KR20130008024A - 증발기 챔버의 재충전을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

증발기 챔버의 재충전을 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130008024A
KR20130008024A KR1020127024316A KR20127024316A KR20130008024A KR 20130008024 A KR20130008024 A KR 20130008024A KR 1020127024316 A KR1020127024316 A KR 1020127024316A KR 20127024316 A KR20127024316 A KR 20127024316A KR 20130008024 A KR20130008024 A KR 20130008024A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum chamber
vacuum
chamber
selenium
evaporator
Prior art date
Application number
KR1020127024316A
Other languages
English (en)
Inventor
라이문트 보거
안드레아스 얀케
토마스 괴체
Original Assignee
쌩-고벵 글래스 프랑스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=42232778&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20130008024(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 쌩-고벵 글래스 프랑스 filed Critical 쌩-고벵 글래스 프랑스
Publication of KR20130008024A publication Critical patent/KR20130008024A/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00—Pipe-line systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/246—Replenishment of source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L53/00—Heating of pipes or pipe systems; Cooling of pipes or pipe systems
    • F16L53/30—Heating of pipes or pipe systems
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/0318—Processes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/6416—With heating or cooling of the system
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/85978—With pump
    • Y10T137/86083—Vacuum pump

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

a. 고체 물질(1)이 진공 락(vacuum lock)(19)을 통해 진공 챔버(3) 내로 이송되고, 진공 챔버(3)는 액체 물질(1)에 대해서만 투과성인 칸막이(28)를 가지고;
b. 물질(1)이 진공 챔버(3) 내에서 진공 챔버(3)의 가열 재킷(29)에 의해 가열되어 액화되고,
c. 물질(1)이 배출구(drain)(21) 및 연결 채널(20)을 통해 증발기 챔버(8) 내부의 통(basin)(9) 내로 이송되는,
증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 방법.

Description

증발기 챔버의 재충전을 위한 방법 및 장치{METHOD AND DEVICE FOR REFILLING AN EVAPORATOR CHAMBER}
본 발명은 증발기 챔버의 재충전, 특히 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
결정질 또는 다결정질 규소를 이용한 태양전지와 비교한 박막 태양전지의 이점 중 하나는 사용되는 기판 및 코팅되는 기판 크기에 있어서의 융통성이 크다는 것이다. 즉, 박막 태양전지는 예를 들어 유리 판유리(glass pane) 또는 가요성 물질, 예컨대 플라스틱 상에 넓은 면적으로 제조될 수 있다.
태양광을 전기 에너지로 직접 변환하기 위한 광발전 층 시스템은 충분히 주지되어 있다. 층의 재료 및 배열은 입사광이 하나 또는 복수의 반도체 층에 의해 가능한 최대의 방사선 수율로 직접 전류로 변환되도록 조정된다. 광발전 및 대면적 층 시스템을 태양전지라고 칭한다.
태양전지는 모든 경우에 반도체 물질을 포함한다. 적절한 기계적 강도를 제공하기 위한 캐리어 기판을 필요로 하는 태양전지를 박막 태양전지라고 칭한다. 물리적 특성 및 기술적 처리 품질로 인해, 비정질, 마이크로모퍼스(micromorphous) 또는 다결정질 규소, 카드뮴 텔루라이드(CdTe), 갈륨-비소(Ga-As) 또는 구리 인듐 (갈륨)-황/셀렌(CI(G)S)이 태양전지에 특히 적합하다.
박막 태양전지용으로 공지된 캐리어 기판은 무기질 유리, 중합체 또는 금속 합금을 포함하며, 층 두께 및 재료 특성에 따라 강성 판 또는 가요성 필름으로서 설계될 수 있다. 광범위하게 입수 가능한 캐리어 기판 및 간단한 모놀리식 집적화로 인해, 박막 태양전지의 대면적 배열을 비용-효율적으로 제조할 수 있다.
그러나 박막 태양전지는 결정질 또는 다결정질 규소를 이용한 태양전지에 비해 더 낮은 방사선 수율 및 더 낮은 전기 효율을 가진다. Cu(In, Ga)(S, Se)2에 기초한 박막 태양전지는 다결정질 규소 태양전지에 대략 필적하는 전기 효율을 가진다. CI(G)S-박막 태양전지는 전형적으로 p-전도성인 CI(G)S-흡수체와 전형적으로 n-전도성인 전방 전극 사이에 버퍼층을 필요로 하며, 이것은 통상 산화아연(ZnO)을 함유한다. 버퍼층은 흡수체 물질과 전방 전극 사이의 전자 적응(electronic adaptation)을 실현할 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 카드뮴-황 화합물을 함유한다. 예를 들어 몰리브덴을 갖는 후방 전극이 캐리어 기판 상에 직접 퇴적된다.
복수의 태양전지의 전기 회로를 광발전 모듈 또는 태양광 모듈이라고 칭한다. 태양전지의 회로는 공지의 내후성 상부구조(superstructure) 내에서 환경적 영향으로부터 내구성 있게 보호된다. 통상, 저철(low-iron) 소다 석회 유리 및 접착 촉진 중합체 필름이 태양전지에 연결되어 내후성 광발전 모듈을 형성한다. 광발전 모듈들은 접속 박스를 통해 복수의 광발전 모듈의 회로로 집적될 수 있다. 광발전 모듈의 회로는 공지의 파워 일렉트로닉스(power electronics)를 통해 공공 공급원 네트워크 또는 독립 에너지 공급원에 접속된다.
셀렌의 퇴적, 특히 CIS 층의 성분들의 순차적 퇴적은 통상 진공에서 이루어진다. 이것은, 퇴적을 위해 제공된 셀렌이 모두 사용되었을 때, 공정의 완전한 중단을 필요로 한다. 전체 장치는 통기(aeration), 냉각, 장치에의 셀렌 재충전 후, 재진공화(re-evacuate) 및 재가열되어야 한다. 이러한 단계들은 매우 시간-소모적이고, 특히 대규모 생산 시에는, 증발 공정이 어느 경우에나 비교적 긴 시간 동안 중단되기 때문에 매우 비용이 많이 든다. 이러한 필수적 단계들, 특히 통기 및 냉각 공정 때문에, 연속적인 셀렌 퇴적은 가능하지 않다. 또한, 증발 장치의 크기 및 셀렌 증기 농도는 중요한 공정 파라미터이므로, 임의의 대량의 셀렌을 셀렌 증발기 챔버 내에 도입하는 것도 가능하지 않다. 또한, 균일한 셀렌 증발의 속도는 또한 증발되는 셀렌의 소정의 표면-대-부피 비율에 좌우된다.
