KR20130032254A - 공정 챔버에서의 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 방법 및 장치 - Google Patents
공정 챔버에서의 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130032254A KR20130032254A KR1020120103320A KR20120103320A KR20130032254A KR 20130032254 A KR20130032254 A KR 20130032254A KR 1020120103320 A KR1020120103320 A KR 1020120103320A KR 20120103320 A KR20120103320 A KR 20120103320A KR 20130032254 A KR20130032254 A KR 20130032254A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor wafer
- process chamber
- deposited
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 112
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 57
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은, 상부 덮개 및 하부 덮개를 구비하는 공정 챔버에서 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 상기 방법은, 반도체 웨이퍼의 정면에서의 온도를 측정하는 단계, 증착 온도로 반도체 웨이퍼를 가열하는 단계, 목표 온도로 공정 챔버의 상부 덮개의 온도를 제어하는 단계로서, 상기 상부 덮개의 온도는 상부 덮개의 외측 표면의 중앙에서 측정되며 상부 덮개의 온도를 제어하기 위한 제어 루프의 제어 변수에 대한 실제값으로서 사용되는 것인 단계, 가스 유량을 설정하는 단계로서, 층의 증착을 위한 공정 가스가 상기 가스 유량으로 공정 챔버를 통해 안내되는 것인 단계, 및 공정 챔버의 상부 덮개의 온도를 목표 온도로 제어하는 동안 증착 온도로 가열된 반도체 웨이퍼의 정면 상에 층을 증착하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은, 공정 챔버에서의 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은, 구체적으로는, 단결정 실리콘으로 이루어진 반도체 웨이퍼 상에서의 실리콘으로 이루어진 에피택셜 층의 증착, 그리고 이를 위한 적절한 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼에는 종종 기상 증착에 의해 생성되는 층이 마련된다. 반도체 웨이퍼는 보통 상기 층의 증착 동안에 회전하는 서셉터(susceptor)에 의해 유지되는데, 상기 서셉터는 공정 챔버 내에 배치된다. 상부 덮개 및 하부 덮개는 공정 챔버의 경계를 형성하는데, 이 경계는 열 복사선에 대해 투과성이 있고 이 경계를 통해 복사 에너지가 공정 챔버 내로 그리고 반도체 웨이퍼 상에 전달된다. 반도체 웨이퍼는, 상기 층의 증착을 위해 최적인 특정 온도로 가열된다. 상기 공정 챔버는 더욱이, 공정 챔버 내로 공정 가스를 도입하기 위한 그리고 공정 챔버로부터 공정 가스 및 공정 가스의 기상 생성물을 방출하기 위한 연결부를 측벽 상에 구비한다. 공정 가스는, 코팅될 반도체 웨이퍼의 면 영역에 걸쳐 안내된다. 증착 온도로 가열된 반도체 웨이퍼와 접촉하면, 공정 가스는 분해되고 원하는 층이 반도체 웨이퍼 상에 증착된다.
공정 챔버를 특정 간격으로 세정할 필요가 있는데, 왜냐하면 공정 가스의 생성물이 공정 챔버의 내부에서, 예컨대 서셉터의 부분, 상부 덮개의 내측 표면 또는 측벽의 내측면 상에 증착되는 것을 완벽하게 방지하는 것이 가능하지 않기 때문이다. 세정은, 예컨대 기상 에칭에 의해 이루어진다.
반도체 웨이퍼는 공정 챔버의 세정 동안 코팅될 수 없다. 따라서, 가능한 드물게 공정 챔버의 세정을 수행하는 것에 큰 관심이 있다.
이러한 이유로, EP 0 808 917 A1은 제어 루프에서 좁은 온도 범위로 공정 챔버의 벽 온도를 제어하는 것을 권장한다. 이는 특히 외부로부터의 냉각 가스에 의해 공정 챔버를 냉각하는 것과, 냉각 가스의 유입을 제어함으로써 목표 온도로 벽의 온도를 제어하는 것을 제안한다.
