KR20130031160A - 백색 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광층에 인접한 정공 수송층 또는 저지층의 에너지 준위를 특정하여 소자의 효율을 향상시킨 백색 유기 발광 소자에 관한 것으로, 기판 상에 서로 대향된 양극과 음극;과, 상기 양극과 음극 사이에 형성된 전하 생성층;과, 상기 양극과 전하 생성층 사이의, 제 1 정공 수송층, 청색을 발광하는 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 적층되어 이루어진 제 1 스택; 및 상기 전하 생성층과 상기 음극 사이의, 제 2 정공 수송층, 하나의 호스트에 인광 도펀트를 함께 도핑한 제 2 발광층 및 제 2 전자 수송층이 적층되어 이루어지며, 상기 제 1 정공 수송층과 제 2 정공 수송층 중 적어도 어느 하나는 삼중항 에너지 준위가 인접한 발광층의 삼중항(triplet) 에너지 준위보다 높고, 삼중항 에너지 준위와 일중항 에너지 준위간 차가 0.01 eV 내지 0.6eV 이하인 것을 특징으로 한다.

Description

백색 유기 발광 소자 {White Organic Light Emitting Device}
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광층에 인접한 정공 수송층 또는 저지층의 에너지 준위를 특정하여 소자의 효율을 향상시킨 백색 유기 발광 소자에 관한 것이다.
최근, 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display)분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.
이 중, 별도의 광원을 요구하지 않으며 장치의 컴팩트화 및 선명한 컬러 표시를 위해 유기 발광 표시 장치가 경쟁력 있는 어플리케이션으로 고려되고 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치에는, 유기 발광층의 형성이 필수적이다.
상기 유기 발광층을 화소별로 패터닝하지 않고, 서로 다른 색상의 유기 발광층을 포함하는 스택 구조를 적층시켜 백색을 표시하는 유기 발광 표시 장치가 제안되었다.
즉, 백색 유기 발광 표시 장치는, 발광 다이오드 형성시 양극과 음극 사이의 각 층을 마스크 없이 증착시키는 것으로, 유기발광층을 포함한 유기막들의 형성을 차례로 그 성분을 달리하여 진공 상태에서 증착하는 것을 특징으로 한다.
상기 백색 유기 발광 표시 장치는, 박형 광원, 액정표시장치의 백라이트 또는 컬러 필터를 채용한 풀컬러 표시 장치에 쓰일 수 있는 등 여러 용도를 가지고 있는 소자이다.
한편, 종래의 백색 유기 발광 표시 장치는, 각 스택이 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 포함한다.
그런데, 종래의 백색 유기 발광 표시 장치에 있어서, 발광층과 인접하여 전자수송층이 위치하는 구조에서, 발광층에서 발생된 전자(electron)나 엑시톤(exiton)들이 발광에 이용되지 못하고 정공 수송층으로 유입되는 현상이 있는데, 이로 인해 발광층의 발광 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.
상기와 같은 종래의 백색 유기 발광 소자는 다음과 같은 문제점이 있다.
발광층과 정공 수송층간의 삼중항 에너지 준위가 유사할 때, 발광층에서의 전자(electron)나 발생된 엑시톤(exiton)들이 발광에 이용되지 못하고 정공 수송층으로 유입되는 현상이 있는데, 이로 인해 발광층의 발광 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 발광층에 인접한 정공 수송층 또는 저지층(blocking layer)의 에너지 준위를 특정하여 소자의 효율을 향상시킨 백색 유기 발광 소자를 제공하는 데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 기판 상에 서로 대향된 양극과 음극;과, 상기 양극과 음극 사이에 형성된 전하 생성층;과, 상기 양극과 전하 생성층 사이의, 제 1 정공 수송층, 청색을 발광하는 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 적층되어 이루어진 제 1 스택; 및 상기 전하 생성층과 상기 음극 사이의, 제 2 정공 수송층, 하나의 호스트에 인광 도펀트를 도핑한 제 2 발광층 및 제 2 전자 수송층이 적층되어 이루어지며, 상기 제 1 정공 수송층과 제 2 정공 수송층 중 적어도 어느 하나는 삼중항 에너지 준위가 인접한 발광층의 삼중항(triplet) 에너지 준위보다 높고, 삼중항 에너지 준위와 일중항 에너지 준위간 차가 0.01 eV 내지 0.6eV 이하인 것에 그 특징이 있다.
여기서, 상기 제 2 정공 수송층은 상기 제 2 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 0.01eV 내지 0.4 eV 높은 삼중항 에너지 준위를 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 제 2 정공 수송층의 삼중항 에너지 준위는 2.6eV 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1 정공 수송층은 상기 제 1 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 0.01eV 내지 0.4eV 높은 삼중항 에너지 준위를 갖고, 상기 제 1 정공 수송층의 삼중항 에너지 준위는 2.6eV 이상일 수 있다.
