KR20130019956A - Light emitting device package and lighting system including the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package and a lighting system including the same are provided to deposit and coat a parylene layer between a package body and a lead frame and to prevent the penetration of defects. CONSTITUTION: A package body includes a cavity. A light emitting device is arranged in the bottom surface of the cavity. A first lead frame(221) and a second lead frame(222) are respectively connected to the light emitting device. The first lead frame and the second lead frame are combined with the package body. A parylene layer(270b) is arranged between the package bodies.

Description

발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템{Light emitting device package and lighting system including the same}Light emitting device package and lighting system including the same

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것으로, 발광소자 패키지의 내구성을 향상시킨 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and improves durability of the light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Lighit Emitting Diode; LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light-emitting devices such as light-emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) using semiconductors of Group 3-5 or 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors have been developed through the development of thin film growth technology and device materials. Various colors such as green, blue, and ultraviolet light can be realized, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or combining colors, and low power consumption, semi-permanent life, and quicker than conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps can be realized. It has the advantages of response speed, safety and environmental friendliness.

따라서, 발광 다이오드는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, the light emitting diode can replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp or an incandescent bulb which replaces a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to white light emitting diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights.

도 1은 종래의 발광소자 패키지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional light emitting device package.

발광소자 패키지(200)는 패키지 몸체(210)이 사출 성형되어 형성되고, 상기 패키지 몸체(210)에 제1,2 리드 프레임(221, 222)이 고정되어 있다. 패키지 몸체(210)의 내측면(A)과 외측면(B)에서, 제1,2 리드 프레임(221,222)은 각각 패키지 몸체(210)와 결합하게 된다.The light emitting device package 200 is formed by injection molding the package body 210, and first and second lead frames 221 and 222 are fixed to the package body 210. On the inner side surface A and the outer side surface B of the package body 210, the first and second lead frames 221 and 222 are coupled to the package body 210, respectively.

상기 'A'영역과 'B'영역에서 패키지 몸체(210)와 제1,2 리드 프레임(221, 222)가 완전히 밀착되지 못하고 상호 간의 조성 차이에 의한 틈이 발생할 수 있고, 수분이나 기타 이물질이 발광소자 패키지 내부로 침투할 수 있다.In the 'A' region and the 'B' region, the package body 210 and the first and second lead frames 221 and 222 may not be in close contact with each other, and a gap may occur due to a composition difference between them. Can penetrate into the light emitting device package.

실시예는, 발광소자 패키지의 패키지 몸체와 리드 프레임의 사이로의 이물질의 침투를 방지하여 내구성을 향상시키고자 한다.The embodiment is intended to improve durability by preventing penetration of foreign matter between the package body of the light emitting device package and the lead frame.

실시예는 캐비티를 가지는 패키지 몸체; 상기 캐비티의 바닥면에 배치된 발광소자; 상기 발광소자와 각각 전기적으로 연결되고, 상기 패키지 몸체와 결합되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나와 상기 패키지 몸체의 사이에 배치된 패럴린층을 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.Embodiments include a package body having a cavity; A light emitting element disposed on the bottom surface of the cavity; First and second lead frames electrically connected to the light emitting devices, respectively, and coupled to the package body; And a paraline layer disposed between at least one of the first lead frame and the second lead frame and the package body.

패럴린층은 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나와 상기 패키지 몸체의 내측벽의 사이에 배치될 수 있다.The paraline layer may be disposed between at least one of the first lead frame and the second lead frame and an inner wall of the package body.

패럴린층은 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나와 상기 패키지 몸체의 외측벽의 사이에 배치될 수 있다.The parallel layer may be disposed between at least one of the first lead frame and the second lead frame and an outer wall of the package body.

발광소자는 상기 제1 리드 프레임과 접촉하고, 상기 발광소자와 상기 제1 리드 프레임의 접촉 영역에는 상기 패럴린층이 배치되지 않을 수 있다.The light emitting device may contact the first lead frame, and the parallel layer may not be disposed in a contact area between the light emitting device and the first lead frame.

발광소자는 상기 제2 리드 프레임과 와이어 본딩되고, 상기 제2 리드 프레임의 와이어 본딩 영역에는 상기 패럴린층이 배치되지 않을 수 있다.The light emitting device may be wire bonded to the second lead frame, and the paraline layer may not be disposed in the wire bonding region of the second lead frame.

패럴린층은 상기 패키지 몸체의 일부 영역에 마스크를 씌우고 증착될 수 있다.The paraline layer may be deposited by masking a portion of the package body.

패키지 몸체는 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임이 삽입되고 사출되어 형성되고, 상기 패럴린층은 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나가 상기 패키지 몸체에 삽입된 경계면에 배치될 수 있다.The package body may be formed by inserting and injecting the first lead frame and the second lead frame, and the paraline layer may be disposed on an interface at which at least one of the first lead frame and the second lead frame is inserted into the package body. have.

