KR101608637B1 - Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR101608637B1
KR101608637B1 KR1020110076963A KR20110076963A KR101608637B1 KR 101608637 B1 KR101608637 B1 KR 101608637B1 KR 1020110076963 A KR1020110076963 A KR 1020110076963A KR 20110076963 A KR20110076963 A KR 20110076963A KR 101608637 B1 KR101608637 B1 KR 101608637B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
layer
common electrode
liquid crystal
passivation layer
Prior art date
Application number
KR1020110076963A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130015126A (en
Inventor
이상진
김현호
조성필
신희선
노상순
김현진
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110076963A priority Critical patent/KR101608637B1/en
Publication of KR20130015126A publication Critical patent/KR20130015126A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101608637B1 publication Critical patent/KR101608637B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Abstract

본 발명은 구동 성능이 향상된 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와, 제조공정을 단순화시켜 제조 비용의 절감 및 제조 효율을 향상시킬 수 있는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 글래스 기판 상에 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층을 덮도록 형성된 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 액티브를 형성하는 단계; 상기 액티브를 덮도록 게이트 절연층 및 게이트를 형성하고, 상기 액티브의 외곽에 불순물을 도핑하여 소스 및 드레인을 형성함으로써 TFT(thin film transistor)를 구성하는 단계; 상기 게이트를 덮도록 층간 절연층 및 제1 보호층을 형성하는 단계; 상기 제1 보호층 상에 공통 전극을 형성함과 아울러, 상기 드레인의 상면을 노출시키는 제1 컨택홀을 형성하는 단계; 상기 제1 컨택홀에 데이터 컨택을 형성함과 아울러, 상기 공통 전극 상에 터치 센싱 라인을 형성하는 단계; 상기 데이터 컨택의 상면을 노출시키는 제2 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 보호층 상부 및 데이터 컨택 상에 픽셀 전극을 형성하는 단계;를 포함한다.The present invention relates to a liquid crystal display device having a built-in touch screen with improved driving performance and a manufacturing method of a liquid crystal display device having a built-in touch screen capable of reducing manufacturing cost and manufacturing efficiency by simplifying a manufacturing process.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display (LCD) device including a touch screen, including: forming a light shielding layer on a glass substrate; Forming a buffer layer covering the light-shielding layer, and forming an active layer on the buffer layer; Forming a thin film transistor (TFT) by forming a gate insulating layer and a gate so as to cover the active, and forming a source and a drain by doping an impurity into the active outline; Forming an interlayer insulating layer and a first passivation layer to cover the gate; Forming a common electrode on the first passivation layer and forming a first contact hole exposing an upper surface of the drain; Forming a data contact in the first contact hole and forming a touch sensing line on the common electrode; Forming a second protective layer that exposes an upper surface of the data contact; And forming a pixel electrode over the second passivation layer and the data contact.

Description

터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE WITH A BUILT-IN TOUCH SCREEN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a liquid crystal display device having a touch screen and a method of manufacturing the same,

본 발명은 평판 표시장치에 관한 것으로, 특히 두께가 얇은 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와, 제조공정을 단순화시켜 제조 비용의 절감 및 제조 효율을 향상시킬 수 있는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flat panel display, and more particularly to a flat panel display having a liquid crystal display device with a thin touch screen incorporated therein, a liquid crystal display device having a built-in touch screen capable of simplifying a manufacturing process, And a manufacturing method thereof.

이동통신 단말기, 노트북 컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 평판 표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 증대되고 있다.As portable electronic devices such as mobile communication terminals and notebook computers are developed, there is an increasing demand for flat panel display devices applicable thereto.

평판 표시장치들 중에서 액정 표시장치는 양산 기술의 발전, 구동수단의 용이성, 저전력 소비, 고화질 및 대화면 구현의 장점으로 적용 분야가 확대되고 있다.Of the flat panel display devices, liquid crystal display devices are being applied to the fields of development of mass production technology, ease of driving means, low power consumption, high image quality and large screen realization.

최근에 들어, 액정 표시장치의 입력 장치로서 종래에 적용되었던 마우스나 키보드 등의 입력 장치를 대체하여 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 스크린에 직접 정보를 입력할 수 있는 터치 스크린이 적용되고 있다. 이러한, 터치 스크린은 누구나 쉽게 조작할 수 있는 장점으로 인해 적용이 확대되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, a touch screen capable of inputting information directly to a screen by using a finger or a pen has been applied in place of an input device such as a mouse or a keyboard, which has been conventionally applied as an input device of a liquid crystal display device. Such a touch screen is being applied due to its ease of operation by anyone.

터치 스크린은 액정 패널과 결합되는 구조에 따라 액정 패널의 셀 내에 내화되는 인-셀 방식, 액정 패널 상부에 형성되는 온-셀 방식 및 액정 패널의 외부에 터치 스크린이 결합되는 애드-온 방식으로 구분될 수 있다.The touch screen is divided into an in-cell type in which the touch panel is combined with a liquid crystal panel, an on-cell type in which the liquid crystal panel is refracted in the cell, an on-cell type formed in the upper portion of the liquid crystal panel, .

액정 표시장치에 터치 스크린의 적용에 있어서, 슬림(Slim)화를 위해 액정 패널의 TFT 어레이 기판(하부 기판)에 터치 스크린을 내장시키는 형태로 개발이 이루어지고 있다.In the application of a touch screen to a liquid crystal display device, a touch screen is embedded in a TFT array substrate (lower substrate) of a liquid crystal panel in order to make it slim.

이때, TFT 어레이 기판에 형성된 공통 전극을 터치 센싱 전극으로 활용하고, 픽셀들에 형성된 공통 전극을 연결하는 센싱 라인을 별도로 형성하는 인-셀 터치(in-cell touch) 타입의 액정 표시장치가 개발되고 있다.At this time, an in-cell touch type liquid crystal display device is developed in which a common electrode formed on the TFT array substrate is used as a touch sensing electrode and a sensing line connecting a common electrode formed on the pixels is separately formed have.

도 1은 종래 기술에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 구동방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a schematic view for explaining a liquid crystal display device and a method of driving the same according to the related art. Referring to FIG.

도 1에서는 FFS(Fringe Field Switch) 모드의 TFT 어레이 기판 구조를 나타내고 있으며, 컬러필터 어레이 기판(상부 기판) 및 액정층의 도시는 생략하였다. 도 1에서는 인-셀 터치 타입으로 터치 스크린이 TFT 어레이 기판에 내재화 된 것을 도시하고 있다.FIG. 1 shows a TFT array substrate structure in an FFS (Fringe Field Switch) mode, and illustration of a color filter array substrate (upper substrate) and a liquid crystal layer is omitted. 1 shows that a touch screen is built in a TFT array substrate in an in-cell touch type.

TFT 어레이 기판에는 복수의 픽셀이 형성되며, 상기 복수의 픽셀 각각은 서로 교차하는 데이터 라인들(미도시)과 게이트 라인들(미도시)에 의해 정의된다.A plurality of pixels are formed on the TFT array substrate, and each of the plurality of pixels is defined by data lines (not shown) and gate lines (not shown) which intersect with each other.

상기 데이터 라인들과 상기 게이트 라인들이 교차되는 영역 마다 TFT(Thin Film Transistor)가 형성된다. 또한, 복수의 픽셀 각각은 공통 전극(Vcom electrode) 및 픽셀 전극(pixel electrode)을 포함한다. 도 1에서는 TFT 어레이 기판에 형성되는 복수의 픽셀 중에서 하나의 픽셀만을 도시하고 있다.A TFT (Thin Film Transistor) is formed for each region where the data lines and the gate lines cross each other. In addition, each of the plurality of pixels includes a common electrode (Vcom electrode) and a pixel electrode. In Fig. 1, only one pixel is shown among a plurality of pixels formed on the TFT array substrate.

도 1을 참조하면, TFT 어레이 기판은 글래스 기판(10), 차광층(12, light shield), 버퍼층(14, buffer layer), TFT, 게이트 절연층(22, GI: gate insulator), 층간 절연층(26, ILD: Inter Layer Dielectric), 복수의 보호층(28, 32, 38: PAS0, PAS1, PAS2), 데이터 컨택(30, data contact), 공통 전극(34, Vcom electrode), 터치 센싱 라인(36, sensing line(3rd metal)) 및 픽셀 전극(42, pixel electrode)을 포함한다.1, the TFT array substrate includes a glass substrate 10, a light shield 12, a buffer layer 14, a TFT, a gate insulator 22, a gate insulator (GI) A plurality of protection layers 28, 32, 38, PAS0, PAS1, and PAS2, a data contact 30, a common electrode 34, a Vcom electrode, a touch sensing line (ILD) 36, a sensing line (3 rd metal), and a pixel electrode (42).

상술한 구성을 포함하는 종래 기술에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치는 표시 기간에는 픽셀 인가된 데이터 전압 및 공통 전압에 따라 각 픽셀의 액정층을 투과하는 광의 투과율을 조절하여 영상 신호에 따른 화상을 표시한다.In the liquid crystal display device having a built-in touch screen according to the related art, the transmittance of light passing through the liquid crystal layer of each pixel is controlled according to the applied data voltage and common voltage, .

그리고, 비 표시 기간에는 상기 터치 센싱 라인(36)에 의해 접속된 픽셀들의 공통 전극(34)들을 터치 센싱 전극(touch sensing electrode)으로 구동시켜 사용자의 터치에 따른 정전용량(Ctc)의 변화를 감지한다.During the non-display period, the common electrodes 34 of the pixels connected by the touch sensing line 36 are driven by a touch sensing electrode to detect a change in the capacitance Ctc in response to the touch of the user do.

즉, 공통 전극(34)은 표시 기간에는 공통 전압(Vcom)을 픽셀에 공급하는 전극으로 기능하고, 비 표시 기간에는 터치의 검출을 위한 터치 센싱 전극으로 기능한다.That is, the common electrode 34 functions as an electrode for supplying the common voltage Vcom to the pixel in the display period, and functions as the touch sensing electrode for detecting the touch in the non-display period.

도 2는 종래 기술에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.2 is a view illustrating a conventional method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen.

