JP2007234555A - 照明装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制し、明るい照明装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板10上に第1の電極12、第1の発光ユニット12、中間導電層16、第2の発光ユニット18、第2の電極20を形成する。第2の電極20及び第1の電極12を露出させる開口部22に層間絶縁層24を形成し、第3の電極26を形成する。第3の電極36は、第1の電極12に対する補助電極である。接続部27a、27bは、第2の電極と、第3の電極が異なる発光セル間で電気的に接続する部位である。この構造により発光セル101、発光セル102、発光セル103が直列に接続される。この構造により、照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制し、明るい照明装置を提供することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、エレクトロルミネセンス(Electro Luminecence:EL)を利用した照明装置に関する。
従来より、10V程度の電圧を印加して100〜1000cd/mの輝度で発光する有機エレクトロルミネセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)が知られている。有機EL素子は、薄型化及び軽量化が可能であることから、表示装置や照明装置への応用が期待されている。しかし、実用化のためには、さらなる輝度の向上や劣化を抑制しなければならないことが指摘されている。
一対の電極間に発光層を挟んだ有機EL素子は、光を外部に放射するために、少なくとも一方の電極を透明導電膜で形成する必要がある。透明導電膜は酸化インジウムや酸化亜鉛を主成分としているが、抵抗率が5×10−4Ω・cm程度であり、アルミニウムの3×10−6Ω・cmよりも100倍以上も高いことが知られている。すなわち、有機EL素子を照明の用途で面光源とし利用する場合、全面を同じ輝度で発光させるには、透明導電膜による抵抗損失を解決する必要があった。この問題点を解決するため、陽極の少なくとも一部分に、陽極より電気抵抗の低い補助電極を併設した構造が開示されている(特許文献1参照)。
特開2004−134282号公報
しかしながら、照明装置を大面積化して補助電極を設ける場合、補助電極から離れた部分(例えば、照明装置の中心部)では、輝度低下が起きてしまう。補助電極の面積を拡大すると、有効発光面積が縮小してしまう。
同一基板上に小面積のEL素子を複数個に分割して直列若しくは並列に接続する方法が考えられる。この場合、複数のEL素子を接続するための領域は発光しないので、照明装置における有効発光面積が縮小してしまう。すなわち、照明装置における照明パネルの単位面積当たりに換算した輝度効率は低下してしまう。
そこで、本発明は、照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制し、明るい照明装置を提供することを課題とする。
本発明は、第1の電極と第2の電極の間に設けられた、少なくとも一層の発光層若しくは発光領域を有する発光ユニットが複数個直列に接続され、該直列接続関係にある一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられている照明装置である。この照明装置は、第2の電極と、発光ユニットと中間導電層を貫通する開口部を介して第1の電極と接触する第3の電極とを有している。この開口部は複数個設けられていることが好ましい。
本発明は、第1の電極と第2の電極の間に、設けられた、少なくとも一層の発光層若しくは発光領域を有する発光ユニットが複数個直列に接続され、該直列接続関係にある一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられ、第2の電極と、発光ユニットと中間導電層を貫通する開口部を介して第1の電極と接触する第3の電極とを有する発光セルを複数個有している照明装置である。この照明装置は、第1の電極と第2の電極が、異なる発光セル間で直列接続される電気的接続部を有している。この開口部は複数個設けられていることが好ましい。
この照明装置において、第1の電極は透明電極であり、第3の電極は金属電極であることが好ましい組み合わせとして例示される。
この照明装置において、発光層は、第2族の元素と第16族の元素を含む化合物または第12族の元素と第16族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含むことが好ましい。
本発明において、発光ユニットとは、代表的には周期律第12族と第15族元素を含む母体材料と、発光中心を形成する不純物元素を含む一又は複数の層により構成される。発光ユニットは一対の電極と中間導電層を除いた要素を指す。
中間導電層とは、一の発光ユニットと他の発光ユニットの間に挟まれ、一対の電極の一方を陽極、他方を陰極とした場合に、素子の陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入する機能を持った層をいう。
発光セルとは、一対の電極間に発光ユニットを挟んだものを指し、その積層体及びそれに付随する層構造若しくは電極構造などを含む場合もある。
第1の電極と第2の電極の間に発光ユニットを介在させた発光セルにおいて、少なくとも一方の電極と電気的な接続をする第3の電極を設けることにより、その電極の電気抵抗を低減することができる。すなわち、一対の電極の内、一方の電極を構成する透明導電膜の抵抗率が金属電極に比較して高いことによる抵抗損失の影響を抑制することができる。
一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間には中間導電層を設けることにより、電流密度を高めることなく、発光輝度を高めることができる。また、発光層として、無機化合物を用いることにより、輝度を高め、輝度の経時変化を抑制することができる。
本発明により、照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制し、明るい照明装置を提供することができる。
本発明は、第1の電極と第2の電極の間に設けられた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続され、該直列接続関係にある一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられている照明装置である。この照明装置は、第3の電極を備え、第2の電極と発光セルを貫通する開口部を介して第1の電極と電気的に接続している。第1の電極と第2の電極の間に発光ユニットを介在させた発光セルにおいて、少なくとも一方の電極と電気的な接続をする第3の電極を設けることにより、第1の電極の電気抵抗を低減することができる。
この第1の電極と第3の電極を接続する一態様として、層間絶縁層を介在させる構造がある。それは、第2の電極上及び第2の電極と発光セルを貫通する開口部の側面を被覆して、第1の電極を露出させる層間絶縁層を設ける構造である。層間絶縁層上に第3の電極を形成し、該開口部を介して第1の電極と電気的に接続させる。このように、層間絶縁層を設けると、第2の電極と第3の電極が接触して短絡してしまうことを防止することができる。
本発明は、第1の電極と第2の電極の間に設けられた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続され、該直列接続関係にある一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられた発光セルを複数個備えた照明装置である。発光セルは、第2の電極と発光ユニット及び中間導電層を貫通する開口部を介して第1の電極と電気的に接続する第3の電極を有している。そして、第1の電極と第2の電極が、異なる発光セル間で直列接続される電気的接続部を有している。
