KR20120116032A - 형광체 코팅 장치 및 방법 - Google Patents

형광체 코팅 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120116032A
KR20120116032A KR1020110033531A KR20110033531A KR20120116032A KR 20120116032 A KR20120116032 A KR 20120116032A KR 1020110033531 A KR1020110033531 A KR 1020110033531A KR 20110033531 A KR20110033531 A KR 20110033531A KR 20120116032 A KR20120116032 A KR 20120116032A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phosphor
wafer
chamber
coating
coater
Prior art date
Application number
KR1020110033531A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101244673B1 (ko
Inventor
김완호
송상빈
김재필
박정욱
김기훈
홍진표
오미연
장민석
Original Assignee
한국광기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국광기술원 filed Critical 한국광기술원
Priority to KR1020110033531A priority Critical patent/KR101244673B1/ko
Publication of KR20120116032A publication Critical patent/KR20120116032A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101244673B1 publication Critical patent/KR101244673B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0025Processes relating to coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

본 발명은 에피 웨이퍼 상에 도포되는 형광체의 코팅과 경화가 함께 이루어질 수 있도록 하는 형광체 코팅 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해 웨이퍼를 수납하는 챔버; 상기 챔버에 수납된 웨이퍼의 표면에 형광체가 도포되도록 하는 코터부; 상기 코터부에서 웨이퍼의 표면에 형광체를 도포하면 상기 웨이퍼의 표면에 도포되는 형광체가 경화되도록 상기 챔버의 내부로 마이크로웨이브를 조사하는 마이크로웨이브 발생부; 및 상기 챔버에 웨이퍼가 수납되면 상기 코터부로 형광체 도포를 제어하기 위한 동작 제어 신호를 출력하는 한편, 상기 마이크로웨이브 발생부로 형광체 경화를 위한 동작 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함한다. 따라서 형광체의 코팅과 경화가 동시에 진행될 수 있도록 하여 형광체의 침전과 봉지재의 넘침을 방지할 수 있는 장점이 있다.

Description

형광체 코팅 장치 및 방법 {APPARATUS AND METHOD FOR COATING PHOSPHOR}
본 발명은 형광체 코팅 장치 및 방법에 관한 발명으로서, 더욱 상세하게는 에피 웨이퍼 상에 도포되는 형광체의 코팅과 경화가 함께 이루어질 수 있도록 하는 형광체 코팅 장치 및 방법에 관한 것이다.
LED는 p-n접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸리면 단파장 광이 방출되는 현상인 전기발광효과를 이용한 반도체소자로서, 순방향 전압 인가시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하면서 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)의 높이차이(에너지 갭)에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 LED가 된다.
최근 LED가 다양한 색의 광원으로 사용되면서 조명용 백색 LED와 고출력, 고휘도의 LED에 대한 수요가 급증함에 따라 LED 칩, 패키지의 성능 및 신뢰성의 향상이 더욱 요구되고 있다.
한편, LED 패키지의 제조는 일반적으로 칩 형태의 청색 또는 자외선(UV) LED 칩 위에 형광체를 도포하여 이루어지는데 이러한 형광체를 도포하여 코팅하는 방법은 스퀴지(squeegee) 코팅, 스핀 코팅(spin coating), 스프레이(spray) 코팅과 같이 여러 코팅 기술들이 공지되어 있다.
도 1은 종래의 형광체 코팅 방법으로 도 1(a)의 스퀴지 코팅(squeegee coating)은 마스크(11)가 설치된 웨이퍼(10)의 상면에 형광체(12)가 도포된 후 스퀴지를 일정한 속도로 이동시켜 상기 형광체(12)가 일정한 두께로 도포되어 코팅되도록 하는 방법이다.
도 1(b)의 스핀 코팅(spin coating)은 마스크(21)가 설치된 웨이퍼(20) 상에 일정량의 형광체(22)가 노즐(23)을 통해 토출되면 베이스(310)와 회전축(31)을 통해 연결된 모터(32)가 회전하면서 상기 웨이퍼(20)를 회전시켜 형광체(22)가 도포되어 코팅되도록 하는 방식이다.
도 1(c)의 스프레이 코팅(spray coating)은 마스크(41)가 설치된 웨이퍼(40) 상에 형광체(42)를 분사하는 스프레이 노즐(43)이 형광체(42)를 분사하여 코팅되도록 하는 방식이다.