WO 2007/077171 A2는 CIGSS 태양전지 중의 황동광(chalcopyrite) 층의 제조 방법을 개시한다. 이를 위해, 기판을 전구체로 코팅하고, 기밀하게 폐쇄 가능한 반응 상자 내에 황 및 셀렌과 함께 둔다. 반응 상자를 RTP 퍼니스(furnace)에 도입하고 진공화(evacuate)하고 필요한 반응 온도로 가열한다.
EP 0 715 358 A2는 황동광 흡수체 층을 가지는 태양전지의 제조 방법을 개시한다. 이 방법에서는, Na, K 또는 Li를 첨가함으로써 원하는 알칼리 함량을 확립한다. 기판으로부터의 알칼리 이온의 부가적인 확산은 확산 장벽 층에 의해 방지한다. 셀렌 및/또는 황은 이 방법에서 적어도 부분적으로 적절한 황- 또는 셀렌-함유 분위기를 통해 첨가된다.
WO 2009/034131 A2는 칼코겐(chalcogen)을 박층으로 퇴적하는 방법을 개시한다. 셀렌을 저장 용기에 고체로서 저장하고 그로부터 챔버로 옮겨 증발시킨다. 챔버에는 셀린 증기가 저장 용기 내로 누출되는 것을 방지하기 위해 유입구에 마개가 구비된다.
US 4,880,960 A는 진공 증발을 위한 방법 및 이동 가능한 기판의 코팅을 위한 장치를 개시한다. 적용하고자 하는 물질을 보관 저장소로부터 밸브를 통해 진공 챔버로 연속적으로 옮기고 가열하고 거기에서 롤러 상에 지지된 기판 상에 퇴적시킨다. 이 발명은 마그네슘을 이용한 탄소 섬유의 퇴적 코팅을 개시한다.
WO 2009/010468 A1는 고체 물질의 증발을 위한 장치를 개시한다. 고체 물질, 예를 들어 셀렌을 제1 도가니에 도입하고 용융시킨다. 용융된 물질은 수송 장치를 통해 제2 도가니로 유동한다. 이 도가니에서, 용융된 물질을 증발시키고 기판에 적용한다. 물질의 충전은, 충전 후 폐쇄되고 이어서 진공화되고 고체 물질을 밸브를 통해 제1 도가니로 내보내는 저장소 내로 이루어진다.
본 발명의 목적은 증발, 특히 셀렌, 황, 텔루르, 및/또는 이들의 혼합물의 증발을 중단함 없이 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 가능하게 하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 본 발명에 따라 청구항 제1항에 따른 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 방법 및 청구항 제7항에 따른 장치에 의해 달성된다. 바람직한 실시양태는 종속 청구항들에 기재되어 있다.
본 발명에 따른 장치 및 그의 용도는 다른 관련 청구항에 기재되어 있다.
본 발명은
a. 고체 물질(1)이 진공 락(vacuum lock)(19)을 통해 진공 챔버(3) 내로 이송되고, 진공 챔버(3)는 액체 물질(1)에 대해서만 투과성인 칸막이(28)를 가지고;
b. 물질(1)이 진공 챔버(3) 내에서 진공 챔버(3)의 가열 재킷(29)에 의해 가열되어 액화되고,
c. 물질(1)이 배출구(drain)(21) 및 연결 채널(20)을 통해 증발기 챔버(8) 내부의 통(basin)(9) 내로 이송되는,
증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 방법을 포함한다.
본 발명에 따른 증발기 챔버의 재충전 방법은, 별법으로, 제1 단계에서 바람직하게는 고체인 물질을 주입구(feeder)를 통해 가열된 진공 챔버 내부의 사이펀(siphon)에 충전하는 것을 포함한다. 주입구와 진공 챔버 사이에 부착되고 160℃ 내지 200℃로 가열된 진공 슬라이드가 진공 챔버의 개방 및 폐쇄를 가능하게 한다. 셀렌 주입이 완료되면, 가열된 진공 슬라이드는 폐쇄된다. 가열된 진공 슬라이드의 폐쇄 후, 진공 챔버는 진공의 적용으로부터 압력 p1을 갖는다. 사이펀 내에 위치한 물질은 진공 챔버 내에서 가열기에 의해 액화되고, 사이펀의 두 단부 사이의 압력 차이의 함수로서, 사이펀의 단부에 연결된 깔대기를 통해 연결된 증발기 챔버의 통 내로 이송될 수 있다. 증발기 챔버 및 사이펀의 출구는 바람직하게는 압력 p2를 가지며, 압력 p2는 사이펀의 흡입구가 있는 진공 챔버 내의 압력 p1보다 낮다. 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 방법은, 별법으로, 개략적으로 하기 단계를 포함한다: 물질을 주입구 및 가열된 진공 슬라이드를 통해 가열된 진공 챔버 내부의 사이펀 내로 이송하고, 물질을 사이펀 내에서 가열하여 액화시키고, 물질을 사이펀의 출구에 연결된 깔대기를 통해 증발기 챔버 내부의 통 내로 이송한다.
물질은 바람직하게는 셀렌, 황, 요오드, 비스무트, 납, 카드뮴, 세슘, 갈륨, 인듐, 루비듐, 텔루르, 탈륨, 주석, 아연, 및/또는 이들의 혼합물, 특히 바람직하게는 황, 셀렌 및/또는 텔루르, 더욱 특히 바람직하게는 셀렌을 포함한다.
가열된 진공 실라이드의 온도 조절은 바람직하게는 진공 슬라이드상에 부탁된 가열된 커넥터 및/또는 냉각된 커넥터에 의해 실시된다.
가열된 진공 슬라이드의 온도 조절은, 별법으로, 가열된 진공 슬라이드 내에서 직접, 바람직하게는 전기 저항 가열기에 의해 실시할 수도 있다.
