KR20120104347A - 직렬 접속된 ｏｌｅｄ 디바이스들을 생성하기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의해, OLED 디바이스들의 직렬 접속을 준비하는 방법이 제안되며, 이 방법은 캐리어 기판을 제공하는 단계; 상기 캐리어 기판 상에 제1 전극 물질층을 퇴적하는 단계; 상기 제1 전극 물질층 상에 유기 광전자 활성 물질의 층을 퇴적하는 단계; 상기 유기 광전자 활성 물질층 상에 제2 전극 물질층을 퇴적하는 단계; 적어도 선택된 영역들에서 적어도 상기 제2 전극 물질층 및 상기 유기 광전자 활성 물질층을 제거(ablating)하여 상기 캐리어 표면 상에 분리된 OLED 디바이스들을 형성하는 트렌치를 구축하는 단계; 제1 OLED 디바이스의 애노드를 이웃하는 제2 OLED 디바이스의 캐소드에 접속함으로써 이웃하는 OLED 디바이스들을 전기적으로 상호접속하는 단계를 포함하고, 상기 유기 광전자 활성 물질층 및 상기 캐소드 층을 퇴적하는 단계들에서, 상기 캐리어 기판 표면은 그의 전체 기능 영역에 걸쳐서 상기 층들로 커버되고, 상기 이웃하는 OLED 디바이스들의 전기적 상호접속은 상기 제거하는 단계에서 구축된 상기 트렌치들을 전기적 전도 물질로 적어도 부분적으로 채움으로써 수행된다. 또한, 직렬 접속된 OLED 디바이스들을 포함하는 일루미넌트가 제공된다.
Description
본 발명은 직렬 접속된 OLED 디바이스들(유기 발광 다이오드)을 제조하는 분야에 관한 것이다. 일 양태에서, 본 발명은 직렬 접속된 OLED 디바이스들을 제공하기 위한 방법에 관한 것이고, 이 방법에서는 캐리어 기판 표면 상에 OLED 디바이스들을 형성하고 상호접속하는 구조화 프로세스가 향상된다. 다른 양태에서, 본 발명은 직렬 접속된 OLED 디바이스들을 포함하는 일루미넌트(illuminant)에 관한 것이다.
OLED 디바이스들은 최첨단 기술로부터 알려져 있다. 일반적으로, OLED 디바이스는 적어도 캐리어 기판 상에 배열된 제1 전극 물질, 제1 전극 물질 상에 퇴적된 유기 광전자 활성 물질, 및 적어도 부분적으로 유기 광전자 활성 물질을 커버하는 제2 전극 물질로 이루어진다. 전극 물질들 중 하나는 캐소드 층으로서 작용하고, 다른 전극 물질은 애노드 층으로서 작용한다. 광전자 활성 물질로서는, 예를 들어, poly(p-phenylenevinylene)(PPV)와 같은 발광 폴리머들, 또는 예를 들어, 알루미늄 트리스(8-hydroxyquinoline)와 같은 발광 저분자량 물질들과 같은, 전자발광 물질들(electroluminescenting materials)이 있다.
캐리어 기판으로서는 예를 들어 유리 또는 플라스틱과 같은 절연 물질들이 이용될 수 있다. 전극 물질로서는 예를 들어 투명한 전도성 산화물(transparent conductive oxides; TCO)과 같은 화합물들, 또는 예를 들어, 구리, 은, 금, 또는 알루미늄과 같은 금속들이 이용될 수 있다. 또한 전극 물질들과 광전자 활성 물질 사이에는, 정공들의 주입 장벽을 낮추는, 예를 들어, PEDOT/PSS 층(poly(3,4-ethylenedioxythiopene/polystyrolsulfonate) 또는 PANI/PSS 층(polyaniline/polystyrolsulfonate)과 같은, 소위 정공 수송층(hole transporting layer)을 배치하는 것이 최첨단 기술로부터 알려져 있다.
