KR20130007464A - 자외선 조사 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 지에스 유아사
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Abstract

본 발명은 자외선 램프를 수용하는 케이싱 내의 가스의 치환 효율을 향상시킴으로써, 가스의 치환 시간을 단축하는 동시에, 상기 치환에서의 가스의 사용량을 저감하기 위한 자외선 조사 장치를 제공한다. 본 발명의 자외선 조사 장치는, 공작물(W)에 자외선을 조사하는 자외선 램프(2); 자외선 램프(2)를 수용하고, 공작물(W)에 대향하여 개구된 개구부(31)을 가지는 케이싱(3); 및 케이싱(3) 내에 가스를 공급하는 가스 공급 기구(4)를 포함하고, 케이싱(3)의 내면 또는 내부 공간에, 가스 공급 기구(4)에 의해 공급된 가스를 자외선 램프(2)의 주위를 한쪽 방향으로 순환시키기 위한 순환 안내면(3x)이 설치되어 있다.

Description

자외선 조사 장치 {ULTRAVIOLET IRRADIATION DEVICE}
본 발명은 자외선 조사 장치에 관한 것이다.
종래, 기판 등의 공작물의 표면을 청정화하기 위해, 공작물의 표면에 자외선을 조사하여 표면 위의 유기물을 산화 분해하는 자외선 조사 장치가 사용되고 있다.
여기서, 자외선 램프로부터 사출(射出)되는, 예를 들면, 파장 172nm의 자외선은 분위기 중의 산소 분자에 흡수된다. 구체적으로는 파장 172nm의 자외선은 대기 중에서 2mm 진행되는 것만으로 30%～40% 정도로 감쇠한다. 그러므로, 특허 문헌 1이나 특허 문헌 2 등에 나타낸 바와 같이, 자외선 램프를 수용하는 케이싱(램프 하우스) 내에, 예를 들면, 질소(N2) 가스 등의 불활성 가스를 충만시키는 동시에, 자외선 램프와 공작물 사이를 불활성 가스로 충만시키고 있다. 이와 같이 자외선 램프의 주위 분위기를 불활성 가스로 충만시킴으로써, 자외선 램프로부터 사출된 자외선의 감쇠를 방지하여, 공작물에의 자외선의 조사 효율을 향상시킴으로써 공작물의 세정 효율의 향상을 도모하고 있다.
그러나, 상기의 특허 문헌 1이나 특허 문헌 2에 나타낸 것에서는, 대략 직육면체 형상을 이루는 케이싱의 상면으로부터 아래 방향으로 불활성 가스를 공급하거나, 또는, 램프 하우스의 측면으로부터 가로 방향으로 불활성 가스를 공급하므로, 램프 하우스 내의 불활성 가스 치환에 시간이 걸린다는 문제가 있다. 또, 램프 하우스 내의 코너부에 체류하는 가스가 치환되기 어려울 뿐만 아니라, 자외선 램프에 있어 불활성 가스 도입구와는 반대 측의 공간에서 가스 치환이 일어나기 어렵고, 치환이 종료하기까지 사용하는 불활성 가스의 공급량도 증가한다는 문제가 있다.
또, 케이싱 내를 불활성 분위기로 하기 위해서는, 케이싱의 자외선 조사 측에 형성된 개구부를 광 투과 창으로 밀폐할 필요가 있고, 광 투과 창과 공작물 사이의 공간을 불활성 가스 분위기로 하기 위해, 제2 가스 공급 기구를 설치하거나, 광 투과 창과 케이싱 사이에 간극을 형성하여, 케이싱 내의 가스를 공작물 측에 도입하는 기구를 설치할 필요가 있으므로, 부품 수가 많아진다는 문제도 있다.
특허 문헌 1: 일본 공개특허공보 제2009-268974호 특허 문헌 2] 일본 공개특허공보 제2010-125368호
따라서 본 발명은, 상기 문제점을 한꺼번에 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 자외선 램프를 수용하는 케이싱 내의 가스의 치환 효율을 향상시킴으로써, 가스의 치환 시간을 단축하는 동시에, 상기 치환에서의 가스 사용량을 저감하는 것을 그 주된 소기 과제로 하는 것이다.