한편, 상기 제 1 정공 수송층 또는 제 2 정공 수송층의 밴드갭 에너지는 3.0eV 이상인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 2 발광층의 인광 도펀트는 서로 다른 제 1, 제 2 인광 도펀트의 조합으로, 황색 인광 도펀트와 녹색 인광 도펀트를 포함하거나 적색 인광 도펀트와 녹색 인광 도펀트를 포함할 수 있으며, 혹은 상기 제 2 발광층의 인광 도펀트는 옐로이쉬 그린(yellowish green) 인광 도펀트을 단일로 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 정공 수송층은, 상기 제 1 발광층과 인접하여 상기 제 1 발광층의 전자 또는 엑시톤이 유입됨을 방지하는 저지층을 더 포함하거나 혹은 상기 제 2 정공 수송층은, 상기 제 2 발광층과 인접하여 상기 제 2 발광층의 전자 또는 엑시톤이 유입됨을 방지하는 저지층을 더 포함할 수 있다.
또한, 동일한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 백색 유기 발광 소자는, 기판 상에 서로 대향된 양극과 음극;과, 상기 양극과 음극 사이에 형성된 전하 생성층;과, 상기 양극과 전하 생성층 사이와, 상기 전하 생성층과 상기 음극 사이에는 각각 제 1 스택과 제 2 스택이 구비되고, 상기 각 스택은 정공 수송층, 저지층, 발광층 및 전자 수송층이 적층되며, 상기 제 1 스택의 발광층은 청색 형광 발광층으로, 상기 제 2 스택의 발광층은 인광 도펀트를 함께 도핑하여 이루어진 인광 발광층일 수 있다. 이 때, 상기 제 1, 제 2 스택의 저지층 각각은 삼중항 에너지 준위가 인접한 발광층의 삼중항(triplet) 에너지 준위보다 높고, 삼중항 에너지 준위와 일중항 에너지 준위간 차가 0.01 eV 내지 0.6eV 이하이다.
이 경우, 상기 제 1, 제 2 스택의 저지층 각각은 인접한 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 0.01eV 내지 0.4 eV 높은 삼중항 에너지 준위를 갖는 것이 바람직하다. 삼중항 에너지 준위가 2.6eV 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1, 제 2 스택의 저지층 각각의 밴드갭 에너지는 3.0eV 이상인 것이 바람직하다.
상기와 같은 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 다음과 같은 효과가 있다.
발광층에 최인접한 저지층(EBL: electron or exciton blocking layer) 또는 정공 수송층을, 삼중항 에너지 준위는 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 높고, 자체의 일중항과 삼중항의 에너지 준위 차(ΔEst)가 0.6eV 보다 작게 하여 설계함으로써, 발광층에서 저지층(또는 정공 수송층)으로의 전자 또는 여기자의 유입을 방지함과 함께, 발광층에서 저지층(또는 정공 수송층)으로 일부 유입된 전자 또는 여기자가 있더라도 다시 발광층으로 전달하여, 엑시톤 생성에 기여하도록 하여, 유기 발광 소자의 효율을 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 백색 유기 발광 소자에 있어서, 삼중항 에너지 준위와 일중항 에너지 준위를 조절하여 효율을 향상시키는 유기 발광 소자 구조를 제안한다.
따라서, 고효율 특성을 가지는 백색 유기 발광 소자를 제작할 수 있어, 색온도가 높고 소비전력이 낮은 대면적 백색 유기 발광 소자 TV 제품 양산이 가능하다.
도 1은 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 제 1 실시예를 나타낸 단면도
도 2는 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 제 2 실시예를 나타낸 단면도
도 3은 발광층에 인접하여 저지층 구비시 층간의 에너지 준위를 나타낸 도면
도 4는 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광층과 인접한 층간의 역할을 도시된 도면
도 5는 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 정공 수송층(저지층), 발광층, 전자수송층의 에너지 준위를 나타낸 도면
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 TTA 현상을 나타낸 도면
도 7은 표 1에 대응되는 서로 다른 삼중항 준위 및 ΔEst를 갖는 정공 수소층을 갖는 소자들에서 외부 양자 효율을 나타낸 그래프
도 8은 동일한 삼중항 준위를 갖는 경우, ΔEst의 변화에 따른 외부 양자 효율을 나타낸 그래프
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 백색 유기 발광 소자를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 제 1 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 1과 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자는, 기판(100) 상에 서로 대향된 양극(101)과 음극(140), 상기 양극(101)과 음극(140) 사이에 적층되어 이루어진 제 1 스택(210), 전하생성층 (Charge Generation Layer)(120) 및 제 2 스택(220)을 포함하여 이루어진다.
여기서, 양극(101)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극으로 이루어지며, 상기 음극(140)은 Al(알루미늄)과 같이 반사성 금속으로 이루어지며, 이러한 배치에 의해 각각의 제 1, 제 2 스택(210, 220)에서 이루어지는 발광효과로 도시된 도면을 기준으로 하측으로 이미지가 출사되게 된다.
상기 제 1 스택(210)은 상기 양극(101) 상부와 상기 전하생성층(120) 사이에 제 1 정공 주입층(HIL(Hole Injection Layer), 103), 제 1 정공수송층(HTL(Hole Transport Layer), 105), 제 1 발광층(110) 및 제 1 전자 수송층(ETL(Electron Transport Layer), 111)이 차례로 적층되어 있으며, 상기 제 2 스택(220)은 상기 전하 생성층(120)과 상기 음극(140) 사이에, 차례로, 제 2 정공 수송층(125), 제 2 발광층(130), 제 2 전자 수송층(133) 및 제 2 전자 주입층(EIL(Electron Injection Layer))(135)이 적층되어 있다. 여기에, 상기 전하 생성층(120) 하부와 상부에 각각 제 1 전자 주입층(EIL(Electron Injection Layer))과 제 2 정공 주입층(HIL)이 더 구비될 수 있다.
