KR20130005093A - 단일 금속박막 터치패널 및 제조방법 - Google Patents

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Abstract

단일 금속박막 터치패널 및 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널은 활성 영역 및 비활성 영역을 구비하는 투명 기판; 상기 투명 기판의 활성 영역에 제1 방향으로 배치되는 그물망(MESH) 형상의 제1 금속센싱전극 및 상기 제1방향과 교차하여 제2 방향으로 배치되는 그물망(MESH) 형상의 제2 금속센싱전극을 복수 개 구비하는 금속센싱전극부; 상기 투명 기판의 활성 영역 또는 비활성 영역에 형성되고, 상기 제1 금속센싱전극을 전기적으로 연결하는 제1 금속배선전극 및 상기 제2 금속센싱전극을 전기적으로 연결하는 제2 금속배선전극을 복수 개 구비하는 금속배선전극부; 및 상기 투명 기판의 비활성 영역에 배치되어 복수 개의 상기 금속배선전극부가 구분되어 연결되는 접속부를 포함한다.

Description

단일 금속박막 터치패널 및 제조방법{TOUCH PANEL USING MONOLITHIC METALLIC THIN-FILM AND MANUFATURE METHOD THEREOF}
본 발명은 터치패널 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 단일 금속박막을 이용한 터치패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
터치패널(TOUCH PANEL)은 디스플레이 표면에 장착되어 사용자의 손가락 등의 물리적 접촉을 전기적 신호로 변환하여 제품을 작동시키는 입력장치로서, 각종 디스플레이 장치에 폭넓게 응용될 수 있으며, 근래에 와서는 그 수요가 비약적으로 성장하고 있다.
이러한 터치패널은 동작원리에 따라 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 적외선 방식 등으로 구분될 수 있으며, 최근에는 높은 투과율 및 빠른 응답속도를 가진 정전용량 방식이 많이 채택되고 있다.
한편, 종래 터치패널에서는 터치패널상에서 입력 위치를 검출하는 패턴 전극들을 투명 전도성 물질인 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하여 형성하여 왔다. 그런데, 상기 ITO는 표면저항이 크므로 대면적 터치패널을 제조함에 있어 패턴 전극간 저항이 커지기 때문에, 터치패널의 신호 감도 및 검출 감도가 떨어지는 문제점이 있었다. 또한, 상기 ITO는 상대적으로 가격이 높아 가격 경쟁력을 확보하는데 장애 요소로 존재하였고, 패턴 전극이 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역 사이의 투과율 차이로 인하여 패터닝 자국이 보이는 문제점도 추가적으로 발생하였다.
한편, 종래 정전용량식 터치패널에서는 두 손가락을 벌리거나 좁히면서 화면의 지도나 웹페이지를 확대, 축소할 수 있는 멀티터치를 위하여 패턴 전극을 X축 및 Y축으로 구분하여 적층하는 방식을 사용하여 왔으나, 이와 같은 방식은 공정을 복잡하게 하는 요인으로 작용하고 있다.
따라서, 상술한 문제점들을 해결하기 위한 터치패널에 관한 기술개발이 요청되고 있는 실정이다.
본 발명의 실시예들은 종래 ITO(Indium Tin Oxide)를 대체하여 센싱 전극을 금속박막을 이용한 그물망 형상으로 형성함으로써, 센싱 전극들간 또는 센싱 전극 및 배선 전극간의 저항을 감소시켜 검출감도 및 투과성을 향상시킨 터치패널을 제공하고자 한다.
또한, 센싱 전극을 동일한 층에 형성하면서도 X축 전극 및 Y축 전극으로 구분하여 연결시킴으로써, 단일 박막을 사용하여 멀티터치를 구현 가능한 터치패널을 제공하고자 한다.