도 2를 참조하면, 아몰퍼스 실리콘(a-Si: amorphous Silicon) TFT의 느린 동작 속도, 미세 선폭 설계 제한 등의 단점을 보완하기 위해, 상기 TFT 어레이 기판의 TFT를 형성하기 위한 소재로 저온 다결정 실리콘(LTPS: Low Temperature Poly Silicon)을 이용하고 있다.Referring to FIG. 2, in order to compensate for the drawbacks of a slow operation speed and a fine line width design limitation of an amorphous silicon (a-Si) TFT, a low temperature polycrystalline silicon LTPS: Low Temperature Poly Silicon).

종래 기술에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조에 저온 다결정 실리콘(LTPS)을 이용하는 경우에는 도 2에 도시된 바와 같이, 10개의 마스크를 이용한 10회의 포토리쏘그래피 공정을 수행하게 된다. When low-temperature polycrystalline silicon (LTPS) is used for manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to the related art, 10 photolithography processes using 10 masks are performed as shown in FIG.

이와 같이, TFT 어레이 기판의 제조에 10개의 마스크를 이용한 10회의 포토리쏘그래피 공정이 수행되면, 제조 공정의 택트 타임(tact time)이 길어 제조 효율이 떨어지고, 제조 비용이 증가하는 단점이 있다.If ten photolithography processes using ten masks are performed to manufacture the TFT array substrate, the manufacturing time tact time of the TFT array substrate is long, resulting in a low production efficiency and a high manufacturing cost.

특히, TFT 어레이 기판에 터치 센싱 라인(36)을 형성시키기 위한 별도의 마스크 및 포토리쏘그래피 공정을 수행함으로 인해 제조 효율이 떨어지고 및 제조 비용이 증가하는 단점이 있다.Particularly, since a separate mask and photolithography process are performed to form the touch sensing line 36 on the TFT array substrate, there is a disadvantage that the manufacturing efficiency is lowered and the manufacturing cost is increased.

이러한, 단점들은 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제품 경쟁력을 떨어뜨리는 주요 원인이 된다.These disadvantages are a major cause of deteriorating the product competitiveness of the liquid crystal display device having a built-in touch screen.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, TFT 어레이 기판(하부 기판)의 제조 시, 마스크 공정을 줄여 제조 비용을 절감시킬 수 있는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device with a built-in touch screen capable of reducing a manufacturing cost by reducing a mask process in manufacturing a TFT array substrate It is a technical task.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, TFT 어레이 기판(하부 기판)의 제조공정을 단순화시켜 제조 효율을 향상시킬 수 있는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device with a built-in touch screen capable of improving manufacturing efficiency by simplifying a manufacturing process of a TFT array substrate .

발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, TFT 어레이 기판(하부 기판)의 두께를 줄일 수 있는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device having a touch screen capable of reducing the thickness of a TFT array substrate (lower substrate) and a method of manufacturing the same.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 구동 성능을 향상시킬 수 있는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device with a built-in touch screen capable of improving driving performance and a method of manufacturing the same.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 글래스 기판 상에 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층을 덮도록 형성된 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 액티브를 형성하는 단계; 상기 액티브를 덮도록 게이트 절연층 및 게이트를 형성하고, 상기 액티브의 외곽에 불순물을 도핑하여 소스 및 드레인을 형성함으로써 TFT(thin film transistor)를 구성하는 단계; 상기 게이트를 덮도록 층간 절연층 및 제1 보호층을 형성하는 단계; 상기 제1 보호층 상에 공통 전극을 형성함과 아울러, 상기 드레인의 상면을 노출시키는 제1 컨택홀을 형성하는 단계; 상기 제1 컨택홀에 데이터 컨택을 형성함과 아울러, 상기 공통 전극 상에 터치 센싱 라인을 형성하는 단계; 상기 데이터 컨택의 상면을 노출시키는 제2 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 보호층 상부 및 데이터 컨택 상에 픽셀 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display (LCD) device including a touch screen, including: forming a light shielding layer on a glass substrate; Forming a buffer layer covering the light-shielding layer, and forming an active layer on the buffer layer; Forming a thin film transistor (TFT) by forming a gate insulating layer and a gate so as to cover the active, and forming a source and a drain by doping an impurity into the active outline; Forming an interlayer insulating layer and a first passivation layer to cover the gate; Forming a common electrode on the first passivation layer and forming a first contact hole exposing an upper surface of the drain; Forming a data contact in the first contact hole and forming a touch sensing line on the common electrode; Forming a second protective layer that exposes an upper surface of the data contact; And forming a pixel electrode over the second passivation layer and the data contact.

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치는 글래스 기판 상에 형성된 차광층; 상기 차광층 상에 형성된 TFT(thin film transistor); 상기 TFT를 덮도록 형성된 층간 절연층 및 제1 보호층; 상기 제1 보호층 상에 형성된 공통 전극; 상기 공통 전극 상에 형성된 터치 센싱 라인; 상기 TFT의 게이트 절연층, 상기 층간 절연층 및 제1 보호층을 관통하여 상기 TFT의 드레인과 접속되는 데이터 컨택; 상기 공통 전극 및 제1 보호층을 덮도록 형성되고, 상기 데이터 컨택의 상면을 노출시키는 제2 보호층; 및 상기 제2 보호층 상에 형성되고, 상기 데이터 컨택과 접속되는 픽셀 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a liquid crystal display device including a touch screen includes a light shielding layer formed on a glass substrate, A TFT (thin film transistor) formed on the light shielding layer; An interlayer insulating layer and a first passivation layer formed to cover the TFT; A common electrode formed on the first passivation layer; A touch sensing line formed on the common electrode; A data contact which is connected to the drain of the TFT through the gate insulating layer, the interlayer insulating layer and the first passivation layer of the TFT; A second protective layer formed to cover the common electrode and the first protective layer and exposing an upper surface of the data contact; And a pixel electrode formed on the second passivation layer and connected to the data contact.

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 TFT 어레이 기판(하부 기판)의 제조 시, 마스크 공정을 줄여 제조 비용을 절감시킬 수 있다.A manufacturing method of a liquid crystal display device having a built-in touch screen according to an embodiment of the present invention can reduce a manufacturing cost by reducing a mask process in manufacturing a TFT array substrate (a lower substrate).

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 TFT 어레이 기판(하부 기판)의 제조공정을 단순화시켜 제조 효율을 향상시킬 수 있다.A manufacturing method of a liquid crystal display device having a touch screen according to an embodiment of the present invention can improve manufacturing efficiency by simplifying the manufacturing process of a TFT array substrate (lower substrate).

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 TFT 어레이 기판(하부 기판)의 두께를 줄여 액정 표시장치의 두께를 슬림화시킬 수 있다.A method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to an embodiment of the present invention can reduce the thickness of a TFT array substrate (lower substrate), thereby reducing the thickness of a liquid crystal display device.

실시 예에 따른 본 발명은 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 구동 성능을 향상시킬 수 있다.The present invention can improve driving performance of a liquid crystal display device having a touch screen.

위에서 언급된 본 발명의 특징 및 효과들 이외에도 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 효과들이 새롭게 파악 될 수도 있을 것이다.Other features and effects of the present invention may be newly understood through the embodiments of the present invention in addition to the features and effects of the present invention mentioned above.

도 1은 종래 기술에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 2는 종래 기술에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 4 내지 도 13은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면.
도 14 내지 도 20은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면.1 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a liquid crystal display device incorporating a touch screen according to a related art.
2 is a view illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to a related art.
3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display device having a touch screen according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 to 13 are views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to a first embodiment of the present invention.
14 to 20 are views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a liquid crystal display (LCD) device having a touch screen according to embodiments of the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어서 어떤 구조물(전극, 라인, 레이어, 컨택)이 다른 구조물 '상부에 또는 상에' 및 '하부에 또는 아래에' 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석 되어야 한다.In describing embodiments of the present invention, when it is described that a structure (electrode, line, layer, contact) is formed over or on another structure, and below or below the substrate, It should be interpreted to include the case where a third structure is interposed between these structures as well as when they are in contact with each other.

상기 '상부에 또는 상에' 및 '하부에 또는 아래에' 라는 표현은 도면에 기초하여 본 발명의 액정 표시장치 및 이의 제조방법을 설명하기 위한 것이다. 따라서, 상기 '상부에 또는 상에' 및 '하부에 또는 아래에' 라는 표현은 제조 공정 과정과 제조가 완료된 이후 구성에서 서로 상이할 수 있다.The above " above or above " and " below or below " are intended to explain the liquid crystal display of the present invention and a method of manufacturing the same, based on the drawings. Accordingly, the terms 'above or above' and 'below or below' may be different from each other in the fabrication process and in the configuration after fabrication is complete.

도면을 참조한 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 액정 표시장치는 액정층의 배열을 조절하는 방식에 따라 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 등 다양하게 개발되어 있다.Prior to detailed description of the present invention, a liquid crystal display device has a twisted nematic (TN) mode, a VA (Vertical Alignment) mode, an IPS (In Plane Switching) mode, an FFS Field Switching) mode.

그 중에서, 상기 IPS 모드와 상기 FFS 모드는 하부 기판 상에 화소 전극과 공통 전극을 배치하여 상기 화소 전극과 공통 전극 사이의 전계에 의해 액정층의 배열을 조절하는 방식이다.In the IPS mode and the FFS mode, a pixel electrode and a common electrode are disposed on a lower substrate, and the alignment of the liquid crystal layer is adjusted by an electric field between the pixel electrode and the common electrode.

상기 IPS 모드는 상기 화소 전극과 공통 전극을 평행하게 교대로 배열함으로써 양 전극 사이에서 횡전계를 일으켜 액정층의 배열을 조절하는 방식이다. 이와 같은 IPS 모드는 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 상측 부분에서 액정층의 배열이 조절되지 않아 그 영역에서 광의 투과도가 저하되는 단점이 있다.In the IPS mode, the pixel electrodes and the common electrodes are alternately arranged in parallel to each other to generate a transverse electric field between both electrodes to adjust the arrangement of the liquid crystal layers. In such an IPS mode, the alignment of the liquid crystal layer in the upper portion of the pixel electrode and the common electrode is not adjusted, and the transmittance of light is reduced in the region.

이와 같은 IPS 모드의 단점을 해결하기 위해 고안된 것이 상기 FFS 모드이다. 상기 FFS 모드는 상기 화소 전극과 상기 공통 전극을 절연층을 사이에 두고 이격되도록 형성시킨다.The FFS mode is designed to overcome the shortcomings of the IPS mode. In the FFS mode, the pixel electrode and the common electrode are formed to be spaced apart with an insulating layer therebetween.