즉, 본 발명에 따른 자외선 조사 장치는, 공작물에 자외선을 조사하는 자외선 램프; 상기 자외선 램프를 수용하고, 상기 공작물에 대향하여 개구된 개구부를 가지는 케이싱; 및 상기 케이싱 내에 가스를 공급하는 가스 공급 기구를 포함하고, 상기 케이싱의 내면 또는 내부 공간에, 상기 가스 공급 기구에 의해 공급된 가스를 상기 자외선 램프의 주위를 한쪽 방향으로 순환시키기 위한 순환 안내면이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 자외선 조사 장치이면, 가스 공급 기구에 의해 공급된 가스가 케이싱의 내면 또는 내부 공간에 설치된 순환 안내면을 따라 자외선 램프의 주위를 한쪽 방향으로 순환하게 되므로, 케이싱 내의 가스의 치환 효율을 향상시킬 수 있다. 이로써, 케이싱 내의 가스의 치환 시간을 단축할 수 있는 동시에, 가스의 사용량을 저감할 수 있다. 가스의 사용량을 저감할 수 있기 때문에, 자외선 조사 장치의 유지비 중 1/3～1/2을 차지한다고 하는 가스의 비용을 감소시킬 수 있다.
또, 본 발명의 자외선 조사 장치는, 가스를 자외선 램프의 주위에 순환시킴으로써, 자외선 램프와 공작물 사이의 공간(자외선 램프의 자외선 조사 측의 공간)의 가스의 치환 효율을 향상시킬 수 있다. 이로써, 자외선 램프와 공작물과의 거리를 크게 할 수 있고, 하나의 자외선 램프에 의한 공작물 조사 범위를 가급적으로 크게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 자외선 조사 장치는, 가스를 자외선 램프의 주위를 순환시킴으로써, 자외선 램프에의 백분(白粉)의 부착을 방지할 수도 있다. 그리고, 이 백분은 자외선 램프의 분위기 중에 유기용제, 산, 알칼리 등의 각종 약품이 기화, 무화(霧化)하여 부유하고 있는 경우에, 그것이 자외선을 받아 황산 암모늄 등의 반응 생성물이 발생하고, 자외선 램프에 부착되어 생기는 외에, 조사 중의 공작물로부터 발생하는 비산물(飛散物)이 램프에 접촉하여 재결정화하여 생긴다. 이 백분에 의해, 자외선의 투과가 저해되어 자외선 강도가 저하되고, 백분이 자외선 램프로부터 벗겨져 떨어져 공작물을 오염시킨다는 문제가 생긴다.
상기 가스 공급 기구에 의한 가스 공급 방향을 따른 가상선과, 상기 가상선 및 상기 케이싱의 내면 또는 상기 순환 안내면의 교점에서의 접선이 이루는 각도가 예각인 것이 바람직하다. 이것이라면, 가스 공급 기구에 의해 공급된 가스가 케이싱의 내면 또는 순환 안내면에 부딪힌 후에, 그 내면 또는 순환 안내면을 따라 흘러 자외선 램프의 주위를 한쪽 방향으로 순환하기 쉬워진다. 따라서, 케이싱 내의 가스의 치환 효율, 가스의 치환 시간의 단축 효과, 및 가스의 사용량의 저감 효과를 높일 수 있다.
상기 가스 공급 기구가, 상기 케이싱 내에 형성되는 가스의 순환 방향과 동일 방향으로 상기 가스를 공급하는 것인 것이 바람직하다. 이것이라면, 가스 공급 기구에 의해 공급된 가스가, 순환 안내면을 따라 자외선 램프의 주위를 한쪽 방향으로 더욱더 순환하기 쉬워져, 케이싱 내의 가스의 치환 효율, 가스의 치환 시간의 단축 효과, 및 가스의 사용량의 저감 효과를 더욱더 높일 수 있다.
상기 순환 안내면에서의 상기 케이싱의 길이 방향에 수직인 단면이, 대략 부분 원형상, 대략 부분 긴 원형상, 대략 부분 타원 형상, 또는 코너부가 원호형을 이루는 대략 부분 직사각형을 이루는 것이 바람직하다. 이것이라면, 자외선 램프의 주위에 가스를 순환시킬 수 있고, 케이싱 내의 가스의 치환 효율을 향상시켜, 가스의 치환 시간을 단축하는 동시에, 상기 치환에서의 가스의 사용량을 저감할 수 있다. 케이싱의 내면이 대략 부분 원형상 또는 대략 부분 타원 형상의 경우에는, 그 내면 전체가 순환 안내면이 되고, 대략 부분 긴 원형상(대략 부분 트랙 형상)의 경우에는, 그 양쪽의 원호부가 순환 안내면이 되고, 코너부가 원호형을 이루는 대략 부분 직사각형의 경우에는, 그 코너부의 원호부가 순환 안내면이 된다.
