KR20130021293A - Light emitting device package and lighting system having the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package and a lighting system including the same are provided to improve the reliability of a light unit by using one lead frame and a metal layer. CONSTITUTION: A lead frame is arranged in first and second cavities. A first light emitting device(151) is arranged in the first cavity. A second light emitting device(152) is arranged in the second cavity. An insulating film(131) is arranged in a region which is different from the first and second cavities. A metal layer(140) electrically connects the first light emitting device and the second light emitting device.

Description

발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM HAVING THE SAME}LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM HAVING THE SAME}

본 발명은 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device, such as a light emitting device, is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing a conventional fluorescent lamp and an incandescent lamp.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, many researches are being conducted to replace the existing light sources with light emitting diodes, and the light emitting diodes have been increasingly used as light sources for lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic displays, and street lamps that are used indoors and outdoors.

실시 예는 새로운 구조의 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시 예는 복수의 캐비티에 단일 프레임이 배치된 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package in which a single frame is disposed in a plurality of cavities.

실시 예는 하나의 리드 프레임과 다른 금속층을 갖는 발광 소자 패키지를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device package having one lead frame and another metal layer.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체의 제1영역에 배치되는 제1캐비티; 상기 제1캐비티와 이격되고, 상기 몸체의 제2영역에 배치되는 제2캐비티; 상기 제1캐비티 및 제2캐비티 내에 배치된 리드 프레임; 상기 제1캐비티에 배치되는 제1발광 소자; 상기 제2캐비티에 배치되는 제2발광 소자; 상기 제1캐비티와 상기 제2캐비티와 다른 영역에 배치된 절연 필름; 상기 절연 필름 상에 배치되며 상기 제1발광 소자와 상기 제2발광 소자가 전기적으로 연결된 금속층; 및 상기 제1캐비티 및 상기 제2캐비티에 몰딩 부재를 포함한다. The light emitting device package according to the embodiment includes a body; A first cavity disposed in the first region of the body; A second cavity spaced apart from the first cavity and disposed in a second area of the body; A lead frame disposed in the first cavity and the second cavity; A first light emitting device disposed in the first cavity; A second light emitting device disposed in the second cavity; An insulation film disposed in an area different from the first cavity and the second cavity; A metal layer disposed on the insulating film and electrically connected to the first light emitting device and the second light emitting device; And a molding member in the first cavity and the second cavity.

실시 예는 복수의 캐비티를 갖는 발광 소자 패키지에서 방열 효율이 개선될 수 있다. The embodiment may improve heat dissipation efficiency in a light emitting device package having a plurality of cavities.

실시 예는 발광 소자 패키지와 이를 구비한 라이트 유닛의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light emitting device package and the light unit having the same.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 배면도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다.
1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment.
FIG. 2 is a side cross-sectional view of the light emitting device package shown in FIG. 1.
3 is a rear view of the light emitting device package shown in FIG. 1.
4 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to the second embodiment.
5 is a diagram illustrating a display device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.
6 is a diagram illustrating another example of a display device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.
7 is a view showing an example of a lighting device including a light emitting device package according to the embodiment.

이하, 본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Hereinafter, in the description of the embodiment according to the present invention, when described as being formed on the "on or under" of each element, the (up) or down (bottom) (on or under) includes both the two elements are in direct contact with each other (directly) or one or more other elements are formed indirectly formed (indirectly) between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element. In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이며, 도 2는 도 1의 발광 소자의 측 단면도이며, 도 3의 도 1의 발광 소자 패키지의 배면도이다. 1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment, FIG. 2 is a side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1, and is a rear view of the light emitting device package of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 몸체(110), 상기 몸체(110)의 제1영역에 제1 캐비티(135), 상기 몸체(110)의 제2영역에 제2캐비티(136), 상기 몸체(110) 내에 리드 프레임(121), 절연필름(131), 금속층(140), 제1 발광 소자(151) 및 제2 발광 소자(152)를 포함한다.1 to 3, the light emitting device package 100 includes a body 110, a first cavity 135 in a first region of the body 110, and a second region in a second region of the body 110. A cavity 136, a lead frame 121, an insulating film 131, a metal layer 140, a first light emitting device 151, and a second light emitting device 152 are included in the body 110.

상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si) 계열, 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 110 may be formed of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), metal, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and a printed circuit board (PCB). It may be formed of at least one. The body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

상기 몸체(110)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(110)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(110)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(110)가 리드 프레임(121)과 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(110)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 110 may be formed of a conductive material. When the body 110 is a material having electrical conductivity, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 110 to prevent the body 110 from being electrically shorted with the lead frame 121. Can be. The circumferential shape of the body 110 viewed from above may have various shapes such as triangle, rectangle, polygon, and circle depending on the use and design of the light emitting device package 100.

