KR20130027902A - Apparatus for processing substrate - Google Patents

Apparatus for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20130027902A
KR20130027902A KR1020110091425A KR20110091425A KR20130027902A KR 20130027902 A KR20130027902 A KR 20130027902A KR 1020110091425 A KR1020110091425 A KR 1020110091425A KR 20110091425 A KR20110091425 A KR 20110091425A KR 20130027902 A KR20130027902 A KR 20130027902A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
main body
discharge
supported
pipe
inlet pipe
Prior art date
Application number
KR1020110091425A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101275496B1 (en
Inventor
허관선
설준호
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR1020110091425A priority Critical patent/KR101275496B1/en
Priority to CN201280043147.8A priority patent/CN103782367B/en
Priority to PCT/KR2012/007080 priority patent/WO2013036018A2/en
Priority to TW101132339A priority patent/TW201330050A/en
Publication of KR20130027902A publication Critical patent/KR20130027902A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101275496B1 publication Critical patent/KR101275496B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6734Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PURPOSE: An apparatus for processing a substrate is provided to easily install a cooling device at the outer surface of a chamber. CONSTITUTION: A chamber(111) includes a space for processing a substrate(50). A heater generates heat to process the substrate. A cooling device is installed at the outer surface of a main body(110). The cooling device discharges cooling gas from the main body to the outside.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}Substrate Processing Unit {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}

본 발명은 챔버를 형성하는 본체의 외측에 냉각수단을 설치한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus provided with cooling means on an outer side of a main body forming a chamber.

기판 처리 장치는, 평판 디스플레이의 제조시 사용되며, 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별된다.The substrate processing apparatus is used for manufacturing a flat panel display, and is roughly divided into a vapor deposition apparatus and an annealing apparatus.

증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 장치로써, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 화학기상 증착 장치와 스퍼터링(Sputtering) 등과 같은 물리기상 증착 장치가 있다.The vapor deposition apparatus is a device for forming a transparent conductive layer, an insulating layer, a metal layer, or a silicon layer, which constitute the core of a flat panel display. And physical vapor deposition apparatuses such as sputtering.

그리고, 어닐링 장치는 기판에 막을 증착한 후, 증착된 막의 특성을 향상시키는 장치로써, 증착된 막을 결정화 또는 상 변화시키는 열처리 장치이다.The annealing device is a device for improving the properties of the deposited film after depositing a film on the substrate, and is a heat treatment device for crystallizing or phase changing the deposited film.

일반적으로, 열처리 장치는 하나의 기판을 열처리하는 매엽식(Single Substrate Type)과 복수의 기판을 열처리하는 배치식(Batch Type)이 있다. 매엽식 기판 처리 장치는 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어, 대량 생산에는 배치식 기판 처리 장치가 많이 사용된다.In general, the heat treatment apparatus includes a single substrate type for heat treating one substrate and a batch type for heat treating a plurality of substrates. Single sheet substrate processing apparatus has a simple configuration, but has a disadvantage of low productivity, a batch substrate processing apparatus is frequently used for mass production.

기판 처리 장치는 기판의 처리 공간인 챔버가 내부가 형성된 본체, 상기 본체의 내부에 설치되며 기판을 지지하는 홀더, 상기 본체의 내부에 설치되며 상기 기판의 처리에 필요한 열을 발생하는 복수의 히터, 열처리된 기판을 냉각시키기 위하여 상기 본체의 내부로 냉각가스를 유입한 후 배출시키는 냉각수단 등을 포함한다.The substrate processing apparatus includes a main body in which a chamber, which is a processing space of a substrate, is formed, a holder installed inside the main body to support a substrate, a plurality of heaters installed in the main body and generating heat required for processing the substrate; And cooling means for introducing and discharging a cooling gas into the body to cool the heat-treated substrate.

상기와 같은 종래의 기판 처리 장치는, 상기 냉각수단이 상기 본체의 내부에 설치된다.In the conventional substrate processing apparatus as described above, the cooling means is provided inside the main body.

이로 인해, 상기 본체에 상기 냉각수단을 설치하기가 어렵고, 상기 본체에 설치된 상기 냉각수단을 유지 보수하기가 어려운 단점이 있다.As a result, it is difficult to install the cooling means in the main body, and it is difficult to maintain the cooling means installed in the main body.

