KR20080000303A - 실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한장치 - Google Patents

실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한장치 Download PDF

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Abstract

실리콘웨이퍼 에지 부위의 격자 결함을 검출하는 방법에 있어서, 공정 챔버 내 척 상에 지지된 실리콘웨이퍼 에지 부위를 격자 결함 부위 및 정상 부위에서 코팅 특성이 다른 형광 물질로 코팅한다. 상기 형광 물질이 코팅된 실리콘웨이퍼 에지 부위로 광을 조사하여 상기 실리콘웨이퍼 에지 부위의 발광 이미지를 획득한다. 상기 발광 이미지를 형광 물질의 코팅 상태를 확인하여 상기 실리콘웨이퍼 에지 부위의 격자 결함을 검출한다. 이와 같이 실리콘웨이퍼 에지 부위의 격자 결함 검출이 챔버 내에서 수행되기 때문에 오염 발생이 억제되고, 형광 물질을 사용하여 발광 이미지를 확인함으로써, 보다 용이하게 실리콘웨이퍼의 격자 결함을 검출할 수 있다.

Description

실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치{Method of detecting a defect in silicon substrate and apparatus for the same}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 결함 검출 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 실리콘웨이퍼의 결함 검출 장치의 척 및 형광 물질 제공부를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 실리콘웨이퍼의 결함 검출 장치
100 : 공정 챔버 110 : 척
120 : 형광 물질 제공부 130 : 광 조사부
140 : 발광 이미지 측정부
본 발명은 실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 실리콘웨이퍼의 결정 결함을 검출하기 위한 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 형성하기 위한 공정은, 실리콘웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 실리콘웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 실리콘웨이퍼 상에 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 및 패턴이 형성된 실리콘웨이퍼의 결함을 검출하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 실리콘웨이퍼 결함은 반도체 소자의 고집적화에 따라 반도체 장치의 신뢰도 및 생산성을 저하시키는 중요한 요인으로 인식되고 있으며, 상기 결함을 검출하기 위한 검사 공정의 중요성이 더욱 부각되고 있다.
특히, 최근 반도체 공정 진행 중 칩핑 웨이퍼(chipping wafer)에 의한 불량이 이슈가 되고 있다. 칩핑 웨이퍼는 웨이퍼 에지 부위의 실리콘 격자에 결함을 갖고 있어, 상기 격자 결함에 의해 쉽게 깨어질 수 있는 웨이퍼를 말한다.
상기와 같은 실리콘 격자 결함은 실리콘웨이퍼의 전면, 이면 및 에지 부위에 발생할 수 있다. 이때, 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위에 발생된 격자 결함은 치명적인 불량을 초래할 수 있다.
그러나, 현재 반도체 장비에서 상기 실리콘웨이퍼 전면에 대한 실리콘 격자 결함을 확인할 수 있다. 상기 실리콘웨이퍼 에지 부위의 격자 결함이 치명적임에도 불구하고, 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위의 격자 결함은 작업자가 직접 웨이퍼를 집고 육안으로 확인하고 있다. 이렇게 작업자에 의한 육안 검사는 검사 시간이 많이 소요되고, 인적 자원이 많이 필요한 문제점을 안고 있다. 더욱이 웨이퍼가 8인치에서 12인치로 대구경화 될수록, 작업자가 직접 웨이퍼를 집고 육안으로 확인하는 것이 어려워질 것이다.
또한, 상기 육안 검사가 상기 웨이퍼 카세트와 같은 웨이퍼 보관 유닛으로부터 상기 웨이퍼를 꺼내 이루어지기 때문에 상기 실리콘웨이퍼가 쉽게 오염될 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 실리콘웨이퍼의 에지 부위에 발생된 격자 결함을 오염 없이 보다 용이하게 검출할 수 있는 실리콘웨이퍼 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 결함 검출 방법에 있어서, 실리콘웨이퍼를 공정 챔버 내 척 상에 로딩한다. 실리콘의 격자 결함 부위 및 정상 부위에서 코팅 특성이 다른 형광 물질로 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위를 코팅한다. 상기 형광 물질이 코팅된 실리콘웨이퍼 에지 부위로 광을 조사하여 상기 실리콘웨이퍼 에지 부위의 발광 이미지를 획득한다. 상기 발광 이미지를 형광 물질의 코팅 상태 확인하여 상기 실리콘웨이퍼 에지 부위의 격자 결함을 검출한다.