상기 자외선 램프가, 장척(長尺) 원통 형상을 이루는 것이며, 상기 케이싱이 상기 자외선 램프를 수용하는 장척 통형상을 이루는 동시에, 상기 자외선 램프의 길이 방향을 따른 개구부를 가지는 것이 바람직하다. 이것이라면, 자외선 램프가 원통 형상이므로, 그 축 방향 주위에 가스를 순환시키기 쉬워지고, 또한 케이싱 내의 가스의 치환 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 가스 공급 기구가, 상기 케이싱의 길이 방향 대략 전체에 걸쳐 상기 케이싱 내에 가스를 공급하는 것인 것이 바람직하다. 이것이라면, 장척 원통 형상을 이루는 자외선 램프를 수용하는 케이싱에 있어서는, 그 자외선 램프의 주위를 효율적으로 가스로 충전시킬 수 있다.
상기 가스 공급 기구가, 상기 케이싱의 상부에서, 상기 케이싱 내에 형성되는 가스의 순환 방향과 동일 방향으로 가스를 공급하는 제1 공급부와, 상기 케이싱의 개구부에서, 상기 제1 공급부에 의해 공급된 가스의 순환 방향과 동일 방향으로 가스를 공급하는 제2 공급부를 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 제2 공급부가, 자외선 램프와 공작물 사이의 공간을 향하여, 제1 공급부에 의해 공급된 가스의 순환 방향과 동일 방향으로 가스를 공급하는 것인 것이 바람직하다. 이것이라면, 자외선 램프의 위쪽과 아래쪽의 양쪽으로부터 가스를 공급하는 것이 되므로, 자외선 램프 주위의 가스의 순환을 효율적으로 행할 수 있고, 가스의 치환 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 가스 공급 기구에 의해 공급된 가스의 순환 방향이 상기 공작물의 반송 방향을 따른 방향인 것이 바람직하다. 이와 같이 순환 방향과 반송 방향을 정렬함으로써, 공작물의 반송에 의해 가스의 순환이 교란되는 경우 없이, 더한층 가스의 순환을 촉진시킬 수 있다.
자외선 램프의 공작물 조사 영역을 가급적으로 크게 하는 경우에는, 자외선 램프와 공작물과의 거리를 크게 하는 것이 고려된다. 이때, 케이싱의 개구부가 자외선 램프의 자외선 조사 범위를 차단하지 않도록 형성되는 동시에, 자외선 램프 및 케이싱과 공작물과의 거리를 크게 하는 것이 고려된다. 이때, 케이싱과 공작물 사이의 공간에서의 가스의 치환이 어려워진다. 그러므로, 케이싱의 개구부로부터 공작물 측으로 연장되어, 상기 자외선 램프의 자외선 조사 범위를 차단하지 않도록 상기 공작물을 덮는 커버부를 가지는 것이 바람직하다.
또, 가스 공급 기구가 케이싱 내에 공급하는 가스로서는, 불활성 가스 또는 프로세스 가스인 것이 고려된다. 여기서, 프로세스 가스란, 자외선의 흡수를 억제하는 동시에, 공작물의 처리를 효율적으로 행하기 위한 가스이며, 예를 들면, 질소 가스 등의 불활성 가스와 산소 가스 등과의 혼합 가스이다.
이와 같이 구성한 본 발명에 의하면, 자외선 램프를 수용하는 케이싱 내의 가스의 치환 효율을 향상시킴으로써, 가스의 치환 시간을 단축하는 동시에, 상기 치환에서의 가스의 사용량을 저감할 수 있다.
도 1은 본 실시예의 자외선 조사 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 동 실시예의 자외선 조사 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 치환 개시 10초 후의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는 기판 반송 후의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 5는 변형 실시예에 따른 자외선 조사 장치의 단면도이다.
도 6은 케이싱의 제1 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 7은 케이싱의 제2 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 케이싱의 제3 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 9는 케이싱의 제4 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 10은 변형 실시예의 자외선 조사 장치를 나타낸 단면도이다.