상기 몸체(110)는 복수의 측면(S1~S4)을 포함하며, 상기 복수의 측면(S1~S4) 중 적어도 하나는 상기 몸체(110)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 외형은 다면체로서, 예컨대 육면체를 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 110 may include a plurality of side surfaces S1 to S4, and at least one of the plurality of side surfaces S1 to S4 may be disposed to be perpendicular or inclined with respect to the bottom surface of the body 110. The outer shape of the body 110 is a polyhedron and includes, for example, a hexahedron, but is not limited thereto.

상기 몸체(110)의 상부(116)에는 상기 제1캐비티(135)의 상부가 개방된 제1영역과, 상기 제2캐비티(136)의 상부가 개방된 제2영역을 포함하며, 광이 방출되는 영역이다. The upper portion 116 of the body 110 includes a first region in which the upper portion of the first cavity 135 is opened, and a second region in which the upper portion of the second cavity 136 is opened, and light is emitted. It is an area.

상기 제1캐비티(135) 및 상기 제2캐비티(136)는 상기 몸체(110)의 상면과 하면 사이에 배치된다.The first cavity 135 and the second cavity 136 are disposed between the upper surface and the lower surface of the body 110.

상기 제1캐비티(135) 및 제2캐비티(136)는 상기 몸체(110)의 서로 다른 영역에 배치되며, 상기 몸체(110)의 상부로부터 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제1캐비티(135)의 측면은 상기 제1캐비티(135)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제1캐비티(135)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. 상기 제1캐비티(135) 및 제2캐비티(136)는 발광 소자 패키지의 길이 방향에 대해 같은 중심부 상에 배치될 수 있다.
The first cavity 135 and the second cavity 136 are disposed in different areas of the body 110, and have a concave shape, for example, a cup structure or recess, from the top of the body 110. recess) shape. Side surfaces of the first cavity 135 may be bent or vertically bent from the bottom of the first cavity 135. Two opposite sides of the side surface of the first cavity 135 may be inclined at the same angle or inclined at different angles. The first cavity 135 and the second cavity 136 may be disposed on the same center with respect to the longitudinal direction of the light emitting device package.

도 1 및 도 2와 같이, 리드 프레임(121)은 제1프레임부(122), 연결 프레임부(123), 제2프레임부(124)를 포함하며, 일체로 형성된다. 상기 제1프레임부(122)는 제1캐비티(135)의 구조로 형성되며, 상기 제2프레임부(124)는 제2캐비티(136)의 구조로 형성된다. 상기 연결 프레임부(123)는 상기 제1프레임부(122)와 제2프레임부(124)를 서로 연결해 준다. 상기 리드 프레임(121,131,141)은 Al, Ag, Cu, Ni의 금속 또는 합금을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 0.15mm ~ 0.3mm일 수 있다.1 and 2, the lead frame 121 includes a first frame portion 122, a connection frame portion 123, and a second frame portion 124 and are integrally formed. The first frame part 122 is formed in the structure of the first cavity 135, and the second frame part 124 is formed in the structure of the second cavity 136. The connection frame part 123 connects the first frame part 122 and the second frame part 124 to each other. The lead frames 121, 131, and 141 may include metals or alloys of Al, Ag, Cu, and Ni, and may be formed in a single layer or a multilayer, and the thickness thereof may be 0.15 mm to 0.3 mm.

상기 제1프레임부(122)의 상측 둘레(122A)는 상기 몸체(110)의 상면과 하면 사이에 접촉되어 배치될 수 있으며, 상기 제2프레임부(124)의 상측 둘레(124A)는 상기 몸체(110)의 상면과 하면 사이에 접촉되어 배치될 수 있다.The upper circumference 122A of the first frame portion 122 may be disposed to contact between the upper and lower surfaces of the body 110, and the upper circumference 124A of the second frame portion 124 may be disposed on the body. The upper and lower surfaces of the 110 may be in contact with each other.

상기 연결 프레임부(123)의 상면은 상기 제1캐비티(135) 및 제2캐비티(136)의 바닥보다 상기 몸체(110)의 상면에 더 가깝게 배치될 수 있다. 상기 연결 프레임부(123)는 상기 제1캐비티(135)와 제2캐비티(136) 사이에 배치된다. The top surface of the connection frame part 123 may be disposed closer to the top surface of the body 110 than the bottom of the first cavity 135 and the second cavity 136. The connection frame part 123 is disposed between the first cavity 135 and the second cavity 136.

상기 리드 프레임(121)은 상기 제1캐비티(135) 및 상기 제2캐비티(136)을 형성하며, 상기 제1프레임부(122) 상에 제1발광 소자(151)가 탑재되고, 제2프레임부(124) 상에 제2발광 소자(152)가 탑재된다. 상기 제1 및 제2발광 소자(151,152)는 하나의 리드 프레임(121) 상에 탑재되며, 상기 리드 프레임(121)의 면적이 각 캐비티에 분리된 리드 프레임의 면적보다 더 넓게 배치될 수 있어, 방열 효율은 개선될 수 있다. The lead frame 121 forms the first cavity 135 and the second cavity 136, and a first light emitting device 151 is mounted on the first frame part 122, and a second frame The second light emitting element 152 is mounted on the portion 124. The first and second light emitting devices 151 and 152 may be mounted on one lead frame 121, and an area of the lead frame 121 may be wider than an area of a lead frame separated in each cavity. The heat dissipation efficiency can be improved.

