CN107541773A - 一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备，其中，腔室包括对腔室进行密封的上盖和对上盖进行温度控制的冷却系统，该方法包括：判断腔室的当前工艺类型；控制冷却系统，以将上盖的温度保持在对应当前工艺类型的设定温度范围内。本发明腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备可根据控制冷却系统，以稳定上盖的温度在对应工艺的设定温度范围内，进而减少上盖上的硅沉积物，这样，能够提高工艺质量，保证工艺结果及工艺过程中设备的安全。

Description

一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备

技术领域

本发明涉及微电子领域，更具体地，本发明涉及一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备。

背景技术

在外延工艺的过程中，由于硅外延设备机台腔室内含有外延工艺反应气体，且上盖温度过高或过低时，很容易在上盖上发生硅沉积的现象，上盖沉积的硅颗粒会在外延工程中掉落到外延层表面，严重影响外延层表面的质量，而且上盖的硅沉积会使其上盖受到很强的应力，可能导致上盖的破裂，存在很高的危险。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种控制腔室温度以减少腔室上盖硅沉积的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种腔室温度控制方法，所述腔室包括对所述腔室进行密封的上盖和对所述上盖进行温度控制的冷却系统，包括：

判断所述腔室的当前工艺类型；

控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

可选的是，所述判断所述腔室的当前工艺类型具体为：

判断所述当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，

判断所述当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

可选的是，对应所述当前工艺类型的设定温度范围具体为：

对应外延工艺的设定温度范围被设置为抑制外延工艺反应气体在所述上盖上生成沉积物；

对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与所述沉积物发生反应的逆反应。

可选的是，所述对应外延工艺的设定温度范围被设置为570℃-580℃；所述对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为590℃-600℃。

可选的是，所述冷却系统包括冷却风机，所述方法还包括：

检测所述冷却风机的转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

可选的是，所述将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内具体为：

如果检测到所述上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低所述冷却风机的转速；

如果检测到所述上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高所述冷却风机的转速。

可选的是，所述方法还包括：

如果检测到所述腔室中配置有反应气体，则设定所述冷却风机的转速自动控制功能为开启状态。

根据本发明的第二方面，提供了一种腔室温度控制装置，所述腔室包括对所述腔室进行密封的上盖和对所述上盖进行温度控制的冷却系统，包括：

判断模块，用于判断所述腔室的当前工艺类型；

控制模块，用于控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

可选的是，所述判断模块具体用于：

判断所述当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，

判断所述当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

可选的是，对应所述当前工艺类型的设定温度范围具体为：

对应外延工艺的设定温度范围被设置为抑制外延工艺反应气体在所述上盖上与生成沉积物；

对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与所述沉积物发生反应的逆反应。

可选的是，所述对应外延工艺的设定温度范围被设置为570℃-580℃；所述对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为590℃-600℃。

可选的是，所述冷却系统包括冷却风机，所述装置还包括：

检测模块，用于检测所述冷却风机的转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则控制所述控制模块控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

可选的是，所述控制模块包括：

降低转速单元，用于如果检测到所述上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低所述冷却风机的转速；

提高转速单元，用于如果检测到所述上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高所述冷却风机的转速。

可选的是，所述装置还包括：

设置模块，用于如果检测到所述腔室中配置有反应气体，则设定所述冷却风机的转速自动控制功能为开启状态。

根据本发明的第三方面，提供了一种半导体工艺设备，所述设备还包括前述的腔室温度控制装置。

本发明的发明人发现，在现有技术中，存在腔室温度控制不当易使上盖发生硅沉积的现象。因此，本发明所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的，故本发明是一种新的技术方案。

本发明的一个有益效果在于，本发明腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备可根据控制冷却系统，以稳定上盖的温度在对应工艺的设定温度范围内，进而减少上盖上的硅沉积物，这样，能够提高工艺质量，保证工艺结果及工艺过程中设备的安全。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是硅外延设备机台腔室的结构图；

图2是根据本发明一种腔室温度控制方法的一种实施方式的流程图；

图3是根据本发明设定冷却风机转速自动控制功能状态的一种实施方式的流程图；

图4是根据本发明一种腔室温度控制装置的一种实施结构的方框原理图。

附图标记说明：

1-上盖； 2-加热装置；

3-石英腔； 4托盘；

5-进气装置； 6-排气装置。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

本发明为了解决现有腔室温度控制不当易使上盖发生硅沉积的现象，提供了一种腔室温度控制方法，以减少上盖的硅沉积，为了便于理解本发明减少上盖硅沉积的方法，首先介绍一下硅沉积形成的原理。

