KR20120121897A - 유리리본 퓨전 드로잉 장치 및 방법 - Google Patents

유리리본 퓨전 드로잉 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

유리리본 퓨전 드로잉 장치는 루트를 형성하기 위한 다운스트림 방향을 따라 수렴하는 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부를 포함하는 성형웨지를 포함한다. 상기 장치는, 적어도 하나의 상기 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부와 교차하는 에지디렉터, 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하도록 형성된 가열장치 및 상기 에지디렉터를 따라 흐르는 유리리본의 일부로부터 열을 추출하기 위해 형성된 냉각장치를 더 포함한다. 유리리본 퓨전 드로잉 방법은 또한 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하고 에지디렉터를 따라 흐르는 유리리본의 일부로부터 열을 추출하기 위해 제공된다.

Description

유리리본 퓨전 드로잉 장치 및 방법{Apparatus and methods for fusion drawing a glass ribbon}
본 출원은 2010년 1월 19일에 출원한 미국 가출원 번호 제61/296240호에 이점 또는 우선권을 주장한다.
본 출원은 일반적으로 유리리본 퓨전 드로잉 장치 및 방법에 관한 것이며, 특히 가열장치와 냉각장치가 있는 유리리본 퓨전 드로잉 장치 및 방법에 관한 것이다.
유리 제조 시스템은 LCD 유리시트와 같은 다양한 유리 제품을 형성하는데 보통 사용된다. 성형웨지를 따라 용융유리를 아래로 흐르게 하거나 성형웨지의 루트로부터 유리리본을 드로잉함으로써 시트 유리를 제조하는 것이 알려져있다. 에지디렉터는 원하는 유리리본 너비와 에지 비드 특성들을 수행하는 것을 돕기 위해 성형웨지의 마주보는 끝부에 빈번하게 제공된다.
일 실시예의 측면에서, 퓨전 드로우 방법은 용융유리가 성형웨지의 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부를 따라 흐르며, 상기 하부로 기울어진 성형면 일부는 루트를 형성하기 위해 다운스트림 방향을 따라 수렴하는 단계를 포함한다. 본 발명은 상기 용융유리가 적어도 하나의 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부 중에 교차하는 에지디렉터를 따라 흐르는 단계를 더 포함한다. 본 방법은 또한 유리리본을 상기 루트로부터 드로잉하며, 상기 유리리본의 에지는 상기 에지디렉터를 따라 흐르는 용융유리에 의해 형성되는 단계를 더 포함한다. 본 방법은 또한 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하기 위해 가열장치를 사용하고, 상기 에지디렉터를 따라 흐르는 유리리본의 일부로부터 열을 추출하기 위해 냉각장치를 사용하는 단계를 더 포함한다.
또다른 측면에서, 유리리본 퓨전 드로우 장치는 루트를 형성하기 위한 다운스트림 방향을 따라 수렴하는 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부를 포함하는 성형웨지를 포함한다. 본 장치는 적어도 하나의 상기 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부와 교차하는 에지디렉터를 더 포함한다. 본 장치는 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하도록 형성된 가열장치 및 상기 에지디렉터를 따라 흐르는 유리리본의 일부로부터 열을 추출하기 위해 형성된 냉각장치를 더 포함한다.
본 발명의 제1 실시예의 측면은 용융유리가 성형웨지의 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부를 따라 흐르며, 상기 하부로 기울어진 성형면 일부는 루트를 형성하기 위해 다운스트림 방향을 따라 수렴하는 단계; 상기 용융유리가 적어도 하나의 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부 중에 교차하는 에지디렉터를 따라 흐르는 단계; 유리리본을 상기 루트로부터 드로잉하며, 상기 유리리본의 에지는 상기 에지디렉터를 따라 흐르는 용융유리에 의해 형성되는 단계; 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하기 위해 가열장치를 사용하는 단계; 및 상기 에지디렉터를 따라 흐르는 유리리본의 일부로부터 열을 추출하기 위해 냉각장치를 사용하는 단계를 포함하는 퓨전 드로우 방법과 관련된다.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 상기 가열장치는 용융유리의 액상 온도 이상의 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 유지한다.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 퓨전 드로우 방법은 상기 루트로부터의 다운스트림 위치에서 용융유리의 온도를 상기 용융유리의 베기 와프(baggy warp) 온도 아래로 유지하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 냉각장치가 루트 아래의 상기 유리리본의 에지로부터 열을 우선적으로 추출함으로써 상기 유리리본의 에지 온도가 상기 유리리본의 내부 온도보다 더 높은 비율로 감소한다.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 냉각장치는 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융리본의 인터페이스까지 상기 가열장치에 의해 공급된 열보다 루트 아래의 유리리본 에지로부터 더 많은 열을 추출한다.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 퓨전 드로우 방법은 상기 냉각장치의 냉각영역으로부터 가열장치의 가열영역을 차폐하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 가열장치는 상기 에지디렉터의 외부를 작동시키는 외부히터의 사용에 의해 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 유지한다.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 가열장치는 상기 에지디렉터의 내부를 작동시키는 내부히터의 사용에 의해 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 유지한다.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 냉각장치는 상기 에지디렉터로부터의 다운스트림 위치에서 유리리본의 에지로부터 열을 추출하는 유체 노즐을 포함한다.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 퓨전 드로우 방법은 조절 시스템으로 적어도 하나의 가열장치와 냉각장치를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
본 발명의 제1 측면의 특정 실시예에서, 퓨전 드로우 방법은 온도를 감지하고 피드백을 상기 조절 시스템으로 제공하기 위해 상기 감지된 온도를 사용하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제2 실시예의 측면은 루트를 형성하기 위한 다운스트림 방향을 따라 수렴하는 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부를 포함하는 성형웨지; 적어도 하나의 상기 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부와 교차하는 에지디렉터; 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하도록 형성된 가열장치; 및 상기 에지디렉터를 따라 흐르는 유리리본의 일부로부터 열을 추출하기 위해 형성된 냉각장치를 포함하는 유리리본 퓨전 드로우 장치에 관한 것이다.