US 2007/0042117 A1에 따르면, 공정 챔버의 표면 온도의 제어는, 예컨대 공정 챔버의 상부 덮개의 온도 및 공정 챔버의 하부 덮개의 온도를 서로 독립적으로 제어하는 것에 의해 확장될 수 있다. 덮개의 온도 및 코팅될 기판의 온도를 제어하기 위해, 무엇보다도, 고온계(pyrometer)를 사용하는데, 이 고온계는 상부 덮개의 외측 표면 상에서 상부 덮개의 온도를 측정하고, 하부 덮개의 외측 표면 상에서 하부 덮개의 온도를 측정하며, 기판의 정면의 중앙에서 기판의 온도를 측정하고, 기판의 서셉터의 온도를 측정한다. 제어 루프는 또한, 상부 덮개 및 하부 덮개에 대해 냉각 가스를 안내하는 냉각 시스템을 포함한다.
본 발명의 발명자는, 예컨대 공정 챔버의 덮개의 표면의 온도를 세심하게 제어하더라도, 결함이 나타날 수 있다는 것을 발견하였는데, 이는 증착되는 층의 특성과 관련되거나 공정 챔버를 비교적 자주 세정할 필요가 있다는 사실로 인한 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은, 이러한 결함의 발생에 관련된 개선을 제안하는 것이다.
상기 목적은, 상부 덮개 및 하부 덮개를 구비하는 공정 챔버에서 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 정면에서의 온도를 측정하는 단계, 증착 온도로 반도체 웨이퍼를 가열하는 단계, 목표 온도로 공정 챔버의 상부 덮개의 온도를 제어하는 단계로서, 상기 상부 덮개의 온도는 상부 덮개의 외측 표면의 중앙에서 측정되며 상부 덮개의 온도를 제어하기 위한 제어 루프의 제어 변수에 대한 실제값으로서 사용되는 것인 단계, 가스 유량을 설정하는 단계로서, 층의 증착을 위한 공정 가스가 상기 가스 유량으로 공정 챔버를 통해 안내되는 것인 단계, 및 공정 챔버의 상부 덮개의 온도를 목표 온도로 제어하는 동안 증착 온도로 가열된 반도체 웨이퍼의 정면 상에 층을 증착하는 단계를 포함하는 방법에 의해 달성된다.
본 발명은, 상부 덮개의 외측 표면의 중앙에서 상부 덮개의 온도를 측정하는 것과, 제어 루프에서 제어 변수의 실제값으로서 이 온도를 이용 가능하게 하여 이 제어 변수에 의해 상부 덮개의 온도가 목표 온도로 제어되도록 하는 것을 제시한다. 상기 목표 온도는 바람직하게는 최적 온도 범위 내에 속하도록 선택된다. 최적 온도 범위는, 해당 온도 범위에서 상부 덮개의 내측 표면 상에 공정 가스의 생성물이 증착되는 속도가 최적 온도 범위에 이웃하는 온도 범위들에서보다 작게 되는 것인 온도 범위이다. 상부 덮개의 실제 온도는 상부 덮개의 외측 표면의 중앙에서 측정되며, 이에 따라 예컨대 EP 0 808 917 A1에서 개시된 위치에서 벗어난 위치에서 측정된다.
본 발명은, 공정 가스의 생성물에 의한 상부 덮개의 내측 표면의 코팅은 상부 덮개의 중앙으로부터 먼 위치에서보다 상부 덮개의 중앙에서 일시적으로 더 늦게 개시된다는 사실을 고려한 것이다. 공정 챔버의 상부 덮개 및 하부 덮개는 보통 석영 유리, 즉 열 복사선에 대해 투과성이고 비교적 낮은 열 전도도를 갖는 재료로 이루어진다. 후자의 특성으로 인해, 상부 덮개의 외측 표면 상의 위치에서 측정되는 온도는, 공정 가스의 생성물의 증착물에 의해 이 위치에서 상부 덮개의 내측 표면이 덮이는 것에 따라 상당히 좌우된다.
따라서, 상부 덮개의 내측 표면 상에 있는 공정 가스의 생성물의 증착물에 의해 측정 결과가 왜곡될 가능성이 가장 적은 위치에서 상부 덮개의 온도를 측정하는 것이 유리하다. 이 위치는, 상부 덮개의 외측 표면의 중앙에 해당한다. 따라서, 상부 덮개의 외측 표면의 중앙에서의 온도 측정값을 제어 변수의 실제값으로서 사용하면, 상부 덮개의 온도를 제어하는 것은, 상부 덮개의 내측 표면의 초기 코팅과는 무관하게, 상부 덮개의 온도가 또한 실제로 또는 거의 목표 온도에 대응한다는 것과, 이에 따라 최적 온도 범위에서 유지된다는 것을 보장한다. 그 결과로서, 본 발명은, 세정을 행해야만 하기 이전에 더 오랜 기간 동안 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하기 위해 공정 챔버를 사용할 수 있게 되는 효과를 갖는다. 상부 덮개의 온도가 다른 위치에서 측정된다면, 공정 챔버의 2회 세정 사이의 간격은 더욱 짧아져야 할 것이다.
