KR20130013468A - 발광디바이스의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시형태에 따른 발광디바이스의 제조방법은,
접착층 상에 복수의 발광소자를 실장하는 단계; 누름 부재를 사용하여 상기 복수의 발광소자의 상면이 서로 평행하도록 정렬시키는 단계; 형광물질이 함유된 수지를 도포하여 상기 접착층 상에 상기 복수의 발광소자를 덮는 파장변환부를 형성하는 단계; 누름 부재를 사용하여 상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계; 및 상기 접착층을 상기 복수의 발광소자로부터 분리하는 단계;를 포함한다.

Description

발광디바이스의 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광디바이스의 제조방법에 관한 것이다.
최근 개인 휴대전화나 PDA 등과 같은 이동통신 단말기는 물론 각종 전자제품에는 전기적 신호에 따라 발광이 이루어지도록 하는 발광다이오드(Light Emitting Diode : LED)가 발광원으로 널리 사용되고 있다.
이러한 LED는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 발광소자의 일종이다.
LED는 함유되는 조성물에 따라서 적색광, 청색광, 녹색광, 자외선광을 각각 방출하며, 각 LED에서 방출되는 적색광과 청색광 및 녹색광을 혼합하여 백색광을 구현한다. 그러나, 이러한 백색광 구현방식은 복수개의 LED를 사용해야 하는 문제와 색감을 균일하게 구현하기 어렵다는 단점이 있다.
따라서, 일반적으로는 파장변환을 위한 형광물질을 실리콘 등의 수지와 함께 믹싱하여 도포하는 방식으로 백색 LED를 제조한다. 이를 통해 LED에서 방출된 청색광 또는 자외선광 등을 백색광으로 전환함으로써 단일의 색인 백색광만을 구현할 수 있다.
그러나, 형광물질을 수지와 함께 믹싱하여 도포하는 방식은 LED의 표면에 형성되는 파장변환부의 높이가 균일하지 못하다는 문제가 있다. 특히, 대량생산 공정을 통해 제조되는 LED들의 경우 파장변환부의 높이 산포가 요구사항에 미달되는 문제가 발생한다.
본 발명의 목적 중 하나는 표면에 파장변환부가 형성된 발광소자를 대량생산을 통해 제조하는데 있어서 파장변환부의 높이가 균일하도록 하여 높이 산포가 요구사양을 만족하는 발광디바이스의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 발광디바이스의 제조방법은,
접착층 상에 복수의 발광소자를 실장하는 단계; 누름 부재를 사용하여 상기 복수의 발광소자의 상면이 서로 평행하도록 정렬시키는 단계; 형광물질이 함유된 수지를 도포하여 상기 접착층 상에 상기 복수의 발광소자를 덮는 파장변환부를 형성하는 단계; 누름 부재를 사용하여 상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계; 및 상기 접착층을 상기 복수의 발광소자로부터 분리하는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수의 발광소자를 실장하는 단계는, 전극 패드가 구비된 하면이 상기 접착층과 접하도록 상기 발광소자를 상기 접착층 상에 각각 올려놓을 수 있다.
또한, 상기 복수의 발광소자를 평행하게 정렬시키는 단계는, 자동 시준기를 사용하여 상기 누름 부재를 수평 상태로 상기 복수의 발광소자 상에 배치시키는 단계; 및 상기 복수의 발광소자의 상면 전체를 상기 누름 부재로 누르는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수의 발광소자를 평행하게 정렬시키는 단계는, 상기 누름 부재의 하면이 걸려 이동을 멈추도록 하는 스토퍼를 통해 상기 누름 부재로 누르는 높이를 제어할 수 있다.
또한, 상기 복수의 발광소자를 평행하게 정렬시키는 단계는, 상기 복수의 발광소자의 각 상면이 서로 동일 평면상에 위치하도록 상기 누름 부재로 누를 수 있다.
또한, 상기 파장변환부를 형성하는 단계는, 프린팅 방법을 통해 적어도 한 종류 이상의 형광물질이 함유된 수지로 상기 복수의 발광소자를 일괄하여 도포할 수 있다.
또한, 상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계는, 자동 시준기를 사용하여 상기 누름 부재를 수평 상태로 상기 파장변환부 상에 배치시킬 수 있다.
