KR20120124889A - Thin layers deposition apparatus and linear type evaporator using thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 박막 증착장치 및 이에 사용되는 선형증발원에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 증착물질의 혼합비율이 일정한 박막을 증착할 수 있는 박막 증착장치 및 이에 사용되는 선형증발원에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus and a linear evaporation source used therein, and more particularly, to a thin film deposition apparatus and a linear evaporation source used for depositing a thin film having a constant mixing ratio of the deposition material.
정보화 사회의 발전에 따라, 종래의 CRT(Cathode Ray Tube)가 가지는 무거운 중량과 큰 부피와 같은 단점들을 개선한, 새로운 영상 표시 장치의 개발이 요구되고 있으며, 이에 따라, LCD(Liquid Crystal Display Device, 액정 표시 장치), OLED(OLED : Organic Light Emitting Display Device, 유기전계 발광표시장치), PDP(Plasma Panel Display Device), SED(Surface-conduction Electronemitter Display Device) 등과 같은 여러 가지 평판 표시장치들이 주목받고 있다.With the development of the information society, there is a demand for the development of a new video display device, which improves disadvantages such as heavy weight and large volume of the conventional CRT (Cathode Ray Tube). Various flat panel display devices such as liquid crystal displays (OLEDs), organic light emitting display devices (OLEDs), plasma panel display devices (PDPs), and surface-conduction electronemitter display devices (SEDs) are attracting attention. .
그 중 유기전계 발광표시장치는 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합(recombination)하여 여기자(exciton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 이용한 것으로, 콘트라스트 비(Contrast Ratio)와 응답 속도(response time) 등의 표시 특성이 우수하며, 플렉서블 디스플레이(Flexible Display)의 구현이 용이하여 가장 이상적인 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.Among them, an organic light emitting display device is an organic light emitting device in which electrons and holes are recombined to form excitons, and light of a specific wavelength is generated by energy from the formed excitons. A light emitting diode is used, and the display characteristics such as contrast ratio and response time are excellent, and a flexible display can be easily implemented to attract attention as an ideal next-generation display.
일반적으로, 유기전계 발광표시장치는 전자를 주입하는 캐소드 전극(cathode electrode)과 정공을 주입하는 애노드 전극(anode electrode)을 가지며, 캐소드 전극 및 애노드 전극으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태(excitedstate)로부터 기저상태(ground state)로 떨어질 때 발광하는 소자이다.In general, an organic light emitting display device has a cathode electrode for injecting electrons and an anode electrode for injecting holes, and electrons and holes are respectively formed from the cathode electrode and the anode electrode, respectively. The device is injected into the light emitting layer to emit light when an exciton, in which injected electrons and holes combine, falls from an excited state to a ground state.
이러한 원리로 인해 종래의 박막 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않고 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한, 유기전계 발광소자는 고품위 패널특성(저 전력, 고휘도, 고 반응속도, 저중량)을 나타낸다.Due to this principle, unlike the conventional thin film liquid crystal display, there is an advantage in that the volume and weight of the device can be reduced without requiring a separate light source. In addition, the organic EL device exhibits high quality panel characteristics (low power, high brightness, high reaction rate, low weight).
이러한 특성 때문에 유기전계 발광표시장치는 이동통신 단말기, 차량 네비게이션(CNS:Car Navigation System), 캠코더, 디지털 카메라 등과 같은 휴대용 디지털 어플리케이션 등에 이용되고 있으며, 텔레비젼 스크린 등으로 그 응용범위가 넓어지고 있어 강력한 차세대 디스플레이로 여겨지고 있다. 또한, 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정 표시장치보다 많이 줄일 수 있는 장점이 있다.Due to these characteristics, organic light emitting display devices are used in portable digital applications such as mobile communication terminals, car navigation systems (CNS), camcorders, digital cameras, and the like. It is considered a display. In addition, since the manufacturing process is simple, there is an advantage that can reduce the production cost more than the conventional liquid crystal display.
한편, 유기전계 발광표시장치는, 전극층 및 다수의 유기 물질층이 적층되어 형성된다. 여기서 유기 물질층은 최소한 발광층을 포함하며, 발광층 이외에도 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 유기 물질층의 경우 특성상 높은 온도 등에 취약하기 때문에, 하부에 유기 물질층이 형성된 상태에서 다른 층을 적층하기 위해서는 하부층에 손상을 주지 않도록 증착하는 것이 중요하다.On the other hand, the organic light emitting display device is formed by stacking an electrode layer and a plurality of organic material layers. The organic material layer may include at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the light emitting layer. Since the organic material layer is vulnerable to high temperature and the like, it is important to deposit the organic layer so as not to damage the lower layer in order to deposit another layer in the state in which the organic material layer is formed.
이와 같이, 유기전계 발광표시장치를 구성하는 여러 층들을 형성하기 위해서는, 물리적 기상 증착법(PVD:Physical Vaporized Deposition)이 주로 사용된다.As such, in order to form various layers constituting the organic light emitting display, physical vapor deposition (PVD) is mainly used.
보다 자세히 설명하면, 물리적 기상 증착법은 진공증착법, 스퍼터링, 이온 플레이팅법으로 구분되며, 진공 증착법은 전자빔(E-beam)을 이용한 E-beam 증착법과 열 증착법(Thermal evaporation)으로 구분된다.In more detail, physical vapor deposition is classified into vacuum deposition, sputtering, and ion plating, and vacuum deposition is classified into E-beam deposition and thermal evaporation using an electron beam (E-beam).