제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나가 상기 패키지 몸체에 삽입된 경계면을 상기 패럴린층이 둘러쌀 수 있다.The parallel layer may surround an interface where at least one of a first lead frame and a second lead frame is inserted into the package body.

패럴린층은 poly-para-xylyene 중합체가 코팅될 수 있다.The paraline layer may be coated with a poly-para-xylyene polymer.

다른 실시예는 상술한 발광소자 패키지를 포함하는 조명시스템을 제공한다.Another embodiment provides an illumination system including the light emitting device package described above.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 패키지 몸체와 리드 프레임의 사이에 패럴린층이 증착 내지 코팅되어, 외부로부터 공기나 수분 등의 이물질의 침입이 차단되어 발광소자 패키지의 내구성이 향상된다.In the light emitting device package according to the embodiment, the paraline layer is deposited or coated between the package body and the lead frame, thereby preventing the intrusion of foreign matter such as air or moisture from the outside, thereby improving durability of the light emitting device package.

도 1은 종래의 발광소자 패키지의 단면도이고,
도 2는 발광소자 패키지의 일실시예의 단면도이고,
도 3은 도 2의 발광소자 패키지 내의 발광소자의 일실시예의 단면도이고,
도 4는 도 2의 발광소자 패키지의 상면도이고,
도 5는 발광소자 패키지의 제조공정을 나타낸 도면이고,
도 6은 발광소자 패키지의 다른 실시예의 단면도이고,
도 7은 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치의 일실시예의 분해 사시도이고,
도 8은 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
1 is a cross-sectional view of a conventional light emitting device package,
2 is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device package,
3 is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device in the light emitting device package of FIG.
4 is a top view of the light emitting device package of FIG.
5 is a view showing a manufacturing process of a light emitting device package,
6 is a cross-sectional view of another embodiment of a light emitting device package;
7 is an exploded perspective view of an embodiment of a lighting device including a light emitting device package according to the embodiments,
8 is a diagram illustrating an example of a display device including a light emitting device package according to embodiments.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, when described as being formed on the "on or under" of each element, the (up) or down (on) or under) includes both two elements being directly contacted with each other or one or more other elements are formed indirectly between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 2는 발광소자 패키지의 일실시예의 단면도이고, 도 3은 도 2의 발광소자 패키지 내의 발광소자의 일실시예의 단면도이며, 도 4는 도 2의 발광소자 패키지의 상면도이다.2 is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device package, FIG. 3 is a cross-sectional view of an embodiment of a light emitting device in the light emitting device package of FIG. 2, and FIG. 4 is a top view of the light emitting device package of FIG. 2.

실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 패키지 몸체(210)와, 상기 패키지 몸체(210)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 221) 및 제2 리드 프레임(222)과, 상기 패키지 몸체(210)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 측면 및/또는 상부를 둘러싸는 몰딩부(250)를 포함한다.The light emitting device package 200 according to the embodiment includes a package body 210, a first lead frame 221 and a second lead frame 222 installed on the package body 210, and the package body ( The light emitting device 100 according to the exemplary embodiment installed in the 210 and electrically connected to the first lead frame 221 and the second lead frame 222, and the side and / or the top of the light emitting device 100. The enclosing molding part 250 is included.

패키지 몸체(210)는 PPA(Polyphthalamide) 수지, 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 패키지 몸체(210)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 패키지 몸체(210)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(221, 222) 간의 전기전 단락을 방지할 수 있다.The package body 210 may include a polyphthalamide (PPA) resin, a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. If the package body 210 is made of a conductive material such as a metal material, although not shown, an insulating layer is coated on the surface of the package body 210 to short-circuit an electrical short circuit between the first and second lead frames 221 and 222. Can be prevented.

상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 구리(Cu) 등의 도전성 물질로 이루어지고 상기 발광 소자(100)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 221 and the second lead frame 222 are electrically separated from each other, and supplies a current to the light emitting device 100. In addition, the first lead frame 221 and the second lead frame 222 may be made of a conductive material such as copper (Cu) and reflect light generated by the light emitting device 100 to increase light efficiency. In addition, heat generated from the light emitting device 100 may be discharged to the outside.

상기 발광 소자(100)는 수평형 발광소자, 수직형 발광소자 또는 플립형 발광소자일 수 있으며, 상기 패키지 몸체(210)에 형성된 캐비티의 바닥면(210c)에 설치되거나 상기 제1 리드 프레임(221) 또는 제2 리드 프레임(222) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 100 may be a horizontal light emitting device, a vertical light emitting device, or a flip light emitting device, and may be installed on the bottom surface 210c of the cavity formed in the package body 210 or the first lead frame 221. Alternatively, the second lead frame 222 may be installed.