또한, 상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계는, 상기 누름 부재의 하면이 걸려 이동을 멈추도록 하는 스토퍼를 통해 상기 누름 부재로 누르는 높이를 제어할 수 있다.
또한, 상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계는, 상기 복수의 발광소자의 각 상면과 상기 파장변환부의 상면 사이의 간격이 균일하도록 할 수 있다.
또한, 상기 누름 부재는 투광성 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 누름 부재의 하면에는 이형제가 구비될 수 있다.
또한, 상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계 이후 상기 파장변환부를 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 파장변환부를 다이싱하여 개별 발광소자로 분할하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광소자의 파장변환부는 상면에서의 표면 거칠기가 다이싱된 측면에서의 표면 거칠기보다 작을 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면 표면에 파장변환부가 형성된 발광소자를 대량생산을 통해 제조하는데 있어서 파장변환부의 높이가 전체적으로 균일하도록 하여 높이 산포가 요구사항을 만족하도록 할 수 있다.
도 1은 접착층 상에 복수의 발광소자를 실장하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 접착층 상에 실장된 발광소자 상면을 누름 부재를 통해 누르는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 접착층 상에 실장된 발광소자의 실장상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2의 누름 부재를 자동 시준기를 통해 평행 상태를 유지시키는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 자동 시준기의 작동원리를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 복수의 발광소자를 덮도록 형광물질이 포함된 수지를 도포하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 도포된 형광물질이 포함된 수지의 상면을 평탄화하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7의 평탄화된 형광물질이 포함된 수지를 경화시켜 파장변환부를 형성하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 9는 파장변환부가 형성된 복수의 발광소자를 접착층과 분리하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 10은 커팅 장치를 통해 개발 발광소자로 분할하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 11은 도 10의 분할된 발광소자를 접착층에서 분리하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는 파장변환부가 형성된 발광소자를 사용한 조명용 광원 모듈을 개략적으로 나타내는 도면이다.
본 발명의 실시형태에 따른 발광디바이스의 제조방법에 관한 사항을 도면을 참조하여 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명되는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
따라서, 도면에 도시된 구성요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 도면 상에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 참조부호를 사용할 것이다.
도 1 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광디바이스의 제조방법에 대해 설명한다.
도 1은 접착층 상에 복수의 발광소자를 실장하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 접착층 상에 실장된 발광소자 상면을 누름 부재를 통해 누르는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 3은 도 1의 접착층 상에 실장된 발광소자의 실장상태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 4는 도 2의 누름 부재를 자동 시준기를 통해 평행 상태를 유지시키는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 자동 시준기의 작동원리를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 6은 복수의 발광소자를 덮도록 형광물질이 포함된 수지를 도포하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 7은 도 6의 도포된 형광물질이 포함된 수지의 상면을 평탄화하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 8은 도 7의 평탄화된 형광물질이 포함된 수지를 경화시켜 파장변환부를 형성하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 9는 파장변환부가 형성된 복수의 발광소자를 접착층과 분리하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 10은 커팅 장치를 통해 개발 발광소자로 분할하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 11은 도 10의 분할된 발광소자를 접착층에서 분리하는 단계를 개략적으로 나타내는 도면이다.
우선, 도 1에서 도시하는 바와 같이, 접착층(100) 상에 복수의 발광소자(10)를 실장한다.
상기 접착층(100)은 상기 발광소자(10)를 실장하여 고정시키는 지지수단의 일종이다. 상기 접착층(100)의 하면에는 상기 접착층(100)이 평행 상태를 유지할 수 있도록 지지하는 기판(110)이 더 구비될 수 있다. 그리고, 상기 접착층(100)의 상면에는 상기 발광소자(10)의 실장 위치를 표시하는 미도시된 기준 마크(fiducial mark)가 표면에 형성될 수 있다.
상기 발광소자(10)는 외부에서 인가되는 전기 신호에 의해 소정 파장의 광을 출사하는 반도체 소자의 일종이며, 발광다이오드(LED) 칩을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(10)는 함유되는 물질에 따라서 청색광, 적색광 또는 녹색광을 출사할 수 있으며, 백색광을 출사할 수도 있다.