이하에 본 발명에 따른 자외선 조사 장치의 일 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시예에 따른 자외선 조사 장치(100)는 액정 디스플레이용의 유리 기판이나 반도체 장치용의 반도체 기판 등의 공작물(W)에 자외선을 조사하여, 공작물(W)의 표면을 세정하는 기판 세정 장치에 사용되는 것이다.
구체적으로 이 자외선 조사 장치(100)는, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 아래쪽에 설치된 공작물(W)에 대하여 자외선을 조사하는 자외선 램프(2); 이 자외선 램프(2)를 수용하고, 공작물(W)에 대향하여 아래쪽으로 개구된 개구부(31)를 가지는 케이싱(3); 및 이 케이싱(3)의 내면을 따라 케이싱(3) 내에 질소(N2) 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급 기구(4)를 포함한다. 그리고, 공작물(W)은 도시하지 않은 반송 기구에 의해, 자외선 조사 장치(100)의 아래쪽을, 도 1의 화살표(S)(자외선 조사 장치(100)의 길이 방향에 직교하는 방향, 도 2에서는 지면 좌측으로부터 우측의 방향)을 따라 반송된다.
자외선 램프(2)는, 예를 들면, 파장 172nm의 진공 자외선을 사출하는 엑시머 램프이다. 구체적으로 이 자외선 램프(2)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 장척 원통 형상을 이루는 것이며, 도 2에 나타낸 바와 같이, 합성 석영 유리제의 축 방향에 직교하는 단면이 원형상을 이루는 밀폐 용기 내에, 예를 들면, 크세논(Xe) 가스 등의 방전용 가스가 충전되어 있고, 축 방향에서 보아 좌우 한 쌍의 대향면에 금속 박막으로 이루어지는 밴드형의 전극(21, 22)이 설치되어 있다. 또, 자외선 램프(2)는, 그 양단부가 케이싱(3) 내부에 설치된 유지체(5)의 관통 구멍(도시하지 않음)에 끼워 넣어져 유지되는 동시에, 이 유지체(5)를 통하여 전압이 인가되어 점등되고, 쌍을 이루는 밴드형의 전극(21, 22)의 사이로부터 상하로 자외선을 사출한다. 그리고, 쌍을 이루는 밴드형의 전극(21, 22)의 사이로부터 아래쪽 방향으로 사출되는 자외선이 공작물(W)에 조사된다. 또, 자외선 램프(2)로부터 조사된 자외선을 유효하게 사용하기 위해, 자외선 램프(2)의 내면 위쪽 또는 외면 위쪽에, 자외선을 반사하는 층을 설치해도 된다.
케이싱(3)은 장척 통형상을 이루는 것이며, 그 내부에 케이싱(3)의 축 방향(길이 방향)과 자외선 램프(2)의 축 방향(길이 방향)이 평행하도록, 자외선 램프(2)를 수용한다. 또, 케이싱(3)의 아래쪽에 형성된 개구부(31)는 자외선 램프(2)의 축 방향을 따라 형성되어 있고, 축 방향에서 보아 자외선 램프(2)의 자외선 조사 범위(A)를 차단하지 않도록 형성되어 있다. 그리고, 자외선 램프(2)의 자외선 조사 범위(A)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 쌍을 이루는 밴드형의 전극(21, 22)의 하단과 자외선 램프(2)의 중심을 연결하는 각을 중심각으로 하는 범위이다.
그리고, 케이싱(3)의 내면은, 가스 공급 기구(4)에 의해 공급된 불활성 가스를 자외선 램프(2)의 주위를 한쪽 방향으로 순환시키기 위한 순환 안내면(3x)을 가지도록 구성하고 있다. 보다 상세하게는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 케이싱(3)의 내면의 길이 방향에 수직인 단면이, 좌우 양단에 부분 원호부(3a, 3b)를 가지는 대략 부분 긴 원형상(대략 부분 트랙 형상)을 이루는 것이며, 이 좌우 양단의 부분 원호부(3a, 3b)가 순환 안내면(3x)으로서 기능한다. 이와 같이 케이싱(3)의 내면은, 길이 방향에 수직인 단면에서, 불활성 가스가 체류할 만한 코너부가 없는 매끈한 구조로 되어 있다.