E-beam 증착법은 매우 높은 전압을 가하여 필라멘트에서 방출된 열전자들을 증착원에 충돌시킴으로써 발생되는 열에 의하여 증착하고자 하는 재료를 증발시켜 기판에 증착시키는 방법이고, 열 증착법은 도가니(crucible)을 이용하여 열을 가해서 증착하고자 하는 재료를 증발시켜 기판에 증착시키는 방법이다.E-beam evaporation is a method of evaporating a material to be deposited on a substrate by heat generated by colliding hot electrons emitted from the filament with a deposition source by applying a very high voltage, and thermal evaporation is performed by using a crucible It is a method of evaporating the material to be deposited by adding to the substrate.
유기전계 발광표시장치를 제조하기 위해서는, 다른 증착법에 비하여 하부에 형성된 층들에 영향을 적게 주는 열 증착법이 주로 사용되고 있으며, 증착원과 기판 사이에 마스크를 배치하여 선택적으로 증착하는 것도 가능하다.In order to fabricate an organic light emitting display device, a thermal evaporation method is used which has less influence on the layers formed below than other evaporation methods. Alternatively, a mask may be disposed between the evaporation source and the substrate and selectively deposited.
한편, 기판에 전극층 및 다수의 유기 물질층을 증착하기 위한 박막 증착장치는 챔버의 내부에 설치된 기판에 증착물질을 제공하는 선형증발원을 구비한다.Meanwhile, a thin film deposition apparatus for depositing an electrode layer and a plurality of organic material layers on a substrate includes a linear evaporation source for providing a deposition material on a substrate installed inside the chamber.
도 1은 종래 기술에 따른 유기전계 발광표시장치에 사용되는 선형증발원을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a linear evaporation source used in the organic light emitting display device according to the prior art.
도 1을 참고하면, 종래 기술에 따른 선형증발원(10)은 기화온도를 달리하는 증착물질을 동시에 기판에 방사하기 위한 것으로서, 쿨링 자켓부(11)와, 쿨링 자켓부(11)의 내부에 설치한 리플렉터(13)와, 리플렉터(13)의 내부에 설치한 복수개의 노즐(16)을 구비한 소스헤드(15)와, 소스헤드(15)와 리플렉터(13)의 사이에 설치한 가열히터(17)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the
기화온도를 달리하는 증착물질을 동시에 기판에 분사하기 위하여 상기와 같이 구성된 선형증발원(10)이 챔버의 내부에 복수개 설치된다. 그러나, 종래 기술에 따른 선형증발원(10)은 소스헤드(15)를 감싸도록 가열히터(17), 리플렉터(13) 및 쿨링 자켓부(11)를 설치하기 때문에, 복수의 선형증발원(16) 간에 설치된 노즐(16)의 거리(L)가 멀어지게 된다.A plurality of
따라서, 기판 또는 선형증발원(10)의 이동방향에 따라 기판에 박막을 형성하는 경우에, 기판에 먼저 증착되는 물질과 후에 증착되는 물질이 층을 이루거나, 기판에 증착된 박막을 이루는 증착물질의 혼합비율이 박막 전체에 걸쳐 일정하게 유지되지 않는 현상이 발생하여, 박막의 균일도가 좋은 양질의 박막을 얻을 수 없는 문제점이 있다.Therefore, when the thin film is formed on the substrate according to the moving direction of the substrate or the
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 한 몸체로 마련된 단일의 쿨링 자켓부 내부에 복수의 소스헤드를 인접되게 설치함으로써, 복수의 소스헤드 간의 거리를 단축시킴과 동시에 기판 전체에 대하여 증착물질의 혼합비율이 일정하게 유지되는 박막을 증착할 수 있는 박막 증착장치 및 이에 사용되는 선형증발원을 제공하는 것이다.Accordingly, a technical problem of the present invention is to provide a plurality of source heads adjacent to each other in a single cooling jacket provided in one body, thereby reducing the distance between the plurality of source heads and mixing deposition materials with respect to the entire substrate. The present invention provides a thin film deposition apparatus capable of depositing a thin film having a constant ratio, and a linear evaporation source used therefor.
본 발명의 일 측면에 따르면, 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 챔버의 내부에 배치된 기판에 증착물질을 제공하는 선형증발원을 포함하며, 상기 선형증발원은, 내부 공간을 갖는 리플렉터; 상기 리플렉터의 내부에 상호 이격되게 배치되어 기판에 기화온도를 달리하는 증착물질을 방사하는 복수의 소스헤드; 및 상기 리플렉터가 내부에 설치되며 한 몸체로 마련되는 단일의 쿨링 자켓부를 포함하는 박막 증착장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, the chamber; A linear evaporation source installed in the chamber and providing a deposition material to a substrate disposed in the chamber, the linear evaporation source comprising: a reflector having an internal space; A plurality of source heads disposed to be spaced apart from each other in the reflector to emit deposition materials having different vaporization temperatures on the substrate; And the reflector is provided therein may be provided a thin film deposition apparatus including a single cooling jacket portion provided in a body.