이때, 하나의 전극은 판(plate) 형상 또는 패턴으로 구성하고 다른 하나의 전극은 핑거(finger) 형상으로 구성하여 양 전극 사이에서 발생되는 프린지 필드(Fringe Field)를 통해 액정층의 배열을 조절하는 방식이다.At this time, one electrode is formed in a plate shape or a pattern and the other electrode is formed in a finger shape, and the arrangement of the liquid crystal layer is controlled through a fringe field generated between the electrodes Method.

본 발명의 실시 예들에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치는 상기 FFS 모드의 구조를 가진다. 그리고, TFT 어레이 기판(하부 기판)의 소재로 저온 다결정 실리콘(LTPS: Low Temperature Poly Silicon)을 이용할 수 있다.A liquid crystal display device having a built-in touch screen according to embodiments of the present invention has the structure of the FFS mode. Low temperature polysilicon (LTPS) can be used as a material of the TFT array substrate (lower substrate).

도면을 참조한 설명에 앞서, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치는 사용자의 터치 위치를 검출하는 터치 스크린이 내장된 인-셀 터치(in-cell touch) 타입의 액정 패널과, 상기 액정 패널에 광을 공급하는 백라이트 유닛(Back Light Unit) 및 구동 회로부를 포함하여 구성된다.Before describing the drawings, a liquid crystal display device having a built-in touch screen according to an embodiment of the present invention includes an in-cell touch type liquid crystal panel having a touch screen for detecting a touch position of a user, A backlight unit for supplying light to the liquid crystal panel, and a driving circuit.

상기 구동 회로부는 타이밍 컨트롤러(T-con), 데이터 드라이버(D-IC), 게이트 드라이버(G-IC), 센싱 드라이버, 백라이트 구동부, 구동 회로들에 구동 전원을 공급하는 전원 공급부를 포함한다.The driving circuit unit includes a power supply unit for supplying driving power to a timing controller T-con, a data driver D-IC, a gate driver G-IC, a sensing driver, a backlight driving unit, and driving circuits.

여기서, 상기 구동 회로부의 전체 또는 일부는 COG(Chip On Glass) 또는 COF(Chip On Flexible Printed Circuit, Chip On Film) 방식으로 액정 패널 상에 형성될 수 있다.Here, all or a part of the driving circuit portion may be formed on a liquid crystal panel by a COG (Chip On Glass) or a COF (Chip On Flexible Printed Circuit) method.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display device having a touch screen according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3에서는 인-셀 터치 타입으로 터치 스크린이 TFT 어레이 기판에 내재화 된 것을 도시하고 있으며, TFT 어레이 기판에 형성되는 복수의 픽셀 중에서 하나의 픽셀만을 도시하고 있다.FIG. 3 shows that the touch screen is internalized in the TFT array substrate in the in-cell touch type, and shows only one pixel among a plurality of pixels formed on the TFT array substrate.

도 3에서는 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 구성들 중에서 컬러필터 어레이 기판(상부 기판), 액정층 및 구동회로부의 도시는 생략하였다.3, the color filter array substrate (upper substrate), the liquid crystal layer, and the driving circuit are not shown in the liquid crystal display device having the touch screen according to the embodiment of the present invention.

TFT 어레이 기판에는 복수의 픽셀이 형성되며, 상기 복수의 픽셀 각각은 서로 교차하는 데이터 라인들(미도시)과 게이트 라인들(미도시)에 의해 정의된다.A plurality of pixels are formed on the TFT array substrate, and each of the plurality of pixels is defined by data lines (not shown) and gate lines (not shown) which intersect with each other.

상기 데이터 라인들과 상기 게이트 라인들이 교차되는 영역 마다 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)가 형성된다. 또한, 복수의 픽셀 각각은 공통 전극(Vcom electrode) 및 픽셀 전극(pixel electrode)을 포함한다.A thin film transistor (TFT) is formed in an area where the data lines and the gate lines cross each other. In addition, each of the plurality of pixels includes a common electrode (Vcom electrode) and a pixel electrode.

도 3을 참조하면, TFT 어레이 기판에는 화상을 표시하기 위한 픽셀 영역 및 픽셀을 구동시키기 위한 TFT가 형성된 TFT 영역이 형성되어 있다.Referring to Fig. 3, a TFT region in which a pixel region for displaying an image and a TFT for driving a pixel are formed is formed on the TFT array substrate.

TFT 영역에는 데이터 라인으로부터 인가되는 픽셀 전압을 픽셀에 공급하기 위한 TFT가 형성된다.A TFT for supplying a pixel voltage to the pixel is applied to the TFT region from the data line.

픽셀 영역에는 픽셀 전극(142)과 공통 전극(136)이 형성되고, 공통 전극(134)을 터치 전극으로 구동시키기 위해, 인접한 픽셀의 공통 전극(134)들을 로우(row) 방향 또는 컬럼(column) 방향으로 연결시키는 터치 센싱 라인(136)이 형성된다.A pixel electrode 142 and a common electrode 136 are formed in the pixel region and common electrodes 134 of adjacent pixels are arranged in a row direction or a column direction to drive the common electrode 134 to the touch electrode. A touch sensing line 136 is formed.

이하 에서는 TFT 영역 및 픽셀 전극과 TFT가 접속되는 컨택영역을 기준으로 TFT 어레이 기판의 구성에 대하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the structure of the TFT array substrate will be described in detail with reference to a TFT region, a contact region to which the pixel electrode and the TFT are connected.

TFT 어레이 기판은 글래스 기판(110), 차광층(112), 버퍼층(114, buffer layer), 게이트 절연층(122, gate insulator), 공통 전극(134, Vcom electrode), 터치 센싱 라인(136), 층간 절연층(126, ILD: Inter Layer Dielectric), 데이터 컨택(130, data contact), 픽셀 전극(142, Pixel electrode), 제1 보호층(132, PAS1), 제2 보호층(138, PAS2) 및 액티브(116), 소스(118), 드레인(120), 게이트(124)로 이루어진 TFT를 포함한다.The TFT array substrate includes a glass substrate 110, a light shielding layer 112, a buffer layer 114, a gate insulator 122, a common electrode 134, a touch sensing line 136, An interlayer dielectric (ILD) 126, a data contact 130, a pixel electrode 142, a first passivation layer 132, a first passivation layer 132, a second passivation layer 138, And a TFT composed of an active layer 116, a source 118, a drain 120, and a gate 124.

구체적으로, 글래스 기판(110) 상부의 TFT 영역에는 차광층(112)이 형성되고, 그 위에 버퍼층(114)이 형성된다.Specifically, a light shielding layer 112 is formed on a TFT region above the glass substrate 110, and a buffer layer 114 is formed thereon.

여기서, 차광층(112)은 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있으며, 500Å의 두께를 가질 수 있다.Here, the light-shielding layer 112 may be formed of molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and may have a thickness of 500 ANGSTROM.

버퍼층(114)은 무기물, 일 예로서 SiO2, 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 2,000Å ~ 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.The buffer layer 114 may be formed of an inorganic material, for example, SiO 2 , or SiN x, and may have a thickness of 2,000 Å to 3,000 Å.

버퍼층(114) 상부에는 차광층(112)과 중첩되는 영역에 TFT의 액티브(116), 소스(118) 및 드레인(120)이 형성된다.The active layer 116, the source 118, and the drain 120 of the TFT are formed on the buffer layer 114 in a region overlapping the light-shielding layer 112.

여기서, 액티브(116)는 저온 폴리실리콘(P-Si)으로 형성될 수 있으며, 500Å의 두께를 가질 수 있다. 소스(118) 및 드레인(120)은 액티브(116)의 반도체 레이어에 P 타입 또는 N 타입의 불순물이 도핑되어 형성된다.Here, the active layer 116 may be formed of low-temperature polysilicon (P-Si) and may have a thickness of 500 ANGSTROM. The source 118 and the drain 120 are formed by doping a semiconductor layer of the active layer 116 with P type or N type impurities.

버퍼층(114)의 상부 전면에는 액티브(116), 소스(118) 및 드레인(120)을 덮도록 게이트 절연층(122)이 형성된다.A gate insulating layer 122 is formed on the upper surface of the buffer layer 114 so as to cover the active layer 116, the source layer 118, and the drain layer 120.

여기서, 게이트 절연층(122)은 SiO2로 형성될 수 있으며, 1,300Å의 두께를 가질 수 있다.Here, the gate insulating layer 122 may be formed of SiO 2 , and may have a thickness of 1,300 Å.

한편, 게이트 절연층(122)은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 또는 MTO(Middle Temperature Oxide)를 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 증착하여 형성될 수도 있다.Meanwhile, the gate insulating layer 122 may be formed by depositing TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) or MTO (Middle Temperature Oxide) by CVD (Chemical Vapor Deposition).

게이트 절연층(122)의 상부 중에서 액티브(116)와 중첩되는 영역에는 TFT의 게이트(124)가 형성된다.A gate 124 of the TFT is formed in an area overlapping the active 116 in the upper part of the gate insulating layer 122.

여기서, 게이트(124)는 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수 있으며, 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.Here, the gate 124 may be formed of aluminum (Al) or molybdenum (Mo), and may have a thickness of 3,000 ANGSTROM.

이와 같이, 게이트 절연층(122)을 사이에 두고, 액티브(116), 소스(118), 드레인(120) 및 게이트(124)가 형성되어 TFT가 구성되게 된다.As described above, the active layer 116, the source 118, the drain 120, and the gate 124 are formed with the gate insulating layer 122 therebetween, thereby forming the TFT.

게이트 절연층(122) 상부에는 TFT의 게이트(124)을 덮도록 층간 절연층(126)이 형성된다.An interlayer insulating layer 126 is formed on the gate insulating layer 122 to cover the gate 124 of the TFT.

여기서, 층간 절연층(126)은 SiO2 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 6,000Å의 두께를 가질 수 있다. 다른 예로서, 층간 절연층(126)은 SiO2(3,000Å)/SiNx(3,000Å)의 구조로도 형성될 수도 있다.Here, the interlayer insulating layer 126 may be formed of SiO 2 or SiN x, and may have a thickness of 6,000 ANGSTROM. As another example, the interlayer insulating layer 126 may also be formed with a structure of SiO 2 (3,000 Å) / SiN x (3,000 Å).

