KR20120113994A - 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판에 형성된 유기 박막 상에 박막을 형성하는 스퍼터링 공정시 플라즈마 방전에 의한 타겟 입자들의 물리적 충격과 플라즈마 방전에서 발생되는 자외선(UV)에 의한 광학적 충격으로부터 유기 박막이 손상되는 것을 방지할 수 있는 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법에 관한 것으로, 스퍼터링 장치는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터; 상기 서셉터에 대향되도록 상기 공정 챔버 내부에 설치된 타겟; 및 회전 가능하도록 상기 타겟과 상기 서셉터 사이에 배치된 경로 변화 수단을 포함하여 구성되며, 상기 경로 변화 수단은 상기 반응 공간에서 발생되는 플라즈마 방전에 의해 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하여 상기 기판 상에 증착될 타겟 입자의 운동 에너지를 감소시키는 것을 특징으로 한다.

Description

스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법{SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR FORMING THIN FILM USING THE SAME}
본 발명은 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법에 관한 것으로, 기판에 형성된 유기 박막 상에 박막을 형성하는 스퍼터링 공정시 플라즈마 방전에 의한 타겟 입자들의 물리적 충격과 플라즈마 방전에서 발생되는 자외선(UV)에 의한 광학적 충격으로부터 유기 박막이 손상되는 것을 방지할 수 있는 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법에 관한 것이다.
스퍼터링(Sputtering) 방법은 대표적인 물리적 기상 증착(Physical Vapor Deposition) 방법으로서, 반도체 및 디스플레이 소자 등을 제조하는데 필요한 박막의 금속층 또는 금속 산화물층을 증착하는데 주로 이용된다.
이와 같은 스퍼터링 방법은 공정 챔버 내에 증착하고자 하는 박막 재료로 이루어진 타겟(Target)을 위치시키고, 타겟에 대향하도록 기판을 위치시킨 후, 플라즈마 방전을 통해 이온화된 아르곤(Ar) 입자를 타겟에 충돌시킴으로써, 그 충돌에너지에 의해 박막 재료가 타겟으로부터 떨어져 나와 기판 상에 증착되어 기판 상에 박막층이 형성되는 방법이다.
이하, 도면을 참조로 스퍼터링 방법에 의해 박막층을 증착시키는 종래의 스퍼터링 장치에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 스퍼터링 장치는 공정 챔버(1), 서셉터(2), 백킹 플레이트(Backing Plate)(3), 및 타겟(4)을 구비한다.
서셉터(2)는 공정 챔버(1)의 내부 바닥면에 설치되어 외부로부터 공정 챔버(1)로 반입되는 기판(S)을 지지한다.
백킹 플레이트(3)는 서셉터(2)에 대향되도록 공정 챔버(1)의 상측에 위치하여 타겟(4)을 지지한다.
타겟(4)은 서셉터(2)에 대향되도록 백킹 플레이트(3)에 지지된다.
이와 같은 종래의 스퍼터링 장치의 동작에 대해서 설명하면, 진공 챔버(10) 내에 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스를 투입한 후 전압을 인가하면 플라즈마 방전에 의해 불활성 가스가 이온화되고, 이온화된 가스가 음(-)으로 대전된 타겟(4)으로 가속되어 타겟(4)에 충돌한다. 그리하면, 상기 충돌에 의해 타겟(4)에서 원자들이 떨어져 나와 기판(S) 상에 증착되어 박막층을 형성하게 된다.
그러나, 이와 같은 종래의 스퍼터링 장치는 다음과 같은 단점이 있다.
종래의 스퍼터링 장치는 타겟(4)과 기판(S)이 서로 대향하도록 위치되어 있기 때문에, 박막 증착 공정에 해(害)를 줄 수 있는 필요 이상의 높은 에너지를 갖는 입자들, 예로서, 타겟 물질로 이루어진 스퍼터링된 중성의 원자(neutral)들, 또는 플라즈마 방전에서 생성된 전자들과 타겟 물질이 스퍼터링될 때 생성되는 이차 전자들로 구성된 플라즈마 내의 전자들이 기판(S)으로 바로 입사되어 기판(S) 위에 형성되어 있는 소자층을 손상시킬 수 있는 문제점이 있다.
예를 들어, 이와 같은 스퍼터링 방법을 이용하여 유기 발광소자의 전극층을 형성할 경우에, 기판(S) 위에 형성되어 있는 유기 박막이 손상될 수 있고, 그에 따라 유기 발광소자의 특성 저하를 초래하는 문제점이 있다. 즉, 유기 발광소자는 양극 및 음극 사이에 유기 박막이 형성된 구조를 갖기 때문에, 유기 박막 상에 양극 또는 음극으로 기능하는 전극층을 형성해야 한다.
이때, 상기 유기 박막 상에 스퍼터링 방법을 적용하여 박막의 전극층을 형성하게 되면, 상술한 바와 같이 박막 증착 공정에 해(害)를 줄 수 있는 필요 이상의 높은 에너지를 갖는 중성의 원자(Neutral)들 또는 플라즈마 내의 전자들이 기판(S) 상의 유기 박막에 바로 입사되어 상기 유기 박막이 손상될 수 있고, 결국 유기 발광소자의 특성이 저하되는 문제가 발생하게 된다.
또한, 종래의 경우에는, 상기 기판(S)과 타겟(4) 사이에서 플라즈마 방전이 이루어지기 때문에, 플라즈마 방전시 발생되는 자외선(UV)에 상기 기판(S)이 그대로 노출될 수밖에 없고, 따라서, 상기 기판(S) 상에 형성되어 있는 소자층에 자외선(UV)이 조사되어 상기 소자층이 손상될 수 있는 문제점이 있다.
예를 들어, 이와 같은 스퍼터링 방법을 이용하여 유기 발광소자의 전극층을 형성할 경우에, 유기 박막에 자외선(UV)이 조사될 경우 유기 박막이 손상되어, 유기 발광소자의 특성 저하를 초래할 수 있게 된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판에 형성된 유기 박막 상에 박막을 형성하는 스퍼터링 공정시 플라즈마 방전에 의한 타겟 입자들의 물리적 충격과 플라즈마 방전에서 발생되는 자외선(UV)에 의한 광학적 충격으로부터 유기 박막이 손상되는 것을 방지할 수 있는 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터; 상기 서셉터에 대향되도록 상기 공정 챔버 내부에 설치된 타겟; 및 회전 가능하도록 상기 타겟과 상기 서셉터 사이에 배치된 경로 변화 수단을 포함하여 구성되며, 상기 경로 변화 수단은 상기 반응 공간에서 발생되는 플라즈마 방전에 의해 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하여 상기 기판 상에 증착될 타겟 입자의 운동 에너지를 감소시키는 것을 특징으로 한다.
상기 경로 변화 수단은 상기 플라즈마 방전시 발생되는 자외선(UV)이 상기 기판으로 조사되는 것을 차단하는 것을 특징으로 한다.
상기 스퍼터링 장치는 상기 경로 변화 수단을 승강시켜 상기 타겟과 상기 경로 변화 수단 사이의 거리를 조절하기 위한 승강 부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 경로 변화 수단은 회전 가능한 제 1 회전축; 상기 제 1 회전축과 이격되도록 나란하게 배치된 제 2 회전축; 상기 제 1 및 제 2 회전축 간에 감겨져 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하는 무한 궤도; 및 상기 제 1 회전축을 회전시키는 궤도 구동부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 궤도 구동부는 상기 제 1 회전축을 연속적으로 정회전 또는 역회전시키거나 주기적으로 정회전 및 역회전시키는 것을 특징으로 한다.
