KR20120130891A - 반사형 노광 장치 - Google Patents

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이종수
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에스케이하이닉스 주식회사
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Abstract

반사형 노광 장치가 개시된다. 상기 반사형 노광 장치는 반사형 노광 장치가 개시된다. 상기 반사형 노광 장치는 EUV 광을 생시키는 광원; 상기 EUV 광을 표면에 형성된 회로 이미지 패턴에 기초하여 웨이퍼에 상기 EUV광을 반사시키는 노광마스크; 상기 광원과 상기 노광 마스크 사이에 위치하여 상기 EUV광의 일부를 차단하여 상기 노광 마스크의 조사영역을 설정하는 마스크 블레이드를 포함하며, 상기 마스크 블레이드는 상기 조사영역에 인접한 일부 영역에 경사면이 형성되며 상기 경사면에 입사되는 상기 광원에 포함된 대역 이외의 광성분을 외부로 반사시킨다.

Description

반사형 노광 장치{Reflection type exposure apparatus}
본 발명은 노광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 EUV(Extreme Ultra Violet)를 광원으로 이용하는 반사형 노광 장치에서 광원에 포함된 대역외(Out Of Band; OOB) 광성분을 제거할 수 있는 반사형 노광 장치에 관한 것이다.
종래의 노광 장치는 DUV(Deep Ultra Violet)을 광원으로 하는 투과형 노광계가 널리 사용되었다. 그런데, 반도체 소자의 집적도가 향상되고 선폭이 미세해지면서 근래에는 광학적 리소그래피의 분해능을 향상시키기 위하여 차세대 리소그래피 기술들이 연구되고 있다.
그 중에서, DUV보다 파장이 짧은 EUV(Extreme Ultra Violet)를 광원으로 하는 노광 장치에 대한 개발이 활발이 진행되고 있고, 반도체 제조 공정에 적용되고 있다.
도 1은 일반적인 반사형 노광 시스템을 개념적으로 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 반사형 노광 장치는 EUV 광원(10)에서 발생된 EUV 광을 다수의 반사렌즈(51 ~ 52)를 통하여 노광 마스크(20)로 입사시키고, 노광 마스크(20)에 형성된 회로 이미지에 기초하여 반사되는 EUV 광들을 다수의 반사렌즈(53 ~ 56)를 통하여 일정 배율로 축소하여 웨이퍼(40)로 조사함으로써 노광 공정을 수행하게 된다.
상기 노광 마스크(20)는 반사 기판 위에 형성된 흡수층의 패턴에 기초하여, 입사된 EUV 광을 흡수하거나 반사시키고, 다수의 반사렌즈(51 ~ 56)들을 통하여 크기를 축소시켜 웨이퍼(40)에 전사시킨다. 결국, 상기 흡수층에 입사된 EUV 광은 흡수되고, 반사 기판에 입사되는 EUV 광은 반사되어 웨이퍼(40)로 전사하게 된다.
그런데, 상기 EUV 광원(10)으로부터 발생된 EUV 광은 13.6nm 정도의 파장을 가지게 되는데 상기 EUV 광원(10)에는 13.6nm 근방의 파장 성분 이외에도 DUV 광의 파장에 근접한 248nm 정도의 파장을 갖는 광성분도 포함하게 된다. 이러한, EUV 광 이외의 광성분을 대역외(Out Of Band; OOB) 광성분이라 하고 반사형 노광 장치에서 노광 공정을 수행하는데 많은 영향을 끼치게 된다.
도 2는 반사형 노광 장치에서 대역외(OOB) 광성분의 영향을 설명하기 위하여 반사형 노광장치를 개념적으로 도시한 도면이다. 도 2를 참조하면, EUV 광원(10)에서 발생된 EUV 광은 상기 노광 마스크(20)로 입사되고, 반사 기판(21)과 반사기판 위에 형성된 흡수층(22)에 의하여 형성되는 노광 마스크(20) 표면의 이미지 형상으로 반사되어 상기 웨이퍼(40)에 회로 이미지 형상을 노광하게 된다.
