KR20120122911A - 연마용 조성물, 및 이를 이용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 - Google Patents

연마용 조성물, 및 이를 이용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 Download PDF

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KR20120122911A
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히사노리 단쇼
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Abstract

본 발명은 귀금속 산화물에 대하여 높은 제거 속도를 갖는 연마용 조성물 및 그의 용도를 제공한다.
본 발명의 연마용 조성물은 배위자 화합물 및 물을 함유한다. 배위자 화합물로는 귀금속 산화물로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력을 갖고, 그 능력이 귀금속 산화물 중 귀금속과 동일한 종류의 귀금속 단체로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력보다도 높은 것이 사용된다. 배위자 화합물의 예로는, 예를 들면 티오시안산암모늄 등의 티오시안산염, 티오황산암모늄 등의 티오황산염, 아디티온산나트륨 등의 아디티온산염, 테트라티온산나트륨 이수화물 등의 테트라티온산염, 디에틸디티오카르밤산디에틸암모늄 등의 디에틸디티오카르밤산염, 디메틸디티오카르밤산나트륨 이수화물이나 디메틸디티오카르밤산디메틸암모늄 등의 디메틸디티오카르밤산염, 및 티오요소를 들 수 있다.

Description

연마용 조성물, 및 이를 이용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 {POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD AND SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 귀금속 산화물의 연마에 적합한 연마용 조성물 및 그의 용도에 관한 것이다.
예를 들면 DRAM 캐패시터 구조의 제조 공정에서 산화루테늄(RuOx)과 같은 귀금속 산화물을 포함하는 부분의 일부를 제거하는 데에 연마용 조성물을 이용한 연마를 이용하는 것이 행해지고 있다. 이러한 귀금속 산화물을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물이, 예를 들면 일본 특허 공표 2007-520062호 공보(특허문헌 1)에 개시되어 있다. 그러나 화학적으로 안정적인 귀금속 산화물의 제거에는 일반적으로 시간이 걸리기 때문에, 이 종류의 연마용 조성물에 대해서는 작업 처리량 향상을 위한 추가적인 개선의 필요성이 강하다.
일본 특허 공표 2007-520062호 공보
따라서 본 발명의 목적은, 귀금속 산화물에 대하여 높은 제거 속도를 갖는 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 양태에서는, 배위자 화합물 및 물을 함유하는 연마용 조성물을 제공한다. 배위자 화합물로는, 귀금속 산화물로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력을 갖고, 그 능력이 상기 귀금속 산화물 중의 귀금속과 동일한 종류의 귀금속 단체로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력보다도 높은 것이 사용된다.
상기 배위자 화합물은, 예를 들면 이하의 구조식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물(단, 식 중, M은 금속 이온 또는 암모늄 이온을 나타내고, n은 0 내지 3 중 어느 하나의 정수를 나타내며, R1, R2 및 R3은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 티올기, 케톤기, 알코올기, 카르보닐기 또는 아민기를 나타내고, R1은 R2 또는 R3과 함께 환상 구조를 형성할 수도 있고, R4는 수소 원자, 알킬기, 케톤기 또는 티올기를 나타냄)이다.
<구조식 1>
Figure pat00001
<구조식 2>
Figure pat00002
<구조식 3>
Figure pat00003
<구조식 4>
Figure pat00004
연마용 조성물은, 추가로 지립을 함유할 수도 있다.