상기 형광 물질은 광 반응성 물질과 실리콘산화물을 포함할 수 있다. 상기 실리콘산화물은 콜로이드(colloid) 상태일 수 있다. 상기 광으로 자외선을 사용할 수 있다. 상기 실리콘웨이퍼 격자 결함 검출은, 상기 획득된 실리콘웨이퍼의 인접한 발광 이미지들을 비교함으로써 수행될 수 있다. 상기 발광 이미지를 획득한 후, 상기 조사된 광에 의해 상기 형광 물질이 제거될 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 결함 검출 장치는, 챔버와, 상기 챔버 내에 구비되어 상기 실리콘웨이퍼를 흡착하여 회전시키는 척과, 상기 척과 인접하게 구비되고, 상기 실리콘웨이퍼를 광 반응성 물질과 실리콘산화물을 포함하는 형광 물질로 코팅하기 위한 형광 물질 제공부와, 상기 척과 인접하게 구비되고, 상기 형광 물질로 코팅된 실리콘웨이퍼로 광을 조사하기 위한 광 조사부와, 상기 척 상에 흡착된 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위와 대향하도록 위치하고, 상기 광과 반응한 형광 물질로부터 발광 이미지를 획득하기 위한 발광 이미지 측정부를 포함한다.
상기 척은 상기 실리콘웨이퍼보다 작은 반경을 가지며, 상기 실리콘웨이퍼를 흡착하기 위한 진공 제공 유닛을 포함할 수 있다. 상기 형광 물질 제공부는, 상기 실리콘웨이퍼보다 넓은 지름을 가진 원형 링 형상을 가지며, 상기 실리콘웨이퍼의 외주로부터 수평으로 이격되어 상기 실리콘웨이퍼를 감싸도록 구비되는 본체와, 상기 본체와 연결되어 있으며, 상기 본체로 형광 물질을 제공하기 위한 형광 물질 보관 유닛과, 상기 본체와 연결되며, 상기 본체로 제공된 형광 물질을 상기 실리콘웨이퍼로 스퍼터되도록(spurter) 상기 본체로 전압을 인가하기 위한 전원과, 상기 본체를 상기 실리콘웨이퍼의 표면과 수직된 방향으로 상하 이동시키기 위한 구동력을 제공하는 구동 유닛을 포함할 수 있다. 상기 구동 유닛은 상기 본체를 상기 실리콘웨이퍼의 중심으로부터 연장된 가상의 평면을 기준으로 ±5°이동시킬 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 실리콘웨이퍼의 에지 부위의 결함을 형광 물질의 발광 이미지로 확인함으로써 종래에 비해 보다 용이하게 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위 결함을 검출할 수 있다. 또한, 공정 챔버 내에서 상기 결함 검출이 수행되기 때문에 오염 발생을 억제할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 결함 검출 장치에 대해 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 실시예에서 따른 실리콘웨이퍼의 결함 검출 장치의 대상 웨이퍼는 통상적으로 반도체 공정에 사용되는 단결정 실리콘웨이퍼이다. 상기 단결정 실리콘웨이퍼는 다이아몬드 격자 구조를 갖는다. 따라서, 상기 격자 구조에 작은 결함이 발생하는 경우, 상기 실리콘웨이퍼가 쉽게 깨어진다. 특히, 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위의 격자 결함은 매우 치명적이다. 따라서, 이하에서는, 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위에 결함을 용이하게 검출하는 장치에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 결함 검출 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 실리콘웨이퍼의 결함 검출 장치의 척 및 형광 물질 제공부를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 1을 참조하면, 실리콘웨이퍼의 결함 검출 장치(10)는 크게, 결함 검출을 위한 공정 챔버(100)와, 상기 공정 챔버(100) 내부에 구비되어 실리콘웨이퍼(W)를 흡착하고 회전시키기는 척(110)과, 상기 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위를 형광 물질로 코팅하기 위한 형광 물질 제공부(120)와, 상기 형광 물질이 코팅된 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위로 광을 조사하기 위한 광 조사부(130)와, 상기 광과 반응한 형광 물질로부터 발광 이미지를 획득하기 위한 발광 이미지 측정부(140)를 포함한다.