このように、第1の電極を補助する第3の電極を設け、さらに発光セルを複数個に分割して直列に接続することにより、発光セルを構成する電極が影響する抵抗損失を抑えることができる。例えば、第1の電極を酸化インジウムや酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜で形成する場合、抵抗率が5×10−4Ω・cm程度となりアルミニウムなどの金属よりも100倍程度高い値となる。この場合、第1の電極を補助する第3の電極としてアルミニウム電極を形成し、さらに発光セルを短冊状に形成し、その短尺方向に複数個を直列接続を形成するように配列させることで、直列抵抗の増大を抑えることができる。
図1に、上記した構成を備える照明装置の構成を示す。ガラス、プラスチック、セラミックス、その他絶縁表面を有する材質から選ばれる基板10上に、第1の電極12が形成されている。第1の電極12は可視光を透過することができる透明導電膜材料を適用することが好ましい。透明導電膜材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化亜鉛などであり、導電性金属酸化物の中から選択することができる。
第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18を形成する。第1の発光ユニット14及び第2の発光ユニット18は、代表的には周期律第12族と第15族元素を含む母体材料と、発光中心を形成する不純物元素を含む一又は複数の層により形成する。また、中間導電層16は、正孔発生層と電子発生層を積層した構成とすることが好ましい。第1の発光ユニット14及び第2の発光ユニット18で発光した光を有効に取り出すためである。その他に、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化亜鉛などの透明導電膜材料で形成しても良い。
第2の発光ユニット18上に、第2の電極を形成する。第2の電極は、アルミニウム、クロム、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、銀などの金属で形成することが好ましい。透明導電膜材料で形成する第1の電極に対して、第2の電極を金属膜で形成することで、発光ユニットで発光した光を反射して第1の電極側に放射させることができる。また、第2の電極20を金属膜で形成することで、この電極について補助電極を設けることを省略することができる。
開口部23は、第1の電極、第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18及び第2の電極20を貫通する。これは、上記した第1の電極12、第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18及び第2の電極20の積層体を基板10上で分割して、個別の発光セルを形成するためのものである。
開口部22は、少なくとも第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18及び第2の電極20を貫通する。これは、上記した第1の電極12を露出させて、第3の電極26と接触させるためのものである。すなわち、開口部22を介して第1の電極12と第3の電極26が電気的に接続される。この場合、一つの発光セルの中で、第2の電極20と第3の電極26は短絡しないように絶縁分離する必要がある。第2の電極20と第3の電極26の間に層間絶縁層24を形成することにより、この両者の絶縁分離を図っている。層間絶縁層24は、第2の電極20上と開口部22の側壁を被覆して、該開口部22の底部で第1の電極12を露出させている。また、開口部23も層間絶縁層24で覆われるようにしている。この構造により、第3の電極26は、第1の電極12と選択的な電気的な接続関係を形成している。
このように、発光セルは、第1の電極12、第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18、第2の電極20、第3の電極26、層間絶縁層24を構成要素として含んでいる。開口部22は第1の電極12と第3の電極26を電気的に接続するために設けられている。そして、開口部23により発光セルを複数に分割している。図1では第1の発光セル101、第2の発光セル102、第3の発光セル103が示されている。
第1の発光セル101と第2の発光セル102は接続部27aで直列に接続されている。第2の発光セル102と第3の発光セル103も接続部27bで直列に接続されている。接続部27a、27bは、第2の電極と、第3の電極が異なる発光セル間で電気的に接続する部位である。この部位は、層間絶縁層24上の第3の電極26が第2の電極20まで延設されて接続する構造を用いている。第3の電極26は、第1の電極12の補助電極であるので、この構造により実質的に第1の電極12と第2の電極20が直列に接続する構造が形成される。
このように、発光セルを複数個に分割して直列に接続することにより、照明装置を安定して発光させることができる。また、第1の電極12を透明導電膜で形成する場合、抵抗率が5×10−4Ω・cm程度となりアルミニウムなどの金属よりも100倍程度高い値となる。このような第1の電極12に対し、第3の電極26をアルミニウムなどの金属で形成することで、実質的に低抵抗化を図ることができる。さらに、図1で示すように、発光セルを短冊状に形成し、その短尺方向に複数個を直列接続することで、照明装置における発光部の面積が増大しても、直列抵抗の増大を抑えることができる。
なお、発光セルにおける中間導電層は、一の発光ユニットと他の発光ユニットの間に挟まれ、一対の電極の一方を陽極、他方を陰極とした場合に、素子の陰極方向にホールを注入し、陽極方向に電子を注入する機能を持つ層である。
中間導電層として、可視光を透過することができる透明導電膜材料を適用することができる。透明導電膜材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化亜鉛などであり、導電性金属酸化物の中から選択される。
中間導電層の他の形態としては、陰極側に正孔発生層、陽極側に電子発生層を配置した積層構造としても良い。正孔発生層は無機化合物と有機化合物との複合材料でなり、この層において無機化合物は有機化合物に対して電子受容性を示す物質であり、有機化合物は正孔輸送性に優れた物質である。無機化合物としては特に限定されないが、遷移金属酸化物が好ましく、具体的には酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが好適である。
有機化合物としては正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10−6cm/V・sec以上であるものを適用することが好ましい。例えば、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベンゼン(略称:m−MTDAB)、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、4,4’−ビス{N−[4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル]−N−フェニルアミノ}ビフェニル(略称:DNTPD)、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)などに代表される芳香族アミン化合物は、ホールを発生しやすく、有機化合物として好適な化合物群である。電子発生層は電子を発生できる層であれば特に限定はされないが、具体的には、電子輸送性の有機化合物と、その有機化合物に対して電子供与性を示す物質とを有する層を含んでいればよい。