본 발명의 제2 측면의 특정 실시예에서, 가열장치는 상기 용융유리의 액상 온도 이상의 상기 에지디렉터와 접촉하는 유리리본의 인터페이스를 유지하도록 형성된다.
본 발명의 제2 측면의 특정 실시예에서, 냉각장치가 상기 루트 아래의 유리리본의 에지로부터 열을 우선적으로 추출함으로써 상기 유리리본의 에지 온도는 상기 유리리본의 내부 온도보다 높은 비율로 감소하도록 형성된다.
본 발명의 제2 측면의 특정 실시예에서, 냉각장치는 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스에 대한 가열장치에 의해 제공된 열보다 루트 아래의 유리리본의 에지로부터 더 많은 열을 추출하도록 형성된다.
본 발명의 제2 측면의 특정 실시예에서, 퓨전 드로우 장치는 가열장치의 가열영역과 냉각장치의 냉각영역 사이에 배치된 열 차폐부를 포함한다.
본 발명의 제2 측면의 특정 실시예에서, 퓨전 드로우 장치는 상기 가열장치와 상기 냉각장치 중 적어도 하나를 조절하기 위해 형성된 조절시스템을 포함한다.
본 발명의 제2 측면의 특정 실시예에서, 조절시스템은 컨트롤러와 상기 컨트롤러에 피드백을 제공하도록 형성된 온도센서를 포함한다.
본 발명의 제2 측면의 특정 실시예에서, 조절시스템은 상기 루트 아래의 유리리본의 에지로부터 열을 우선적으로 추출함으로써 상기 유리리본의 내부 온도보다 높은 비율로 상기 유리리본의 에지 온도가 감소하는 냉각장치를 조절하도록 형성된다.
본 발명의 제2 측면의 특정 실시예에서, 조절시스템은 상기 가열장치와 상기 냉각장치 중 적어도 하나를 작동시켜 상기 냉각장치는 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스로 가열장치에 의해 제공된 열보다 상기 루트 아래의 유리리본의 에지로부터 더 많은 열을 추출하도록 형성된다.
본 발명은 가열장치와 냉각장치가 있는 유리리본 퓨전 드로잉 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
상기와 같은 측면들은 첨부되는 도면들과 함께 상세한 설명에서 이해되는 것이 바람직하다.
도 1은 유리리본 퓨전 드로잉 장치의 개략도이다.
도 2는 제1 실시예 장치의 일부를 나타내는 도 1의 선 2-2에 따른 장치의 단면 사시도이다.
도 3은 제2 실시예 장치의 일부를 나타내는 측면도이다.
도 4는 제3 실시예 장치의 일부를 나타내는 측면도이다.
실시예들은 실시예가 나타나는 첨부되는 도면과 관련하여 여기서 더 충분히 설명될 것이다. 가능하다면 동일한 참조번호는 동일하거나 비슷한 부분들을 나타내도록 도면 전체에 사용된다. 그러나, 측면들이 많은 서로 다른 형태로 구체화되며 여기에 나타난 실시예들에 제한되는 것으로 이해되어서는 안된다.
도 1은 유리시트에 대한 연속적인 공정을 위한 유리리본(103) 퓨전 드로잉을 위한 장치(101)의 개략도를 나타낸다. 장치(101)는 저장통(109)으로부터 배취재료(107)를 수용하도록 형성된 용융용기(105)를 포함할 수 있다. 배취재료(107)는 모터(113)에 의해 전원이 공급된 배취이송장치(111)에 의해 유입될 수 있다. 선택적 컨트롤러(115)는 화살표 117에 의해 표시된 바와같이, 원하는 양의 배취재료(107)를 용융용기(105)로 유입시키기 위해 모터(113)를 구동시키도록 형성될 수 있다. 유리 금속 프로브(119)는 스탠드파이프(123) 내의 유리용액(121) 수위를 측정하고 커뮤니케이션 라인(125)을 통해 측정된 정보를 컨트롤러(115)로 커뮤니케이트할 수 있다.
장치(10)는 또한 정제튜브와 같은 정제용기(127)를 포함할 수 있으며, 용융용기(105)로부터의 다운스트림에 위치되며 제1 연결튜브(129)를 통해 용융용기(105)에 결합된다. 교반챔버와 같은 혼합용기(131)는 또한 정제용기(127)로부터의 다운스트림에 위치되며, 보울과 같은 이송용기(133)는 혼합용기(131)로부터의 다운스트림에 위치된다. 보여지는 바와 같이, 제2 연결튜브(135)는 정제용기(127)를 혼합용기(131)에 결합할 수 있고 제3 연결튜브(137)는 혼합용기(131)를 이송용기(133)에 결합할 수 있다. 추가적으로 나타난 바와 같이, 다운커머(139)는 유리용액(121)을 이송용기(133)로부터 성형용기(143)의 입구(141)로 이송하도록 배치될 수 있다. 나타난 바와 같이, 용해용기(105), 정제용기(127), 혼합용기(131), 이송용기(133) 및 성형용기(143)는 장치(101)를 따라 일렬로 위치된 유리 용해 스테이션의 일례들이다.