층간 절연층(126) 상부에는 제1 보호층(132, PAS1)이 형성된다.A first passivation layer 132 (PAS1) is formed on the interlayer insulating layer 126. [

여기서, 제1 보호층(132)은 포토 아크릴(photo acryl)로 3um의 두께를 가지도록 형성되어 글래스 기판(110)의 전면을 평탄화 시킨다.Here, the first passivation layer 132 is formed to have a thickness of 3 um with a photo acryl to planarize the entire surface of the glass substrate 110.

게이트 절연층(122), 층간 절연층(126) 및 제1 보호층(132)의 일부 영역이 식각되어 TFT의 드레인(120)을 노출시키는 제1 컨택홀이 형성되고, 상기 제1 컨택홀 내에 전도성 금속 물질로 데이터 컨택(130)이 형성된다.A first contact hole exposing the drain 120 of the TFT is formed by etching a part of the gate insulating layer 122, the interlayer insulating layer 126 and the first passivation layer 132, A data contact 130 is formed of a conductive metal material.

데이터 컨택(130)은 TFT의 드레인(120)과 픽셀 전극(142)을 전기적으로 접속시킨다.The data contact 130 electrically connects the drain 120 of the TFT and the pixel electrode 142.

여기서, 데이터 컨택(130)은 일 예로서, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)와 같은 전도성 금속 물질로 6,000Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 다른 예로서, 데이터 컨택(130)은 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)이 적층된 구조로도 형성될 수 있다.Here, the data contact 130 may be formed of, for example, Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, ) May be formed to have a thickness of 6,000 ANGSTROM. As another example, the data contact 130 may also be formed of a laminated structure of molybdenum (Mo) / aluminum (Al) / molybdenum (Mo).

제1 보호층(132)의 상부에는 공통 전극(134, Vcom electrode)이 형성된다.A common electrode 134 (Vcom electrode) is formed on the first passivation layer 132.

이러한, 공통 전극(134)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로, 500Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.The common electrode 134 may be a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO).

공통 전극(134) 상부의 일측에는 터치 센싱 라인(136)이 형성된다.A touch sensing line 136 is formed on one side of the upper portion of the common electrode 134.

여기서, 상기 제1 보호층 및 공통 전극 상에 전도성 금속 물질이 증착된 후, 패터닝되어 제1 컨택홀 내에 데이터 컨택(130)이 형성되고, 이와 함께, 공통 전극(134) 상에 터치 센싱 라인(136)이 형성된다.Here, a conductive metal material is deposited on the first passivation layer and the common electrode, and then patterned to form a data contact 130 in the first contact hole. In addition, a touch sensing line (not shown) is formed on the common electrode 134 136 are formed.

터치 센싱 라인(136)은 픽셀들을 가로지르도록 공통 전극(134) 상부에 형성되어 인접한 픽셀들의 공통 전극(134)을 연결시킨다. 이를 통해, 공통 전극(134)이 터치 센싱 전극으로 기능하게끔 한다.The touch sensing line 136 is formed on the common electrode 134 so as to cross the pixels and connects the common electrode 134 of the adjacent pixels. Thus, the common electrode 134 functions as a touch sensing electrode.

터치 센싱 라인(136)은 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있으며, 1,500Å ~ 2,000Å의 두께를 가질 수 있다. 한편, 터치 센싱 라인(136)은 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)이 적층된 구조로도 형성될 수 있다.The touch sensing line 136 may be formed of molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and may have a thickness of 1,500 Å to 2,000 Å. Meanwhile, the touch sensing line 136 may be formed of a laminated structure of molybdenum (Mo) / aluminum (Al) / molybdenum (Mo).

이러한, 터치 센싱 라인(136)은 인접한 픽셀들의 공통 전극(134)을 연결하여 터치 블록을 구성시킨다. 이때, 터치 블록은 X축 방향의 터치 위치를 검출하기 위한 터치 로우 블록(touch row block)과, Y축 방향의 터치 위치를 검출하기 위한 터치 컬럼 블록(touch column block)로 구성된다.The touch sensing line 136 connects the common electrode 134 of adjacent pixels to constitute a touch block. At this time, the touch block includes a touch row block for detecting the touch position in the X-axis direction and a touch column block for detecting the touch position in the Y-axis direction.

터치 스크린이 사용자의 터치 위치를 검출하기 위해서는 X축 및 Y축의 좌표를 인식해야 함으로, 터치 로우 블록과 터치 컬럼 블록은 서로 컨택되지 않고 분리되어야 한다.In order for the touch screen to detect the user's touch position, the coordinates of the X-axis and the Y-axis must be recognized, so that the touch row block and the touch column block must be separated from each other without being contacted with each other.

이를 위해, 터치 컬럼 블록의 터치 센싱 라인(136)은 TFT 어레이 기판의 데이터 라인과 중첩되도록 형성된 도전성 라인을 이용하여 Y축 방향으로 연결되어, Y축 방향에서 사용자의 터치 위치가 인식되도록 한다.To this end, the touch sensing line 136 of the touch column block is connected in the Y-axis direction using a conductive line formed to overlap the data line of the TFT array substrate, so that the touch position of the user is recognized in the Y-axis direction.

터치 로우 블록의 터치 센싱 라인(136)은 TFT 어레이 기판에 게이트 라인이 형성될 때 함께 형성된 게이트 메탈을 브릿지로 이용하여 터치 컬럼 블록과의 컨택을 피하고, X축 방향에서 사용자의 터치 위치가 인식되도록 한다.The touch sensing line 136 of the touch row block uses a gate metal formed together when the gate line is formed on the TFT array substrate as a bridge to avoid contact with the touch column block so that the touch position of the user is recognized in the X- do.

이와 같이, 터치 로우 블록과 터치 컬럼 블록이 분리되도록 하여 X축 및 Y축 방향에서 사용자의 터치 위치가 검출되도록 한다.In this manner, the touch row block and the touch column block are separated from each other to detect the touch position of the user in the X-axis and Y-axis directions.

제1 보호층(132) 상부에는 공통 전극(134) 및 터치 센싱 라인(136)을 덮도록 제2 보호층(138, PAS2)이 형성된다.A second passivation layer 138 or PAS2 is formed on the first passivation layer 132 to cover the common electrode 134 and the touch sensing line 136. [

여기서, 제2 보호층(138)은 SiO2, 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 2,000Å ~ 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.Here, the second passivation layer 138 may be formed of SiO 2 or SiNx, and may have a thickness of 2,000 Å to 3,000 Å.

상기 제2 보호층(138) 중에서 데이터 컨택(130)과 중첩되는 영역에는 제2 컨택홀이 형성되어 데이터 컨택(130)의 상면을 노출시킨다.A second contact hole is formed in the second protective layer 138 to overlap the data contact 130 to expose the upper surface of the data contact 130.

상기 제2 보호층(138)의 상부 중에서 픽셀 영역에 픽셀 전극(142)이 핑커(finger) 형상으로 형성된다. 또한, 제2 컨택홀 내에 픽셀 전극(142)이 형성되어 데이터 컨택(130)과 접속된다. 이러한, 컨택 구조를 통해, 데이터 컨택(130)을 경유하여 TFT의 드레인(120)과 픽셀 전극(142)이 접속된다.A pixel electrode 142 is formed in a pixel region in the upper portion of the second passivation layer 138 in a finger shape. In addition, a pixel electrode 142 is formed in the second contact hole and connected to the data contact 130. Through this contact structure, the drain 120 of the TFT and the pixel electrode 142 are connected via the data contact 130.

여기서, 픽셀 전극(142)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로, 500Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.Here, the pixel electrode 142 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO)

상술한 구성을 포함하는 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 표시 기간에는 공통 전극(134)과 픽셀 전극(142) 사이에서 발생되는 프린지 필드(Fringe Field)를 통해 액정층의 배열을 조절하여 화상을 표시하게 된다.In the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention including the above-described configuration, the alignment of the liquid crystal layer is adjusted through the fringe field generated between the common electrode 134 and the pixel electrode 142 during the display period Thereby displaying an image.

그리고, 비 표시 기간에는 터치 센싱 라인(136)을 통해 연결된 픽셀들의 공통 전극(134)들을 터치 센싱 전극으로 구동시킨다.In the non-display period, the common electrodes 134 of the pixels connected through the touch sensing line 136 are driven to the touch sensing electrodes.

사용자의 터치에 따라 컬러필터 어레이 기판(상부 기판)과 TFT 어레이 기판(하부 기판)의 공통 전극(134) 사이에는 터치 정전용량(Ctc)이 형성된다. 이러한, 터치에 따른 정전용량(Ctc)의 변화를 감지하여 사용자의 터치 위치를 검출하게 된다.A touch capacitance Ctc is formed between the color filter array substrate (upper substrate) and the common electrode 134 of the TFT array substrate (lower substrate) according to the user's touch. The touch position of the user is detected by sensing a change in the capacitance Ctc due to the touch.

본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치는 저온 다결정 실리콘(LTPS: Low Temperature Poly Silicon)을 적용하여 TFT를 형성함으로써, 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 구동 성능을 향상시킬 수 있다.A liquid crystal display with a built-in touch screen according to an exemplary embodiment of the present invention can improve the driving performance of a liquid crystal display with a built-in touch screen by forming a TFT by applying low temperature polysilicon (LTPS) have.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치는 종래 기술에서 적용되었던 보호층(PAS0)을 삭제하여 TFT 어레이 기판(하부 기판)의 두께를 슬림화시킬 수 있다.In addition, the liquid crystal display device having the touch screen according to the embodiment of the present invention can reduce the thickness of the TFT array substrate (lower substrate) by eliminating the protective layer PAS0 which has been applied in the related art.

도 4 내지 도 13은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면이다. 이하, 도 4 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.4 to 13 are views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to a first embodiment of the present invention. Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 13. FIG.

도 4 내지 도 13에서는 인-셀 터치 타입으로 터치 스크린을 TFT 어레이 기판에 내재화시키는 제조방법을 도시하고 있으며, TFT 어레이 기판에 형성되는 복수의 픽셀 중에서 하나의 픽셀만을 도시하고 있다.FIGS. 4 to 13 illustrate a manufacturing method for internalizing a touch screen on the TFT array substrate in an in-cell touch type, and show only one pixel among a plurality of pixels formed on the TFT array substrate.