기판 처리 장치와 관련한 선행기술은 한국등록특허공보 10-0142808호 등에 개시되어 있다.Prior art related to a substrate processing apparatus is disclosed in Korea Patent Publication No. 10-0142808.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판을 냉각하는 냉각수단을 본체의 외측에 설치하여, 설치가 간편하고, 유지 보수가 간편한 기판 처리 장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that is easy to install, easy to maintain by installing a cooling means for cooling the substrate to the outside of the main body In providing.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체; 상기 본체의 내부에 위치되며 상기 기판의 처리에 필요한 열을 발생하는 히터; 상기 본체의 외면에 설치되며, 처리된 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉각 가스를 상기 본체의 내부로 유입한 후, 상기 본체의 외부로 배출하는 냉각수단을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a main body in which a chamber is formed; A heater positioned inside the main body to generate heat for processing the substrate; It is installed on the outer surface of the main body, and includes a cooling means for introducing a cooling gas for cooling the processed substrate to the inside of the main body, and then discharged to the outside of the main body.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 처리된 기판을 강제로 냉각시키는 냉각수단이 챔버를 형성하는 본체의 외면에 지지 설치된다. 따라서, 본체에 냉각수단을 용이하게 설치할 수 있고, 유지 보수가 용이한 효과가 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, cooling means for forcibly cooling the processed substrate is supported on the outer surface of the main body forming the chamber. Therefore, the cooling means can be easily installed in the main body, and the maintenance is easy.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 냉각수단의 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 냉각수단의 요부 확대도.
1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a perspective view of the cooling means shown in FIG.
Figure 3 is an enlarged view of the main portion of the cooling means shown in FIG.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분하게 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are mutually exclusive, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, specific structures, and features described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. The length, area, thickness, and shape of the embodiments shown in the drawings may be exaggerated for convenience.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

기판의 처리라 함은 기판을 가열 및 냉각하는 공정, 기판 상에 소정의 막을 증착하기 위한 모든 공정, 기판 상에 증착된 막을 어닐링, 결정화 또는 상변화하기 위한 모든 열처리 공정을 포함한다. 그리고, 기판의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼 또는 스테인레스 스틸 등과 같은 재질로 형성될 수 있다.Treatment of a substrate includes processes for heating and cooling the substrate, all processes for depositing a predetermined film on the substrate, and all heat treatment processes for annealing, crystallizing, or phase changing the film deposited on the substrate. In addition, the material of the substrate is not particularly limited and may be formed of a material such as glass, plastic, polymer, silicon wafer or stainless steel.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 외관을 이루는 대략 직육면체 형상의 본체(110)를 포함한다. 본체(110)의 내부에는 기판(50)이 처리되는 챔버(111)가 형성되고, 챔버(111)는 밀폐된 공간으로 마련된다. 본체(110)는 직육면체 형상뿐만 아니라 기판(50)의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.As shown, the substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a main body 110 having a substantially rectangular parallelepiped shape that forms an appearance. A chamber 111 in which the substrate 50 is processed is formed in the main body 110, and the chamber 111 is provided as a closed space. The main body 110 may be formed in various shapes according to the shape of the substrate 50 as well as the rectangular parallelepiped shape.

본체(110)의 전면에는 개방부가 형성되고, 상기 개방부는 본체(110)의 전면에 설치된 도어(113)에 의하여 개폐된다. 도어(113)를 열어 챔버(111)를 외부와 연통시킨 상태에서 로봇아암(미도시) 등으로 기판(50)이 탑재 지지된 홀더(120)를 지지하여 기판(50)을 챔버(111)에 로딩한다. 그리고, 도어(113)를 닫아 챔버(111)를 폐쇄한 상태에서, 기판(50)을 처리한다.An opening is formed on the front surface of the main body 110, and the opening is opened and closed by a door 113 installed on the front of the main body 110. In the state in which the door 111 is opened and the chamber 111 is in communication with the outside, the substrate 50 is supported on the chamber 111 by supporting the holder 120 on which the substrate 50 is mounted and supported by a robot arm (not shown). Load. The substrate 50 is processed while the door 113 is closed and the chamber 111 is closed.

본체(110)의 내부에는 복수의 서포터(130)가 설치된다. 서포터(130)에는 홀더(120)가 상하로 간격을 가지면서 지지 설치되고, 홀더(120)에는 기판(50)이 탑재 지지된다. 그리고, 홀더(120)와 홀더(120) 사이의 부위에는 기판(50)을 처리하는데 필요한 열을 발생하는 복수의 히터(미도시)가 설치된다.A plurality of supporters 130 are installed inside the main body 110. The supporter 130 is supported while the holder 120 is vertically spaced apart, and the substrate 120 is mounted and supported by the holder 120. In addition, a plurality of heaters (not shown) for generating heat required to process the substrate 50 are installed at a portion between the holder 120 and the holder 120.

미설명 부호 140은 본체(110)를 지지하는 프레임이다.Reference numeral 140 is a frame supporting the main body 110.