동작에서, 제1 전극 물질층과 제2 전극 물질층 사이에 전기가 인가된다. 인가된 전기는 비-여기 상태로의 완화(relaxation)에 의해 광자가 방출되는 광전자 활성 물질의 여기된 상태를 야기한다. OLED 디바이스들은 예를 들어, 디스플레이들 또는 조명을 위해 이용될 수 있다.
큰 영역의 OLED 디바이스들을 형성하기 위해서, 직렬 접속된 아키텍처들이 이용되고 있다. 그렇게 하기 위해서, 다음에 설명되는 바와 같은 프로세스에 의해 상호접속된 OLED 디바이스들을 제조하는 것이 최첨단 기술로부터 알려져 있다.
제1 단계로서, 패터닝 단계에서 기판이 제조된다. 이 패터닝 단계에서, 제1 전극 물질이 캐리어 기판 상에 패턴으로(in pattern) 도포(apply)된다. 이 패터닝 단계의 주요 기능은 전기적으로 분리된 영역들을 생성하는 것이고, 나중에 캐소드와 애노드가 전기적으로 접속될 것이다. 이 패터닝은 예를 들어, 섀도우 마스크(shadow mask) 등을 통한 프린팅 또는 스퍼터링에 의해 예를 들어 기능층을 퇴적함으로써 행해질 수 있다.
후속하는 단계에서 광전자 활성 물질에 의해 형성된 OLED 기능층이 도포된다. 작은 분자 기능층들이 진공에서 열 증발(thermal evaporation)에 의해 퇴적된다. 유기 물질의 퇴적은 적어도 캐소드 콘택들(contacts)이 코팅되지 않는 그러한 방식으로 제한(restrict)되어야 한다. 보통, 애노드 콘택들도 나중에 양호한 전기적 콘택을 실현하기 위해서 코팅으로부터 보호된다. 이 구조화 퇴적은 섀도우 마스크에 의해 실현된다. 이 마스크는 각각의 OLED 디자인에 대해 특정하고, 유기층 퇴적 중에 기판의 꼭대기에 배치된다. 마스킹은 물리적 콘택으로 행해질 수 있거나 기판과 마스크 사이의 작은 갭에 의해 행해질 수 있다. 퇴적 프로세스 중에 섀도우 마스크는 유기 물질로 코팅될 것이다.
다음 단계에서 대응하는 전극(counter electrode)이 제2 전극 물질층의 퇴적에 의해 형성된다. 이것은 또한 진공 열 증발 프로세스에서 도포된다. 이 단계에서도, 층은 구조화되어야 하고, 그렇지 않으면, 2개의 전극 물질층, 즉, 캐소드와 애노드 사이에 쇼트 회로가 일어날 것이다. 이 단계에서도 마스크는 물질로 코팅될 것이고, 캐소드 물질은 통상적으로 구리, 은, 알루미늄, 금 등과 같은 금속이다.
유기물 및 캐소드를 위한 코팅된 영역들이 상이하기 때문에, 모든 언급된 프로세스 단계들에서 상이한 세트의 마스크들이 이용되어야 한다.
개별 OLED 디바이스들의 직렬 접속이 실현될 필요가 있는 경우, 제1 OLED 디바이스, 예를 들어, 픽셀의 애노드가 다음 OLED 디바이스의 캐소드와 접속될 필요가 있기 때문에 매우 복잡한 세트의 섀도우 마스크들이 요구된다. 그 다음에 개별 OLED 디바이스들의 최소 분리(minimum separation)가 유기물 및 캐소드 퇴적 중의 마스크 및 기판의 열 팽창 및 마스크 프로세스들의 정렬 정확도에 의해 결정된다. 따라서, 최첨단 기술로부터 알려진 기법은 몇몇 단점을 갖는다. 마스크들은 디자인 특정이기 때문에, 디자인 변경은 새로운 세트의 마스크들을 요구한다. 이것은 디자인 변경을 위한 처리량 시간을 제한하고 비용을 증가시킨다. 마스크들은 퇴적 중에 코팅된다. 이것은 정기적인 세척을 요구하고 부가적인 비용을 유발한다. 마스크들로부터 분실된 입자들은 쇼트 회로들로 이어질 수 있고 생산 수율을 감소시킨다. 실현될 수 있는 최소 피처 사이즈(minimum feature size)는 마스크들의 열 팽창 및 정렬 정확도로 인해 제한된다. 이것은 기판 사이즈에 따라 크기 조정되고(scale with) 통상적으로 >200㎛이다. 적어도, 진공에서 다루어지는 마스크는 매우 고가이다.