또, 이 케이싱(3)의 개구부(31)로부터 공작물(W) 측으로 연장되어, 자외선 램프(2)의 자외선 조사 범위(A)를 차단하지 않도록 공작물(W)을 덮는 커버부(32a, 32b)를 가진다. 이 커버부(32a, 32b)는, 개구부(31)로부터 좌우 각각에서 바깥쪽으로 넓어지도록 형성되어 있어, 자외선 램프(2)와 공작물(W)과의 거리를 크게 한 경우에 생기는 공작물(W) 상의 개방 공간을 덮음으로써, 자외선 조사 범위(A) 전체가 불활성 가스로 치환되도록 하는 것이다. 그리고, 이 커버부(32a, 32b)와 공작물(W)과의 간극으로부터, 공작물(W)의 처리에 필요한 소량의 산소가 공작물(W)의 반송에 따라 케이싱(3) 내에 유입된다.
가스 공급 기구(4)는, 케이싱(3)의 상부에서, 케이싱(3)의 길이 방향 전체에 걸쳐 케이싱(3)의 내면을 따라 불활성 가스를 공급하는 것이다. 즉, 케이싱(3)의 길이 방향에 수직인 단면에 있어서, 가스 공급 기구(4)에 의한 가스 공급 방향을 따른 가상선(L1)과, 이 가상선(L1) 및 케이싱(3)의 내면의 교점(X)에서의 접선(L2)이 이루는 각도(θ)가 예각이 되어 있고, 가스 공급 기구(4)가 케이싱(3) 내에 형성되는 불활성 가스의 순환 방향(R)(후술)과 동일 방향으로 불활성 가스를 공급하는 것이다. 구체적으로 가스 공급 기구(4)는 케이싱(3)의 한쪽(도 2에서는 우측)의 부분 원호부(3b)에 설치되어, 이 부분 원호부(3b)의 내면의 접선 방향을 따라 불활성 가스를 케이싱(3) 내에 공급하는 것이며, 부분 원호부(3b)에 접속되는 동시에 부분 원호부(3b)의 내면에 의해 개구된 가스 도입부(411)와, 이 가스 도입부(411)에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급 배관(412)을 가진다.
이 가스 도입부(411)는 케이싱(3)의 부분 원호부(3b)에 있어 길이 방향을 따라 설치되어 있다. 또 가스 도입부(411)는 상하 2개의 평판에 의해 부분 원호부(3b)의 내면에서 길이 방향으로 연장되는 하나의 개구를 가진다. 그 외에, 가스 도입부(411)을, 복수의 관을 예를 들면, 부분 원호부(3b)의 길이 방향으로 등간격으로 접속함으로써 복수의 개구를 가지는 것으로서 형성해도 된다. 또, 가스 공급 배관(412)은 가스 도입부(411)에 접속되는 동시에, 도시하지 않은 불활성 가스원으로부터 불활성 가스를 가스 도입부(411)에 공급하는 것이다.
이 가스 공급 기구(4)에 의해 케이싱(3) 내에 공급된 불활성 가스는, 케이싱(3)의 내면을 따라 흐른다. 즉, 한쪽의 부분 원호부(3b)로부터 공급된 불활성 가스는 케이싱(3)의 평판부(3c)의 내면을 따라 다른 쪽의 부분 원호부(3a)로 흘러, 이 부분 원호부(3a)의 내면을 따라 자외선 램프(2)의 자외선 사출 측(아래쪽)으로 흐른다. 그리고, 자외선 램프(2)의 자외선 사출 측으로 흐른 불활성 가스는, (공작물(W)이 있는 경우에는 공작물(W)의 표면을 따라) 한쪽의 부분 원호부(3b)로 흘러, 이 한쪽의 부분 원호부(3b)의 내면을 따라 아래쪽에서 위쪽으로 흐른다. 이렇게 하여, 자외선 램프(2)의 주위에 한쪽 방향으로 순환하는 불활성 가스의 흐름(R)이 형성된다. 이 불활성 가스의 순환 방향(R)은 반송 기구에 의해 케이싱(3)의 개구부(31)의 아래쪽을, 반송되는 공작물(W)의 반송 방향(S)을 따른 방향이다. 즉, 개구부(31)에서의 불활성 가스는 좌측으로부터 우측을 향해 흐르고, 개구부(31)의 아래쪽에서의 공작물(W)은 좌측으로부터 우측을 향해 흐른다.