일반적으로 노광 장치에서는 상기 마스크(10)의 조사 영역을 조절하기 위한 마스크 블레이드(30)를 포함한다. 상기 마스크 블레이드(30)는 X축 블레이드, Y축 블레이드를 포함하여 구성된다. 도 2에는 설명의 용이함을 위하여 X축 블레이드만이 도시되었다. 상기 마스크 블레이드(30)는 입사광의 일부분을 차단하여 상기 입사광이 상기 마스크(20)에 입사되는 영역인 조사영역을 설정한다. 상기 노광 마스크(20)는 조사영역에 입사된 입사광에 의하여 노광 마스크(20)에 형성된 회로 패턴 중에서 일부문만을 반사하게 된다.
그런데, 일반적인 반사형 노광 장치에서는 EUV 광원(10)이 노광 마스크 면과 마스크 블레이드면에 비스듬히 입사하게 된다. 결국, 상기 마스크 블레이드(30)에 입사된 EUV 광은 마스크 블레이드(30)에 흡수되지만, 상기 EUV 광원에 포함된 대역외(OOB) 광성분은 특성상 상기 마스크 블레이드(30)에 흡수되지 못하고 반사하게 된다. 결국, 상기 마스크 블레이드(30)에 반사되는 대역외(OOB) 광성분 중 일부(OOB1)는 웨이퍼 외부로 반사되지만 일부(OOB2)는 웨이퍼(40) 내부로 입사하게 된다. 따라서, 상기 웨이퍼 내부로 입사되는 반사된 대역외 광성분(OOB2)은 이미 노광된 웨이퍼 부분과 앞으로 노광될 웨이퍼 부분에 영향을 끼치게 된다.
결국, 일반적인 반사형 노광 장치에서는 상기 대역외(OOB) 광성분에 의하여 공정 마진이 줄어들고, CDU(Critical Dimension Uniformity)가 증가하게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위해 EUV 광에 포함된 대역외(OOB) 광성분의 제거를 위하여 필터 등을 설치하는 연구들이 진행되어 왔으나, EUV 광의 세기가 작아지게 되는 문제들이 발생하고 있는 실정이다.
따라서, EUV 광원(10)의 세기를 감소시키지 않고, EUV 광원(10)에 포함된 대역외(OOB) 광성분이 웨이퍼(40)에 영향을 미치지 않는 방법이 요구된다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 EUV 광원의 세기를 감소시키지 않고, EUV(Extreme Ultra Violet)를 광원으로 이용하는 반사형 노광 장치에서 대역외(Out Of Band; OOB) 광성분을 제거할 수 있는 반사형 노광 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 반사형 노광 장치는 EUV 광을 발생시키는 광원; 상기 EUV 광을 표면에 형성된 회로 이미지 패턴에 기초하여 웨이퍼에 상기 EUV광을 반사시키는 노광마스크, 상기 광원과 상기 노광 마스크 사이에 위치하여 상기 EUV광의 일부를 차단하여 상기 노광 마스크의 조사영역을 설정하는 마스크 블레이드를 포함하며, 상기 마스크 블레이드는 상기 조사영역에 인접한 일부 영역에 경사면이 형성되며 상기 경사면에 입사되는 상기 광원에 포함된 대역 이외의 광성분을 외부로 반사시킨다.
상기 마스크 블레이드는 X축 블레이드 및 Y축 블레이드를 포함하며 상기 X축 블레이드 및 상기 Y축 블레이드는 서로 다른 평면에 형성되어 동작시 서로 교차하여 이동한다.
상기 마스크 블레이드는 각각이 설정된 거리만큼 이격되어 다중으로 형성된 다수의 블레이드를 포함하는 X축 블레이드군, 및 Y축 블레이드군을 포함하고, 상기 다수의 블레이드 각각은 조사영역에 인접한 일부 영역에 경사면이 형성된다.
상기 마스크 블레이드는 상기 조사영역 설정 동작시 상기 X축 블레이드군에 포함된 다수의 블레이드와 상기 Y축 블레이드군에 포함된 다수의 블레이드가 상호간에 서로 교차하여 이동한다.
상기 X축 블레이드군, 및 상기 Y축 블레이드군 각각에 포함된 블레이드들은 일측이 서로 접속되어 동시에 구동된다.
상기 마스크 블레이드의 경사각은 입사광의 입사각을 기반으로 둔각으로 설정된다.