도 3에 도시된 실시예는 수직형 발광소자(100)를 도시하고 있으며, 발광소자(100)는 도전성 지지기판(metal support, 160) 상에 접합층(150)과 반사층(140)과 오믹층(130)과 발광 구조물(120)과 저온 산화막(180)을 포함하여 이루어진다.3 illustrates a vertical light emitting device 100, and the light emitting device 100 includes a bonding layer 150, a reflective layer 140, and an ohmic layer on a conductive support substrate 160. And a light emitting structure 120 and a low temperature oxide film 180.

도전성 지지기판(160)은 제2 전극의 역할을 할 수 있으므로 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.Since the conductive support substrate 160 may serve as a second electrode, a metal having excellent electrical conductivity may be used, and a metal having high thermal conductivity may be used because it must be able to sufficiently dissipate heat generated when the light emitting device is operated.

상기 도전성 지지기판(160)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The conductive support substrate 160 may be made of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu), and aluminum (Al) or an alloy thereof. , Gold (Au), copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafers (e.g. GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3, etc.) may be optionally included.

상기 도전성 지지기판(160)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.The conductive support substrate 160 may have a mechanical strength enough to be separated into a separate chip through a scribing process and a breaking process without causing warping of the entire nitride semiconductor.

접합층(150)은 상기 반사층(140)과 상기 도전성 지지기판(160)을 결합하며, 상기 반사층(140)이 결합층(adhesion layer)의 기능을 수행할 수도 있다. 상기 접합층은(150) 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다The bonding layer 150 may combine the reflective layer 140 and the conductive support substrate 160, and the reflective layer 140 may function as an adhesion layer. The bonding layer (150) is composed of gold (Au), tin (Sn), indium (In), aluminum (Al), silicon (Si), silver (Ag), nickel (Ni) and copper (Cu) It may be formed of a material selected from or alloys thereof.

상기 반사층(140)은 약 2500 옹스르통의 두께일 수 있다. 상기 반사층(140)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(124)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.The reflective layer 140 may be about 2500 angstroms thick. The reflective layer 140 may be formed of a metal layer including aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), or an alloy containing Al, Ag, Pt, or Rh. have. Aluminum or silver may effectively reflect light generated from the active layer 124 to greatly improve the light extraction efficiency of the light emitting device.

상기 발광 구조물(120), 특히 상기 제2 도전형 반도체층(126)은 불순물 도핑 농도가 낮아 접촉 저항이 높으며 그로 인해 오믹 특성이 좋지 못할 수 있으므로, 이러한 오믹 특성을 개선하기 위해 오믹층(130)으로 투명 전극 등을 형성할 수 있다.Since the light emitting structure 120, in particular, the second conductive semiconductor layer 126 has a low impurity doping concentration and a high contact resistance, and thus may not have good ohmic characteristics, the ohmic layer 130 may be improved. Transparent electrodes and the like can be formed.

상기 오믹층(130)은 약 200 옹스트롱의 두께일 수 있다. 상기 오믹층(130)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The ohmic layer 130 may be about 200 angstroms thick. The ohmic layer 130 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin (IGTO). oxide), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZO (IZO Nitride), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt At least one of Au, Hf, and the like may be formed, and the material is not limited thereto.

상기 발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122)과 상기 제1 도전형 반도체층(122) 상에 형성되고 광을 방출하는 활성층(124)과 상기 활성층(124) 상에 형성된 제2 도전형 반도체층(126)을 포함한다.The light emitting structure 120 is formed on the first conductivity type semiconductor layer 122 and the first conductivity type semiconductor layer 122 and the active layer 124 for emitting light and the second layer formed on the active layer 124. And a conductive semiconductor layer 126.

상기 제1 도전형 반도체층(122)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductivity type semiconductor layer 122 may be implemented as a group III-V compound semiconductor doped with a first conductivity type dopant, and when the first conductivity type semiconductor layer 122 is an N-type semiconductor layer, The first conductive dopant may be an N-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, or Te, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). It may include. The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP.

활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이고, 활성층(124)에서 방출되는 빛은 가시광선 영역 외에 자외선 영역의 광이 방출될 수도 있다.In the active layer 124, electrons injected through the first conductive semiconductor layer 122 and holes injected through the second conductive semiconductor layer 126 formed thereafter meet each other to form an energy band unique to the active layer (light emitting layer) material. The layer may emit light having energy determined by the light, and the light emitted from the active layer 124 may emit light in the ultraviolet region in addition to the visible region.

상기 활성층(124)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(124)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 124 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 124 may be formed by injecting trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) to form a multi-quantum well structure. It is not limited to this.

상기 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer / barrier layer of the active layer 124 is formed of one or more pair structures of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP. But it is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a lower band gap than the band gap of the barrier layer.