상기 선형증발원은, 상기 리플렉터의 내부 공간에 배치되되, 상기 복수의 소스헤드 사이에 설치된 적어도 하나 이상의 단열막이 적층된 격벽을 더 포함하며, 상기 리플렉터는 내부에 설치된 상기 격벽에 의해 내부 공간이 구획되고, 상기 구획된 부분에 상기 복수의 소스헤드가 각각 배치될 수 있다.The linear evaporation source is disposed in the inner space of the reflector, and further comprises a partition in which at least one insulating film is disposed between the plurality of source heads stacked, the reflector is partitioned by the partition wall is installed inside The plurality of source heads may be disposed in the partitioned portions, respectively.
상기 선형증발원은, 상기 복수의 소스헤드 중 기화온도가 가장 높은 증착물질을 방사하는 소스헤드에 인접하게 배치된 공용 가열히터를 더 포함할 수 있다.The linear evaporation source may further include a common heating heater disposed adjacent to the source head emitting the deposition material having the highest vaporization temperature among the plurality of source heads.
상기 복수의 소스헤드 각각은, 기화된 증착물질이 유입되는 제1 배관; 및 상기 제1 배관에 연통되고, 외주면에 상기 리플렉터 및 쿨링 자켓부를 관통하는 복수의 노즐이 상호 이격되어 길이방향을 따라 나란히 설치된 노즐부를 구비한 제2 배관을 포함할 수 있다.Each of the plurality of source heads includes: a first pipe into which vaporized deposition material is introduced; And a second pipe communicating with the first pipe and having nozzles disposed on the outer circumferential surface of the plurality of nozzles passing through the reflector and the cooling jacket to be spaced apart from each other.
상기 복수의 소스헤드에 각각 설치된 노즐부는 상호 평행되게 배치될 수 있다.The nozzle units respectively provided in the plurality of source heads may be arranged in parallel with each other.
상기 복수의 소스헤드에 설치된 상기 노즐부는 상호 쌍을 이루며, 상기 노즐부는 끝단부로 갈수록 상호 이격거리가 좁아지도록 상호 마주보는 방향으로 경사지게 배치될 수 있다.The nozzle units installed in the plurality of source heads may be paired with each other, and the nozzle units may be disposed to be inclined in a direction facing each other such that the separation distances become narrower toward the end portions.
상기 제1 배관은 증착물질을 가열하여 기화시키는 도가니부와 연통될 수 있다.The first pipe may be in communication with the crucible part for heating and vaporizing the deposition material.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부 공간을 갖는 리플렉터; 상기 리플렉터의 내부에 상호 이격되게 배치되어 기판에 기화온도를 달리하는 증착물질을 방사하는 복수의 소스헤드; 및 상기 리플렉터가 내부에 설치되며 한 몸체로 마련되는 단일의 쿨링 자켓부를 포함하는 선형증발원이 제공될 수 있다.According to another aspect of the invention, the reflector having an internal space; A plurality of source heads disposed to be spaced apart from each other in the reflector to emit deposition materials having different vaporization temperatures on the substrate; And the reflector is installed therein may be provided a linear evaporator comprising a single cooling jacket portion provided in a body.
상기 리플렉터의 내부 공간에 설치되되, 상기 복수의 소스헤드 사이에 적어도 하나 이상의 단열막이 적층된 격벽을 더 포함하며, 상기 리플렉터는 내부에 설치된 상기 격벽에 의해 내부 공간이 구획되고, 상기 구획된 부분에 상기 복수의 소스헤드가 각각 배치될 수 있다.A partition wall installed in the inner space of the reflector, wherein at least one insulating film is stacked between the plurality of source heads, wherein the reflector is partitioned by an inner wall of the partition wall and installed in the partitioned part. The plurality of source heads may be disposed respectively.
상기 복수의 소스헤드 중 기화온도가 가장 높은 증착물질을 방사하는 소스헤드에 인접하게 배치된 공용 가열히터를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a common heating heater disposed adjacent to the source head emitting the deposition material having the highest vaporization temperature among the plurality of source heads.
상기 복수의 소스헤드 각각은, 기화된 증착물질이 유입되는 제1 배관; 및 상기 제1 배관에 연통되고, 외주면에 상기 리플렉터 및 쿨링 자켓부를 관통하는 복수의 노즐이 상호 이격되어 길이방향을 따라 나란히 설치된 노즐부를 구비한 제2 배관을 포함할 수 있다.Each of the plurality of source heads includes: a first pipe into which vaporized deposition material is introduced; And a second pipe communicating with the first pipe and having nozzles disposed on the outer circumferential surface of the plurality of nozzles passing through the reflector and the cooling jacket to be spaced apart from each other.
본 발명의 실시예들은, 단일의 쿨링 자켓부 내부에 복수의 소스헤드를 인접하게 설치함으로써, 상기 복수의 소스헤드 사이의 거리를 단축할 수 있으며 이로써 기판에 증착물질의 혼합비율이 일정하게 유지된 박막을 증착할 수 있다.Embodiments of the present invention can shorten the distance between the plurality of source heads by adjoining a plurality of source heads within a single cooling jacket, thereby maintaining a constant mixing ratio of the deposition material on the substrate. Thin films can be deposited.
도 1은 종래 기술에 따른 유기전계 발광표시장치에 사용되는 선형증발원을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착장치의 내부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 챔버 내부에 설치된 선형증발원을 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 소스헤드를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 선형증발원을 나타내는 평단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 선형증발원을 나타내는 평단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a linear evaporation source used in the organic light emitting display device according to the prior art.