바람직하게는, 공정 챔버가 세정되기 이전에 적어도 하나의 추가적인 층이 적어도 하나의 추가적인 반도체 웨이퍼 상에 증착된다. 공정 챔버의 세정은 바람직하게는 기상 에칭에 의해 이루어진다.
본 방법의 바람직한 일 구성에 따르면, 상부 덮개의 목표 온도는, 층을 증착하기 위해 설정된 공정 가스의 가스 유량과 상관관계를 갖도록 하는 방식으로 선택된다.
이는, 공정 가스가 상부 덮개의 내측 표면에 대한 냉각 효과를 갖기 때문이다. 그 결과로서 그리고 덮개 재료의 낮은 열 전도도로 인해, 상부 덮개의 내측 표면 상의 온도와 외측 표면 상의 온도 사이에는 상당한 온도차가 나타날 수 있다. 이때 상부 덮개의 외측 표면 상에서 측정되는 온도는, 상부 덮개의 재료의 열 전도도가 급속한 온도 평형을 허용하는 경우일 때보다 더 높게 된다. 목표 온도의 선택에 있어서 공정 가스의 냉각 효과가 무시된다면, 상부 덮개의 온도를 제어하기 위한 측정에도 불구하고, 상부 덮개의 내측 표면 상의 온도는 최적 온도 범위를 벗어나게 되고 그 결과로서 공정 챔버는 더욱 빈번하게 세정되어야만 하게 된다.
본 방법의 바람직한 추가적인 구성에 따르면, 공정 챔버의 세정 이후에, 반도체 웨이퍼 상에 증착되는 재료의 양은, 총 두께의 형태로 등록되며, 오직 정해진 총 두께의 재료가 증착되었을 때에만 공정 챔버가 다시 세정된다. 증착되는 재료의 정해진 총 두께는 공정 챔버의 2회 세정 사이에 반도체 웨이퍼 상에 증착되는 층의 두께의 합에 대응된다.
더욱이, 반도체 웨이퍼의 정면에서의 온도와 서셉터의 후면에서의 온도 사이의 차이 때문에 바람직할 때에는, 특히 공정 챔버의 세정 이후에 제1 증착 동안 나타나는 초기 온도차가 5 ℃ 넘게 변할 때에는 어떠한 경우에도 심지어 세정 이후에 증착된 재료의 정해진 총 두께와 무관하게 다시 공정 챔버를 세정하는 것이 제시될 수 있다. 온도차에 있어서의 이러한 변화는, 공정 가스의 생성물이 상부 덮개의 내측 표면 상에서 상부 덮개의 중앙에 또한 증착되어 있다는 것을 나타내는 지시자로서 간주될 수 있다. 이들 증착물은 반도체 웨이퍼의 정면에 대한 반도체 웨이퍼의 온도 측정을 왜곡시킨다. 실제 온도보다 낮은 온도가 표시된다. 이에 따라, 정면에 대한 온도 측정값이 예견된 증착 온도에 대응하는 온도를 나타내면 반도체 웨이퍼의 온도는 이미 과도하게 높은 상태가 된다. 서셉터의 후면에 대한 온도 측정은, 상부 덮개의 내측 표면 상의 증착물에 의해 장애를 받지 않으며 서셉터의 후면에서의 실제 온도를 나타낸다. 반도체 웨이퍼의 정면에 대해 측정된 온도에 비해 이러한 온도의 상승은, 이에 따라 상부 덮개의 내측 표면의 오염이 증가되었음을 나타내는 것이다.
본 방법의 바람직한 추가적인 구성에 따르면, 실리콘으로 이루어진 에피텍셜 층이 기상 증착에 의해, 예컨대 공정 가스로서 3염화 실란 및 수소의 혼합물을 이용하여, 단결정 실리콘으로 이루어진 반도체 웨이퍼 상에 증착된다.