가열된 진공 슬라이드 및/또는 가열된 커넥터는 바람직하게는 160℃ 내지 200℃의 온도로 유지된다.
냉각된 커넥터는 바람직하게는 25℃ 내지 35℃의 온도로 유지되며, 이 온도는 고체 물질이 커넥터 상에 접착되는 것을 방지한다.
사이펀은 바람직하게는 200℃ 내지 250℃로 가열되어 사이펀 내에 위치한 물질을 액화시킨다.
진공 챔버는 바람직하게는 20 mbar 내지 10-6 mbar, 바람직하게는 10 mbar 내지 0.1 mbar의 압력 p1로 진공화된다.
증발기 챔버는 바람직하게는 10-2 mbar 내지 10-7 mbar의 압력 p2로 진공화된다.
증발기 챔버는 바람직하게는 200℃ 내지 300℃, 바람직하게는 230℃ 내지 270℃의 온도로 가열된다.
진공 챔버 내의 압력 p1은 바람직하게는 증발기 챔버 내의 압력 p2보다 적어도 101 mbar, 바람직하게는 102, 특히 바람직하게는 103 mbar 더 크다.
본 발명은 또한 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 별법의 장치를 포함한다. 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 장치는, 물질 주입구와, 주입구에 부착된 가열된 진공 슬라이드, 가열된 진공 슬라이드에 부착된 진공 챔버와, 가열된 진공 슬라이드에 부착된 사이펀과 가열기, 및 진공 챔버에 부착된 증발기 챔버와, 사이펀에 부착된 깔대기와, 깔대기 아래에 부착된 증발 통을 포함한다. 장치는 특히, 바람직하게는 고체인 물질을 위한 적어도 하나의 주입구 및 주입구에 부착된 가열된 진공 슬라이드를 포함한다. 진공 챔버는 가열된 진공 슬라이드에 고정된다. 진공 챔버의 내부에서는, 사이펀이 가열된 진공 슬라이드에 연결되며, 가열된 진공 슬라이드의 개구는 사이펀을 주입구로부터의 바람직하게는 고체인 물질로 재충전할 수 있게 한다. 진공 챔버 내에 설치된 가열기는 사이펀 내에 위치하는 물질의 가열 및 액화를 가능하게 한다. 진공 챔버에 부착된 증발기 챔버 내에서는, 깔대기가 사이퍼의 배출구에 연결된다. 깔대기는 증발 챔버 내에 위치한 증발 통에 연결된다. 증발 통은 깔대기를 통해 도입된 액체 물질의 증발을 가능하게 한다.
사이펀은 바람직하게는 액체를 함유한다. 액체는 물질 증기가 증발기 챔버로부터 진공 챔버까지 투과하는 것을 방지한다. 또한, 액체는 진공 챔버 및 증발기 챔버의 상이한 압력 수준의 설정을 가능하게 한다. 고도(rise), 즉, 사이펀의 레그(leg)들 내의 액체 컬럼들의 높이 차이에 대해서는, 하기 수학식 1이 적용된다.
Figure pct00001
여기에서, Δp = 증발기 챔버와 진공 챔버 사이의 압력 차이(Pa), Δh = 사이펀의 레그들의 수준 차이(mm), ρ = 액체의 밀도(g/㎤), 및 g = 중력 상수(9.81 m/s2).
액체는 바람직하게는 셀렌, 황, 요오드, 비스무트, 납, 카드뮴, 세슘, 갈륨, 인듐, 루비듐, 텔루르, 탈륨, 주석, 아연, 및/또는 이들의 혼합물, 특히 바람직하게는 셀렌을 포함한다. 액체는 바람직하게는, 450℃ 미만의 융점, 및 5 mbar 미만의 융점에서의 증기압을 가진다. 액체는 진공 챔버를 증발기 챔버로부터 차단하며, 두 챔버에서 상이한 압력 수준의 설정을 가능하게 한다. 액체는 바람직하게는 그의 조성에 있어서 고체 물질에 상응하며, 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 가능하게 한다.
가열된 진공 슬라이드는 바람직하게는 15 mm 내지 50 mm, 바람직하게는 30 mm 내지 40 mm 직경의 개구를 가진다. 물질에 대한 투과도는 가열된 진공 슬라이드의 개구를 이동시킴으로써 조절한다.
가열된 진공 슬라이드는 바람직하게는 위의 주입구 방향에서는 냉각된 커넥터에 연결되고/거나 아래로 진공 챔버 방향에서는 가열된 커넥터에 연결된다.
냉각된 커넥터 및/또는 가열된 커넥터는 바람직하게는 개구 및 가열기 또는 냉각기가 있는 천공된 판, 기계적 카운터-베어링(mechanical counter-bearing), 마개(closure), 슬라이드 및 슬라이드 하우징을 포함한다. 슬라이드 하우징 및 슬라이드는 외부로부터 냉각된 커넥터 및/또는 가열된 커넥터에 부착된다. 슬라이드는 슬라이드 하우징 및 커넥터상의 보어(bore)를 통해 커넥터의 내부에 연결된다. 천공된 판 및 마개는, 슬라이드의 위치에 따라, 물질의 투과도 또는 불투과도 뿐 아니라 인접 커넥터의 진공 또는 통기의 설정을 가능하게 한다. 슬라이드는 바람직하게는 마개에 직접 연결된다. 마개 내의 개구와 천공된 판 내의 개구가 서로의 위에 정렬될 경우, 배열은 물질에 대해 투과성이다. 그렇지 않으면, 마개 내의 개구와 천공된 판 내의 개구가 공통의 커버리지(coverage)를 갖지 않으며; 따라서 배열은 물질에 대해 불투과성이다. 냉각기 및/또는 가열기는 바람직하게는 천공된 판 및/또는 마개 상에, 특히 바람직하게는 광범위하게 천공된 판 내의 개구 및/또는 마개 내의 개구의 둘레에 냉각 루프 또는 전기 저항 가열기의 형태로 배치된다. 천공된 판과 마개로 구성된 배열은 바람직하게는 물질의 도입 방향에 대해 90° 각도로 배치된다.