2 is a cross-sectional view schematically showing the inside of the thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing a linear evaporation source installed inside the chamber according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view showing a source head according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a plan cross-sectional view showing a linear evaporation source according to an embodiment of the present invention.
6 is a plan sectional view showing a linear evaporation source according to another embodiment of the present invention.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, operational advantages of the present invention, and objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings and the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.
이하에서 설명될 기판은 OLED(Organic Light Emitting Display Device), PDP(Plasma Panel Display Device), LCD(Liquid Crystal Display Device), SED(Surface-conduction Electronemitter Display Device) 등과 같은 평판 표시장치에 사용되는 기판을 포함할 수 있다.The substrate to be described below may be a substrate used in a flat panel display device such as an organic light emitting display device (OLED), a plasma panel display device (PDP), a liquid crystal display device (LCD), a surface-conduction electronemitter display device (SED), or the like. It may include.
본 실시예에서는 챔버의 내부에서 수직되게 배치한 기판에 박막을 증착하는 공정에 대하여 기술하고 있으나, 이에 한정되지 않고 챔버의 내부에 수평되게 배치한 기판에 박막을 증착하는 공정에도 적용가능하다. 또한, 본 실시예에서는 챔버의 내부에 선형증발원을 설치한 상태에서 기판을 이송하여 박막을 증착하는 공정에 대하여 기술하고 있으나, 이에 한정되지 않고 선형증발원을 이동시켜 기판에 박막을 증착하는 공정에도 적용가능하다.In the present embodiment, a process of depositing a thin film on a substrate disposed vertically in the chamber is described. However, the present invention is not limited thereto and may be applied to a process of depositing a thin film on a substrate disposed horizontally in the chamber. In addition, the present embodiment describes a process of depositing a thin film by transporting a substrate while a linear evaporation source is installed in the chamber, but the present invention is not limited thereto. The present invention is also applicable to a process of depositing a thin film on a substrate by moving a linear evaporation source. It is possible.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착장치의 내부를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 챔버 내부에 설치된 선형증발원을 나타내는 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 소스헤드를 나타내는 사시도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 선형증발원을 나타내는 평단면도이고, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 선형증발원을 나타내는 평단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing the inside of the thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a perspective view showing a linear evaporator installed in the chamber according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a present invention Figure 5 is a perspective view showing a source head according to an embodiment of, Figure 5 is a plan sectional view showing a linear evaporation source according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a plan sectional view showing a linear evaporation source according to another embodiment of the present invention. .
도 2 내지 도 6을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착장치(100)는, 내부공간이 형성된 챔버(300)와, 기판(200)을 고정 지지하는 기판 지지부(400)와, 기판 지지부(400)를 이동시키는 기판 이송부(450)와, 챔버(300)의 내부에 배치된 기판(200)에 대향되게 설치되어 기판(200)에 증착물질을 제공하는 선형증발원(500)과, 선형증발원(500)과 연통되고 기화된 증착물질을 선형증발원(500)에 제공하는 도가니부(570)를 포함한다.2 to 6, a thin