그러나 이러한 종래의 형광체 코팅방식은 형광체에 에폭시나 실리콘 수지를 혼합하여 도포함으로써, 에폭시나 실리콘 등의 용액 내에 분산되어 있던 형광체가 상기 에폭시나 실리콘 수지의 경화과정에서 발생되는 형광체 입자의 불균일한 분포 및 침전 문제로 인하여 일정한 두께와 밀도를 갖는 형광층을 유지하는 것이 어려운 문제점이 있다.
또한, 상기 에폭시나 실리콘의 점도 특성 및 형광체의 비중에 따라 형광체의 침전 및 분산이 안 되면 색좌표의 산포가 크게 증가하는 문제점이 있다.
또한, 자외선 LED에 적색, 녹색, 및 청색 형광체를 혼합하여 사용하는 경우에는 각각의 형광체 종류에 따라 비중이나 크기가 상이하므로 색의 불균일이 심화되고, 휘도가 감소하게 되는 문제점이 있다.
또한, 종래 기술에 따른 형광체 코팅은 형과체의 도포 후 가열에 의한 경화를 수행함으로써 실리콘 봉지재의 점도 변화에 따른 봉지재의 넘침 불량과 형광체 코팅면의 형상이 변형되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 에피 웨이퍼 상에 도포되는 형광체의 코팅과 경화가 함께 이루어질 수 있도록 하는 형광체 코팅 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 형광체 코팅 방법으로서,
a) 웨이퍼를 로딩시켜 준비하는 단계; 및 b) 상기 웨이퍼의 표면에 형광체를 도포하는 한편 웨이퍼의 표면에 도포된 형광체가 경화되도록 마이크로웨이브를 출력하여 상기 웨이퍼의 표면에 형광체 코팅층이 형성되도록 하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 b)단계는 상기 웨이퍼의 표면에 마스크를 설치하여 상기 형광체가 웨이퍼의 표면에 선택적으로 도포되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 b)단계는 상기 웨이퍼를 고속 회전시켜서 형광체가 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 b)단계는 상기 웨이퍼의 상면에서 형광체를 분무시켜서 상기 형광체가 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 b)단계는 상기 마이크로웨이브의 주파수를 가변시켜 상기 형광체의 경화 속도가 조절되도록 하는 것을 특징으로 하고, 상기 주파수는 1GHz ~ 10GHz 사이에서 가변되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 형광체 코팅 장치로서,
웨이퍼를 수납하는 챔버; 상기 챔버에 수납된 웨이퍼의 표면에 형광체가 도포되도록 하는 코터부; 상기 코터부에서 웨이퍼의 표면에 형광체를 도포하면 상기 웨이퍼의 표면에 도포되는 형광체가 경화되도록 상기 챔버의 내부로 마이크로웨이브를 조사하는 마이크로웨이브 발생부; 및 상기 챔버에 웨이퍼가 수납되면 상기 코터부로 형광체 도포를 제어하기 위한 동작 제어 신호를 출력하는 한편, 상기 마이크로웨이브 발생부로 형광체 경화를 위한 동작 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 코터부는 상기 챔버에 수납된 웨이퍼를 고속 회전시켜서 형광체가 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하는 스핀 코터인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 스핀 코터는 상기 웨이퍼의 표면으로 형광체를 토출시키는 노즐; 상기 웨이퍼가 고속으로 회전되도록 구동력을 제공하는 모터; 및 상기 모터와 회전축을 통해 연결되어 웨이퍼가 회전하는 동안 지지되도록 하는 베이스를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 노즐은 챔버의 외부에 설치되어 상기 챔버의 외부에서 내부로 형광체가 토출되도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 상기 코터부는 상기 챔버에 수납된 웨이퍼의 상면에서 형광체를 분무시켜서 상기 형광체가 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하는 스프레이 코터인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 스프레이 코터는 상기 웨이퍼의 표면으로 형광체를 분무하는 적어도 하나 이상의 노즐; 및 상기 웨이퍼의 저면과 밀착하여 상기 노즐로부터 형광체가 분무되는 동안 상기 웨이퍼가 지지되도록 하는 베이스를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 상기 노즐은 챔버의 외부에 설치되어 상기 챔버의 외부에서 내부로 형광체가 분무되도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 상기 마이크로웨이브 발생부는 마이크로웨이브의 주파수를 가변시켜 형광체의 경화 속도가 조절되도록 하는 것을 특징으로 하고, 상기 주파수는 1GHz ~ 10GHz 사이에서 가변되는 것이 바람직하다.