챔버(111)에 로딩되어 처리된 기판(50)은 고온 상태이므로, 소정 온도로 냉각되어야 챔버(111)로부터 언로딩할 수 있다. 그런데, 기판(50)을 소정 온도로 자연 냉각시키면 장시간이 소요되므로, 기판(50)을 강제로 소정 온도로 냉각시킨다.Since the substrate 50 loaded and processed in the chamber 111 is in a high temperature state, it may be unloaded from the chamber 111 only after being cooled to a predetermined temperature. By the way, when the substrate 50 is naturally cooled to a predetermined temperature, it takes a long time, so that the substrate 50 is forcibly cooled to a predetermined temperature.

본 실시예에 따른 기판 처리 장치에는 처리된 기판(50)을 강제로 냉각시키는 냉각수단이 마련된다.The substrate processing apparatus according to the present embodiment is provided with cooling means for forcibly cooling the processed substrate 50.

이를 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다. 도 2는 도 1에 도시된 냉각수단의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 냉각수단의 요부 확대도이다.This will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a perspective view of the cooling unit shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of main parts of the cooling unit illustrated in FIG. 2.

도시된 바와 같이, 본체(110)의 좌측면에는 복수의 제 1 지지공(115)이 행과 열을 이루면서 복수개 형성되고, 우측면에는 제 1 지지공(115)과 각각 대향되게 형성되어 행과 열을 이루는 복수의 제 2 지지공(117)이 형성된다.As shown, a plurality of first support holes 115 are formed on the left side of the main body 110 in rows and columns, and on the right side, the first support holes 115 are formed to face the first support holes 115, respectively. A plurality of second supporting holes 117 are formed.

상기 냉각수단은 본체(110)의 외면에 설치되며, 질소 가스 등과 같은 냉각 가스를 본체(110)의 내부로 유입하여 챔버(111)에서 처리된 기판(50)을 냉각시킨 다음, 본체(110)의 외부로 배출시키며, 본체(110)의 좌측 외면에 지지되어 본체(110)의 내부로 냉각 가스를 유입하는 유입유닛(160)과 본체(110)의 우측 외면에 지지되며 본체(110)의 내부로 유입되어 기판(50)을 냉각시킨 냉각 가스를 본체(110)의 외부로 배출하는 배출유닛(170)을 포함한다.The cooling means is installed on the outer surface of the main body 110, and a cooling gas such as nitrogen gas flows into the main body 110 to cool the processed substrate 50 in the chamber 111, and then the main body 110. Discharged to the outside of the main body 110 is supported on the left outer surface of the main body 110 is supported on the inlet unit 160 and the right outer surface of the main body 110 to introduce the cooling gas into the main body 110 and the inside of the main body 110 It includes a discharge unit 170 is introduced into the discharge unit 170 for discharging the cooling gas to cool the substrate 50 to the outside of the main body 110.

유입유닛(160)은 본체(110)의 좌측 외면에 지지되며 냉각 가스가 유입되는 유입관(161), 좌측 부위는 유입관(161)과 연통되고 우측 부위는 제 1 지지공(115)에 삽입 지지되어 본체(110)의 내부에 위치되며 유입관(161)으로부터 냉각 가스를 전달받아 본체(110)의 내부로 배출하는 배출노즐(163)을 포함한다.The inlet unit 160 is supported on the left outer surface of the main body 110, the inlet pipe 161 through which the cooling gas is introduced, the left part is in communication with the inlet pipe 161 and the right part is inserted into the first support hole 115 It is supported and positioned inside the main body 110 and includes a discharge nozzle 163 for receiving the cooling gas from the inlet pipe 161 to discharge into the interior of the main body 110.

이때, 유입관(161)은 복수개가 본체(110)의 전면측에서 후면측으로 가면서 상호 간격을 가지면서 배치되고, 배출노즐(163)은 하나의 유입관(161)에 상하로 간격을 가지면서 복수개가 연통 설치된다.At this time, the inlet pipe 161 is disposed with a plurality of spaced apart from each other going from the front side to the rear side of the main body 110, the discharge nozzle 163 is a plurality of spaced up and down in one inlet pipe 161 Is installed in communication.

본체(110)의 좌측 외면에는 제 1 지지브라켓(165)이 결합되고, 제 1 지지브라켓(165)에는 유입관(161)의 하측 부위가 지지된다. 상세히 설명하면, 제 1 지지브라켓(165)에는 관통공(165a)이 형성되고, 유입관(161)의 하측 부위는 관통공(165a)을 관통한다. 그리고, 유입관(161)의 하측 부위 외주면에는 제 1 지지브라켓(165)에 결합되는 결합편(161a)이 형성된다. 제 1 지지브라켓(165)은 본체(110)의 좌측 외면에 결합되고, 유입관(161)은 제 1 지지브라켓(165)에 결합되므로, 유입관(161)이 본체(110)의 좌측 외면에 견고하게 설치된다.The first support bracket 165 is coupled to the left outer surface of the main body 110, and the lower portion of the inflow pipe 161 is supported by the first support bracket 165. In detail, the first support bracket 165 is formed with a through hole 165a, and a lower portion of the inflow pipe 161 passes through the through hole 165a. In addition, a coupling piece 161a coupled to the first support bracket 165 is formed on the outer peripheral surface of the lower portion of the inflow pipe 161. Since the first support bracket 165 is coupled to the left outer surface of the body 110, the inlet pipe 161 is coupled to the first support bracket 165, so that the inlet pipe 161 is attached to the left outer surface of the body 110. It is firmly installed.