도 2를 참고하면, 챔버(300)는 내부공간에서 기판(200)에 대한 증착공정이 수행되는 장소를 제공한다. 이러한 챔버(300)의 내부는 기판(200)에 대한 증착공정이 신뢰성 있게 수행될 수 있도록 진공 분위기를 형성한다. 따라서, 도시되지는 않았으나, 챔버(300)의 일측에는 챔버(300) 내의 공기를 흡입하여 챔버(300)의 내부를 진공상태로 유지하는 진공펌프가 연결될 수 있다.Referring to FIG. 2, the
또한, 챔버(300)의 일측에는 기판(200)을 제공받는 기판 유입구(미도시)와 기판(200)을 배출하는 기판 배출구(미도시)가 마련될 수 있다. 여기서 챔버(300)는 독립된 단일 챔버를 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 인라인 증착시스템의 챔버 타입으로 기판 이송챔버, 가열 챔버와 같은 다양한 챔버에 접속될 수도 있다.In addition, one side of the
기판 지지부(400)는 챔버(300)의 바닥면에 대하여 기판(200)을 수직하게 기립되게 하는 역할을 한다. 기판 지지부(400)는 플레이트 형상으로 제작될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판(200)의 형상에 따라 다양하게 변화될 수 있다.The
기판 지지부(400)는 기판(200)을 파지하고, 플레이트 표면에 기판(200)이 밀착되게 한다. 기판 지지부(400)는 챔버(300)의 내부 측벽에 대하여 나란히 배치되고, 기판(200)을 챔버(300) 내에서 수직하게 세운다.The
또한, 기판 지지부(400)에는 쿨링 플레이트(미도시)가 마련될 수 있다. 쿨링 플레이트가 마련된 기판 지지부(400)는 기판(200)의 표면에서 실제 증착공정이 이루어지기 전에 기판(200)의 온도를 하강시킴으로써 증착효율을 향상시킬 수 있다. 한편, 기판 지지부(400)에 쿨링 플레이트를 마련하는 대신에 기판 지지부(400) 내에 냉각수 또는 냉각공기 주입 라인을 배치하는 것도 가능하다.In addition, a cooling plate (not shown) may be provided on the
기판 이송부(450)는 기판 지지부(400)의 하측면을 지지하고, 기판 지지부(400)를 챔버(300)의 내부에서 일 방향으로 이동시키는 역할을 한다. 기판 이송부(450)는 챔버(300)의 바닥면에 설치한 레일, 컨베이어 또는 LM가이드 등을 사용하여 기판 지지부(400)를 챔버(300) 내에서 이송시킬 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판 지지부(400)를 이송할 수 있는 다양한 장치를 사용할 수 있다. 한편, 기판 이송부(450)는 챔버(300)의 바닥면 뿐만 아니라 프레임 형태로 챔버(300)의 상부벽 또는 측벽에 설치될 수 있다.The
선형증발원(linear type evaporator,500)은 소정의 증착물질을 기판(200)에 제공하여 기판(200)에 박막을 형성하는 역할을 한다. 도 2에서 도시한 바와 같이, 선형증발원(500)은 도가니부(570)로부터 증착물질을 공급받아 이를 기판(200)에 분사하여 박막을 형성한다. 본 실시예에서는 기화온도를 달리하는 증착물질을 동시에 분사하여 기판(200)에 박막을 형성하는 기술적 사항이 개시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 단일 증착물질을 분사하여 기판(200)에 박막을 형성하는 경우에도 사용가능하다.The
도 3 및 도 6을 참고하면, 선형증발원(500)은 쿨링 자켓부(cooling jacket,510)와, 쿨링 자켓부(510)의 내부에 설치된 리플렉터(reflector,530)와, 리플렉터(530)의 내부에 상호 이격되게 배치된 복수의 소스헤드(source head,550)와, 복수의 소스헤드(550) 중 기화온도가 가장 높은 증착물질을 방사하는 소스헤드(A)에 인접하게 배치된 공용 가열히터(heater,600)와, 리플렉터(530)의 내부공간에 배치되되 복수의 소스헤드(550) 사이에 설치된 격벽(700)을 포함한다.3 and 6, the
쿨링 자켓부(510)는 복수의 소스헤드(550)로부터 방사되는 열이 챔버(300)의 내부로 전달되는 것을 방지하는 역할을 한다. 쿨링 자켓부(510)는 외부로 열이 방출되는 것을 방지하기 위하여 내부에 냉각수 또는 냉각공기가 유입 및 반출될 수 있도록 유로(미도시)가 형성된다.The cooling
쿨링 자켓부(510)의 내부에는 복수의 소스헤드(550)가 배치된다. 본 발명은 한 몸체로 마련되는 단일의 쿨링 자켓부(510) 내부에 복수의 소스헤드(550)를 배치함으로써 종래와 같이 각각의 소스헤드(550)에 쿨링 자켓부(510)를 설치하는 것보다 복수의 소스헤드(550) 간의 거리(L2)를 단축할 수 있다.A plurality of source heads 550 are disposed in the
리플렉터(530)는 쿨링 자켓부(510)의 내부에 설치되어 기화된 증착물질이 유입된 복수의 소스헤드(550)로부터 방사되는 열이 외부로 방출되는 것을 방지함과 동시에 리플렉터(530) 내부의 온도를 일정하게 유지하는 역할을 한다.The
리플렉터(530)는 전도된 열을 반사하는 반사체, 단열부재 등으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서 리플렉터(530)는 사각 덕트 형상을 가지나, 이에 한정되지 않고 복수의 소스헤드(550)를 감싸는 형상이면 이에 적용될 수 있다. 예를들면 기판(200)에 투명전극을 형성하기 위하여 은(Ag)과 같은 고온(1000℃)의 증착물질을 방사하는 소스헤드(A)와, 마그네슘(Mg)과 같은 저온(600℃)의 증착물질을 방사하는 소스헤드(B)에서 발생되는 열이 챔버(300) 내부로 방사되는 것을 방지한다.The
소스헤드(550)는 기판(200)에 증착물질을 방사하는 역할을 한다. 본 실시예에서 복수의 소스헤드(550)는 고온의 증착물질을 방사하는 소스헤드(A)와, 저온의 증착물질을 방사하는 소스헤드(B)가 쌍을 이루며 리플렉터(530)의 내부 배치된 것에 관하여 기술하고 있으나, 이에 한정하지 않고 셋이상의 소스헤드(550)가 리플렉터(530)의 내부에 병렬로 설치될 수 있다.The
소스헤드(550) 각각은 기화된 증착물질이 유입되는 제1 배관(551)과, 제1 배관(551)에 연통되고 외주면에 복수의 노즐(557,557a)이 설치된 노즐부(555)를 구비한 제2 배관(553)을 포함한다.Each of the source heads 550 includes a
제1 배관(551)은, 도 2에서 도시한 바와 같이, 챔버(300)의 내부 또는 외부에 설치되고 증착물질을 가열하여 기화시키는 도가니부(570)와 연통된다. 도가니부(570)는 내부에 증착물질이 충진되는 도가니(미도시)와, 도가니를 가열하여 충진된 증착물질을 기화시키는 가열장치(미도시)를 포함하고, 기화된 증착물질은 제1 배관(551) 측으로 유출된다.As illustrated in FIG. 2, the