상기 무한 궤도는 상기 제 1 및 제 2 회전축 각각의 일측에 감겨진 제 1 회전체; 상기 제 1 및 제 2 회전축 각각의 타측에 감겨진 제 2 회전체; 및 상기 제 1 회전체의 내측면과 상기 제 2 회전체의 내측면 간에 일정한 간격으로 설치되어 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하는 복수의 플레이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 복수의 플레이트 각각은 소정의 기울기를 가지도록 상기 제 1 회전체의 내측면과 상기 제 2 회전체의 내측면 간에 설치된 것을 특징으로 한다.
상기 복수의 플레이트 각각의 상면은 인접한 플레이트의 하면에 중첩되는 것을 특징으로 한다.
상기 궤도 구동부는 회전 운동하는 구동 부재; 및 상기 구동 부재의 회전 운동을 상기 제 1 회전축에 전달하는 회전 전달 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 구동 부재는 연속적으로 회전하거나 주기적으로 정회전 및 역회전을 반복하며, 상기 회전 전달 부재는 풀리(Pulley)와 벨트(Belt)를 이용한 벨트 방식, 복수의 기어(Gear)를 이용한 기어 방식, 및 기어와 체인(Chain)을 이용한 체인 방식 중 어느 하나의 방식에 따라 상기 구동 부재의 회전 운동을 상기 제 1 회전축에 전달하는 것을 특징으로 한다.
상기 구동 부재는 주기적으로 정회전 및 역회전을 반복하며, 상기 회전 전달 부재는 상기 구동 부재의 구동에 따라 회전 운동하는 제 1 피니언 기어(Pinion Gear); 상기 제 1 피니언 기어의 회전 운동에 따라 직선 운동하는 래크 기어(Rack Gear); 및 상기 래크 기어의 직선 운동에 따라 상기 제 1 회전축을 회전시키는 제 2 피니언 기어를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 스퍼터링 장치는 상기 서셉터와 상기 타겟 사이에 대응되는 상기 무한 궤도의 상면 및 하면을 제외한 상기 경로 변화 수단의 나머지 부분을 덮는 커버를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 타겟 입자는 상기 기판에 형성된 유기 박막 상에 증착되는 것을 특징으로 한다.
상기 서셉터는 상기 공정 챔버의 상부, 하부, 또는 챔버 벽에 나란하도록 수직하게 설치되고, 상기 타겟은 상기 서셉터에 대향되도록 상기 공정 챔버 내에 설치된 것을 특징으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법은 플라즈마 방전에 의해 타겟으로부터 떨어져 나온 타겟 입자를 기판 상에 증착시켜 박막을 형성하는 박막 형성 방법에 있어서, 공정 챔버 내부에 설치된 서셉터에 기판을 로딩시키는 공정; 상기 타겟과 상기 서셉터 사이에 회전 가능한 경로 변화 수단을 배치하는 공정; 및 상기 공정 챔버 내부에 상기 플라즈마 방전을 발생시켜 상기 플라즈마 방전에 의해 상기 타겟으로부터 떨어져 나오는 타겟 입자를 상기 경로 변화 수단에 통과시켜 상기 기판 상에 증착하는 공정을 포함하여 이루어지며, 상기 경로 변화 수단은 상기 반응 공간에서 발생되는 플라즈마 방전에 의해 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하여 상기 기판 상에 증착될 타겟 입자의 운동 에너지를 감소시키는 것을 특징으로 한다.
상기 경로 변화 수단은 상기 플라즈마 방전시 발생되는 자외선(UV)이 상기 기판으로 조사되는 것을 차단하는 것을 특징으로 한다.
상기 경로 변화 수단을 통과하는 상기 타겟 입자는 상기 기판에 형성된 유기 박막 상에 증착되는 것을 특징으로 한다.
상기 박막 형성 방법은 상기 경로 변화 수단을 승강시켜 상기 타겟과 상기 경로 변화 수단 사이의 거리를 조절하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 경로 변화 수단은 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 타겟 입자가 통과하는 복수의 패스 홀을 포함하는 무한 궤도를 연속적으로 회전시키거나 주기적으로 수평 왕복 이송시켜 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 타겟과 기판 사이의 회전 또는 수평 왕복 이송되는 경로 변화 수단을 이용해 플라즈마 방전에 의해 발생되는 자외선이 기판에 조사되는 것을 차단함과 아울러 플라즈마 방전에 의해 타겟으로부터 떨어져 나온 타겟 입자들의 운동 에너지를 감소시켜 기판 상에 증착시킴으로써 자외선 및 타겟 입자들에 의한 기판의 광학적 충격 및 물리적 충격을 방지할 수 있으며, 특히 기판 상에 형성된 유기 박막 상에 타겟 입자를 증착할 경우 자외선 및 타겟 입자에 의한 유기 박막의 광학적 충격 및 물리적 충격을 방지할 수 있다.
둘째, 승강 부재를 이용해 경로 변화 수단과 타겟 간의 거리 및/또는 경로 변화 수단과 기판 간의 거리를 조절하여 기판 상에 증착되는 박막층의 균일도 및 증착율을 조절할 수 있다.
도 1은 종래의 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 경로 변화 수단을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 무한 궤도를 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 도 3 및 도 4에 도시된 플레이트의 설치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 궤도 구동부의 제 1 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 3에 도시된 궤도 구동부의 제 2 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 도 3에 도시된 궤도 구동부의 제 3 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 3에 도시된 궤도 구동부의 제 4 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 2 및 도 3에 도시된 경로 변화 수단의 일부를 덮도록 설치되는 커버를 설명하기 위한 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치의 변형 실시 예들을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 스퍼터링 장치의 변형 실시 예들을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 15는 도 14에 도시된 궤도 구동부의 제 1 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 도 14에 도시된 궤도 구동부의 제 2 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 17a 및 도 17b는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 스퍼터링 장치의 변형 실시 예들을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 19a 및 도 19b는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 스퍼터링 장치의 변형 실시 예들을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(10)는 공정 챔버(110), 서셉터(120), 백킹 플레이트(130), 타겟(140), 및 경로 변화 수단(150)을 포함하여 구성된다.
공정 챔버(110)는 반응(또는 공정) 공간을 형성하는 것으로서, 챔버(110)는 소정의 진공 펌프(미도시)와 연결되어 그 내부를 진공으로 유지할 수 있다. 이러한 공정 챔버(110)는 기판(S)이 서셉터(120)로 로딩되거나 서셉터(120)에서 외부로 언로딩되는 게이트 밸브(미도시) 및 반응 공간의 공정 가스 및 부산물을 배기시키기 위한 배기구(미도시)를 더 포함하여 구성된다.
상기의 공정 챔버(110)에는 불활성(예를 들어, 아르곤(Ar)) 가스를 공급하기 위한 가스 공급관(미도시)이 연결될 수 있다. 가스 공급관은 플라즈마 방전이 일어나는 영역, 즉 타겟(140)과 기판(S) 사이의 영역으로 불활성 가스가 공급되도록 공정 챔버(110)에 연결되는 것이 바람직하다.
서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 내부에 위치하여 유기 박막(미도시)이 형성된 기판(S)을 지지한다. 이러한 서셉터(120)는 안착되는 기판(S)을 가열하기 위해 내장된 발열 코일 등의 발열 부재를 포함하여 구성될 수도 있다. 이때, 서셉터(120)는 승강 장치(미도시)에 의해 승강 및 이동 가능하도록 공정 챔버(110)에 설치됨으로써 경로 변화 수단(150)과 기판(S) 간의 거리를 조절하거나, 경로 변화 수단(150)에 대향되는 기판(S)의 위치를 조절할 수도 있다.