본체(110)의 좌측 외면에는 내부에 유입로(167a)가 형성된 제 1 지지부재(167)가 결합된다. 그리고, 복수의 유입관(161)의 하단부는 제 1 지지부재(167)에 각각 지지됨과 동시에 유입로(167a)와 각각 연통된다.The first support member 167 having the inflow passage 167a formed therein is coupled to the left outer surface of the main body 110. The lower ends of the plurality of inflow pipes 161 are respectively supported by the first support member 167 and communicate with the inflow paths 167a, respectively.

복수의 유입관(161)은 유입로(167a)를 매개로 상호 연통되므로, 제 1 지지부재(167)의 하측 부위로 냉각 가스를 주입하면, 냉각 가스는 유입로(167a)를 통하여 각각의 유입관(161)으로 유입되므로, 냉각 가스의 주입이 간편하다. 그리고, 본체(110)에 결합된 제 1 지지부재(167)에 유입관(161)이 지지되므로, 유입관(161)은 더욱 견고하게 설치된다.Since the plurality of inflow pipes 161 communicate with each other through the inflow path 167a, when the cooling gas is injected into the lower portion of the first support member 167, the cooling gas flows through the inflow path 167a, respectively. Since it flows into the pipe 161, injection of cooling gas is easy. In addition, since the inlet pipe 161 is supported by the first support member 167 coupled to the main body 110, the inlet pipe 161 is more firmly installed.

우측 부위가 유입관(161)과 연통된 배출노즐(163)의 좌측 부위는 제 1 지지공(115)에 삽입 지지된다. 그런데, 유입관(161)이 완전한 강체(剛體)이면 제조 및 조립시의 공차로 인하여 배출노즐(163)을 제 1 지지공(115)에 삽입하기 어렵다. 이러한 문제점을 해소하기 위하여, 유입관(161)에는 주름부(161b)가 형성된다. 그러면, 유입관(161)을 신축하거나 벤딩할 수 있으므로, 유입유닛(160)에 공차가 있어도, 배출노즐(163)을 제 1 지지공(115)에 용이하게 삽입할 수 있다.The left part of the discharge nozzle 163 in which the right part is in communication with the inlet pipe 161 is inserted and supported by the first support hole 115. However, if the inlet pipe 161 is a complete rigid body, it is difficult to insert the discharge nozzle 163 into the first support hole 115 due to the tolerances during manufacture and assembly. In order to solve this problem, the inlet pipe 161 is formed with a corrugated portion (161b). Then, since the inlet pipe 161 can be stretched or bent, the outlet nozzle 163 can be easily inserted into the first support hole 115 even if there is a tolerance in the inlet unit 160.

배출유닛(170)은 본체(110)의 우측 외면에 지지되며 냉각 가스가 배출하는 배출관(171), 좌측 부위는 제 2 지지공(117)에 삽입 지지되어 본체(110)의 내부에 위치되고 우측 부위는 배출관(171)과 연통되며 본체(110)의 내부로 유입된 냉각 가스를 흡입하여 배출관(171)으로 전달하는 흡입노즐(173)을 포함한다.The discharge unit 170 is supported on the right outer surface of the main body 110, the discharge pipe 171 to discharge the cooling gas, the left portion is inserted into and supported in the second support hole 117 is located inside the main body 110 and the right The portion communicates with the discharge pipe 171 and includes a suction nozzle 173 for sucking the cooling gas introduced into the body 110 and transferring the cooling gas to the discharge pipe 171.

이때, 배출관(171)은 복수개가 본체(110)의 전면측에서 후면측으로 가면서 상호 간격을 가지면서 배치되고, 흡입노즐(173)은 하나의 배출관(161)에 상하로 간격을 가지면서 복수개가 연통 설치된다.At this time, the plurality of discharge pipes 171 are arranged while having a mutual interval while going from the front side to the rear side of the main body 110, the suction nozzle 173 is spaced up and down to one discharge pipe 161, a plurality of communication. Is installed.