도 4 내지 도 13에서는 컬러필터 어레이 기판(상부 기판), 액정층을 형성하기 위한 제조공정의 도시는 생략하였다.In FIGS. 4 to 13, the manufacturing process for forming the color filter array substrate (upper substrate) and the liquid crystal layer is not shown.

먼저, 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 8개의 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정을 이용하여 터치 스크린이 내장된 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.Referring to FIG. 4, a method of manufacturing a liquid crystal display with a built-in touch screen according to the first embodiment of the present invention includes a TFT array substrate having a touch screen built therein using a photolithography process using eight masks, Can be manufactured.

이를 통해, 종래 기술(10 마스크) 대비 제조공정에 소요되는 마스크를 줄이고, 이에 따른 세부공정을 줄일 수 있다. 또한, 종래 기술에서 적용되었던 보호층(PAS0)을 형성시키는 공정을 삭제하여 이에 따른 세부공정도 줄일 수 있다.As a result, it is possible to reduce the number of masks required for the manufacturing process compared to the prior art (10 masks), and to reduce the detailed process accordingly. In addition, the process of forming the protective layer PAS0, which has been applied in the prior art, can be omitted, thereby reducing the detailed process.

구체적으로, 도 5를 참조하면, 글래스 기판(110) 상에 몰리브덴(Mo)과 같이 광을 차단하는 금속 물질로 라이트 쉴드 메탈 레이어(light shield metal layer)를 형성한다.5, a light shield metal layer is formed on the glass substrate 110 with a metal material such as molybdenum (Mo) blocking light.

이후, 마스크를 이용한 포토리소그래피(photolithography) 및 습식 에칭(etching, 식각) 공정을 통해 상기 라이트 쉴드 메탈 레이어를 패터닝하여 TFT 영역에 차광층(112, light shield)을 형성한다. 이때, 상기 차광층(112)은 후속 공정에서 형성되는 TFT의 액티브(116)와 얼라인 되도록 형성된다.Thereafter, the light shield metal layer is patterned through a photolithography process and a wet etching process using a mask to form a light shield layer 112 in the TFT region. At this time, the light shielding layer 112 is formed so as to be aligned with the active portion 116 of the TFT formed in a subsequent process.

도 5에서는 TFT 어레이 기판의 베이스로 글래스 기판(110)이 적용된 것을 일 예로 나타내고 있으나, 플라스틱 기판이 글래스 기판(110)을 대체할 수도 있다.In FIG. 5, the glass substrate 110 is applied as a base of the TFT array substrate. However, the plastic substrate may be replaced with the glass substrate 110.

도 5에 도시하지는 않았지만, 상기 글래스 기판(110)에는 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인이 상호 교차하도록 형성되어 있다. 상기 복수의 게이트 라인 및 복수의 데이터 라인이 교차되는 영역에 TFT가 형성되게 된다.Although not shown in FIG. 5, a plurality of gate lines and a plurality of data lines are formed on the glass substrate 110 so as to cross each other. A TFT is formed in a region where the plurality of gate lines and the plurality of data lines intersect.

이어서, 도 6을 참조하면, 글래스 기판(110) 상부에 무기물, 일 예로서, SiO2 또는 SiNx로 버퍼층(114)을 형성한다. 이때, 버퍼층(114)은 2,000Å ~ 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.6, a buffer layer 114 is formed of an inorganic material, for example, SiO 2 or SiN x, on the glass substrate 110. At this time, the buffer layer 114 may have a thickness of 2,000 Å to 3,000 Å.

이후, 버퍼층(114) 상부 중에서 차광층(112)과 중첩되는 영역에 저온 폴리실리콘(P-Si) 또는 비정질 실리콘(a-Si)을 증착하여 반도체 레이어를 형성한다.Then, low-temperature polysilicon (P-Si) or amorphous silicon (a-Si) is deposited in an area overlapping the light-shielding layer 112 in the upper portion of the buffer layer 114 to form a semiconductor layer.

이후, 마스크를 이용한 포토리소그래피 및 건식 에칭 공정을 통해 상기 반도체 레이어를 패터닝하여 TFT의 액티브(116)를 형성한다. 이때, 상기 액티브(116)는 500Å의 두께를 가질 수 있으며, 차광층(112)과 얼라인 되도록 형성된다.Then, the active layer 116 of the TFT is formed by patterning the semiconductor layer through photolithography and dry etching using a mask. At this time, the active layer 116 may have a thickness of 500 ANGSTROM and be formed to be aligned with the light shielding layer 112.

이어서, 도 7을 참조하면, 액티브(116)를 덮도록 버퍼층(114)의 상부 전면에 SiO2로 게이트 절연층(122)을 형성한다. 이때, 게이트 절연층(122)은 1,300Å의 두께를 가질 수 있다.7, a gate insulating layer 122 is formed of SiO 2 on the top surface of the buffer layer 114 so as to cover the active layer 116. At this time, the gate insulating layer 122 may have a thickness of 1,300 angstroms.

한편, 게이트 절연층(122)은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 또는 MTO(Middle Temperature Oxide)를 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 증착하여 형성될 수도 있다.Meanwhile, the gate insulating layer 122 may be formed by depositing TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) or MTO (Middle Temperature Oxide) by CVD (Chemical Vapor Deposition).

이후, 게이트 절연층(122)의 상부 중에서 액티브(116)와 중첩되는 영역에 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo)으로 TFT의 게이트(124)를 형성한다. 이때, 게이트(124)는 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.Thereafter, the gate 124 of the TFT is formed of aluminum (Al) or molybdenum (Mo) in a region overlapping the active region 116 in the upper portion of the gate insulating layer 122. At this time, the gate 124 may have a thickness of 3,000 ANGSTROM.

이후, 게이트(124)를 마스크로 이용하여 액티브(116)의 외곽에 P 타입 또는 N 타입의 불순물을 도핑하여 TFT의 소스(118) 및 드레인(120)을 형성한다.Thereafter, the source 118 and the drain 120 of the TFT are formed by doping the P type or N type impurity to the outside of the active region 116 using the gate 124 as a mask.

이때, 상기 게이트(124)의 형성 시, 습식 에칭 공정 및 건식 에칭 공정을 수행하게 되는데, 습식 에칭 공정과 건식 에칭 공정 사이에 상기 액티브(116)를 N+ 또는 P+ 도핑하여 소스(118) 및 드레인(120)을 형성한다.During the formation of the gate 124, a wet etching process and a dry etching process are performed. The active layer 116 is doped with N + or P + between the wet etching process and the dry etching process to form a source 118 and a drain 120 are formed.

이와 같이, 게이트 절연층(122)을 사이에 두고, 액티브(116), 소스(118), 드레인(120) 및 게이트(124)가 형성되어 TFT가 구성되게 된다.As described above, the active layer 116, the source 118, the drain 120, and the gate 124 are formed with the gate insulating layer 122 therebetween, thereby forming the TFT.

이어서, 도 8을 참조하면, 게이트(124)를 덮도록 게이트 절연층(122) 상에 절연 물질을 증착하여 층간 절연층(126, ILD: Inter Layer Dielectric)을 형성한다.Referring to FIG. 8, an interlayer dielectric layer 126 is formed by depositing an insulating material on the gate insulating layer 122 so as to cover the gate 124.

이때, 층간 절연층(126)은 SiO2 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 6,000Å의 두께를 가질 수 있다. 다른 예로서, 층간 절연층(126)은 SiO2(3,000Å)/SiNx(3,000Å)의 구조로도 형성될 수도 있다.At this time, the interlayer insulating layer 126 may be formed of SiO 2 or SiN x, and may have a thickness of 6,000 ANGSTROM. As another example, the interlayer insulating layer 126 may also be formed with a structure of SiO 2 (3,000 Å) / SiN x (3,000 Å).

이후, 층간 절연층(126) 상부에 제1 보호층(132, PAS1)을 형성한다. 이때, 제1 보호층(132)은 포토 아크릴(photo acryl)로 형성되며, 3um의 두께를 가지도록 형성되어 글래스 기판(110)의 전면을 평탄화 시킨다.Then, a first passivation layer 132 (PAS1) is formed on the interlayer insulating layer 126. [ At this time, the first passivation layer 132 is formed of photo acryl and has a thickness of 3 um to planarize the entire surface of the glass substrate 110.

이어서, 도 9를 참조하면, 게이트 절연층(122), 층간 절연층(126) 및 제1 보호층(132)의 일부 영역을 식각하여, TFT의 드레인(120)을 노출시키는 제1 컨택홀(128)을 형성한다.9, a portion of the gate insulating layer 122, the interlayer insulating layer 126, and the first passivation layer 132 is etched to form a first contact hole (not shown) for exposing the drain 120 of the TFT 128 are formed.

이때, 제1 컨택홀(128)은 층간 절연층(126) 및 제1 보호층(132)을 순차적으로 형성한 후, 드라이 에칭 공정을 연속으로 수행하여 형성할 수 있다.The first contact hole 128 may be formed by successively forming an interlayer insulating layer 126 and a first passivation layer 132, and then sequentially performing a dry etching process.

이어서, 도 10을 참조하면, 제1 보호층(132)의 상부에 공통 전극(134, Vcom electrode)을 형성한다.Referring to FIG. 10, a common electrode 134 (Vcom electrode) is formed on the first passivation layer 132.

여기서, 공통 전극(134)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로, 500Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.Here, the common electrode 134 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO) to have a thickness of 500 Å.

종래 기술에서는 층간 절연층(ILD)를 식각하여 TFT의 드레인의 상면을 노출시키는 컨택홀을 형성한 후, 데이터 컨택을 형성하였다. 이후, 제1 보호층(PAS1)을 형성한 후, 그 위에 공통 전극 및 터치 센싱 라인을 순차적으로 형성하기 위해 2매의 마스크가 필요하였다.In the prior art, after the interlayer insulating layer (ILD) is etched to form contact holes exposing the upper surface of the drain of the TFT, a data contact is formed. After forming the first protective layer PAS1, two masks were required to sequentially form a common electrode and a touch sensing line thereon.