또한, 센싱 전극 및 배선 전극을 단일 금속박막을 이용하여 동시에 형성함으로써, 공정을 단순화시킬 뿐만 아니라 가격 경쟁력을 확보할 수 있는 터치패널 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 활성 영역 및 비활성 영역을 구비하는 투명 기판; 상기 투명 기판의 활성 영역에 제1 방향으로 배치되는 그물망(MESH) 형상의 제1 금속센싱전극 및 상기 제1 방향과 교번하여 제2 방향으로 배치되는 그물망(MESH) 형상의 제2 금속센싱전극을 복수 개 구비하는 금속센싱전극부; 상기 투명 기판의 활성 영역 또는 비활성 영역에 형성되고, 상기 제1 금속센싱전극을 전기적으로 연결하는 제1 금속배선전극 및 상기 제2 금속센싱전극을 전기적으로 연결하는 제2 금속배선전극을 복수 개 구비하는 금속배선전극부; 및 상기 투명 기판의 비활성 영역에 배치되어 복수 개의 상기 금속배선전극부가 구분되어 연결되는 접속부를 포함하는 단일 금속박막 터치패널이 제공될 수 있다.
이 때, 상기 금속센싱전극부 및 상기 금속배선전극부는 Ag, Al, Cu, Cr, Ni, Mo 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 제조될 수 있다.
또한, 상기 제1 금속센싱전극 및 상기 제2 금속센싱전극은 1 내지 20㎛의 선폭을 가지고, 선들 사이의 간격이 100㎛ 이상인 세선(細線)들로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 금속배선전극 및 제2 금속배선전극은 상기 투명 기판의 활성 영역에 형성되되, 서로 겹치지 않도록 상기 금속센싱전극부를 우회하여 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 측면에 따른 단일 금속박막 터치패널은 상기 투명 기판과 상기 금속센싱전극부 사이에 배치되는 헤이즈층; 및 상기 금속센싱전극부 및 금속배선전극 상부에 배치되는 헤이즈 제거층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 접속부는 2층 이상의 회로층으로 구성되는 다층인쇄회로기판일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 활성 영역 및 비활성 영역을 구비하는 투명 기판 일면에 금속 박막을 코팅하는 제1 단계; 상기 금속 박막을 패터닝하여 상기 투명 기판의 활성 영역에 배치되는 그물망(MESH) 형상의 금속센싱전극부 및 상기 금속센싱전극부를 전기적으로 연결시키는 금속배선전극부를 동시에 형성하는 단계 제2 단계; 및 상기 투명 기판의 비활성 영역에 접속부를 배치하여 상기 금속배선전극부를 구분하여 연결하는 제3 단계를 포함하는 단일 금속박막 터치패널 제조방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 단계 이전에, 상기 투명 기판 일면에 헤이즈층을 형성하는 단계;를 더 포함하고, 상기 제2 단계 이후에, 상기 금속센싱전극부 및 금속배선전극부 상부에 헤이즈 제거층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 금속 박막은 Ag, Al, Cu, Cr, Ni, Mo 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 제조될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 센싱 전극을 금속을 사용하여 그물망 형상으로 형성하여 센싱 전극들간 또는 센싱 전극 및 배선 전극간의 저항을 감소시켜 터치패널의 전도성 및 검출강도를 향상시킬 수 있다.
또한, 센싱 전극을 그물망 형상으로 형성함으로써 대면적 터치패널의 투과성을 향상시킬 수 있고, ITO를 사용하지 않고도 센싱 전극을 형성함으로써 제품의 가격 경쟁력을 향상시킬 수 있다.
또한, 센싱 전극을 동일한 층에 형성하면서도 X축 전극 및 Y축 전극으로 구분하여 연결시킴으로써, 단일 박막을 사용하여 멀티 터치 기능을 구현 가능하다.
또한, 센싱 전극 및 배선 전극을 동일층에 동시에 형성함으로써, 보다 터치패널 제조공정을 단순화시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 단일 금속박막 터치패널에서 투명 기판의 정면도이다.