용해용기(105)는 통상적으로 내화성(예를 들어 세라믹) 벽돌과 같은 내화성 재료로 만들어진다. 장치(101)는 백금 또는 백금로듐, 백금이리듐 및 그러한 혼합물과 같은 백금함유 금속들로부터 통상적으로 만들어지는 성분들을 더 포함하나, 또한 몰리브뎀, 파라듐, 레늄, 탄타륨, 티타늄, 텅스텐, 루테늄, 오스뮴, 지르코늄 및 그러한 합금들 및/또는 지르코늄 다이옥신과 같은 그러한 내화성 금속들을 포함한다. 백금-함유 성분들은 하나 또는 그 이상의 제1 연결튜브(129), 정제용기(127)(예를 들어, 미세한 튜브), 제2 연결튜브(135), 스탠드파이프(123), 혼합용기(131)(예를 들어, 교반 챔버), 제3 연결튜브(137), 이송용기(133)(예를 들어, 보울), 다운커머(139) 및 입구(141)를 포함할 수 있다. 성형용기(143)는 또한 내화성 재료로 만들어지며 유리리본(103)을 형성하도록 설계된다.
도 2는 도 1의 선 2-2에 따른 장치(101)의 단면사시도이다. 보이는 바와 같이 성형용기(143)는 성형웨지(201)의 마주보는 끝부분들 사이로 뻗는 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 부분들(207, 209)을 포함한다. 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 부분들(207,209)은 루트(213)를 형성하기 위해 다운스트림 방향(211)을 따라 수렴한다. 드로우면(215)은 루트(213)를 통해 연장하며 상기 유리리본(103)은 드로우면(215)를 따라 다운스트림 방향(211)으로 드로운된다. 보이는 바와 같이, 드로우면(215)은 비록 드로우면(215)이 루트(213)와 관련하여 다른 방향으로 뻗음에도 불구하고 루트(213)를 양분할 수 있다.
성형용기(143)는 적어도 하나의 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부(207,209)와 교차하는 하나 또는 그 이상의 에지디렉터를 포함한다. 추가적인 실시예에서, 하나 또는 그 이상의 에지디렉터는 두 개의 하부로 기울어진 성형면 일부(207,209)와 교차할 수 있다. 추가적인 실시예에서, 에지디렉터는 성형웨지(201)의 각각의 마주보는 끝부에 위치될 수 있으며 유리리본(103)의 에지는 에지디렉터를 따라 흐르는 용융유리에 의해 형성된다. 예를 들어, 도 2에 나타난 바와 같이, 에지디렉터(217)는 제1 마주보는 끝부에 위치될 수 있으며 제2 동일한 에지디렉터(미도시)는 제1 마주보는 끝부(미도시)에 위치될 수 있다. 각각의 에지디렉터는 두 개의 하부로 기울어진 성형면 일부(207,209)와 교차하며 형성될 수 있다. 각각의 에지디렉터(217)는, 에지디렉터가 추가적인 실시예에서 서로 다른 특징들을 가짐에도 불구하고 실질적으로 서로 동일하다. 다양한 성형웨지와 에지디렉터 형상은 본 발명의 측면에 따라 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 측면들은 미국특허번호 제3,451,798호, 미국특허번호 제3,537,834호, 미국특허번호 제7,409,839호 및/또는 2009년 2월 26일 출원된 미국 가출원번호 제61/155,669호에 공개된 성형웨지와 에지디렉터 형상들로 사용될 수 있으며 각각은 여기서 문서 전체로 참조로써 병합된다.
도 2는 본 발명의 측면으로 사용되는 단지 한 실시예의 에지디렉터(217)를 나타낸다. 제1 에지디렉터(217)는 몇몇 실시예에서 제2 에지디렉터(미도시)가 제1 에지디렉터(217)와 비슷하거나 동일할 수 있다는 이해로 언급될 것이다. 동일한 에지디렉터를 제공하는 것은 비록 에지디렉터가 달라진 유리시트 특징들을 제공 및/또는 다양한 성형 용기 형상을 수반하기 위해 서로 다른 특징들을 가진다 할지라도 일정한 유리리본을 제공하는 것이 이로울 수 있다.
도 2는 성형웨지(201)의 제1 하부로 기울어진 성형면 부분(207)에 대하여 배치된 제1 에지디렉터(217)의 제1 옆면을 나타낸다. 비록 보이지는 않지만, 제1 에지디렉터(217)는 성형웨지(201)의 제2 기울어진 성형면 부분(209)에 대하여 배치된 제2 옆면을 더 포함한다. 제1 에지디렉터(217)의 제2 옆면은 루트(213)를 양분하는 드로우면(215)에 대한 제1 옆면의 대칭 이미지이다. 보이는 바와 같이, 제1 옆면은 성형웨지(201)의 제1 하부로 기울어진 성형면 부분(207)을 교차하는 제1 표면(219)을 포함한다. 비록 보이지는 않으나, 제1 에지디렉터(217)의 제2 옆면은 또한 성형웨지(201)의 제2 기울어진 성형면 부분(207)을 교차하는 실질적으로 동일한 표면을 포함한다.
각각의 마주보는 성형웨지(201)의 끝부는 제1 및 제2 에지디렉터(217)와 상응하여 측면에 배치되는 것을 돕도록 설계된 유지블록(221)으로 제공될 수 있다. 보이는 바와 같이, 선택적으로 제1 에지디렉터(217)는 상부(223)와 하부(225)를 포함할 수 있다. 하부(225)는 몇몇 실시예에서, 제1 마주보는 끝부(203)의 제1 에지디렉터(217)를 제2 마주보는 끝부(미도시)의 제2 에지디렉터에 결합시킨다. 에지디렉터(217)를 함께 결합시키는 것은 성형웨지(201)에 대한 에지디렉터(217)의 조립을 간단히 하는데 이로울 수 있다. 추가적인 실시예에서, 에지디렉터(217)의 상부(223)는 개별적으로 제공된다. 예를 들어, 제1 에지디렉터(217)는 제2 에지디렉터로부터 분리될 수 있고 성형웨지(201)의 각각의 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 부분(207,209)에 독립적으로 조립된다. 특정 형상으로, 결합되지 않은 상부(223)를 제공하는 것은 에지디렉터(217)의 제조를 간단히 할 수 있다. 각각의 에지디렉터(217)는 성형웨지(201)에 대한 서로 다른 표면을 제공함으로써 다양한 방향성과 기하(geometry)를 가질 수 있다.