도 2를 참조하면, 척(110)은 공정 챔버(100) 하부에 구비되며, 상기 척(110)의 상부면은 상기 실리콘웨이퍼(W)의 단면적보다 작은 단면적을 갖는다. 따라서, 상기 척(110) 상에 지지되는 실리콘웨이퍼(W)의 일부가 상기 척(110)과 접하게 된다. 보다 상세하게, 상기 실리콘웨이퍼(W)의 이면 중심 부위가 상기 척(110)의 상부면과 접하며, 상기 실리콘웨이퍼(W)의 에지 부위는 척(110)과 접하지 않는다.
상기 척(110) 상부면 상에 지지된 실리콘웨이퍼(W)의 이면은 진공 제공 유닛(도시되지 않음)에 의해 흡착된다. 진공 제공 유닛은 상기 척(110)을 관통하여 형성된 다수의 진공 홀들(도시되지 않음)과, 상기 진공 홀들을 각각 연결하기 위한 진공 라인들(도시되지 않음)과, 상기 진공 라인들과 연결되어 상기 척(110) 상부면으로 진공을 제공하는 진공 펌프(도시되지 않음)를 포함한다. 이때, 상기 진공 홀들은 상기 척(110)의 중심으로부터 원주 방향으로 방사되어 형성되어 있으며, 그들의 이격 거리는 동일하다.
또한, 상기 척(110)은 상기 진공 제공 유닛에 의해 상기 척(110) 상에 흡착된 실리콘웨이퍼(W)를 회전시키기 위한 제1 구동 유닛(114)과 회전축(112)에 의해 연결되어 있다. 상기 제1 구동 유닛(114)의 예로서는 모터 등이 있다.
형광 물질 제공부(120)는 상기 챔버(100) 내부에 구비되며, 상기 척(110)과 인접하게 구비된다.
도 2를 참조하면, 상기 형광 물질 제공부(120)는, 링 형상의 본체(122)와, 상기 본체(122)로 형광 물질을 제공하기 위한 형광 물질 보관 유닛(128)과, 상기 본체(122)로 제공된 형광 물질을 상기 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위로 스퍼터되도록 상기 본체(122)로 전압을 인가하기 위한 전압을 인가하기 위한 전원(129)과, 상기 본체(122)를 이동시키기 위한 제2 구동 유닛(126)을 포함한다.
상기 본체(122)는 상기 실리콘웨이퍼(W)보다 큰 반경을 갖는 링 형상을 갖는다. 상기 본체(122) 내측면에는 다수의 홀들(h)이 형성되어 있으며, 상기 홀들(h)은 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위를 향한다. 상기 홀들(h)은 형광 물질을 상기 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위로 제공하기 위한 통로로 이용된다. 일 실시예에 따르면, 상기 다수의 홀들(h)은 상기 본체(122) 내측면에 등간격으로 이격되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 본체(122) 중심에는 상기 실리콘웨이퍼(W)가 구비되며, 상기 본체(122)는 상기 척(110) 상에 흡착된 실리콘웨이퍼(W)와 동일한 높이에 설치된다. 상기 본체(122)가 상기 실리콘웨이퍼(W)와 동일한 높이에 설치되기 위하여, 상기 본체(122) 일 측에는 지지대(124)가 연결되어 있다. 상기 지지대(124)는 상기 본체(122) 일 측에서부터 연장되어 상기 공정 챔버(100) 하부에 고정된다. 일 실시예에 따르면, 상기 본체(122)를 보다 안정되게 지지하기 위하여 상기 지지대(124)를 서로 마주보도록 2개 설치할 수 있다. 이 경우, 상기 지지대들(124)에 의해 상기 본체(122) 일 측 및 상기 일 측과 대응되는 타 측은 고정된다.