상기 활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(164)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 갖을 수 있다.A conductive cladding layer (not shown) may be formed on or under the active layer 124. The conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor, and may have a higher band gap than the band gap of the active layer 164.

상기 제2 도전형 반도체층(126)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity-type semiconductor layer 126 may be a Group III-V compound semiconductor doped with a second conductivity type dopant, for example, In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, Semiconductor material having a composition formula of 0 ≦ x + y ≦ 1). When the second conductive semiconductor layer 126 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, and the like as a P-type dopant.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 p형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 122 may include a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 126 may include an n-type semiconductor layer.

발광 구조물(120)의 상부, 즉 제1 도전형 반도체층(122)의 표면에는 저온 산화막(170, Low Temperature Oxide)이 형성될 수 있다. 저온 산화막(170)은 투광성 물질로 이루어질 수 있는데, ITO나 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하고, 표면에 요철이 형성되어 발광 구조물(120)에서 방출되는 빛의 지향각을 조절할 수 있다.A low temperature oxide layer 170 may be formed on the light emitting structure 120, that is, on the surface of the first conductivity type semiconductor layer 122. The low temperature oxide film 170 may be formed of a light transmissive material. The low temperature oxide film 170 may include ITO or silicon oxide (SiO 2 ), and irregularities may be formed on a surface thereof to adjust a directing angle of light emitted from the light emitting structure 120.

그리고, 저온 산화막(170)의 표면에는 제1 전극(190)이 형성될 수 있는데, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.In addition, the first electrode 190 may be formed on the surface of the low temperature oxide layer 170, and may include aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au). It may be formed in a single layer or a multi-layer structure, including at least one.

발광 구조물(120)의 측면에는 패시베이션층(passivation layer, 180)이 형성되는데, 저온 산화막(170)의 측면에도 형성될 수 있다.A passivation layer 180 may be formed on the side surface of the light emitting structure 120, and may also be formed on the side surface of the low temperature oxide layer 170.

상기 패시베이션층(180)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 상기 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(180)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.The passivation layer 180 may be made of an insulating material, and the insulating material may be made of an oxide or nitride which is non-conductive. As an example, the passivation layer 180 may be formed of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer.

본 실시예에서는 제1 리드 프레임(221)과 발광소자(100)가 도전성 접착층(230)을 통하여 전기적으로 연결되고, 제2 리드 프레임(122)과 상기 발광소자(100)는 와이어(240)를 통하여 연결되어 있다. 발광소자(100)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 등에 의하여 제1,2 리드 프레임(221, 222)과 연결될 수 있다.In the present embodiment, the first lead frame 221 and the light emitting device 100 are electrically connected through the conductive adhesive layer 230, and the second lead frame 122 and the light emitting device 100 connect the wire 240. It is connected through. The light emitting device 100 may be connected to the first and second lead frames 221 and 222 by a flip chip method or a die bonding method in addition to the wire bonding method.

상기 몰딩부(250)는 상기 발광 소자(100)를 둘러싸며 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(250)에는 형광체(260)가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 상기 몰딩부(250)는 적어도 발광소자(100)와 와이어(240)를 덮으며 형성될 수 있다.The molding part 250 may surround and protect the light emitting device 100. In addition, the molding part 250 may include a phosphor 260 to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100. The molding part 250 may be formed to cover at least the light emitting device 100 and the wire 240.

그리고, 상기 발광소자(100)에서 방출된 제1 파장 영역의 광이 상기 형광체(260)에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광으로 변환되고, 상기 제2 파장 영역의 광은 렌즈(미도시) 등의 광경로 변환 유닛을 통과하면서 광경로가 변경될 수 있다.In addition, the light of the first wavelength region emitted from the light emitting device 100 is excited by the phosphor 260 and converted into the light of the second wavelength region, and the light of the second wavelength region is a lens (not shown). The light path may be changed while passing through the light path conversion unit.

렌즈(미도시)는 몰딩부(250)와 패키지 몸체(210)의 상부에 배치되고, 발광소자(100)에서 방출되어 형광체에서 파장이 변환된 빛의 광경로를 변환시킬 수 있으며, 특히 백라이트 유닛 내에서 발광소자 패키지가 사용될 때 지향각을 조절할 수 있다.A lens (not shown) may be disposed on the molding unit 250 and the package body 210, and may convert an optical path of light emitted from the light emitting device 100 to convert wavelengths from the phosphor, in particular, a backlight unit. When the light emitting device package is used within the direction angle can be adjusted.

렌즈(미도시)는 광투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 일 예로써 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 또는 레진 사출물로 이루어질 수 있다.The lens (not shown) is made of a material having good light transmittance, and for example, may be made of PolyMethylMethAcrylate (PMMA), Polycarbonate (PC), PolyEthylene (PE) or resin injection molding. .