도 3은 도 2의 투명 기판 일면에 금속센싱전극부 및 금속배선전극부가 형성된 모습을 도시한 정면도이다.
도4는 도3에서 제1 금속센싱전극과 제1 금속배선전극이 연결되는 모습을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널 제조방법의 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널(100)의 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 단일 금속박막 터치패널(100)은 투명 기판(110)과, 투명 기판(110) 일면에 형성되는 금속센싱전극부(120) 및 금속배선전극부(130)와, 투명 기판(110)에 배치되어 금속배선전극부(130)가 구분되어 연결되는 접속부(140)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널(100)은 센싱전극부 및 배선전극부를 단일층에 형성하면서도 상기 센싱전극부를 X축 전극 및 Y축 전극으로 구분하여 연결시킴으로써, 단일 박막을 사용하여 멀티 터치를 구현 가능하도록 한 것을 일 특징으로 한다.
또한, 상기 센싱전극부 및 배선전극부를 종래 ITO(Indium Tin Oxide)를 대체하여 금속으로 형성함으로써 전극들 간의 저항을 감소시킬 뿐만 아니라, 가격 경쟁력을 향상시키고 공정을 단순화 시킨 것을 일 특징으로 한다.
이하에서는, 단일 금속박막 터치패널(100)의 각 구성에 대하여 설명하도록 한다.
도 2는 도 1의 단일 금속박막 터치패널(100)에서 투명 기판(110)의 정면도이다.
도 2를 참조하면, 투명 기판(110)은 금속센싱전극부(120), 금속배선전극부(130) 및 접속부(140)를 지지하는 역할을 수행한다. 투명 기판(110)은 SiO2를 주성분으로 하는 유리기판 또는 강화유리기판이 사용될 수 있으며, 경우에 따라 투명 실리콘 기판 내지는 투명 플라스틱 기판을 사용하는 것도 가능하다.
투명 기판(110)은 활성 영역(110A, Active area) 및 비활성 영역(110B, Non-active area)을 구비할 수 있다. 여기에서 활성 영역(110A)은 터치패널 중 사용자의 신체 접촉 또는 별도의 터치 도구(예를 들면, 스타일러스 펜)를 이용하여 접촉 위치를 감지하는 영역에 해당하고, 비활성 영역(110B)은 활성 영역(110A)를 제외한 영역으로 주로 활성 영역(110A)에서 감지한 접속 신호를 컨트롤러 IC(집적회로) 등에 전달하는 영역에 해당한다.
활성 영역(110A)에는 금속센싱전극부(120)가 형성되어 접촉 위치를 감지하게 되고, 활성 영역(110A) 또는 비활성 영역(110B)에는 금속센싱전극부(120)를 전기적으로 연결하는 금속배선전극부(130)가 형성된다.
종래에는 배선전극부가 비활성 영역(110B)에만 형성되었으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널(100)에서는 비활성 영역(110B)뿐만 아니라 활성 영역(110A)에도 금속배선전극부(130)를 형성함으로써 단일층에 센싱전극 및 배선전극을 모두 형성시킨 것을 일 특징으로 한다.
한편, 투명 기판(110)은 투명 기판(110)과 금속센싱전극부(120) 사이에 배치되는 헤이즈(haze)층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 헤이즈층은 외부에서 들어오는 빛이 금속센싱전극부(120)에 반사되어 발생하는 레인보우 현상을 최소화 하는 역할을 수행한다. 상기 헤이즈층은 헤이즈(haze) 특성을 갖는 수지 조성물을 코팅하거나 기판 유리를 에칭함으로써 형성될 수 있다.
도 3은 도 2의 투명 기판(100) 일면에 금속센싱전극부(120) 및 금속배선전극부(130)가 형성된 모습을 도시한 정면도이다.