상기 본체(122)는 상기 실리콘웨이퍼(W) 표면과 수직된 방향으로 상하 이동 가능하다. 이는 이후에 본체(122)의 다수의 홀들(h)을 통해 제공되는 형광 물질이 상기 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위로 고르게 분사되기 위함이다. 상기 본체(122)를 상하 이동하기 위하여 상기 본체(122)는 제2 구동 유닛(126)과 연결된다. 상기 제2 구동 유닛(126)은 상기 본체(122)를 상기 실리콘웨이퍼(W)의 표면으로부터 연장된 가상의 평면을 기준으로 상하 이동시키는 구동력을 제공한다.
여기에서, 상기 본체(122)가 두 개의 지지대들에 의해 고정된 경우, 상기 본체(122)는 가상의 부채꼴을 생성시키며 이동한다. 상기 가상의 부채꼴의 각도는 ±5°정도이다.
한편, 상기 지지대들(124)을 관통하여 형광 물질 제공 라인이 구비되며, 상기 형광 물질 제공 라인(도시되지 않음)은 형광 물질을 저장하는 형광 물질 저장 유닛(128)과 상기 본체(122) 내측면에 형성된 다수의 홀들(h)을 연통시킨다. 따라서, 상기 형광 물질 저장 유닛(128)으로부터 공급받은 형광 물질은 상기 형광 물질 제공 라인은 따라 상기 다수의 홀들(h)을 통해 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위로 제공된다.
이때, 상기 형광 물질은 스퍼터링 방법에 의해 상기 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위로 제공된다. 보다 상세하게 설명하면, 상기 본체(122)로 높은 전압을 인가하여 상기 형광 물질을 들뜬 상태로 형성한다. 이어서, 상기 들뜬 상태의 형광 물질은 상대적으로 전압이 낮은 실리콘웨이퍼(W)로 스퍼터된다. 상기와 같이 높은 전압을 인가받기 위하여 상기 본체(122)는 전원(129)과 연결된다.
여기에서, 상기 형광 물질은 광 반응성 물질과 실리콘 산화물을 포함한다. 보다 상세하게 설명하면, 상기 광 반응성 물질은 자외선에 의해 발광되는 물질이 며, 상기 실리콘 산화물은 콜로이드 실리콘 산화물이다. 상기와 같은 형광 물질은 상기 자외선에 노출되면 에너지 레벨(energy level)이 높아져 발광하게 된다. 또한, 상기 형광 물질은 발광된 후 제거된다. 따라서 상기 형광 물질을 제거하기 위한 소정의 세정 공정이 요구되지 않는다.
또한, 상기 실리콘 산화물은 불완전한 실리콘 격자에 쉽게 결합한다. 따라서, 상기 실리콘 격자 구조에 결함이 있는 경우, 상기 실리콘 산화물은 상기 결함 부위의 실리콘과 결합하게 된다. 상기와 같이 결함 부위에 반응하는 형광 물질과 정상적인 부위에 코팅된 형광 물질의 발광 이미지가 다르게 생성되고, 이를 이용하여 격자 결함 부위를 검출할 수 있다.
광 조사부(130)는 공정 챔버(100) 내에 구비되며, 상기 실리콘웨이퍼(W)의 에지 부위 일 측에 설치된다. 또한, 상기 광 조사부(130)는 제3 구동 유닛(도시되지 않음)과 연결되어 실리콘웨이퍼(W)의 에지 부위로 접근 또는 이격될 수 있다.
상기 광 조사부(130)는 상기 형광 물질이 코팅된 실리콘웨이퍼(W)가 제1 구동 유닛(114)에 의해 회전되는 동안 상기 실리콘웨이퍼(W)의 에지 부위로 광을 조사한다. 광에 노출된 형광 물질은 에너지 레벨이 증가하게 되어 발광하게 되며, 발광된 후 제거된다. 이때, 상기 광으로는 자외선을 사용한다.