如图1所示，在外延工艺过程中，将晶片放置在托盘4上，加热装置2对上盖1进行加热，一定比例的氢气和外延工艺反应气体通过进气装置5进入石英腔3内，并在石英腔3内发生化学反应，在晶片上生长出外延层，反应后的气体通过排气装置6排出石英腔3，其中，如果上盖1的温度过高，外延工艺反应气体会与氢气在上盖1上发生还原反应生成硅沉积物。

本发明的方法通过维持上盖温度在设定温度范围内，以减少上盖硅沉积，如图2所示，具体包括以下步骤：

步骤S201，判断当前工艺类型。

具体可以为，判断当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，判断当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

在本发明的一个具体实施例中，外延工艺采用的外延工艺反应气体为三氯氢硅气体，刻蚀工艺采用的刻蚀工艺反应气体为氯化氢气体，因此，判断当前工艺类型可以为但不局限于检测当前工艺配方中是否包括氯化氢气体，如是，则当前工艺类型为刻蚀工艺，如否，则当前工艺类型为外延工艺。

步骤S202，控制冷却系统，以将上盖的温度保持在对应当前工艺类型的设定温度范围内。

其中，对应外延工艺的设定温度范围被设置为能够抑制外延工艺反应气体在上盖上发生例如可以是还原反应生成硅沉积物，以减少通过该反应生成的硅沉积物的量。在本发明的一个具体实施例中，外延工艺采用的反应气体为三氯氢硅气体，三氯氢硅气体与氢气发生还原反应生成硅和氯化氢气体，随着上盖温度的升高，上盖上生成的硅沉积物的量会增多，因此，本发明方法通过将上盖的温度控制在较低的可实施范围内，将能够减少上盖上的硅沉积物。由于该反应是可逆的，上盖上沉积的硅和外延工艺中生成氯化氢气体在上盖的温度超过570℃时就会发生反应，因此，本发明方法通过将上盖的温度控制在高于570℃的较低的范围内，将能够进一步减少上盖温度生成的硅沉积物。经实际机台验证试验得出，外延工艺中上盖的温度在570℃至580℃范围内时，外延工艺中在上盖上生成的硅基本都能够与外延工艺中生成的氯化氢气体反应，这样，便能够有效避免上盖上形成硅沉积物。

对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与沉积物发生反应的逆反应，以使通过该逆反应在上盖上生成的硅沉积物的量少于反应本身消耗的硅沉积物的量。在本发明的一个具体实施例中，刻蚀工艺采用的反应气体为氯化氢气体，由于上盖的温度达到570℃时，氯化氢气体与硅沉积物可以发生化学反应生成三氯氢硅气体，随着温度的升高，该反应速率会加快，同时，生成的三氯氢硅气体也会和氢气发生反应，再次生成硅沉积物，且温度越高，生成硅沉积物越多，因此，本发明方法通过控制上盖的温度在高于570℃的较低的范围内，将能够减少上盖上硅沉积物的量。经实际机台验证试验得出，刻蚀工艺中上盖的温度在590℃至600℃范围内时，既能保证刻蚀的速度，又能够减少刻蚀过程中生成的三氯氢硅与氢气反应生成的硅沉积物，并使氯化氢气体与上盖上形成的硅沉积物充分反应，彻底清除硅沉积物。

具体的，冷却系统包括冷却风机，上述控制冷却系统可以为控制冷却风机的转速。

进一步地，上述将上盖的温度保持在对应工艺的设定温度范围内具体可以为：如果检测到上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低冷却风机的转速；如果检测到上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高冷却风机的转速。

在此基础上，降低冷却风机转速的方法可包括：以设定调整电机步距调整冷却风机转速，或者参照温度-转速对照表设定当前温度对应的转速。提高冷却风机转速的方法可包括：以设定调整电机步距调整冷却风机转速，或者参照温度-转速对照表设定当前温度对应的转速。该方法为现有手段，在此不再赘述。