한편, 상기의 서셉터(120)는 플라즈마 공정 중에 승강될 수도 있다. 예를 들어, 서셉터(120)는 플라즈마 공정 동안 기판(S)이 초기 위치에서 경로 변화 수단(150)에 점점 가까워지도록 상승되거나, 기판(S)이 초기 위치에서 경로 변화 수단(150)으로부터 점점 멀어지도록 하강될 수 있다.
다른 한편, 상기의 서셉터(120)는 플라즈마 공정 중에 회전되어 기판(S)을 회전시킬 수도 있다. 이때, 서셉터(120)는 기판(S)을 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전시키거나, 주기적으로 시계 방향 및 반시계 방향으로 회전시킬 수도 있다.
백킹 플레이트(130)는 타겟(140)을 지지함과 아울러 타겟(140)에 전압이 인가되도록 한다. 이를 위해, 백킹 플레이트(130)는 외부 전원(미도시), 예를 들어, DC 전원, AC 전원, 또는 RF 전원에 전기적으로 접속되어 외부 전원으로부터 공급되는 전압을 타겟(140)에 인가한다.
한편, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(10)는 백킹 플레이트(130)의 배면에 설치된 마그네트(Magnet)(미도시)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
마그네트는 타겟(140)의 배면, 즉 백킹 플레이트(130)의 배면에 배치되어 타겟(140)의 근방에서 고밀도의 플라즈마가 형성되도록 한다. 즉, 마그네트는 고밀도의 플라즈마가 형성되도록 하여 타겟(140)에서 보다 많은 타겟 입자들이 떨어져 나오도록 함으로써, 기판(S) 상에 증착되는 박막의 증착 속도를 향상시키게 된다. 이러한 마그네트는 당업계에 공지된 다양한 영구자석으로 이루어질 수 있다. 상술한 마그네트는 백킹 플레이트(130)의 배면에 이동 가능하게 배치될 수도 있다.
타겟(140)은 서셉터(120)와 대향되도록 백킹 플레이트(130)에 의해 지지된다. 이러한 타겟(140)은 기판(S) 상에 증착될 증착 물질로 이루어진다.
경로 변화 수단(150)은 타겟(140)과 기판(S)이 안착되는 서셉터(120) 사이에 배치된다. 이러한 경로 변화 수단(150)은 플라즈마 방전에 의해 발생되는 자외선(UV)이 기판(S)에 조사되는 것을 차단함과 아울러 플라즈마 방전에 의해 타겟(140)으로부터 떨어져 나와 기판(S) 상에 증착될 타겟 입자들의 진행 경로를 방해한다. 이를 위해, 경로 변화 수단(150)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 회전축(151, 153), 무한 궤도(155), 및 궤도 구동부(157)를 포함하여 구성된다.
제 1 회전축(151)은 타겟(140)과 서셉터(120) 사이의 일측에 배치되어 무한 궤도(155)의 일측을 회전 가능하도록 지지함과 아울러 무한 궤도(155)를 회전시킨다. 이를 위해, 제 1 회전축(151)은 제 1 회전 가이더(151a), 제 2 회전 가이더(151b), 및 제 1 샤프트(151c)를 포함하여 구성된다.
제 1 회전 가이더(151a)는 무한 궤도(155)의 일측 제 1 측면을 회전 가능하도록 지지한다. 이러한 제 1 회전 가이더(151a)는 궤도 구동부(157)의 구동에 따라 회전된다.
제 2 회전 가이더(151b)는 무한 궤도(155)의 일측 제 2 측면을 회전 가능하도록 지지한다.
제 1 샤프트(151c)는 무한 궤도(155)의 일측에 삽입되어 제 1 회전 가이더(151a)와 제 2 회전 가이더(151b)를 회전 가능하게 지지한다.
제 2 회전축(153)은 타겟(140)과 서셉터(120) 사이의 타측에 배치되어 무한 궤도(155)의 타측을 회전 가능하게 지지한다. 이를 위해, 제 2 회전축(153)은 제 3 회전 가이더(153a), 제 4 회전 가이더(153b), 및 제 2 샤프트(153c)를 포함하여 구성된다.
제 3 회전 가이더(153a)는 무한 궤도(155)의 타측 제 1 측면을 회전 가능하도록 지지한다. 이러한 제 3 회전 가이더(153a)는 무한 궤도(155)의 회전에 따라 회전된다.
제 4 회전 가이더(153b)는 무한 궤도(155)의 타측 제 2 측면을 회전 가능하도록 지지한다. 이러한 제 4 회전 가이더(153b)는 무한 궤도(155)의 회전에 따라 회전된다.
제 2 샤프트(153c)는 무한 궤도(155)의 타측에 삽입되어 제 3 회전 가이더(153a)와 제 4 회전 가이더(153b)를 회전 가능하게 지지한다.
제 3 회전 가이더(153a)와 제 4 회전 가이더(153b) 간에 설치되어 제 3 회전 가이더(153a)와 제 4 회전 가이더(153b)를 회전 가능하게 지지한다.
상술한 제 1 및 제 2 회전축(151, 153) 각각은 도시하지 않은 제 1 및 제 2 지지 프레임에 회전 가능하게 설치된다. 제 1 지지 프레임은 제 1 및 제 2 회전축(151, 153) 각각의 일측을 회전 가능하게 지지한다. 그리고, 제 2 지지 프레임은 제 1 및 제 2 회전축(151, 153) 각각의 타측을 회전 가능하게 지지한다.
무한 궤도(155)는 제 1 및 제 2 회전축(151, 153)에 걸쳐져 제 1 회전축(151)의 회전에 따라 회전함으로써 공정 챔버(110)의 반응 공간에서 발생되는 플라즈마 방전에 의해 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 타겟 입자의 진행 경로를 변경하여 기판(S) 상에 증착될 타겟 입자의 운동 에너지를 감소시킨다. 이를 위해, 무한 궤도(155)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 회전체(155a), 제 2 회전체(155b), 및 복수의 플레이트(155c)를 포함하여 구성된다.
제 1 회전체(155a)는 제 1 회전축(151)의 제 1 회전 가이더(151a)와 제 2 회전축(153)의 제 3 회전 가이더(153a) 간에 소정의 장력을 가지도록 감긴다. 이러한 제 1 회전체(155a)는 체인(Chain) 형태를 가지도록 형성되어 제 1 회전축(151)의 회전에 따라 회전한다. 이를 위해, 제 1 회전체(155a)는 복수의 제 1 체인 블록(155a1), 및 인접한 제 1 체인 블록(155a1)을 회전 가능하게 체결시키는 복수의 제 1 고정 핀(155a2)을 포함하여 구성된다. 이와 같은, 제 1 회전체(155a)는 제 1 회전축(151)의 회전에 따른 제 1 회전 가이더(151a)의 회전에 의해 회전된다.
제 2 회전체(155b)는 제 1 회전축(151)의 제 2 회전 가이더(151b)와 제 2 회전축(153)의 제 4 회전 가이더(153b) 간에 소정의 장력을 가지도록 감긴다. 이러한 제 2 회전체(155b)는 체인 형태를 가지도록 형성되어 제 2 회전 가이더(151b)의 회전에 따라 회전한다. 이를 위해, 제 2 회전체(155b)는 복수의 제 2 체인 블록(155b1), 및 인접한 제 2 체인 블록(155b1)을 회전 가능하게 체결시키는 복수의 제 2 고정 핀(155b2)을 포함하여 구성된다. 이와 같은, 제 2 회전체(155b)는 제 1 회전축(151)의 회전에 따른 제 2 회전 가이더(151b)의 회전에 의해 회전된다.