유리리본 퓨전 드로잉을 위한 장치(101)는 또한 리본이 성형웨지(201)의 루트(213)를 드로잉할 때 유리리본의 상응하는 에지를 연결시키도록 형성된 한 쌍의 에지롤러들을 포함하는 적어도 하나의 에지롤러 어셈블리를 포함할 수 있다. 한 쌍의 에지롤러는 유리리본의 에지의 적절한 마무리를 용이하게 한다. 에지롤러 마무리는 원하는 에지 특성들과 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 부분(207,209)로 연결된 에지디렉터의 마주보면 면을 당기는 용융유리의 에지 부분들의 원하는 에지 특성들과 적절한 융합을 제공한다. 도 2에 보이는 바와 같이, 제1 에지롤러 어셈블리(227)는 제1 에지디렉터(217)와 연결되고 제2 에지롤러 어셈블리(미도시)는 제2 에지디렉터와 연결된다. 각각의 에지롤러 어셈블리(227)는 비록 여러 쌍의 에지롤러가 추가적인 실시예에서 서로 다른 특성들을 가진다고 할지라도 서로 실질적으로 동일할 수 있다.
도 2는 본 발명의 측면들로 사용될 수 있는 사용된 에지롤러 어셈블리의 실시예를 나타낸다. 제1 에지롤러 어셈블리(227)는 몇몇 실시예에서 제2 에지롤러 어셈블리(미도시)가 제1 에지롤러 어셈블리(227)와 비슷하거나 동일한 것으로 이해됨으로써 언급될 것이다. 도 2에 보이는 바와 같이, 제1 에지롤러 어셈블리(227)는 제1 에지롤러(231)와 제2 에지롤러(233)를 포함하는 한 쌍의 제1 에지롤러(229)를 포함한다. 에지롤러(231,233)는 유리리본(103)의 제1 측면과 제2 측면을 동시에 연결하도록 형성된다. 제1 에지롤러 어셈블리(227)는 제1 에지롤러(231)에 부착된 제1 샤프트(235)와 제2 에지롤러(233)에 부착된 제2 샤프트(237)를 더 포함한다. 제1과 제2 샤프트(235,237)는 모터(미도시)에 의해 회전가능하게 구동되도록 형성된다.
도 2에 개략적으로 보이는 바와 같이, 장치(101)는 또한 하나 또는 그 이상의 가열장치(239)를 포함할 수 있다. 가열장치(239)는 제1 에지디렉터(217)와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하도록 형성된다. 보여지는 실시예에서, 제1 가열장치(239)는 외부 가열장치와 같이 에지디렉터(217)에 대해 위치될 수 있다. 한 실시예에서, 외부 가열장치는 제1 에지디렉터(217)의 하부(225)의 뒷면을 가열하도록 형성될 수 있다. 도 3에 보이는 바와 같이, 가열장치(339)는 또한 비록 가열장치가 추가적인 실시예에서 에지디렉터 또는 다른 위치에 배치된다 할지라도 에지디렉터 내부에 배치될 수 있다. 실제로, 가열장치는 에지디렉터(217)와 관련하여 다양한 3차원 위치에서 배치될 수 있다. 보이는 바와 같이, 비록 다수의 가열장치가 추가적인 실시예에 제공된다 할지라도 하나의 가열장치가 제공된다.
가열장치는 용융유리의 액상 온도 이상으로 제1 에지디렉터(217)와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열할 수 있다. 액상 온도는 유리가 결정 형성 없이 용해상태를 유지하는 더 낮은 온도 영역에 상응한다. 용융유리의 일부가 액상 온도 아래로 떨어지면, 결정화된 유리가 생성된다. 용융유리 내의 데빗(devit)으로써 종종 언급되는 결정화된 유리의 일부는 유리 액상 온도 이하의 온도 차이에 비례하는 비율로 축적되기 쉽다. 따라서, 한 실시예에서 가열장치(239)는 에지디렉터의 데빗 축적률을 감소시키기 위해 제1 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하도록 형성된다. 또다른 실시예에서, 에지디렉터(217)는 에지디렉터에 임의의 데빗 축적을 실질적으로 줄이거나 심지어 제거시키기 위해 액상온도 이상으로 유지되었다. 임의의 데빗 축적의 제거는 실투없는 에지디렉터 장치를 만들 수 있다.
에지디렉터에 데빗 축적을 줄이는 것이 바람직한 동시에, 또한 가열장치(239)의 구동은 또한 용융유리의 점성을 줄이는 경향이 있다. 도 2의 참조번호 245에 나타난 바와 같이, 줄어든 점성은 유리리본(103)의 너비를 바람직하지 않게 줄일 수 있다.
장치(101)는 또한 유리리본(103)의 바람직하지 않은 너비 손실에 대응하기 위해 하나 또는 그 이상의 냉각장치(241)를 포함할 수 있다. 도 2에 개략적으로 보여지는 바와 같이, 냉각장치(241)는 제1 에지디렉터(217)를 따라 흐르는 용융유리의 일부로부터 열을 추출하도록 형성된다. 냉각장치(241)는 유체 분배장치(예를 들어 에어제트를 형성하는 오리피스)를 포함하나 이에 한정되지 않은 다양한 장치들로 구성될 수 있으며, 비교적 차가운 물체가 유리리본의 에지, 방사 냉각기, 및/또는 다수의 유체노즐에 인접하게 고정된다.