상기 제1발광 소자(151)는 제1프레임부(122)에 본딩되고, 금속층(140)의 본딩부(141)과 제1와이어(155)로 연결된다. 제2발광 소자(152)는 제2프레임부(124)에 본딩되고, 금속층(140)의 본딩부(141)과 제2와이어(155)로 연결된다. 상기 발광 소자(151,152)는 각 캐비티(135,136)의 중심부에 배치될 수 있으며, 서로 병렬로 연결될 수 있다. The first light emitting device 151 is bonded to the first frame part 122, and is connected to the bonding part 141 of the metal layer 140 by the first wire 155. The second light emitting device 152 is bonded to the second frame part 124 and is connected to the bonding part 141 of the metal layer 140 by the second wire 155. The light emitting devices 151 and 152 may be disposed at the centers of the cavities 135 and 136 and may be connected to each other in parallel.

상기 제1발광 소자(151) 및 제2발광 소자(152)는 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 동일한 피크 파장의 광을 방출하거나, 서로 다른 피크 파장의 광을 방출할 수 있다. 상기 제1발광 소자(151) 및 제2발광 소자(152)는 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
The first light emitting device 151 and the second light emitting device 152 may selectively emit light in the wavelength range of the ultraviolet band to the visible light band, emit light of the same peak wavelength, or emit light of different peak wavelengths Can be released. The first light emitting device 151 and the second light emitting device 152 are LED chips using Group III-V compound semiconductors, for example, UV (Ultraviolet) LED chips, blue LED chips, green LED chips, white LED chips, red It may include at least one of the LED chip.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제1프레임부(122)의 하면은 몸체(110)의 하면(S5)과 동일 평면 상에 배치되며, 상기 제2프레임부(124)의 하면은 상기 몸체(110)의 하면(S5)과 동일 평면 상에 배치되며, 상기 제1프레임부(122) 및 제2프레임부(124)의 하면은 서로 이격되어 서로 다른 영역에서 솔더로 본딩된다.
2 and 3, the bottom surface of the first frame portion 122 is disposed on the same plane as the bottom surface S5 of the body 110, and the bottom surface of the second frame portion 124 is the body. It is disposed on the same plane as the lower surface (S5) of 110, the lower surface of the first frame portion 122 and the second frame portion 124 is spaced apart from each other and bonded with solder in different areas.

상기 리드 프레임(121)의 연결 프레임부(123) 상에는 절연필름(131)이 배치되며, 상기 절연 필름(131)은 예컨대 PI(폴리 이미드) 필름, PET(폴리에틸렌텔레프탈레이트) 필름, EVA(에틸렌비닐아세테이트)필름, PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 필름, TAC(트라아세틸셀룰로오스)필름, PAI(폴리아마이드-이미드), PEEK(폴리에테리-에테르-케톤), 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 수지 필름(PE, PP, PET) 등을 포함할 수 있다. 상기 절연 필름(131)은 상기 연결 프레임부(123) 상에 부착될 수 있다. An insulating film 131 is disposed on the connecting frame part 123 of the lead frame 121, and the insulating film 131 may be, for example, a PI (polyimide) film, a PET (polyethylene terephthalate) film, and an EVA (ethylene). Vinyl acetate) film, PEN (polyethylene naphthalate) film, TAC (traacetylcellulose) film, PAI (polyamide-imide), PEEK (polyether-ether-ketone), perfluoroalkoxy (PFA), poly Phenylene sulfide (PPS), resin films (PE, PP, PET) and the like. The insulating film 131 may be attached on the connection frame part 123.

상기 절연 필름(131)의 영역은 다른 예로서, 몸체의 재질 예컨대, PPA와 같은 재질로 형성될 수 있다. 이 경우 상기 절연 필름(131)은 형성하지 않을 수 있다. As another example, the region of the insulating film 131 may be formed of a material such as a material of a body, for example, PPA. In this case, the insulating film 131 may not be formed.

상기 절연 필름(131) 위에는 금속층(140)의 본딩부(141)가 배치되며, 상기 금속층(140)의 본딩부(141)는 상기 절연 필름(131)의 면적보다 작은 면적으로 형성될 수 있다. 상기 금속층(140)의 본딩부(141)는 상기 리드 프레임(121)의 두께보다 얇은 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 금속층(140)의 재질은 Cu, Al, Ag, Ni 등과 같은 금속 재질로 선택적으로 형성될 수 있으며, 그 형성 방법은 도금 방식, 스퍼터 또는 증착 방식을 이용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bonding part 141 of the metal layer 140 is disposed on the insulating film 131, and the bonding part 141 of the metal layer 140 may be formed to have an area smaller than the area of the insulating film 131. The bonding part 141 of the metal layer 140 may be formed to a thickness thinner than the thickness of the lead frame 121, but is not limited thereto. The material of the metal layer 140 may be selectively formed of a metal material such as Cu, Al, Ag, Ni, and the like, and a method of forming the metal layer 140 may be a plating method, a sputtering method, or a deposition method, but is not limited thereto.