電子輸送性の有機化合物としては、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−ビフェニリル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)などを用いることができる。また、電子供与性を示す物質としては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、バリウムなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属、あるいはそれらの合金が挙げられる。また、酸化リチウム、酸化バリウム、窒化リチウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウムなどのアルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物を用いることもできる。
中間導電層を介して直列に接続する発光ユニットの数は二層に限定されない。発光ユニットを積層する毎に中間導電層を設ければ二層以上の発光ユニットを積層することができる。一対の電極間に複数の発光ユニットを中間導電層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度で発光セルを発光させることができる。特に照明用途の場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、このような中間導電層を、発光ユニットの端部に至らない内側に設けることで、異なる発光セルの間にリーク電流が流れてしまうことを防止することができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ要素を指す符号は異なる図面で共通して用い、その場合における繰り返しの説明は省略する場合がある。
本実施例は、エレクトロルミネセンスを利用する照明装置において、発光領域内での輝度のばらつきを抑制し、明るい照明装置を提供するための構成について図2と図3を参照して説明する。なお、図2は本実施例に係る照明装置の作製方法及び構造を説明する断面図であり、図3は同平面図を示している。以下の説明では、適宜両図を参照して説明する。
図2(A)において、基板10上に第1の電極12を形成する。第1の電極12を透明電極で形成する場合には、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化亜鉛などの酸化物導電性材料を用いて形成することが好ましい。第1の電極12はスパッタリング法、蒸着法で形成することができる。
次いで第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18を形成する。第1の発光ユニット14及び第2の発光ユニット18は、代表的には周期律第12族と第15族から選ばれた元素を含む母体材料と、発光中心を形成する不純物元素を含む一又は複数の層により形成する。また、中間導電層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化亜鉛などの酸化物導電性材料で形成することが好ましい。第1の発光ユニット及び第2の発光ユニットで発光した光を有効に取り出すためである。その他に、正孔発生層と電子発生層を積層して形成しても良い。なお、発光ユニット、中間導電層及びこの両者を備えた発光セルの構成は、実施例2と実施例3で詳細に説明する。
第2の発光ユニット18上に第2の電極20を形成する。第2の電極20は金属電極として、代表的にはアルミニウムを用いて形成することが好ましい。透明電極で形成する第1の電極12側から光を効率良く放射するためである。アルミニウムは可視光帯域における反射率が高く、真空蒸着法やスパッタリング法で容易に形成することができる。その他の金属としては、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、銀などを用いることもできる。
図2(B)及び図3(A)は、第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18及び第2の電極20を貫通する開口部22a、22b、22c、22d、22e、22fを形成した状態である。また、第1の電極12、第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18及び第2の電極20を貫通する開口部23a、23bも形成されている。開口部22a、22b、22c、22d、22e、22fは第1の電極12と、後の工程で形成される第3の電極とのコンタクトを形成するために形成する。開口部23a、23bは、複数の発光セルを基板10上に形成するためのものであり、すなわち素子分離をするための開口である。1枚の基板上で第1の電極を分割する数は任意であるが、発光セルを形成したときの直列抵抗の影響を考慮して寸法を決めることが好ましい。分割された後の第1の電極の形状も任意であるが、長方形若しくは短冊状とする場合には、短尺方向に発光セルが直列接続されるような配列とすることが好ましい。第1の電極に対しては、補助電極として第3の電極が形成されるが、可能な限り直列抵抗の影響を抑えるためである。
開口部はレーザ加工法やリフトオフ加工法で透明導電膜又は金属膜を直接的に加工することができる。開口部22a、22b、22c、22d、22e、22fを形成する場合には、例えばNd:YAGレーザの第2高調波(波長:532nm)を基板10側(基板10を透過させて第1の電極12側から)照射してアブレーション加工する。可視光帯域のレーザビームは、酸化インジウム酸化スズなどで形成される透明電極を透過するので、第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18及び第2の電極20を選択的に加工することができる。開口部23a、23bを形成する場合には、例えばNd:YAGレーザの基本波(波長:1060nm)を用いてレーザパワー密度を高めて加工する。また、フォトリソグラフィー技術を用いてマスクパターンを基板上に形成し、エッチング加工しても良い。エッチング加工は、エッチングガスとして塩素系ガス(例えば、SiClなど)を用いて反応性イオンエッチング法により行う。
開口部22a、22b、22c、22d、22e、22fの径は5〜500μm、好ましくは20〜200μmで形成する。また、一つの発光セル内で複数個設けること好ましく、そのピッチは100μmから5000μm、好ましくは500μmから2000μmとすれば良い。
次いで、第2の電極上に層間絶縁層を形成する。層間絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素などの無機絶縁材料、アクリル、ポリイミドなどの有機絶縁材料で形成する。層間絶縁層は第2の電極及び開口部を覆って全面に形成した後、エッチング加工により、各発光セルに対応して形成すれば良い。
図2(C)及び図3(B)は、第1の電極12aに対応して層間絶縁層24aが形成され、第1の電極12bに対応して層間絶縁層24bが形成され、第1の電極12cに対応して層間絶縁層24cが形成された状態を示している。層間絶縁層24aは、第2の電極20aから開口部22a、22bにかけて形成され、当該開口部の底面で第1の電極12aを露出させている。層間絶縁層24bは、第2の電極20bから開口部22b、22bにかけて形成され、当該開口部の底面で第1の電極12bを露出させている。また開口部23aを被覆している。層間絶縁層24cは、第2の電極20cから開口部22c、22cにかけて形成され、当該開口部の底面で第1の電極12cを露出させている。また開口部23bを被覆している。
図2(D)及び図3(C)は、第3の電極を形成した状態を示している。第3の電極26aは層間絶縁層24a上に形成され、開口部22a、22bの底部で第1の電極12aと電気的に接続されている。第3の電極26bは層間絶縁層24b上に形成され、開口部22c、22dの底部で第1の電極12bと電気的に接続されている。第3の電極26cは層間絶縁層24c上に形成され、開口部22e、22fの底部で第1の電極12cと電気的に接続されている。