상기 반사형 노광 장치는 상기 마스크 블레이드로부터 반사되는 대역외(Out Of Band; OOB) 광성분의 광경로에 상기 대역외(OOB) 광성분의 특성을 측정하기 위한 적어도 하나의 광센서를 더 포함한다.
상기 X축 블레이드군, 및 상기 Y축 블레이드군 각각에 포함된 블레이드들의 경사면의 면적은 상부층의 블레이드일수록 더 크다.
상기 광원은 LPP(Laser-Produeced Plazma), DPP(Discharge Produced Plasma), 또는 GDPP(Gass Discharge Produced Plasma) 방법 중 어느 하나의 방법에 의하여 상기 EUV 광을 발생한다.
상기 마스크 블레이드는 산화 알루미늄(AL2O3)를 포함하는 EUV 광 흡수물질로 이루어진다.
본 발명에 따른 반사형 노광 장치는 EUV 광원의 세기를 감소시키지 않고 대역외(OOB)의 광을 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 반사형 노광 장치는 광원에 포함된 대역외(OOB) 광성분의 특성 측정할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 일반적인 반사형 노광 시스템을 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 반사형 노광 장치에서 대역외(OOB) 광성분의 영향을 설명하기 위하여 반사형 노광장치를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 반사형 노광 장치를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 마스크 블레이드를 입체적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 반사형 노광 장치의 다른 실시예를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 마스크 블레이드를 입체적으로 도시한 도면이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 반사형 노광 장치를 개념적으로 도시한 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 마스크 블레이드를 입체적으로 도시한 도면이다. 도 3과 도 4를 참조하면, 상기 반사형 노광 장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이 광원(10)으로부터 발생된 EUV 광을 반사시키는 다수의 반사렌즈를 포함하나, 설명의 용이함을 위하여 생략하고 개념적으로 도시한 도면이다.
도 3과 도 4를 참조하면, 상기 반사형 노광장치(100)는 EUV 광원(10), 노광 마스크(110), 마스크 블레이드(120), 및 웨이퍼(130)를 포함한다. 상기 반사형 노광 장치(100)는 광센서(140)를 더 포함할 수 있다.
상기 EUV 광원(10)은 EUV(Extreme Ultra Violet) 광을 발생시켜 출력한다. 상기 EUV 광원(10)으로부터 발생된 EUV 광은 다수의 반사렌즈(미도시)를 통하여 상기 마스크(110)로 입사된다.
상기 EUV 광원(10)의 생성 방법으로는 LPP(Laser-Produeced Plazma), DPP(Discharge Produced Plasma), 또는 GDPP(Gass Discharge Produced Plasma) 방법 등이 이용된다.
상기 노광 마스크(110)는 반사 기판(111), 및 반사 기판(111) 위에 회로 이미지를 형성하는 흡수층(112)을 포함한다.
상기 노광 마스크(110)는 상기 EUV광을 표면에 형성된 회로 이미지 패턴에 기초하여 웨이퍼에 상기 EUV광을 반사시킨다. 즉, 상기 흡수층(112)에 입사된 EUV 광은 흡수하고, 상기 반사 기판(111)에 입사되는 EUV 광은 반사한다. 상기 노광 마스크(110)에서 반사된 EUV 광은 상기 웨이퍼(130)로 입사되어 상기 EUV 광이 조사된 웨이퍼 영역을 노광시킨다. 상기 웨이퍼(130)의 노광된 영역은 상기 웨이퍼(130) 표면에 증착된 PR(Photoresist)의 종류에 의하여 현상(Develope) 공정시 현상되거나, 현상되지 않음으로써, 이후, 식각, 및 증착 공정 등의 일련의 반도체 제조 공정을 반복함으로써 반도체 회로 패턴으로 형성되게 된다.
상기 마스크 블레이드(120)는 상기 노광 마스크(110)의 EUV 광이 입사되는 영역인 조사영역을 설정한다. 즉, 상기 마스크 블레이드(120)는 상기 광원(10) 상기 노광 마스크(110) 사이에 위치하여 상기 EUV 광의 일부를 차단하여 상기 노광 마스크(110)의 상기 조사영역을 설정하여, 사이 조사영역으로만 EUV 광이 입사되도록 한다. 이때, 상기 조사영역에 인접한 일부 영역에 경사면이 형성되어 상기 경사면에 입사되는 상기 광원에 포함된 대역 이외의 광성분을 외부로 반사시킨다.