반면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 상술한 도 8 및 도 9의 제조공정을 통해, 층간 절연층(126) 및 제1 보호층(132)을 순차적으로 형성한 후, 드라이 에칭 공정을 연속으로 수행하여 드레인(120)의 상면을 노출시키는 제1 컨택홀(128)을 형성하였다. 이를 통해, 마스크 개수를 줄이고 제조공정 시간 및 제조비용을 절감시킬 수 있다.8 and 9, the manufacturing method of the LCD having the touch screen according to the first embodiment of the present invention includes the step of forming the interlayer insulating layer 126 and the first passivation layer 132, A first contact hole 128 exposing an upper surface of the drain 120 is formed by performing a dry etching process continuously. This can reduce the number of masks and reduce manufacturing process time and manufacturing costs.

이어서, 도 11을 참조하면, 상기 제1 컨택홀(128) 내에 전도성 금속 물질을 도포한 후, 마스크를 이용한 포토리소그래피 및 에칭 공정을 수행하여 드레인(120)과 접속되도록 데이터 컨택(130)을 형성한다.Referring to FIG. 11, a conductive metal material is applied to the first contact hole 128, and then a photolithography and an etching process using a mask are performed to form a data contact 130 to be connected to the drain 120 do.

이러한, 데이터 컨택(130)은 TFT의 드레인(120)과 후술되는 제조공정에서 형성되는 픽셀 전극(142)을 전기적으로 접속시킨다.The data contact 130 electrically connects the drain 120 of the TFT to the pixel electrode 142 formed in a manufacturing process described later.

여기서, 데이터 컨택(130)은 일 예로서, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)와 같은 전도성 금속 물질로 6,000Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 다른 예로서, 데이터 컨택(130)은 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)이 적층된 구조로도 형성될 수 있다.Here, the data contact 130 may be formed of, for example, Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, ) May be formed to have a thickness of 6,000 ANGSTROM. As another example, the data contact 130 may also be formed of a laminated structure of molybdenum (Mo) / aluminum (Al) / molybdenum (Mo).

상기 데이터 컨택(130)을 형성하는 공정을 이용하여, 공통 전극(134) 상부에 터치 센싱 라인(136)을 형성한다.A touch sensing line 136 is formed on the common electrode 134 using the process of forming the data contact 130.

상기 제1 보호층 및 공통 전극 상에 전도성 금속 물질이 증착된 후, 패터닝되어 제1 컨택홀(128) 내에 데이터 컨택(130)이 형성되고, 이와 함께, 공통 전극(134) 상에 터치 센싱 라인(136)이 형성된다.A conductive metal material is deposited on the first passivation layer and the common electrode and then patterned to form a data contact 130 in the first contact hole 128. In addition, (136).

즉, 데이터 컨택(130)을 형성하기 위해 도포된 전도성 금속 물질을 패터닝 할 때, 공통 전극(134) 상부에 전도성 금속 물질을 잔존하도록 함으로써 상기 터치 센싱 라인(136)을 형성시킨다.That is, when patterning the applied conductive metal material to form the data contact 130, the touch sensing line 136 is formed by leaving a conductive metal material on the common electrode 134.

이러한, 터치 센싱 라인(136)은 픽셀들을 가로지르도록 공통 전극(134) 상부에 형성되어 인접한 픽셀들의 공통 전극(134)을 연결시킨다. 이를 통해, 공통 전극(134)이 터치 센싱 전극으로 기능하게끔 한다.The touch sensing line 136 is formed on the common electrode 134 to cross the pixels and connects the common electrode 134 of the adjacent pixels. Thus, the common electrode 134 functions as a touch sensing electrode.

여기서, 터치 센싱 라인(136)은 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있으며, 1,500Å ~ 2,000Å의 두께를 가질 수 있다. 한편, 터치 센싱 라인(136)은 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)이 적층된 구조로도 형성될 수 있다.Here, the touch sensing line 136 may be formed of molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and may have a thickness of 1,500 Å to 2,000 Å. Meanwhile, the touch sensing line 136 may be formed of a laminated structure of molybdenum (Mo) / aluminum (Al) / molybdenum (Mo).

종래 기술에서는 데이터 컨택을 형성하는 공정, 터치 센싱 라인을 형성하는 공정을 별도의 마스크를 이용하여 수행하여 2매의 마스크가 필요하였다.In the prior art, a process of forming a data contact and a process of forming a touch sensing line were performed using separate masks, and two masks were required.

반면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 도 11의 제조공정을 통해, 1매의 마스크를 이용하여 데이터 컨택(130)과 터치 센싱 라인(136)을 동시에 형성함으로써, 마스크 개수를 줄이고 제조공정 시간 및 제조비용을 절감시킬 수 있다.The manufacturing method of the LCD with the touch screen according to the first embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment except that the data contact 130 and the touch sensing line 136 are formed by using one mask, It is possible to reduce the number of masks and to reduce the manufacturing process time and manufacturing cost.

이어서, 도 12를 참조하면, 제1 보호층(132) 상부에 공통 전극(134) 및 터치 센싱 라인(136)을 덮도록 제2 보호층(138, PAS2)을 형성한다.Referring to FIG. 12, a second passivation layer 138 (PAS2) is formed on the first passivation layer 132 to cover the common electrode 134 and the touch sensing line 136. Referring to FIG.

여기서, 제2 보호층(138)은 SiO2, 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 2,000Å ~ 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.Here, the second passivation layer 138 may be formed of SiO 2 or SiNx, and may have a thickness of 2,000 Å to 3,000 Å.

이후, 상기 제2 보호층(138) 중에서 데이터 컨택(130)과 중첩되는 영역에 제2 컨택홀(140)을 형성하여 데이터 컨택(130)의 상면을 노출시킨다.A second contact hole 140 is formed in the second protective layer 138 in a region overlapping the data contact 130 to expose the upper surface of the data contact 130.

이어서, 도 13을 참조하면, 상기 제2 보호층(138)의 상부 중에서 픽셀 영역에 픽셀 전극(142)을 핑커(finger) 형상으로 형성한다. 또한, 제2 컨택홀(140) 내에도 픽셀 전극(142)을 형성하여 데이터 컨택(130)과 접속시킨다.Referring to FIG. 13, a pixel electrode 142 is formed in a pixel region in the upper portion of the second passivation layer 138 in a finger shape. A pixel electrode 142 is also formed in the second contact hole 140 to connect to the data contact 130.

이러한, 컨택 구조를 통해, 데이터 컨택(130)을 경유하여 TFT의 드레인(120)과 픽셀 전극(142)을 접속시킨다.Through this contact structure, the drain 120 of the TFT and the pixel electrode 142 are connected via the data contact 130.

여기서, 픽셀 전극(142)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로, 500Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.Here, the pixel electrode 142 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO)

상술한 도 4 내지 도 13의 제조공정을 통해 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치를 제조할 수 있다.Through the manufacturing processes of FIGS. 4 to 13, a liquid crystal display device having a built-in touch screen according to an embodiment of the present invention can be manufactured.

도 14 내지 도 20은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.14 to 20 are views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to a second embodiment of the present invention.

이하, 도 14 내지 도 20을 참조하여 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 20. FIG.

먼저, 도 14를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 8개의 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정을 이용하여 터치 스크린이 내장된 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.Referring to FIG. 14, a method of manufacturing a liquid crystal display device having a touch screen according to a second embodiment of the present invention includes a TFT array substrate having a touch screen built therein using a photolithography process using eight masks, Can be manufactured.

이를 통해, 종래 기술(10 마스크) 대비 제조공정에 소요되는 마스크를 줄이고, 이에 따른 세부공정을 줄일 수 있다. 또한, 종래 기술에서 적용되었던 보호층(PAS0)을 형성시키는 공정을 삭제하여 이에 따른 세부공정도 줄일 수 있다.As a result, it is possible to reduce the number of masks required for the manufacturing process compared to the prior art (10 masks), and to reduce the detailed process accordingly. In addition, the process of forming the protective layer PAS0, which has been applied in the prior art, can be omitted, thereby reducing the detailed process.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 제1 보호층(132)을 형성하는 공정까지는 상술한 제1 실시 예와 동일하다. 따라서, 제1 보호층(132)을 형성하는 공정까지에 대한 상세한 설명은 생략하며, 도 5 내지 도 8 및 이에 대한 상세한 설명을 참조하기로 한다.The method of manufacturing the liquid crystal display device with the touch screen according to the second embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment until the step of forming the first protective layer 132 is performed. Therefore, a detailed description of the steps up to the step of forming the first passivation layer 132 will be omitted, referring to FIGS. 5 to 8 and a detailed description thereof.

도 5를 참조하면, 글래스 기판(110) 상에 차광층(112), TFT, 층간 절연층(126) 및 제1 보호층(132)을 형성한 후, 제1 보호층(132) 중에서 TFT의 드레인(120)과 중첩되는 영역을 드라이 에칭하여 제1 컨택홀(128)을 형성한다. 이때, 게이트 절연층(122) 및 층간 절연층(126)을 식각하지 않아 TFT의 드레인(120)은 노출되지 않는다.5, a light shielding layer 112, a TFT, an interlayer insulating layer 126, and a first passivation layer 132 are formed on a glass substrate 110, The first contact hole 128 is formed by dry etching the region overlapping with the drain 120. At this time, since the gate insulating layer 122 and the interlayer insulating layer 126 are not etched, the drain 120 of the TFT is not exposed.

이어서, 도 16을 참조하면, 제1 보호층(132)의 상부에 공통 전극(134, Vcom electrode)을 형성한다.Referring to FIG. 16, a common electrode 134 is formed on the first passivation layer 132.

여기서, 공통 전극(134)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로, 500Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.Here, the common electrode 134 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO) to have a thickness of 500 Å.

이어서, 도 17을 참조하면, 공통 전극(134)을 형성하는 공정 중에, 제1 컨택홀(128) 영역의 게이트 절연층(122) 및 층간 절연층(126)을 드라이 에칭하여 드레인(120)의 상면을 노출시킨다.17, during the process of forming the common electrode 134, the gate insulating layer 122 and the interlayer insulating layer 126 in the region of the first contact hole 128 are dry-etched to expose the drain 120 Thereby exposing the upper surface.

종래 기술에서는 층간 절연층(ILD)를 식각하여 TFT의 드레인의 상면을 노출시키는 컨택홀을 형성한 후, 데이터 컨택을 형성하였다. 이후, 제1 보호층(PAS1)을 형성한 후, 그 위에 공통 전극 및 터치 센싱 라인을 순차적으로 형성하기 위해 2매의 마스크가 필요하였다.In the prior art, after the interlayer insulating layer (ILD) is etched to form contact holes exposing the upper surface of the drain of the TFT, a data contact is formed. After forming the first protective layer PAS1, two masks were required to sequentially form a common electrode and a touch sensing line thereon.