상기 금속층(140)의 본딩부(141)는 상기 제1캐비티(135)와 상기 제2캐비티(136) 사이의 영역에 배치되거나, 다른 영역에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bonding part 141 of the metal layer 140 may be disposed in an area between the first cavity 135 and the second cavity 136 or in another area, but is not limited thereto.

상기 금속층(140)은 본딩부(141), 제1연결부(143), 제2연결부(145) 및 리드부(147)를 포함한다. 상기 금소층(140)의 패턴은 하나 또는 복수개일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 본딩부(141)의 위치는 상기 제1 및 제2캐비티(135,136) 사이의 영역에 배치되거나, 와이어(155,156)와의 거리를 고려하여 배치될 수 있다. 상기 제1연결부(143)는 상기 본딩부(141)와 제2연결부(145) 사이를 연결해 주며 상기 몸체(110)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 제2연결부(145)는 상기 몸체(110)의 제1측면(S1)에 배치되며 상기 제1연결부(143)와 상기 리드부(147)를 서로 연결해 준다. 상기 리드부(147)는 상기 몸체(110)의 하면(S5))에 배치되거나, 형성되지 않을 수 있다. 여기서, 상기 제2연결부(145)는 상기 몸체(110)의 다른 측면 에컨대, 제2측면(S2) 상에 배치될 수 있다. 이는 리드 프레임(121)이 몸체(110)의 하면에 배치됨으로써, 금속층(140)의 리드부(147)의 위치를 자유롭게 배치할 수 있다. The metal layer 140 includes a bonding part 141, a first connection part 143, a second connection part 145, and a lead part 147. The pattern of the gold layer 140 may be one or a plurality, but is not limited thereto. The bonding part 141 may be disposed in an area between the first and second cavities 135 and 136 or in consideration of a distance from the wires 155 and 156. The first connector 143 connects the bonding portion 141 and the second connector 145 and may be disposed on an upper surface of the body 110. The second connector 145 is disposed on the first side surface S1 of the body 110 and connects the first connector 143 and the lead unit 147 to each other. The lead portion 147 may be disposed on the bottom surface S5 of the body 110 or may not be formed. Here, the second connector 145 may be disposed on another side surface of the body 110, for example, on the second side surface S2. This is because the lead frame 121 is disposed on the lower surface of the body 110, it is possible to freely position the position of the lead portion 147 of the metal layer 140.

여기서, 제너 다이오드와 같은 보호 소자는 상기 금속층(140) 또는 연결 프레임(123) 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, a protection element such as a zener diode may be disposed on the metal layer 140 or the connection frame 123, but is not limited thereto.

도 2를 참조하면, 제1 및 제2캐비티(135,136)에는 몰딩 부재(161)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(161)는 각 캐비티(135,136)에 각각 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 2, molding members 161 may be formed in the first and second cavities 135 and 136. The molding member 161 may be formed in each of the cavities 135 and 136, but is not limited thereto.

상기 몰딩 부재(161)는 투광성 수지층으로 형성될 수 있으며, 상기 몸체(110)의 상부 영역까지 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(161)에는 제1 발광 소자(151) 및 제2 발광 소자(152)에서 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 소자들(151,152)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. The molding member 161 may be formed of a light transmitting resin layer, and may be formed up to an upper region of the body 110. The molding member 161 may include a phosphor for changing a wavelength of light emitted from the first light emitting device 151 and the second light emitting device 152, and the phosphor is emitted from the light emitting devices 151 and 152. Some of the light is excited to emit light of different wavelengths.

예컨대, 발광 소자들(151,152)이 청색 발광 다이오드이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자들(151,152)이 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, Red, Green, Blue 삼색의 형광체가 각 캐비티(135,136)에 배치된 몰딩 부재(161)에 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. For example, when the light emitting devices 151 and 152 are blue light emitting diodes and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to generate white light. When the light emitting devices 151 and 152 emit ultraviolet rays (UV), red, green, and blue phosphors may be added to the molding members 161 disposed in the cavities 135 and 136 to implement white light.

상기 몸체(110)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 소자 패키지(100)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.
A lens may be further formed on the body 110, and the lens may include a concave or / and convex lens structure, and may provide light distribution of light emitted from the light emitting device package 100. I can regulate it.

도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.4 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a second embodiment.

도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지는 절연 필름(131)의 제1영역(132)은 상기 제1캐비티(135)의 바닥에 배치되며, 제2영역(133)은 제2캐비티(136)의 바닥에 배치된다.Referring to FIG. 4, in the light emitting device package, the first region 132 of the insulating film 131 is disposed on the bottom of the first cavity 135, and the second region 133 is formed of the second cavity 136. Is placed on the floor.