제2 배관(553)은 제1 배관(551)으로부터 기화된 증착물질을 공급받아 기판(200)에 기화된 증착물질을 방사하는 역할을 한다. 제2 배관(553)의 외주면에는 길이방향을 따라 상호 이격되게 나란히 설치된 복수의 노즐(557,557a)이 설치된 노즐부(555)가 구비된다. 즉, 제2 배관(553)의 외주면에 길이방향을 따라 일렬로 복수의 노즐(557,557a)이 설치된다.The
노즐부(555)의 길이는 기판(200)의 상하방향 폭보다 더 크게 형성되어, 기판(200)이 챔버(300) 내에서 이동함에 따라 기판(200) 전체에 박막을 증착할 수 있도록 한다. 그리고, 노즐부(555)를 구성하는 복수의 노즐(557,557a)의 끝단부는 리플렉터(530) 및 쿨링 자켓부(510)를 관통하도록 형성된다.The length of the
한편, 도 3 및 4에서 도시한 바와 같이, 복수의 소스헤드(550)는 리플렉터(530)의 내부에 상호 인접하게 설치되고, 소스헤드(550) 각각에 설치된 노즐부(555)를 구성하는 복수의 노즐(557)은 상호 평행되게 배치되어 기판(200)이 챔버(300) 내에서 이동하는 동안에 기화온도를 달리하는 증착물질을 기판(200)에 증착하여 박막을 형성한다.Meanwhile, as shown in FIGS. 3 and 4, the plurality of source heads 550 are disposed adjacent to each other inside the
또한, 도 6에서 도시한 바와 같이, 기판(200)에 증착되는 기화온도를 달리하는 증착물질의 혼합비율을 더욱 균일하게 하기 위하여 인접하는 복수의 소스헤드(550)에 설치된 노즐부(555)를 구성하는 복수의 노즐(557a)은 쌍을 이루어 상호 마주보는 방향으로 경사지게 배치될 수 있다. 즉, 복수의 소스헤드(550)에 설치된 노즐부(555)는 끝단부로 갈수록 상호 이격거리가 좁아지도록 상호 마주보는 방향으로 경사지게 배치된다. 이로써, 증착물질이 분사되는 노즐(557a)의 끝단부 사이의 거리(L3)가 더욱 가깝게 됨에 따라, 기판(200)에 증착되는 증착물질의 혼합비율을 더욱 더 균일하게 할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 6, in order to make the mixing ratio of the deposition materials having different vaporization temperatures deposited on the
공용 가열히터(600)는 복수의 소스헤드(550) 중 기화온도가 가장 높은 증착물질을 방사하는 소스헤드에 인접하게 배치될 수 있다. 공용 가열히터(600)는 제1 배관(551)을 통하여 유입된 기화된 증착물질이 제2 배관(553) 및 노즐부(555)를 통하여 방사되는 과정에서 냉각에 의해 액화 또는 응고되는 것을 방지하여 노즐부(555)를 구성하는 노즐(557,557a)이 막히는 것을 방지하는 역할을 한다.The
공용 가열히터(600)는 제2 배관(553) 전체를 감싸는 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기화된 증착물질이 냉각되는 것을 방지할 수 있으면 제2 배관(553)의 일측에서 열을 공급하는 열원으로도 구성될 수 있다.The
격벽(700)은 복수의 소스헤드(550) 사이에 설치되고, 적어도 하나 이상의 단열막을 적층하여 형성한다. 격벽(700)에 의해 리플렉터(530)는 내부 공간이 구획되고, 구획된 부분에 복수의 소스헤드(550)가 각각 배치된다.The
격벽(700)은 복수의 소스헤드(550) 사이에 설치되어 고온의 증착물질을 방사하는 소스헤드(A) 측에서 저온의 증착물질을 방사하는 소스헤드(B)측으로 전달되는 열 전달량을 조절하는 역할을 한다. 즉, 고온의 소스헤드(A) 측에 공용 가열히터(600)가 설치된 경우에, 공용 가열히터(600)는 고온의 소스헤드(A)를 가열하고, 격벽(700)은 고온의 소스헤드(A)를 가열하고 남은 열이 저온의 소스헤드(B) 측으로 직접 전달되는 것을 차단함과 동시에 열 전달량을 조절하여 저온의 소스헤드(B)를 가열한다.The
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 선형증발원의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the linear evaporator according to the present invention configured as described above are as follows.
도 5 및 도 6을 참고하면, 본 발명의 선형증발원(500)은 한 몸체로 마련된 단일의 쿨링 자켓부(510)의 내부에 리플렉터(530)를 설치하고, 리플렉터(530)의 내부를 격벽(700)으로 분리 및 구획하고, 구획된 리플렉터(530)의 내부에 소스헤드(550)를 각각 배치하고, 기화온도를 달리하는 증착물질을 분사하는 소스헤드(550) 중 고온의 기화온도를 갖는 증착물질을 분사하는 소스헤드(550)에 공용 가열히터(600)를 설치한다.5 and 6, the
그러므로, 기판(200)에 기화온도를 달리하는 복수의 증착물질을 동시에 분사 및 혼합하여 증착하고자 하는 경우에, 단일의 열원인 공용 가열히터(600)를 이용하여 고온의 증착물질이 방사되는 소스헤드(A)를 직접 가열하는 한편, 고온의 증착물질을 가열하고 남은 잔열은 격벽(700)에 의해 조절되어 저온의 증착물질이 방사되는 소스헤드(B)를 가열할 수 있다.Therefore, when a plurality of deposition materials having different vaporization temperatures are sprayed and mixed on the
또한, 단일의 쿨링 자켓부(510) 및 단일의 리플렉터(530)를 사용함으로써 종래의 선형증발원(500)에서와 같은 소스헤드(550) 각각에 리플렉터(530) 및 쿨링 자켓부(510)를 설치하는 것보다 복수의 소스헤드(550) 간의 노즐부(555)의 거리를 가깝게 할 수 있으며, 노즐부(555)의 거리가 가깝게 됨에 따라 기판(200)에 증착되는 증착물질의 혼합비율을 균일하게 할 수 있어 기판(200)의 전면적에 대하여 혼합비율이 균일한 박막층을 형성할 수 있는 이점이 있다.In addition, by using a
또한, 복수의 소스헤드(550) 각각에 설치된 복수의 노즐(557a)을 구비한 노즐부(555)가 쌍을 이루어 상호 마주보는 방향으로 경사지도록 형성함으로써, 증착물질이 분사되는 노즐(557a)의 끝단부 사이의 거리(L3)가 더욱 가깝게 되고 기판(200)에 증착되는 증착물질의 혼합비율을 더욱 더 균일하게 할 수 있다.In addition, the
이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.