상기 마스크 블레이드(120)는 X축과 Y축에 상기 노광 마스크(110)의 조사영역을 중심으로 각각 한 쌍의 블레이드를 포함한다. 상기 X축과 Y축의 블레이드들(121 ~ 124)은 각각의 블레이드에 연결된 구동장치에 의하여 X축, 및 Y축으로 이동하여 상기 노광 마스크(110)의 조사영역의 크기를 설정한다.
따라서, 상기 마스크 블레이드(120)에 의하여 설정된 조사영역을 통과한 EUV 광만이 노광 마스크(110)로 입사되도록 한다.
도 3의 실시 예에서는 설명의 용이함을 위하여 상기 마스크 블레이드(120) 중에서 X축을 구성하는 블레이드만을 예시하여 좀더 상세히 설명하고자 한다.
상기 마스크 블레이드(120)는 상기 조사영역에 인접한 일부 영역에 경사가 형성되어 상기 경사면에 입사된 EUV 광원에 포함된 대역외(OOB) 광성분을 웨이퍼(130) 외부, 즉, 회로 이미지 패턴에 영향을 미지치 않는 영역으로 반사시킨다.
좀더 상세히 설명하면, 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 일반적인 반사형 노광 장치에서는 상기 마스크 블레이드(30)에 입사된 EUV 광에 포함된 대역외(OOB) 광성분이 상기 마스크 블레이드(30)에 반사되게 된다. 그 중 일부는 웨이퍼 외부로 반사되어 웨이퍼에 형성될 회로 이미지 패턴에 영향을 끼치지 않지만, 조사영역에 인접한 마스크 블레이드의 영역(A)에서 반사된 일부 대역외(OOB) 광성분은 반사되어 웨이퍼 영역으로 입사되게 된다.
반면에, 본 발명의 반사형 노광 장치(100)에서는 조사영역에 인접한 마스크 블레이드의 일부 영역(A)을 경사진 구조로 형성한다. 즉, 도 2에 도시된 일반적인 마스크 블레이드(30)에서 반사된 대역외(OOB) 광성분이 웨이퍼(130)로 입사되게 되는 마스크 블레이드 영역(A)에 설정 각도(θ, θ')를 갖는 경사면을 형성하여 상기 경사면에 입사된 EUV 광 중에서 흡수되지 못하고 반사되는 대역외(OOB) 광성분이 웨이퍼(130) 내부 영역으로 입사되지 않고, 웨이퍼 외부 영역으로 반사되도록 한다.
상기 마스크 블레이드(120)를 구성하는 X축 블레이드(121, 122)와 Y축 블레이드(123, 124)는 서로 다른 평면에 위치하여 구동시 서로 교차하여 동작한다. 즉, 일반적인 마스크 블레이드(30)는 동일 평면상에 위치하여 동작하는데 반하여, 본 발명에 포함된 상기 마스크 블레이드(120)는 X축 블레이드(121, 122)와 Y축 블레이드(123, 124)가 서로 다른 평면에 위치하여 서로 교차하여 구동한다.
상기 마스크 블레이드(120) 각각의 경사면(A)의 경사각(θ, θ')은 노광 마스크로 입사되는 EUV 광의 입사각에 기초하여 설정되는 것이 바람직하다. 상기 경사각(θ, θ')은 둔각으로 형성되는 것이 바람직하다.
결국, 본 발명의 반사형 노광 장치(100)에서는 마스크 블레이드에 의하여 반사된 대역외(OOB) 광성분이 웨이퍼(130)로 입사되는 것을 방지하여, 대역외(OOB) 광성분이 웨이퍼의 노광에 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있다.
상기 마스크 블레이드(120)는 상기 마스크 블레이드는 산화 알루미늄(AL2O3)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 반사형 노광 장치(100)는 상기 마스크 블레이드의 경사면에 반사된 대역외(OOB) 광성분의 광경로에 적어도 하나의 광센서(140)를 더 구비한다.