여기서, 상기 제 1 발광층(110)은 청색광의 하나의 호스트에 청색 형광 또는 인광 성분의 도펀트가 포함된 발광층이며, 상기 제 2 발광층(130)은 하나의 호스트에 서로 다른 인광 황색 및 인광 녹색 도펀트(phosphorescence Yellow +phosphorescence Green)가 포함되거나 또는 인광 적색 및 인광 녹색 도펀트(phosphorescence Green +phosphorescence Red)를 함께 도핑하여 이루어진 단일 발광층이다. 혹은 상기 제 2 발광층의 인광 도펀트는 옐로이쉬 그린(yellowish green) 인광 도펀트을 단일로 포함할 수도 있다.
이 경우, 백색 유기 발광 소자의 구동시 상기 제 1 발광층(110)의 청색 형광과 제 2 발광층(130)에서 인광 발광되는 광의 혼합 효과에 의해 백색광이 구현될 수 있다. 제 2 발광층(130)에서 발광되는 색상은 상기 제 1 발광층(110)의 청색광과 혼합되어, 백색이 구현될 수 있는 색상으로 도시된 인광 황색 및 인광 녹색 도펀트(Y+G)의 조합이나 인광 적색 및 인광 녹색 도펀트(R+G)의 조합 또는 옐로이쉬 그린 도펀트(YG) 외에, 청색광과 합하여 백색이 구현될 수 있다면 다른 색상의 도펀트의 조합으로도 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 제 1 스택(210)과 제 2 스택(220) 사이의 전하 생성층(120)은 스택들 사이에 형성되어 각 스택들 간의 전하 균형 조절을 한다. 이러한, 전하 생성층(120)은 낮은 광학적, 전기적 손실 특성을 갖는 물질로서, 이에 이용 가능한 물질로는 금속류, 산화물류, 반도체류, 유기물류 또는 이들의 적층이 알려져 있다.
여기서, 상기 제 1 정공 수송층(105) 및 제 2 정공 수송층(125)은 각각 상기 제 1 발광층(110) 및 제 2 발광층(130)의 삼중항 여기자(exciton: triplet)의 여기 상태의 에너지 준위(이하, 삼중항 에너지 준위)보다 높은 에너지 준위를 갖는 것으로 설정한다. 이 경우, 제 1 정공 수송층 및 제 2 정공 수송층을 각각의 인접한 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 높은 삼중항 에너지 준위로 설정하거나 혹은 하나의 정공 수송층만 택하여 인접한 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 높은 삼중항 에너지 준위로 설정할 수 있다.
이 경우, 높아진 제 1 정공 수송층(105) 또는 /및 제 2 정공 수송층(125)의 에너지 준위는 상기 제 1 발광층(110) 및 제 2 발광층(130)의 삼중항 여기자의 여기 상태의 에너지 준위보다 0.01~0.4eV 정도 높게 설정하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 제 1 정공 수송층(105) 또는/및 제 2 정공 수송층(125)의 삼중항 에너지 준위는 2.6eV 이상일 수 있으며, 이 경우, 상기 제 1 정공 수송층(105) 또는/및 제 2 정공 수송층(125)의 밴드갭 에너지는 3.0eV 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 1 정공 수송층(105) 또는/및 제 2 정공 수송층(125)의 삼중항 에너지 준위(T1)와 일중항 에너지 준위(S1)간 차(ΔEst)가 0.01 eV 내지 0.6eV 이하로 하여 외부 양자 효율을 향상시킨 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 제 1 발광층(110) 및 제 2 발광층(130)보다 상기 제 1 정공 수송층(105) 및 제 2 정공 수송층(125)의 에너지 준위가 높고, 상기 제 1, 제 2 정공 수송층(105) 및 제 2 정공 수송층(125)의 삼중항 에너지 준위가 2.6eV 이상이다. 따라서, 상기 제 2 발광층(130) 및 제 1 발광층(110)의 삼중항 여기자(triplet exciton)나 전자들이 인접한 상기 제 2 정공 수송층(125) 및 제 1 정공 수송층(105)으로 유입되어 발광 효율이 떨어지는 것을 방지할 수 있다. 즉, 여기서, 상기 제 2 정공 수송층(125) 및 제 1 정공 수송층(105)은 고유의 상기 제 2 발광층(130), 제 1 발광층(110)으로부터의 정공의 수송 기능을 함과 동시에 삼중항 여기자 또는 전자가 넘어오는 것을 방지하는 저지층(exciton blocking layer)으로 기능한다. 이 경우, 상기 저지층 기능을 하는 정공 수송층은 여기자 저지 기능을 물질을 포함시켜 이루어지는 것이다.