在本发明的一个具体实施例中，本发明方法还可以包括检测冷却风机转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则执行步骤S202；如否，则不执行任何操作。其中，检测冷却风机转速自动控制功能是否为开启状态，可以具体为检测是否接收到开启冷却风机转速自动控制功能的使能信号，和/或检测腔室中是否配置有反应气体，例如可以是外延工艺反应气体或者刻蚀工艺反应气体。

本发明方法还可以包括：检测腔室中是否配置有反应气体，如是，则设定冷却风机转速自动控制功能为开启状态。

图3为根据本发明冷却风机转速自动控制功能状态设定的一种实施方式的流程图。

根据图3所示，冷却风机转速自动控制功能状态设定的方法可以包括：

步骤S301，检测当前工艺的运行步骤中是否配置有刻蚀工艺反应气体或者外延工艺反应气体，如是，则执行步骤S302，如否，则执行步骤S301。

步骤S302，检测是否接收到冷却风机转速自动控制功能的使能信号，如是，则执行步骤S303，如否，则执行步骤S301。

步骤S303，设定冷却风机转速自动控制功能为开启状态，之后再执行步骤S301。

这样，检测冷却风机转速自动控制功能是否为开启状态具体为：检测冷却风机转速自动控制功能是否被设置为开启状态。

在本发明的一个具体实施例中，外延工艺和刻蚀工艺均发生在同一机台内，且对应的上盖的温度范围不同，为了能够及时确定上盖的设定温度范围，可以以固定的时间间隔判断当前工艺类型。

本发明腔室温度控制方法可以是仅在外延工艺或者刻蚀工艺中对上盖的温度进行控制，也可以是在外延工艺和刻蚀工艺中均对上盖的温度进行控制。

与上述腔室温度控制方法相对应，如图4所示，本发明的腔室温度控制装置400包括判断模块401和控制模块402，该判断模块401用于判断腔室的当前工艺类型；该控制模块402用于控制冷却系统，以将上盖的温度保持在对应当前工艺类型的设定温度范围内。

进一步地，该判断模块401具体用于判断当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，判断当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

其中，对应当前工艺类型的设定温度范围包括：对应外延工艺的设定温度范围被设置为抑制外延工艺反应气体在上盖上与生成沉积物；对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与沉积物发生反应的逆反应。

在此基础上，对应外延工艺的设定温度范围被设置为570℃-580℃；对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为590℃-600℃。

具体的，本发明的腔室温度控制装置还包括检测模块，该检测模块用于检测冷却风机的转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则控制控制模块控制冷却系统，以将上盖的温度保持在对应当前工艺类型的设定温度范围内。

进一步地，上述控制模块402还可以包括降低转速单元和提高转速单元，该降低转速单元用于如果检测到上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低冷却风机的转速；该提高转速单元用于如果检测到上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高冷却风机的转速。

在此基础上，本发明的腔室温度控制装置还包括设置模块，该设置模块用于如果检测到腔室中配置有反应气体，则设定冷却风机的转速自动控制功能为开启状态。

本发明还提供了一种半导体工艺设备，在一方面，该设备包括前述的减少上盖硅沉积的装置400。

在另一方面，该设备包括处理器、存储器、接口装置、输入装置、显示装置、提示装置、通信装置等等。

该存储器用于存储指令，该指令用于控制处理器进行操作以执行根据本发明的腔室温度控制方法，技术人员可以根据本发明所公开方案设计指令。指令如何控制处理器进行操作，这是本领域公知，故在此不再详细描述。

该通信装置例如能够进行有有线或无线通信。

该接口装置例如包括USB接口、RS232接口、RS485接口等。

该输入装置例如可以包括触摸屏、按键等。

该显示装置例如是液晶显示屏、触摸显示屏等，以进行工艺过程及数据的显示。

该提示装置例如是蜂鸣器、指示灯等。

上述各实施例主要重点描述与其他实施例的不同之处，但本领域技术人员应当清楚的是，上述各实施例可以根据需要单独使用或者相互结合使用。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分相互参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，不同实施例可以根据需要单独使用或者相互结合使用。尤其，对于装置实施例而言，由于其是与方法实施例相对应，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的对应部分的说明即可。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的。

本发明可以是装置、方法和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括计算机可读存储介质，其上载有用于使处理器实现本发明的各个方面的计算机可读程序指令。