상기 광센서(140)는 상기 반사된 대역외(OOB) 광성분을 측정하여 반사된 대역외(OOB) 광성분의 광량 및 크기를 측정하여 광원에 포함된 대역외(OOB) 광성분에 대한 특성을 분석할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 반사형 노광 장치의 다른 실시예를 개념적으로 도시한 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 마스크 블레이드를 입체적으로 도시한 도면이다. 도 5와 도 6을 참조하면, 상기 반사형 노광 장치(200)는 광원(10), 마스크(210), 마스크 블레이드(220), 및 웨이퍼(230)를 포함한다. 상기 반사형 노광 장치(200)는 광센서(240)를 더 포함할 수 있다.
상기 EUV 광원(10), 노광 마스크(210), 및 웨이퍼(230)에 대한 상세한 설명은 도 3과 도 4를 참조하여 설명한 바와 동일하므로 설명의 간략함을 위하여 도 5와 도 6을 참조한 상세한 설명에서는 생략하고자 한다.
상기 마스크 블레이드(220)는 상기 노광 마스크(210)의 EUV 광이 입사되는 영역인 조사영역을 설정한다. 즉, 상기 마스크 블레이드(220)는 입사되는 EUV 광의 일부를 차단하여 상기 노광 마스크의 상기 조사영역으로만 EUV 광이 입사되도록 한다.
상기 마스크 블레이드(220)는 X축과 Y축에 상기 노광 마스크(210)의 조사영역을 중심으로 좌우 각각 한 쌍의 블레이드군(221과 222, 및 223과 224)을 포함한다. 즉, 상기 마스크 블레이드(220)는 제1 X축 블레이드군(221), 제2 X축 블레이드군(222), 제1 Y축 브레이드군(223) 및 제2 Y축 블레이드군(224)를 포함한다.
상기 제1 X축 블레이드군(221), 제2 X축 블레이드군(222), 제1 Y축 브레이드군(223) 및 제2 Y축 블레이드군(224) 각각은 다수의 블레이드를 포함한다. 본 발명의 실시예에서는 상기 제1 X축 블레이드군(221), 제2 X축 블레이드군(222), 제1 Y축 브레이드군(223) 및 제2 Y축 블레이드군(224) 각각이 3개의 블레이드가 서로 다른 평면에 다중으로 구성되어 각각이 서로 설정된 거리만큼 이격된 예를 예시하였다.
상기 제1 X축 블레이드군(221), 및 상기 X축 블레이드군(222)을 구성하는 블레이드들은 대응되는 블레이드와 동일한 평면에 위치한다. 즉, 상기 1 X축 블레이드군(221)의 최상층에 형성된 블레이드(221-1)와 상기 제2 X축 블레이드군(222)의 최상층에 형성된 블레이드(222-1)는 동일한 평면에 위치한다. 마찬가지 방법으로, 가운데 층(221-2, 222-2), 및 최하부층(221-3, 222-3)의 블레이드들도 서로 동일한 평면에 위치하게 된다.
상기 제1 Y축 블레이드군(223), 및 상기 X축 블레이드군(224)을 구성하는 블레이드들은 대응되는 블레이드와 동일한 평면에 위치한다. 즉, 상기 제1 Y축 블레이드군(223)의 최상층에 형성된 블레이드(223-1)와 상기 제2 Y축 블레이드군(224)의 최상층에 형성된 블레이드(224-1)는 동일한 평면에 위치한다. 마찬가지 방법으로, 가운데 층(223-2, 224-2), 및 최하부층(224-3, 224-3)의 블레이드들도 서로 동일한 평면에 위치하게 된다.
상기 제1, 제2 X축 블레이드군(221, 222)을 형성하는 블레이들(221-1 ~ 221-3, 및 222-1 ~ 222-3)과 상기 제1, 제2 Y축 블레이드군(223, 224)을 형성하는 블레이드들(223-1 ~ 223-3, 및 224-1 ~ 224-3)은 서로 다른 평면에 형성된다. 즉, 상기 제1, 제2 X축 블레이드군(221, 222)의 블레이드들이 상기 제1, 제2 Y축 블레이드군(223, 224)의 이격된 공간 사이로 움직일 수 있도록 서로 교차하여 형성된다. 또는, 이와 반대로, 상기 제1, 제2 Y축 블레이드군(223, 224)의 블레이드들(221-1 ~ 221-3, 및 222-1 ~ 222-3)이 상기 제1, 제2 X축 블레이드군(221, 222)의 블레이드들(221-1 ~ 221-3, 및 222-1 ~ 222-3) 사이의 이격된 공간 사이로 움직일 수 있도록 형성될 수 있다.