실리콘으로 이루어진 에피택셜 층의 증착을 위해, 바람직하게는 아래의 표에 주어진 공정 파라메타가 선택된다.
| 가스 유량[slm] | 최적 온도 범위(℃) | 제2 목표 온도(℃) |
| 45-55 | 510-530 | 520 |
| 56-65 | 525-545 | 535 |
| 66-80 | 540-560 | 550 |
표에서 가스 유량은 층을 증착하기 위해 설정되는 공정 가스의 가스 유량을 나타낸다.
목표 온도가 표의 값으로부터 최적 온도 범위의 하한보다 낮은 온도로 벗어나는 방식으로 설정된다면, 공정 가스의 생성물은 흰색 색상(white hue)을 갖는 증착물로서 상부 덮개의 내측 표면 상에 더욱 신속하게 증착되며, 공정 챔버의 더욱 빈번한 세정이 필요하게 된다.
목표 온도가 표의 값으로부터 최적 온도 범위의 상한보다 높은 온도로 벗어나는 방식으로 설정된다면, 공정 가스의 생성물은 갈색 색상을 갖는 증착물로서 상부 덮개의 내측 표면 상에 더욱 신속하게 증착되며, 공정 챔버의 더욱 빈번한 세정이 필요하게 된다.
바람직하게는, 실리콘으로 이루어진 적어도 하나의 추가적인 에피택셜 층이 단결정 실리콘으로 이루어진 적어도 하나의 추가적인 반도체 웨이퍼 상에 증착되며, 공정 챔버의 마지막 세정 이후로 반도체 웨이퍼 전체에 증착된 재료의 양이 등록된다. 공정 챔버는, 마지막 세정 이후에 오직 에피택셜식으로 증착된 실리콘의 총 두께, 다시 말하면 증착되는 재료의 정해진 총 두께가 50 ㎛ 이상, 바람직하게는 80 ㎛ 이상일 때에만 다시 세정된다.
전술한 목적은, 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 장치에 의해 등가로 달성되는데, 상기 장치는, 상부 덮개 및 하부 덮개를 포함하는 공정 챔버, 상부 덮개의 외측 표면의 중앙에서 상부 덮개의 온도를 측정하기 위한 제1 센서, 및 제1 센서에 의해 측정된 온도를 실제 온도로서 사용하여 사전에 정해진 목표 온도로 상부 덮개의 온도를 제어하기 위한 제어기를 포함한다.
공정 챔버의 바람직한 실시예의 세부사항이 도면을 참고하여 이하에서 더욱 구체적으로 설명된다. 도면은 단순화된 방식으로 본 발명의 주요한 구성요소를 도시한 것이다.
본 발명에 따르면, 공정 챔버에서의 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하기 위한, 개선된 방법 및 장치를 얻을 수 있다.
도 1은 공정 챔버의 바람직한 실시예를 도시한 것이다.
공정 챔버(1)는 실질적으로 대칭으로 구성되며, 반응기 공간을 둘러싸는 상부 덮개(2), 하부 덮개(3), 및 측벽(4)을 포함하는데, 이때 반도체 웨이퍼는 기상 증착에 의해 코팅된다. 코팅될 반도체 웨이퍼(5)는 반응기 공간 내에 배치되는 서셉터(6)에 의해 유지된다. 특정 증착 온도로 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 복사 가열 시스템(7 및 8)이 상부 덮개(2)의 위에 그리고 하부 덮개(3)의 아래에 위치하게 된다. 더욱이, 공정 챔버 내로 공정 가스를 도입하기 위한 그리고 공정 챔버의 측벽(4)을 통해 공정 챔버로부터 공정 가스 및 공정 가스의 기상 생성물을 방출하기 위한 연결부(9 및 10)가 존재한다. 공정 챔버는 더욱이 상부 덮개(2) 및 하부 덮개(3)를 냉각하기 위한 냉각 시스템, 예컨대 팬(18), 그리고 열 교환기(11)를 포함하는데, 상기 냉각 시스템은 상부 덮개 및 하부 덮개에 대해 냉각 가스를 안내하며, 상기 열 교환기는, 덮개와 접촉하여 가열되는 냉각 가스로부터 열을 흡수한다. 냉각 가스의 이동 방향은 화살표로 표시되어 있다. 냉각 시스템은 공정 챔버의 상부 덮개의 온도를 제어하기 위한 제어 루프의 액추에이팅 장치(actuating device)로서 작용한다. 센서(12)는 제어 루프의 측정 요소를 형성한다. 센서(12)는 바람직하게는 고온계인데, 이 고온계의 도움을 받아 상부 덮개(2)의 온도가 비접촉식으로 측정된다. 사전에 결정되는 목표 온도로 상부 덮개의 온도를 제어하기 위한 제어기(19)는, 센서(12)에 의해 측정되는 온도와 목표 온도 사이의 차이에 따라 팬(18)의 파워에 영향을 준다. 제어 루프는, 특히 공정 챔버의 하우징에서 누출의 결과로서 발생하는 외란에 대한 것이다. 이러한 누출이 용이하게 발생할 수 있는 위치는 도면에서 파선 원으로 강조되어 있다.