도 3을 참조하면, 금속센싱전극부(120)는 투명 기판(100)의 활성 영역(110A)에 제 1 방향으로 배치되는 제1 금속센싱전극(121)과 상기 제1 방향과 교번하여 제2 방향으로 배치되는 제2 금속센싱전극(123)을 복수 개 구비할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널(100)은 종래 ITO를 대체하여 센싱전극들을 금속으로 형성함으로써 터치패널의 검출강도를 향상시키고, 제품 가격 경쟁력을 향상시킨 것을 일 특징으로 한다.
여기에서 제1 금속센싱전극(121) 및 제2 금속센싱전극(123)은 Ag, Al, Cu, Cr, Ni, Mo 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 제조될 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 방향은 단일 금속박막 터치패널(100)의 정면 우측을 기준으로 홀수 열(1열, 3열, 5열, 7열)에 해당할 수 있으며, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향과 교번하는 짝수 열(2열, 4열, 6열 순)일 수 있다.
상기 제1 방향 및 상기 제2 방향은 이에 한정되지 아니하고 다른 방향도 가능하나, 설명의 편의를 위해서 이하에서는 상기 제1 방향은 단일 금속박막 터치패널(100)의 정면 우측을 기준으로 홀수 열 방향이고, 상기 제2 방향은 짝수 열 방향인 경우를 중심으로 설명하도록 한다.
또한, 상기 제1 방향으로 배치되는 제1 금속센싱전극(121)은 X축 전극으로 기능하고, 상기 제2 방향으로 배치되는 제2 금속센싱전극(123)은 Y축 전극으로 기능할 수 있으며 이에 대해서는 후술하기로 한다.
제1 금속센싱전극(121) 및 제2 금속센싱전극(123)은 세선(細線)들로 구성된 그물망(MESH) 형상으로 형성된다. 제1 금속센싱전극(121) 및 제2 금속센싱전극(123)을 세선들로 구성된 그물망 형상으로 형성함으로써, 종래 패턴 전극(센싱 전극)이 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역 사이의 투과율 차이로 인한 패터닝 자국이 보이는 현상을 감소시킬 수 있으며, 이는 터치패널의 투과성을 향상시키는 효과를 가져올 수 있다.
이 때, 제1 금속센싱전극(121) 및 제2 금속센싱전극(123)에서 상기 세선들은 선폭이 1 내지 20㎛일 수 있다. 선폭이 1㎛보다 좁은 경우에는 터치패널의 생산 수율이 다소 떨어질 수 있으며, 선폭이 20㎛보다 넓은 경우에는 터치패널의 투과성 향상 효과가 떨어질 수 있다.
또한, 상기 세선들의 선들 사이의 간격은 100㎛ 이상일 수 있다. 선들 사이의 간격이 100㎛ 미만인 경우에는 터치패널의 투과율이 목적한 것보다 감소할 수 있다.
제1 금속센싱전극(121) 및 제2 금속센싱전극(123)은 서로 겹치지 않도록 배치되고, 제1 금속센싱전극(121) 및 제2 금속센싱전극(123)의 모양은 특정 모양으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 금속센싱전극(121) 및 제2 금속센싱전극(123)은 마름모, 정사각형, 직사각형, 원 또는 정형화되지 않은 모양(예를 들면, 덴드라이트(dendrite) 구조와 같이 나뭇가지들이 얽혀 있는 모양)등으로 형성 가능하다. 다만, 설명의 편의를 위하여 이하에서는 제1 금속센싱전극(121) 및 제2 금속센싱전극(123)이 직사각형 모양으로 형성된 경우를 중심으로 설명하기로 한다.
금속배선전극부(130)는 투명 기판(110)의 활성 영역(110A) 또는 비활성 영역(110B)에 형성되고, 제1 금속센싱전극(121)을 전기적으로 연결시키는 제1 금속배선전극(131)과 제2 금속센싱전극(123)을 전기적으로 연결시키는 제2 금속배선전극(133)을 복수 개 구비할 수 있다.