상기 발광소자(10)는 외부의 전기 신호를 인가받기 위한 전극 패드(20)를 동일면인 하면에 구비하며, 표면에는 파장변환부가 형성되지 않은 베어 칩(bare chip)을 포함한다. 상기 전극 패드(20)는, 예를 들어 복수의 P형 전극과 N형 전극일 수 있다. 그리고, 도면으로는 도시하지 않았으나 상기 전극 패드(20)에는 솔더 범프가 더 구비될 수 있다.
상기 발광소자(10)는 도면에서 도시하는 바와 같이 상기 전극 패드(20)가 구비된 하면이 상기 접착층(100)과 접하는 구조로 복수개가 상기 접착층(100) 상에 놓인다. 상기 발광소자(10)는 소정의 간격으로 서로 떨어져 배치되며, 복수개가 상기 접착층(100) 상에 열 방향과 행 방향으로 배열되어 매트릭스 구조를 이룰 수 있다.
다음으로, 도 2에서 도시하는 바와 같이 상기 복수의 발광소자(10)의 상면이 서로 동일 평면상(coplanar)에 위치하도록 누름 부재(200)를 사용하여 매트릭스 구조로 배열된 상기 복수의 발광소자(10)를 평행하게 정렬시킨다.
상기 접착층(100) 상에 놓인 상기 복수의 발광소자(10) 중 일부는 도 3a에서와 같이 상면이 상기 접착층(100)에 대해 수평상태가 아닌 소정 기울기로 틸팅되어 놓여질 수 있다. 또한, 일부의 발광소자(10)는 도 3b에서와 같이 인접한 다른 발광소자(10)보다 낮게 또는 높게 놓여질 수도 있다.
상기 누름 부재(200)는 이와 같이 접착층(100) 상에 놓인 복수의 발광소자(10)의 각 상면이 전체적으로 서로 동일한 평면상에 위치하도록 상기 복수의 발광소자(10)의 상면을 일괄하여 누른다.
구체적으로, 도 4에서 도시하는 바와 같이 자동 시준기(300)를 사용하여 상기 누름 부재(200)를 수평 상태로 상기 복수의 발광소자(10) 상에 배치시킨다.
상기 누름 부재(200)는 상기 복수의 발광소자(10) 전체를 덮을 수 있는 플레이트 구조물일 수 있다. 그리고, 상기 누름 부재(200)는 상기 자동 시준기(300)를 통해 수평 상태를 유지할 수 있도록 유리 또는 투명 수지와 같은 투광성 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 5를 참조하여 상기 자동 시준기를 통해 상기 누름 부재를 수평상태로 배치시키는 원리를 설명한다.
상기 자동 시준기(300)의 상부에는 광원(310)이 구비되고, 상기 광원(310)의 아래쪽에는 빔 스플리터(320)가 구비되며, 상기 빔 스플리터(320)의 아래쪽인 상기 자동 시준기(300)의 하부에는 콜리메이션 렌즈(330)가 구비된다. 그리고, 상기 빔 스플리터(320)의 측면쪽에는 디텍터(340)가 구비된다.
상기 광원(310)에서 방출된 광인 레이저 빔(L)은 상기 빔 스플리터(320)와 상기 콜리메이션 렌즈(330)를 통과하여 상기 누름 부재(200)의 상면과 상기 발광소자(10)의 상면에서 각각 반사된다. 상기 반사된 광(L)은 다시 상기 콜리메이션 렌즈(330)를 통과하여 상기 빔 스플리터(320)에서 반사되어 상기 디텍터(340)로 모이게 된다. 상기 디텍터(340)는 상기 반사된 광(L)을 통해 상기 누름 부재(200)의 수평상태 유무를 판단한다.
이와 같이, 상기 자동 시준기(300)를 통해 상기 누름 부재(200)가 수평 상태로 상기 복수의 발광소자(10) 상에 배치된 상태에서, 도 2에서 도시하는 바와 같이 상기 복수의 발광소자(10)의 상면 전체를 상기 누름 부재(200)로 눌러준다. 이를 통해 상기 복수의 발광소자(10)의 상면이 모두 동일 평면상에 위치할 수 있도록 상기 복수의 발광소자(10)를 평행하게 정렬시킨다.