복수의 플레이트(155c) 각각은 제 1 회전체(155a)의 내측면과 제 2 회전체(155b)의 내측면 간에 소정의 기울기를 가지도록 일정한 간격으로 설치된다. 즉, 복수의 플레이트(155c) 각각은 복수의 제 1 체인 블록(155a1)의 내측면과 복수의 제 2 회전 블록(155b1)의 내측면 간에 소정의 기울기를 가지도록 일정한 간격으로 설치된다. 이에 따라, 인접한 플레이트(155c) 사이에는 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 타겟 입자가 통과하는 패스 홀(PH)이 마련된다. 따라서, 복수의 플레이트(155c) 각각은 패스 홀(PH)을 통해 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 타겟 입자의 진행 경로를 변경하여 기판(S) 상에 증착될 타겟 입자의 운동 에너지를 감소시키며, 플라즈마 방전시 발생되는 자외선(UV)이 기판(S)으로 조사되는 것을 차단한다. 이를 위해, 복수의 플레이트(155c) 각각은, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 일정한 간격(D)을 가지도록 소정 기울기로 기울어진다.
일 실시 예에 있어서, 플레이트(155c)의 상부에서 바라볼 경우, 인접한 플레이트(155c)의 간격(D)은, 도 5a에 도시된 바와 같이, 각 플레이트(155c)의 상면 일측(US)이 인접한 플레이트(155c)의 하면 타측(LS)과 동일 선상(CL)에 위치하도록 설정될 수 있다.
다른 실시 예에 있어서, 플레이트(155c)의 상부에서 바라볼 경우, 인접한 플레이트(155c)의 간격(D)은, 도 5b에 도시된 바와 같이, 각 플레이트(155c)의 상면 일측(US)이 인접한 플레이트(155c)의 하면 타측(LS)에 중첩되도록 설정될 수 있다.
이와 같은, 플레이트(155c)는 금속, 플라스틱, 또는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 플라즈마 방전에 의해 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 타겟 입자들은 플레이트(155c)에 증착되어 박막을 형성하게 되고, 이러한 박막으로 인하여 플레이트(155c)에 대한 주기적인 예방 유지 보수(Preventive Maintenance; PM)를 수행해야만 한다. 플레이트(155c)의 PM 주기가 짧을 경우 여러 가지 문제점이 발생하기 때문에 플레이트(155c)의 PM 주기를 최대한 길게 연장시켜야만 한다. 이에 따라, 플레이트(155c)의 재질은 타겟 입자들의 증착을 최대한 방지할 수 있어야 하기 때문에 타겟(140)과 동일한 재질이 코팅층된 금속 재질, 금속과 밀착성이 낮은 폴리머가 코팅층된 금속 재질, 플라스틱, 폴리머, 또는 타겟(140)과 동일한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 본 발명의 스퍼터링 장치(10)가 기판(S) 상에 유기 발광 소자의 캐소드 전극층(미도시)을 알루미늄(Al) 재질로 형성할 경우, 상술한 경로 변화 수단(150)은 200nm 이상의 파장 영역에서 대략 10% 정도의 광 흡수(UV 포함) 효과가 있는 알루미늄(Al) 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기서, 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 알루미늄 재질의 타겟 입자들이 경로 변화 수단(150)에 증착되더라도 경로 변화 수단(150)의 광 흡수 기능에는 전혀 문제가 없다.
상술한 무한 궤도(155)는 제 1 회전축(151)과 제 2 회전축(153)의 회전에 따라 타겟(140)에 인접하도록 이송되는 복수의 플레이트(155c)에 의해 마련된 패스 홀(PH)을 통해 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 타겟 입자의 진행 경로를 1차로 변화시키고, 제 1 회전축(151)과 제 2 회전축(153)의 회전에 따라 기판(S)에 인접하도록 이송되는 복수의 플레이트(155c)에 의해 마련된 패스 홀(PH)을 통해 1차로 변화된 타겟 입자의 진행 경로를 2차로 변화시킨다. 결과적으로, 플라즈마 방전시 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 타겟 입자의 진행 경로는 회전되는 무한 궤도(155)의 패스 홀(PH)의 위치에 따라 1차 및 2차로 변경된다. 따라서, 상술한 무한 궤도(155)는 복수의 플레이트(155c)에 의해 마련된 패스 홀(PH)을 통해 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 타겟 입자의 진행 경로를 변화시켜 기판(S)에 증착될 타겟 입자의 운동 에너지를 감소시킴으로써 타겟 입자의 운동 에너지에 의한 기판(S)의 물리적 충격을 최소화한다. 또한, 상술한 무한 궤도(155)는 복수의 플레이트(155c) 각각의 기울기 및 간격을 통해 플라즈마 방전시 발생되는 자외선이 기판(S)에 조사되는 것을 차단함으로써 자외선에 의한 기판(S)의 광학적 충격을 방지한다.
다시 도 3에서, 궤도 구동부(157)는 구동 부재(157a) 및 회전 전달 부재(157b)를 포함하여 구성된다.
구동 부재(157a)는 양방향 회전, 정회전 및 역회전이 가능한 구동 모터가 될 수 있다. 이러한 구동 부재(157a)는 제 1 회전축(151)에 인접한 공정 챔버(110)의 내벽에 설치된 지지 브라켓(157a1)에 지지된다. 한편, 구동 부재(157a)는 연속적으로 정회전 또는 역회전하거나, 정회전 및 역회전을 주기적으로 반복할 수 있다.
회전 전달 부재(157b)는 구동 부재(157a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킴으로써 무한 궤도(155)를 연속적으로 회전시키거나, 무한 궤도(155)를 주기적으로 수평 왕복 이송시킨다.
제 1 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는 풀리(Pulley)와 벨트(Belt)를 이용하여 구동 부재(157a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이를 위해, 제 1 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 풀리(157b1), 제 2 풀리(157b2), 및 벨트(157b3)를 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 풀리(157b1)는 구동 부재(157a)의 구동축에 설치되어 구동 부재(157a)의 회전에 따라 회전된다. 제 2 풀리(157b2)는 제 1 회전축(151)의 제 1 회전 가이더(151a)에 설치된다. 벨트(157bc)는 제 1 풀리(157b1)와 제 2 풀리(157b2) 간에 소정의 장력을 가지도록 감겨진다. 이러한 벨트(157b3)는 구동 부재(157a)의 회전에 따른 제 1 풀리(157b1)의 회전을 제 2 풀리(157b2)에 전달함으로써 제 2 풀리(157b2)의 회전에 의해 제 1 회전축(151)이 회전되도록 한다.
제 2 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는 복수의 기어(Gear)를 이용하여 구동 부재(157a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이를 위해, 제 2 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 제 1 구동 기어(257b1), 제 2 구동 기어(257b2), 및 적어도 하나의 중간 기어(257b3)를 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 구동 기어(257b1)는 구동 부재(157a)의 구동축에 설치되어 구동 부재(157a)의 회전에 따라 회전된다. 제 2 구동 기어(257b2)는 제 1 회전축(151)의 제 1 회전 가이더(151a)에 설치된다. 중간 기어(257bc)는 제 1 구동 기어(257b1)와 제 2 구동 기어(257b2)에 치합되도록 설치된다. 이러한 중간 기어(257bc)는 구동 부재(157a)의 회전에 따른 제 1 구동 기어(257b1)의 회전을 제 2 구동 기어(257b2)에 전달함으로써 제 2 구동 기어(257b2)의 회전에 의해 제 1 회전축(151)이 회전되도록 한다.