본 발명에 따르면, 센서(12)는, 이에 따라 상부 덮개의 외측 표면의 중앙에서 상부 덮개(2)의 온도가 측정되도록 하는 방식으로 구성된다. 이러한 온도는 제어 루프의 제어 변수를 형성한다. 센서(12)는, 사전에 결정된 목표 온도와 비교되는 실제 온도를 이용 가능하게 한다.
목표 온도는 바람직하게는 데이터 메모리(15)에 의해 사전에 결정되는데, 데이터 메모리에는 복수의 온도값이 저장되고, 반도체 웨이퍼 상에 층이 증착되는 동안의 공정 가스의 가스 유량이 각각 상기 온도값에 할당된다. 데이터 메모리(15)는, 층을 증착하기 위해 설정된 가스 유량에 할당되는 온도값을 목표 온도로서 사전에 결정한다.
상기 장치는 바람직하게는 또한, 공정 챔버의 마지막 세정 이후로 얼마나 많은 재료가 반도체 웨이퍼 상에 증착되었는지를 등록하는 측정 유닛(16)으로서, 증착되는 재료의 정해진 총 두께를 등록한 이후에 공정 챔버의 다음 세정을 개시하기 위한 신호를 발생시키는 것인 측정 유닛을 포함한다.
센서(13)는 반도체 웨이퍼의 정면에 대해 반도체 웨이퍼의 온도를 측정하기 위해 마련된 것이다. 반도체 웨이퍼의 정면은, 층이 증착되는 면 영역이다. 더욱이, 서셉터(6)의 후면에서의 온도를 측정하는 센서(14)가 마련된다. 센서(13) 및 센서(14)는 바람직하게는 마찬가지로 고온계로서 구현되며, 제어기(20)에 의해 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하기 위한 제어 루프의 일부이다. 센서(13)는 바람직하게는, 상기 정면의 중앙에서 반도체 웨이퍼의 정면에서의 온도를 측정하도록 하는 방식으로 배치된다.
상기 장치는 바람직하게는 비교 유닛(17)을 더 포함하는데, 이 비교 유닛은 제어기(20)에 통합되며 센서(13) 및 센서(14)에 의해 측정된 온도들을 비교하고, 센서(13)에 의해 반도체 웨이퍼의 정면에 대해 측정된 온도와 센서(14)에 의해 반도체 웨이퍼를 유지하는 서셉터의 후면에 대해 측정된 온도 사이의 온도차가 초기 온도차로부터 5 ℃ 넘게 벗어나면 공정 챔버의 다음 세정을 개시하기 위한 신호를 발생시킨다. 상기 초기 온도차는, 상기 다음 세정 직전의 공정 챔버의 세정 이후에 제1 증착 동안 나타나는 것이다.
제어기(19 및 20), 데이터 메모리(15), 측정 유닛(16) 및 비교 유닛(17)은 또한 장치 제어 시스템의 일부일 수 있다.