본 발명의 목적은 OLED 디바이스들을 제조하기 위한 향상된 방법을 제공하는 것이다.
이 목적은 OLED 디바이스들의 직렬 접속을 준비하는 방법에 의해 실현되고, 이 방법은,
- 캐리어 기판을 제공하는 단계;
- 상기 캐리어 기판 상에 제1 전극 물질층을 퇴적하는 단계;
- 상기 제1 전극 물질층 상에 유기 광전자 활성 물질의 층을 퇴적하는 단계;
- 상기 유기 광전자 활성 물질층 상에 제2 전극 물질층을 퇴적하는 단계;
- 적어도 선택된 영역들에서 적어도 상기 제2 전극 물질층 및 상기 유기 광전자 활성 물질층을 제거(ablating)하여 상기 캐리어 표면 상에 분리된 OLED 디바이스들을 형성하는 트렌치(trench)를 구축하는 단계;
- 제1 OLED 디바이스의 애노드를 이웃하는 제2 OLED 디바이스의 캐소드에 접속함으로써 이웃하는 OLED 디바이스들을 전기적으로 상호접속하는 단계
를 포함하고,
상기 유기 광전자 활성 물질층 및 상기 캐소드 층을 퇴적하는 단계들에서, 상기 캐리어 기판 표면은 그의 전체 기능 영역(functional area)에 걸쳐서 상기 층들로 커버되고, 상기 이웃하는 OLED 디바이스들의 전기적 상호접속은 상기 제거하는 단계에서 구축된 상기 트렌치들을 전기적 전도 물질로 적어도 부분적으로 채움으로써 수행된다.
본 발명의 의미에서 기능 영역은 발광 구조가 형성되는 캐리어 기판 표면의 영역으로서 이해되어야 한다. 본 발명에 따르면, 캐리어 기판 표면의 다른 영역들, 예를 들어, OLED 디바이스의 고정을 위해 이용되는 테두리(rim) 영역은 예를 들어, 전극 물질 및 광전자 활성 물질의 퇴적을 기능 영역으로만 제한함으로써 또는 각각의 영역들을 마스킹함으로써 커버되지 않은 채로 남겨질 수 있다.
많아야 기판의 전체 영역 위에 OLED 디바이스를 형성하기 위해 그리고 특정 영역들에서 특정 층들을 제거함으로써 필요한 패턴의 적어도 대부분을 형성하기 위해 필요한 상이한 층들을 도포하는 것이 본 발명의 아이디어이다. 이것은 OLED 제품의 생산성을 향상시키는 미세한 패턴 정렬의 필요성을 피한다. 또한, 예를 들어, 레이저 제거(laser ablation) 등과 같은 제거 방법들은 더 정밀하고, 이것은 더 작은 패턴을 형성하도록 허용한다. 본 발명의 방법의 이득은 제거 단계가 진공 챔버에서 수행될 필요가 없다는 것이다. 이것은 전체 생산이 다루기가 더 쉬워지고 큰 진공 생산 챔버들에 대한 필요성을 생략한다.
발명의 실시예에 따르면, 제거 단계에서, 적어도 제2 전극 물질층, 유기 광전자 활성 물질층 및 제1 전극 물질층은 적어도 부분적으로 분리된 OLED 디바이스들을 형성하는 트렌치를 구축하도록 제거된다. 이들 층들 전부를 제거하는 것은 상이한 층들이 커버 또는 마스크 특정 영역들의 필요없이 전체 기판 영역 위에 퇴적될 수 있기 때문에 방법을 더욱 향상시킨다. OLED 디바이스들의 필요한 분리는 퇴적된 층들을 캐리어 기판에 이르기까지 제거하는 것으로부터 생긴다. 제거는 예를 들어, 레이저 제거, 열 제거, 플라즈마 식각, 기계적 제거 등에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 레이저 제거 또는 플라즈마 식각을 이용하는 이득은 매우 작은 패턴이 형성될 수 있다는 것이고, 이것은 전체 OLED 디바이스의 더 높은 해상도를 야기한다. 따라서, 또한 패턴 사이즈<200㎛가 실현될 수 있다.