본 발명은 형광체의 코팅과 경화가 동시에 진행될 수 있도록 하여 형광체의 침전과 봉지재의 넘침을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명은 형광체 코팅의 종료 후 마스크의 즉시 분리가 가능하여 공정을 단순화시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1 은 종래의 형광체 코팅 방법을 나타낸 예시도.
도 2 는 본 발명에 따른 형광체 코팅 장치의 제 1 실시예 구성을 나타낸 블록도.
도 3 은 도 2에 따른 형광체 코팅 장치의 구성을 나타낸 단면도.
도 4 는 도 2에 따른 형광체 코팅 장치를 이용한 코팅 과정을 나타낸 흐름도.
도 5 는 본 발명에 따른 형광체 코팅 장치의 제 2 실시예 구성을 나타낸 블록도.
도 6 은 도 5에 따른 형광체 코팅 장치의 구성을 나타낸 단면도.
도 7 은 도 5에 따른 형광체 코팅 장치를 이용한 코팅 과정을 나타낸 흐름도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 형광체 코팅 장치 및 방법의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
(제 1 실시예)
도 2는 본 발명에 따른 형광체 코팅 장치의 제 1 실시예 구성을 나타낸 블록도이고, 도 3은 도 2에 따른 형광체 코팅 장치의 구성을 나타낸 단면도이며, 도 4는 도 2에 따른 형광체 코팅 장치를 이용한 코팅 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 형광체 코팅 장치(100) 사각 형상의 챔버(101)와 조작 패널부(110)와 제어부(120)와 스핀 코터부(130)와 마이크로웨이브 발생부(140)를 포함하여 구성된다.
상기 챔버(101)는 사각 형상으로 웨이퍼(200)가 반입/반출될 수 있도록 게이트(미도시)가 설치되며, 상기 챔버(101)의 내부에는 스핀 코터부(130)와 웨이퍼(200)가 수납되는 공간이 형성되고, 마이크로웨이브가 챔버(101)의 내부에서 외부로 방출되는 것을 차단하기 위한 차폐막(미도시)이 형성된다.
또한, 상기 챔버(101)는 상부에 스핀 코터부(130)의 노즐(131)에서 토출되는 형광체(300)가 유입되도록 관통공(102)이 형성된다.
상기 조작 패널부(110)는 사용자로부터 입력되는 형광체 코팅 장치(100)의 동작 제어 신호를 검출하여 제어부(120)로 제공한다.
상기 제어부(120)는 웨이퍼(200)가 챔버(101)에 수납되면 조작 패널부(110)를 통해 사용자가 입력하는 신호에 따라 스핀 코터부(130)로 형광체(300) 도포를 제어하기 위한 신호를 출력하는 한편, 상기 형광체(300)를 경화시키기 위한 동작 제어 신호를 마이크로웨이브 발생부(140)로 출력한다.
상기 스핀 코터부(130)는 챔버(101)의 내부에 설치되어 챔버(101)에 수납된 웨이퍼(200)를 고속 회전시켜서 상기 웨이퍼(200)의 표면으로 토출된 형광체(300)가 상기 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하는 구성으로서, 제어부(120)로부터 출력되는 스핀 코터부(130)의 동작 제어 신호에 따라 동작하며, 노즐(131)과 모터(132)와 회전축(133)과 베이스(134)를 포함하여 구성된다.
상기 노즐(131)은 제어부(120)로부터 출력되는 동작 제어 신호에 따라 웨이퍼(200)의 표면에 일정량의 형광체(300)가 토출되도록 하는 구성으로서, 상기 노즐(131)은 마이크로웨이브에 의한 형광체의 경화로 노즐이 막히는 것을 방지하기 위해 챔버(101)의 외부에 설치되고, 챔버의 관통공(102)을 통해 상기 챔버의 외부에서 내부로 형광체(300)를 유입시켜 웨이퍼(200)의 표면으로 토출되도록 한다.
상기 모터(132)는 제어부(120)로부터 출력되는 동작 제어 신호에 따라 웨이퍼(200)가 고속회전할 수 있도록 상기 웨이퍼(200)와 밀착된 베이스(134)에 구동력을 제공한다.