여기에서 제1 금속배선전극(131) 및 제2 금속배선전극(133)은 Ag, Al, Cu, Cr, Ni Mo 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 제조될 수 있다. 한편, 금속센싱전극부(120) 및 금속배선전극부(130)는 동일 금속 내지 합금으로 제조될 수 있으며, 이는 터치패널의 제조공정을 단순화시키는 효과를 가져올 수 있다.
금속배선전극부(130)는 사용자가 외부에서 물리적 접촉을 하거나 별도의 터치 도구를 사용하여 접촉하였을 때, 금속센싱전극부(120)에서 발생한 전기적 신호를 컨트롤러 IC(미도시) 또는 접속부(140)에 전달하는 역할을 수행한다.
예를 들면, 도3에 도시된 바와 같이 1열, 3열, 5열, 7열에 형성된 제1 금속센싱전극(121)은 별개의 제1 금속배선전극(131)과 전기적으로 연결되어 접속부(140)에 접속된다. 한편, 2열, 4열, 6열에 형성된 제2 금속센싱전극(123) 역시 별개의 제2 금속배선전극(132)과 전기적으로 연결되어 접속부(140)에 접속된다.
이 때, 투명 기판(110) 중앙부에 형성된 금속센싱전극부(120)의 경우에는 금속배선전극부(130)를 투명 기판(110)의 활성 영역(110A)에 형성하는 것이 가능하다.
예를 들어, 3열에 형성된 제1 금속센싱전극(121)과 5열에 형성된 제1 금속센싱전극(121)을 제1 금속배선전극(131)으로 X축 방향으로 연결하되, 상기 제1 금속배선전극(131)이 접속부(140)에 도달하는 경로를 투명 기판(110)의 활성 영역(110A)에 형성하는 것이 가능하다. 한편, 4열에 형성된 제2 금속센싱전극(123)과 연결되는 제2 금속배선전극(133)도 마찬가지로 투명 기판(110)의 활성 영역(110A)에 형성하는 것이 가능하고, 이 때의 제2 금속배선전극(133)의 형성 경로는 제1 금속배선전극(131)의 형성 경로와 겹치지 않도록 금속센싱전극들을 우회하여 형성될 수 있다.
한편, 금속센싱전극부(120) 및 금속배선전극부(130) 상부에는 헤이즈 제거층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 헤이즈 제거층은 금속센싱전극부(120) 및 금속배선전극부(130)에서 발생 가능한 레인보우를 최소화하는 역할을 수행한다. 상기 헤이즈 제거층은 유기 막을 도포하거나, 광학용 유기접착제가 코팅된 플라스틱 필름을 접합하여 헤이즈 제거층을 형성할 수 있다.
접속부(140)는 투명 기판(110)의 비활성 영역(110B)에 배치되어 복수 개의 금속배선전극부(130)를 구분 및 연결하는 역할을 수행한다. 접속부(140)는 예를 들면, 2층 이상의 회로층으로 구성되는 다층인쇄회로기판일 수 있다. 상기 다층 인쇄회로기판의 예로는 양쪽 면에 회로층을 형성한 양면 PCB(Prited Circuit Board) 또는 다층으로 배선한 MLB(Multi Layered Board)등을 들 수 있다.
이하에서는, 금속센싱전극부(120)와 금속배선전극부(130)의 연결에 대하여 설명하도록 한다.
도4는 도3에서 제1 금속센싱전극(121)과 제2 금속배선전극(131)이 연결되는 모습을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 3 및 도 4를 참조하여 예시하면, 1열에 형성된 제1 금속센싱전극(121a)을 전기적으로 연결하는 제1 금속배선전극(131a), 3열 및 5열에 형성된 제1 금속센싱전극(121b, 121c)을 전기적으로 연결하는 제1 금속배선전극(131b), 7열에 형성된 제1 금속센싱전극(121c)을 전기적으로 연결하는 제1 금속배선전극(131c)은 접속부(140)에 형성되어 있는 복수 개의 접속홀(미표기)을 통해 각각 접속된다. 상기 제1 금속센싱전극(121a, 121b, 121c, 121d)들은 동일한 행에 위치하는 금속센싱전극으로, 제1 금속배선전극(131a, 131b, 131c)들에 의해 전기적으로 일체화되어 X축 전극으로 기능할 수 있다.