도 1에서 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)과 패키지 몸체(210)의 사이에는 패럴린층(270a, 270b)이 배치되어 있다.In FIG. 1, parallel layers 270a and 270b are disposed between the first lead frame 221, the second lead frame 222, and the package body 210.

제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)과 패키지 몸체(210)의 외측벽 사이에 패럴린층(270a)이 형성되고 있으며, 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)과 패키지 몸체(210)의 내측벽 사이에도 패럴린층(270b)이 배치되고 있다.The paraline layer 270a is formed between the first lead frame 221 and the second lead frame 222 and the outer wall of the package body 210, and the first lead frame 221 and the second lead frame 222 are formed. The parallel layer 270b is disposed between the inner wall of the package body 210 and the package body 210.

상기 패키지 몸체(210)의 외측벽에 형성된 패럴린층(270a)은 도 1의 'B'영역을, 그리고 상기 패키지 몸체(210)의 내측벽에 형성된 패럴린층(270b)은 도 1의 'A' 영역을 각각 밀봉하여 외부로부터 수분이나 공기 등의 이물질이 패키지 몸체(210)와 제1,2 리드 프레임(221, 222) 사이로 침투하는 것을 방지한다.The paraline layer 270a formed on the outer wall of the package body 210 is the 'B' region of FIG. 1, and the paraline layer 270b formed on the inner wall of the package body 210 is the 'A' region of FIG. 1. Each of the seals prevents foreign matter such as moisture or air from penetrating between the package body 210 and the first and second lead frames 221 and 222.

패키지 몸체(210)의 내측벽에, 즉 캐비티의 내부에 배치된 패럴린층(270b)은 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 가장 자리를 덮으며 배치될 수 있고, 도시된 바와 같이 제1,2 리드 프레임(221, 222) 전체를 덮으며 배치될 수도 있다.The paraline layer 270b disposed on the inner wall of the package body 210, ie, inside the cavity, may be disposed covering the edges of the first and second lead frames 221 and 222. The first and second lead frames 221 and 222 may be disposed to cover the whole.

패럴린층(270b)이 발광소자 패키지(200)의 휘도를 저하시킬 수 있으므로, 캐비티의 바닥면(210c)과 측벽(210b)의 대부분 영역에서 패럴린층(270b)이 배치되지 않을 수 있는데, 마스크를 사용할 수 있는데 구체적인 방법은 후술한다.Since the paraline layer 270b may lower the brightness of the light emitting device package 200, the paraline layer 270b may not be disposed in most areas of the bottom surface 210c and the sidewall 210b of the cavity. It can be used, but the specific method will be described later.

캐비티의 내부에서 패럴린층(270b)은 제1 리드 프레임(221) 상의 영역 중에서 발광소자(100)가 배치되는 영역에는 형성되지 않을 수 있고, 제2 리드 프레임(222) 상의 영역 중에서 와이어(240)가 본딩되는 영역에도 패럴린층(270b)이 배치되지 않을 수 있다.The paraline layer 270b may not be formed in a region on the first lead frame 221 where the light emitting device 100 is disposed, and the wire 240 may be formed in the cavity on the second lead frame 222. The paraline layer 270b may not be disposed even in the region to which the paraffin is bonded.

도 2와 도 4에서, 패럴린층(270a, 270b)은 패키지 몸체(210)와 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 경계면을 둘러싸며 코팅되어, 상기 패키지 몸체(210)와 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 경계면으로 수분이나 공기 등의 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있다.2 and 4, the paraline layers 270a and 270b are coated to surround the interface between the package body 210 and the first and second lead frames 221 and 222, so that the package body 210 and the first, 2 It is possible to prevent foreign matter such as moisture or air from penetrating into the interface between the lead frames 221 and 222.

패키지 몸체(210)는 사출되어 형성되는데, 상기 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)이 패키지 몸체(210)에 삽입되어 사출될 수 있으며, 상기 패럴린층(270a, 270b)은 상기 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222) 중 적어도 하나가 상기 패키지 몸체(210)에 삽입된 경계면에 배치될 수 있다. 상기 패럴린층(270a, 270b)은 poly-para-xylyene 중합체를 포함하여 배치될 수 있다.The package body 210 is formed by injection, and the first lead frame 221 and the second lead frame 222 may be inserted into the package body 210 to be injected, and the paraline layers 270a and 270b may be injected. At least one of the first lead frame 221 and the second lead frame 222 may be disposed on an interface inserted into the package body 210. The paraline layers 270a and 270b may include a poly-para-xylyene polymer.

도 5는 발광소자 패키지의 제조공정을 나타낸 도면이다.5 is a view illustrating a manufacturing process of a light emitting device package.