본체(110)의 우측 외면에는 제 2 지지브라켓(175)이 결합되고, 제 2 지지브라켓(175)에는 배출관(171)의 하측 부위가 지지된다. 상세히 설명하면, 제 2 지지브라켓(175)에는 관통공(175a)이 형성되고, 배출관(171)의 하측 부위는 관통공(175a)을 관통한다. 그리고, 배출관(171)의 하측 부위 외주면에는 제 2 지지브라켓(175)에 결합되는 결합편(171a)이 형성된다. 제 2 지지브라켓(175)은 본체(110)의 우측 외면에 결합되고, 배출관(171)은 제 2 지지브라켓(175)에 결합되므로, 배출관(171)이 본체(110)의 우측 외면에 견고하게 설치된다.The second support bracket 175 is coupled to the right outer surface of the main body 110, and the lower portion of the discharge pipe 171 is supported by the second support bracket 175. In detail, the second support bracket 175 is formed with a through hole 175a, and a lower portion of the discharge pipe 171 passes through the through hole 175a. In addition, a coupling piece 171a coupled to the second support bracket 175 is formed on the outer peripheral surface of the lower portion of the discharge pipe 171. Since the second support bracket 175 is coupled to the right outer surface of the main body 110, the discharge pipe 171 is coupled to the second support bracket 175, so that the discharge pipe 171 is firmly attached to the right outer surface of the main body 110. Is installed.

본체(110)의 우측 외면에는 내부에 배출로(177a)가 형성된 제 2 지지부재(177)가 결합된다. 그리고, 복수의 배출관(171)의 하단부는 제 2 지지부재(177)에 각각 지지됨과 동시에 배출로(177a)와 각각 연통된다.The second support member 177 having the discharge passage 177a formed therein is coupled to the right outer surface of the main body 110. The lower ends of the plurality of discharge pipes 171 are respectively supported by the second support members 177 and communicate with the discharge paths 177a, respectively.

복수의 배출관(171)은 배출로(177a)를 매개로 상호 연통되므로, 복수의 배출관(171)에서 배출된 냉각 가스는 제 2 지지부재(177)의 하측 부위를 통하여 배출된다. 따라서, 배출되는 냉각 가스의 처리가 용이하다. 그리고, 본체(110)에 결합된 제 2 지지부재(177)에 배출관(171)이 지지되므로, 배출관(171)은 더욱 견고하게 설치된다.Since the plurality of discharge pipes 171 communicate with each other through the discharge path 177a, the cooling gas discharged from the plurality of discharge pipes 171 is discharged through the lower portion of the second support member 177. Therefore, it is easy to process the discharged cooling gas. And, since the discharge pipe 171 is supported by the second support member 177 coupled to the main body 110, the discharge pipe 171 is more firmly installed.

우측 부위가 배출관(171)과 연통된 흡입노즐(173)의 좌측 부위는 제 2 지지공(117)에 삽입 지지된다. 그런데, 배출관(171)이 완전한 강체(剛體)이면 제조 및 조립시의 공차로 인하여 흡입노즐(173)을 제 2 지지공(117)에 삽입하기 어렵다. 이러한 문제점을 해소하기 위하여, 배출관(171)에는 주름부(171b)가 형성된다. 그러면, 배출관(171)을 신축하거나 벤딩할 수 있으므로, 배출유닛(170)에 공차가 있어도, 흡입노즐(173)을 제 2 지지공(117)에 용이하게 삽입할 수 있다.The left part of the suction nozzle 173 in which the right part communicates with the discharge pipe 171 is inserted and supported by the second support hole 117. However, if the discharge pipe 171 is a complete rigid body, it is difficult to insert the suction nozzle 173 into the second support hole 117 due to the tolerances during manufacture and assembly. In order to solve this problem, the discharge pipe 171 is formed with a wrinkle portion (171b). Then, since the discharge pipe 171 can be stretched or bent, the suction nozzle 173 can be easily inserted into the second support hole 117 even if there is a tolerance in the discharge unit 170.

배출노즐(163)과 흡입노즐(173)은 고온의 분위기를 유지하는 본체(110)의 내부에 위치되므로, 열에 의하여 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 배출노즐(163)과 흡입노즐(173)은 각각 석영제로 형성된다. 그리고, 유입관(161)과 배출관(171)은 각각 금속제로 형성된다.Since the discharge nozzle 163 and the suction nozzle 173 are located inside the main body 110 maintaining a high temperature atmosphere, they may be damaged by heat. To prevent this, the discharge nozzle 163 and the suction nozzle 173 are each made of quartz. The inlet pipe 161 and the outlet pipe 171 are each made of metal.