본 발명에 따른 추가 실시예에서, 제1 전극 물질층은 캐리어 기판 상에 패턴으로 퇴적되고, 이 패턴은 OLED 디바이스의 기본적인 구조를 형성한다. 발명의 의미에서 기본적인 구조는 캐리어 기판 상에 퇴적된 제1 전극 물질층의 구조 및/또는 사이즈로서 이해되어야 한다.
본 발명에 따른 추가 실시예에서, 분리된 OLED 디바이스들을 상호접속하는 전기적 전도 물질은 트렌치에 배치된 후에 어닐링된다. 본 발명의 의미에서 어닐링은 열적 또는 UV-유도 어닐링 및/또는 경화 프로세스일 수 있다. 어닐링은 상호접속하는 물질을 단독으로 또는 결합하여 어닐링하기 위해 예를 들어, 전제 구조에의 가열, 트렌치 영역들만의 국부적 가열, UV-소스에의 전체 구조의 노출, 트렌치 영역에만 국부적 UV 노출, 또는 임의의 다른 가능한 방법에 의해 유도될 수 있다. 국부적 열 및/또는 UV 노출은 충분한 파장을 갖는 레이저의 이용에 의해 적용될 수 있다.
발명의 실시예에서, 하나의 레이저 시스템이 어닐링뿐만 아니라 제거를 위해 이용된다. 이러한 실시예에서, 레이저 시스템은 조정가능한 출력 및/또는 파장을 갖는 레이저 소스 및/또는 상이한 레이저 소스들을 포함할 수 있다.
본 발명의 방법에 따르면, 분리된 OLED 디바이스들을 상호접속하는 전기적 전도 물질은 갈바니(galvanic) 또는 자가 촉매적(autocatalytic) 퇴적과 같은 전기화학 방법에 의해 도포되는 금속 페이스트, 전도성 폴리머, 전도성 글루, 또는 금속층일 수 있다. 대안적으로, 분리된 OLED 디바이스들 사이의 전기적 접속은 적절한 패턴으로 절연체를 프린팅함으로써 또는 와이어링(wiring)함으로써 그리고 이온 액체를 이용하여 금속층을 전기화학적으로 퇴적함으로써 실현될 수 있다.
본 발명에 따른 추가 실시예에서, 분리된 OLED 디바이스들을 상호접속하는 전기적 전도 물질의 도포 전에, 절연 물질이 적어도 부분적으로 도포된다. 이것은 쇼트 회로들을 피함으로써 방법을 더욱 향상시킬 수 있다.
방법의 변형에서, 유기 광전자 활성 물질은 프린팅 프로세스에 의해, 예를 들어, 프린팅 용해 프로세스 가능 기능 물질들(printing solution process able functional materials)의 이용에 의해 도포될 수 있다. 본 발명에 따른 방법은 예를 들어, 꼭대기 전극이 애노드인 반전된 OLED 디바이스들, 또는 꼭대기 전극 및/또는 바닥부 전극이 투명한 꼭대기 방출 또는 투명 OLED 디바이스들과 같은, 상이한 종류의 OLED 디바이스들의 생산 프로세스에서 적용가능하다. 후자의 경우, TCO가 전극 물질로서 이용될 수 있다.
방법의 추가 변형에서, 제거는 기판측으로부터 행해진다.
비용 절감 이외의 제안된 방법의 이점들 중 하나는 프린팅 정확성만이 OLED 디바이스들의 최소 간격을 제한하기 때문에 작은 피처 사이즈들을 생성할 가능성이다. 또한, OLED 어레이들의 모든 배열들은 OLED의 모양에 대해 결코 제한이 없이 실현될 수 있다.