1 : 공정 챔버 2 : 상부 덮개
3 : 하부 덮개 4 : 측벽
5 : 반도체 웨이퍼 6 : 서셉터
7 : 복사 가열 시스템 8 : 복사 가열 시스템
9 : 연결부 10 : 연결부
11 : 열 교환기 12 : 센서
13 : 센서 14 : 센서
15 : 데이터 메모리 16 : 측정 유닛
17 : 비교 유닛 18 : 냉각 시스템, 팬
19 : 제어기 20 : 제어기
3 : 하부 덮개 4 : 측벽
5 : 반도체 웨이퍼 6 : 서셉터
7 : 복사 가열 시스템 8 : 복사 가열 시스템
9 : 연결부 10 : 연결부
11 : 열 교환기 12 : 센서
13 : 센서 14 : 센서
15 : 데이터 메모리 16 : 측정 유닛
17 : 비교 유닛 18 : 냉각 시스템, 팬
19 : 제어기 20 : 제어기
Claims (10)
- 상부 덮개 및 하부 덮개를 구비하는 공정 챔버에서 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 방법으로서,
반도체 웨이퍼의 정면에서의 온도를 측정하는 단계,
증착 온도로 반도체 웨이퍼를 가열하는 단계,
목표 온도로 공정 챔버의 상부 덮개의 온도를 제어하는 단계로서, 상기 상부 덮개의 온도는 상부 덮개의 외측 표면의 중앙에서 측정되며 상부 덮개의 온도를 제어하기 위한 제어 루프의 제어 변수에 대한 실제값으로서 사용되는 것인 단계,
가스 유량을 설정하는 단계로서, 층의 증착을 위한 공정 가스가 상기 가스 유량으로 공정 챔버를 통해 안내되는 것인 단계, 및
공정 챔버의 상부 덮개의 온도를 목표 온도로 제어하는 동안 증착 온도로 가열된 반도체 웨이퍼의 정면 상에 층을 증착하는 단계
를 포함하는 방법. - 제1항에 있어서, 상기 목표 온도는, 공정 가스의 설정된 가스 유량과 상관관계를 갖도록 하는 방식으로 선택되는 것인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 하나 이상의 추가적인 층이 하나 이상의 추가적인 반도체 웨이퍼 상에 증착되며, 공정 챔버의 마지막 세정 이후로 반도체 웨이퍼 상에 증착된 재료의 양이 등록되고, 마지막 세정 이후에 오직 정해진 총 두께의 증착 재료가 증착되었을 때에만 다시 공정 챔버가 세정되는 것인 방법.
- 제3항에 있어서, 반도체 웨이퍼를 유지하는 서셉터의 후면에 대해 온도가 측정되며, 하나 이상의 추가적인 층이 하나 이상의 추가적인 반도체 웨이퍼 상에 증착되고, 반도체 웨이퍼의 정면에서의 온도와 서셉터의 후면에서의 온도 사이의 온도차가 공정 챔버의 다음 세정 직전의 공정 챔버의 세정 이후에 제1 증착 동안 나타나는 초기 온도차에 비해 5 ℃ 넘게 변한다면, 증착되는 재료의 정해진 총 두께와 무관하게, 공정 챔버의 다음 세정이 개시되는 것인 방법.
- 제3항에 있어서, 반도체 웨이퍼가 단결정 실리콘으로 이루어지고 증착되는 재료는 에피택셜식으로 증착되는 실리콘인 경우, 증착되는 재료의 상기 정해진 총 두께는 50 ㎛ 이상인 것인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 실리콘으로 이루어진 에피택셜 층이 단결정 실리콘으로 이루어진 반도체 웨이퍼 상에 증착되고, 상기 목표 온도는, 공정 가스의 설정된 가스 유량이 45 내지 55 slm의 범위에 속하는 경우 510 내지 530 ℃의 범위에 속하도록 선택되며, 공정 가스의 설정된 가스 유량이 56 내지 65 slm의 범위에 속하는 경우 525 내지 545 ℃의 범위에 속하도록 선택되고, 공정 가스의 설정된 가스 유량이 66 내지 80 slm의 범위에 속하는 경우 540 내지 560 ℃의 범위에 속하도록 선택되는 것인 방법.