이때, 상기 누름 부재(200)의 하면이 걸려 이동을 멈추도록 하는 스토퍼(400)를 통해 상기 누름 부재(200)로 누르는 높이를 제어한다. 상기 스토퍼(400)는 상기 접착층(100)의 양 단부에서 상하 이동을 통해 상기 누름 부재(200)의 테두리 부근에서 상기 누름 부재(200)와 맞닿아 상기 누름 부재(200)가 일정 높이에서 더 이상 아래쪽으로 이동하는 것을 차단한다. 상기 스토퍼(400)는 미도시된 제어장치를 통해 상하로 이동할 수 있다.
다음으로, 도 6에서 도시하는 바와 같이 적어도 한 종류 이상의 형광물질이 함유된 수지(30')를 도포하여 상기 접착층(100) 상에 상기 복수의 발광소자(10)를 일체로 덮는 파장변환부(30)를 형성한다.
구체적으로, 미도시된 디스펜서 등을 통해 형광물질이 함유된 수지(30')를 상기 접착층(100) 상에 일정량 주입한다. 상기 수지(30')는 상기 복수의 발광소자(10)를 전체적으로 덮을 수 있는 정도로 충분히 주입되는 것이 바람직하다.
이와 같이 수지(30')가 주입된 상태에서 스퀴지(squeegee)(500) 등을 사용하여 상기 접착층(100)의 일단에서 반대측 끝단까지 밀어줌으로써 상기 수지(30')가 프린팅 되는 방식으로 각 발광소자(10)를 덮도록 일괄하여 도포한다.
이와 같이, 프린팅 공법을 통해 형광물질이 함유된 수지(30')를 한번의 공정으로 일괄적으로 복수의 발광소자(10)를 도포하는 경우 공정시간이 단축되는 장점이 있지만 파장변환부(30)의 높이가 전체적으로 균일하지 못한 경우가 발생한다. 즉, 일측에서의 파장변환부의 높이가 타측에서보다 높은 경사진 구조로 수지가 도포될 수 있다.
따라서, 복수의 발광소자(10)를 일괄하여 덮도록 형광물질이 함유된 수지(30')로 도포한 다음 도 7에서 도시하는 바와 같이 상기 복수의 발광소자(10)의 각 상면과 상기 파장변환부(30)의 상면 사이의 간격이 균일하도록 상기 누름 부재(200)를 사용하여 상기 수지(30'), 즉 파장변환부(30)의 상면을 평탄화한다.
구체적으로, 도 7에서 도시하는 바와 같이 자동 시준기(300)를 사용하여 상기 누름 부재(200)를 수평 상태로 상기 파장변환부(30)를 이루는 상기 수지(30') 상에 배치시킨다.
상기 누름 부재(200)는 상기 도포된 수지(30') 전체를 덮을 수 있는 플레이트 구조물일 수 있다. 그리고, 상기 누름 부재(200)는 상기 자동 시준기(300)를 통해 수평 상태를 유지할 수 있도록 유리 또는 투명 수지와 같은 투광성 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기 자동 시준기(300)를 통해 상기 누름 부재(200)가 수평 상태로 상기 수지(30') 상에 배치된 상태에서 상기 수지(30')의 상면 전체를 상기 누름 부재(200)로 균일하게 눌러준다. 이를 통해 상기 복수의 발광소자(10)의 각 상면과 상기 수지(30')의 상면 사이의 간격이 균일하도록 상기 도포된 수지(30')의 상면을 평행하게 평탄화한다.
이때, 상기 누름 부재(200)의 하면이 걸려 이동을 멈추도록 하는 스토퍼(400)를 통해 상기 누름 부재(200)로 누르는 높이를 제어한다. 상기 스토퍼(400)는 상기 접착층(100)의 양 단부에서 상하 이동을 통해 상기 누름 부재(200)의 테두리 부근에서 상기 누름 부재(200)와 맞닿아 상기 누름 부재(200)가 일정 높이에서 더 이상 아래쪽으로 이동하는 것을 차단한다. 상기 스토퍼(400)는 미도시된 제어장치를 통해 상하로 이동할 수 있다.
다음으로, 도 8에서 도시하는 바와 같이 상기 누름 부재(200)를 상기 평탄화된 수지(30')로부터 분리시킨 다음, 상기 수지(30')를 경화시켜 상기 접착층(100) 상에 파장변환부(30)를 형성한다. 따라서, 상기 접착층(100) 상에 형성된 상기 파장변환부(30)는 높이와 농도 등이 서로 균일한 구조를 가질 수 있다.