상기 베이스(134)는 원판 형상으로 회전축(133)을 통해 모터(132)와 연결되고, 웨이퍼(200)가 회전하는 동안 지지되도록 한다.
상기 마이크로웨이브 발생부(140)는 상기 챔버(101)의 일측에 설치되어 상기 스핀 코터부(130)에서 웨이퍼의 표면에 형광체를 도포하면 도파관(141)을 통해 챔버의 내부로 마이크로웨이브를 조사하여 상기 웨이퍼의 표면에 도포되는 형광체를 경화시킴으로써 코팅이 이루어지도록 한다.
또한, 상기 마이크로웨이브 발생부(140)는 마이크로웨이브를 조사할 경우, 형광체(300)의 두께가 1-2㎛ 정도로 매우 얇기 때문에 형광체(300)가 순차적으로 가열되도록 하여 급속한 가열로 인한 형광체(300)의 크랙 발생이나 들뜨는 현상의 발생을 방지하기 위해 마이크로웨이브의 주파수가 1GHz ~ 10GHz 사이에서 가변시켜 형광체의 경화 속도가 조절되도록 한다.
상기 웨이퍼(200)는 에피(Epi) 웨이퍼이고, 상면에 부착되는 마스크(210)의 모양에 따라 형광체의 코팅 모양과 두께가 조절된다.
상기 형광체(300)는 다양한 종류의 형광체가 사용될 수 있고, 상기 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체 또는 황색 형광체 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
다음은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 형광체 코팅 장치를 이용한 형광체 코팅 방법을 설명한다.
챔버(101)의 내부에 설치된 스핀 코터부(130)의 베이스(134)에 웨이퍼(200)를 로딩시켜 준비(S100)하고, 코팅의 모양 및 두께가 결정되도록 마스크(210)를 상기 웨이퍼(200)에 정렬시켜 부착(S110)함으로써, 형광체(300)가 상기 웨이퍼의 표면에 선택적으로 도포될 수 있도록 한다.
상기 제어부(120)는 조작 패널부(110)를 통해 사용자의 명령 신호가 입력되면, 상기 웨이퍼의 표면에 일정량의 형광체(300)가 노즐(131)을 통해 토출(S120)되도록 한다.
상기 제어부(120)는 상기 형광체(300)가 웨이퍼의 표면으로 토출되면 스핀 코터부(130)로 동작 제어 신호를 출력하여 모터(132)의 구동을 통해 토출된 형광체(300)가 일정한 두께로 웨이퍼(200)의 표면으로 도포되도록 하고, 이때 마이크로웨이브 발생부(140)에도 동작 신호를 출력하여 상기 웨이퍼의 표면으로 도포되는 형광체(300)가 경화(S130)되도록 하여 코팅층을 형성한다.
또한, 상기 제어부(120)는 형광체(300)가 순차적 또는 고속으로 경화되도록 하기 위해 상기 마이크로웨이브의 주파수를 가변시키기 위한 제어 신호를 마이크로웨이브 발생부(140)로 제공하여 상기 형광체의 경화 속도가 조절되도록 한다.
상기 주파수는 1GHz ~ 10GHz 사이에서 가변되도록 하여 급속한 가열로 인한 형광체(300)의 크랙 발생이나 들뜨는 현상의 발생이 방지되도록 한다.
상기 S130단계를 통한 형광체의 도포 및 경화가 종료되면, 웨이퍼(200)로부터 마스크(210)를 분리(S140)한 후 적정한 크기로 절단한다.
따라서 형광체의 침전이나 봉지재의 넘침없이 균일한 두께의 형광체 코팅을 형성할 수 있게 된다.
(제 2 실시예)
도 5는 본 발명에 따른 형광체 코팅 장치의 제 2 실시예 구성을 나타낸 블록도이고, 도 6은 도 5에 따른 형광체 코팅 장치의 구성을 나타낸 단면도이며, 도 7은 도 5에 따른 형광체 코팅 장치를 이용한 코팅 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 5 내지 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 형광체 코팅 장치(400) 사각 형상의 챔버(401)와 조작 패널부(410)와 제어부(420)와 스프레이 코터부(430)와 마이크로웨이브 발생부(440)를 포함하여 구성된다.