또한, 상기 제 1 정공 수송층(105) 및 제 2 정공 수송층(125)의 삼중항 에너지 준위(T1)와 일중항 에너지 준위(S1)간 차(ΔEst)가 0.01 eV 내지 0.6eV 이하이기 때문에, 일부 정공 수송층으로 전자 또는 삼중항 여기자(triplet) 등이 유입되더라도, 삼중항 에너지 준위와 일중항 에너지 준위간 차(ΔEst)가 0.6eV 이하로 낮기 때문에, 상호 작용으로 쉽게 일중항으로 전이되고, 이는 인접한 발광층으로 재확산되어 정공과 결합되어, 발광에 기여할 수 있는 것이다. 이로써, 효율 향상이 가능하다.
도 2는 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 제 2 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 2와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자는 각 스택에서 발광층과 정공 수송층 사이에, 각 발광층에서 발생된 엑시톤이나 유입된 전자가 정공 수송층으로 유입됨을 방지하는 별도의 층으로서 제 1, 제 2 저지층(107, 127)(blocking layer)을 더 구비하는 바를 나타낸다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자는, 상기 제 1, 제 2 저지층(107, 127)의 구비 외에는 상술한 제 1 실시예의 구성과 동일하여, 동일 구성에 대해서는 그 설명을 생략한다.
또한, 상기 제 1, 제 2 저지층(107, 127)은 두 층 모두 구비될 수도 있고, 하나만 선택하여 구비될 수도 있다. 상기 제 1, 제 2 저지층(107, 127)의 에너지 준위 조건은, 상술한 제 1 실시예의 정공 수송층에 준한 것으로, 이는 두 실시예에서, 발광층에 최인접한 층이 삼중항(triplet) 또는 전자의 저지 기능과 또는 정공 수송층으로 유입된 삼중항 또는 전자의 발광층으로 재확산을 유도하는 동일 기능을 하기 때문이다.
즉, 높아진 제 1 저지층(107) 또는/및 제 2 저지층(127)의 삼중항 에너지 준위는 상기 제 1 발광층(110) 및 제 2 발광층(130)의 삼중항 여기자의 여기 상태의 에너지 준위보다 0.01~0.4eV 정도 높게 설정하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 제 1 저지층(107) 또는/및 제 2 정공 수송층(127)의 삼중항 에너지 준위는 2.6eV 이상일 수 있으며, 이 경우, 상기 제 1 저지층(107) 또는/및 제 2 정공 수송층(127)의 밴드갭 에너지는 3.0eV 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 1 저지층(107) 또는/및 제 2 저지층(127)의 삼중항 에너지 준위(T1)와 일중항 에너지 준위(S1)간 차(ΔEst)가 0.01 eV 내지 0.6eV 이하로 하여 외부 양자 효율을 향상시킨다.
도 1을 참조하여 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 제조방법을 살펴본다.
도 1과 같이, 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 제조 방법은 먼저, 기판(100) 상에 양극(101)을 형성한다.
이어, 상기 양극(101)을 포함한 기판(100) 상에, 제 1 정공 주입층(103), 제 1 정공 수송층(105), 청색을 발광하는 제 1 발광층(110), 제 1 전자 수송층(111) 및 제 1 전자 주입층(113)을 차례로 적층하여 제 1 스택(210)을 형성한다.
경우에 따라, 도 2와 같이, 상기 제 1 정공 수송층(105) 상에 제 1 저지층(107)을 더 형성하는 경우도 있다.
이어, 상기 제 1 스택(210) 상에 전하 생성층(CGL: Charge Generation Layer)(120)을 형성한다.
이어, 상기 전하 생성층(120) 상에, 제 2 정공 주입층(123), 제 2 정공 수송층(125), 하나의 호스트에 인광 적색과 녹색 도펀트를 함께 도핑한 제 2 발광층(130), 제 2 전자 수송층(133) 및 제 2 전자 주입층(135)을 차례로 적층하여 제 2 스택(220)을 형성한다. 제 2 스택(220)에서도 제 1 스택(210)과 마찬가지로, 경우에 따라, 도 2와 같이, 상기 제 2 정공 수송층(125) 상에 제 2 저지층(127)을 더 형성하는 경우도 있다.
이어, 상기 제 2 스택(220) 상에 음극(140)을 형성한다.
여기서, 상기 제 2 정공 수송층(125)은 삼중항의 상태 에너지 준위를 상기 제 2 발광층(130)의 삼중항(triplet) 여기 상태 에너지 준위보다 높게 설정한다.
도 3은 발광층에 인접하여 저지층 구비시 층간의 에너지 준위를 나타낸 도면이다.
도 3과 같이, 높은 삼중항 에너지를 갖는 저지층(17a)을 적용시 발광층(20a)에서 정공수송층으로의 전자 또는 엑시톤이 빠져나가는 것을 확률이 커진다. 하지만, 발광층(20a)의 삼중항 에너지 준위(Tem)보다 높은 삼중항 에너지 준위(Ts)를 갖도록, 저지층을 구비한 유기 발광 소자를 설계하는 경우에도, 일부의 전자 또는 엑시톤은 저지층(17a) 내로 확산됨을 완전히 방지하지는 못하여, 저지층(17a) 내로 확산된 전자(electron) 또는 엑시톤(exiton)은 발광에 기여되지 못하고 소멸되게 된다.