추가 양태에서, 본 발명은 적어도 2개의 직렬 접속된 OLED 디바이스들을 포함하는 일루미넌트에 관한 것이고, 각각의 OLED 디바이스는 적어도 제1 전극 물질층, 광전자 활성 물질층 및 제2 전극 물질층을 포함하고, 적어도 2개의 OLED 디바이스는 200㎛보다 작은 패턴 사이즈를 갖는 패턴으로 공통 캐리어 기판 상에 형성된다. 이러한 일루미넌트는 전술한 바와 같이 본 발명의 방법을 이용함으로써 생산될 수 있다. 200㎛보다 작은 패턴 사이즈는 유리하게 높은 해상도를 갖는 OLED 디바이스들에 기초한 일루미넌트를 형성할 수 있게 한다.
본 발명에 따른 일루미넌트의 실시예에서, OLED 디바이스들은 트렌치에 의해 분리되고, 제1 OLED 디바이스의 제1 전극 물질층은 적어도 부분적으로 트렌치를 채우는 전도 물질에 의해 제2 OLED 디바이스의 제2 전극 물질층에 접속된다. 적어도 부분적으로 트렌치를 채우는 것은, 전도 물질이 그의 전체 수직 단면에 걸쳐서 트렌치를 채우고, 그것이 그의 전체 수평 단면에 걸쳐서 트렌치를 채우지 않는 것으로서 이해되어야 한다. 다시 말해, 트렌치의 한 측면만이 전도 물질에 의해 채워진다.
본 발명에 따른 일루미넌트의 추가 실시예에서, 전도 물질은 어닐링될 수 있는 페이스트이다. 이것은 유리하게는 트렌치의 부분적 채움을 더 쉽게 만든다. 전도 물질은 바람직하게는 금속 페이스트들, 전도성 폴리머들 및 전도성 글루들로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다. 또한, 전도 물질은 바람직하게는 열 및/또는 UV-노출에 의해 어닐링될 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 양태들은 이후 설명되는 실시예들로부터 명백할 것이고 그것을 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 최첨단 기술에 따른 OLED들의 생산을 위한 프로세스 스킴을 도시한다.
도 2는 본 발명의 양태에 따른 프로세스 스킴을 도시한다.
도 1은 최첨단 기술에 따른 OLED들의 생산을 위한 프로세스 스킴을 도시한다.
도 2는 본 발명의 양태에 따른 프로세스 스킴을 도시한다.
도 1에서, 최첨단 기술에 따른 OLED들의 생산을 위한 프로세스의 스킴이 도시된다. 단계 1A에서, 캐리어 기판(1) 상에 투명한 전도체 층(2)이 나중의 OLED 디바이스 구조를 정의하는 특정 패턴으로 퇴적된다. 패터닝은 예를 들어, 섀도우 마스크를 통한 스퍼터링 또는 프린팅 방법들에 의해서와 같이, 퇴적에 의해 커버되지 않도록 영역들을 마스킹함으로써 행해질 수 있다. 투명한 전도체는 ZnO, ITO, 및/또는 PEDOT/PSS 층일 수 있다. 이 투명한 전도체 층(2) 상에 옵션의 금속 라인들(3)이 퇴적된다. 패턴 구조가 단계 1B에서 광전자 활성 물질(4)로 채워진다. 작은 분자 광전자 활성 물질들은 보통 진공에서 열 증발에 의해 퇴적된다. 유기 물질의 퇴적은 적어도 캐소드 콘택들(5)이 코팅되지 않는 그러한 방식으로 제한되어야 한다. 보통, 또한 애노드 콘택들이 나중에 양호한 전기적 콘택을 실현하기 위하여 코팅으로부터 보호된다. 단계 1C에서 보는 것과 같이, 이 구조화 퇴적은 섀도우 마스크들(6)에 의하여 실현된다. 이들 마스크들(6)은 각각의 OLED 디자인에 대해 특정하고, 유기 광전자 활성 물질 퇴적 중에 기판의 꼭대기 상에 배치된다. 단계 1D에서, 캐소드 층(7)이 퇴적된다. 이것은 또한 진공 열 증발 프로세스에서 일어난다. 층(7)은 또한, 그렇지 않으면 캐소드 층(7)과 애노드 층(2) 사이의 쇼트 회로가 일어날 것이기 때문에, 구조화되어야 한다. 따라서, 캐소드 퇴적에서 섀도우 마스크(8)가 단계 1E에서 도시하는 바와 같이 퇴적으로부터 디바이스의 영역들을 보호하는 데 이용된다. 또한 여기서, 마스크(8)는 물질로 코팅될 것이고, 캐소드 물질은 통상적으로 구리, 은, 알루미늄, 금 등과 같은 금속이다. 단계 1F에서 볼 수 있는 바와 같이, 개별 OLED 세그먼트들(9)의 직렬 접속이 실현될 필요가 있을 때, 하나의 픽셀의 애노드(10)가 다음 픽셀의 캐소드(11)와 접속될 필요가 있기 때문에 매우 복잡한 세트의 섀도우 마스크들이 요구된다.