제 3 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는 기어(Gear)와 체인을 이용하여 구동 부재(157a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이를 위해, 제 3 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 구동 기어(357b1), 제 2 구동 기어(357b2), 및 체인(357b3)을 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 구동 기어(357b1)는 구동 부재(157a)의 구동축에 설치되어 구동 부재(157a)의 회전에 따라 회전된다. 제 2 구동 기어(357b2)는 제 1 회전축(151)의 제 1 회전 가이더(151a)에 설치된다. 체인(357bc)은 제 1 구동 기어(357b1)와 제 2 구동 기어(357b2)에 치합되도록 감겨진다. 이러한 체인(357bc)은 구동 부재(157a)의 회전에 따른 제 1 구동 기어(357b1)의 회전을 제 2 구동 기어(357b2)에 전달함으로써 제 2 구동 기어(357b2)의 회전에 의해 제 1 회전축(151)이 회전되도록 한다.
제 4 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는 래크 기어(Rack Gear)와 피니언 기어(Pinion Gear)를 이용하여 구동 부재(157a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이를 위해, 제 4 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 피니언 기어(457b1), 래크 기어(457b2), 및 제 2 피니언 기어(457b3)를 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 피니언 기어(457b1)는 구동 부재(157a)의 구동축에 설치되어 구동 부재(157a)의 회전에 따라 회전된다. 래크 기어(457b2)는 제 1 피니언 기어(457b1)에 치합되도록 설치되어 제 1 피니언 기어(457b1)의 회전 운동에 따라 직선 운동한다. 제 2 피니언 기어(457b3)는 제 1 회전축(151)의 제 1 회전 가이더(151a)에 설치되어 래크 기어(457b2)의 직선 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이때, 상술한 제 4 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)를 포함하는 궤도 구동부(157)에 있어서, 상술한 구동 부재(157a)는 정회전 및 역회전을 주기적으로 반복함으로써 무한 궤도(155)를 주기적으로 수평 왕복 이송, 예로 들어 좌우로 왕복 이송시킨다.
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(10)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 무한 궤도(155)를 제외한 나머지 경로 변화 수단(150)을 덮는 커버(160)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
커버(160)는 서셉터(120)와 타겟(140) 사이에 대응되는 무한 궤도(155)의 상부 및 하부를 제외한 나머지 경로 변화 수단(150)을 덮음으로써 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 타겟 입자들과 가스에 의해 무한 궤도(155)를 제외한 나머지 경로 변화 수단(150)이 오염되거나 손상되는 것을 방지한다. 이를 위해, 커버(160)는 제 1 및 제 2 커버 프레임(160a, 160b)을 포함하여 구성된다.
제 1 커버 프레임(160a)은 무한 궤도(155)의 일측면과 궤도 구동부(157)에 설치되어 경로 변화 수단(150)의 제 1 회전축(151)과 궤도 구동부(157)를 덮음으로써 경로 변화 수단(150)의 제 1 회전축(151)과 궤도 구동부(157)가 오염 및 손상되는 것을 방지한다.
제 2 커버 프레임(160a)은 무한 궤도(155)의 타측면에 설치되어 경로 변화 수단(150)의 제 2 회전축(153)을 덮음으로써 경로 변화 수단(150)의 제 2 회전축(151)이 오염 및 손상되는 것을 방지한다.
상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(10)의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 유기 박막(미도시)이 형성된 기판(S)을 공정 챔버(110) 내부의 서셉터(120) 상에 안착시킨 후, 공정 챔버(110)의 내부를 진공 상태로 유지한다. 이때, 서셉터(120)의 승강 및/또는 이송을 통해 경로 변화 수단(150)과 기판(S) 간의 거리 및 기판(S)의 위치를 조절할 수 있다.
그런 다음, 경로 변화 수단(150)의 궤도 구동부(157)를 구동하여 무한 궤도(155)를 연속적으로 회전시키거나 주기적으로 수평 왕복 이송시킨다.
그런 다음, 공정 챔버(110) 내부로 불활성 가스, 예로서 아르곤 가스를 투입한 후, 백킹 플레이트(130)에 공정에 필요한 전압을 인가한다. 이에 따라, 플라즈마 방전에 의해서 아르곤 가스가 양(+) 이온과 전자로 이온화되고, 양(+) 이온은 타겟(140)으로 가속되어 타겟(140)에 충돌함으로써 충돌에 의해서 타겟(140)으로부터 스퍼터링 원자, 즉 타겟 입자들이 떨어져 나오게 된다. 여기서, 마그네트를 이용해 고밀도의 플라즈마를 형성함으로써 다량의 양이온이 타겟(140)으로 가속됨으로써 타겟(140)으로부터 떨어져 나오는 타겟 입자들의 밀도를 증가시킬 수 있다.
이에 따라, 플라즈마 방전에 의해 타겟(140)으로부터 떨어져 나온 타겟 입자들은 무한 궤도(155)의 플레이트(155c) 사이마다 마련된 패스 홀(PH)을 통과하여 기판(S) 상의 유기 박막 상에 증착되어 최종적으로 유기 박막 상에 박막층을 형성한다. 이때, 유기 박막 상에 증착되는 타겟 입자들은 패스 홀(PH)을 통과하면서 운동 에너지가 감소되거나 조절됨으로써 유기 박막을 손상시키지 않으면서 유기 박막 상에 박막층을 형성한다.
한편, 플라즈마 방전시 발생되는 자외선은 경로 변화 수단(150)의 패스 홀(PH)에 의해 차단, 즉 플레이트(155c)의 기울기에 의해 차단되어 기판(S) 상으로 조사되지 않는다. 여기서, 기판(S) 상에 알루미늄 재질의 박막층을 형성할 경우, 경로 변화 수단(150)을 알루미늄 재질로 형성하게 되면, 경로 변화 수단(150)이 플라즈마 방전시 발생되는 자외선을 흡수하게 되므로 자외선의 차단 효과가 더욱 높게 된다.
이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(10)는 타겟(140)과 기판(S) 사이에 배치된 회전하는 무한 궤도(155)를 가지는 경로 변화 수단(150)을 이용해 자외선이 기판(S)에 조사되는 것을 차단함과 아울러 타겟 입자들의 진행 경로를 2회 변경하여 타겟 입자들의 운동 에너지를 감소시켜 기판(S)에 증착시킴으로써 자외선에 의한 기판(S)의 광학적 충격과 타겟 입자들에 의한 기판(S)의 물리적 충격을 방지할 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(10)에서, 서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 하부에 위치하고, 타겟(140)은 서셉터(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)의 상부에 위치하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 스퍼터링 공정에서는 기판(S) 상에 증착될 박막층의 재질, 공정 조건 등에 따라 기판(S) 상에 증착되는 박막층의 증착율 및 증착 균일도 등이 달라질 수 있기 때문에, 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(10)에서 서로 대향되는 서셉터(120)와 타겟(140)의 위치는 변경될 수 있다.
예를 들어, 도 11a에 도시된 바와 같이, 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(10)에 있어서, 서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 상부에 위치하여 기판(S)을 지지하고, 타겟(140)은 경로 변화 수단(150)을 사이에 두고 서셉터(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)의 하부에 위치할 수도 있다.