상기 금속층(140)의 본딩부(141)은 상기 절연 필름(131)의 제1영역(132) 및 제2영역(133) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 금속층(140)의 본딩부(141)은 상기 제1캐비티(135) 및 제2캐비티(136)에 배치된다.The bonding part 141 of the metal layer 140 may be disposed on the first region 132 and the second region 133 of the insulating film 131. That is, the bonding part 141 of the metal layer 140 is disposed in the first cavity 135 and the second cavity 136.

상기 제1발광 소자(151)는 제1캐비티(135) 내에 배치된 상기 금속층(140)의 본딩부(141)과 제1와이어(155)로 연결되고, 제2발광 소자(152)는 제2캐비티(136)에 배치된 상기 금속층(140)의 본딩부(141)과 제2와이어(156)로 연결된다.The first light emitting device 151 is connected to the bonding portion 141 and the first wire 155 of the metal layer 140 disposed in the first cavity 135, and the second light emitting device 152 is connected to the second light emitting device 152. The bonding portion 141 of the metal layer 140 disposed in the cavity 136 is connected to the second wire 156.

이와 같이, 제1와이어(155) 및 제2와이어(156)를 각 캐비티(135,136) 내에 배치함으로써, 발광 소자 패키지의 두께를 더 얇게 할 수 있다. 또한 와이어 길이를 짧게 할 수 있어, 와이어 본딩 부분의 불량이 발생되는 것을 억제할 수 있다.
As such, by disposing the first wire 155 and the second wire 156 in the cavities 135 and 136, the thickness of the light emitting device package can be made thinner. In addition, the wire length can be shortened, and it is possible to suppress the occurrence of a defect in the wire bonding portion.

도 5은 실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.5 is a side cross-sectional view showing a light emitting device according to the embodiment.

도 5를 참조하면, 발광 소자(151,152)는 제1전극(281), 제1도전형 반도체층(217), 활성층(219), 제2도전형 클래드층(221), 및 제2도전형 반도체층(223), 제2도전형 반도체층(223) 아래에 전류 블록킹층(261), 채널층(263) 및 제2전극(270)을 포함한다. Referring to FIG. 5, the light emitting devices 151 and 152 may include a first electrode 281, a first conductive semiconductor layer 217, an active layer 219, a second conductive clad layer 221, and a second conductive semiconductor. The current blocking layer 261, the channel layer 263, and the second electrode 270 are included under the layer 223 and the second conductive semiconductor layer 223.

상기 제1도전형 반도체층(217)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(217)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first conductive semiconductor layer 217 is implemented as a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant, for example, In x Al y Ga 1- x- y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 Y? 1, 0? X + y? 1). When the first conductive semiconductor layer 217 is an N-type semiconductor layer, the dopant of the first conductive type is an N-type dopant and includes Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 제1도전형 반도체층(217)과 상기 활성층(219) 사이에는 제1도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(219)의 장벽층의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1도전형 클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first conductive clad layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 217 and the active layer 219. The first conductive clad layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and the band gap may be formed to be greater than or equal to the band gap of the barrier layer of the active layer 219. The first conductive clad layer serves to constrain the carrier.

상기 제1도전형 반도체층(217) 아래에는 활성층(219)이 형성된다. 상기 활성층(219)은 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(219)은 양자 우물층과 양자 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 양자 우물층과 상기 양자 장벽층의 페어는 2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 양자 우물층은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 양자 장벽층은 상기 양자 우물층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 양자 우물층과 양자 장벽층의 페어는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN 중 적어도 하나를 포함한다. An active layer 219 is formed under the first conductive semiconductor layer 217. The active layer 219 may be formed of at least one of a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum line, and a quantum dot structure. In the active layer 219, a quantum well layer and a quantum barrier layer are alternately disposed, and a pair of the quantum well layer and the quantum barrier layer may be formed in 2 to 30 cycles. The quantum well layer may be formed of, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). . The quantum barrier layer is, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤ a semiconductor layer having a wider band gap than the band gap of the quantum well layer It can be formed of a semiconductor material having a composition formula of x + y ≤ 1). The pair of quantum well layers and quantum barrier layers may include at least one of InGaN / GaN, AlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN.

상기 양자 우물층의 두께는 1.5~5nm 범위 내에 형성될 수 있으며, 예컨대 2~4nm 범위 내에서 형성될 수 있다. 상기 양자 장벽층의 두께는 상기 양자 우물층의 두께보다 더 두껍고 5~30nm의 범위 내에 형성될 수 있으며, 예컨대 5~7nm 범위 내에서 형성될 수 있다. 상기 양자 장벽층 내에는 n형 도펀트를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The quantum well layer may have a thickness in the range of 1.5-5 nm, for example, in the range of 2-4 nm. The thickness of the quantum barrier layer may be thicker than the thickness of the quantum well layer and may be formed in the range of 5 to 30 nm, for example, in the range of 5 to 7 nm. The quantum barrier layer may include an n-type dopant, but is not limited thereto.