냉각장치는 하나 또는 그 이상의 다양한 방법으로 작동하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 냉각장치(241)가 냉각장치(241)가 루트(213) 아래의 유리리본(103)의 에지로부터 열을 우선적으로 추출함으로써 유리리본(103)의 에지의 온도가 유리리본의 내부 온도보다 더 높은 비율로 감소하도록 형성될 수 있다. 그러한 실시예들로, 내부는 중앙 부분과 같이 중간 부분을 포함할 수 있으며, 유리리본(103)의 마주보는 측면 에지 사이에 배치된다. 추가적으로 또는 선택적으로, 냉각장치(241)는 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스까지 가열장치(239)에 의해 제공된 열 보다 루트(213) 아래의 유리리본(103)의 에지로부터 열을 더 추출하도록 형성된다.
루트(213) 아래의 위치에서 냉각장치(241)의 작동은 유리리본 너비의 바람직하지않은 감소에 대응하는 것을 도우며, 그렇지 않으면 가열장치(239)만의 작동에 의해 발생한다. 따라서, 가열장치(239)는 에지디렉터에 데빗 형성을 줄이는데 사용될 수 있으며, 이와 동시에 냉각장치(241)는 유리리본 너비의 원하지 않은 손실에 대응하도록 사용될 수 있으며, 그렇지 않으면, 에지디렉터를 흐르는 용융유리의 연속적인 냉각없이 가열장치(239)를 사용함으로써 발생한다.
도 3에 보이는 바와 같이, 제2 실시예 장치(301)의 측면은 성형웨지(201)를 포함하고, 도 2의 에지디렉터(217)가 도시된다. 도 3의 실시예에서, 가열장치(339)는 에지디렉터(217) 내에 위치된다. 도 3에 추가적으로 나타난 바와 같이, 장치(301)는 한 쌍의 에지게이트(305)와 한 쌍의 중앙게이트(307)를 포함할 수 있다. 단지 하나의 에지게이트(305)와 단지 하나의 중앙게이트(307)는 각각의 쌍의 다른 게이트가 용융유리의 반대면에 위치될 때 이 도면에 나타난다. 에지게이트(305)와 중앙게이트(307)는 용융유리의 유동을 방향설정하는 것을 돕기 위해 에지디렉터(217)의 하부(225) 아래에 위치된다. 중앙게이트(307)는 용융유리의 중앙부분이 용융유리의 에지부분보다 더 얇을 때 에지게이트(305)보다 서로 더 타이트하게 폐쇄될 수 있다. 에지게이트(305)는 에지디렉터(217)로부터 용융유리의 추가적인 흐름 때문에 타이트하게 폐쇄될 수 없다.
도 3에서 추가적으로 보이는 바와 같이, 제1 및 제2 롤러(231,233)는 용융유리가 에지롤러(231,233)에 배치될 가능성을 줄이는 것을 돕도록 활발하게 냉각된다. 예를 들어, 도 3에 보이는 바와 같이, 유입선(309)은 냉각수(즉, 가스 또는 액체)를 제1 및 제2 롤러(231,233)에 제공하기 위해 각각의 샤프트(235)를 통해 뻗도록 형성된다. 유출선(311)은 또한 각각의 샤프트(235,237)를 통해 액체 공급원(313)까지 가열된 액체를 복원시키기 위해 뻗어있다. 유압 펌프(315)는 액체 공급원으로부터 유체를 드로우시킬 수 있고 제1 및 제2 롤러(231,233)를 계속해서 냉각시키기 위해 유입선(309)을 통해 다시 순환시키기 전에 제1 및 제2 롤러(231,233)로부터 전달된 열을 제거하기 위해 열 변환기(317)를 통해 통과시킬 수 있다. 냉각은 유리가 롤러에 부착될 가능성을 줄이는 것을 도울 수 있다. 추가적인 실시예에서, 롤러는 냉각장치(241)를 보조하기 위해 더 높은 비율로 냉각될 수 있다.
제3 실시예의 장치(401)가 도 4에 보여진다. 상기에 언급된 바와 같이, 가열장치(239)는 제1 에지디렉터(217)와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열한다. 냉각장치(241)는 제1 에지디렉터(217)을 따라 흐르는 용융유리의 일부로부터 열을 추출하도록 형성된다. 제3 실시예 장치(401)는 또한 롤러(231,233)를 냉각시키기 위한 구조 또는 다른 실시예들로부터 임의의 다른 구조를 더 포함할 수 있다.
도 4의 제3 실시예에서, 선택적인 열차폐장치는 나타난 열차폐부(411)로 제공된다. 열차폐부(411)는 필요하다면 냉각장치(241)에 연결된 냉각영역으로부터 가열장치(239)에 연결된 가열영역을 차폐하도록 형성될 수 있다. 추가적으로 나타난 바와 같이, 조절시스템(419)은 가열장치(239)와 냉각장치(241) 중 적어도 하나를 조절하도록 제공된다. 조절시스템(419)은 다양한 상태에 기초한 다양한 방법으로 가열장치(239)와 냉각장치(241) 중 적어도 하나를 작동시킬 수 있으며, 서로다른 위치에서 용융유리의 온도를 모니터링하거나 유리리본(103)의 너비를 모니터링하는데 제한되지않으나 포함한다. 일 실시예에서, 조절시스템(419)은 유리리본(103)의 에지의 온도가 유리리본(103)의 내부의 온도보다 높은 비율로 감소하도록 루트(213) 아래의 유리리본(103)의 에지로부터 열을 우선적으로 추출하기 위한 냉각장치(241)를 조절하도록 형성된다. 추가적으로, 또는 선택적으로, 조절시스템(419)은, 냉각장치(241)가 에지디렉터와 접하는 용융유리의 인터페이스로 가열장치(239)에 의해 공급된 열 보다 루트(213) 아래의 유리리본(103)의 에지로부터 더 많은 열을 추출하기 위해 가열장치(239)와 냉각장치(2441) 중 적어도 하나를 구동시키도록 형성된다.