또는, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(10)의 서셉터(120)와 타겟(140)은 공정 챔버(110)의 내부 양 측면에 서로 대향되도록 경로 변화 수단(150)을 사이에 두고 수직하게 설치될 수도 있다. 이때, 서셉터(120)는 기판(S)을 수직하게 지지하거나, 소정 기울기를 가지도록 기울어지도록 지지할 수 있다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(20)는 공정 챔버(110), 서셉터(120), 백킹 플레이트(130), 타겟(140), 경로 변화 수단(150), 및 승강 부재(170)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 2 실시 예의 스퍼터링 장치(20)에서 승강 부재(170)를 제외한 나머지 구성들은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 스퍼터링 장치(10)와 동일하게 구성되기 때문에 동일한 구성들에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.
승강 부재(170)는 경로 변화 수단(150)의 양 측면에 대응되는 공정 챔버(110)의 챔버 벽에 설치되어 경로 변화 수단(150)을 승강 가능하도록 지지한다. 이러한 승강 부재(170)는 리니어 모터(Linear Motor) 방식, 모터와 볼 스크류(Ball Screw)를 이용한 볼 스크류 방식, 모터와 랙 기어(Rack Gear)와 피니언 기어(Pinion Gear)를 이용한 기어 방식, 및 유압 실린더 또는 공압 실린더를 이용한 실린더 방식에 따라 경로 변화 수단(150)을 승강시킬 수 있다. 이와 같은, 승강 부재(170)는 경로 변화 수단(150)을 승강시켜 타겟(140)과 경로 변화 수단(150) 사이 또는 경로 변화 수단(150)과 기판(S) 사이의 거리를 조절함으로써 기판(S)에 증착되는 박막의 균일도 및 증착율을 조절한다.
상기 승강 부재(170)는 플라즈마 공정 이전에 경로 변화 수단(150)을 승강시켜 공정 챔버(110) 내부에서의 경로 변화 수단(150) 위치를 미리 설정하거나, 플라즈마 공정 중에 경로 변화 수단(150)을 상승 및 하강시켜 타겟(140)과 경로 변화 수단(150) 거리를 조절할 수 있다. 또는, 상기 승강 부재(170)는 플라즈마 공정 동안 경로 변화 수단(150)이 초기 위치에서 타겟(140)에 점점 가까워지도록 경로 변화 수단(150)을 상승시키거나, 경로 변화 수단(150)이 기판(S)에 점점 가까워지도록 경로 변화 수단(150)을 하강시킬 수 있다.
한편, 상술한 승강 부재(170)는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 커버(160)에 덮임으로써 타겟 입자와 플라즈마 공정에 의한 오염 및 손상이 방지될 수 있다.
이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(20)는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 스퍼터링 장치(10)와 동일한 효과를 제공할 뿐만 아니라, 승강 부재(170)를 이용해 경로 변화 수단(150)을 승강시켜 기판(S)에 증착되는 박막의 균일도 및 증착율을 조절할 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(20)에서, 서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 하부에 위치하고, 타겟(140)은 서셉터(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)의 상부에 위치하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 서로 대향되는 서셉터(120)와 타겟(140)의 위치는 변경될 수 있다.
예를 들어, 도 13a에 도시된 바와 같이, 상술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(20)에 있어서, 서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 상부에 위치하여 기판(S)을 지지하고, 타겟(140)은 경로 변화 수단(150)을 사이에 두고 서셉터(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)의 하부에 위치할 수도 있다.
또는, 도 13b에 도시된 바와 같이, 상술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(20)의 서셉터(120)와 타겟(140)은 공정 챔버(110)의 내부 양 측면에 서로 대향되도록 경로 변화 수단(150)을 사이에 두고 수직하게 설치될 수도 있다. 이때, 서셉터(120)는 기판(S)을 수직하게 지지하거나, 소정 기울기를 가지도록 기울어지도록 지지할 수 있다.
도 14는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(30)는 공정 챔버(110), 서셉터(120), 백킹 플레이트(130), 타겟(140), 및 경로 변화 수단(550)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 3 실시 예의 스퍼터링 장치(30)에서 경로 변화 수단(550)을 제외한 나머지 구성들은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 스퍼터링 장치(10)와 동일하게 구성되기 때문에 동일한 구성들에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.
경로 변화 수단(550)은 타겟(140)과 기판(S)이 안착되는 서셉터(120) 사이에 배치된다. 이러한 경로 변화 수단(550)은 플라즈마 방전에 의해 발생되는 자외선(UV)이 기판(S)에 조사되는 것을 차단함과 아울러 플라즈마 방전에 의해 타겟(140)으로부터 떨어져 나와 기판(S) 상에 증착될 타겟 입자들의 진행 경로를 방해한다. 이를 위해, 경로 변화 수단(550)은 제 1 및 제 2 회전축(151, 153), 무한 궤도(155), 및 궤도 구동부(557)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 경로 변화 수단(550)은 궤도 구동부(557)를 제외한 나머지 구성들은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 스퍼터링 장치(10)와 동일하게 구성되기 때문에 동일한 구성들에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.
궤도 구동부(557)는 공정 챔버(110)의 외벽에 설치되어 무한 궤도(155)를 연속적으로 정회전 또는 역회전시키거나, 주기적으로 수평 왕복 이송시킨다. 이를 위해, 궤도 구동부(557)는 구동 부재(557a) 및 회전 전달 부재(557b)를 포함하여 구성된다.
구동 부재(557a)는 양방향 회전, 정회전 및 역회전이 가능한 구동 모터가 될 수 있다. 이러한 구동 부재(557a)는 제 1 회전축(151)에 인접한 공정 챔버(110)의 외벽에 설치된 지지 브라켓(557a1)에 지지된다. 한편, 구동 부재(557a)는 연속적으로 정회전 또는 역회전하거나, 정회전 및 역회전을 주기적으로 반복할 수 있다.
회전 전달 부재(557b)는 구동 부재(557a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킴으로써 무한 궤도(155)를 연속적으로 회전시키거나, 무한 궤도(155)를 주기적으로 수평 왕복 이송시킨다.
제 1 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)는 풀리와 벨트를 이용하여 구동 부재(557a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이를 위해, 제 1 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는, 도 15에 도시된 바와 같이, 제 1 풀리(557b1), 제 2 풀리(557b2), 및 벨트(557b3)를 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 풀리(557b1)는 구동 부재(557a)의 구동축에 설치되어 구동 부재(557a)의 회전에 따라 회전된다. 제 2 풀리(557b2)는 제 1 회전축(151)의 제 1 회전 가이더(151a)에 설치된다. 벨트(557bc)는 공정 챔버(110)의 외벽에 마련된 게이트 밸브(112)를 통과하도록 제 1 풀리(557b1)와 제 2 풀리(557b2) 간에 소정의 장력을 가지도록 감겨진다. 이러한 벨트(557b3)는 구동 부재(557a)의 회전에 따른 제 1 풀리(557b1)의 회전을 제 2 풀리(557b2)에 전달함으로써 제 2 풀리(557b2)의 회전에 의해 제 1 회전축(151)이 회전되도록 한다.
한편, 상술한 제 1 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)에서 공정 챔버(110)의 외벽에 마련된 게이트 밸브(112)를 통과하여 공정 챔버(110)의 내부에 위치하는 벨트(557b3)의 일부와 제 2 풀리(557b2) 각각은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 커버(160)에 덮임으로써 타겟 입자와 플라즈마 공정에 의한 오염 및 손상이 방지될 수 있다.