반면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 상술한 도 16 및 도 17의 제조공정을 통해, 공통 전극(134)을 형성하는 공정 및 드레인(120)을 노출시키는 공정을 1매의 마스크로 수행하여 마스크 개수를 줄이고 제조공정 시간 및 제조비용을 절감시킬 수 있다.Meanwhile, a manufacturing method of a liquid crystal display with a built-in touch screen according to a second embodiment of the present invention includes a process of forming the common electrode 134, a process of forming the drain 120, The number of masks can be reduced and the manufacturing process time and manufacturing cost can be reduced.

이어서, 도 18을 참조하면, 상기 제1 컨택홀(128) 내에 전도성 금속 물질을 도포한 후, 마스크를 이용한 포토리소그래피 및 에칭 공정을 수행하여 드레인(120)과 접속되도록 데이터 컨택(130)을 형성한다.Referring to FIG. 18, a conductive metal material is applied to the first contact hole 128, and then a photolithography and an etching process using a mask are performed to form a data contact 130 to be connected to the drain 120 do.

이러한, 데이터 컨택(130)은 TFT의 드레인(120)과 후술되는 제조공정에서 형성되는 픽셀 전극(142)을 전기적으로 접속시킨다.The data contact 130 electrically connects the drain 120 of the TFT to the pixel electrode 142 formed in a manufacturing process described later.

여기서, 데이터 컨택(130)은 일 예로서, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)와 같은 전도성 금속 물질로 6,000Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 다른 예로서, 데이터 컨택(130)은 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)이 적층된 구조로도 형성될 수 있다.Here, the data contact 130 may be formed of, for example, Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, ) May be formed to have a thickness of 6,000 ANGSTROM. As another example, the data contact 130 may also be formed of a laminated structure of molybdenum (Mo) / aluminum (Al) / molybdenum (Mo).

상기 데이터 컨택(130)을 형성하는 공정을 이용하여, 공통 전극(134) 상부에 터치 센싱 라인(136)을 형성한다.A touch sensing line 136 is formed on the common electrode 134 using the process of forming the data contact 130.

상기 제1 보호층 및 공통 전극 상에 전도성 금속 물질이 증착된 후, 패터닝되어 제1 컨택홀(128) 내에 데이터 컨택(130)이 형성되고, 이와 함께, 공통 전극(134) 상에 터치 센싱 라인(136)이 형성된다.A conductive metal material is deposited on the first passivation layer and the common electrode and then patterned to form a data contact 130 in the first contact hole 128. In addition, (136).

즉, 데이터 컨택(130)을 형성하기 위해 도포된 전도성 금속 물질을 패터닝 할 때, 공통 전극(134) 상부에 전도성 금속 물질을 잔존하도록 함으로써 상기 터치 센싱 라인(136)을 형성시킨다.That is, when patterning the applied conductive metal material to form the data contact 130, the touch sensing line 136 is formed by leaving a conductive metal material on the common electrode 134.

이러한, 터치 센싱 라인(136)은 픽셀들을 가로지르도록 공통 전극(134) 상부에 형성되어 인접한 픽셀들의 공통 전극(134)을 연결시킨다. 이를 통해, 공통 전극(134)이 터치 센싱 전극으로 기능하게끔 한다.The touch sensing line 136 is formed on the common electrode 134 to cross the pixels and connects the common electrode 134 of the adjacent pixels. Thus, the common electrode 134 functions as a touch sensing electrode.

여기서, 터치 센싱 라인(136)은 몰리브덴(Mo) 또는 알루미늄(Al)으로 형성될 수 있으며, 1,500Å ~ 2,000Å의 두께를 가질 수 있다. 한편, 터치 센싱 라인(136)은 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)이 적층된 구조로도 형성될 수 있다.Here, the touch sensing line 136 may be formed of molybdenum (Mo) or aluminum (Al), and may have a thickness of 1,500 Å to 2,000 Å. Meanwhile, the touch sensing line 136 may be formed of a laminated structure of molybdenum (Mo) / aluminum (Al) / molybdenum (Mo).

종래 기술에서는 데이터 컨택을 형성하는 공정, 터치 센싱 라인을 형성하는 공정을 별도의 마스크를 이용하여 수행하여 2매의 마스크가 필요하였다.In the prior art, a process of forming a data contact and a process of forming a touch sensing line were performed using separate masks, and two masks were required.

반면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 도 18의 제조공정을 통해, 1매의 마스크를 이용하여 데이터 컨택(130)과 터치 센싱 라인(136)을 동시에 형성함으로써, 마스크 개수를 줄이고 제조공정 시간 및 제조비용을 절감시킬 수 있다.The manufacturing method of the LCD with the touch screen according to the first embodiment of the present invention is the same as that of the first embodiment except that the data contact 130 and the touch sensing line 136 are formed by using one mask, It is possible to reduce the number of masks and to reduce the manufacturing process time and manufacturing cost.

이어서, 도 19를 참조하면, 제1 보호층(132) 상부에 공통 전극(134) 및 터치 센싱 라인(136)을 덮도록 제2 보호층(138, PAS2)을 형성한다.Referring to FIG. 19, a second passivation layer 138 (PAS2) is formed on the first passivation layer 132 to cover the common electrode 134 and the touch sensing line 136. Referring to FIG.

여기서, 제2 보호층(138)은 SiO2, 또는 SiNx로 형성될 수 있으며, 2,000Å~ 3,000Å의 두께를 가질 수 있다.Here, the second passivation layer 138 may be formed of SiO 2 or SiNx, and may have a thickness of 2,000 Å to 3,000 Å.

이후, 상기 제2 보호층(138) 중에서 데이터 컨택(130)과 중첩되는 영역에 제2 컨택홀(140)을 형성하여 데이터 컨택(130)의 상면을 노출시킨다.A second contact hole 140 is formed in the second protective layer 138 in a region overlapping the data contact 130 to expose the upper surface of the data contact 130.

이어서, 도 20을 참조하면, 상기 제2 보호층(138)의 상부 중에서 픽셀 영역에 픽셀 전극(142)을 핑커(finger) 형상으로 형성한다. 또한, 제2 컨택홀(140) 내에도 픽셀 전극(142)을 형성하여 데이터 컨택(130)과 접속시킨다.Referring to FIG. 20, a pixel electrode 142 is formed in a pixel region in the upper portion of the second passivation layer 138 in a finger shape. A pixel electrode 142 is also formed in the second contact hole 140 to connect to the data contact 130.

이러한, 컨택 구조를 통해, 데이터 컨택(130)을 경유하여 TFT의 드레인(120)과 픽셀 전극(142)을 접속시킨다.Through this contact structure, the drain 120 of the TFT and the pixel electrode 142 are connected via the data contact 130.

여기서, 픽셀 전극(142)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로, 500Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.Here, the pixel electrode 142 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO)

상술한 도 14 내지 도 20의 제조공정을 통해 본 발명의 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치를 제조할 수 있다.Through the manufacturing process of FIGS. 14 to 20, a liquid crystal display device with a built-in touch screen according to an embodiment of the present invention can be manufactured.

본 발명의 실시 예들에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법은 TFT 어레이 기판(하부 기판)의 제조 시, 마스크 공정을 줄여 제조 비용을 절감시킬 수 있다.The manufacturing method of a liquid crystal display device having a built-in touch screen according to embodiments of the present invention can reduce the manufacturing cost by reducing the mask process in manufacturing the TFT array substrate (lower substrate).

또한, TFT 어레이 기판(하부 기판)의 제조공정을 단순화시켜 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 아울러, TFT 어레이 기판(하부 기판)의 두께를 줄여 액정 표시장치의 두께를 슬림화시킬 수 있다.Further, the manufacturing process of the TFT array substrate (lower substrate) can be simplified, and the manufacturing efficiency can be improved. In addition, the thickness of the TFT array substrate (lower substrate) can be reduced and the thickness of the liquid crystal display device can be reduced.

한편, 상기 제2 보호층(138)과 픽셀 전극(142)은 하프톤 마스크(HTM: half tone mask)를 이용한 단일 마스크 공정을 통해 동시에 형성될 수도 있다.Meanwhile, the second passivation layer 138 and the pixel electrode 142 may be simultaneously formed through a single mask process using a half tone mask (HTM).

이러한 경우, 하프톤 마스크를 이용한 포토리쏘그래피 공정 및 식각 공정을 수행하여 데이터 컨택(130)의 상면이 노출되도록 제2 보호층(138)을 식각하여 제2 컨택홀(140)을 형성한다.In this case, the second contact hole 140 is formed by etching the second passivation layer 138 to expose the upper surface of the data contact 130 by performing a photolithography process and an etching process using a halftone mask.

이후, 제2 보호층(138) 상에 포토레지스트(PR)를 도포 및 패터닝 한 후, 그 위에 픽셀 전극 레이어를 형성하고, 포토레지스트(PR)를 애싱 한 후, 리프트 오프(Lift Off) 공정을 수행하여 핑거(finger) 형상으로 픽셀 전극(134)을 형성할 수 있다.Thereafter, a photoresist PR is applied and patterned on the second passivation layer 138, a pixel electrode layer is formed thereon, a photoresist PR is ashed, a lift off process is performed So that the pixel electrode 134 can be formed in a finger shape.