본 발명의 별도의 양태에서는, 상기 양태에 따른 연마용 조성물을 이용하여, 귀금속 산화물 부분을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하는 연마 방법, 덧붙여 말하자면 상기 양태에 따른 연마용 조성물을 이용하여 귀금속 산화물을 포함하는 기판을 얻기 위해, 귀금속 산화물 부분을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하여 금속 산화물 부분의 일부를 제거하는 것을 포함하는, 귀금속 산화물을 포함하는 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 귀금속 산화물에 대하여 높은 제거 속도를 갖는 연마용 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 제1 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은 특정한 배위자 화합물을 물에 혼합하고, 필요에 따라 pH 조정제를 첨가하여 pH를 원하는 값으로 조정함으로써 제조된다. 따라서, 본 실시 형태의 연마용 조성물은 배위자 화합물 및 물을 함유하고, 필요에 따라 추가로 pH 조정제를 함유한다. 이 연마용 조성물은 귀금속 산화물을 연마하는 용도, 덧붙여 말하면 귀금속 산화물 부분을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하여 귀금속 산화물 부분의 일부를 제거하는 것을 통하여 귀금속 산화물을 포함하는 기판을 제조하는 용도로 사용된다. 또한, 귀금속이란, 일반적으로 은, 금, 팔라듐, 백금, 로듐, 이리듐, 루테늄 및 오스뮴이 해당된다. 따라서, 본 실시 형태의 연마용 조성물은 이들 귀금속의 산화물을 연마하는 용도로 사용되는 것이다. 그 중에서도, 팔라듐, 백금, 로듐, 이리듐, 루테늄 또는 오스뮴의 산화물로 이루어지는 막을 연마하는 용도, 특히 산화루테늄막을 연마하는 용도로 바람직하게 이용된다.
연마용 조성물 중에 포함되는 배위자 화합물은, 이하의 구조식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물(단, 식 중, M은 금속 이온 또는 암모늄 이온을 나타내고, n은 0 내지 3 중 어느 하나의 정수를 나타내고, R1, R2 및 R3은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 티올기, 케톤기, 알코올기, 카르보닐기 또는 아민기를 나타내고, R1은 R2 또는 R3과 함께 환상 구조를 형성할 수도 있고, R4는 수소 원자, 알킬기, 케톤기 또는 티올기를 나타냄)이다. 구조식 1 내지 4로 표시되는 화합물은 귀금속 산화물로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력을 갖고, 그 능력이 귀금속 산화물 중의 귀금속과 동일한 종류의 귀금속 단체로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력보다도 높다. 이러한 점이 본 실시 형태의 연마용 조성물을 이용하여 귀금속 산화물을 연마한 경우에 높은 제거 속도를 얻을 수 있는 이유라고 생각된다.
<구조식 1>
Figure pat00005
<구조식 2>
Figure pat00006
<구조식 3>
Figure pat00007
<구조식 4>
Figure pat00008
구조식 1로 표시되는 화합물의 구체예로는, 티오황산암모늄((NH4)2S2O3) 등의 티오황산염을 들 수 있다.
구조식 2로 표시되는 화합물의 구체예로는, 아디티온산나트륨(Na2S204) 등의 아디티온산염, 및 테트라티온산나트륨 이수화물(Na2S406?2H2O) 등의 테트라티온산염을 들 수 있다.
구조식 3으로 표시되는 화합물의 구체예로는, 티오요소((NH2)2CS), 1-(2-메톡실)-2-티오요소, 1-알릴-3-(2-히드록시에틸)-2-티오요소, 에틸렌티오요소, N-에틸티오요소, 구아닐티오요소, N-트리메틸티오요소, 티오카르바모일티오요소, 트리메틸티오요소 및 2,5-디티오비요소 등의 티오요소 화합물, 디에틸디티오카르밤산디에틸암모늄(C9H22N2S2) 등의 디에틸디티오카르밤산염, 디메틸디티오카르밤산나트륨 이수화물(C3H6NNaS2?2H2O) 및 디메틸디티오카르밤산디메틸암모늄(C5H14N2S2) 등의 디메틸디티오카르밤산염, 피롤리딘디티오카르밤산암모늄염(C5H12N2S2) 등의 피롤리딘디티오카르밤산염 이외에, N-(에톡시카르보닐)티오프로피온아미드, 3-메르캅토-6-메틸-1,2,4-트리아진-5-올, 로다닌, 2-티오우라실, N-(디티오카르복시)사르코신염, 4-메틸티오세미카르바지드, 펜타메틸렌디티오카르바메이트, 글리옥살비스(티오세미카르바존), 헥사메틸렌디티오카르바메이트, 4,4-디메틸-3-티오세미카르바지드, 5-메틸-2-티오우라실, 2-(시아노)티오아세트아미드, 2,4-디메틸티오세미카르바지드, 티오세미카르바지드, 티오카르보히드라지드, 2-티옥소-4-이미다졸리디논, 4-(3-메톡시프로필)-3-티오세미카르바지드, N-(디티오카르복시)사르코신염, 피롤리딘-2-티온, 에틸렌비스(디티오카르밤산염) 및 N-히드록시메틸-N-메틸디티오카르밤산염을 들 수 있다.