패럴린층(270a, 270b)은 패키지 몸체(210)의 일부 영역에만 형성되는데, 패키지 몸체(210)의 일부 영역에 마스크(300)를 씌우고 패럴린층(270a, 270b)을 증착할 수 있다.The paraline layers 270a and 270b are formed only in a portion of the package body 210, and may cover the mask 300 on a portion of the package body 210 and deposit the paraline layers 270a and 270b.

도 5에서 제1,2 리드 프레임(221, 222)이 삽입되어 패키지 몸체(210)가 사출되어 있고, 마스크(300)가 캐비티의 바닥면(210c)과 측벽(210b)과 패키지 몸체(210)의 상부면(210a)의 일부에 배치되어 있다.In FIG. 5, the first and second lead frames 221 and 222 are inserted to eject the package body 210, and the mask 300 includes the bottom surface 210c and sidewalls 210b and the package body 210 of the cavity. It is disposed on a part of the upper surface 210a of the.

패키지 몸체(210)의 외부에 돌출되어 배치된 제1,2 리드 프레임(221, 222)과, 패키지 몸체(210)의 경계면에서는 패럴린층(270a)이 배치될 때 마스크를 사용하지 않을 수도 있는데, 패키지 몸체(210)의 외부에서 패럴린층(270a)이 증착 내지 코팅되어도 광특성과 무관할 수 있기 때문이다.The first and second lead frames 221 and 222 protruding from the outside of the package body 210 and the boundary surface of the package body 210 may not use a mask when the paraline layer 270a is disposed. This is because even if the paraline layer 270a is deposited or coated on the outside of the package body 210, it may be irrelevant to optical properties.

패키지 몸체(210)의 캐비티 내부에서는 패럴린층(270b)이 많이 코팅 내지 증착되면 광특성이 저하될 수 있으므로, 마스크(300)를 사용한다. 마스크(300)는 패키지 몸체(210)의 상부면(210a)의 일부로부터 캐비티의 측벽(210b)과 캐비티의 바닥면(210c)까지 배치될 수 있다. 캐비티의 바닥면(210c)에서 제1,2 리드 프레임(221, 222)이 일부 노출되는데, 상기 노출 영역을 포함한 영역에서 마스크(300)가 배치되지 않을 수 있고, 마스크(300)가 노출되지 않은 영역에서 패럴린층(270b)이 증착 내지 코팅될 수 있다. 제1,2 리드 프레임(221, 222) 상의 영역 중에서 발광소자가 후에 배치될 영역(D)과 와이어가 본딩될 영역(C)에는 마스크(300)가 배치되어 패럴린층(270b)의 증착을 방지할 수 있다.In the cavity of the package body 210, when the paraline layer 270b is coated or deposited, the optical property may be degraded. Thus, the mask 300 is used. The mask 300 may be disposed from a portion of the upper surface 210a of the package body 210 to the side wall 210b of the cavity and the bottom surface 210c of the cavity. The first and second lead frames 221 and 222 are partially exposed from the bottom surface 210c of the cavity, and the mask 300 may not be disposed in the area including the exposed area, and the mask 300 is not exposed. In the region, the paraline layer 270b may be deposited or coated. The mask 300 is disposed in the region D on which the light emitting device is to be disposed later and the region C in which the wire is to be bonded among the regions on the first and second lead frames 221 and 222 to prevent the deposition of the paraline layer 270b. can do.

도 6은 발광소자 패키지의 다른 실시예의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of another embodiment of a light emitting device package.

본 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 도 2에 도시된 실시예와 유사하나, 형광체가 컨포멀 코팅층(conformal coating layer, 265)를 이루고 있다. 몰딩부(250)는 실리콘 수지 등으로 이루어지며 발광소자(100)와 와이어(240)를 밀봉하고 있으며, 형광체가 상기 몰딩부(250) 위에 별도로 컨포멀 코팅층(265)을 이루고 있다.The light emitting device package 200 according to the present embodiment is similar to the embodiment shown in FIG. 2, but the phosphor forms a conformal coating layer 265. The molding part 250 is made of a silicone resin and seals the light emitting device 100 and the wire 240, and a phosphor forms a conformal coating layer 265 separately on the molding part 250.

본 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 패키지 몸체(210)와 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 밀봉 효과가 뛰어나고, 컨포멀 코팅층(265) 내에 형광체가 고루 분포되어 발광소자(100)로부터 방출된 빛의 파장을 고르게 변화시킬 수 있다.The light emitting device package 200 according to the present exemplary embodiment has an excellent sealing effect between the package body 210 and the first and second lead frames 221 and 222, and the phosphors are uniformly distributed in the conformal coating layer 265 so that the light emitting device ( 100 can evenly change the wavelength of light emitted from.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to the embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on an optical path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. Another embodiment may be implemented as a display device, an indicator device, or a lighting system including the semiconductor light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments, and for example, the lighting system may include a lamp or a street lamp. .