상기 챔버(401)는 사각 형상으로 웨이퍼(500)가 반입/반출될 수 있도록 게이트(미도시)가 설치되며, 상기 챔버(401)의 내부에는 스프레이 코터부(430)와 웨이퍼(500)가 수납되는 공간이 형성되고, 마이크로웨이브가 챔버(401)의 내부에서 외부로 방출되는 것을 차단하기 위한 차폐막(미도시)이 형성된다.
또한, 상기 챔버(401)는 상부에 스프레이 코터부(430)의 노즐(431)에서 토출되는 형광체(600)가 유입되도록 관통공(402)이 형성된다.
상기 조작 패널부(410)는 사용자로부터 입력되는 형광체 코팅 장치(400)의 동작 제어 신호를 검출하여 제어부(420)로 제공한다.
상기 제어부(420)는 웨이퍼(500)가 챔버(401)에 수납되면 조작 패널부(410)를 통해 사용자가 입력하는 신호에 따라 스프레이 코터부(430)로 형광체(600) 도포를 제어하기 위한 신호를 출력하는 한편, 상기 형광체(600)를 경화시키기 위한 동작 제어 신호를 마이크로웨이브 발생부(440)로 출력한다.
상기 스프레이 코터부(430)는 제어부(420)로부터 출력되는 동작 제어 신호에 따라 챔버(401)에 수납된 웨이퍼의 상면에서 형광체(600)를 분무시켜서 상기 형광체가 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하며, 베이스(431)와 노즐(432)을 포함하여 구성된다.
상기 베이스(431)는 원판 형상으로 웨이퍼(500)에 형광체(600)가 도포되는 동안 지지한다.
상기 노즐(432)은 제어부(420)로부터 출력되는 동작 제어 신호에 따라 웨이퍼(500)의 표면에 일정량의 형광체(600)가 분무되도록 적어도 하나 이상 설치된다.
또한, 상기 노즐(432)은 마이크로웨이브에 의한 형광체의 경화로 노즐이 막히는 것을 방지하기 위해 챔버(401)의 외부에 설치되고, 챔버의 상부에 형성된 적어도 하나 이상의 관통공(402)을 통해 상기 챔버의 외부에서 내부로 형광체(600)를 유입시켜 웨이퍼(500)의 표면으로 분무되도록 한다.
상기 마이크로웨이브 발생부(440)는 상기 챔버(401)의 일측에 설치되어 상기 스프레이 코터부(430)에서 웨이퍼의 표면에 형광체를 도포하면 도파관(441)을 통해 챔버의 내부로 마이크로웨이브를 조사하여 상기 웨이퍼의 표면에 도포되는 형광체를 경화시킴으로써 코팅이 이루어지도록 한다.
또한, 상기 마이크로웨이브 발생부(440)는 마이크로웨이브를 조사할 경우, 형광체(600)의 두께가 1-2㎛ 정도로 매우 얇기 때문에 형광체(600)가 순차적으로 가열되도록 하여 급속한 가열로 인한 형광체(600)의 크랙 발생이나 들뜨는 현상의 발생을 방지하기 위해 마이크로웨이브의 주파수가 1GHz ~ 10GHz 사이에서 가변시켜 형광체의 경화 속도가 조절되도록 한다.
상기 웨이퍼(500)는 에피(Epi) 웨이퍼이고, 상면에 부착되는 마스크(510)의 모양에 따라 형광체의 코팅 모양과 두께가 조절된다.
상기 형광체(600)는 다양한 종류의 형광체가 사용될 수 있고, 상기 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체 또는 황색 형광체 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
다음은 본 발명에 따른 형광체 코팅 장치의 제 2 실시예에 따른 형광체 코팅 방법을 설명한다.
챔버(401)의 내부에 설치된 스프레이 코터부(430)의 베이스(431)에 웨이퍼(500)를 로딩시켜 준비(S200)하고, 코팅의 모양 및 두께가 결정되도록 마스크(510)를 상기 웨이퍼(500)에 정렬시켜 부착(S210)함으로써, 형광체(600)가 상기 웨이퍼의 표면에 선택적으로 도포될 수 있도록 한다.
상기 제어부(420)는 조작 패널부(410)를 통해 사용자의 명령 신호가 입력되면, 상기 웨이퍼의 표면에 일정량의 형광체(600)가 노즐(431)을 통해 분무(S220)되도록 한다.