제 2 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)는 복수의 기어를 이용하여 구동 부재(557a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이를 위해, 제 2 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)는, 도 16에 도시된 바와 같이, 제 1 구동 기어(557b1), 제 2 구동 기어(557b2), 및 복수의 중간 기어(557b3-1, 557b3-2, 557b3-3)를 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 구동 기어(557b1)는 구동 부재(557a)의 구동축에 설치되어 구동 부재(557a)의 회전에 따라 회전된다. 제 2 구동 기어(557b2)는 제 1 회전축(151)의 제 1 회전 가이더(151a)에 설치된다. 복수의 중간 기어(557b3-1, 557b3-2, 557b3-3)는 공정 챔버(110)의 외벽에 마련된 게이트 밸브(112)를 통과하도록 제 1 구동 기어(557b1)와 제 2 구동 기어(557b2) 사이에 치합되도록 설치된다. 이러한 복수의 중간 기어(557b3-1, 557b3-2, 557b3-3)는 구동 부재(557a)의 회전에 따른 제 1 구동 기어(557b1)의 회전을 제 2 구동 기어(557b2)에 전달함으로써 제 2 구동 기어(557b2)의 회전에 의해 제 1 회전축(151)이 회전되도록 한다.
한편, 상술한 제 2 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)에서 공정 챔버(110)의 외벽에 마련된 게이트 밸브(112)를 통과하여 공정 챔버(110)의 내부에 위치하는 복수의 중간 기어(557b3-1, 557b3-2, 557b3-3)의 일부와 제 2 구동 기어(557b2) 각각은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 커버(160)에 덮임으로써 타겟 입자와 플라즈마 공정에 의한 오염 및 손상이 방지될 수 있다.
제 3 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)는 기어와 체인을 이용하여 구동 부재(557a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이를 위해, 제 3 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 구동 기어(357b1), 제 2 구동 기어(357b2), 및 체인(357b3)을 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 구동 기어(357b1)는 구동 부재(557a)의 구동축에 설치되어 구동 부재(557a)의 회전에 따라 회전된다. 제 2 구동 기어(357b2)는 제 1 회전축(151)의 제 1 회전 가이더(151a)에 설치된다. 체인(357bc)은 공정 챔버(110)의 외벽에 마련된 게이트 밸브(112)를 통과하도록 제 1 구동 기어(357b1)와 제 2 구동 기어(357b2)에 치합되도록 감겨진다. 이러한 체인(357bc)은 구동 부재(557a)의 회전에 따른 제 1 구동 기어(357b1)의 회전을 제 2 구동 기어(357b2)에 전달함으로써 제 2 구동 기어(357b2)의 회전에 의해 제 1 회전축(151)이 회전되도록 한다.
한편, 상술한 제 3 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)에서 공정 챔버(110)의 외벽에 마련된 게이트 밸브(112)를 통과하여 공정 챔버(110)의 내부에 위치하는 체인(357b3)의 일부와 제 2 구동 기어(357b2) 각각은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 커버(160)에 덮임으로써 타겟 입자와 플라즈마 공정에 의한 오염 및 손상이 방지될 수 있다.
제 4 실시 예에 따른 회전 전달 부재(157b)는 래크 기어와 피니언 기어를 이용하여 구동 부재(557a)의 회전 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이를 위해, 제 4 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 피니언 기어(457b1), 래크 기어(457b2), 및 제 2 피니언 기어(457b3)를 포함하여 구성될 수 있다. 제 1 피니언 기어(457b1)는 구동 부재(557a)의 구동축에 설치되어 구동 부재(557a)의 회전에 따라 회전된다. 래크 기어(457b2)는 공정 챔버(110)의 외벽에 마련된 게이트 밸브(112)를 통과하도록 제 1 피니언 기어(457b1)에 치합되도록 설치되어 제 1 피니언 기어(457b1)의 회전 운동에 따라 직선 운동한다. 제 2 피니언 기어(457b3)는 제 1 회전축(151)의 제 1 회전 가이더(151a)에 설치되어 래크 기어(457b2)의 직선 운동에 따라 제 1 회전축(151)을 회전시킨다. 이때, 상술한 제 4 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)를 포함하는 궤도 구동부(557)에 있어서, 상술한 구동 부재(557a)는 정회전 및 역회전을 주기적으로 반복함으로써 무한 궤도(155)를 주기적으로 수평 왕복 이송, 예로 들어 좌우로 왕복 이송시킨다.
한편, 상술한 제 4 실시 예에 따른 회전 전달 부재(557b)에서 공정 챔버(110)의 외벽에 마련된 게이트 밸브(112)를 통과하여 공정 챔버(110)의 내부에 위치하는 래크 기어(457b2)의 일부와 제 2 피니언 기어(457b3) 각각은 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 커버(160)에 덮임으로써 타겟 입자와 플라즈마 공정에 의한 오염 및 손상이 방지될 수 있다.
이와 같은, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(30)는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 스퍼터링 장치(10)와 동일한 효과를 제공할 수 있으며, 궤도 구동부(550)의 구동 부재(557a)를 공정 챔버(110)의 외부에 설치함으로써 타겟 입자와 플라즈마 공정에 의한 구동 부재(557a)의 오염 및 손상을 방지할 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(30)에서, 서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 하부에 위치하고, 타겟(140)은 서셉터(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)의 상부에 위치하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 서로 대향되는 서셉터(120)와 타겟(140)의 위치는 변경될 수 있다.
예를 들어, 도 17a에 도시된 바와 같이, 상술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(30)에 있어서, 서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 상부에 위치하여 기판(S)을 지지하고, 타겟(140)은 경로 변화 수단(550)을 사이에 두고 서셉터(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)의 하부에 위치할 수도 있다.
또는, 도 13b에 도시된 바와 같이, 상술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(30)의 서셉터(120)와 타겟(140)은 공정 챔버(110)의 내부 양 측면에 서로 대향되도록 경로 변화 수단(550)을 사이에 두고 수직하게 설치될 수도 있다. 이때, 서셉터(120)는 기판(S)을 수직하게 지지하거나, 소정 기울기를 가지도록 기울어지도록 지지할 수 있다.
도 18은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 18을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(40)는 공정 챔버(110), 서셉터(120), 백킹 플레이트(130), 타겟(140), 경로 변화 수단(550), 및 승강 부재(570)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 4 실시 예의 스퍼터링 장치(40)에서 승강 부재(570)를 제외한 나머지 구성들은 상술한 본 발명의 제 3 실시 예의 스퍼터링 장치(30)와 동일하게 구성되기 때문에 동일한 구성들에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.
승강 부재(570)는 경로 변화 수단(550)의 양 측면에 대응되는 공정 챔버(110)의 챔버 벽에 설치되어 경로 변화 수단(550)을 승강 가능하도록 지지한다. 즉, 승강 부재(570)는 경로 변화 수단(550)의 제 1 및 제 2 지지 프레임(미도시)과 궤도 구동부(557)를 지지함과 아울러 제 1 및 제 2 지지 프레임(미도시)과 궤도 구동부(557)를 동시에 승강시킨다. 이러한 승강 부재(570)는 리니어 모터(Linear Motor) 방식, 모터와 볼 스크류(Ball Screw)를 이용한 볼 스크류 방식, 모터와 랙 기어(Rack Gear)와 피니언 기어(Pinion Gear)를 이용한 기어 방식, 및 유압 실린더 또는 공압 실린더를 이용한 실린더 방식에 따라 경로 변화 수단(550)을 승강시킬 수 있다. 이와 같은, 승강 부재(570)는 경로 변화 수단(550)을 승강시켜 타겟(140)과 경로 변화 수단(550) 사이 또는 경로 변화 수단(550)과 기판(S) 사이의 거리를 조절함으로써 기판(S)에 증착되는 박막의 균일도 및 증착율을 조절한다.