일 실시예에서, 조절시스템(419)은 컨트롤러(421)와 적어도 하나의 센서(423)을 더 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 적어도 하나의 센서(423)는 비록 다른 위치들이 추가적인 실시예들에서 가능하다 할지라도 에지디렉터(217)에 배치된다. 추가적으로, 센서는 에지디렉터와 연관된 온도 조건을 감지하기 위해 배치된 적외선 센서를 구비할 수 있다. 적어도 하나의 센서(423)는 에지디렉터(217)에 의해 용융유리와 연관된 온도를 감지하고 가열장치(239)와 냉각장치(241)로 피드백 조절을 제공하기 위해 감지된 온도를 사용하도록 형성된다. 적어도 하나의 센서(423)는 감긴 연결부 또는 선이 없는 연결부를 통해 컨트롤러(421)에 감지된 온도를 상호연통할 수 있다. 컨트롤러(421)는 그후 감지된 온도에 상응하여 가열장치(239) 및/또는 냉각장치(241)의 구동을 조절하도록 형성된다. 추가적으로 또는 선택적으로, 또다른 센서(425)는 유리리본(103)의 에지의 온도 조건을 감지하기 위해 냉각장치(241)와 연통된다. 센서는 비록 다른 감지장치가 추가적인 실시예에 제공된다 할지라도 적외선 센서를 구비한다. 센서(425)는 유리리본(103)의 에지에 연통된 온도를 감지하고 컨트롤러(421)에 피드백을 제공하기 위해 감지된 온도를 사용하도록 형성된다. 감지된 피드백을 기초로 하여, 컨트롤러(421)는 그 후 적절한 냉각 조건을 제공하기 위해 냉각상태(241)를 작동할 수 있다.
여전히 추가적으로, 컨트롤러는 가열장치(239)와 연통된 가열영역과 냉각장치(241)와 연통된 냉각영역 사이의 바람직한 열 조절을 제공하기 위한 열차폐부(411)의 위치를 조절하는 모터(미도시)를 구동시키기 위해 선(417)을 따라 신호를 보낸다.
유리 성형 방법은 일례의 에지디렉터(217)를 포함하는 장치(401)와 관련하여 여기서 설명될 것이다. 비슷하거나 동일한 방법 공정은 예를 들어 적용에 걸쳐 언급된 바와 같이 추가적인 실시예들로 수행될 수 있는 것으로 이해될 것이다. 게다가, 본 발명의 실시예의 방법들은 생략될 수 있고 및/또는 추가적인 단계들을 추가할 수 있다. 게다가, 언급되지 않는다면, 단계들은 특정 작용에 따라 동시에, 연속적으로 또는 서로다른 순서로 수행될 수 있다.
도 1-2 및 4에 도시된 바와 같이, 에지디렉터(217)를 포함하는 실시예의 장치(401)가 있는 성형유리의 방법이 개략적으로 나타난다. 제1 실시예 방법에서, 퓨전 드로잉 방법은 유리리본(103)을 만들기 위해 제공된다. 이 방법은 성형웨지(201)를 구비하는 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부(207,209)를 따라 용융유리가 흐르는 단계를 포함하며, 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부(207,209)는 루트(213)에서 성형웨지(201)의 밑면에서 수렴한다. 이 방법은 적어도 한 쌍의 기울어진 성형면 부분(207,209)과 교차하는 제1 에지디렉터(217) 위를 용융유리가 흐르며 유리리본(103)을 성형하기 위하여 성형웨지(201)의 루트(213)로부터 용융유리를 드로잉하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은 여전히 제1 에지디렉터(217)과 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하는 가열장치(239)를 사용하고 에지디렉터(217)를 흐르는 용융유리의 일부로부터 열을 추출하는 냉각장치(241)를 사용하는 단계를 포함한다. 따라서, 가열장치(239)는 데빗 축적을 줄이기 위해 제1 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하고 냉각장치(241)는 단지 가열장치(239)의 사용만으로 발생되는 너비 손실을 막음으로써 유리리본(103)의 너비를 보전하기 위해 에지디렉터(217) 아래의 위치로부터 열을 추출한다. 한 실시예에서, 가열장치(239)는 에지디렉터(217)의 외면을 구동시키는 외부 히터를 사용함으로써 제1 에지디렉터(217)와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열한다. 또다른 실시예에서, 가열장치(239)는 에지디렉터(217) 내부에 구동하는 내부 히터를 사용함으로써 제1 에지디렉터(217)와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열한다. 냉각장치(241)는 한 실시예에서 유체노즐을 사용함으로써 에지디렉터(217) 아래의 용융유리로부터 열을 추출할 수 있다.