상기 활성층(219) 아래에는 제2도전형 클래드층(221)이 형성되며, 상기 제2도전형 클래드층(221)은 상기 활성층(219)의 양자 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다.A second conductive clad layer 221 is formed below the active layer 219, and the second conductive clad layer 221 has a higher band gap than the band gap of the quantum barrier layer of the active layer 219. And III-V compound semiconductors, for example, GaN-based semiconductors.

상기 제2도전형 클래드층(221) 아래에는 제2도전형 반도체층(223)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(223)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(223)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(223)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. A second conductive semiconductor layer 223 is formed under the second conductive cladding layer 221, and the second conductive semiconductor layer 223 includes a dopant of a second conductive type. The second conductive semiconductor layer 223 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, and the like. When the second conductive semiconductor layer 223 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a P-type dopant.

발광 구조물(250)의 층들의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층들(221,223)은 N형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(217)은 P형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(223) 아래에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 상기 반도체 발광소자(151,152)는 상기 제1도전형 반도체층(217), 활성층(219) 및 상기 제2도전형 반도체층(223)을 발광 구조물(250)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(250)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 상기 N-P 및 P-N 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, N-P-N 접합 또는 P-N-P 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.The conductive types of the layers of the light emitting structure 250 may be formed to be opposite to each other. For example, the second conductive semiconductor layers 221 and 223 may be N-type semiconductor layers, and the first conductive semiconductor layer 217 may be P-type semiconductors. It can be implemented in layers. An n-type semiconductor layer, which is a third conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type, may be further formed below the second conductive semiconductor layer 223. The semiconductor light emitting devices 151 and 152 may define the first conductive semiconductor layer 217, the active layer 219, and the second conductive semiconductor layer 223 as a light emitting structure 250. 250) may be implemented as any one of an NP junction structure, a PN junction structure, an NPN junction structure, and a PNP junction structure. The N-P and P-N junctions have an active layer disposed between the two layers, and the N-P-N junction or P-N-P junction includes at least one active layer between the three layers.

상기 전류 블록킹층(261)은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 채널층(263) 사이에 적어도 하나가 형성될 수 있다.The current blocking layer 261 may include at least one of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 , and at least one between the channel layers 263. Can be formed.

상기 전류 블록킹층(261)은 상기 발광 구조물(217) 위에 배치된 제1전극(281)과 상기 발광 구조물(250)의 두께 방향으로 대응되게 배치된다. 상기 전류 블록킹층(261)은 상기 제2전극(270)으로부터 공급되는 전류를 차단하여, 다른 경로로 확산시켜 줄 수 있다. The current blocking layer 261 is disposed to correspond to the thickness direction of the first electrode 281 and the light emitting structure 250 disposed on the light emitting structure 217. The current blocking layer 261 may block a current supplied from the second electrode 270 and diffuse it in another path.

상기 채널층(263)은 상기 제2도전형 반도체층(223)의 하면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(263)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(263)의 내측부는 상기 제2도전형 반도체층(223) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조물(250)의 측면보다 더 외측에 배치된다. The channel layer 263 is formed along the bottom edge of the second conductive semiconductor layer 223 and may be formed in a ring shape, a loop shape, or a frame shape. The channel layer 263 may include at least one of ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 . It may include. An inner portion of the channel layer 263 is disposed below the second conductive semiconductor layer 223, and an outer portion of the channel layer 263 is disposed outside the side surface of the light emitting structure 250.

상기 제2도전형 반도체층(223) 아래에 제2전극(270)이 형성될 수 있다. 상기 제2전극(270)은 복수의 전도층(265,267,269)을 포함할 수 있다.A second electrode 270 may be formed under the second conductive semiconductor layer 223. The second electrode 270 may include a plurality of conductive layers 265, 267, and 269.

상기 제2전극(270)은 오믹 접촉층(265), 반사층(267), 및 접합층(269)을 포함한다. 상기 오믹 접촉층(265)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 저 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다. 상기 오믹 접촉층(265) 아래에 반사층(267)이 형성되며, 상기 반사층(267)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(267)은 상기 제2도전형 반도체층(223) 아래에 접촉될 수 있으며, 금속으로 오믹 접촉하거나 ITO와 같은 저 전도 물질로 오믹 접촉할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second electrode 270 includes an ohmic contact layer 265, a reflective layer 267, and a bonding layer 269. The ohmic contact layer 265 may be a low conductive material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, or a metal of Ni or Ag. A reflective layer 267 is formed below the ohmic contact layer 265, and the reflective layer 267 is formed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and a combination thereof. It may be formed into a structure including at least one layer of a material selected from the group consisting of. The reflective layer 267 may be contacted under the second conductive semiconductor layer 223, may be in ohmic contact with a metal, or ohmic contact with a low conductive material such as ITO, but is not limited thereto.

상기 반사층(267) 아래에는 접합층(269)이 형성되며, 상기 접합층(269)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. A bonding layer 269 is formed under the reflective layer 267, and the bonding layer 269 may be used as a barrier metal or a bonding metal, and the material may be, for example, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, And at least one of Ga, In, Bi, Cu, Ag, and Ta and an optional alloy.

