호층의 식각 시 에치 스톱(etch stop)으로 기능하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method of claim 8,
And the lower metal functions as an etch stop when the second protective layer is etched.
제 8 항에 있어서,
상기 제2 컨택 홀을 형성하는 공정에 있어서,
상기 제2 보호층 상에 포토레지스트를 도포한 후, 하프톤 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 수행하여 노멀 영역, 하프톤 영역 및 클리어 영역을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 클리어 영역을 통해 상기 제2 보호층을 제거하여 상기 제2 컨택 홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치의 제조방법.
The method of claim 8,
In the step of forming the second contact hole,
After applying the photoresist on the second protective layer, performing a photolithography process and an etching process using a halftone mask to form a normal region, a halftone region, and a clear region,
And removing the second protective layer through the clear region to form the second contact hole.
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