이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 조명장치와 백라이트 유닛을 설명한다.Hereinafter, an illumination device and a backlight unit will be described as an embodiment of a lighting system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 7은 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.7 is a diagram illustrating an embodiment of a lighting apparatus in which a light emitting device package is disposed.

실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(600)과 상기 광원(600)이 내장되는 하우징(400)과 상기 광원(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 상기 광원(600)과 방열부(500)를 상기 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.The lighting apparatus according to the embodiment includes a light source 600 for projecting light, a housing 400 in which the light source 600 is embedded, a heat dissipation part 500 for dissipating heat from the light source 600, and the light source 600. And a holder 700 for coupling the heat dissipation part 500 to the housing 400.

상기 하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 상기 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 몸체부(420)를 포함한다. 몸체부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 400 includes a socket coupling part 410 coupled to an electric socket and a body part 420 connected to the socket coupling part 410 and having a light source 600 embedded therein. One air flow port 430 may be formed in the body portion 420.

상기 하우징(400)의 몸체부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 상기 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.A plurality of air flow openings 430 are provided on the body portion 420 of the housing 400. The air flow openings 430 may be formed of one air flow openings or a plurality of flow openings may be radially arranged Various other arrangements are also possible.

상기 광원(600)은 회로 기판(610) 상에 복수 개의 상술한 발광소자 패키지(650)가 구비된다. 상기 발광소자 패키지(650)는 상술한 실시예에 따르며, 패럴린층이 패키지 몸체와 제1,2 리드 프레임의 경계면을 둘러싸여 내구성과 기밀성이 우수하다. 여기서, 상기 회로 기판(610)은 상기 하우징(400)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있다.The light source 600 includes a plurality of light emitting device packages 650 on the circuit board 610. The light emitting device package 650 is according to the above-described embodiment, and the paraline layer surrounds the interface between the package body and the first and second lead frames, thereby providing excellent durability and airtightness. Here, the circuit board 610 may have a shape that can be inserted into the opening of the housing 400.

상기 광원의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 상기 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 상기 광원(100)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 상기 광원(100)의 발광소자 패키지(150)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.A holder 700 is provided below the light source, and the holder 700 may include a frame and another air flow port. In addition, although not shown, an optical member may be provided under the light source 100 to diffuse, scatter, or converge light projected from the light emitting device package 150 of the light source 100.

도 8은 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.8 is a diagram illustrating an embodiment of a display device in which a light emitting device package is disposed.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시장치(800)는 광원 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(820) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.As shown, the display device 800 according to the present exemplary embodiment is disposed in front of the light source modules 830 and 835, the reflector 820 on the bottom cover 820, and the reflector 820. The light guide plate 840 for guiding light emitted from the front of the display device, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 disposed in front of the light guide plate 840, and the second prism sheet ( And a color filter 880 disposed in front of the panel 870 disposed in front of the panel 870.

광원 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 상술한 실시예에 따르며, 패럴린층이 패키지 몸체와 제1,2 리드 프레임의 경계면을 둘러싸여 내구성과 기밀성이 우수하다.The light source module includes the above-described light emitting device package 835 on the circuit board 830. Here, the circuit board 830 may be used, such as a PCB, the light emitting device package 835 according to the above-described embodiment, the paraline layer is surrounded by the interface between the package body and the first and second lead frame, excellent durability and airtightness Do.

상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다.상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may accommodate components in the display device 800. The reflective plate 820 may be provided as a separate component as shown in the drawing, or may be disposed on the rear surface of the light guide plate 840, or The bottom cover 810 may be provided in the form of a coating with a highly reflective material.

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.The light guide plate 840 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 830 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). In addition, the light guide plate may be omitted, and thus an air guide method in which light is transmitted in the space on the reflective sheet 820 may be possible.

상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 is formed of a translucent and elastic polymer material on one surface of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be provided in the stripe type and the valley repeatedly as shown.

상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the direction of the floor and the valley of one surface of the support film may be perpendicular to the direction of the floor and the valley of one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to evenly distribute the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 870.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which is composed of another combination, for example, a micro lens array or a diffusion sheet and a micro lens array. Or a combination of one prism sheet and a micro lens array.

상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.The liquid crystal display panel (Liquid Crystal Display) may be disposed on the panel 870, in addition to the liquid crystal display panel 860 may be provided with other types of display devices that require a light source.

상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.The panel 870 is a state in which the liquid crystal is located between the glass body and the polarizing plate is placed on both glass bodies in order to use the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.The front surface of the panel 870 is provided with a color filter 880 to transmit the light projected from the panel 870, only the red, green and blue light for each pixel can represent an image.