상기 접합층(269) 아래에는 지지 부재(273)가 형성되며, 상기 지지 부재(273)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(273)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다.A support member 273 is formed below the bonding layer 269, and the support member 273 may be formed as a conductive member. The materials may include copper (Cu-copper), gold (Au-gold), and nickel. (Ni-nickel), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), and a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, etc.). As another example, the support member 273 may be implemented as a conductive sheet.

상기 제1도전형 반도체층(217)의 상면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조(217A)로 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(250)의 측벽보다 외측에는 상기 채널층(263)의 외측부가 노출되며, 상기 채널층(263)의 내측부는 상기 제2도전형 반도체층(223)의 하면에 접촉될 수 있다. The upper surface of the first conductive semiconductor layer 217 may be formed of a light extraction structure 217A such as roughness. An outer portion of the channel layer 263 may be exposed to an outer side of the sidewall of the light emitting structure 250, and an inner portion of the channel layer 263 may be in contact with a lower surface of the second conductive semiconductor layer 223.

이에 따라 발광 구조물(250) 위에 제1전극(281) 및 아래에 지지 부재(273)를 갖는 수직형 전극 구조를 갖는 발광 소자(15,152)가 제조될 수 있다.
Accordingly, the light emitting devices 15 and 152 having the vertical electrode structure having the first electrode 281 and the support member 273 below the light emitting structure 250 may be manufactured.

실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 6 및 도 7에 도시된 표시 장치, 도 8에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment can be applied to the illumination system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting devices or light emitting device packages are arranged, and includes a display device shown in FIGS. 6 and 7 and a lighting device shown in FIG. Etc. may be included.

도 6은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.6 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 6을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 6, the display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 that provides light to the light guide plate 1041, a reflective member 1022 under the light guide plate 1041, and the light guide plate 1041. A bottom cover 1011 that houses an optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflective member 1022. ), But is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse the light provided from the light emitting module 1031 to make a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 is disposed on at least one side of the light guide plate 1041 to provide light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(100)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.The light emitting module 1031 may include at least one, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device package 200 according to the embodiment disclosed above, and the light emitting device package 100 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals. have. The substrate may be a printed circuit board, but is not limited thereto. In addition, the substrate 1033 may include a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto. When the light emitting device package 100 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. A part of the heat radiation plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011. Therefore, heat generated in the light emitting device package 100 may be discharged to the bottom cover 1011 via the heat dissipation plate.

상기 복수의 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(30)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 100 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface on which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device package 30 may directly or indirectly provide light to a light incident portion that is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies the reflected light to the display panel 1061 to improve the brightness of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by transmitting or blocking light provided from the light emitting module 1031. The display device 1000 can be applied to video display devices such as portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, a brightness enhanced sheet, and the like. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet concentrates incident light on the display panel 1061. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light emitting module 1031, but are not limited thereto.

도 7은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 7 is a diagram illustrating a display device having a light emitting device package according to an exemplary embodiment.

도 7을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자 패키지(100)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 7, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the light emitting device package 100 disclosed above is arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155. .

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자 패키지(100)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(미도시)으로 정의될 수 있다. The substrate 1120 and the light emitting device package 100 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit (not shown).

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but is not limited thereto.

상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1155)으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. The optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a poly methy methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses the incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense the incident light onto the display panel 1155. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness .

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, condensing, etc. of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 8은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.8 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the lighting device 1500 may include a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, and a connection terminal installed in the case 1510 and receiving power from an external power source. 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having good heat dissipation, for example, may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(30)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 30 according to an embodiment mounted on the substrate 1532. The plurality of light emitting device packages 100 may be arranged in a matrix form or spaced apart at predetermined intervals.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrates and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that reflects light efficiently, or a surface may be coated with a color, for example, white or silver, in which the light is efficiently reflected.

상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등과 같은 가시 광선 대역의 발광 다이오드 또는 자외선(UV, Ultra Violet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 100 may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 100 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a light emitting diode in a visible light band such as red, green, blue, or white, or a UV light emitting diode emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 100 to obtain color and luminance. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 발광 소자 패키지 110: 몸체
135,136: 캐비티 121: 리드 프레임,
122,124: 프레임부 123: 연결 프레임부
131: 절연 필름 140: 금속층
141:본딩부 143,145:연결부
147:리드부 151,152: 발광 소자100: light emitting device package 110: body
135,136: cavity 121: lead frame,
122, 124: frame portion 123: connecting frame portion
131: insulating film 140: metal layer
141: bonding portion 143, 145: connecting portion
147: lead portion 151, 152: light emitting element

Claims (15)