도 2에서, 본 발명의 양태에 따른 프로세스 스킴이 도시된다. 단계 2A에서, 캐리어 기판(1) 상에 전도체 층(2)이 패턴으로 퇴적된다. 이 전도체 층(2) 상에 유기 광전자 활성 물질이 임의의 마스킹 기법들을 이용하지 않고 전체 영역 위에 퇴적된다. 이 유기 광전자 활성 물질층(4) 상에, 나중에 OLED 디바이스의 캐소드 층(7)을 형성할 제2 전극 물질층이 퇴적된다. 단계 2A가 불순물을 피하기 위해 진공 챔버에서 수행될 수 있지만, 단계들 2B 내지 2D는 진공 챔버 밖에서 수행될 수 있다. 단계들 2B 내지 2D에서, 층류(laminar) OLED 구조가 층들(4 및/또는 7)의 적어도 부분적인 제거에 의해 분리된 OLED 디바이스들로 분할된다. 제거는 레이저 빔(13)에 의해 수행될 수 있다. 제거에 의해 트렌치들(11)이 형성됨으로써, 이웃하는 OLED 디바이스들(12)을 분리한다. 도시되지 않은 본 발명의 방법의 파생체에서, 또한 층(2)이 비-패턴 방식으로 퇴적되고 전도체 물질층(2)의 구조화는 제거 방법들에 의해서 또한 수행된다. 단계 2E에서, 트렌치들(11)은 전도 물질(14)로 적어도 부분적으로 채워지고, 이것은 물질(13)이 이웃하는 제2 OLED 디바이스의 층(3)에 제1 OLED 디바이스의 층(1)을 전기적으로 상호접속한다. 전도 물질(14)은 페이스트일 수 있다. 이 페이스트는 개별 OLED 디바이스들 사이의 트렌치(11) 내로 확장하는 캐소드 층(3) 위에 프린트된다. 퇴적 후에 어닐링 단계가 더 나은 전도성을 실현하기 위해 적용된다. 이것은 또한 레이저 시스템을 이용하여 따라서 오직 OLED 디바이스를 국부적으로 가열하고 따라서 과도한 열 방산에 의한 구조에 대한 손상을 피하여 행해질 수 있다.
앞서 설명된 방법에 의해, 적어도 2개의 직렬 접속된 OLED 디바이스들(12, 15)을 포함하는 일루미넌트가 제공될 수 있고, 각각의 OLED 디바이스(12, 15)는 적어도 제1 전극 물질층(2), 광전자 활성 물질(4) 층 및 제2 전극 물질층(7)을 포함하고, 적어도 2개의 OLED 디바이스(12, 15)는 200㎛보다 작은 패턴 사이즈를 갖는 패턴으로 공통 캐리어 기판(1) 상에 형성된다. OLED 디바이스들(12, 15)은 트렌치(11)에 의해 분리되고, 제1 OLED 디바이스(12)의 제1 전극 물질층(2)은 적어도 부분적으로 트렌치(11)를 채우는 전도 물질(14)에 의해 제2 OLED 디바이스(15)의 제2 전극 물질층(7)에 접속된다. 전도 물질(14)은 어닐링될 수 있는 페이스트이고, 바람직하게는 금속 페이스트들, 전도성 폴리머들 및 전도성 글루들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되고, 이 전도 물질은 열 및/또는 UV-노출에 의해 어닐링될 수 있다.