본 발명은 또한
d. 고체 물질을 위한 진공 락,
e. 액체 물질에 대해서만 투과성인 칸막이가 구비된, 진공 락에 부착된 진공 챔버,
f. 칸막이 뒤에서 진공 챔버에 부착된 증발기 챔버로의 연결 채널,
g. 진공 챔버 및 연결 채널의 가열 재킷, 및
h. 연결 채널 상의 스위칭 가능한(switchable) 냉각 장치
를 포함하는, 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 장치를 포함한다.
장치는 고체 물질을 위한 진공 락 및 진공 락에 부착된 진공 챔버를 포함한다. 원칙적으로, 임의의 종류의 락 배열을 사용하여 고체 물질을 증기 챔버로 이송할 수 있다. 락 배열은 대기압과 증발기 챔버 내의 진공의 압력 차이에 대해 안정하여야 한다. 진공 락은 바람직하게는 냉각된 커넥터, 가열된 진공 슬라이드 및/또는 가열된 커넥터를 포함한다. 진공 챔버에는 칸막이가 구비된다. 칸막이는 바람직하게는, 진공 챔버의 바닥에 액체 물질에 대해서만 투과성인 슬롯(slot)을 가진다. 진공 챔버 내의 칸막이가 고정 용접되어 바닥에서만 천공을 가지고 연결 채널은 이 천공보다 더 위에 도달할 때, 상기 변형은 사이펀과 똑같이 거동한다(도 6 참조). 칸막이의 두 측면상의 압력 균형은, 액체 물질의 과열 및 가능한 증발 발생 시에 연결 채널로의 강한 제어되지 않은 물질 수송이 일어나지 않도록 조절되어야 한다. 별법으로, 칸막이는 액체 물질에 대해 투과성인 다공질 벽으로서 구성될 수 있다. 작은 고체 입자의 통과는 이 경우에 문제가 되지 않는다. 증발기 챔버로의 연결 채널이 진공 챔버에 부착된다. 칸막이는 증발기 챔버의 충전 영역을 연결 채널이 연결되는 진공 챔버의 영역으로부터 분리한다. 가열 재킷은 진공 챔버 및 연결 채널을 둘러싼다. 가열 재킷은 바람직하게는 가열 배쓰(bath), 특히 바람직하게는 순환식 가열 배쓰의 형태로 구현된다. 스위칭 가능한 냉각 장치가 냉각 채널에 부착된다. 스위칭 가능한 냉각 장치는 바람직하게는 관 형태로 연결 채널 둘레에 국소적으로 배치된다. 여기에서, "국소적으로"라는 표현은 단지 연결 채널의 서브영역(subregion)을, 바람직하게는 연결 채널의 표면의 1％ 내지 30％, 특히 바람직하게는 2％ 내지 8％를 가리킨다. 냉각제 유동이 스위치 온(switch on)된 경우, 연결 채널은 스위칭 가능한 냉각 장치의 영역에서 냉각되어 액체 물질의 응고를 유발한다. 응고된 물질은 진공 챔버를 증발기 챔버로부터 차단시킨다. 냉각제 유동이 스위치 오프(switch off)된 경우, 물질은 다시 액체가 되고, 진공 챔버는 연결 채널을 통해 증발기 챔버에 직접 연결된다. 스위칭 가능한 냉각 장치는 또한 국소적으로 스위치 오프될 수 있는 가열 재킷으로서 구현될 수도 있다. 이 경우, 순환식 가열 배쓰를 위한 "우회로"가 특정 위치에서의 온도 저하 및 액체 물질의 응고를 보장한다.
가열 재킷은 바람직하게는 가열 유체, 바람직하게는 내열성 광물유 및/또는 실리콘유를 함유한다.
가열 재킷은 바람직하게는 충전 장치 및 퍼징 장치를 가진다. 충전 장치 및 퍼징 장치는 바람직하게는 관형이고, 바람직하게는 펌프, 바람직하게는 오일 펌프에 연결된다. 펌프는 가열 재킷 내에서 가열 유체의 순환을 가능하게 한다. 150℃ 내지 350℃의 범위에서 내열성인 용기의 내부에서, 가열 유체는 바람직하게는 진공 챔버 및 연결 채널의 바로 둘레로 유동하므로 일정한 온도 조절을 가능하게 한다. 가열 재킷은, 더욱 강력하게는, 칸막이의 영역에 외부로부터 열을 공급하여 칸막이의 영역에 고체로서 충전되는 물질의 액화를 가속화할 수 있다.
진공 챔버, 연결 채널, 충전 장치 및/또는 퍼징 장치는 바람직하게는 에나멜 및/또는 테플론으로 이루어진 코팅을 포함한다.
가열 재킷은 바람직하게는 나선형 판을 포함한다. 나선형 판은 특히 바람직하게는 가열 재킷 내의 연결 채널의 영역에 배치되고, 연결 채널의 부가적인 가열을 가능하게 한다. 나선형 판은 또한 냉각이 작동할 때 스위칭 가능한 냉각 장치의 영역에 존재하는 고체 물질의 액화에 기여할 수 있다.
칸막이는 바람직하게는 금속 또는 탄소, 특히 바람직하게는 흑연을 포함한다. 칸막이는 또한 테플론으로 이루어질 수 있다. 칸막이는 또한 그물 또는 벌집의 형태로 구성될 수 있고; 개구는 바람직하게는, 고체 물질은 보류하고 액체 물질에 대해서는 투과성이도록 구현된다.
냉각 장치는 바람직하게는 냉각제를 함유한다. 냉각제는 바람직하게는 저온 유지 장치(cryostat) 및 순환 펌프를 통해 펌핑된다. 냉각제는 바람직하게는 유기 및/또는 무기 용매, 바람직하게는 글리콜, 에틸렌 글리콜 및/또는 물 또는 차가운 기체, 바람직하게는 일산화탄소 또는 질소를 함유한다.
본 발명은 또한, 황, 셀렌, 텔루르, 및/또는 이들의 혼합물을 위한 증발기 챔버의 연속적인 충전을 위한 본 발명에 따른 장치의 용도를 포함한다.
본 발명은 또한, 박막 태양전지의 제조에서 셀렌 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 장치의 용도를 포함한다.
본 발명은 이하 도면을 참조하여 상세히 설명된다. 도면은 순전히 개략적이며, 비율에 충실하지는 않다. 도면은 어느 방식으로든 본 발명을 제한하지 않는다.