도시된 도면에서, Tr은 일반적으로 적용되는 발광층(20a)의 삼중항 에너지 준위(Tem)와 유사한 수준의 삼중항 에너지 준위를 의미하며, Sr, Sem은 각각 저지층과 발광층의 일중항 에너지 준위를 의미한다.
이와 같이, 저지층을 구비한 경우, 형광 소자의 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 높은 삼중항 에너지 준위를 가지는 저지층을 적용하면 전자의 유입을 방지하여 효율을 향상시킬 수 있다. 하지만, 삼중항의 에너지 차이가 있어도 일부 전자는 발광층에서 저지층으로 확산되는 현상이 발생하고, 이로 인해 전자의 손실로 발광에 기여하지 못하여, 저지층 구비시에도 효율이 떨어지는 문제점이 있다.
이를 해결하기 위해 본 발명의 백색 유기 발광 소자는, 발광층과 최인접한 저지층 또는 정공 수송층에서 특정 에너지 준위 조건을 갖도록 설계하여, 효율을 높인 것을 특징으로 한다.
도 4는 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광층과 인접한 층간의 역할을 도시된 도면이다.
도 4와 같이, 본 발명의 백색 유기 발광 소자에 있어서, 저지층(127 또는 107) 또는 정공 수송층(125 또는 105)에서 삼중항 에너지 준위와 일중항 에너지 준위를 조절하여 효율을 향상시키는 유기 발광 소자 구조를 제안한다.
단순히, 도 3의 경우와 같이, 삼중항 에너지 준위(Ts)가 높은 저지층(EBL: electron or exciton blocking layer)을 적용시 저지층(EBL)이 발광층(EML)으로부터 정공 수송층(도면에는 미도시, EBL 왼쪽에 위치)으로의 모든 전자의 유입을 방지하기는 힘들며, 일부 전자는 발광층(EML)에서 저지층(EBL)으로 유입되게 된다.
본 발명의 백색 유기 발광 소자는 저지층(또는 정공 수송층)에서의 일부 전자 손실을 방지하기 위해, 전자 또는 여기자를 재결합할 수 있는 역할을 하도록 저지층(또는 정공 수송층)(EBL)에서 삼중항과 일중항의 에너지 준위 차(ΔEst: Sh1-Th1)를 작게 한다.
도 4에서와 같이, 발광층(130 또는 110)에 최인접한 저지층(EBL)(127 또는 107) 또는 정공 수송층(125 또는 105)의 삼중항 에너지 준위(Th1)는 높게 유지함과 동시에 일중항 에너지 준위(Sh1)를 낮추어 삼중항과 일중항의 에너지 준위 차(ΔEst)를 작게 하면, 저지층(EBL)의 삼중항에 확산된 전자들이 상호작용을 일으켜 일중항으로 전이되고, 전이된 전자는 발광층(110 또는 130)으로 확산되어 발광에 기여함으로써 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 백색 유기 발광 소자는 삼중항 에너지 준위가 높으면서 삼중항 준위와 일중항 준위의 에너지 차(ΔEst)가 0.6eV 이하의 수준이 되도록 하는 저지층(127 또는 107) 또는 정공 수송층(105 또는 107)을 적용하여 발광층으로의 전자 또는 여기자(exciton: 일중항, 삼중항 포함)의 재확산을 도와 발광층의 양자 효율을 향상시킨다.
따라서, 발광층(110 또는 130)에 최인접한 저지층(127 또는 107) 또는 정공 수송층(125 또는 105)에서의 높은 삼중항 에너지 준위는 전자 또는 (삼중항 또는 일중항) 여기자의 유입을 방지하며, 작은 값의 삼중항 준위와 일중항 준위의 에너지 차(ΔEst)는 저지층(127 또는 107) 또는 정공 수송층(125 또는 105)에 비록 일부 전자 또는 여기자가 유입되더라도 이들간의 상호작용으로 쉽게 일중항으로 전이시키고, 일중항에 유입된 전자가 발광층으로 재확산되어 발광에 기여함으로써, 효율 향상을 꾀할 수 있다.
따라서, 발광층의 효율을 향상시켜, 특히 스택 구조의 백색 유기 발광 소에 있어서, 전류 효율의 향상으로, 색온도가 높고 소비전력이 낮은 대면적 백색 유기 발광 소자 TV 제품 양산이 가능하다.
본 발명의 백색 유기 발광 소자에 있어서, 발광층과 주변층 및 발광층의 발광 현상을 살펴본다.
도 5는 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 정공 수송층(저지층), 발광층, 전자수송층의 에너지 준위를 나타낸 도면이며, 도 6a 및 도 6b는 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 TTA 현상을 나타낸 도면이다.
도 5와 같이, 발광층(EML)에 최인접한 층으로서 정공 수송층(HTL)(또는 저지층)이, 상술한 발광층의 삼중항 에너지 준위(T1)보다 높은 삼중항 에너지 준위(Th1)를 갖는 점과 작은 값의 일중항 에너지 준위(Sh1)와 삼중항 에너지 준위(Th1) 차이 값(ΔEMst)을 갖는 점과 유사하게, 전자수송층(ETL) 역시 상술한 발광층(EML)의 삼중항 에너지 준위(T1)보다 높은 에너지 준위(Te1)를 갖는 점과 작은 값의 일중항 에너지 준위(Se1)와 삼중항 에너지 준위(Te1) 차이 값을 갖는 점을 특징으로 할 수 있다. 이는 발광층(EML)으로의 전자 또는 여기자가 유입되는 점을 어렵과 함과 동시에, 일부 전자수송층으로의 정공 등의 유입이 있더라도 이를 발광층 내로 다시 확산시키기 위함이다.