그런데, 석영제와 금속제는 상호 결합하기 어렵다. 이로 인해, 유입관(161)과 배출노즐(163)은 합성수지제의 연결관(169)을 매개로 상호 연통되고, 배출관(171)과 흡입노즐(173)은 합성수지제의 연결관(179)을 매개로 상호 연통된다. 이때, 연결관(169, 179)은 내열성 및 내화학성이 우수한 폴리테트라플루오르에틸렌(Polytetrafluoroethylene)으로 형성되는 것이 바람직하다.By the way, it is difficult for a quartz and a metal agent to mutually combine. Thus, the inlet pipe 161 and the discharge nozzle 163 are communicated with each other via a connection pipe 169 made of synthetic resin, the discharge pipe 171 and the suction nozzle 173 is connected to the connection pipe 179 made of synthetic resin They communicate with each other. In this case, the connection pipes 169 and 179 are preferably formed of polytetrafluoroethylene having excellent heat resistance and chemical resistance.

배출노즐(163)에서 배출되는 냉각 가스는 본체(110)의 내부로 용이하게 유입된다. 그러나, 본체(110)의 내부로 유입된 냉각 가스는 흡입노즐(173)의 내부로 용이하게 유입되기 어렵다. 이로 인해, 흡입노즐(173)의 내경을 배출노즐(163)의 내경 보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.The cooling gas discharged from the discharge nozzle 163 is easily introduced into the body 110. However, the cooling gas introduced into the main body 110 is not easily introduced into the suction nozzle 173. For this reason, it is preferable to form the inner diameter of the suction nozzle 173 larger than the inner diameter of the discharge nozzle 163.

배출노즐(163)과 제 1 지지공(115) 사이 및 흡입노즐(173)과 제 2 지지공(117) 사이는 실링부재(미도시)에 의하여 실링됨은 당연하다.Naturally, the discharge nozzle 163 and the first support hole 115 and the suction nozzle 173 and the second support hole 117 are sealed by a sealing member (not shown).

본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 처리된 기판(50)을 강제로 냉각시키는 냉각수단이 챔버(111)를 형성하는 본체(110)의 외면에 지지 설치된다. 따라서, 본체(110)에 상기 냉각수단을 설치하기가 용이하고, 유지 보수가 용이하다.In the substrate processing apparatus according to the present embodiment, cooling means for forcibly cooling the processed substrate 50 is supported on the outer surface of the main body 110 forming the chamber 111. Therefore, it is easy to install the cooling means in the main body 110, and maintenance is easy.

상기와 같이 기술된 본 발명의 실시예들에 대한 도면은 자세한 윤곽 라인을 생략하여, 본 발명의 기술사상에 속하는 부분을 쉽게 알 수 있도록 개략적으로 도시한 것이다. 또한, 상기 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하는 기준이 될 수 없으며, 본 발명의 청구범위에 포함된 기술사항을 이해하기 위한 참조적인 사항에 불과하다.The drawings of the embodiments of the present invention described above are schematically illustrated so as to easily understand the parts belonging to the technical idea of the present invention by omitting detailed outline lines. It should be noted that the above-described embodiments are not intended to limit the technical spirit of the present invention and are merely a reference for understanding the technical scope of the present invention.

110: 본체
111: 챔버
160: 유입유닛
170: 배출유닛
110:
111: chamber
160: inflow unit
170: discharge unit

Claims (10)