100: 박막 증착장치 200: 기판
300: 챔버 400: 기판 지지부
450: 기판 이송부 500: 선형증발원
510: 쿨링 자켓부 530: 리플렉터
550: 소스헤드 551: 제1 배관
553: 제2 배관 555: 노즐부
557, 557a: 노즐 570: 도가니부
600: 공용 가열히터 700: 격벽100: thin film deposition apparatus 200: substrate
300: chamber 400: substrate support
450: substrate transfer part 500: linear evaporation source
510: cooling jacket 530: reflector
550: source head 551: first pipe
553: second pipe 555: nozzle unit
557, 557a: nozzle 570: crucible part
600: common heating heater 700: bulkhead
Claims (11)
상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 챔버의 내부에 배치된 기판에 증착물질을 제공하는 선형증발원을 포함하며,
상기 선형증발원은,
내부 공간을 갖는 리플렉터;
상기 리플렉터의 내부에 상호 이격되게 배치되어 기판에 기화온도를 달리하는 증착물질을 방사하는 복수의 소스헤드; 및
상기 리플렉터가 내부에 설치되며 한 몸체로 마련되는 단일의 쿨링 자켓부를 포함하는 박막 증착장치.chamber; And
A linear evaporation source installed in the chamber and providing a deposition material to a substrate disposed in the chamber,
The linear evaporator is,
A reflector having an inner space;
A plurality of source heads disposed to be spaced apart from each other in the reflector to emit deposition materials having different vaporization temperatures on the substrate; And
The thin film deposition apparatus of claim 1, wherein the reflector is installed therein and includes a single cooling jacket part provided as a body.
상기 선형증발원은,
상기 리플렉터의 내부 공간에 배치되되, 상기 복수의 소스헤드 사이에 설치된 적어도 하나 이상의 단열막이 적층된 격벽을 더 포함하며,
상기 리플렉터는 내부에 설치된 상기 격벽에 의해 내부 공간이 구획되고, 상기 구획된 부분에 상기 복수의 소스헤드가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.The method of claim 1,
The linear evaporator is,
A partition wall disposed in the inner space of the reflector, wherein at least one insulating film disposed between the plurality of source heads is stacked;
The reflector is a thin film deposition apparatus, characterized in that the internal space is partitioned by the partition wall provided therein, the plurality of source heads are disposed in the partitioned portion, respectively.
상기 선형증발원은,
상기 복수의 소스헤드 중 기화온도가 가장 높은 증착물질을 방사하는 소스헤드에 인접하게 배치된 공용 가열히터를 더 포함하는 박막 증착장치.The method of claim 1,
The linear evaporator is,
And a common heating heater disposed adjacent to the source head emitting the deposition material having the highest vaporization temperature among the plurality of source heads.
상기 복수의 소스헤드 각각은,
기화된 증착물질이 유입되는 제1 배관; 및
상기 제1 배관에 연통되고, 외주면에 상기 리플렉터 및 쿨링 자켓부를 관통하는 복수의 노즐이 상호 이격되어 길이방향을 따라 나란히 설치된 노즐부를 구비한 제2 배관을 포함하는 박막 증착장치.The method of claim 1,
Each of the plurality of source heads,
A first pipe into which the vaporized deposition material is introduced; And
And a second pipe communicating with the first pipe, the second pipe having a nozzle unit disposed on an outer circumferential surface of the plurality of nozzles passing through the reflector and the cooling jacket to be spaced apart from each other.
상기 복수의 소스헤드에 각각 설치된 노즐부는 상호 평행되게 배치된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.5. The method of claim 4,
The thin film deposition apparatus, characterized in that the nozzle portion provided in each of the plurality of source heads are arranged in parallel to each other.
상기 복수의 소스헤드에 설치된 상기 노즐부는 상호 쌍을 이루며, 상기 노즐부는 끝단부로 갈수록 상호 이격거리가 좁아지도록 상호 마주보는 방향으로 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.5. The method of claim 4,
And the nozzle portions provided in the plurality of source heads are paired with each other, and the nozzle portions are disposed to be inclined in a direction facing each other such that the separation distances become narrower toward the end portions.