본 발명의 백색 유기 발광 소자에 있어서는, 도 6a와 같이, 발광층(EML)에서 단순히 약 25% 수준의 일중항 여기자의 형광 발광 뿐만 아니라 도 6b와 같이, 삼중항 여기자(triplet)의 지연 형광에 의한 TTA(triplet-triplet annihilation: 삼중항 쌍 소멸) 기여를 위해, 발광층에 인접한 정공 수송층(또는 저지층)이나 전자 수송층의 재료 선택을 상기 발광층(EML) 내 호스트 삼중항 에너지 준위보다 높은 삼중항 에너지 준위를 갖는 것으로 선택하여야 한다.
또한, 도 6b와 같이, TTA를 통하여 삼중항 여기자가 일중항으로 쉽게 전이하기 위해 발광층(EML) 내의 호스트 자체의 삼중항-일중항 에너지 준위 차(ΔEMst)도 일정 수준 이하로 고려하여야 한다. 즉, TTA를 통해 삼중항 여기자가 일중항으로 쉽게 전이하기 위한 삼중항-일중항 에너지 준위 차(ΔEMst)의 조절이 중요하기 때문이다.
또한, TTA 기여를 위해 발광층에 인접한 정공 수송층이나 전자 수송층의 선택이 중요하다. 즉, 정공 수송층의 경우, 고 삼중항 에너지 준위 특성 및 인접한 정공 주입층과의 HOMO 레벨을 고려하여야 한다.
그리고, 전자 수송층의 경우는, 고 삼중항 에너지 특성 및 홀 블락킹 특성도 고려한다.
이와 같은 조건을 고려한 상태에서, 본 발명은 효율 발광층에서의 TTA와 비슷한 현상을 발광층에 인접한 정공 수송층 또는 저지층에 적용하여 효율을 보다 향상시킨다.
도 4와 같이, 저지층의 일중항과 삼중항 에너지 준위 차(ΔEst)를 작게 하여 저지층의 삼중항으로 확산된 엑시톤 또는 전자를 일중항으로 전이시키고, 이 전이된 여기자가 발광층으로 재유입되어 발광에 기여하게 하여 효율을 향상시킨다.
이와 같이, 본 발명의 백색 유기 발광 소자는, 발광층에서 효율을 향상시키기 위한 TTA 효과의 개념을 정공 수송층에 적용한 것이다.
한편, 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 효율 메커니즘은 다음과 같다.
첫째, 높은 삼중항 에너지 준위를 가지는 정공 수송층(HTL) 또는 저지층(EBL)을 적용하여 전자 또는 엑시톤(일중항, 삼중항)이 발광층(EML)을 빠져나가는 것을 방지한다.
둘째, 발광층(EML)과 저지층(EBL) 또는 정공 수송층(HTL)의 삼중항 에너지 준위 차가 커도 발광층(EML)에서 저지층(EBL) 또는 정공 수송층(HTL)으로 유입되는 일부 전자 또는 여기자들은 발광층(EML)에 최인접한 저지층(EBL) 또는 정공 수송층(HTL) 내로 들어온다.
셋째, 저지층(EBL) 또는 정공 수송층(HTL)에 삼중항으로 확산된 전자의 경우, 일중항과 삼중항의 에너지 준위 차(ΔEst)가 작으면 상호작용을 일으켜 일중항으로 전이된다.
넷째, 저지층(EBL) 또는 정공 수송층(HTL)의 일중항의 전자는 발광층으로 유입되어 발광에 기여하고, 이는 효율을 향상시킨다.
이하, 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 효과를 설명하기 위해, 여러가지 조건의 에너지 준위 특성을 갖는 저지층의 재료를 도입하여 실험한 결과를 설명한다.
이하의 설명에서는, 도 2와 같은 2스택 적층 구조에서, 저지층을 발광층의 일측에 최인접하여 사용한 것으로, 저지층 외의 다른 조건을 일치시켰다.
도 7은 표 1에 대응되는 서로 다른 삼중항 준위 및 ΔEst를 갖는 정공 수소층을 갖는 소자들에서 외부 양자 효율을 나타낸 그래프이다.
하기 표 1 및 도 7을 살펴보면, 저지층 삼중항 에너지 준위가 2.6eV 이상이하고, 일중항-삼중항 에너지 준위차(ΔEst)가 0.6eV 이하일 경우에 대략적으로 외부 양자 효율이 약 7.7% 이상 나오는 결과를 나타냄을 알 수 있다.