- 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 장치로서,
상부 덮개 및 하부 덮개를 구비하는 공정 챔버,
상부 덮개의 외측 표면의 중앙에서 상부 덮개의 온도를 측정하기 위한 제1 센서, 및
제1 센서에 의해 측정된 온도를 실제 온도로서 사용하여 사전에 정해진 목표 온도로 상부 덮개의 온도를 제어하기 위한 제어기
를 포함하는 장치. - 제7항에 있어서,
반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 동안의 공정 가스의 가스 유량에 각각 할당되는 복수의 온도값이 저장되는 데이터 메모리로서, 상기 데이터 메모리는 층을 증착하기 위해 설정된 가스 유량에 할당되는 온도값을 목표 온도로서 사전에 결정하는 것인 데이터 메모리
를 더 포함하는 장치. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
공정 챔버의 마지막 세정 이후로 얼마나 많은 재료가 반도체 웨이퍼 상에 증착되었는지를 등록하는 측정 유닛으로서, 증착되는 재료의 정해진 총 두께를 등록한 이후에 상기 마지막 세정에 후속하는 공정 챔버의 다음 세정을 개시하기 위한 신호를 발생시키는 것인 측정 유닛
을 더 포함하는 장치. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
반도체 웨이퍼의 정면에서의 반도체 웨이퍼의 온도를 측정하는 제2 센서,
반도체 웨이퍼를 유지하는 서셉터의 후면에서의 온도를 측정하는 제3 센서, 및
제2 센서에 의해 측정된 온도와 제3 센서에 의해 측정된 온도 사이의 온도차가 공정 챔버의 다음 세정 직전의 공정 챔버의 세정 이후에 제1 증착 동안 나타나는 초기 온도차로부터 5 ℃ 넘게 벗어나면 공정 챔버의 다음 세정을 개시하기 위한 신호를 발생시키는 것인 비교 유닛
을 더 포함하는 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011083245.9A DE102011083245B4 (de) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium durch Gasphasenabscheidung in einer Prozesskammer |
| DE102011083245.9 | 2011-09-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130032254A true KR20130032254A (ko) | 2013-04-01 |
| KR101410097B1 KR101410097B1 (ko) | 2014-06-25 |
Family
ID=47827646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120103320A KR101410097B1 (ko) | 2011-09-22 | 2012-09-18 | 공정 챔버에서의 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 방법 및 장치 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9018021B2 (ko) |
| JP (1) | JP5661078B2 (ko) |
| KR (1) | KR101410097B1 (ko) |
| CN (1) | CN103014659B (ko) |
| DE (1) | DE102011083245B4 (ko) |
| MY (1) | MY166009A (ko) |
| SG (1) | SG188754A1 (ko) |
| TW (1) | TWI471451B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150011117A (ko) * | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 주식회사 엘지실트론 | 공정 챔버의 세정 방법 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012205616B4 (de) * | 2012-04-04 | 2016-07-14 | Siltronic Ag | Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels Gasphasenabscheidung |
| US10249493B2 (en) | 2015-12-30 | 2019-04-02 | Siltronic Ag | Method for depositing a layer on a semiconductor wafer by vapor deposition in a process chamber |
| DE102016211614A1 (de) * | 2016-06-28 | 2017-12-28 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Halbleiterscheiben |
| CN107541773A (zh) * | 2016-06-29 | 2018-01-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备 |
| KR102576702B1 (ko) * | 2016-07-06 | 2023-09-08 | 삼성전자주식회사 | 증착 공정 모니터링 시스템, 및 그 시스템을 이용한 증착 공정 제어방법과 반도체 소자 제조방법 |
| CN106252209B (zh) * | 2016-08-30 | 2017-05-24 | 四川广瑞半导体有限公司 | 一种功率芯片用外延片生产工艺 |
| DE102017105333A1 (de) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung eines Substrates |
| DE102017222279A1 (de) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE102017130551A1 (de) * | 2017-12-19 | 2019-06-19 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zur Gewinnnung von Informationen über in einem CVD-Verfahren abgeschiedener Schichten |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5167716A (en) | 1990-09-28 | 1992-12-01 | Gasonics, Inc. | Method and apparatus for batch processing a semiconductor wafer |
| US6036877A (en) | 1991-06-27 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US5855677A (en) * | 1994-09-30 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling the temperature of reaction chamber walls |
| ATE312955T1 (de) | 1996-05-21 | 2005-12-15 | Applied Materials Inc | Verfahren und vorrichtung zum regeln der temperatur einer reaktorwand |
| US6121061A (en) * | 1997-11-03 | 2000-09-19 | Asm America, Inc. | Method of processing wafers with low mass support |
| DE10043599A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren insbesondere ebenfalls kristalliner Substraten |
| JP2003045818A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2003077782A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2003021642A2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