このようにして、基板10上に複数の発光セル、すなわち第1の発光セル101、第2の発光セル102、第3の発光セル103が形成される。第1の発光セル101と第2の発光セル102は、接続部27aで第2の電極20aと、第3の電極26bが接触することにより直列接続を形成している。第2の発光セル102と第3の発光セル103は、接続部27bで第2の電極20bと、第3の電極26cが接触することにより直列接続を形成している。
本実施例に係る照明装置は、複数の発光セルを直列に接続する際に、電気配線を引き回す必要が無く、積層する被膜のみで電気的な接続をすることができる。それにより、照明装置における接点不良を無くすことができる。
また、本実施例に係る照明装置は、1枚の基板上で発光セルを複数個に分割して直列に接続されているので、照明装置を安定して発光させることができる。透明電極で形成される第1の電極に対し、第3の電極をアルミニウムなどの金属で形成することで、実質的に低抵抗化を図ることができる。さらに、発光セルを短冊状に形成し、その短尺方向に複数個を直列接続することで、照明装置における発光部の面積が増大しても、直列抵抗の増大を抑えることができる。
本実施例は、実施例1で示す発光ユニットの発光層として適した発光材料について説明する。本実施例で例示する発光材料は、実施例1乃至3の発光ユニットに適用することができる。なお、本実施例で例示する発光材料は、母体材料及び発光中心となる少なくとも1種類以上の不純物元素で構成される材料である。なお、これら不純物元素は母体材料を構成する元素を含まない。
発光材料に用いる母体材料は無機材料として、硫化物、酸化物、窒化物を用いる。硫化物としては、例えば、硫化亜鉛(ZnS)、硫化カドミウム(CdS)、硫化カルシウム(CaS)、硫化イットリウム(Y)、硫化ガリウム(Ga)、硫化ストロンチウム(SrS)、硫化バリウム(BaS)などを用いることができる。酸化物としては、例えば、酸化亜鉛(ZnO)、酸化イットリウム(Y)などを用いることができる。また、窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)などを用いることができる。さらに、セレン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)なども用いることができ、硫化カルシウム−ガリウム(CaG2S)、硫化ストロンチウム−ガリウム(SrGa)、硫化バリウム−ガリウム(BaGa)、などの3元系の混晶であってもよい。
不純物元素としては、金属イオンの内殻電子遷移を利用した発光中心を形成するものとして、マンガン(Mn)、銅(Cu)、サマリウム(Sm)、テルビウム(Tb)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、ユーロピウム(Eu)、セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)などの金属元素を用いることができる。なお、電荷補償として、フッ素(F)、塩素(Cl)などのハロゲン元素が添加されていてもよい。
また、ドナー−アクセプタ再結合を利用した発光中心として、第一の不純物元素及び第二の不純物元素を含む発光材料を用いることができる。第一の不純物元素としては、例えば、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、白金(Pt)などの金属元素、珪素(Si)などを用いることができる。第二の不純物元素は、例えば、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Tl)などを用いることができる。
本実施例に係る発光材料は固相反応、すなわち、母体材料及び不純物元素を秤量し、乳鉢で混合、電気炉で加熱して反応させる方法により、母体材料に不純物元素を含有させる。例えば、母体材料と、第一の不純物元素又は第一の不純物元素を含む化合物と、第二の不純物元素又は第二の不純物元素を含む化合物をそれぞれ秤量し、乳鉢で混合した後、電気炉で加熱、焼成を行う。焼成温度は、700〜1500℃が好ましい。温度が低すぎる場合は固体反応が進まず、温度が高すぎる場合は母体材料が分解してしまうからである。なお、粉末状態で焼成を行ってもよいが、ペレット状態で焼成を行うことが好ましい。
また、固相反応を利用する場合の不純物元素として、第一の不純物元素と第二の不純物元素で構成される化合物を組み合わせて用いてもよい。この場合、不純物元素が拡散されやすく固相反応が進みやすくなるため、均一な発光材料を得ることができる。さらに余分な不純物元素が入らないため、純度の高い発光材料が得ることができる。第一の不純物元素と第二の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、フッ化銅(CuF)、塩化銅(CuCl)、ヨウ化銅(CuI)、臭化銅(CuBr)、窒化銅(CuN)、リン化銅(CuP)、フッ化銀(CuF)、塩化銀(CuCl)、ヨウ化銀(CuI)、臭化銀(CuBr)、塩化金(AuCl)、臭化金(AuBr)、塩化白金(PtCl)などを用いることができる。また、第二の不純物元素の代わりに第三の不純物元素を含んだ発光材料を用いてもよい。
第三の不純物元素は、例えば、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)などを用いることができる。これらの不純物元素の濃度は、母体材料に対して0.01〜10mol%であれば良く、好ましくは0.1〜5mol%の範囲である。
高い電気導電性を有する発光材料としては、母体材料として、上述した材料を用い、上述した第一の不純物元素及び第二の不純物元素及び第三の不純物元素を含む発光材料を添加した発光材料を用いることができる。これらの不純物元素の濃度は、母体材料に対して0.01〜10mol%であれば良く、好ましくは0.1〜5mol%の範囲であれば良い。
第二の不純物元素と第三の不純物元素で構成される化合物としては、例えば、フッ化リチウム(LiF)、塩化リチウム(LiCl)、ヨウ化リチウム(LiI)、臭化銅(LiBr)、塩化ナトリウム(NaCl)などのハロゲン化アルカリ、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、アルミニウムアンチモン(AlSb)、ガリウムリン(GaP)、ガリウムヒ素(GaAs)、インジウムリン(InP)、インジウムヒ素(InAs)、インジウムアンチモン(InSb)などを用いることができる。
母体材料として、上述した材料を用い、上述した第一の不純物元素及び第二の不純物元素及び第三の不純物元素を含む発光材料を用いた発光層は、高電界により加速されたホットエレクトロンを必要とすることなく、発光することが可能である。つまり、発光素子に高電圧を印加する必要がなくなるため、低駆動電圧で動作可能な発光素子を得ることができる。また、低駆動電圧で発光可能であるため、消費電力も低減された発光素子を得ることができる。また、さらに他の発光中心となる元素が含まれていてもよい。
また、母体材料として上述した材料を用い、第二の不純物元素及び第三の不純物元素及び上述した金属イオンの内殻電子遷移を利用した発光中心を含む発光材料を用いることができる。この場合、発光中心となる金属イオンは、母体材料に対して0.05〜5原子%であることが好ましい。また、第二の不純物元素の濃度は、母体材料に対して0.05〜5原子%であることが好ましい。また、第三の不純物元素の濃度は、母体材料に対して0.05〜5原子%であることが好ましい。このような構成の発光材料は、低電圧で発光可能である。よっって、低駆動電圧で発光可能な発光素子を得ることができるため、消費電力が低減された発光素子を得ることができる。また、さらに他の発光中心となる元素が含まれていてもよい。