计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读存储介质例如可以是――但不限于――电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、静态随机存取存储器(SRAM)、便携式压缩盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能盘(DVD)、记忆棒、软盘、机械编码设备、例如其上存储有指令的打孔卡或凹槽内凸起结构、以及上述的任意合适的组合。这里所使用的计算机可读存储介质不被解释为瞬时信号本身，诸如无线电波或者其他自由传播的电磁波、通过波导或其他传输媒介传播的电磁波(例如，通过光纤电缆的光脉冲)、或者通过电线传输的电信号。

这里所描述的计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理设备，或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。网络可以包括铜传输电缆、光纤传输、无线传输、路由器、防火墙、交换机、网关计算机和/或边缘服务器。每个计算/处理设备中的网络适配卡或者网络接口从网络接收计算机可读程序指令，并转发该计算机可读程序指令，以供存储在各个计算/处理设备中的计算机可读存储介质中。

用于执行本发明操作的计算机程序指令可以是汇编指令、指令集架构(ISA)指令、机器指令、机器相关指令、微代码、固件指令、状态设置数据、或者以一种或多种编程语言的任意组合编写的源代码或目标代码，所述编程语言包括面向对象的编程语言—诸如Smalltalk、C++等，以及常规的过程式编程语言—诸如“C”语言或类似的编程语言。计算机可读程序指令可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络—包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。在一些实施例中，通过利用计算机可读程序指令的状态信息来个性化定制电子电路，例如可编程逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或可编程逻辑阵列(PLA)，该电子电路可以执行计算机可读程序指令，从而实现本发明的各个方面。

这里参照根据本发明实施例的方法、装置(系统)和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本发明的各个方面。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合，都可以由计算机可读程序指令实现。

这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理装置的处理器，从而生产出一种机器，使得这些指令在通过计算机或其它可编程数据处理装置的处理器执行时，产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中，这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作，从而，存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品，其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。

也可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上，使得在计算机、其它可编程数据处理装置或其它设备上执行一系列操作步骤，以产生计算机实现的过程，从而使得在计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。

附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，所述模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。对于本领域技术人员来说公知的是，通过硬件方式实现、通过软件方式实现以及通过软件和硬件结合的方式实现都是等价的。

以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的技术改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (15)

1.一种腔室温度控制方法，所述腔室包括对所述腔室进行密封的上盖和对所述上盖进行温度控制的冷却系统，其特征在于，包括：

判断所述腔室的当前工艺类型；

控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述腔室的当前工艺类型具体为：

判断所述当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，

判断所述当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对应所述当前工艺类型的设定温度范围具体为：

对应外延工艺的设定温度范围被设置为抑制外延工艺反应气体在所述上盖上生成沉积物；

对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与所述沉积物发生反应的逆反应。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对应外延工艺的设定温度范围被设置为570℃-580℃；所述对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为590℃-600℃。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述冷却系统包括冷却风机，所述方法还包括：

检测所述冷却风机的转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内具体为：

如果检测到所述上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低所述冷却风机的转速；

如果检测到所述上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高所述冷却风机的转速。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

如果检测到所述腔室中配置有反应气体，则设定所述冷却风机的转速自动控制功能为开启状态。

8.一种腔室温度控制装置，所述腔室包括对所述腔室进行密封的上盖和对所述上盖进行温度控制的冷却系统，其特征在于，包括：

判断模块，用于判断所述腔室的当前工艺类型；

控制模块，用于控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述判断模块具体用于：

判断所述当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，

判断所述当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，对应所述当前工艺类型的设定温度范围具体为：

对应外延工艺的设定温度范围被设置为抑制外延工艺反应气体在所述上盖上与生成沉积物；

对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与所述沉积物发生反应的逆反应。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述对应外延工艺的设定温度范围被设置为570℃-580℃；所述对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为590℃-600℃。

12.根据权利要求8-11中任一项所述的装置，其特征在于，所述冷却系统包括冷却风机，所述装置还包括：

检测模块，用于检测所述冷却风机的转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则控制所述控制模块控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述控制模块包括：

降低转速单元，用于如果检测到所述上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低所述冷却风机的转速；

提高转速单元，用于如果检测到所述上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高所述冷却风机的转速。

14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

设置模块，用于如果检测到所述腔室中配置有反应气体，则设定所述冷却风机的转速自动控制功能为开启状态。

15.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述设备还包括权利要求8至14中的任一项所述的装置。