구조식 4로 표시되는 화합물의 구체예로는, 티오시안산암모늄(NH4SCN) 등의 티오시안산염 이외에, 티오시안산메틸, 에틸렌비스티오시아네이트, 메틸렌디티오시아네이트 및 티오시안산클로로메틸을 들 수 있다.
연마용 조성물 중 배위자 화합물의 함유량은 1 mmol/ℓ 이상인 것이 바람직하다. 구조식 1로 표시되는 화합물의 경우, 보다 바람직하게는 10 mmol/ℓ 이상, 더욱 바람직하게는 30 mmol/ℓ 이상이다. 구조식 2로 표시되는 화합물의 경우, 보다 바람직하게는 3 mmol/ℓ 이상, 더욱 바람직하게는 5 mmol/ℓ 이상이다. 구조식 3으로 표시되는 화합물의 경우, 보다 바람직하게는 10 mmol/ℓ 이상, 더욱 바람직하게는 30 mmol/ℓ 이상이다. 구조식 4로 표시되는 화합물의 경우, 보다 바람직하게는 50 mmol/ℓ 이상, 더욱 바람직하게는 150 mmol/ℓ 이상이다. 배위자 화합물의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 귀금속 산화물의 제거 속도가 향상되는 이점이 있다.
또한, 연마용 조성물 중 배위자 화합물의 함유량은 300 mmol/ℓ 이하인 것이 바람직하다. 구조식 1로 표시되는 화합물의 경우, 보다 바람직하게는 100 mmol/ℓ 이하, 더욱 바람직하게는 70 mmol/ℓ 이하이다. 구조식 2로 표시되는 화합물의 경우, 보다 바람직하게는 100 mmol/ℓ 이하, 더욱 바람직하게는 50 mmol/ℓ 이하이다. 구조식 3으로 표시되는 화합물의 경우, 보다 바람직하게는 100 mmol/ℓ 이하, 더욱 바람직하게는 70 mmol/ℓ 이하이다. 구조식 4로 표시되는 화합물의 경우, 보다 바람직하게는 250 mmol/ℓ 이하이다.
연마용 조성물의 pH의 값은, 예를 들면 사용되는 배위자 화합물의 종류에 따라 적절히 설정된다. 사용되는 배위자 화합물이 구조식 1, 구조식 2 또는 구조식 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물인 경우에는, 연마용 조성물의 pH의 값은 1 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.5 이상, 더욱 바람직하게는 2 이상이다. 사용되는 배위자 화합물이 구조식 3으로 표시되는 화합물인 티오요소 화합물인 경우에는, 연마용 조성물의 pH의 값은 7 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 8 이상이고, 구조식 3으로 표시되는 것 이외의 화합물인 경우에는, 연마용 조성물의 pH의 값은 5 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 6 이상이다. 또한, 사용되는 배위자 화합물이 구조식 1, 구조식 2 또는 구조식 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물인 경우에는, 연마용 조성물의 pH의 값은 7 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 이하, 더욱 바람직하게는 4 이하이다. 사용되는 배위자 화합물이 구조식 3으로 표시되는 화합물인 티오요소 화합물인 경우에는, 연마용 조성물의 pH의 값은 12 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 11 이하이며, 구조식 3으로 표시되는 것 이외의 화합물인 경우에는, 연마용 조성물의 pH의 값은 9 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 8 이하이다. 연마용 조성물의 pH의 값을 이와 같이 설정한 경우에는, 연마용 조성물에 의한 귀금속 산화물의 제거 속도를 특히 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물의 pH를 원하는 값으로 조정하기 위해서 필요에 따라 사용되는 pH 조정제는 산 및 알칼리 중 어느 하나일 수도 있고, 또한 무기 및 유기의 화합물 중 어느 하나일 수도 있다. 무기산의 구체예로는, 황산, 질산, 붕산, 탄산, 차아인산, 아인산 및 인산을 들 수 있다. 유기산의 구체예로는, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 2-메틸부티르산, n-헥산산, 3,3-디메틸부티르산, 2-에틸부티르산, 4-메틸펜탄산, n-헵탄산, 2-메틸헥산산, n-옥탄산, 2-에틸헥산산, 벤조산, 글리콜산, 살리실산, 글리세린산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 프탈산, 말산, 타르타르산, 시트르산 및 락트산 등의 카르복실산, 및 메탄술폰산, 에탄술폰산 및 이세티온산 등의 유기 황산을 들 수 있다. 알칼리의 구체예로는, 암모니아, 에틸렌디아민 및 피페라진 등의 아민, 및 테트라메틸암모늄 및 테트라에틸암모늄 등의 제4급 암모늄염을 들 수 있다.