例えば、特開2005−336275号公報に開示されているものとして、母体材料としてZnS、第1の不純物としてCu、第2の不純物としてCl及びGa、第3の不純物元素してAsを含み、さらに他の発光中心としてMnを含む発光材料を用いることも可能である。このような発光材料を形成するには、以下に示す方法を用いることができる。ZnSに、硫酸銅(CuS)、硫黄、酸化亜鉛(ZnO)を配合した発光体(ZnS:Cu,Cl)にMnを加え、真空中で2〜4時間程度焼成する。焼成温度は700〜1500℃であることが好ましい。この焼成したものを粉砕して粒径5〜20μmにし、粒径1〜3μmのGaAsを加え撹拌する。この混合物を硫黄ガスを含む窒素気流中で約500〜800℃で2〜4時間焼成することにより、発光材料を得ることができる。この発光材料を用いて、蒸着法などにより薄膜を形成することにより、発光素子の発光層として用いることができる。
また、上記の発光材料に対して、さらに、不純物元素を添加することにより、発光材料の結晶系を制御することができる。結晶系を制御できる不純物としては、立方晶系のものとして、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、InSb、Si、Geなどを挙げることができる。また、六方晶系のものとして、GaN、InNを挙げることができる。他にもAlP、AlN、AlSbなどを用いることができる。発光材料の結晶系を制御することにより、発光効率を向上させることができる。
本実施例の発光材料を用いることにより、実施例1の照明装置を低電圧で駆動させることができる。また、照明装置を直流電圧で発光させることも可能となる。
本実施例は、実施例1で示す発光ユニットと、当該発光ユニットを用いた発光セルの構成について図面を参照して説明する。
図4(A)は、第1の電極12、第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18、第2の電極20が積層された発光セルを示している。この発光セルは、第1の電極12と、第2の電極20の間に電圧を印加することで発光させることができる。
第1の電極12は、種々の金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。第1の電極12を透明電極とする場合には、酸化インジウム酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛(IZO:Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム酸化スズなどを用いて形成する。これらの導電性金属酸化物膜は、スパッタリングにより作製することができる。例えば、酸化インジウム酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1〜20重量%の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いたスパッタリングにより形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム−酸化スズは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5〜5重量%、酸化亜鉛を0.1〜1重量%含有したターゲットを用いたスパッタリングにより形成することができる。第1の電極12を金属電極とする場合には、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)などを用いることができる。
第2の電極20は、第1の電極12と同様にして形成することができる。第2の電極20は第1の電極12と対を成して形成するので、一方の電極を透明電極とする場合には、他方を金属電極で形成すれば良い。また、両方の電極を透明電極で形成しても良い。
第1の発光ユニット14及び第2の発光ユニット18は、発光層201により形成されている。この発光層201は、実施例4で説明した発光材料を用いて作製することができる。
中間導電層16は、中間導電層、第2の発光ユニットを形成する。第1の発光ユニット及び第2の発光ユニットは、代表的には周期律第12族と第15族元素を含む母体材料と、発光中心を形成する不純物元素を含む一又は複数の層により形成する。また、中間導電層は、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化亜鉛などの透明導電膜材料で形成することが好ましい。第1の発光ユニット及び第2の発光ユニットで発光した光を有効に取り出すためである。中間導電層の他の構成として、正孔発生層と電子発生層を積層した構成としても良い。
正孔発生層は無機化合物と有機化合物との複合材料で形成することができる。正孔発生層を形成するものとして、無機化合物は有機化合物に対して電子受容性を示す物質であり、有機化合物は正孔輸送性に優れた物質である。無機化合物としては特に限定されないが、遷移金属酸化物が好ましく、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが好適である。いずれにしても、中間導電層16は可視光領域の吸収ができるだけ小さいことが望ましい。
有機化合物としては正孔輸送層の材料として、TDATA、MTDATA、m−MTDAB、TPD、NPB、DNTPD、TCTAなどに代表される芳香族アミン化合物は、ホールを発生しやすく、有機化合物として好適な化合物群である。
電子発生層としては、電子輸送性の有機化合物と、その有機化合物に対して電子供与性を示す物質とを有する層を含んでいればよい。電子輸送性の有機化合物としては、Alq、Almq、BeBq、BAlq、Zn(BOX)、Zn(BTZ)、BPhen、BCP、PBD、OXD−7、TPBI、TAZ、p−EtTAZなどを用いることができる。また、電子供与性を示す物質としては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、バリウムなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属、あるいはそれらの合金がある。また、酸化リチウム、酸化バリウム、窒化リチウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウムなどのアルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物を用いることもできる。
いずれにしても、第1の発光ユニット14と第2の発光ユニット18に挟まれる中間導電層16は、第1の電極12と第2の電極20に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。
図4(A)では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても適用することができる。一対の電極間に複数の発光ユニットを中間導電層で連結することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度で発光させつつ劣化を抑制することができる。
図4(B)は、第1の発光ユニット14及び第2の発光ユニット18の構成として、発光層201とバリア層202を組み合わせたものである。バリア層202は発光層201の陰極側に配置することが好ましい。バリア層202は膜厚を0.1〜2nm程度とし、トンネル電流が流れる厚さで形成する。バリア層202は、絶縁性又は半絶縁性の金属酸化物又は金属窒化物を用いることができる。例えば、アルミニウム、タングステン、クロム、モリブデン、チタンなどの酸化物又は窒化物を用いることができる。このような金属酸化物又は金属窒化物の薄膜はスパッタリング法で形成することができる。また、金属電極の表面を陽極酸化して形成することもできる。
バリア層202を設けることにより、電極と発光層の界面でキャリアが再結合してしまうことを防止することができる。また、発光層に注入されたキャリアに対しバリアとなるので、キャリアが発光に寄与せずそのまま電極や中間導電層に流れ込んでしまう確率を抑制することができる。このような構成とすることで、発光効率を高めることができる。なお、図4(B)は、第1の電極12が陽極、第2の電極20が陰極の場合を想定している。第1の電極12を陰極、第2の電極20を陽極とする場合には、バリア層202の配置は反転する。