하프톤 마스크를 이용하여 제2 보호층(138)과 픽셀 전극(142)을 동시에 형성하면 제조공정에 필요한 마스크를 더 줄일 수 있고, 이에 따른 제조시간 및 제조비용을 더욱 줄일 수 있다.If the second passivation layer 138 and the pixel electrode 142 are formed simultaneously using the halftone mask, the number of masks required for the manufacturing process can be further reduced, and the manufacturing time and manufacturing cost can be further reduced.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

110: 글래스 기판 112: 차광층
114: 버퍼층 116: 액티브
118: 소스 120: 드레인
122: 게이트 절연층 124: 게이트
126: 층간 절연층 128: 제1 컨택홀
130: 데이터 컨택 132: 제1 보호층
134: 공통 전극 136: 터치 센싱 라인
138: 제2 보호층 140: 제2 컨택홀
142: 픽셀 전극110: glass substrate 112: shielding layer
114: buffer layer 116: active
118: source 120: drain
122: gate insulating layer 124: gate
126: interlayer insulating layer 128: first contact hole
130: Data contact 132: First protective layer
134: common electrode 136: touch sensing line
138: second protection layer 140: second contact hole
142: pixel electrode

Claims (10)

TFT 어레이 기판에 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법에 있어서,
글래스 기판 상에 차광층을 형성하는 단계;
상기 차광층을 덮도록 형성된 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 액티브를 형성하는 단계;
상기 액티브를 덮도록 게이트 절연층 및 게이트를 형성하고, 상기 액티브의 외곽에 불순물을 도핑하여 소스 및 드레인을 형성함으로써 TFT(thin film transistor)를 구성하는 단계;
상기 게이트를 덮도록 층간 절연층 및 제1 보호층을 형성하는 단계;
상기 제1 보호층 상에 공통 전극을 형성함과 아울러, 상기 드레인의 상면을 노출시키는 제1 컨택홀을 형성하는 단계;
상기 제1 컨택홀에 데이터 컨택을 형성함과 아울러, 상기 공통 전극 상에 터치 센싱 라인을 형성하는 단계;
상기 데이터 컨택의 상면을 노출시키는 제2 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 보호층 상부 및 데이터 컨택 상에 픽셀 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법.A manufacturing method of a liquid crystal display device having a touch screen incorporated in a TFT array substrate,
Forming a light-shielding layer on a glass substrate;
Forming a buffer layer covering the light-shielding layer, and forming an active layer on the buffer layer;
Forming a thin film transistor (TFT) by forming a gate insulating layer and a gate so as to cover the active, and forming a source and a drain by doping an impurity into the active outline;
Forming an interlayer insulating layer and a first passivation layer to cover the gate;
Forming a common electrode on the first passivation layer and forming a first contact hole exposing an upper surface of the drain;
Forming a data contact in the first contact hole and forming a touch sensing line on the common electrode;
Forming a second protective layer that exposes an upper surface of the data contact; And
And forming a pixel electrode on the second passivation layer and on the data contact. ≪ RTI ID = 0.0 > 15. < / RTI > 제 1 항에 있어서,
상기 제1 보호층 상에 공통 전극을 형성함과 아울러, 상기 드레인의 상면을 노출시키는 제1 컨택홀을 형성하는 단계에 있어서,
상기 게이트 절연층, 층간 절연층 및 제1 보호층의 일부 영역에 드라이 에칭을 연속 수행하여 상기 드레인의 상면을 노출시키는 제1 컨택홀을 형성하고, 상기 제1 보호층 상에 공통 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법.The method according to claim 1,
Forming a common electrode on the first passivation layer and forming a first contact hole exposing an upper surface of the drain,
Forming a first contact hole exposing an upper surface of the drain by continuously performing dry etching on a part of the gate insulating layer, the interlayer insulating layer and the first passivation layer, and forming a common electrode on the first passivation layer Wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 보호층 상에 공통 전극을 형성함과 아울러, 상기 드레인의 상면을 노출시키는 제1 컨택홀을 형성하는 단계에 있어서,
상기 드레인과 중첩되는 영역의 제1 보호층을 드라이 에칭 한 후, 상기 제1 보호층 상에 공통 전극을 형성하고,
상기 드레인과 중첩되는 영역의 게이트 절연층, 층간 절연층을 드라이 에칭하여 제1 컨택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법.The method according to claim 1,
Forming a common electrode on the first passivation layer and forming a first contact hole exposing an upper surface of the drain,
Forming a common electrode on the first passivation layer after dry etching the first passivation layer in a region overlapping the drain,
Wherein the first contact hole is formed by dry etching the gate insulating layer and the interlayer insulating layer in the region overlapping with the drain. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제1 컨택홀에 데이터 컨택을 형성함과 아울러, 상기 공통 전극 상에 터치 센싱 라인을 형성하는 단계에 있어서,
상기 데이터 컨택과 상기 터치 센싱 라인은 단일 마스크 공정을 통해 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법.The method according to claim 2 or 3,
Forming a data contact in the first contact hole and forming a touch sensing line on the common electrode,
Wherein the data contact and the touch sensing line are simultaneously formed through a single mask process. 제 4 항에 있어서,
상기 제1 보호층 및 공통 전극 상에 전도성 금속 물질을 증착 한 후, 패터닝하여 상기 제1 컨택홀 내에 전도성 금속 물질로 데이터 컨택을 형성하고, 전도성 금속 물질로 공통 전극 상에 터치 센싱 라인을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법.5. The method of claim 4,
Depositing a conductive metal material on the first passivation layer and the common electrode, patterning the conductive metal material to form a data contact with a conductive metal material in the first contact hole, and forming a touch sensing line on the common electrode using a conductive metal material Wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device. 제 5 항에 있어서,
상기 공통 전극이 터치 전극으로 기능하도록 상기 터치 센싱 라인으로 인접한 픽셀들의 공통 전극들을 연결하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법.6. The method of claim 5,
And connecting common electrodes of adjacent pixels to the touch sensing line such that the common electrode functions as a touch electrode. 제 1 항에 있어서,
8매의 마스크를 이용하여 TFT 어레이 기판 상에 상기 TFT, 데이터 컨택, 픽셀 전극, 공통 전극 및 터치 센싱 라인을 형성시키는 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the TFT, the data contact, the pixel electrode, the common electrode, and the touch sensing line are formed on the TFT array substrate using eight masks. TFT 어레이 기판에 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치에 있어서,
글래스 기판 상에 형성된 차광층;
상기 차광층 상에 형성된 TFT(thin film transistor);
상기 TFT를 덮도록 형성된 층간 절연층 및 제1 보호층;
상기 제1 보호층 상에 형성된 공통 전극;
상기 공통 전극 상에 형성된 터치 센싱 라인;
상기 TFT의 게이트 절연층, 상기 층간 절연층 및 제1 보호층을 관통하여 상기 TFT의 드레인과 접속되는 데이터 컨택;
상기 공통 전극 및 제1 보호층을 덮도록 형성되고, 상기 데이터 컨택의 상면을 노출시키는 제2 보호층; 및
상기 제2 보호층 상에 형성되고, 상기 데이터 컨택과 접속되는 픽셀 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치.1. A liquid crystal display device having a touch screen incorporated in a TFT array substrate,
A light shielding layer formed on a glass substrate;
A TFT (thin film transistor) formed on the light shielding layer;
An interlayer insulating layer and a first passivation layer formed to cover the TFT;
A common electrode formed on the first passivation layer;
A touch sensing line formed on the common electrode;
A data contact which is connected to the drain of the TFT through the gate insulating layer, the interlayer insulating layer and the first passivation layer of the TFT;
A second protective layer formed to cover the common electrode and the first protective layer and exposing an upper surface of the data contact; And
And a pixel electrode formed on the second passivation layer and connected to the data contact. 제 8 항에 있어서,
상기 데이터 컨택 및 터치 센싱 라인은, 상기 드레인의 상면을 노출시키는 컨택홀 및 상기 공통 전극 상부에 형성된 전도성 금속 물질로 동시에 형성된 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치.9. The method of claim 8,
Wherein the data contact and the touch sensing line are simultaneously formed of a contact hole exposing an upper surface of the drain and a conductive metal material formed on the common electrode. 제 8 항에 있어서,
인접한 픽셀들의 공통 전극들을 상기 터치 센싱 라인으로 연결하여 상기 공통 전극들을 터치 전극으로 기능시키는 것을 특징으로 하는 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치.9. The method of claim 8,
And the common electrodes of the adjacent pixels are connected to the touch sensing line so that the common electrodes function as a touch electrode.
KR1020110076963A 2011-08-02 2011-08-02 Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same KR101608637B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110076963A KR101608637B1 (en) 2011-08-02 2011-08-02 Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110076963A KR101608637B1 (en) 2011-08-02 2011-08-02 Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130015126A KR20130015126A (en) 2013-02-13
KR101608637B1 true KR101608637B1 (en) 2016-04-04

Family

ID=47895007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110076963A KR101608637B1 (en) 2011-08-02 2011-08-02 Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101608637B1 (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103489786B (en) * 2013-09-18 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 A kind of manufacture method of array base palte
CN103985708A (en) * 2014-05-26 2014-08-13 昆山龙腾光电有限公司 Thin film transistor array base plate and manufacturing method thereof
KR102317556B1 (en) * 2014-10-27 2021-10-26 엘지디스플레이 주식회사 Touch Panel And Method of Manufacturing the Same, and Display Device Comprising The Touch Panel
CN104536192A (en) * 2014-12-31 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal panel substrate and manufacturing method thereof
KR102316349B1 (en) * 2015-01-30 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 Touch panel and touch display device having the same
KR102367450B1 (en) 2015-04-10 2022-02-28 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus
KR102568516B1 (en) * 2016-05-10 2023-08-18 엘지디스플레이 주식회사 Array Substrate For Display Device And Method Of Fabricating The Same
CN105977307B (en) * 2016-06-30 2020-06-02 上海中航光电子有限公司 Thin film transistor, display panel and display device
CN106959784B (en) * 2017-04-05 2019-08-27 厦门天马微电子有限公司 A kind of touch-control display panel and touch control display apparatus
KR102409339B1 (en) * 2017-10-24 2022-06-16 엘지디스플레이 주식회사 Touch display device, driving circuit, and driving method
CN108110010B (en) 2017-12-15 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, preparation method thereof and touch display panel

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130015126A (en) 2013-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101749146B1 (en) Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same
US10437118B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101608637B1 (en) Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same
KR101753802B1 (en) Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same
KR101273239B1 (en) Liquid crystal display device with a built-in touch screen and method for manufacturing the same
KR101936773B1 (en) Method for manufacturing liquid crystal display device
KR101284709B1 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101887371B1 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101284287B1 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
TW201626191A (en) In-cell touch liquid crystal display apparatus and method of manufacturing the same
KR20140138472A (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101885642B1 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR102092844B1 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR102044199B1 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR101863153B1 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR20120054184A (en) In-plane switching mode liquid crystal display device having touch sensing function
KR101943019B1 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101863148B1 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR20130043512A (en) Liquid crystal display apparatus and method for manufacturing the same
KR102151441B1 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190215

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200219

Year of fee payment: 5