본 실시 형태에 따르면 이하의 작용 및 효과가 얻어진다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은 특정한 배위자 화합물을 함유하고 있다. 이 배위자 화합물은 귀금속 산화물로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력을 갖고, 그 능력이 귀금속 산화물 중의 귀금속과 동일한 종류의 귀금속 단체로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력보다도 높다. 이 점이, 본 실시 형태의 연마용 조성물을 이용하여 귀금속 산화물을 연마한 경우에 높은 제거 속도를 얻을 수 있는 이유라고 생각된다. 이 때문에, 본 실시 형태의 연마용 조성물은 귀금속 산화물을 연마하는 용도, 덧붙여 말하면 귀금속 산화물 부분을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하여 금속 산화물 부분의 일부를 제거하는 것을 통하여 귀금속 산화물을 포함하는 기판을 제조하는 용도로 바람직하게 사용할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제2 실시 형태를 설명한다.
제2 실시 형태의 연마용 조성물은 지립을 더 함유하고 있다는 점에서 제1 실시 형태의 연마용 조성물과는 상이하다.
제2 실시 형태의 연마용 조성물 중에 포함되는 지립은 연마 대상물을 기계적으로 연마하는 기능을 갖고, 연마용 조성물에 의한 규소 산화물의 제거 속도를 향상시키는 목적으로 사용된다. 또한, 제1 실시 형태의 연마용 조성물의 용도로서 귀금속 산화물을 포함하는 기판을 제조하는 용도를 예로 들었지만, 이 귀금속 산화물을 포함하는 기판을 제조하는 과정에서는 귀금속 산화물 부분뿐만 아니라 규소 산화물 부분의 일부도 제거하는 것이 필요한 경우가 있다. 제2 실시 형태의 연마용 조성물은 귀금속 산화물을 포함하는 기판을 제조하는 과정에서 귀금속 산화물 부분뿐만 아니라 규소 산화물 부분의 일부도 제거할 필요가 있을 때에도 바람직하게 사용할 수 있도록 한 것이다.
사용되는 지립은 무기 입자, 유기 입자 및 유기 무기 복합 입자 중 어느 하나일 수도 있다. 무기 입자의 구체예로는, 예를 들면 실리카, 알루미나, 세리아, 티타니아 등의 금속 산화물을 포함하는 입자, 및 질화규소 입자, 탄화규소 입자 및 질화붕소 입자를 들 수 있다. 유기 입자의 구체예로는, 예를 들면 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 입자를 들 수 있다. 그 중에서도 실리카가 바람직하고, 특히 바람직한 것은 콜로이달 실리카이다.
연마용 조성물 중 지립의 함유량은 0.005 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 1 질량％ 이상, 가장 바람직하게는 3 질량％ 이상이다. 지립의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 규소 산화물의 제거 속도가 향상되는 이점이 있다.
또한, 연마용 조성물 중 지립의 함유량은 10 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 8 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 6 질량％ 이하이다. 지립의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 귀금속 산화물의 제거 속도는 향상된다. 지립의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 귀금속 산화물의 제거 속도가 향상되는 이점이 있다.