図4(C)は、第1の発光ユニット14及び第2の発光ユニット18の構成として、発光層201の両側にバリア層202を設けたものである。バリア層202は膜厚を0.1〜2nm程度とし、トンネル電流が流れる厚さで形成する。ことで、図4と同様の効果が得られる。また、バリア層202を10nm〜1000nmとすると、交流駆動により発光させることもできる。
図5(A)、(B)は、発光セルにおいて、無機材料で形成される発光層に、キャリア注入性を高めるために有機無機複合材料層を組み合わせる態様を示している。この場合も発光セルは、第1の電極12、第1の発光ユニット14、中間導電層16、第2の発光ユニット18、第2の電極20で構成される。
図5(A)は、第1の発光ユニット14及び第2の発光ユニット18の構成として、発光層201と有機無機複合材料層203を組み合わせる構成を示している。有機無機複合材料層203は正孔を注入するものとして、発光層201の陽極側に設けることが好ましい。図5(A)は、第1の電極12が陽極、第2の電極20が陰極の場合を想定している。第1の電極12を陰極、第2の電極20を陽極とする場合には、有機無機複合材料層203の配置を反転させれば良い。
有機無機複合材料層203は、有機化合物と無機化合物とを複合してなる有機無機複合材料である。有機無機複合材料に用いる有機化合物として、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマーなど)などを化合物を用いることができる。なお、有機無機複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm/V・sec以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。以下では、有機無機複合材料に用いることのできる有機化合物を例示する。
芳香族アミン化合物としては、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)などを挙げることができる。
また、以下に示す有機化合物を用いることにより、450nm〜800nmの波長領域において、吸収ピークを有しない有機無機複合材料を得ることができる。例えば、N,N’−ジ(p−トリル)−N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)などを挙げることができる。
カルバゾール誘導体としては、具体的には、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)などがある。
また、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)、2,3,5,6−トリフェニル−1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼンなどを用いることができる。
また、450nm〜800nmの波長領域において、吸収ピークを有しない有機無機複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)−2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuDNA)、9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)−2−tert−ブチルアントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、9,10−ジ(4−フェニルフェニル)−2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuDBA)、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAnth)、9,10−ジ(4−メチルナフタレン−1−イル)アントラセン(略称:DMNA)、2−tert−ブチル−9,10−ビス[2−(ナフタレン−1−イル)フェニル]アントラセン、9,10−ビス[2−(ナフタレン−1−イル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’−ジ(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレンなどがある。また、この他、ペンタセン、コロネンなども用いることができる。このように、1×10−6cm/V・sec以上の正孔移動度を有し、炭素数14〜42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
450nm〜800nmの波長領域において、吸収ピークを有しない有機無機複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)などがある。
ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)などの高分子化合物を用いることもできる。
有機無機複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属酸化物が好ましい。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物であることが好ましい。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く扱いやすいので好ましい材料である。
上記のような有機化合物と無機化合物を複合化して(互いに相互作用させて)、得られる有機無機複合材料は、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。また導電性が高い。よって、電極からキャリアを注入しやすく、発光層へ効率良くキャリアを輸送することができる。また、導電性金属酸化物、各種金属とオーム接触をすることが可能となるため、仕事関数に依らず電極を形成する材料を選択することができる。また、450nm〜800nmの波長領域において、吸収ピークを有しない有機無機複合材料を、有機無機複合材料層203として用いることにより、発光層201の発光を吸収することなく効率良く透過し、外部取り出し効率を向上させることができる。
また、有機化合物と無機化合物とを複合した有機無機複合材料を含む層は導電性が高いため、有機無機複合材料を含む層を厚膜化した場合でも、駆動電圧の上昇を抑制することができる。よって、駆動電圧の上昇を抑制しつつ、外部への光の取り出し効率が高くなるように有機無機複合材料を含む層の膜厚を最適化することが可能となる。また、駆動電圧を上昇させることなく、光学設計による色純度の向上を実現することができる。
なお、有機無機複合材料を含む層の製造方法は、湿式法、乾式法を問わず、どのような手法を用いても良い。例えば、有機無機複合材料を含む層は、上述した有機化合物と無機化合物との共蒸着で作製することができる。また、上述した有機化合物と金属アルコキシドを含む溶液を塗布し、焼成することによって得ることもできる。なお、酸化モリブデンは真空中で蒸発しやすく、作製プロセスの面からも好ましい。
このように、第1の電極12(陽極)と発光層201の間、若しくは中間導電層16と発光層201の間に有機無機複合材料層203を設けることで、発光層に対する正孔の注入性を向上させることができる。発光層201を形成する母材料は導電型がn型であるので、正孔注入性を向上させる有機無機複合材料層203を組み合わせることにより、キャリアの注入性を高めることができる。それにより、照明装置において、低電圧の点灯を可能とし、発光効率を高めることができる。すなわち、低消費電力化を図ることができる。
図5(B)は発光層201の一方の面に有機無機複合材料層203を設け、他方の面にバリア層202を設ける構成を示している。バリア層202は、電極と発光層の界面でキャリアが再結合してしまうことを防止することができる。また、発光層に注入されたキャリアに対しバリアとなるので、キャリアが発光に寄与せずそのまま電極や中間導電層に流れ込んでしまう確率を抑制することができる。このように、有機無機複合材料層203とバリア層202を組み合わせることにより、より発光効率を高めることができる。