내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체;
상기 본체의 내부에 위치되며 상기 기판의 처리에 필요한 열을 발생하는 히터;
상기 본체의 외면에 설치되며, 처리된 상기 기판을 냉각시키기 위한 냉각 가스를 상기 본체의 내부로 유입한 후, 상기 본체의 외부로 배출하는 냉각수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A body having a chamber formed therein, the space in which the substrate is processed;
A heater positioned inside the main body to generate heat for processing the substrate;
And a cooling means installed on an outer surface of the main body, and cooling means for introducing a cooling gas for cooling the processed substrate into the inside of the main body and then discharging it to the outside of the main body.
제1항에 있어서,
상기 냉각수단은, 상기 본체의 일측 외면에 지지되어 상기 본체의 내부로 냉각 가스를 유입하는 유입유닛과, 상기 본체의 타측 외면에 지지되어 상기 본체의 내부로 유입된 냉각 가스를 상기 본체의 외부로 배출하는 배출유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The cooling means may be supported on one outer surface of the main body to introduce the cooling gas into the main body, and the cooling gas supported on the other outer surface of the main body and introduced into the main body to the outside of the main body. Substrate processing apparatus comprising a discharge unit for discharging.
제2항에 있어서,
상기 본체의 일측면에는 상기 유입유닛의 일측이 삽입 지지되는 복수의 제 1 지지공이 행과 열을 이루면서 형성되고, 상기 본체의 타측면에는 상기 제 1 지지공과 각각 대향되게 형성되며 상기 배출유닛의 일측이 삽입 지지되는 복수의 제 2 지지공이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 2,
One side of the main body is formed in a row and a plurality of first support holes in which one side of the inlet unit is inserted and supported, the other side of the main body is formed to face the first support hole, respectively, one side of the discharge unit A plurality of second supporting holes which are inserted and supported are formed.
제3항에 있어서,
상기 유입유닛은, 상기 본체의 일측 외면에 지지되며 냉각 가스가 각각 유입되는 유입관과, 일측은 상기 유입관과 연통되고 타측은 상기 제 1 지지공에 삽입 지지되어 상기 본체의 내부에 위치되며 상기 유입관으로부터 냉각 가스를 전달받아 상기 본체의 내부로 냉각 가스를 배출하는 배출노즐을 포함하고,
상기 유입관은 복수개가 상호 간격을 가지면서 배치되고, 하나의 상기 유입관에 복수개의 상기 배출노즐이 연통 설치되며,
상기 배출유닛은, 상기 본체의 타측 외면에 지지되어 냉각 가스를 배출하는 배출관과, 일측은 상기 제 2 지지공에 삽입 지지되어 상기 본체의 내부에 위치되고 타측은 상기 본체의 외부에 위치되어 상기 배출관과 연통되며 상기 본체의 내부로 유입된 냉각 가스를 흡입하여 상기 배출관으로 전달하는 흡입노즐을 포함하고,
상기 배출관은 복수개가 상호 간격을 가지면서 배치되고, 하나의 상기 배출관에 복수개의 상기 배출노즐이 연통 설치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 3,
The inflow unit is supported on one outer surface of the main body and the inlet pipe through which the cooling gas is introduced, one side is in communication with the inlet pipe and the other side is inserted into and supported in the first support hole is located inside the main body A discharge nozzle for receiving the cooling gas from the inlet pipe to discharge the cooling gas into the interior of the body,
The inlet pipe is arranged with a plurality of spaced apart from each other, a plurality of the discharge nozzle is installed in communication with one of the inlet pipe,
The discharge unit is a discharge pipe which is supported on the other outer surface of the main body to discharge the cooling gas, and one side is inserted into the second support hole and supported in the interior of the main body and the other side is located outside the main body and the discharge pipe And a suction nozzle communicating with the suction nozzle and sucking the cooling gas introduced into the main body and transferring the cooling gas to the discharge pipe.
The discharge pipe is disposed in a plurality of spaced apart from each other, the substrate processing apparatus, characterized in that a plurality of the discharge nozzle is installed in communication with one discharge pipe.
제4항에 있어서,
상기 배출노즐과 상기 흡입노즐은 각각 석영제로 형성되고,
상기 유입관과 상기 배출관은 각각 금속제로 형성되며,
상기 배출노즐과 상기 유입관, 상기 흡입노즐과 상기 배출관은 각각 합성수지제의 연결관을 매개로 상호 연통된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
The discharge nozzle and the suction nozzle are each made of quartz,
The inlet pipe and the outlet pipe are each formed of a metal,
And said discharge nozzle and said inlet pipe, said suction nozzle and said discharge pipe communicate with each other via a connection pipe made of a synthetic resin.
제5항에 있어서,
상기 연결관은 폴리테트라플루오르에틸렌(Polytetrafluoroethylene)으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 5,
The connecting tube is a substrate processing apparatus, characterized in that formed of polytetrafluoroethylene (Polytetrafluoroethylene).
제4항에 있어서,
상기 흡입노즐의 내경은 상기 배출노즐의 외경 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
The inner diameter of the suction nozzle is larger than the outer diameter of the discharge nozzle.
제4항에 있어서,
상기 유입관과 상기 배출관에는 주름부가 각각 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Substrate processing apparatus, characterized in that each of the inlet pipe and the discharge pipe is formed with wrinkles.
제4항에 있어서,
상기 본체의 일측 및 타측 외면에는 제 1 및 제 2 지지브라켓이 각각 결합되고,
상기 제 1 및 제 2 지지브라켓에는 상기 유입관 및 상기 배출관이 각각 관통하는 관통공이 각각 형성되며,
상기 유입관 및 상기 배출관에는 상기 제 1 지지브라켓 및 제 2 지지브라켓에 각각 결합되는 결합편이 각각 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
First and second support brackets are respectively coupled to one side and the other outer surface of the main body,
The first and second support brackets are formed with through holes through which the inlet pipe and the outlet pipe respectively pass,
The inlet pipe and the discharge pipe substrate processing apparatus, characterized in that the coupling pieces are respectively coupled to the first support bracket and the second support bracket.
제9항에 있어서,
상기 본체의 일측 외면 및 타측 외면에는 내부에 유입로 및 배출로가 각각 형성된 제 1 및 제 2 지지부재가 각각 결합되고,
복수의 상기 유입관의 단부측은 상기 제 1 지지부재에 각각 지지됨과 동시에 상기 유입로와 각각 연통되며,
복수의 상기 배출관의 단부측은 상기 제 2 지지부재에 각각 지지됨과 동시에 상기 배출로와 각각 연통된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
10. The method of claim 9,
First and second support members each having an inflow path and an outlet path therein are respectively coupled to one outer surface and the other outer surface of the main body,
End sides of the plurality of inflow pipes are respectively supported by the first support member and communicate with the inflow path, respectively.
End portions of the plurality of discharge pipes are respectively supported by the second support member and communicated with the discharge paths, respectively.
KR1020110091425A 2011-09-08 2011-09-08 Apparatus for processing substrate KR101275496B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110091425A KR101275496B1 (en) 2011-09-08 2011-09-08 Apparatus for processing substrate
CN201280043147.8A CN103782367B (en) 2011-09-08 2012-09-04 Substrate processing apparatus
PCT/KR2012/007080 WO2013036018A2 (en) 2011-09-08 2012-09-04 Substrate processing apparatus
TW101132339A TW201330050A (en) 2011-09-08 2012-09-05 Apparatus for processing substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110091425A KR101275496B1 (en) 2011-09-08 2011-09-08 Apparatus for processing substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130027902A true KR20130027902A (en) 2013-03-18
KR101275496B1 KR101275496B1 (en) 2013-06-17