지립의 평균 일차 입경은 5 nm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 7 nm 이상, 더욱 바람직하게는 10 nm 이상이다. 지립의 평균 일차 입경이 커짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 규소 산화물의 제거 속도가 향상되는 이점이 있다. 또한, 지립의 평균 일차 입경의 값은 BET법으로 측정되는 지립의 비표면적에 기초하여 계산할 수 있다.
지립의 평균 일차 입경은 100 nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60 nm 이하, 더욱 바람직하게는 40 nm 이하이다. 지립의 평균 일차 입경이 작아짐에 따라, 연마용 조성물을 이용하여 귀금속 산화물 부분과 규소 산화물 부분을 동시에 연마했을 때에 귀금속 산화물 부분의 상면과 규소 산화물 부분의 상면 사이에 단차가 발생하기 어려워지는 이점이 있다.
제2 실시 형태에 따르면 이하의 작용 및 효과가 얻어진다.
제2 실시 형태의 연마용 조성물은 특정한 배위자 화합물에 추가로 지립을 함유하고 있다. 이 때문에, 제2 실시 형태의 연마용 조성물은 귀금속 산화물뿐만 아니라 규소 산화물에 대해서도 높은 제거 속도를 갖는다. 따라서, 제2 실시 형태의 연마용 조성물은 귀금속 산화물을 포함하는 기판을 제조하는 과정에서 귀금속 산화물 부분뿐만 아니라 규소 산화물의 일부도 제거하는 것이 필요한 경우에도 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 실시 형태는 다음과 같이 변경될 수도 있다.
?제1 및 제2 실시 형태의 연마용 조성물은 배위자 화합물을 2종 이상 함유할 수도 있다.
?제1 및 제2 실시 형태의 연마용 조성물은 방부제와 같은 공지된 첨가제를 필요에 따라 더 함유할 수도 있다.
?제1 및 제2 실시 형태의 연마용 조성물은 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 제조될 수도 있다.
다음으로, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.
(실시예 1)
콜로이달 실리카졸을 물로 희석하고, 거기에 티오황산암모늄을 가한 후, 암모니아를 첨가하여 pH의 값을 6으로 조정함으로써 실시예 1의 연마용 조성물을 제조하였다. 이 연마용 조성물 중 콜로이달 실리카의 함유량은 5 질량％, 티오황산암모늄의 함유량은 50 mmol/ℓ였다. 이 연마용 조성물을 이용하여, 표면에 산화루테늄(RuOx, x=1 내지 3)막을 갖는 웨이퍼 및 표면에 루테늄막을 갖는 웨이퍼를 하기 표 1에 나타내는 연마 조건으로 연마하였다. 연마 전후의 웨이퍼의 두께를 직류 4탐침법에 의한 시트 저항의 측정으로부터 구하고 그 차를 연마 시간으로 나눔으로써 산화루테늄 제거 속도 및 루테늄 제거 속도를 구한 바, 산화루테늄 제거 속도가 167 Å/분인 것에 반해, 루테늄 제거 속도는 18 Å/분이었다.
그 결과는, 티오황산암모늄을 비롯한 특정한 배위자 화합물이 구비하는 귀금속 산화물로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력이 귀금속 산화물 중 귀금속과 동일한 종류의 귀금속 단체로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력보다도 높은 것을 시사하고 있다.
Figure pat00009
(실시예 2 내지 22)
특정한 배위자 화합물을 물에 혼합하고, 질산 또는 암모니아를 첨가하여 pH의 값을 3 또는 7 또는 10으로 조정함으로써 실시예 2 내지 22의 연마용 조성물을 제조하였다. 각 연마용 조성물 중 배위자 화합물의 종류 및 함유량 및 각 연마용 조성물의 pH는 하기 표 2에 나타내는 바와 같다. 실시예 2 내지 22의 각 연마용 조성물을 이용하여, 표면에 산화루테늄(RuOx, x=1 내지 3)막을 갖는 웨이퍼를 표 1에 나타내는 연마 조건으로 연마하였다. 연마 전후의 각 웨이퍼의 두께를 직류 4탐침법에 의한 시트 저항의 측정으로부터 구하고 그 차를 연마 시간으로 나눔으로써 산화루테늄 제거 속도를 구하였다. 그 결과를 표 2의 "제거 속도"란에 나타내었다.