本実施例で示す発光セルの構成は、実施例1の照明装置と組み合わせることができる。
実施例1乃至3により、複数の発光セルを基板上で直列に接続した照明装置の態様を、図6を参照して説明する。図6は照明装置の斜視図を示している。
基板10には、発光セルを直列に接続した発光セルアレイ形成領域30を有している。発光セルの直列接続構造は、実施例1乃至3の構成を適用している。さらに、本実施例の態様では、発光セルアレイ形成領域30を、基板10を基板上で複数に分割している。基板上で発光セルアレイ形成領域を複数に分割することで、照明装置の外形寸法が大型化した場合でも、電極により抵抗損失の影響を低減することができる。また、個別の発光セルアレイ形成領域に対応して点灯回路を設けることにより、明るさ調整機能を付加することができる。
基板10の光放射面には拡散板34が設けられている。拡散板34は光を均一化すると共に、直列接続構造を持つ発光セルアレイ形成領域30の非発光領域(暗点部)を目立たなくして隠す機能を有する。封止板32は、発光セルアレイ形成領域30を保護するために設ける。封止板32は、ガラス、プラスチックの硬質材の他に、柔軟な可撓性フィルムを貼り付けても良い。また、封止板32側に光を放射する場合は、拡散板でそれを代用することもできる。封止板32は、基板10の端部に形成する取り出し電極36a、36b、37a、37bを露出させるように取り付けると良い。なお、発光セルアレイに対応して、取り出し電極36aと取り出し電極37a、取り出し電極36bと取り出し電極37bが設けられている。
本発明に係る照明装置は、発光セルを直列に接続した発光セルアレイを薄膜で形成することができるので、薄型の照明装置を実現できる。実施例1乃至5で説明した発光セルアレイは、各層を薄膜で形成することができるので、20μmを超えない厚さで形成することができる。そのため、住宅の照明として用いる場合にも、壁、天井あるいは床面に、照明装置を突出させずに埋め込むことができる。勿論、薄型の液晶ディスプレーのバックライトとしても用いることができる。
本実施例は、本発明に係る照明装置の様々な態様について例示する。
図7は、照明装置303を液晶表示装置のバックライトとして用いる態様を示している。照明装置303は実施例1乃至6で説明されるものと同様の構成を有しており、薄型で発光効率が高いという特徴を有している。この照明装置303は、液晶パネル302の背面側(表示面とは反対側)に配置され、筐体301、304によって収納される。液晶パネル302には、信号線駆動回路305、走査線駆動回路306などが実装されていても良い。
筐体301、304の形状は用途に応じて様々な形状に変容する。例えば、ノート型パーソナルコンピュータや液晶テレビジョンなどの民生用途では、意匠を凝らした筐体に照明装置303が収納されることにより外観上は目立たなくなる。しかしながら、照明装置303は薄型であることから、筐体の中に容易に収納することができる。それにより、意匠設計の自由度を高めることができる。また、照明装置303を高輝度で発光させることにより、コントラストの高い液晶表示装置を提供することができる。また、低消費電力化にも寄与することができる。
図8はテレビジョン装置400であり、筐体401、支持台402、表示部403、スピーカー部404、ビデオ入力端子405を含む。このテレビジョン装置において、表示部403は、透過型の液晶ディスプレーであり、バックライトとして実施例1乃至6で説明したものと同様の照明装置を含んでいる。
このテレビジョン装置の一構成例を図11に示す。チューナ回路311は映像信号と音声信号を受信する。映像信号は、映像波増幅回路310により増幅して映像信号処理回路309で赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換される。その映像信号は、コントロール回路308で処理されて、信号線駆動回路305及び走査線駆動回路306に出力される。液晶パネル302をデジタル駆動する場合には、信号線側に信号分割回路307を設け、入力デジタル信号をm個に分割して供給する構成としても良い。チューナ回路311で受信した信号のうち、音声信号は、音声波増幅回路312により増幅して音声信号処理回路313で復調されてスピーカ314に出力される。制御回路315は受信局(受信周波数)や音量の制御情報を入力部316から受け、チューナ回路311や音声信号処理回路313に信号を送出する。
照明装置303は液晶パネル302の背面から照明する。照明装置303の明るさは、光センサ317によって制御可能にしても良い。光センサ317は外光強度を検知して、その出力信号を照明装置駆動回路318に送る。照明装置駆動回路318は光センサ317の出力信号に応じて、外光強度が高い時には照明装置303の輝度を高め、外光強度が低い時には低くなるように調節することができる。
この照明装置303は、発光効率が高く駆動電圧が低いという特徴を有しているので、昼間の明るい室内でも、液晶テレビジョンによる鮮やかな映像を鑑賞することができる。このような特徴により、テレビジョン装置において、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができ、筐体や支持台の小型軽量化を図ることが可能である。それにより住環境に適合した製品を提供することができる。
この照明装置は、発光効率が高く、駆動電圧が低いという特徴を有している。また、外部からの衝撃などによる短絡を防止することも可能である。従って、このテレビジョン装置は低消費電力化が図られている。このような特徴により、テレビジョン装置において、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができ、筐体401や支持台402の小型軽量化を図ることが可能である。それにより住環境に適合した製品を提供することができる。
図9は、実施例1乃至6で説明したものと同様の照明装置を室内の照明器具501、502として用いた例である。照明器具501は天井に取り付け、照明器具502は壁に埋め込んだ態様と示している。本発明に係る照明装置は、大型化が可能であり、また大型化しても面内で均一な明るさを得ることができる。さらに薄型で低消費電力であるという特徴を備えている。
図10は、照明器具501を天井に取り付けた状態を例示している。この照明器具501は、発光セルアレイが形成される基板10、封止板32、取り付けヒンジ38、カバー材40を含んでいる。照明装置の取り出し電極36a、36bは基板10の端部に設けられ、取り付けヒンジ38の一部がコネクタとして利用されている。カバー材40は調光機能を備えている。これらの要素が一体となった照明器具501を天井に取り付けても、図10で示すように天井面から殆ど突出させずに取り付けることができる。また、取り付けヒンジ38を強固な構造部材として設計すれば、天井の中に埋め込むこともできる。
このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明器具501、502として用いた部屋に、図8で説明すテレビジョン装置400を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、照明器具501、502及びテレビジョン装置400共に低消費電力であるので、電気料金を心配せずに、明るい部屋で迫力のある映像を鑑賞することができる。
照明装置としては、本実施例で例示したものに限られず、住宅や公共施設の照明をはじめ、様々な形態の照明装置として応用することができる。このような場合において、本発明に係る照明装置は、発光媒体が薄膜状であるので、意匠の自由度が高いので、様々な商品を市場に提供することができる。