몸체;
상기 몸체의 제1영역에 배치되는 제1캐비티;
상기 제1캐비티와 이격되고, 상기 몸체의 제2영역에 배치되는 제2캐비티;
상기 제1캐비티 및 제2캐비티 내에 배치된 리드 프레임;
상기 제1캐비티에 배치되는 제1발광 소자;
상기 제2캐비티에 배치되는 제2발광 소자;
상기 제1캐비티와 상기 제2캐비티와 다른 영역에 배치된 절연 필름;
상기 절연 필름 상에 배치되며 상기 제1발광 소자와 상기 제2발광 소자가 전기적으로 연결된 금속층; 및
상기 제1캐비티 및 상기 제2캐비티에 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자 패키지. Body;
A first cavity disposed in the first region of the body;
A second cavity spaced apart from the first cavity and disposed in a second area of the body;
A lead frame disposed in the first cavity and the second cavity;
A first light emitting device disposed in the first cavity;
A second light emitting device disposed in the second cavity;
An insulation film disposed in an area different from the first cavity and the second cavity;
A metal layer disposed on the insulating film and electrically connected to the first light emitting device and the second light emitting device; And
The light emitting device package including a molding member in the first cavity and the second cavity. 제1항에 있어서, 상기 리드 프레임은 상기 제1캐비티를 갖는 제1프레임부, 및 상기 제1프레임부와 연결되며 상기 제2캐비티를 갖는 제2프레임부 포함하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the lead frame includes a first frame portion having the first cavity, and a second frame portion connected to the first frame portion and having the second cavity. 제2항에 있어서, 상기 제1프레임부와 상기 제2프레임부 사이를 연결하는 연결 프레임부를 포함하는 발광 소자 패키지. The light emitting device package of claim 2, further comprising a connection frame unit connecting the first frame unit and the second frame unit. 제3항에 있어서, 상기 제1프레임부, 상기 제2프레임부 및 상기 연결 프레임부는 일체로 형성되는 발광 소자 패키지 The light emitting device package of claim 3, wherein the first frame portion, the second frame portion, and the connection frame portion are integrally formed. 제3항에 있어서, 상기 연결 프레임부는 상기 제1 및 제2캐비티 사이에 배치된 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 3, wherein the connection frame part is disposed between the first and second cavities. 제3항에 있어서, 상기 절연 필름은 상기 연결 프레임부 위에 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 3, wherein the insulation film is disposed on the connection frame part. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 상기 몸체의 상면 및 적어도 한 측면 상에 배치된 연결부를 포함하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the metal layer comprises a connection part disposed on an upper surface and at least one side of the body. 제7항에 있어서, 상기 금속층은 상기 연결부에 연결되며, 상기 몸체의 하면에 배치된 리드부를 더 포함하는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 7, wherein the metal layer is connected to the connection part and further includes a lead part disposed on a bottom surface of the body. 제1항 내지 제8항에 있어서, 상기 금속층은 상기 리드 프레임의 두께보다 얇은 두께로 형성되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the metal layer is formed to have a thickness thinner than that of the lead frame. 제1항에 있어서, 상기 절연 필름은 PI(폴리 이미드) 필름, PET(폴리에틸렌텔레프탈레이트) 필름, EVA(에틸렌비닐아세테이트)필름, PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 필름, TAC(트라아세틸셀룰로오스)필름, PAI(폴리아마이드-이미드), PEEK(폴리에테리-에테르-케톤), 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 수지 필름을 포함하는 발광 소자 패키지. The method of claim 1, wherein the insulating film is a PI (polyimide) film, PET (polyethylene terephthalate) film, EVA (ethylene vinyl acetate) film, PEN (polyethylene naphthalate) film, TAC (traacetylcellulose) film, A light emitting device package comprising PAI (polyamide-imide), PEEK (polyether-ether-ketone), perfluoroalkoxy (PFA), polyphenylene sulfide (PPS), resin film. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2발광 소자와 상기 금속층을 연결해 주는 와이어를 포함하는 발광 소자 패키지. The light emitting device package of claim 1, further comprising a wire connecting the first and second light emitting devices to the metal layer. 제1항 또는 제11항에 있어서, 상기 절연 필름은 상기 제1 및 제2캐비티 중 적어도 하나의 바닥에 배치되며, 상기 금속층은 상기 캐비티의 바닥에 배치된 절연 필름에 더 연장되는 발광 소자 패키지. The light emitting device package of claim 1 or 11, wherein the insulating film is disposed on the bottom of at least one of the first and second cavities, and the metal layer further extends to the insulating film disposed on the bottom of the cavity. 제12항에 있어서, 상기 와이어는 상기 캐비티 바닥에 배치된 금속층과 연결되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 12, wherein the wire is connected to a metal layer disposed on the bottom of the cavity. 제1항에 있어서, 상기 몸체는 절연 재질이며, 상기 리드 프레임은 상기 제1 및 제2캐비티의 구조를 갖는 단일 프레임으로 형성되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package of claim 1, wherein the body is made of an insulating material, and the lead frame is formed of a single frame having structures of the first and second cavities. 제1항 내지 제8항, 제10항, 제11항 및 제14항 중 어느 한 항의 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 시스템.An illumination system comprising the light emitting device package of any one of claims 1 to 8, 10, 11 and 14.
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