Figure pat00010
(실시예 23 내지 34 및 비교예 1 내지 14)
콜로이달 실리카졸을 물로 희석하고, 거기에 특정한 배위자 화합물을 가한 후, 질산 또는 암모니아를 첨가하여 pH의 값을 3 또는 7 또는 10으로 조정함으로써 실시예 23 내지 34의 연마용 조성물을 제조하였다. 콜로이달 실리카졸을 물로 희석하고, 거기에 특정한 배위자 화합물을 대체하는 화합물을 가한 후, 질산 또는 암모니아를 첨가하여 pH의 값을 3 또는 7로 조정함으로써 비교예 1 내지 14의 연마용 조성물을 제조하였다. 각 연마용 조성물 중 배위자 화합물 또는 그것을 대체하는 화합물의 종류 및 함유량 및 각 연마용 조성물의 pH는 표 3에 나타내는 바와 같다. 또한, 표 3 중에는 나타나 있지 않지만, 실시예 23 내지 34 및 비교예 1 내지 14의 연마용 조성물은 모두 5 질량％의 콜로이달 실리카를 함유하고 있다. 실시예 23 내지 34 및 비교예 1 내지 14의 각 연마용 조성물을 이용하여 산화루테늄(RuOx, x=1 내지 3), 산화오스뮴(IV)(OsO2), 산화로듐(III)(Rh2O3), 산화이리듐(IV)(Ir2O3) 및 산화팔라듐(II)(PdO) 중 어느 하나의 귀금속 산화물을 포함하는 막을 표면에 갖는 웨이퍼를 표 1에 나타내는 연마 조건으로 연마하였다. 연마 전후의 각 웨이퍼의 두께를 직류 4탐침법에 의한 시트 저항의 측정으로부터 구하고 그 차를 연마 시간으로 나눔으로써 귀금속 산화물 제거 속도를 구하였다. 그 결과를 표 3의 "제거 속도"란에 나타내었다.
Figure pat00011
표 2 및 표 3에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 34의 연마용 조성물을 이용하여 귀금속 산화물을 연마한 경우에는 모두 30 Å/분 이상이라는 높은 제거 속도가 얻어졌다. 그에 대하여, 특정한 배위자 화합물을 함유하지 않는 비교예 1 내지 14의 연마용 조성물을 이용하여 산화루테늄을 연마한 경우에는 모두 30 Å/분을 하회하는 제거 속도밖에 얻어지지 않았다.

Claims (5)

  1. 귀금속 산화물을 연마하는 용도로 사용되는 연마용 조성물로서,
    배위자 화합물 및 물을 함유하고,
    상기 배위자 화합물은 상기 귀금속 산화물로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력을 갖고, 그 능력이 상기 귀금속 산화물 중의 귀금속과 동일한 종류의 귀금속 단체로부터 귀금속을 포획하여 금속 착체를 형성하는 능력보다도 높은 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배위자 화합물은 이하의 구조식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물(단, 식 중, M은 금속 이온 또는 암모늄 이온을 나타내고, n은 0 내지 3 중 어느 하나의 정수를 나타내고, R1, R2 및 R3은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 티올기, 케톤기, 알코올기, 카르보닐기 또는 아민기를 나타내고, R1은 R2 또는 R3과 함께 환상 구조를 형성할 수도 있고, R4는 수소 원자, 알킬기, 케톤기 또는 티올기를 나타냄)인 연마용 조성물.
    <구조식 1>
    Figure pat00012

    <구조식 2>
    Figure pat00013

    <구조식 3>
    Figure pat00014

    <구조식 4>
    Figure pat00015
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 지립을 더 함유하는 연마용 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 연마용 조성물을 이용하여, 귀금속 산화물 부분을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하는 것을 포함하는 연마 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 기재된 연마용 조성물을 이용하여, 귀금속 산화물을 포함하는 기판을 얻기 위해, 귀금속 산화물 부분을 갖는 연마 대상물의 표면을 연마하여 금속 산화물 부분의 일부를 제거하는 것을 포함하는, 귀금속 산화물을 포함하는 기판의 제조 방법.
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