다음에, 이와 같이 구성한 자외선 조사 장치(100)를 사용한 불활성 가스의 치환 효율의 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 그리고, 비교예로서, 직육면체 형상을 이루는 케이싱에 있어서, 샤워형으로 상부로부터 불활성 가스를 공급하는 종래의 자외선 조사 장치에서의 치환 효율의 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 그리고, 본 실시예 및 비교예에서 불활성 가스(N2 가스)의 공급 유속은 1m/s이며, 케이싱 내의 N2 가스 치환을 개시하고 나서 10초 후에 공작물의 반송을 개시하였다. 도 3에 N2 가스 치환 개시 후 10초(공작물 반송 직전)의 케이싱 내의 질소 농도를 나타내고, 도 4에 공작물 반송 개시 후의 케이싱 내의 질소 농도를 나타낸다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 자외선 조사 장치(100)에서는, 종래의 자외선 조사 장치에 비해, 자외선 램프보다 아래쪽(자외선 조사 측)에서의 질소 농도가 높아지는 시간이 빠르다는 것을 알 수 있다. 즉, 본 실시예의 자외선 조사 장치(100)는, 종래의 자외선 조사 장치에 비해 N2 가스의 치환 효율이 개선되어 있음을 알 수 있다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 자외선 조사 장치(100)에서는, 공작물의 반송에 따라 공작물의 반송 방향과 N2 가스의 순환 방향이 정렬되어 있으므로, N2 가스의 순환이 촉진됨으로써, 자외선 램프의 아래쪽의 N2 가스의 치환 효율이 향상되어 있음을 알 수 있다.
이와 같이 구성한 본 실시예에 따른 자외선 조사 장치(100)에 의하면, 케이싱(3) 내면을 따라 공급된 불활성 가스가 케이싱(3) 내면에 설치된 순환 안내면(3x)을 따라 자외선 램프(2)의 주위를 한쪽 방향으로 순환하게 되므로, 케이싱(3) 내의 불활성 가스의 치환 효율을 향상시킬 수 있다. 이로써, 케이싱(3) 내의 불활성 가스의 치환 시간을 단축할 수 있는 동시에, 불활성 가스의 사용량을 저감할 수 있다. 불활성 가스의 사용량을 저감할 수 있기 때문에, 자외선 조사 장치(100)의 유지비 중 1/3～1/2을 차지한다고 하는 활성 가스의 비용을 감소시킬 수 있다. 또, 불활성 가스를 자외선 램프(2)의 주위에 순환시킴으로써, 자외선 램프(2)와 공작물(W) 사이의 공간(자외선 램프(2)의 자외선 조사 측의 공간)의 불활성 가스의 치환 효율을 향상시킬 수 있다. 이로써, 자외선 램프(2)와 공작물(W)과의 거리를 크게 할 수 있고, 하나의 자외선 램프(2)에 의한 공작물 조사 범위를 가급적으로 크게 할 수 있다. 또한, 불활성 가스를 자외선 램프(2)의 주위를 순환시킴으로써, 자외선 램프(2)에의 백분의 부착을 방지할 수도 있다. 게다가, 자외선 램프(2)의 주위를 순환시킴으로써, 자외선 램프(2)의 냉각도 행할 수 있다.
그리고, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 도 5에 나타낸 바와 같이, 가스 공급 기구(4)가, 케이싱(3)의 상부에서, 케이싱(3) 내에 형성되는 불활성 가스의 순환 방향(R)과 동일 방향으로 가스를 공급하는 제1 공급부(41)와, 케이싱(3)의 개구부(31)에서 케이싱(3)의 길이 방향 전체에 걸쳐 상기 제1 공급부(41)에 의해 공급된 불활성 가스의 순환 방향(R)과 동일 방향으로 불활성 가스를 공급하는 제2 공급부(42)를 포함하는 것이어도 된다. 그리고, 제1 공급부(41)는 상기 실시예의 가스 공급 기구(4)와 동일한 구성이다.
이 제2 공급부(42)는, 케이싱(3)의 다른 쪽의 커버부(32a)에 설치되어 커버부(32a)로부터 개구부(31)를 향해 불활성 가스를 공급하는 것이며, 다른 쪽의 커버부(32a)에 설치되는 동시에, 커버부(32a)에 의해 개구된 가스 도입부(421)와 이 가스 도입부(421)에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급 배관(422)을 가진다.