상기 제어부(420)는 상기 형광체(600)가 웨이퍼의 표면으로 토출되면 일정 시간 동안 일정량의 형광체(600)를 지속적으로 분무시켜 형광체(600)가 일정한 두께로 웨이퍼(500)의 표면에 도포되도록 하고, 이때 마이크로웨이브 발생부(440)에도 동작 신호를 출력하여 상기 웨이퍼의 표면에 분무된 형광체(600)가 경화(S230)되도록 하여 코팅층을 형성한다.
또한, 상기 제어부(420)는 형광체(400)가 순차적 또는 고속으로 경화되도록 하기 위해 상기 마이크로웨이브의 주파수를 가변시키기 위한 제어 신호를 마이크로웨이브 발생부(440)로 제공하여 상기 형광체의 경화 속도가 조절되도록 함으로서, 급속한 가열로 인한 형광체(600)의 크랙 발생이나 들뜨는 현상의 발생이 방지되도록 한다.
이때 가변되는 마이크로웨이브의 주파수는 1GHz ~ 10GHz 사이에서 가변되도록 한다.
상기 S230단계를 통한 형광체의 분무(분사) 및 경화가 종료되면, 웨이퍼(500)로부터 마스크(510)를 분리(S240)한 후 적정한 크기로 절단한다.
따라서 형광체의 침전이나 봉지재의 넘침없이 균일한 두께의 형광체 코팅을 형성할 수 있게 된다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 400 : 코팅 장치 101, 401 : 챔버
102, 402 : 관통공 110, 410 : 조작 패널부
120, 420 : 제어부 130 : 스핀 코터부
131 : 노즐 132 : 모터
133 : 회전축 134 : 베이스
140, 440 : 마이크로웨이브 발생부 141, 441 : 도파관
200, 500 : 웨이퍼 210, 510 : 마스크
300, 600 : 형광체 430 : 스프레이 코터부
431 : 베이스 432 : 노즐

Claims (13)

  1. 형광체 코팅 방법으로서,
    a) 웨이퍼를 로딩시켜 준비하는 단계; 및
    b) 상기 웨이퍼의 표면에 형광체를 도포하는 한편 웨이퍼의 표면에 도포된 형광체가 경화되도록 마이크로웨이브를 출력하여 상기 웨이퍼의 표면에 형광체 코팅층이 형성되도록 하는 단계를 포함하는 형광체 코팅 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 b)단계는 상기 웨이퍼의 표면에 마스크를 설치하여 상기 형광체가 웨이퍼의 표면에 선택적으로 도포되도록 하는 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 b)단계는 상기 웨이퍼를 고속 회전시켜서 형광체가 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하는 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 b)단계는 상기 웨이퍼의 상면에서 형광체를 분무시켜서 상기 형광체가 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하는 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 b)단계는 상기 마이크로웨이브의 주파수를 가변시켜 상기 형광체의 경화 속도가 조절되도록 하는 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 방법.
  6. 형광체 코팅 장치로서,
    웨이퍼를 수납하는 챔버;
    상기 챔버에 수납된 웨이퍼의 표면에 형광체가 도포되도록 하는 코터부;
    상기 코터부에서 웨이퍼의 표면에 형광체를 도포하면 상기 웨이퍼의 표면에 도포되는 형광체가 경화되도록 상기 챔버의 내부로 마이크로웨이브를 조사하는 마이크로웨이브 발생부; 및
    상기 챔버에 웨이퍼가 수납되면 상기 코터부로 형광체 도포를 제어하기 위한 동작 제어 신호를 출력하는 한편, 상기 마이크로웨이브 발생부로 형광체 경화를 위한 동작 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함하는 형광체 코팅 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 코터부는 상기 챔버에 수납된 웨이퍼를 고속 회전시켜서 형광체가 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하는 스핀 코터인 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 스핀 코터는 상기 웨이퍼의 표면으로 형광체를 토출시키는 노즐;
    상기 웨이퍼가 고속으로 회전되도록 구동력을 제공하는 모터; 및
    상기 모터와 회전축을 통해 연결되어 웨이퍼가 회전하는 동안 지지되도록 하는 베이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 노즐은 챔버의 외부에 설치되어 상기 챔버의 외부에서 내부로 형광체가 토출되도록 하는 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 장치.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 코터부는 상기 챔버에 수납된 웨이퍼의 상면에서 형광체를 분무시켜서 상기 형광체가 웨이퍼의 표면에 일정 두께로 도포되도록 하는 스프레이 코터인 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 스프레이 코터는 상기 웨이퍼의 표면으로 형광체를 분무하는 적어도 하나 이상의 노즐; 및
    상기 웨이퍼의 저면과 밀착하여 상기 노즐로부터 형광체가 분무되는 동안 상기 웨이퍼가 지지되도록 하는 베이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 노즐은 챔버의 외부에 설치되어 상기 챔버의 외부에서 내부로 형광체가 분무되도록 하는 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 장치.