도면은 다음을 도시한다:
도 1은 본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시양태의 단면도,
도 2는 냉각/가열 장치(15)의 개별 성분들의 개략도,
도 3은 본 발명에 따른 장치의 별법의 실시양태의 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시양태의 흐름도,
도 5는 본 발명에 따른 장치의 다른 바람직한 실시양태의 단면도,
도 6은 도 3에 도시된 것의 변형.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시양태의 단면도를 도시한다. 셀렌(1)은 물질(1)로서 주입구(6)를 통해 본 발명에 따른 장치 내로 충전되고 증발기(8)로 이송된다. 증발기 챔버(8) 내의 진공에 영향을 주지 않기 위해서, 증발기 챔버(8)로의 셀렌(1)의 첨가는 가열된 진공 슬라이드(2)를 통해 이루어진다. 본 발명에 따른 장치는, 주입구(6) 후에, 냉각된 커넥터(12), 가열된 진공 슬라이드(2) 및 가열된 커넥터(13)를 포함한다. 냉각된 커넥터(12)는 충전 동안 고체 셀렌(1)의 접착을 방지한다. 가열된 커넥터(13)는 본 발명에 따른 장치로부터 기상 셀렌(1)의 응축을 방지한다. 커넥터(12, 13)는 치수가 210 mm × 210 mm인 십자 피팅(cross fittings)으로서 구성된다. 냉각된 커넥터(12) 및 가열된 커넥터(13)는 길이 75 mm의 슬라이드 하우징(10) 뿐 아니라 길이 105 mm의 슬라이드(11)를 함유한다. 슬라이드(11)는 슬라이드 하우징(10) 내부에서 50 mm의 길이로 이동할 수 있다. 슬라이드(11)는 장치 내부에서 셀렌(1)에 대한 투과도를 조절할 수 있다. 즉, 슬라이드(11) 및 그에 연결된 냉각/가열 장치(15)의 선택적 개방 또는 폐쇄에 의해, 장치의 개별 구획은 셀렌에 대해 투과성일 수도 아닐 수도 있다. 가열된 진공 슬라이드(2)는 압력을 조절하고 진공화 및 통기에 기여한다. 즉, 냉각된 커넥터(12), 가열된 진공 슬라이드(2) 및 가열된 커넥터(13)가 증발기 챔버(8) 방향에서 폐쇄되었을 때 진공 챔버(3)가 진공화될 수 있다. 냉각/가열 장치(15)의 작동 방식은 도 2에서 설명한다. 2개의 커넥터(12/13)는 셀렌(1)의 투과도를 조절하거나 차단하며, 그의 온도는 냉각/가열 장치(15)를 통해 조절된다. 가열된 진공 슬라이드(2)는 압력을 조절한다. 가열된 커넥터(13)를 통과한 후, 셀렌(1)은 주입 채널(16)을 통해 진공 챔버(3) 내의 사이펀(4)에 도달한다. 진공 챔버(3)는 커넥터(18)를 통해 진공화될 수 있다. 가열기(5)는 사이펀(4) 내에 위치한 셀렌(1)을 가열한다. 셀렌(1)의 액체 컬럼의 높이(17)는 진공 챔버(3)와 그에 연결된 증발기 챔버(8) 사이의 압력 차이에 기인한다. 액체 컬럼의 높이는 관찰 창(14)을 통해 모니터링될 수 있다. 사이펀(4)은 증발기 챔버(8) 내의 깔대기(7)를 통해 셀렌(1)의 증발을 위한 통(9)에 연결된다.
증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 장치는 별법으로는 다음을 포함한다(도시하지 않음):
a. 고체 물질(1)을 위한 진공 락(19),
b. 액체 물질(1)에 대해서만 투과성인 칸막이(28)가 구비된, 진공 락(19)에 부착된 진공 챔버(3),
c. 칸막이(28) 뒤에서 진공 챔버(3)에 부착된 증발기 챔버(8)로의 연결 채널(20),
d. 진공 챔버(3) 및 연결 채널(20)의 가열 재킷(29), 및
e. 연결 채널(20) 상의 스위칭 가능한 냉각 장치(24).
사이펀(4)은 액체, 바람직하게는 셀렌, 황, 요오드, 비스무트, 납, 카드뮴, 세슘, 갈륨, 인듐, 루비듐, 텔루르, 탈륨, 주석, 아연 및/또는 이들의 혼합물을 함유하며, 특히 바람직하게는 셀렌을 함유한다.
냉각/가열 커넥터(12/13) 및/또는 가열된 진공 슬라이드(2)는 직경 15 mm 내지 50 mm, 바람직하게는 30 mm 내지 40 mm의 개구(15d)를 가진다.
가열된 진공 슬라이드(2)는 위로는 냉각된 커넥터(12) 및/또는 아래로는 가열된 커넥터(13)에 연결된다.
냉각된 커넥터(12) 및/또는 가열된 커넥터(13)는 개구(15b) 및 가열기/냉각기(15f)를 갖는 천공된 판(15c), 기계적 카운터-베어링(15a), 마개(15e), 슬라이드(11) 및 슬라이드 하우징(10)을 포함한다.
도 2는 반폐쇄 상태의 냉각/가열 장치(15)의 개략도를 도시한다. 천공된 판(15c)은 기계적 카운터-베어링(15a) 상에 배치된다. 천공된 판 내의 개구(15b)는 냉각기 또는 가열기(15f)에 의해 둘러싸인다. 마개(15e)는 마개 내의 개구(15d)로 물질(1)에 대한 냉각/가열 장치(15)의 투과도를 조절한다. 천공된 판 내의 개구(15b)와 마개 내의 개구(15d)가 서로의 위에 정렬될 경우, 가열/냉각 장치(15)는 투과성이고, 이에 따라 마개(15e)가 천공된 판 내의 개구(15b) 위에 폐쇄하도록 위치할 때 불투과성이다. 냉각/가열 장치(15)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 바람직하게는 물질(1)의 충전 방향에 대해 대략 90° 각도로 배치되고, 천공된 판 내의 개구(15b)는 물질(1)의 충전 방향에 대해 수직으로 위치한다. 천공된 판(15c) 위의 마개(15e)의 위치는 도 1에서 설명한 슬라이드(11) 및 슬라이드 하우징(10)을 포함하는 배열을 통해 조절된다. 슬라이드(11)는 바람직하게는 마개(15e)에 직접 연결된다.