결국, 각 축의 블레이드를 구성하는 블레이드들 사이의 설정된 이격 거리는 다른 축의 블레이드들이 움직일 수 있는 공간만큼 설정되어 형성된다.
상기 마스크 블레이드(220)는 일부 영역에 경사가 형성되어 상기 경사면에 입사된 광원에 포함된 대역외(OOB) 광성분을 웨이퍼(230) 외부로 반사시킨다.
좀더 상세히 설명하면, 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 일반적인 반사형 노광 장치에서는 상기 마스크 블레이드에 입사된 EUV 광에 포함된 대역외(OOB) 광성분이 상기 마스크 블레이드(30)에 반사되고, 상기 노광 마스크(20)의 조사영역에 가까운 마스크 블레이드의 영역(A)에 반사된 대역외(OOB) 광성분(OOB1)은 웨이퍼(40)로 입사되게 된다.
따라서, 이러한 영향을 줄이기 위해 본 발명의 마스크 블레이드(120)는 상기 반사된 대역외(OOB) 광성분이 웨이퍼(130)로 입사되게 되는 조사영역에 인접한 마스크 블레이드 영역(A1 ~ A3)에 경사(θ1 ~ θ3, 및 θ1' ~ θ3')를 형성한다. 즉, 본 발명의 반사형 노광 장치(200)에서는 상기 마스크 블레이드(220)를 구성하는 X축 블레이드군(221, 222)과 Y축 블레이드군(223, 224)에 포함된 블레이드들의 상기 조사영역에 인접한 일부 영역(A1 ~ A3)에 설정된 경사각(θ1 ~ θ3, 및 θ1' ~ θ3')을 가지는 경사면을 형성하여 입사된 EUV 광원에 포함된 대역외(OOB) 광성분을 웨이퍼 외부로 반사시킨다. 결국, 상기 마스크 블레이드(220)의 경사면은 입사된 EUV 광 중에서 흡수되지 못하고 반사되는 대역외(OOB) 광성분의 광 경로를 변경시켜 웨이퍼로 조사되지 않도록 한다.
상기 경사면의 경사각(θ1 ~ θ3, 및 θ1' ~ θ3')은 입사광의 입사각에 기초하여 설정되는 것이 바람직하다. 상기 각각의 경사각은 둔각으로 형성되고, 서로 다른 경사각으로 구현될 수 있다.
상기 마스크 블레이드(220)의 구조와 동작을 좀더 상세히 설명하면, 상기 마스크 블레이드(220)가 상기 노광 마스크(210)의 조사영역을 설정하기 위해 동작 시, X축 블레이드군을 이루는 다수의 블레이드(221-1 ~ 222-3, 및 222-1 ~ 222-3)들 사이의 이격된 공간으로 Y축 블레이드군을 이루는 다수의 블레이드(223-1 ~ 223-3, 및 224-1 ~ 224-3)가 서로 교차하여 이동함으로써 노광 마스크(210)의 조사영역을 설정한다.
이러한 상기 마스크 블레이드(220)의 다중 구조는 도 3과 도 4에 도시된 마스크 블레이드(120)의 실시 예에 비하여 상기 X축 블레이드와 상기 노광 마스크(210) 사이의 이격 거리를 줄일 수 있다.
상기 X축과 Y축의 마스크 블레이드군(221 ~ 224) 각각은 마스크 블레이드군에 연결된 구동장치에 의하여 X축, 및 Y축으로 이동하여 상기 노광 마스크(210)의 조사영역의 크기를 설정한다.
이때, 상기 X축, 및 Y축 블레이드군(221, 222, 223, 224) 각각에 포함되어 다중으로 형성된 각 군의 블레이드들은 종단이 서로 접속되어 구동장치(미도시)의 구동에 의하여 동시에 움직일 수 있도록 구현된다.