발광 이미지 측정부(140)는 상기 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위 일 측에 구비되어 상기 광 조사부(130)에 의해 발생된 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위의 발광 이미지를 관측 및 저장한다. 상기 발광 이미지 측정부(140)로는 다양한 카메라를 사용할 수 있으며, 예로써 비디오 카메라 등이 있다.
이와 같이 발광 이미지 측정부(140)로부터 획득된 발광 이미지를 작업자가 직접 관찰하고 인접한 발광 이미지들과 비교하여, 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위의 격자 결함 위치를 확인할 수 있다.
이와는 다르게, 상기 발광 이미지 측정부(140)에 판단 및 제어부(도시되지 않음)가 연결되어 상기 발광 이미지를 기 설정된 이미지와 비교하거나, 인접한 발광 이미지들끼리 비교하여, 실리콘웨이퍼(W) 에지 부위의 격자 결함 위치를 검출할 수 있다.
이와 같이 실리콘웨이퍼(W)의 격자 결함을 형광 물질의 발광 이미지를 이용하여 검출함으로써 보다 정확한 격자 결함을 검출할 수 있다. 또한 챔버(100) 내에서 상기 결함 검출이 수행되어 오염 발생을 억제할 수 있다.
이하, 상기와 같은 구성 요소들을 포함하는 실리콘웨이퍼 결함 검출 장치를 이용한 실리콘웨이퍼 결함 검출 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3을 참조하면, 우선, 실리콘웨이퍼를 척 상부로 로딩하고 프리 얼라인(pre-align)한다. 상기 프리 얼라인은 상기 실리콘웨이퍼의 플랫존(plat zone) 또는 노치(notch) 부위를 정렬한다.
이어서, 상기 실리콘웨이퍼의 이면을 상기 척 상부면에 진공 제공 유닛을 이용하여 흡착시킨다.(S10) 상기 척 상에 흡착된 실리콘웨이퍼를 제1 구동 유닛을 이 용하여 회전시킨다.(S20) 이처럼 척이 회전함으로써 상기 척 상에 흡착된 실리콘웨이퍼가 회전하게 된다.
상기 회전하고 있는 실리콘웨이퍼의 에지 부위로 형광 물질 제공부로부터 형광 물질을 제공한다. 보다 상세하게 설명하면, 상기 형광 물질 제공부의 형광 물질 보관 유닛으로부터 본체로 형광 물질이 제공되고, 상기 본체로 고전압이 인가된다. 상기 본체 내에 임시적으로 저장된 형광 물질은 상기 고 전압에 의해 들뜬 상태가 되고, 상기 들뜬 상태의 형광 물질은 본체 내측면에 형성된 다수의 홀들을 통해 상기 실리콘웨이퍼 에지 부위로 스퍼터링된다. 또한, 이때, 상기 본체가 제2 구동 유닛에 의해 상하 이동하게 된다. 이로써, 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위가 형광 물질로 고르게 코팅된다.(S30)
여기에서, 상기 형광 물질은 실리콘산화물 및 광 반응성 물질을 포함하며, 상기 형광 물질은 격자 결함 부위와 정상 부위에서의 코팅 특성이 다르게 된다. 즉, 상기 격자 결함 부위에 형광 물질이 결합하게 되며, 정상 부위에는 단지 코팅된다.
계속해서, 광 조사부를 이용하여 상기 형광 물질이 코팅된 실리콘웨이퍼 에지 부위로 광을 조사한다.(S40) 이때, 상기 광으로 자외선을 사용한다. 상기 광과 반응한 형광 물질은 에너지 레벨이 증가하게 되어 발광하게 된다.
상기 형광 물질이 발광하는 동시에, 상기 발광 이미지를 발광 이미지 측정부에서 관측하고 저장한다.(S50) 전술한 바와 같이 실리콘웨이퍼의 격자 결함 부위와 정상 부위가 서로 다르게 발광함으로 상기 결함 부위와 정상 부위의 발광 이미지도 서로 다르다.