실시예의 방법은 용융유리의 액상온도 이상의 제1 에지디렉터(217)와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하기 위하여 가열장치(239)를 사용하는 방법을 포함할 수 있다. 액상온도는 결정화 단계가 발달하기 시작하는 곳에 상응한다. 따라서, 한 실시예에서 가열장치(239)는 에지디렉터(217)에 데빗 축적률을 감소시키기 위해 제1 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하도록 형성된다. 또다른 실시예에서, 에지디렉터(217)는 에지디렉터(217)에 임의의 데빗 축적을 실질적으로 줄이거나 심지어 제거하기 위해 액상온도 이상을 유지한다. 추가적인 열플럭스(flux)는 데빗 축적을 완전히 제거하는데 필요하고 이것은 성형된 유리의 액상 온도 이하를 구동시키는 에지디렉터(217) 표면의 일부를 보장하지 않을 것이다. 그러므로, 본 발명의 측면은 유리리본 질에 영향을 주는 데빗 축적을 감소시키거나 제거할 수 있다. 실제로, 데빗층이 매우 두껍게될 때 흐르는 유리는 고정된 물체에 매우 근접하게 "브릿지(bridge)"될 수 있고 심각한 구동 문제를 야기시킬 수 있다. 데빗 축적은 또한 하부로 기울어진 성형면(207,209)으로부터 루트(213)를 드로잉하는 두 개의 용융유리리본의 융합을 방해할 수 있다. 에지의 융합방해는 비드의 거품 형성을 초래하거나 유리리본에 다른 결함을 발생시킬 수 있다.
본 실시예의 방법은 가열장치(239) 사용을 중지하기 위해 많은 양의 열플럭스를 추출하기 위한 냉각장치(241)를 사용하는 것을 포함할 수 있다. 제1 에지디렉터(217)와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열시키기 위해 가열장치(239)를 사용하는 단계는 최종 유리리본(103)의 너비손실 또는 수축을 발생시킨다. 냉각장치(241)는 가열장치(239)에 의해 적용된 열플럭스의 양에 상응하는 열플럭스의 양을 추출하고 너비손실의 일부를 회복하기 위해 작동될 수 있다. 일 실시예에서, 적용된 후 추출된 열플럭스의 양은 유리리본 성형모델로부터 추정될 수 있다. 유리리본 성형모델은 용융유리의 다양한 온도의 최종 시트 크기에 대한 가이드를 제공할 수 있다.
또다른 실시예에서, 적용되고 추출된 열플럭스의 양은 장치의 작동 중에 측정될 수 있다. 일 실시예에서, 냉각장치(241)는 발생되는 용융유리의 서로다른 감쇠로부터 유리리본의 서로다른 너비손실을 얻기 위하여 서로다른 냉각률에서 작동할 수 있다. 모델링 기술을 기초로, 서로다른 냉각률에서 냉각장치(241)를 구동시키는 것은 대략 57mm로 감소된 최종 유리리본의 너비손실을 발생시킬 수 있다는 것이 결정되었다. 비교적 더 큰 냉각률을 사용하는 또다른 모델링 실시예에서, 최종 유리리본의 너비손실은 대략 6mm로 줄어들 수 있다는 것이 결정되었다. 반면, 비교적 더 큰 냉각률을 사용하는 또다른 모델링 실시예에서, 모델링 결과는 유리리본이 대략 11mm의 너비 이득을 갖는다는 것을 나타내었다.
본 발명의 실시예는 루트(213) 아래 위치의 용융유리 온도를 용융유리의 베기 와프(baggy warp) 온도 아래로 유지하는 단계를 더 포함할 수 있다. 베기 와프 온도는 베기 와프 상태가 보전되기 전에 자유로운 리본에 허용가능한 최대온도를 나타낸다. 베기 와프는 국소 질량흐름과 유리 성분 뿐 아니라 용융유리의 영역의 냉각 곡선에 따라 달라질 수 있다. 베기 와프의 물리적 설명은 용융유리의 온도가 베기 와프 온도를 초과할 때 줄어든 점성을 가지는 상태이다. 베기 와프 상태 하에서, 용융유리의 점성은 풀링롤(미도시)에 의해 더이상 당겨질 수 없는 지점까지 감소된다. 게다가, 베기 와프 상태에서, 성형웨지에 존재하는 유리흐름은 평면에 훨씬 낮게 위치된 풀링롤에 의해 고정된 두께로 당겨진 완전히 직사각형의 시트의 흐름을 초과하기 시작할 수 있다. 일 실시예의 방법에서, 가열장치(239)는 약 3010℃에서 약 1200℃의 범위 내에서 에지디렉터(217)를 흐르는 용융유리의 에지의 온도를 유지한다. 용융유리의 3010℃와 같이 용융유리의 액상 온도 이상의 제1 에지디렉터에 접촉하는 용융유리를 유지하는 것에 상응할 수 있는 동시에, 1200℃와 같이 루트 이하의 위치에서 베기 와프 온도 이하의 용융유리의 온도를 여전히 유지한다. 실시예 방법은 가열장치(239)와 냉각장치(241) 중 하나를 사용하거나 또는 가열장치(239)와 냉각장치(241) 둘 다를 사용함으로써 온도를 유지시킬 수 있다.
또다른 대안에서, 실시예 방법은 또한 냉각장치(241)의 냉각영역으로부터 가열장치(239)의 가열영역을 차폐하는 단계를 더 포함할 수 있다. 냉각영역으로부터 가열영역을 차폐하는 것은 도 4에 나타난 열차폐부(411)로 수행될 수 있다. 열차폐부(411)는 가열영역과 냉각영역 사이의 열전달을 조절하는 것을 돕도록 형성된다.
실시예 방법은 또한 조절시스템(419)으로 가열장치(129)와 냉각장치(241) 중 적어도 하나를 조절하는 단계를 더 포함한다. 조절 시스템(419)은 다양한 상태를 기초로 한 다양한 방법에서 가열장치(239)와 냉각장치(241) 중 적어도 하나를 작동할 수 있으며 유리리본(103)의 서로다른 위치와 너비에서 용융유리의 온도를 포함한다. 일 실시예에서, 조절 시스템(419)은 용융유리와 연관된 온도를 감지하거나 측정하고 피드백 조절을 조절 시스템(419)에 제공하기 위해 감지된 온도를 사용하는 단계를 포함할 수 있다.
청구항의 본질 및 범위에 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형들이 이루어질 수 있다는 것은 당업자들에게 명백할 것이다.