또한, 도 5와 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 X축 블레이드군(221, 222), 및 상기 Y축 블레이드군(223, 224) 각각에 포함된 블레이드들의 경사면은 상부층의 블레이드 일수록 더 큰 면적으로 형성되어 더 많은 대역외(OOB) 광성분을 외부로 반사하도록 담당한다.
따라서, 본 발명의 반사형 노광 장치(200)에서는 마스크 블레이드(220)에 의하여 반사된 대역외(OOB) 광성분이 웨이퍼(130)로 입사되는 것을 방지하여, 대역외(OOB) 광성분이 웨이퍼의 노광에 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있다.
상기 본 발명에 따른 반사형 노광 장치(200)는 상기 마스크 블레이드(220)의 경사면에 반사된 대역외(OOB) 광성분의 광경로에 적어도 하나의 광센서(140)를 더 구비할 수 있다. 상기 반사형 노광 장치(200)는 상기 마스크 블레이드(220)에 형성된 경사면에서 반사되는 대역외(OOB) 광성분을 일정 경로로 반사시키고, 반사되는 대역외(OOB) 광성분의 광경로에 광센서(240)를 구비하여 대역외(OOB) 광성분을 측정하게 된다. 따라서, 상기 반사형 노광 장치(200)는 상기 광센서에 의하여 측정된 광량, 및 광의 세기 등을 기반으로 대역외(OOB) 광성분의 특성을 분석할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 광원
100, 200: 반사형 노광 장치
110, 210: 노광 마스크
120, 220: 마스크 블레이드
130, 230: 웨이퍼
140, 240: 광센서

Claims (10)

  1. EUV 광을 발생시키는 광원;
    상기 EUV 광을 표면에 형성된 회로 이미지 패턴에 기초하여 웨이퍼에 상기 EUV광을 반사시키는 노광마스크;
    상기 광원과 상기 노광 마스크 사이에 위치하여 상기 EUV광의 일부를 차단하여 상기 노광 마스크의 조사영역을 설정하는 마스크 블레이드를 포함하며,
    상기 마스크 블레이드는,
    상기 조사영역에 인접한 일부 영역에 경사면이 형성되며 상기 경사면에 입사되는 상기 광원에 포함된 대역 이외의 광성분을 외부로 반사시키는 반사형 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 블레이드는 X축 블레이드 및 Y축 블레이드를 포함하며,
    상기 X축 블레이드 및 상기 Y축 블레이드는 서로 다른 평면에 형성되어 동작시 서로 교차하여 이동하는 반사형 노광 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 블레이드는 각각이 설정된 거리만큼 이격되어 다중으로 형성된 다수의 블레이드를 포함하는 X축 블레이드군, 및 Y축 블레이드군을 포함하고,
    상기 다수의 블레이드 각각은 조사영역에 인접한 일부 영역에 경사면이 형성되는 반사형 노광 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 마스크 블레이드는 상기 조사영역 설정 동작시 상기 X축 블레이드군에 포함된 다수의 블레이드와 상기 Y축 블레이드군에 포함된 다수의 블레이드가 상호간에 서로 교차하여 이동하는 반사형 노광 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 X축 블레이드군, 및 상기 Y축 블레이드군 각각에 포함된 블레이드들은 일측이 서로 접속되어 동시에 구동되는 반사형 노광 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 블레이드의 경사각은 입사광의 입사각을 기반으로 둔각으로 설정되는 반사형 노광 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반사형 노광 장치는 상기 마스크 블레이드로부터 반사되는 대역외(Out Of Band; OOB) 광성분의 광경로에 상기 대역외(OOB) 광성분의 특성을 측정하기 위한 적어도 하나의 광센서를 더 포함하는 반사형 노광 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 X축 블레이드군, 및 상기 Y축 블레이드군 각각에 포함된 블레이드들의 경사면의 면적은 상부층의 블레이드일수록 더 큰 반사형 노광 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 광원은 LPP(Laser-Produeced Plazma), DPP(Discharge Produced Plasma), 또는 GDPP(Gass Discharge Produced Plasma) 방법 중 어느 하나의 방법에 의하여 상기 EUV 광을 발생하는 반사형 노광 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 블레이드는 산화 알루미늄(AL2O3)를 포함하는 EUV 광 흡수물질로 이루어진 반사형 노광 장치.
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