도 3은 본 발명에 따른 장치의 바람직한 별법의 실시양태의 단면도를 도시한다. 셀렌(1)은 진공 락(19)을 통해 진공 챔버(3)에 도달한다. 진공 챔버(3)는 칸막이(28)에 의해 2개의 영역(3a/3b)으로 나뉜다. 진공 락(19)에 이어서, 충전된 셀렌(1)은 칸막이(28) 전방에 있는 진공 챔버(3)의 충전 영역(3a) 내에 위치한다. 칸막이(28)는 액체 셀렌에 대해서만 투과성이다. 가열 재킷(29)은 셀렌(1)을 가열 및 액화시켜, 셀렌(1)이 칸막이(28)를 통과할 수 있고 유출 영역(3b)에 도달하게 한다. 가열 재킷(29)은 바람직하게는 금속, 바람직하게는 철, 크롬, 바나듐, 알루미늄, 티탄 및/또는 스테인리스 강으로 이루어진 외부 케이싱을 포함하며, 그 안에 가열 유체(25) 및 진공 챔버(3)와 연결 채널(20)을 포함하는 배열이 위치한다. 가열 재킷(29)은 충전 장치(26) 및 배출 장치(27)를 포함하며, 이를 통해 가열 유체(25), 예를 들어 고온 안정성 실리콘유가 가열 재킷(29) 내부를 순환할 수 있다. 액체 셀렌(1)은 배출구(drain)(21)를 통해 연결 채널(20) 및 증발기 챔버(8)(도시하지 않음)에 도달한다. 연결 채널(20)에 부착된 스위칭 가능한 냉각 장치(24)는, 냉각제 유동(22)이 스위치 온되었을 때, 연결 채널(20) 내의 액체 셀렌(1)을 고화시키고 연결 채널(20)을 밀봉할 수 있다. 연결 채널(20)의 영역에서 가열 재킷(29)에 부착된 나선형 판(23)은 가열 유체(25)의 유동을 강제하여, 냉각 장치(24)가 스위치 오프되었을 때 연결 채널(20)이 재가열된다. 나선형 판(23)은 또한 스위칭 가능한 냉각 장치(24)의 영역 내에 위치한 고체 셀렌(1)의 액화를 위해 사용될 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 방법의 바람직한 실시양태의 흐름도를 도시한다. 제1 단계에서, 고체 셀렌(1)은 주입구(6)를 통해 가열된 진공 챔버(3) 내부의 사이펀(4) 내로 이송된다. 주입구(6)와 진공 챔버(3) 사이에 부착되고 160℃ 내지 200℃로 가열된 진공 슬라이드(2)는 진공 챔버(3)의 개방 및 폐쇄를 가능하게 한다. 셀렌 주입이 완료되면, 가열된 진공 슬라이드(2)는 폐쇄된다. 가열된 진공 슬라이드(2)를 폐쇄한 후, 진공 챔버(3)는 진공의 적용으로부터 5 mbar의 압력을 가진다. 사이펀(4) 내에 위치한 셀렌(1)은 진공 챔버(3) 내의 가열기(5)에 의해 230℃에서 액화되고 사이펀(4)의 단부에 연결된 깔대기(7)를 통해 연결된 증발기 챔버(8)의 통(9) 내로 이송된다. 증발기 챔버(8) 및 사이펀(4)의 배출구는 바람직하게는 10-5 mbar의 압력 및 230℃의 온도를 가진다.
도 5는 본 발명에 따른 장치의 다른 바람직한 실시양태의 단면도를 도시한다. 장치의 구조는 도 1에 기재된 것에 상응하지만, 주입구(6)와 냉각된 커넥터(12) 사이에 제1 냉각된 커넥터(31), 냉각된 진공 슬라이드(30), 제2 냉각된 커넥터(32) 및 중간 커넥터(33)가 배치된 것이 상이하다.
도 6은 도 3에 대한 별법의 실시양태를 도시한다. 진공 챔버(3) 내의 칸막이(28)가 고정 용접되어 바닥에서만 천공(34)을 가지고 연결 채널(20)은 이 천공보다 더 위에 도달할 때, 상기 변형은 사이펀과 똑같이 거동한다(도 6 참조). 칸막이(28)의 두 측면상의 압력 균형은, 액체 물질의 과열 및 가능한 증발 발생 시에 연결 채널로의 강한 제어되지 않은 물질 수송이 일어나지 않도록 조절되어야 한다.
실시예
연속적인 셀렌 제충전은 예를 들어 아래와 같이 이루어질 수 있다.
1. 고체 셀렌(1)을 주입구(6)에 충전한다(1 atm, 30℃, 300 g, 매 5분).
2. 중간 커넥터(33), 2개의 냉각된 커넥터(32) 및 냉각된 커넥터(12)를 5 mbar로부터 1 atm으로 통기시킨다.
3. 제1 냉각된 커넥터(31) 내의 진공 슬라이드(30) 및 슬라이드(11)를 개방한다.
4. 제2 냉각된 커넥터(32) 내의 슬라이드(11)를 개방하여, 고체 셀렌(1)이 제2 냉각된 커넥터(32), 중간 커넥터(33) 및 냉각된 커넥터(12)로 이루어진 진공 락 내로 적하될 수 있도록 한다. 고체 셀렌(1)은 냉각된 진공 슬라이드(30)를 통해, 제2 냉각된 커넥터(32)를 통해, 및 중간 커넥터(33)를 통해 냉각된 커넥터(12) 내의 슬라이드(11) 상으로 적하된다(1 atm 및 30℃, 각 경우 300 g, 매 5분).
5. 제1 냉각된 커넥터(31) 내의 슬라이드(11)를 폐쇄하고 냉각된 진공 슬라이드(30) 및 제2 냉각된 커넥터(32) 내의 슬라이드(11)를 폐쇄한다.
6. 중간 커넥터(33), 제2 냉각된 커넥터(32), 및 고체 셀렌(1)을 가지는 냉각된 커넥터(12)를 1 atm으로부터 5 mbar로 진공화한다.