상기 접속홀은 접속부(140) 내부에서 일부가 전기적으로 연결되어 있다. 예를 들면, 접속부(140) 내부에서 일정 위치에 해당하는 접속홀들끼리는 모두 전기적으로 연결된다. 따라서 각각의 제1 금속배선전극(131a, 131b, 131c)을 특정 위치에 존재하는 상기 접속홀에 각각 접속시킬 경우에, 별개로 접속된 제1 금속배선전극(131a, 131b, 131c)들은 접속부(140) 내부에서 전기적으로 일체화되어 연결된다. 즉, 접속부(140) 내부에서 1열, 3열, 5열, 7열에 형성된 제1 금속센싱전극(121)이 전기적으로 일체화되어 연결되어 X축 전극으로 기능하는 것이 가능하다.
한편, 도4에 도시되지는 않았으나 2열, 4열 및 6열에 형성된 제2 금속센싱전극(123)과 각각 전기적으로 연결되는 제2 금속배선전극(133)은 접속부(140) 내부에서 전기적으로 일체화되지 않아도 무방하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널(100)은 접속부(140) 내에서 복수 개의 제1 금속센싱전극(121)이 X축 전극으로 기능할 수 있도록 연결시킴으로써, 단일층에 형성되어 있는 제1 금속센싱전극(121)과 제2 금속센싱전극(123)을 각각 X축 전극 및 Y축 전극으로 기능하도록 할 수 있다.
이하에서는 단일 금속박막 터치패널의 제조방법에 관하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널 제조방법의 순서도이다.
도 5를 참조하면, 우선, 활성 영역(110A) 및 비활성 영역(110B)을 구비하는 투명 기판(110)을 준비하고(S110), 투명 기판(110) 일면에 금속 박막을 코팅한다. 상기 코팅은 sputter system, E-Beam system , Thermal system 또는 프린팅 공정을 이용할 수 있다. 상기 금속 박막은 Ag, Al, Cu, Cr, Ni, Mo 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성된다(S120).
한편, 투명 기판(110) 일면에 상기 금속 박막을 코팅하기 이전에, 헤이즈 특성을 갖는 수지 조성물을 코팅하여 헤이즈층을 형성하거나 투명기판을 에칭하여 헤이즈층을 형성 시킬 수 있다(S112).
다음으로, 상기 금속박막 상부에 포토레지스트 조성물을 코팅하고, 노광 공정을 이용하여 투명 기판(110)의 활성 영역(110A)에 그물망(MESH) 형상의 금속센싱전극부(120) 및 금속배선전극부(130)를 동시에 형성한다. 금속센싱전극부(120) 및 금속배선전극부(130)는 상기에서 설명한 바와 동일하므로, 여기에서는 설명을 생략하도록 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 금속박막 터치패널 제조방법에서는 센싱 전극과 배선 전극을 동일층으로 동시에 형성함으로써 보다 터치패널 제조공정을 단순화 시킬 수 있는 것을 일 특징으로 한다(S130).
한편, 금속센싱전극부(120) 및 금속배선전극부(130) 상부에 유기 막을 도포하여 헤이즈 제거층을 형성 또는 광학용 유기접착제가 코팅된 플라스틱 필름을 접합하여 헤이즈 제거층을 형성시킬 수 있다(S132).