| JP2004039743A (ja) | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR20040085267A (ko) | 2003-03-31 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | 원자막 증착 장치 |
| JP4399206B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2010-01-13 | 株式会社アルバック | 薄膜製造装置 |
| KR100611108B1 (ko) * | 2005-01-13 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법 |
| US7718225B2 (en) | 2005-08-17 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Method to control semiconductor film deposition characteristics |
| US8372203B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus temperature control and pattern compensation |
| US7691204B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-04-06 | Applied Materials, Inc. | Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation |
| US7976634B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems |
| US7928019B2 (en) * | 2007-08-10 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing |
| DE102009010556B4 (de) | 2009-02-25 | 2013-11-07 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von epitaxierten Siliciumscheiben |
-
2011
- 2011-09-22 DE DE102011083245.9A patent/DE102011083245B4/de active Active
-
2012
- 2012-09-05 US US13/603,939 patent/US9018021B2/en active Active
- 2012-09-13 SG SG2012068300A patent/SG188754A1/en unknown
- 2012-09-13 MY MYPI2012004078A patent/MY166009A/en unknown
- 2012-09-17 TW TW101133962A patent/TWI471451B/zh active
- 2012-09-18 KR KR1020120103320A patent/KR101410097B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-20 CN CN201210352130.2A patent/CN103014659B/zh active Active
- 2012-09-21 JP JP2012208256A patent/JP5661078B2/ja active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150011117A (ko) * | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 주식회사 엘지실트론 | 공정 챔버의 세정 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5661078B2 (ja) | 2015-01-28 |
| US20130078743A1 (en) | 2013-03-28 |
| TW201313942A (zh) | 2013-04-01 |
| US9018021B2 (en) | 2015-04-28 |
| DE102011083245B4 (de) | 2019-04-25 |
| MY166009A (en) | 2018-05-21 |
| CN103014659B (zh) | 2015-10-28 |
| DE102011083245A1 (de) | 2013-03-28 |
| SG188754A1 (en) | 2013-04-30 |
| CN103014659A (zh) | 2013-04-03 |
| TWI471451B (zh) | 2015-02-01 |
| JP2013070058A (ja) | 2013-04-18 |
| KR101410097B1 (ko) | 2014-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101410097B1 (ko) | 공정 챔버에서의 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 방법 및 장치 | |
| US10943771B2 (en) | Methods for thermally calibrating reaction chambers | |
| US11629406B2 (en) | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate | |
| CN101345187B (zh) | 一种用于监测和校准半导体加工室内温度的新型方法 | |
| TWI736537B (zh) | 溫度控制方法 | |
| US9677944B2 (en) | Temperature control for GaN based materials | |
| JP7175283B2 (ja) | 高温セラミックヒータ上の集積化基板温度測定 | |
| US8047706B2 (en) | Calibration of temperature control system for semiconductor processing chamber | |
| TW201243955A (en) | Apparatus for monitoring and controlling substrate temperature | |
| KR20210000731A (ko) | 공간적으로 분해된 웨이퍼 온도 제어를 위한 가상 센서 | |
| US11747209B2 (en) | System and method for thermally calibrating semiconductor process chambers | |
| US7837794B2 (en) | Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method | |
| CN107302348A (zh) | 表面声波器件及其制造方法、温度检测设备 | |
| TWI828239B (zh) | 一種化學氣相沉積裝置的溫度校準和控制方法 | |
| JP2024517112A (ja) | 基板処理装置、温度測定方法および温度制御方法 | |
| US20220298672A1 (en) | Wafer temperature gradient control to suppress slip formation in high-temperature epitaxial film growth | |
| JP6524944B2 (ja) | 気相エッチング方法及びエピタキシャル基板の製造方法 | |
| CN118339641A (zh) | 衬底处理装置、温度测量方法和温度控制方法 | |
| JP2004071794A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2014063820A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20150077109A (ko) | 화학기상증착장치 및 이의 온도제어방법 | |
| TW202305209A (zh) | 一種用於校準外延爐的溫度計的方法 | |
| US20180051375A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR100763681B1 (ko) | 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장치의 제어 장치 및 그방법 | |
| KR20070002273A (ko) | 반도체 기판 가공 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170601 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190530 Year of fee payment: 6 |