7. 가열된 진공 슬라이드(2) 및 제1 가열된 커넥터(13) 내의 슬라이드(11)를 개방한다.
8. 냉각된 커넥터(12) 내의 슬라이드(11)을 개방하여, 고체 셀렌(1)이 사이펀(4) 내로 적하될 수 있도록 한다. 고체 셀렌(1)(각 경우 300 g, 매 5분)은 160℃의 가열된 진공 슬라이드(2)를 통해, 가열된 커넥터(13)을 통해 230℃ 및 5 mbar의 사이펀(4) 내로 적하된다.
9. 사이펀(4) 내의 고체 셀렌(1)을 용융될 때까지 가열기(5)로 230℃ 및 5 mbar에서 가열한다.
10. 액체 셀렌(1)을 사이펀(4)으로부터 가열된 깔대기(7)를 통해 10- mbar 및 230℃의 증발기 챔버(8)의 통(9) 내로 연속적으로 유동시킨다.
(1) 물질/셀렌
(2) 가열된 진공 슬라이드
(3) 진공 챔버
(4) 사이펀
(5) 가열기
(6) 주입구
(7) 깔대기
(8) 증발기 챔버
(9) 통
(10) 슬라이드 하우징
(11) 슬라이드
(12) 냉각된 커넥터
(13) 가열된 커넥터
(14) 관찰 창
(15) 냉각/가열 장치
(15a) 기계적 카운터-베어링
(15b) 천공된 판 내의 개구
(15c) 천공된 판
(15d) 마개 내의 개구
(15e) 마개
(15f) 냉각기/가열기
(16) 주입 채널
(17) 액체 컬럼의 높이
(18) 커넥터
(19) 진공 락
(20) 연결 채널
(21) 배출구
(22) 냉각제
(23) 나선형 판
(24) 냉각 장치
(25) 가열 유체
(26) 충전 장치
(27) 배출 장치
(28) 칸막이
(29) 가열 재킷
(30) 냉각된 진공 슬라이드
(31) 제1 냉각된 커넥터
(32) 제2 냉각된 커넥터
(33) 중간 커넥터, 및
(34) 칸막이 내의 개구

Claims (14)

  1. a. 고체 물질(1)이 진공 락(vacuum lock)(19)을 통해 진공 챔버(3) 내로 이송되고, 진공 챔버(3)는 액체 물질(1)에 대해서만 투과성인 칸막이(28)를 가지고;
    b. 물질(1)이 진공 챔버(3) 내에서 진공 챔버(3)의 가열 재킷(29)에 의해 가열되어 액화되고,
    c. 물질(1)이 배출구(drain)(21) 및 연결 채널(20)을 통해 증발기 챔버(8) 내부의 통(basin)(9) 내로 이송되는,
    증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 물질(1)이 바람직하게는 셀렌, 황, 브롬, 요오드, 비스무트, 납, 카드뮴, 세슘, 갈륨, 인듐, 루비듐, 텔루르, 탈륨, 주석, 아연, 및/또는 이들의 혼합물, 특히 바람직하게는 셀렌을 함유하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 진공 챔버(3)가 160℃ 내지 250℃로 유지되는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 진공 챔버(3)가 20 mbar 내지 10-6 mbar, 바람직하게는 10 mbar 내지 0.1 mbar의 압력 p1로 진공화(evacuate)되는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 증발기 챔버(8)는 10-2 mbar 내지 10-7 mbar의 압력 p2로 진공화되는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 증발기 챔버(8)는 200℃ 내지 300℃, 바람직하게는 230℃ 내지 270℃의 온도로 가열되는 방법.
  7. a. 고체 물질(1)을 위한 진공 락(19),
    b. 액체 물질(1)에 대해서만 투과성인 칸막이(28)가 구비된, 진공 락(19)에 부착된 진공 챔버(3),
    c. 칸막이(28) 뒤에서 진공 챔버(3)에 부착된 증발기 챔버(8)로의 연결 채널(20),
    d. 진공 챔버(3) 및 연결 채널(20)의 가열 재킷(29), 및
    e. 연결 채널(20) 상의 스위칭 가능한(switchable) 냉각 장치(24)
    를 포함하는, 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한 장치.
  8. 제7항에 있어서, 칸막이(28)는 바람직하게는 금속 또는 탄소, 특히 바람직하게는 흑연을 함유하는 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 칸막이(28)는 그물 또는 벌집의 형태로 구성되는 장치.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 재킷(29)는 나선형 판을 포함하는 장치.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 재킷(29)은 바람직하게는 가열 유체, 바람직하게는 내열성 광유 및/또는 실리콘유를 함유하는 장치.
  12. 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 진공 챔버(3), 연결 채널(20), 충전 장치(26) 및/또는 퍼징 장치(27)는 바람직하게는 에나멜 및/또는 테플론으로 이루어진 코팅을 포함하는 장치.
  13. 황, 셀렌, 텔루르 및/또는 이들의 혼합물을 위한 증발기 챔버의 연속적인 재충전을 위한, 제7항 내지 제12항 중 어느 한 항의 장치의 용도.
  14. 제13항에 있어서, 박막 태양전지의 제조에서 증발기 챔버를 셀렌으로 연속적으로 재충전하기 위한, 장치의 용도.