Claims (12)
- OLED 디바이스들의 직렬 접속을 준비하는 방법으로서,
- 캐리어 기판을 제공하는 단계;
- 상기 캐리어 기판 상에 제1 전극 물질층을 퇴적하는 단계;
- 상기 제1 전극 물질층 상에 유기 광전자 활성 물질의 층을 퇴적하는 단계;
- 상기 유기 광전자 활성 물질층 상에 제2 전극 물질층을 퇴적하는 단계;
- 적어도 선택된 영역들에서 적어도 상기 제2 전극 물질층 및 상기 유기 광전자 활성 물질층을 제거(ablating)하여 상기 캐리어 표면 상에 분리된 OLED 디바이스들을 형성하는 트렌치(trench)를 구축하는 단계; 및
- 제1 OLED 디바이스의 애노드를 이웃하는 제2 OLED 디바이스의 캐소드에 접속함으로써 이웃하는 OLED 디바이스들을 전기적으로 상호접속하는 단계
를 포함하고,
상기 유기 광전자 활성 물질층 및 상기 캐소드 층을 퇴적하는 단계들에서, 상기 캐리어 기판 표면은 그의 전체 기능 영역에 걸쳐서 상기 층들로 커버되고, 상기 이웃하는 OLED 디바이스들의 전기적 상호접속은 상기 제거하는 단계에서 구축된 상기 트렌치들을 전기적 전도 물질로 적어도 부분적으로 채움으로써 수행되는, 방법. - 제1항에 있어서, 상기 제거하는 단계에서 상기 제2 전극 물질층, 상기 유기 광전자 활성 물질층 및 상기 제1 전극 물질층은 분리된 OLED 디바이스들을 형성하는 트렌치를 구축하도록 제거되는, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 물질층은 상기 캐리어 기판 상에 패턴으로 퇴적되는, 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리된 OLED 디바이스들을 상호접속하는 전기적 전도 물질은 트렌치에 배치된 후에 어닐링되는, 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리된 OLED 디바이스들을 상호접속하는 전기적 전도 물질은 전기화학 방법에 의해 도포(apply)되는, 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 전극 물질은 투명한 전도성 산화물인, 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분리된 OLED 디바이스들을 상호접속하는 전기적 전도 물질의 도포 전에, 절연 물질이 적어도 부분적으로 도포되는, 방법.
- 적어도 2개의 직렬 접속된 OLED 디바이스들(12, 15)을 포함하는 일루미넌트(illuminant)로서, 각각의 상기 OLED 디바이스(12, 15)는 적어도 제1 전극 물질층(2), 광전자 활성 물질(4) 층 및 제2 전극 물질층(7)을 포함하고, 상기 적어도 2개의 OLED 디바이스(12, 15)는 200㎛보다 작은 패턴 사이즈를 갖는 패턴으로 공통 캐리어 기판(1) 상에 형성되는 일루미넌트.
- 제8항에 있어서, 상기 OLED 디바이스들(12, 15)은 트렌치(11)에 의해 분리되고, 제1 OLED 디바이스(12)의 상기 제1 전극 물질층(2)은 적어도 부분적으로 상기 트렌치(11)를 채우는 전도 물질(14)에 의해 제2 OLED 디바이스(15)의 상기 제2 전극 물질층(7)에 접속되는 일루미넌트.
- 제9항에 있어서, 상기 전도 물질(14)은 어닐링될 수 있는 페이스트인 일루미넌트.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 전도 물질(14)은 금속 페이스트들, 전도성 폴리머들 및 전도성 글루들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 일루미넌트.
- 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 전도 물질은 열 및/또는 UV-노출에 의해 어닐링될 수 있는 일루미넌트.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170052767A (ko) * | 2015-11-03 | 2017-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법 |
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