상기 승강 부재(570)는 플라즈마 공정 이전에 경로 변화 수단(550)을 승강시켜 공정 챔버(110) 내부에서의 경로 변화 수단(550) 위치를 미리 설정하거나, 플라즈마 공정 중에 경로 변화 수단(550)을 상승 및 하강시켜 타겟(140)과 경로 변화 수단(550) 거리를 조절할 수 있다. 또는, 상기 승강 부재(570)는 플라즈마 공정 동안 경로 변화 수단(550)이 초기 위치에서 타겟(140)에 점점 가까워지도록 경로 변화 수단(550)을 상승시키거나, 경로 변화 수단(550)이 기판(S)에 점점 가까워지도록 경로 변화 수단(550)을 하강시킬 수 있다.
한편, 상술한 승강 부재(570)는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예의 커버(160)에 덮임으로써 타겟 입자와 플라즈마 공정에 의한 오염 및 손상이 방지될 수 있다.
이와 같은, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(40)는 상술한 본 발명의 제 3 실시 예의 스퍼터링 장치(30)와 동일한 효과를 제공할 뿐만 아니라, 승강 부재(570)를 이용해 경로 변화 수단(550)을 승강시켜 기판(S)에 증착되는 박막의 균일도 및 증착율을 조절할 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(40)에서, 서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 하부에 위치하고, 타겟(140)은 서셉터(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)의 상부에 위치하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 서로 대향되는 서셉터(120)와 타겟(140)의 위치는 변경될 수 있다.
예를 들어, 도 19a에 도시된 바와 같이, 상술한 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(40)에 있어서, 서셉터(120)는 공정 챔버(110)의 상부에 위치하여 기판(S)을 지지하고, 타겟(140)은 경로 변화 수단(550)을 사이에 두고 서셉터(120)에 대향되도록 공정 챔버(110)의 하부에 위치할 수도 있다.
또는, 도 19b에 도시된 바와 같이, 상술한 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 스퍼터링 장치(40)의 서셉터(120)와 타겟(140)은 공정 챔버(110)의 내부 양 측면에 서로 대향되도록 경로 변화 수단(550)을 사이에 두고 수직하게 설치될 수도 있다. 이때, 서셉터(120)는 기판(S)을 수직하게 지지하거나, 소정 기울기를 가지도록 기울어지도록 지지할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 공정 챔버 120: 서셉터
130: 백킹 플레이트 140: 타겟
150, 550: 경로 변화 수단 160: 커버
170, 570: 승강 부재

Claims (20)

  1. 반응 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 서셉터에 대향되도록 상기 공정 챔버 내부에 설치된 타겟; 및
    회전 가능하도록 상기 타겟과 상기 서셉터 사이에 배치된 경로 변화 수단을 포함하여 구성되며,
    상기 경로 변화 수단은 상기 반응 공간에서 발생되는 플라즈마 방전에 의해 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하여 상기 기판 상에 증착될 타겟 입자의 운동 에너지를 감소시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 경로 변화 수단은 상기 플라즈마 방전시 발생되는 자외선(UV)이 상기 기판으로 조사되는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 경로 변화 수단을 승강시켜 상기 타겟과 상기 경로 변화 수단 사이의 거리를 조절하기 위한 승강 부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 경로 변화 수단은,
    회전 가능한 제 1 회전축;
    상기 제 1 회전축과 이격되도록 나란하게 배치된 제 2 회전축;
    상기 제 1 및 제 2 회전축 간에 감겨져 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하는 무한 궤도; 및
    상기 제 1 회전축을 회전시키는 궤도 구동부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 궤도 구동부는 상기 제 1 회전축을 연속적으로 정회전 또는 역회전시키거나 주기적으로 정회전 및 역회전시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 무한 궤도는,
    상기 제 1 및 제 2 회전축 각각의 일측에 감겨진 제 1 회전체;
    상기 제 1 및 제 2 회전축 각각의 타측에 감겨진 제 2 회전체; 및
    상기 제 1 회전체의 내측면과 상기 제 2 회전체의 내측면 간에 일정한 간격으로 설치되어 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하는 복수의 플레이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 플레이트 각각은 소정의 기울기를 가지도록 상기 제 1 회전체의 내측면과 상기 제 2 회전체의 내측면 간에 설치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수의 플레이트 각각의 상면은 인접한 플레이트의 하면에 중첩되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 궤도 구동부는,
    회전 운동하는 구동 부재;
    상기 구동 부재의 회전 운동을 상기 제 1 회전축에 전달하는 회전 전달 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 구동 부재는 연속적으로 회전하거나 주기적으로 정회전 및 역회전을 반복하며,
    상기 회전 전달 부재는 풀리(Pulley)와 벨트(Belt)를 이용한 벨트 방식, 복수의 기어(Gear)를 이용한 기어 방식, 및 기어와 체인(Chain)을 이용한 체인 방식 중 어느 하나의 방식에 따라 상기 구동 부재의 회전 운동을 상기 제 1 회전축에 전달하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 구동 부재는 주기적으로 정회전 및 역회전을 반복하며,
    상기 회전 전달 부재는,
    상기 구동 부재의 구동에 따라 회전 운동하는 제 1 피니언 기어(Pinion Gear);
    상기 제 1 피니언 기어의 회전 운동에 따라 직선 운동하는 래크 기어(Rack Gear); 및
    상기 래크 기어의 직선 운동에 따라 상기 제 1 회전축을 회전시키는 제 2 피니언 기어를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  12. 제 3 항에 있어서,
    상기 서셉터와 상기 타겟 사이에 대응되는 상기 무한 궤도의 상면 및 하면을 제외한 상기 경로 변화 수단의 나머지 부분을 덮는 커버를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟 입자는 상기 기판에 형성된 유기 박막 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 서셉터는 상기 공정 챔버의 상부, 하부, 또는 챔버 벽에 나란하도록 수직하게 설치되고,
    상기 타겟은 상기 서셉터에 대향되도록 상기 공정 챔버 내에 설치된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법.
  16. 플라즈마 방전에 의해 타겟으로부터 떨어져 나온 타겟 입자를 기판 상에 증착시켜 박막을 형성하는 박막 형성 방법에 있어서,
    공정 챔버 내부에 설치된 서셉터에 기판을 로딩시키는 공정;
    상기 타겟과 상기 서셉터 사이에 회전 가능한 경로 변화 수단을 배치하는 공정; 및
    상기 공정 챔버 내부에 상기 플라즈마 방전을 발생시켜 상기 플라즈마 방전에 의해 상기 타겟으로부터 떨어져 나오는 타겟 입자를 상기 경로 변화 수단에 통과시켜 상기 기판 상에 증착하는 공정을 포함하여 이루어지며,
    상기 경로 변화 수단은 상기 반응 공간에서 발생되는 플라즈마 방전에 의해 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하여 상기 기판 상에 증착될 타겟 입자의 운동 에너지를 감소시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 경로 변화 수단은 상기 플라즈마 방전시 발생되는 자외선(UV)이 상기 기판으로 조사되는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 경로 변화 수단을 통과하는 상기 타겟 입자는 상기 기판에 형성된 유기 박막 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 경로 변화 수단을 승강시켜 상기 타겟과 상기 경로 변화 수단 사이의 거리를 조절하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 경로 변화 수단은 상기 타겟으로부터 떨어져 나온 타겟 입자가 통과하는 복수의 패스 홀을 포함하는 무한 궤도를 연속적으로 회전시키거나 주기적으로 수평 왕복 이송시켜 상기 타겟 입자의 진행 경로를 변경하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법.
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