저지층 재료 저지층 밴드갭
에너지(eV)		 저지층 삼중항 에너지 준위(eV) 저지층 일중항-삼중항 에너지 준위차(ΔEst (eV)) 외부양자효율
EQE(%)
Material 1 3.2 2.6 0.6 7.7
Material 2 3.1 2.6 0.5 9.0
Material 3 3.4 2.8 0.6 9.8
Material 4 3.1 2.6 0.5 9.1
Material 5 3.2 2.6 0.6 6.8
Material 6 3.11 2.49 0.62 8.1
Material 7 3.0 2.65 0.35 9.1
Material 8 3.03 2.47 0.56 5.9
Material 9 3.26 2.75 0.51 8.8
Material 10 3.24 2.72 0.52 7.8
Material 11 3.29 2.73 0.56 6.4
Material 12 2.98 2.45 0.53 5.4
Material 13 3.07 2.58 0.49 7.3
본 발명의 저지층에 해당하는 조건의 재료는, Material 1~5, Material 7, Material 9~11이다. 단, Material 5, Material 11에서 상대적으로 외부 양자 효율 값이 떨어지게 나오는데, 이는 재료 자체의 취약한 특성 등에 기인된 것으로 파악되며, 전체적으로 저지층 삼중 에너지 준위가 높고, 저지층 일중항-삼중항 에너지 준위차가 낮을 때, 외부 양자 효율이 높아지는 경향성을 알 수 있다.
한편, 상술한 실험들에서, 상기 저지층(또는 정공 수송층)의 일중항 에너지 준위 및 삼중항 에너지 준위 값의 경향과 함께, 본 발명의 유기 발광 소자의 해당 저지층 재료들의 에너지 밴드갭(Eg)은 3.0eV 이상임을 알 수 있다. 경우에 따라, HOMO-LUMO 차에 상당한 에너지 밴드갭 값은 3.0eV 전후로 가감될 수 있으나, 효과가 나타난 저지층의 에너지 밴드갭은 상술한 저지층의 일중항, 삼중항 에너지 준위 조건 외에 에너지 밴드갭(Eg)이 3.0eV 이상의 재료에서 있음을 확인할 수 있었다
도 8은 동일한 삼중항 준위를 갖는 경우, ΔEst의 변화에 따른 외부 양자 효율을 나타낸 그래프이다.
도 8과 같이, 동일한 2.6eV의 삼중항 준위를 갖는 경우, 일중항-삼중항 에너지 준위차(ΔEst)가 더 낮을수록 외부 양자 효율이 더 좋아짐을 보이고 있다. 이 또한, 저지층 삼중 에너지 준위가 높고, 저지층 일중항-삼중항 에너지 준위차가 낮을 때, 외부 양자 효율이 높아지는 경향성을 보여주는 실험 값이다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 기판 101: 양극
103: 제 1 정공 주입층 105: 제 1 정공 수송층
110: 제 1 발광층 111: 제 1 전자 수송층
120: 전하 생성층 125: 제 2 정공 수송층
130: 제 2 발광층 133: 제 2 전자 수송층
135: 제 2 전자 주입층 140: 음극
107: 제 1 저지층 127: 제 2 저지층
210: 제 1 스택 220: 제 2 스택

Claims (18)

  1. 기판 상에 서로 대향된 양극과 음극;
    상기 양극과 음극 사이에 형성된 전하 생성층;
    상기 양극과 전하 생성층 사이의, 제 1 정공 수송층, 청색을 발광하는 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 적층되어 이루어진 제 1 스택; 및
    상기 전하 생성층과 상기 음극 사이의, 제 2 정공 수송층, 하나의 호스트에 인광 도펀트를 도핑한 제 2 발광층 및 제 2 전자 수송층이 적층되어 이루어지며,
    상기 제 1 정공 수송층과 제 2 정공 수송층 중 적어도 어느 하나는 삼중항 에너지 준위가 인접한 발광층의 삼중항(triplet) 에너지 준위보다 높고, 삼중항 에너지 준위와 일중항 에너지 준위간 차(ΔEst)가 0.01 eV 내지 0.6eV 이하인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 정공 수송층은 상기 제 2 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 0.01eV 내지 0.4 eV 높은 삼중항 에너지 준위를 갖는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2 정공 수송층의 삼중항 에너지 준위는 2.6eV 이상인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 정공 수송층은 상기 제 1 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 0.01eV 내지 0.4eV 높은 삼중항 에너지 준위를 갖는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 정공 수송층의 삼중항 에너지 준위는 2.6eV 이상인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 정공 수송층 또는 제 2 정공 수송층의 밴드갭 에너지는 3.0eV 이상인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 인광 도펀트는 황색 인광 도펀트와 녹색 인광 도펀트를 포함한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 인광 도펀트는 적색 인광 도펀트와 녹색 인광 도펀트를 포함한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 인광 도펀트는 옐로이쉬 그린(yellowish green) 인광 도펀트를 포함한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 정공 수송층은, 상기 제 1 발광층과 인접하여 상기 제 1 발광층의 전자 또는 엑시톤이 유입됨을 방지하는 저지층을 더 포함한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 정공 수송층은, 상기 제 2 발광층과 인접하여 상기 제 2 발광층의 전자 또는 엑시톤이 유입됨을 방지하는 저지층을 더 포함한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  12. 기판 상에 서로 대향된 양극과 음극;
    상기 양극과 음극 사이에 형성된 전하 생성층;
    상기 양극과 전하 생성층 사이와, 상기 전하 생성층과 상기 음극 사이에는 각각 제 1 스택과 제 2 스택이 구비되고,
    상기 각 스택은 정공 수송층, 저지층, 발광층 및 전자 수송층이 적층되며,
    상기 제 1 스택의 발광층은 청색 형광 발광층으로, 상기 제 2 스택의 발광층은 인광 도펀트를 도핑하여 이루어진 인광 발광층이며,
    상기 제 1, 제 2 스택의 저지층 각각은 삼중항 에너지 준위가 인접한 발광층의 삼중항(triplet) 에너지 준위보다 높고, 삼중항 에너지 준위와 일중항 에너지 준위간 차가 0.01 eV 내지 0.6eV 이하인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제 1, 제 2 스택의 저지층 각각은 인접한 발광층의 삼중항 에너지 준위보다 0.01eV 내지 0.4 eV 높은 삼중항 에너지 준위를 갖는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제 1, 제 2 스택의 저지층 각각은 삼중항 에너지 준위가 2.6eV 이상인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 제 1, 제 2 스택의 저지층 각각의 밴드갭 에너지는 3.0eV 이상인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 인광 도펀트는 황색 인광 도펀트와 녹색 인광 도펀트를 포함한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 인광 도펀트는 적색 인광 도펀트와 녹색 인광 도펀트를 포함한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
  18. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2 발광층의 인광 도펀트는 옐로이쉬 그린 인광 도펀트를 포함한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150139709A (ko) * 2014-06-03 2015-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20160076883A (ko) * 2014-12-23 2016-07-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20170131052A (ko) * 2016-05-20 2017-11-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광 소자 및 그를 이용한 표시 장치