101: 장치 103: 유리리본
105: 용융용기 107: 배취재료
111: 배취이송장치 113: 모터
115: 컨트롤러 119: 유리 금속 프로브
121: 유리용액 123: 스탠드파이프
127: 정제용기 129, 135, 137: 제1,2,3 연결튜브
131: 혼합용기 133: 이송용기
137: 정제용기 139: 다운커머
141: 입구 143: 성형용기
201: 성형웨지 213: 루트
217: 에지디렉터 221: 유리블록
223: 에지블록 231, 233: 제1,2 롤러
235: 237: 제1,2 샤프트 239, 339: 가열장치
241: 냉각장치 411: 열차폐부
419: 조절시스템 421: 컨트롤러
423, 425: 센서

Claims (20)

  1. 용융유리가 성형웨지의 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부를 따라 흐르며, 상기 하부로 기울어진 성형면 일부는 루트를 형성하기 위해 다운스트림 방향을 따라 수렴하는 단계;
    상기 용융유리가 적어도 하나의 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부 중에 교차하는 에지디렉터를 따라 흐르는 단계;
    유리리본을 상기 루트로부터 드로잉하며, 상기 유리리본의 에지는 상기 에지디렉터를 따라 흐르는 용융유리에 의해 형성되는 단계;
    상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하기 위해 가열장치를 사용하는 단계; 및
    상기 에지디렉터를 따라 흐르는 유리리본의 일부로부터 열을 추출하기 위해 냉각장치를 사용하는 단계를 포함하는 퓨전 드로우 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 가열장치는 용융유리의 액상 온도 이상의 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 유지하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 루트로부터의 다운스트림 위치에서 용융유리의 온도를 상기 용융유리의 베기 와프(baggy warp) 온도 아래로 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각장치가 루트 아래의 상기 유리리본의 에지로부터 열을 우선적으로 추출함으로써 상기 유리리본의 에지 온도가 상기 유리리본의 내부 온도보다 더 높은 비율로 감소하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  5. 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각장치는 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융리본의 인터페이스까지 상기 가열장치에 의해 공급된 열보다 루트 아래의 유리리본 에지로부터 더 많은 열을 추출하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각장치의 냉각영역으로부터 가열장치의 가열영역을 차폐하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  7. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열장치는 상기 에지디렉터의 외부를 작동시키는 외부히터의 사용에 의해 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 유지하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  8. 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열장치는 상기 에지디렉터의 내부를 작동시키는 내부히터의 사용에 의해 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 유지하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  9. 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각장치는 상기 에지디렉터로부터의 다운스트림 위치에서 유리리본의 에지로부터 열을 추출하는 유체 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  10. 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 있어서,
    조절 시스템으로 적어도 하나의 가열장치와 냉각장치를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    온도를 감지하고 피드백을 상기 조절 시스템으로 제공하기 위해 상기 감지된 온도를 사용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퓨전 드로우 방법.
  12. 루트를 형성하기 위한 다운스트림 방향을 따라 수렴하는 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부를 포함하는 성형웨지;
    적어도 하나의 상기 한 쌍의 하부로 기울어진 성형면 일부와 교차하는 에지디렉터;
    상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스를 가열하도록 형성된 가열장치; 및
    상기 에지디렉터를 따라 흐르는 유리리본의 일부로부터 열을 추출하기 위해 형성된 냉각장치를 포함하는 유리리본 퓨전 드로우 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 가열장치는 상기 용융유리의 액상 온도 이상의 상기 에지디렉터와 접촉하는 유리리본의 인터페이스를 유지하도록 형성된 것을 특징으로 하는 유리리본 퓨전 드로우 장치.
  14. 청구항 12 또는 13에 있어서,
    상기 냉각장치가 상기 루트 아래의 유리리본의 에지로부터 열을 우선적으로 추출함으로써 상기 유리리본의 에지 온도가 상기 유리리본의 내부 온도보다 높은 비율로 감소하도록 형성된 것을 특징으로 하는 유리리본 퓨전 드로우 장치.
  15. 청구항 12 내지 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각장치는 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스에 대한 가열장치에 의해 제공된 열보다 루트 아래의 유리리본의 에지로부터 더 많은 열을 추출하도록 형성된 것을 특징으로 하는 유리리본 퓨전 드로우 장치.
  16. 청구항 12 내지 15 중 어느 한 항에 있어서,
    가열장치의 가열영역과 냉각장치의 냉각영역 사이에 배치된 열 차폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리리본 퓨전 드로우 장치.
  17. 청구항 12 내지 16 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열장치와 상기 냉각장치 중 적어도 하나를 조절하기 위해 형성된 조절시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리리본 퓨전 드로우 장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 조절시스템은 컨트롤러와 상기 컨트롤러에 피드백을 제공하도록 형성된 온도센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리리본 퓨전 드로우 장치.
  19. 청구항 17 또는 18에 있어서,
    상기 조절시스템은 상기 루트 아래의 유리리본의 에지로부터 열을 우선적으로 추출하여 상기 유리리본의 내부 온도보다 높은 비율로 상기 유리리본의 에지 온도가 감소하는 냉각장치를 조절하도록 형성된 것을 특징으로 하는 유리리본 퓨전 드로우 장치.
  20. 청구항 17 내지 19 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조절시스템은 상기 가열장치와 상기 냉각장치 중 적어도 하나를 작동시켜 상기 냉각장치는 상기 에지디렉터와 접촉하는 용융유리의 인터페이스로 가열장치에 의해 제공된 열보다 상기 루트 아래의 유리리본의 에지로부터 더 많은 열을 추출하도록 형성된 것을 특징으로 하는 유리리본 퓨전 드로우 장치.
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