이 가스 도입부(421)는 케이싱(3)의 커버부(32a)에서 길이 방향을 따라 설치되어 있다. 그리고, 도 5에 있어서는, 제1 공급부(41)와 마찬가지로, 상하 2개의 평판에 의해 가스 도입부(421)가 형성되어 있지만, 가스 도입부(421)를 복수의 관을, 예를 들면, 등간격으로 커버부(32a)에 접속함으로써 형성해도 된다. 또, 가스 공급 배관(422)은 가스 도입부(421)에 접속되는 동시에, 도시하지 않은 불활성 가스원으로부터 불활성 가스를 가스 도입부(421)에 공급하는 것이다.
이 제2 공급부(42)에 의해 개구부(31)를 향해 흐르는 불활성 가스는, 제1 공급부(41)에 의해 공급된 불활성 가스와 함께 자외선 램프(2)의 자외선 사출 측(아래쪽)으로 흐른다. 그리고, 제2 공급부(42)에 의해 공급된 불활성 가스는, 제1 공급부에 의해 공급된 불활성 가스와 함께, 한쪽의 부분 원호부(3a)의 내면을 따라 아래쪽에서 위쪽으로 흘러 자외선 램프(2)의 주위에 한쪽 방향으로 순환하는 불활성 가스의 흐름(R)이 형성된다.
또, 케이싱의 단면 형상으로서는, 상기 실시예에 한정되지 않고, 도 6에 나타낸 바와 같이, 대략 부분 원형상을 이루는 것으로 해도 되고, 도 7에 나타낸 바와 같이, 대략 부분 타원 형상을 이루는 것으로 해도 된다. 이 경우, 케이싱(3)의 내면 전체가 순환 안내면(3x)으로서 기능하고, 가스 공급 기구(4)는 케이싱(3)의 단면 원형을 이루는 내면의 접선 방향을 따라 불활성 가스를 공급한다. 또, 도 8에 나타낸 바와 같이, 코너부가 원호형을 이루는 대략 부분 직사각형을 이루는 것으로 해도 된다. 이 경우, 케이싱(3)의 내면 중, 코너부에 형성된 원호부가 순환 안내면(3x)으로서 기능한다.
또한, 도 9에 나타낸 바와 같이, 케이싱(3)에 커버부를 설치하지 않고 구성하고, 좌우의 부분 원호부(3a, 3b)에 제1 공급부(41) 및 제2 공급부(42)를 설치하도록 해도 된다.
또, 상기 실시예에서는, 케이싱(3)의 내면에 순환 안내면(3x)을 설치한 경우를 나타내고 있지만, 그 외에, 도 10에 나타낸 바와 같이, 케이싱(3)의 내부 공간(3K)에 순환 안내면(3x)을 설치해도 된다. 구체적으로는, 케이싱(3)의 내부 공간(3K)에 있어서, 자외선 램프(2)의 주위에, 순환 안내면(3x)이 내면에 형성된 안내면 형성 부재(300)를 설치하는 것이 고려된다. 이것이라면, 케이싱(3)을 종래의 구성으로 하면서, 케이싱 내의 가스의 치환 효율, 가스의 치환 시간의 단축 효과, 및 가스의 사용량의 저감 효과를 얻을 수 있다. 그리고, 도 10에서는, 가스 공급 기구(4)가 순환 안내면(3x)을 향해 가스를 공급하는 경우를 나타내고 있다.
게다가, 상기 실시예에서는 케이싱 안을 불활성 가스로 치환하는 것이었지만, 불활성 가스에 공작물의 표면 처리에 유효한 처리용 가스(예를 들면, 산소 가스)를 혼합한 가스(프로세스 가스)를 사용하여, 케이싱 안을 이 프로세스 가스로 치환하는 것이라도 된다. 이러한 것이면, 불활성 가스로 완전하게 치환시킴으로써 공작물의 표면 처리의 효율이 저하될 우려를 미연에 방지할 수 있다.
덧붙여, 상기 실시예에서는, 케이싱 내에 하나의 자외선 램프를 수용하는 것이었지만, 서로 평행하게 배치된 복수의 자외선 램프를 배치하도록 해도 된다. 그 외에, 자외선 램프의 외관 형상은 장척 원통 형상을 이루는 것에 한정되지 않고, 그 외의 형상을 가지는 것이어도 된다. 또, 자외선 램프는 단면 원형상을 이루는 것에 한정되지 않고, 그 외에, 단면 직사각형을 이루는 평평한 각통형이며, 그 상하의 한 쌍의 평탄면에 전극(아래쪽의 전극은 메시형)을 설치한 것이어도 된다.
그 외에, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 그 취지를 벗어나지 않는 범위에서 각종 변형이 가능한 것은 물론이다.