KR20190044562A (ko) * 2017-10-20 2019-04-30 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
WO2021132800A1 (ko) * 2019-12-24 2021-07-01 솔루스첨단소재 주식회사 유기 전계 발광 소자

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2508289B (en) * 2012-10-31 2015-09-30 Lg Display Co Ltd Organic light emitting display device
JP6074597B2 (ja) * 2013-03-29 2017-02-08 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置および電子機器
KR102050461B1 (ko) 2013-06-28 2019-11-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102101202B1 (ko) * 2013-12-30 2020-04-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치
CN104466023B (zh) * 2014-12-24 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 层叠式有机发光二极体及其制备方法和显示装置
CN111710788B (zh) * 2015-08-07 2023-07-21 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示装置、电子设备及照明装置
CN105140413B (zh) * 2015-09-11 2018-09-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、有机发光器件及其制备方法
CN105304828B (zh) * 2015-11-02 2018-05-01 固安翌光科技有限公司 一种串联白色有机发光器件
CN106856205B (zh) * 2016-12-29 2020-01-10 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
CN106784354B (zh) * 2016-12-29 2019-02-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
CN109346500B (zh) * 2018-06-29 2020-12-01 云谷（固安）科技有限公司 一种有机电致发光装置
US20210098724A1 (en) * 2019-10-01 2021-04-01 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Thin film transistor
KR20210071571A (ko) 2019-12-06 2021-06-16 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치
KR102174351B1 (ko) * 2020-05-12 2020-11-04 두산솔루스 주식회사 유기 전계 발광 소자

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5142343A (en) * 1989-08-18 1992-08-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device with oligomers
US7250226B2 (en) * 2001-08-31 2007-07-31 Nippon Hoso Kyokai Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device
WO2003078541A1 (en) * 2002-03-15 2003-09-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Material for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices made by using the same
CN100493286C (zh) * 2003-01-24 2009-05-27 出光兴产株式会社 有机电致发光元件
US7279232B2 (en) * 2004-01-26 2007-10-09 Universal Display Corporation Electroluminescent stability
US7597967B2 (en) * 2004-12-17 2009-10-06 Eastman Kodak Company Phosphorescent OLEDs with exciton blocking layer
US20060134461A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Shouquan Huo Organometallic materials and electroluminescent devices
KR101030008B1 (ko) * 2004-12-31 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 소자
US9051344B2 (en) * 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
JP4999291B2 (ja) * 2005-06-30 2012-08-15 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える表示装置又は発光装置
WO2008131750A2 (de) 2007-04-30 2008-11-06 Novaled Ag Licht emittierendes bauelement und verfahren zum herstellen
DE112008004292B3 (de) 2007-04-30 2021-11-04 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen
KR101352290B1 (ko) * 2008-09-30 2014-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자
KR101584990B1 (ko) * 2008-12-01 2016-01-13 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
WO2010137601A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fluorene derivative, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR101352116B1 (ko) * 2009-11-24 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
KR101169638B1 (ko) 2010-02-18 2012-08-03 정익호 충격 완화 및 안정화 장치, 이를 이용한 주행 제어 시스템 및 방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150139709A (ko) * 2014-06-03 2015-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20210095820A (ko) * 2014-06-03 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20160076883A (ko) * 2014-12-23 2016-07-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20170131052A (ko) * 2016-05-20 2017-11-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광 소자 및 그를 이용한 표시 장치
KR20190044562A (ko) * 2017-10-20 2019-04-30 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
WO2021132800A1 (ko) * 2019-12-24 2021-07-01 솔루스첨단소재 주식회사 유기 전계 발광 소자
US11706976B2 (en) 2019-12-24 2023-07-18 Solus Advanced Materials Co., Ltd. Organic electroluminescent device containing exciton confinement layer

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