이때, 상기 누름 부재(200)의 하면에는 상기 수지(30')와의 분리가 용이하도록 이형제(210)가 구비되는 것이 바람직하다. 상기 이형제(210)는 도포 또는 코팅을 통해 박막 형태로 상기 누름 부재(200)의 하면에 구비될 수 있다.
이와 같이 프린팅 공법을 통해 형광물질이 함유된 수지(30')로 한번의 공정으로 일괄적으로 복수의 발광소자(10)를 도포할 수 있어 공정시간이 단축되는 장점을 갖는다. 또한, 전체적으로 동일한 특성을 갖는 파장변환부(30)를 일괄하여 형성할 수 있어 수율을 높이는 것이 가능하다.
상기 파장변환부(30)는 상기 발광소자(10)에서 방사되는 빛의 파장을 변환시켜 원하는 색상의 파장으로 변환시킨다. 예를 들어 적색광 또는 청색광과 같은 단색광을 백색광으로 변환시킨다. 이를 위해 상기 파장변환부(30)를 형성하는 수지(30')에는 적어도 한 종류 이상의 형광물질이 함유될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(10)에서 발생되는 자외선을 흡수하는 자외선 흡수제를 함유할 수도 있다.
상기 파장변환부(30)는 상기 발광소자(10)를 덮도록 도포된 후 경화되는 방식으로 상기 접착층(100) 상에 형성될 수 있다. 상기 파장변환부(30)는 상기 발광소자(10)에서 발생되는 빛을 최소한의 손실로 통과시킬 수 있는 높은 투명도의 수지로 선택되는 것이 바람직하며, 예를 들어 탄성 수지를 사용할 수 있다. 탄성 수지는 실리콘 등의 젤 형태의 수지로 황변(yellowing)과 같은 단파장의 빛에 의한 변화가 매우 적고, 굴절률 또한 높기 때문에 우수한 광학적 특성을 갖는다. 또한, 에폭시와는 달리 경화 작업 이후에도 젤이나 탄성체(elastomer) 상태를 유지하기 때문에, 열에 의한 스트레스, 진동 및 외부 충격 등으로부터 발광소자를 보다 안정적으로 보호할 수 있다. 또한, 파장변환부(30)는 겔 상태로 도포된 다음 경화되므로, 경화 과정에서의 내부의 기포가 외기에 노출되어 원활히 밖으로 빠져나가는 장점이 있다.
다음으로, 도 9에서 도시하는 바와 같이 상기 파장변환부(30)가 형성된 상기 복수의 발광소자(10)를 상기 접착층(100)에서 분리한다.
이와 같이 복수의 발광소자(10)를 일괄하여 봉지하는 구조로 형성된 파장변환부(30)에 의해 상기 복수의 발광소자(10)는 일체로 도 12에서와 같이 미도시된 조명장치의 광원 모듈로 사용될 수 있다.
한편, 도 10에서 도시하는 바와 같이, 상기 파장변환부(300가 형성된 상기 복수의 발광소자(10)를 상기 접착층(100)에서 분리하기 전에 상기 파장변환부(30)를 다이싱하여 개별 발광소자로 분할할 수 있다.
구체적으로, 각 발광소자(10)를 기준으로 발광소자(10) 사이를 커팅 장치(600)를 통해 파장변환부(30)와 접착층(100)을 다이싱하여 개별 발광소자로 분할한다.
다음으로, 도 11에서 도시하는 바와 같이 표면에 상기 파장변환부(30)가 형성된 상기 발광소자(10)를 상기 접착층(100)과 분리하여 대량으로 제조한다.
이와 같이 제조된 상기 발광소자(10)는 그 표면에 형성된 상기 파장변환부(30)의 표면 거칠기가 상면과 측면이 서로 상이한 특징을 갖는다. 즉, 상기 누름 부재에 의해 평탄화된 상면의 거칠기보다 상기 커팅 장치(600)에 의해 다이싱된 측면의 거칠기가 보다 크게 된다.