따라서, 이러한 발광 이미지를 이용하여 상기 실리콘웨이퍼의 격자 결함을 확인할 수 있다. 즉, 기 설정된 이미지와 상기 발광 이미지를 비교하여 격자 결함을 검출하거나, 상기 발광 이미지와 인접한 발광 이미지를 비교하여 격자 결함을 검출할 수 있다.(S60)
상기 발광 이미지를 획득한 후, 상기 형광 물질은 상기 광에 의해 발광된 후 스스로 제거된다. 따라서, 소정의 세정 공정이 필요하지 않다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 형광 물질의 발광 이미지를 이용하여 실리콘웨이퍼 격자 결함을 확인할 수 있다. 따라서, 종래에 육안 검사로 격자 결함을 확인하는 것보다 빠르고 용이하게 격자 결함을 확인할 수 있다.
또한, 공정 챔버 내에서 결함 검출이 수행됨으로써 파티클 등의 오염 노출을 억제할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 실리콘웨이퍼를 공정 챔버 내 척 상에 로딩하는 단계;
    실리콘의 격자 결함 부위 및 정상 부위에서 코팅 특성이 다른 형광 물질로 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위를 코팅하는 단계;
    상기 형광 물질이 코팅된 실리콘웨이퍼 에지 부위로 광을 조사하여 상기 실리콘웨이퍼 에지 부위의 발광 이미지를 획득하는 단계; 및
    상기 발광 이미지를 형광 물질의 코팅 상태 확인하여 상기 실리콘웨이퍼 에지 부위의 격자 결함을 검출하는 단계를 포함하는 실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 형광 물질은 광 반응성 물질과 실리콘산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 실리콘산화물은 콜로이드(colloid) 상태인 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 결함 검출 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광으로 자외선을 사용하는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 실리콘웨이퍼 격자 결함 검출은, 상기 획득된 실리콘 웨이퍼의 인접한 발광 이미지들을 비교함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 발광 이미지를 획득한 후, 상기 조사된 광에 의해 상기 형광 물질이 제거되는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
  7. 챔버;
    상기 챔버 내에 구비되어 상기 실리콘웨이퍼를 흡착하여 회전시키는 척;
    상기 척과 인접하게 구비되고, 상기 실리콘웨이퍼를 광 반응성 물질과 실리콘산화물을 포함하는 형광 물질로 코팅하기 위한 형광 물질 제공부;
    상기 척과 인접하게 구비되고, 상기 형광 물질로 코팅된 실리콘웨이퍼로 광을 조사하기 위한 광 조사부; 및
    상기 척 상에 흡착된 상기 실리콘웨이퍼의 에지 부위와 대향하도록 위치하고, 상기 광과 반응한 형광 물질로부터 발광 이미지를 획득하기 위한 발광 이미지 측정부를 포함하는 결함 검출 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 척은 상기 실리콘웨이퍼보다 작은 반경을 가지며, 상기 실리콘웨이퍼를 흡착하기 위한 진공 제공 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 형광 물질 제공부는,
    상기 실리콘웨이퍼보다 넓은 지름을 가진 원형 링 형상을 가지며, 상기 실리콘웨이퍼의 외주로부터 수평으로 이격되어 상기 실리콘웨이퍼를 감싸도록 구비되는 본체;
    상기 본체와 연결되어 있으며, 상기 본체로 형광 물질을 제공하기 위한 형광 물질 보관 유닛;
    상기 본체와 연결되며, 상기 본체로 제공된 형광 물질을 상기 실리콘웨이퍼로 스퍼터되도록(spurter) 상기 본체로 전압을 인가하기 위한 전원; 및
    상기 본체를 상기 실리콘웨이퍼의 표면과 수직된 방향으로 상하 이동시키기 위한 구동력을 제공하는 구동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 구동 유닛은 상기 본체를 상기 실리콘웨이퍼의 중심으로부터 연장된 가상의 평면을 기준으로 ±5°이동시키는 것을 특징으로 하는 결함 검출 장치.
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