다음으로, 투명 기판(110)의 하부 비활성 영역(110B)에 접속부(140)를 배치하여 금속배선전극부(130)를 접속시킨다. 이 때, 접속부(140) 내부에서는 X축 센싱 전극으로 기능하는 금속센싱전극들이 전기적으로 연결됨으로써, 단일층에 형성된 금속센싱전극부(120)를 X축 및 Y축 센싱 전극으로 구분시켜 기능하도록 할 수 있다(S140).
이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
100: 터치패널
110: 투명 기판 110A: 활성 영역
110B: 비활성 영역 120: 금속센싱전극부
121: 제1금속센싱전극 123: 제2금속센싱전극
130: 금속배선전극부 131: 제1금속배선전극
132: 제2금속배선전극 140: 접속부

Claims (9)

  1. 활성 영역 및 비활성 영역을 구비하는 투명 기판(110);
    상기 투명 기판(110)의 활성 영역에 제1 방향으로 배치되는 그물망(MESH) 형상의 제1 금속센싱전극(121) 및 상기 제1 방향과 교번하여 제2 방향으로 배치되는 그물망(MESH) 형상의 제2 금속센싱전극(123)을 복수 개 구비하는 금속센싱전극부(120);
    상기 투명 기판(110)의 활성 영역 또는 비활성 영역에 형성되고, 상기 제1 금속센싱전극(121)을 전기적으로 연결하는 제1 금속배선전극(131) 및 상기 제2 금속센싱전극(123)을 전기적으로 연결하는 제2 금속배선전극(133)을 복수 개 구비하는 금속배선전극부(130); 및
    상기 투명 기판(110)의 비활성 영역에 배치되어 복수 개의 상기 금속배선전극부(130)가 구분되어 연결되는 접속부(140)를 포함하는 단일 금속박막 터치패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속센싱전극부(120) 및 상기 금속배선전극부(130)는 Ag, Al, Cu, Cr, Ni, Mo 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 제조되는 단일 금속박막 터치패널.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 금속센싱전극(121) 및 상기 제2 금속센싱전극(123)은 1 내지 20㎛의 선폭을 가지고, 선들 사이의 간격이 100㎛ 이상인 세선(細線)들로 형성된 단일 금속박막 터치패널.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 금속배선전극(131) 및 제2 금속배선전극(133)은 상기 투명 기판(110)의 활성 영역에 형성되되,
    서로 겹치지 않도록 상기 금속센싱전극부(120)를 우회하여 형성되는 단일 금속박막 터치패널.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 투명 기판과 상기 금속센싱전극부(120) 사이에 배치되는 헤이즈층; 및
    상기 금속센싱전극부(120) 및 금속배선전극부(130) 상부에 배치되는 헤이즈 제거층을 더 포함하는 단일 금속박막 터치패널.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 접속부(140)는 금속센싱전극부를 축 방향으로 연결하기 위하여 2층 이상의 회로층으로 구성되는 다층인쇄회로기판인 단일 금속박막 터치패널.
  7. 활성 영역 및 비활성 영역을 구비하는 투명 기판 일면에 금속 박막을 코팅하는 제1 단계;
    상기 금속 박막을 패터닝하여 상기 투명 기판의 활성 영역에 배치되는 그물망(MESH) 형상의 금속센싱전극부 및 상기 금속센싱전극부를 전기적으로 연결시키는 금속배선전극부를 동시에 형성하는 제2 단계; 및
    상기 투명 기판의 비활성 영역에 접속부를 배치하여 상기 금속배선전극부를 구분하여 연결하는 제3 단계를 포함하는 단일 금속박막 터치패널 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 단계 이전에,
    상기 투명 기판 일면에 헤이즈층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 제2단계 이후에,
    상기 금속센싱전극부 및 금속배선전극부 상부에 헤이즈 제거층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 단일 금속박막 터치패널 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 금속 박막은 Ag, Al, Cu, Cr, Ni, Mo 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 제조되는 단일 금속박막 터치패널 제조방법.
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