本発明に係る照明装置の構成を示す断面図。 実施例1に係る照明装置の構成を示す断面図。 実施例1に係る照明装置の構成を示す平面図。 第1の電極、第1の発光ユニット、中間導電層、第2の発光ユニット、第2の電極が積層された発光セルを示す図。 第1の電極、第1の発光ユニット、中間導電層、第2の発光ユニット、第2の電極が積層された発光セルを示す図。 照明装置の構成を示す斜視図。 照明装置を液晶表示装置のバックライトとして用いる態様を示す図。 照明装置を用いた電気器具の一例を示す図。 照明装置の一例を示す図。 図9の照明装置の取り付け構造を示す図。 照明装置を用いたテレビジョン装置の一構成例を示すブロック図。
符号の説明
10 基板
12 第1の電極
12a 第1の電極
12b 第1の電極
12c 第1の電極
14 第1の発光ユニット
14a 第1の発光ユニット
14b 第1の発光ユニット
14c 第1の発光ユニット
16 中間導電層
16a 中間導電層
16b 中間導電層
16c 中間導電層
18 第2の発光ユニット
18a 第2の発光ユニット
18b 第2の発光ユニット
18c 第2の発光ユニット
20 第2の電極
20a 第2の電極
20b 第2の電極
20c 第2の電極
22 開口部
22a 開口部
22b 開口部
22c 開口部
22d 開口部
22e 開口部
22f 開口部
23 開口部
23a 開口部
23b 開口部
24 層間絶縁層
24a 層間絶縁層
24b 層間絶縁層
24c 層間絶縁層
26 第3の電極
26a 第3の電極
26b 第3の電極
26c 第3の電極
27a 接続部
27b 接続部
30 発光セルアレイ形成領域
32 封止板
34 拡散板
36a 取り出し電極
36b 取り出し電極
37a 取り出し電極
37b 取り出し電極
38 取り付けヒンジ
40 カバー材
101 第1の発光セル
102 第2の発光セル
103 第3の発光セル
201 発光層
202 バリア層
203 有機無機複合材料層
301 筐体
302 液晶パネル
303 照明装置
304 筐体
305 信号線駆動回路
306 走査線駆動回路
307 信号分割回路
308 コントロール回路
309 映像信号処理回路
310 映像波増幅回路
311 チューナ回路
312 音声波増幅回路
313 音声信号処理回路
314 スピーカ
315 制御回路
316 入力部
317 光センサ
318 照明装置駆動回路
400 テレビジョン装置
401 筐体
402 支持台
403 表示部
404 スピーカー部
405 ビデオ入力端子
501 照明器具
502 照明器具

Claims (12)

  1. 第1の電極と第2の電極の間に設けられた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続され、該直列接続関係にある一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられ、
    前記第2の電極と、前記発光ユニット及び中間導電層を貫通する開口部を介して前記第1の電極と接触する第3の電極とを有すること
    を特徴とする照明装置。
  2. 第1の電極と第2の電極の間に設けられた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続され、該直列接続関係にある一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられ、
    前記第2の電極、前記発光ユニット及び前記中間導電層を貫通する開口部と、
    前記第2の電極上及び前記開口部の側面を被覆して、前記第1の電極を露出させる層間絶縁層と、
    前記層間絶縁層上に形成され、前記開口部を介して前記第1の電極と接触する第3の電極とを有すること
    を特徴とする照明装置。
  3. 第1の電極と第2の電極の間に、設けられた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続され、該直列接続関係にある一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられ、
    前記第2の電極と、前記発光ユニット及び中間導電層を貫通する開口部を介して前記第1の電極と接触する第3の電極とを有する発光セルを複数個有し、
    前記第1の電極と、前記第2の電極が、異なる発光セル間で直列接続される電気的接続部を有すること
    を特徴とする照明装置。
  4. 第1の電極と第2の電極の間に、設けられた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが複数個直列に接続され、該直列接続関係にある一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられ、
    前記第2の電極、前記発光ユニット及び前記中間導電層を貫通する開口部と、
    前記第2の電極上及び前記開口部の側面を被覆して、前記第1の電極を露出させる層間絶縁層と、
    前記層間絶縁層上に形成され、前記開口部を介して前記第1の電極と接触する第3の電極とを有する発光セルを複数個有し、
    前記第1の電極と、前記第2の電極が、異なる発光セル間で直列接続される電気的接続部を有すること
    を特徴とする照明装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか一項において、
    前記発光層は、第2族の元素と第16族の元素を含む化合物または第12族の元素と第16族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含むこと
    を特徴とする照明装置。
  6. 請求項5において、
    前記母体材料は、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化カルシウム、硫化イットリウム、硫化ガリウム、硫化ストロンチウム、硫化バリウム、酸化亜鉛、酸化イットリウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化カルシウム−ガリウム、硫化ストロンチウム−ガリウム、硫化バリウム−ガリウムのいずれかであること
    を特徴とする照明装置。
  7. 請求項5において、
    前記不純物元素は、発光中心となる金属元素であること
    を特徴とする照明装置。
  8. 請求項5において、
    前記不純物元素は複数種含まれており、
    発光中心となる金属元素と、
    フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Tl)のいずれか一と、
    リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)のいずれか一であること
    を特徴とする照明装置。
  9. 請求項7又は8において、
    前記金属元素は、母体材料に対して0.05乃至5原子%の濃度で含まれていること
    を特徴とする照明装置。
  10. 請求項5において、
    前記不純物元素は複数種含まれており、銅、銀、金、白金、珪素のいずれか一と、
    フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムのいずれか一であること
    を特徴とする照明装置。
  11. 請求項5において、
    前記不純物元素は複数種含まれており、銅、銀、金、白金、珪素のいずれか一と、
    リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスのいずれか一であること
    を特徴とする照明装置。
  12. 請求項5において、
    前記不純物元素は複数種含まれており、銅、銀、金、白金、珪素のいずれか一と、
    フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムのいずれか一と、
    リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスのいずれか一であること
    を特徴とする照明装置。
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