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 마이크로웨이브 발생부는 마이크로웨이브의 주파수를 가변시켜 형광체의 경화 속도가 조절되도록 하는 것을 특징으로 하는 형광체 코팅 장치.
KR1020110033531A 2011-04-12 2011-04-12 형광체 코팅 장치 및 방법 KR101244673B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110033531A KR101244673B1 (ko) 2011-04-12 2011-04-12 형광체 코팅 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110033531A KR101244673B1 (ko) 2011-04-12 2011-04-12 형광체 코팅 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120116032A true KR20120116032A (ko) 2012-10-22
KR101244673B1 KR101244673B1 (ko) 2013-03-18

Family

ID=47284480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110033531A KR101244673B1 (ko) 2011-04-12 2011-04-12 형광체 코팅 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101244673B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101598711B1 (ko) 2014-10-14 2016-03-02 한국광기술원 형광체 코팅 장치
WO2017164566A1 (ko) * 2016-03-24 2017-09-28 주식회사 프로텍 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050030985A (ko) * 2003-09-27 2005-04-01 삼성전자주식회사 반도체 스피너 설비에 있어서의 스핀 코터 제어장치 및제어방법
KR20060100635A (ko) * 2005-03-17 2006-09-21 세메스 주식회사 마이크로웨이브를 이용한 기판 건조 장치
KR20080000303A (ko) * 2006-06-27 2008-01-02 삼성전자주식회사 실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한장치
KR101156073B1 (ko) * 2009-09-30 2012-06-20 서울대학교산학협력단 칩 코팅 방법 및 칩 코팅 시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101598711B1 (ko) 2014-10-14 2016-03-02 한국광기술원 형광체 코팅 장치
WO2017164566A1 (ko) * 2016-03-24 2017-09-28 주식회사 프로텍 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101244673B1 (ko) 2013-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101967496B1 (ko) Led의 제조 방법, led의 제조 장치 및 led
US8940561B2 (en) Systems and methods for application of optical materials to optical elements
RU2503092C2 (ru) Светоизлучающее устройство с покрытием и способ нанесения покрытия на него
US8164254B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
US20070128745A1 (en) Phosphor deposition method and apparatus for making light emitting diodes
US20090179213A1 (en) Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
US9589852B2 (en) Electrostatic phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
US9882101B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP2009260244A (ja) 発光装置及びその製造方法、並びに発光装置の製造装置
US20120235182A1 (en) Light-Emitting Diode Module and Corresponding Manufacturing Method
KR101244673B1 (ko) 형광체 코팅 장치 및 방법
JP4315162B2 (ja) 発光装置の製造方法
TW201530820A (zh) 發光二極體封裝結構及其方法
US7115428B2 (en) Method for fabricating light-emitting devices utilizing a photo-curable epoxy
US8669126B2 (en) Uniform coating method for light emitting diode
KR101191869B1 (ko) Led 소자 제조 방법
KR101598711B1 (ko) 형광체 코팅 장치
JP6233872B2 (ja) Ledの製造方法
TWI521739B (zh) Light - emitting diode fluorescent layer forming method
KR101658446B1 (ko) 형광체 수지 필름 제조방법 및 이에 의해 제조된 형광체 수지 필름
KR101135093B1 (ko) 발광 다이오드의 균일 코팅 방법
KR100927272B1 (ko) 엘이디 패키지 및 제조방법
CN107690715B (zh) Led模块、照明装置以及用于制造led模块的方法
KR101620267B1 (ko) 형광체 시트의 급속 경화 장치
CN103840057A (zh) 发光二极管及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160223

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170223

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200225

Year of fee payment: 8