상기 파장변환부의 측면이 상면보다 거친 구조를 갖는 경우에는 상기 발광소자에서 발생하여 상기 측면으로 향하는 빛이 상면측으로 반사 또는 굴절되어 상면측으로 방출되는 빛의 양이 증가하게 된다. 따라서, 광 효율이 향상되는 효과가 발생한다.
이와 같이 대량으로 제조된 복수의 발광소자(10)는 파장변환부(30)의 두께(혹은 높이)가 전체적으로 균일하도록 형성될 수 있어 높이 산포가 요구사항을 만족하도록 할 수 있다. 따라서, 불량률 발생이 최소화될 수 있어 생산성이 향상되는 효과를 갖는다.
도 12는 파장변환부가 형성된 발광소자를 사용한 조명용 광원 모듈을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 12에서 도시하는 바와 같이, 파장변환부(30)가 형성된 발광소자(10)를 플립칩 본딩 방식으로 회로 기판(1) 상에 실장하여 조명용 광원 모듈을 제조할 수 있다. 이 경우, 각 모듈 별로 별도의 파장변환부 형성을 위한 공정등이 불필요하여 제조공정이 단순화될 수 있고, 따라서, 원가 절감이 가능하다는 장점을 갖는다.
상기 기판(1) 상에는 상기 파장변환부(30)와 함께 상기 발광소자(10)를 봉지하는 렌즈(2)가 더 형성될 수 있다.
1... 회로 기판 2... 렌즈
10... 발광소자 20... 전극 패드
30... 파장변환부 30'... 형광물질이 포함된 수지
100... 접착층 110... 기판
200... 누름 부재 210... 이형제
300... 자동 시준기 400... 스토퍼
500... 스퀴지 600... 커팅 장치

Claims (14)

  1. 접착층 상에 복수의 발광소자를 실장하는 단계;
    누름 부재를 사용하여 상기 복수의 발광소자의 상면이 서로 평행하도록 정렬시키는 단계;
    형광물질이 함유된 수지를 도포하여 상기 접착층 상에 상기 복수의 발광소자를 덮는 파장변환부를 형성하는 단계;
    누름 부재를 사용하여 상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계; 및
    상기 접착층을 상기 복수의 발광소자로부터 분리하는 단계;
    를 포함하는 발광디바이스의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자를 실장하는 단계는, 전극 패드가 구비된 하면이 상기 접착층과 접하도록 상기 발광소자를 상기 접착층 상에 각각 올려놓는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자를 평행하게 정렬시키는 단계는,
    자동 시준기를 사용하여 상기 누름 부재를 수평 상태로 상기 복수의 발광소자 상에 배치시키는 단계; 및
    상기 복수의 발광소자의 상면 전체를 상기 누름 부재로 누르는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자를 평행하게 정렬시키는 단계는, 상기 누름 부재의 하면이 걸려 이동을 멈추도록 하는 스토퍼를 통해 상기 누름 부재로 누르는 높이를 제어하는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자를 평행하게 정렬시키는 단계는, 상기 복수의 발광소자의 각 상면이 서로 동일 평면상에 위치하도록 상기 누름 부재로 누르는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부를 형성하는 단계는, 프린팅 방법을 통해 적어도 한 종류 이상의 형광물질이 함유된 수지로 상기 복수의 발광소자를 일괄하여 도포하는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계는, 자동 시준기를 사용하여 상기 누름 부재를 수평 상태로 상기 파장변환부 상에 배치시키는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  8. 제1항 또는 제7항에 있어서,
    상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계는, 상기 누름 부재의 하면이 걸려 이동을 멈추도록 하는 스토퍼를 통해 상기 누름 부재로 누르는 높이를 제어하는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  9. 제1항 또는 제7항에 있어서,
    상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계는, 상기 복수의 발광소자의 각 상면과 상기 파장변환부의 상면 사이의 간격이 균일하도록 하는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 누름 부재는 투광성 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 누름 부재의 하면에는 이형제가 구비된 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부의 상면을 평탄화하는 단계 이후 상기 파장변환부를 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부를 다이싱하여 개별 발광소자로 분할하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 발광소자의 파장변환부는 상면에서의 표면 거칠기가 다이싱된 측면에서의 표면 거칠기보다 작은 것을 특징으로 하는 발광디바이스의 제조방법.
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