상기 제1 배관은 증착물질을 가열하여 기화시키는 도가니부와 연통되는 것을 특징으로 하는 박막 증착장치.5. The method of claim 4,
And the first pipe is in communication with a crucible portion for heating and vaporizing the deposition material.
상기 리플렉터의 내부에 상호 이격되게 배치되어 기판에 기화온도를 달리하는 증착물질을 방사하는 복수의 소스헤드; 및
상기 리플렉터가 내부에 설치되며 한 몸체로 마련되는 단일의 쿨링 자켓부를 포함하는 선형증발원.A reflector having an inner space;
A plurality of source heads disposed to be spaced apart from each other in the reflector to emit deposition materials having different vaporization temperatures on the substrate; And
Linear reflector is installed inside the linear evaporator comprising a single cooling jacket is provided as a body.
상기 리플렉터의 내부 공간에 설치되되, 상기 복수의 소스헤드 사이에 적어도 하나 이상의 단열막이 적층된 격벽을 더 포함하며,
상기 리플렉터는 내부에 설치된 상기 격벽에 의해 내부 공간이 구획되고, 상기 구획된 부분에 상기 복수의 소스헤드가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 선형증발원.9. The method of claim 8,
A partition wall installed in the inner space of the reflector, wherein at least one insulating film is stacked between the plurality of source heads;
The reflector is a linear evaporation source, characterized in that the inner space is partitioned by the partition wall installed therein, the plurality of source heads are disposed in the partitioned portion, respectively.
상기 복수의 소스헤드 중 기화온도가 가장 높은 증착물질을 방사하는 소스헤드에 인접하게 배치된 공용 가열히터를 더 포함하는 선형증발원.9. The method of claim 8,
And a common heating heater disposed adjacent to the source head emitting the deposition material having the highest vaporization temperature among the plurality of source heads.
상기 복수의 소스헤드 각각은,
기화된 증착물질이 유입되는 제1 배관; 및
상기 제1 배관에 연통되고, 외주면에 상기 리플렉터 및 쿨링 자켓부를 관통하는 복수의 노즐이 상호 이격되어 길이방향을 따라 나란히 설치된 노즐부를 구비한 제2 배관을 포함하는 선형증발원.9. The method of claim 8,
Each of the plurality of source heads,
A first pipe into which the vaporized deposition material is introduced; And
And a second pipe communicating with the first pipe, the second pipe having a nozzle unit disposed on the outer circumferential surface of the plurality of nozzles passing through the reflector and the cooling jacket to be spaced apart from each other.
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103898450A (en) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 北京汉能创昱科技有限公司 | Copper-indium-gallium-selenium co-evaporation linear source apparatus and use method thereof |
CN104233198A (en) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | Sfa工程股份有限公司 | Linear evaporation source, and glass deposition device provided with same linear evaporation source and used for flat display |
KR101507532B1 (en) * | 2012-12-28 | 2015-04-07 | 주식회사 선익시스템 | Thin Film Deposition Apparatus with Vibrator |
KR20150071334A (en) * | 2013-12-18 | 2015-06-26 | 주식회사 에스에프에이 | Linear type evaporator and thin film deposition apparatus having the same |
KR20150083716A (en) | 2014-01-10 | 2015-07-20 | 주식회사 선익시스템 | Evaporation source for deposition apparatus |
KR101578655B1 (en) | 2014-06-30 | 2015-12-28 | 주식회사 선익시스템 | Injection nozzle and evaporation source including the same |
KR20170117569A (en) * | 2015-07-13 | 2017-10-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Evaporation source |
CN110234788A (en) * | 2017-01-23 | 2019-09-13 | 应用材料公司 | Sedimentary origin and precipitation equipment with this sedimentary origin |
KR20200054778A (en) * | 2018-11-12 | 2020-05-20 | 주식회사 선익시스템 | Linear evaporation source for measuring deposition thickness and deposition apparatus having the same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101961752B1 (en) | 2017-02-10 | 2019-03-26 | 주식회사 선익시스템 | Deposition Chamber Having Structure for Controlling Angle of Injection to Prevent Mask Shadow |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100430104B1 (en) * | 2001-09-18 | 2004-05-03 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | Vacuum plating apparatus and its plating method with linear plating and indirect heating |
KR100601503B1 (en) * | 2004-09-24 | 2006-07-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | Depositing Apparatus |
WO2009034916A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Ulvac, Inc. | Vapor emission device, organic thin-film vapor deposition apparatus and method of organic thin-film vapor deposition |
US20100154710A1 (en) | 2008-12-18 | 2010-06-24 | Scott Wayne Priddy | In-vacuum deposition of organic materials |
-
2011
- 2011-05-06 KR KR1020110042808A patent/KR101256193B1/en active IP Right Grant
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103898450A (en) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 北京汉能创昱科技有限公司 | Copper-indium-gallium-selenium co-evaporation linear source apparatus and use method thereof |
CN103898450B (en) * | 2012-12-25 | 2017-06-13 | 北京创昱科技有限公司 | A kind of CIGS co-evaporates linear source device and its application method |
KR101507532B1 (en) * | 2012-12-28 | 2015-04-07 | 주식회사 선익시스템 | Thin Film Deposition Apparatus with Vibrator |
CN104233198A (en) * | 2013-06-21 | 2014-12-24 | Sfa工程股份有限公司 | Linear evaporation source, and glass deposition device provided with same linear evaporation source and used for flat display |
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