100: 자외선 조사 장치 W: 공작물
S: 공작물의 반송 방향 2: 자외선 램프
A: 자외선 조사 범위 3: 케이싱
3x: 순환 안내면 31: 개구부
32a: 커버부 32b: 커버부
4: 가스 공급 기구 R: 순환 방향
41: 제1 공급부 42: 제2 공급부

Claims (10)

  1. 공작물에 자외선을 조사하는 자외선 램프;
    상기 자외선 램프를 수용하고, 상기 공작물에 대향하여 개구된 개구부를 가지는 케이싱; 및
    상기 케이싱 내에 가스를 공급하는 가스 공급 기구
    를 포함하고,
    상기 케이싱의 내면 또는 내부 공간에, 상기 가스 공급 기구에 의해 공급된 가스를 상기 자외선 램프의 주위를 한쪽 방향으로 순환시키기 위한 순환 안내면이 설치되어 있는, 자외선 조사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 기구에 의한 가스 공급 방향을 따른 가상선과, 상기 가상선 및 상기 케이싱의 내면 또는 상기 순환 안내면의 교점에서의 접선이 이루는 각도가 예각인, 자외선 조사 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스 공급 기구가, 상기 케이싱 내에 형성되는 가스의 순환 방향과 동일 방향으로 상기 가스를 공급하는 것인, 자외선 조사 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 순환 안내면에서의 상기 케이싱의 길이 방향에 수직인 단면이, 대략 부분 원형상, 대략 부분 긴 원형상, 대략 부분 타원 형상, 또는 코너부가 원호형을 이루는 대략 부분 직사각형인, 자외선 조사 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자외선 램프가, 장척 원통 형상을 이루는 것이며,
    상기 케이싱이, 상기 자외선 램프를 수용하는 장척 통형상을 이루는 동시에, 상기 자외선 램프의 길이 방향을 따른 개구부를 가지는 것인, 자외선 조사 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가스 공급 기구가 상기 케이싱의 길이 방향 대략 전체에 걸쳐 상기 케이싱 내에 가스를 공급하는 것인, 자외선 조사 장치.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 기구가,
    상기 케이싱의 상부에서, 상기 케이싱 내에 형성되는 가스의 순환 방향과 동일 방향으로 가스를 공급하는 제1 공급부; 및
    상기 케이싱의 개구부에서, 상기 제1 공급부에 의해 공급된 가스의 순환 방향과 동일 방향으로 가스를 공급하는 제2 공급부를 포함하는, 자외선 조사 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 기구에 의해 공급된 가스의 순환 방향이 상기 공작물의 반송 방향을 따른 방향인, 자외선 조사 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 케이싱의 개구부가 상기 자외선 램프의 자외선 조사 범위를 차단하지 않도록 형성되어 있고, 상기 개구부로부터 상기 공작물 측으로 연장되어 상기 자외선 램프의 자외선 조사 범위를 차단하지 않도록 상기 공작물을 덮는 커버부를 가지는, 자외선 조사 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스가 불활성 가스 또는 프로세스 가스인, 자외선 조사 장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103436850B (zh) * 2013-06-27 2015-09-16 苏州求是真空电子有限公司 一种反应磁控溅射镀膜的紫外线辅助装置
JP6586827B2 (ja) * 2015-08-31 2019-10-09 ウシオ電機株式会社 紫外線処理装置
JP6600566B2 (ja) * 2016-01-19 2019-10-30 東京応化工業株式会社 紫外線照射装置及び紫外線照射方法
TWI825353B (zh) * 2019-10-07 2023-12-11 日商牛尾電機股份有限公司 紫外線照射裝置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001300451A (ja) * 2000-04-25 2001-10-30 Hoya Schott Kk 紫外光照射装置
US6676762B2 (en) * 2001-01-15 2004-01-13 Board Of Trustees Of Michigan State University Method for cleaning a finished and polished surface of a metal automotive wheel
JP4569636B2 (ja) * 2008-01-22 2010-10-27 ウシオ電機株式会社 エキシマ放電ランプ
JP5092808B2 (ja) * 2008-03-06 2012-12-05 ウシオ電機株式会社 紫外線照射ユニットおよび紫外線照射処理装置
JP2009268974A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Toppan Printing Co Ltd 紫外線照射方法及び紫外線照射装置
JP5083184B2 (ja) * 2008-11-26 2012-11-28 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ装置

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