상술한 표시장치는 내부에 배치된 발광소자 패키지의 내구성이 향상되므로, 표시 장치의 수명 연장과 색감 저하를 방지할 수 있다.Since the display device described above has improved durability of the light emitting device package disposed therein, it is possible to prevent prolongation of life of the display device and reduction of color.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100 : 발광소자 120 : 발광 구조물
122, 126 : 제1,2 도전형 반도체층 124 : 활성층
130 : 오믹층 140 : 반사층
150 : 접합층 160 : 도전성 지지기판
170 : 저온 산화막 180 : 패시베이션층
190 : 제1 전극 200 : 발광소자 패키지
210 : 패키지 몸체 221, 222 : 제1,2 리드 프레임
230 : 도전성 접착층 240 : 와이어
250 : 몰딩부 260 : 형광체
300 : 마스크 400 : 하우징
500 : 방열부 600 : 광원
700 : 홀더 800 : 표시장치
810 : 바텀 커버 820 : 반사판
830 : 회로 기판 모듈 840 : 도광판
850, 860 : 제1,2 프리즘 시트 870 : 패널
880 : 컬러필터
100 light emitting device 120 light emitting structure
122 and 126: first and second conductivity type semiconductor layers 124: active layer
130: ohmic layer 140: reflective layer
150: bonding layer 160: conductive support substrate
170: low temperature oxide film 180: passivation layer
190: first electrode 200: light emitting device package
210: package body 221, 222: first and second lead frame
230: conductive adhesive layer 240: wire
250 molding unit 260 phosphor
300: mask 400: housing
500: radiator 600: light source
700: holder 800: display device
810: bottom cover 820: reflector
830: circuit board module 840: light guide plate
850, 860: first and second prism sheet 870: panel
880 color filter

Claims (10)

캐비티를 가지는 패키지 몸체;
상기 캐비티의 바닥면에 배치된 발광소자;
상기 발광소자와 각각 전기적으로 연결되고, 상기 패키지 몸체와 결합되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및
상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나와 상기 패키지 몸체의 사이에 배치된 패럴린층을 포함하는 발광소자 패키지.
A package body having a cavity;
A light emitting element disposed on the bottom surface of the cavity;
First and second lead frames electrically connected to the light emitting devices, respectively, and coupled to the package body; And
A light emitting device package comprising a paraline layer disposed between at least one of the first lead frame and the second lead frame and the package body.
제 1 항에 있어서,
상기 패럴린층은 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나와 상기 패키지 몸체의 내측벽의 사이에 배치되는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
And the paraline layer is disposed between at least one of the first lead frame and the second lead frame and an inner wall of the package body.
제 1 항에 있어서,
상기 패럴린층은 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나와 상기 패키지 몸체의 외측벽의 사이에 배치되는 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
And the paraline layer is disposed between at least one of the first lead frame and the second lead frame and an outer wall of the package body.
제 1 항에 있어서,
상기 발광소자는 상기 제1 리드 프레임과 접촉하고, 상기 발광소자와 상기 제1 리드 프레임의 접촉 영역에는 상기 패럴린층이 배치되지 않은 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The light emitting device is in contact with the first lead frame, the light emitting device package in which the parallel layer is not disposed in the contact region of the light emitting device and the first lead frame.
제 1 항에 있어서,
상기 발광소자는 상기 제2 리드 프레임과 와이어 본딩되고, 상기 제2 리드 프레임의 와이어 본딩 영역에는 상기 패럴린층이 배치되지 않은 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The light emitting device is wire-bonded with the second lead frame, the light emitting device package is not disposed in the wire bonding region of the second lead frame.
제 1 항에 있어서,
상기 패럴린층은 상기 패키지 몸체의 일부 영역에 마스크를 씌우고 증착된 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The paraline layer is a light emitting device package deposited on a mask covering a portion of the package body.
제 1 항에 있어서,
상기 패키지 몸체는 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임이 삽입되고 사출되어 형성되고, 상기 패럴린층은 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나가 상기 패키지 몸체에 삽입된 경계면에 배치된 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The package body is formed by inserting and injecting the first lead frame and the second lead frame, and the paraline layer is disposed on an interface where at least one of the first lead frame and the second lead frame is inserted into the package body. Light emitting device package.
제 7 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나가 상기 패키지 몸체에 삽입된 경계면을 상기 패럴린층이 둘러싸는 발광소자 패키지.
The method of claim 7, wherein
And a light emitting device package surrounding the interface between at least one of the first lead frame and the second lead frame inserted into the package body.
제 1 항에 있어서,
상기 패럴린층은 poly-para-xylyene 중합체가 코팅된 발광소자 패키지.
The method of claim 1,
The paraline layer is a light emitting device package coated with a poly-para-xylyene polymer.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지를 포함하는 조명시스템.10. An illumination system comprising the light emitting device package of any one of claims 1-9.
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