Family

ID=47832697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110091425A KR101275496B1 (en) 2011-09-08 2011-09-08 Apparatus for processing substrate

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR101275496B1 (en)
CN (1) CN103782367B (en)
TW (1) TW201330050A (en)
WO (1) WO2013036018A2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101512330B1 (en) * 2013-06-11 2015-04-15 주식회사 테라세미콘 Apparatus for processing substrate
KR20190099819A (en) * 2018-02-20 2019-08-28 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing substrate

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102401742B1 (en) * 2015-09-17 2022-05-25 주성엔지니어링(주) Chamber cleaning apparatus capable of controlling temperature of activity gas line

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244095A (en) * 1993-02-12 1994-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate cooling device
JP3912208B2 (en) * 2002-02-28 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment equipment
KR100716456B1 (en) * 2004-12-29 2007-05-10 주식회사 에이디피엔지니어링 Plasma processing apparatus
JP4878830B2 (en) * 2005-12-12 2012-02-15 株式会社日立国際電気 Substrate processing equipment
JP5015847B2 (en) * 2008-04-07 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and recording medium
KR101094279B1 (en) * 2009-11-06 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 Heating device and Substrate Processing Apparatus having the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101512330B1 (en) * 2013-06-11 2015-04-15 주식회사 테라세미콘 Apparatus for processing substrate
KR20190099819A (en) * 2018-02-20 2019-08-28 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing substrate

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013036018A3 (en) 2013-05-02
TW201330050A (en) 2013-07-16
KR101275496B1 (en) 2013-06-17
CN103782367B (en) 2017-02-08
CN103782367A (en) 2014-05-07
WO2013036018A2 (en) 2013-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI517279B (en) Apparatus for processing substrate
KR101275496B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR20150047391A (en) Batch type apparatus for processing substrate
KR101284084B1 (en) Apparatus for processing substrate
JP2013232645A (en) Substrate processing apparatus
CN103392228A (en) Boat for supporting substrate and support unit using same
KR101243309B1 (en) Boat for supporting substrate, supporting unit including the boat and apparatus for processing substrate using the supporting unit
KR101284105B1 (en) Boat for supporting substrate
KR101380763B1 (en) Substrate supporting unit and substrate processing apparatus using the same
KR101306757B1 (en) Supporting unit for supporting substrate and apparatus for processing substrate using the same
KR101297686B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101243314B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101284093B1 (en) Supporting unit for substrate and substrate processing apparatus using the same
KR101334191B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101306751B1 (en) Holder for supporting substrate and apparatus for processing substrate using the same
KR101399661B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101380781B1 (en) Substrate supporting unit and substrate processing apparatus using the same
KR101039153B1 (en) A Gas Injector in Large Area Substrate Processing System
KR101423521B1 (en) Apparatus for processing substrate
TWI710674B (en) Furnace tube and poiy silicon growth method
KR102423271B1 (en) Heater module and apparatus for processing substrate
KR101317333B1 (en) Boat For Preventing Substrate Warpage
KR101130037B1 (en) Boat
KR20130130288A (en) Apparatus for processing substrate
KR101423522B1 (en) Apparatus for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170605

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180525

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200309

Year of fee payment: 8