KR1020127024316A 2010-03-26 2011-03-23 증발기 챔버의 재충전을 위한 방법 및 장치 KR20130008024A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20100157912 EP2369033A1 (de) 2010-03-26 2010-03-26 Verfahren zum Nachfüllen einer Verdampferkammer
EP10157912.6 2010-03-26
PCT/EP2011/054433 WO2011117291A1 (de) 2010-03-26 2011-03-23 Verfahren und vorrichtung zum nachfüllen einer verdampferkammer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130008024A true KR20130008024A (ko) 2013-01-21

Family

ID=42232778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127024316A KR20130008024A (ko) 2010-03-26 2011-03-23 증발기 챔버의 재충전을 위한 방법 및 장치

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20130098453A1 (ko)
EP (2) EP2369033A1 (ko)
JP (1) JP2013524001A (ko)
KR (1) KR20130008024A (ko)
CN (1) CN102812151A (ko)
ES (1) ES2614944T3 (ko)
WO (1) WO2011117291A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017200253A1 (ko) * 2016-05-16 2017-11-23 주식회사 포스코 용융소재 공급유닛 및 이를 포함하는 건식코팅장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101461738B1 (ko) * 2012-12-21 2014-11-14 주식회사 포스코 가열장치 및 이를 포함하는 코팅 시스템
GB2574400B (en) * 2018-06-04 2022-11-23 Dyson Technology Ltd A Device
CN113564534B (zh) * 2020-04-28 2023-05-09 宝山钢铁股份有限公司 一种真空镀机组镀液连续供给装置及其供给方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4366721A (en) * 1981-02-10 1983-01-04 Union Carbide Corporation Molten metal sampling device
JPS57137463A (en) * 1981-02-20 1982-08-25 Canon Inc Vapor depositing method
FR2611746B1 (fr) 1987-03-06 1989-06-30 Centre Nat Etd Spatiales Dispositif d'evaporation sous vide d'un metal en continu
JPH02118064A (ja) * 1988-10-27 1990-05-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置
US5526867A (en) * 1988-11-10 1996-06-18 Lanxide Technology Company, Lp Methods of forming electronic packages
JPH0521578A (ja) * 1991-07-15 1993-01-29 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
US5407000A (en) * 1992-02-13 1995-04-18 The Dow Chemical Company Method and apparatus for handling molten metals
DE4442824C1 (de) 1994-12-01 1996-01-25 Siemens Ag Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht
US6251233B1 (en) * 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
JP3823591B2 (ja) * 1999-03-25 2006-09-20 三菱電機株式会社 Ｃｖｄ原料用気化装置およびこれを用いたｃｖｄ装置
JP2004244485A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 熱媒体
US6909839B2 (en) * 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US20080282983A1 (en) * 2003-12-09 2008-11-20 Braddock Iv Walter David High Temperature Vacuum Evaporation Apparatus
LV13383B (en) * 2004-05-27 2006-02-20 Sidrabe As Method and device for vacuum vaporization metals or alloys
DE102005062977B3 (de) 2005-12-28 2007-09-13 Sulfurcell Solartechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Umsetzung metallischer Vorläuferschichten zu Chalkopyritschichten von CIGSS-solarzellen
WO2008040329A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumbeschichtungsverfahren und anordnung zur durchführung des verfahrens
JP2008248362A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp セレン蒸着装置
US20090020070A1 (en) * 2007-07-19 2009-01-22 Michael Schafer Vacuum evaporation apparatus for solid materials
EP2025773A1 (en) 2007-07-19 2009-02-18 Applied Materials, Inc. Vacuum evaporation apparatus for solid materials
AU2008297944A1 (en) 2007-09-11 2009-03-19 Centrotherm Photovoltaics Ag Method and apparatus for thermally converting metallic precursor layers into semiconducting layers, and also solar module
EP2048261A1 (fr) * 2007-10-12 2009-04-15 ArcelorMittal France Générateur de vapeur industriel pour le dépôt d'un revêtement d'alliage sur une bande métallique

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017200253A1 (ko) * 2016-05-16 2017-11-23 주식회사 포스코 용융소재 공급유닛 및 이를 포함하는 건식코팅장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011117291A1 (de) 2011-09-29
CN102812151A (zh) 2012-12-05
EP2553136A1 (de) 2013-02-06
EP2369033A1 (de) 2011-09-28
ES2614944T3 (es) 2017-06-02
US20130098453A1 (en) 2013-04-25
US20150020896A1 (en) 2015-01-22
JP2013524001A (ja) 2013-06-17
EP2553136B1 (de) 2016-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9614118B2 (en) Method and apparatus for depositing copper-indium-gallium selenide (CuInGaSe2-cigs) thin films and other materials on a substrate
CN102165607B (zh) 用于在处理腔中对物体进行退火的装置和方法
US8323408B2 (en) Methods and apparatus to provide group VIA materials to reactors for group IBIIIAVIA film formation
US20100226629A1 (en) Roll-to-roll processing and tools for thin film solar cell manufacturing
US20080305247A1 (en) Method And Device For Converting Metallic Precursors Into Chalcopyrite Layers Of Cigss Solar Cells
CN101299446A (zh) 硒化物前驱薄膜与快速硒硫化热处理制备薄膜电池方法
CN101978091A (zh) 形成太阳能电池吸收体的前体膜的卷进卷出反应
US20150020896A1 (en) Method and device for refilling an evaporator chamber
CN103460405A (zh) 一种在卷对卷过程中制备薄膜型太阳能电池吸收层的组合式反应器
ES2774920T3 (es) Disposición, sistema y procedimiento para el procesamiento de cuerpos multicapa
WO2011140060A2 (en) Thermal evaporation sources with separate crucible for holding the evaporant material
US9343305B2 (en) Method and device for continuously coating substrates
CN102031497A (zh) 用于薄膜光伏材料的硒化的大规模方法和熔炉系统
CN102034895A (zh) 用于大规模处理覆盖玻璃基板的基于cis和/或cigs的薄膜的热管理和方法
US20120031604A1 (en) System and method for fabricating thin-film photovoltaic devices
Gossla et al. Five-source PVD for the deposition of Cu (In1− xGax)(Se1− ySy) 2 absorber layers
EP2371991B1 (de) Verfahren zum diskontinuierlichen Nachfüllen einer Selenverdampferkammer
CN111809241B (zh) 一种制备碲化镉或碲锌镉多晶料的方法
US20120034734A1 (en) System and method for fabricating thin-film photovoltaic devices
CN111809243A (zh) 一种制备碲化镉或碲锌镉多晶料的方法
RU2212080C2 (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОПИРИТНЫХ CuInSe2, Cu (In, Ga)Se2, CuGaSe2 ТОНКИХ ПЛЕНОК
WO2011135420A1 (en) Process for the production of a compound semiconductor layer
EP2369034B1 (de) Verfahren zum Nachfüllen einer Selenverdampferkammer
CN218842321U (zh) 一种用于多阶段硒化硫化制备铜铟镓硒硫薄膜的装置
KR20220027064A (ko) 칼코겐-함유 화합물 반도체를 제조하는 공정 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision