KR20120100685A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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KR20120100685A
KR20120100685A KR1020110093580A KR20110093580A KR20120100685A KR 20120100685 A KR20120100685 A KR 20120100685A KR 1020110093580 A KR1020110093580 A KR 1020110093580A KR 20110093580 A KR20110093580 A KR 20110093580A KR 20120100685 A KR20120100685 A KR 20120100685A
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나오키 후지와라
시게키 타니자와
아츠시 노즈키
세이이치로 사노
준 사와시마
히데카즈 이시카와
토모노리 후지와라
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다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
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    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to prevent contamination or poor quality of a substrate by preventing a processing liquid from dropping to the substrate from a nozzle arm. CONSTITUTION: A spin chuck(2) rotates a substrate(W) while horizontally supporting the substrate. A nozzle(3) discharges a processing liquid to an upper side of the substrate which is supported by the spin chuck. A nozzle arm(4) supports the nozzle. A blocking plate(5) is arranged on an upper portion of the spin chuck. A lifting mechanism(13) raises the blocking plate and an axis of the earth(12). [Reference numerals] (10) Nozzle rotation mechanism; (13) Blocking plate lifting mechanism; (14) Blocking plate rotation mechanism; (7) Control device; (AA,BB,CC,DD) Pure water; (EE) Nitrogen gas

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}Substrate Processing Unit {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}

본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정표시장치용 기판, 플라즈 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크(photomask)용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등이 포함된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of the substrate to be processed include a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical magnetic disk, and a photo. Photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and the like.

반도체 장치나 액정표시장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정표시장치용 유리 기판 등의 기판에 대해서 처리액을 이용한 처리가 행해진다. 기판을 1매씩 처리하는 매엽식(枚葉式)의 기판 처리 장치는, 예를 들어, 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척(spin chuck)과 스핀 척에 유지된 기판의 상면(上面)으로 향해서 처리액을 토출(吐出)하는 노즐을 구비하고 있다. 노즐은, 수평으로 연장하는 노즐 아암의 선단부(先端部)에 유지되어 있다. 노즐 아암은, 노즐 요동 기구에 연결되어 있다. 노즐 요동 기구는, 스핀 척의 측방에 설치된 연직인 회전축선 주위에 노즐 및 노즐 아암을 회전시킨다.In manufacturing processes, such as a semiconductor device and a liquid crystal display device, the process using a process liquid is performed with respect to board | substrates, such as a semiconductor wafer and the glass substrate for liquid crystal display devices. A single wafer type substrate processing apparatus for processing a substrate one by one is, for example, a spin chuck for holding and rotating a substrate horizontally to an upper surface of the substrate held by a spin chuck. It is provided with a nozzle which discharges a process liquid toward the side. The nozzle is held at the tip of the nozzle arm extending horizontally. The nozzle arm is connected to the nozzle rocking mechanism. The nozzle swing mechanism rotates the nozzle and the nozzle arm around a vertical axis of rotation provided on the side of the spin chuck.

이 기판 처리 장치에서 노즐로부터 기판의 상면에 처리액이 공급될 때는, 노즐 및 노즐 아암이 스핀 척에 유지된 기판의 상방(上方)에 배치된다. 또한, 스핀 척에 의해서 기판이 연직 축선 주위에 회전된다. 그리고, 회전 상태의 기판의 상면으로 향해서 노즐로부터 처리액이 토출된다. 이것에 의해, 노즐로부터 기판의 상면에 처리액이 공급된다. 노즐로부터 기판에의 처리액의 공급이 종료한 후는, 노즐 요동 기구가, 기판의 상방으로부터 노즐 및 노즐 아암을 퇴피(退避)시킨다.In the substrate processing apparatus, when the processing liquid is supplied from the nozzle to the upper surface of the substrate, the nozzle and the nozzle arm are disposed above the substrate held by the spin chuck. The spin chuck also rotates the substrate around the vertical axis. Then, the processing liquid is discharged from the nozzle toward the upper surface of the substrate in the rotating state. As a result, the processing liquid is supplied from the nozzle to the upper surface of the substrate. After the supply of the processing liquid from the nozzle to the substrate is completed, the nozzle swing mechanism retracts the nozzle and the nozzle arm from above the substrate.

일본공개특허공보 제2010-177371호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-177371

기판 처리 장치에서 처리액을 이용한 처리가 행해지는 경우, 장치에 배치되어 있는 노즐 아암에 처리액이 부착하는 일이 있다. 노즐 아암은, 기판의 상방을 이동한다. 따라서, 노즐 아암에 처리액이 부착하고 있는 상태로 노즐 아암이 이동하면, 노즐 아암에 부착하고 있는 처리액이, 흔들려 떨어지고, 기판 위에 낙하하는 경우가 있다. 예를 들어, 처리액의 비말(飛沫)이 노즐 아암에 부착해, 노즐 아암을 이동시켰을 때에 이 부착한 처리액이 기판 위에 낙하하는 경우가 있다. 약액 처리가 행해진 기판 위에 처리액이 낙하하면, 약액 처리의 균일성이 저하한다. 또한, 건조 처리가 행해진 기판 위에 처리액이 낙하하면, 건조 불량이 발생한다.When the process using the processing liquid is performed in the substrate processing apparatus, the processing liquid may adhere to the nozzle arms arranged in the apparatus. The nozzle arm moves above the substrate. Therefore, when the nozzle arm moves while the processing liquid is attached to the nozzle arm, the processing liquid attached to the nozzle arm may shake off and fall on the substrate. For example, when the droplet of processing liquid adheres to a nozzle arm and the nozzle arm is moved, this attached processing liquid may fall on a board | substrate. If the processing liquid falls on the substrate subjected to the chemical processing, the uniformity of the chemical processing is lowered. Moreover, when a process liquid falls on the board | substrate with which the drying process was performed, drying defect will arise.

그래서, 본 발명은, 액 조절 좋은 노즐 아암을 갖추는 기판 처리 장치를 제공한다.Then, this invention provides the substrate processing apparatus provided with the nozzle arm with liquid adjustment.

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 유체를 토출하는 노즐과 상기 노즐을 유지하고 있어, 수평면에 따르는 긴 방향으로 연장하고 있는 노즐 아암을 포함하고, 상기 긴 방향에 직교하며, 상기 노즐 아암의 적어도 일부의 직교 단면은, 상기 직교 단면에 있어서 가장 위에 위치하고 있는 정부(頂部), 상기 정부보다 측방(側方)에 위치하고 있는 측부, 상기 정부로부터 상기 측부까지 계속 하강하고 있는 상측 경사부를 포함한다.The substrate processing apparatus of this invention contains the nozzle which discharges the processing fluid which processes a board | substrate, and the said nozzle, and comprises the nozzle arm extended in the longitudinal direction along a horizontal plane, and orthogonal to the said longitudinal direction, and said nozzle At least a portion of the orthogonal cross section of the arm includes a top portion located at the top of the orthogonal cross section, a side portion located laterally from the top portion, and an upper inclined portion continuously descending from the top portion to the side portion. do.

이 구성에 의하면, 노즐을 유지하는 노즐 아암이, 수평면에 따르는 긴 방향에 연장하고 있다. 노즐 아암의 적어도 일부의 직교 단면(긴 방향에 직교 하는 단면)은, 정부에서 측부까지 계속 하강하고 있는 상측 경사부를 포함한다. 상측 경사부가 계속 하강하고 있기 때문에, 상측 경사부에 처리액이 부착했다고 하여도, 이 처리액은, 상측 경사부를 따라서 아래로 흐른다.According to this configuration, the nozzle arm holding the nozzle extends in the longitudinal direction along the horizontal plane. At least one orthogonal cross section (cross section orthogonal to the long direction) of the nozzle arm includes an upper inclined portion that continues to descend from the top to the side. Since the upper inclined portion continues to descend, even if the processing liquid adheres to the upper inclined portion, the processing liquid flows downward along the upper inclined portion.

그리고, 이 처리액은, 노즐 아암으로부터 낙하해 제거된다. 즉, 노즐 아암에 처리액이 부착했다고 하여, 이 처리액은, 단시간으로 노즐 아암으로부터 제거된다. 따라서, 노즐 아암에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.And this process liquid falls out from a nozzle arm and is removed. That is, assuming that the treatment liquid adheres to the nozzle arm, the treatment liquid is removed from the nozzle arm in a short time. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

본 발명의 일실시 형태에서는, 상기 직교 단면은, 상기 직교 단면에 있어 가장 아래에 위치하고 있는 저부, 상기 측부로부터 상기 저부까지 하강 게속하고 있는 하측 경사부를 더 포함한다.In one embodiment of the present invention, the orthogonal cross section further includes a bottom located at the bottom of the orthogonal cross section, and a lower inclined portion that is descending from the side to the bottom.

이 구성에 의하면, 노즐 아암의 직교 단면이, 측부로부터 저부까지 계속 하강하고 있는 하측 경사부를 포함한다. 하측 경사부가 계속 하강하고 있기 때문에, 하측 경사부에 처리액이 부착했다고 하여도, 이 처리액은, 하측 경사부를 따라서 아래에 흐른다. 그리고, 이 처리액은, 노즐 아암으로부터 낙하하여 제거된다. 따라서, 노즐 아암에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.According to this structure, the orthogonal cross section of a nozzle arm contains the lower inclination part which continues to descend from the side part to the bottom part. Since the lower inclined portion continues to descend, even if the processing liquid adheres to the lower inclined portion, the processing liquid flows downward along the lower inclined portion. And this process liquid falls out from a nozzle arm and is removed. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

본 발명의 일실시 형태에서는, 상기 직교 단면은, 상기 직교 단면에 있어 가장 측방에 위치하고 있는 좌우 한 쌍의 측단(側端)을 포함하고, 일방의 측단은, 상기 정부를 포함하고, 상기 측부는, 타방의 측단을 포함하고, 상기 상측 경사부는, 상기 일방의 측단으로부터 상기 타방의 측단까지 계속 하강하고 있다.In one embodiment of the present invention, the orthogonal cross section includes a pair of left and right side ends positioned most laterally in the orthogonal cross section, and one side end includes the government part, and the side part is And the other side end, and the upper inclined portion continues to descend from the one side end to the other side end.

이 구성에 의하면, 일방의 측단이, 정부 포함하고, 측부가, 일방의 측단과는 반대측의 타방의 측단을 포함한다. 상측 경사부는, 정부에서 측부까지 연장하고 있다. 따라서, 상측 경사부는, 일방의 측단으로부터 타방의 측단까지 연장하고 있다. 즉, 직교 단면의 상부는, 일방의 측단으로부터 타방의 측단까지 연장하고 있고, 타방의 측단에 가까워지는 만큼 하강하고 있다. 그 때문에, 직교 단면의 상부에 부착한 처리액은, 공통의 측단(타방의 측단)으로 향해 흘러 떨어진다. 이것에 의해, 직교 단면의 상부에 부착하고 있는 액적(液滴)들을 결합시키고, 그 자중에 의해서 낙하시킬 수 있다. 따라서, 노즐 아암에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.According to this structure, one side end includes a government and the side part includes the other side end on the opposite side to one side end. The upper inclined portion extends from the government to the side. Therefore, the upper inclined portion extends from one side end to the other side end. That is, the upper part of the orthogonal cross section extends from one side end to the other side end, and descends so that it becomes closer to the other side end. Therefore, the processing liquid attached to the upper part of the orthogonal cross section flows toward the common side end (the other side end). Thereby, the droplets adhering to the upper part of the orthogonal cross section can be combined, and it can fall by its own weight. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

본 발명의 일실시 형태와 관계되는 기판 처리 장치는, 상기 노즐 아암의 하부로 향해서 기체를 토출하는 제1 기체 노즐을 더 포함한다.The substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention further includes the 1st gas nozzle which discharges gas toward the lower part of the said nozzle arm.

이 구성에 의하면, 제1 기체 노즐로부터 토출된 기체가 노즐 아암의 하부에 분출된다. 전술과 같이, 노즐 아암에 부착한 처리액은, 노즐 아암을 따라서 아래에 흐른다. 즉, 노즐 아암에 부착한 처리액은, 노즐 아암의 하부에 모인다. 이 처리액이 모이는 위치에 기체가 분출된다. 이것에 의해, 노즐 아암에 부착하고 있는 처리액을 날려 버려 효율적으로 제거할 수 있다. 따라서, 노즐 아암에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.According to this structure, the gas discharged from the 1st gas nozzle is blown off the nozzle arm. As described above, the processing liquid attached to the nozzle arm flows down along the nozzle arm. That is, the processing liquid attached to the nozzle arm collects in the lower part of the nozzle arm. Gas is blown off to the position where this process liquid collects. As a result, the processing liquid attached to the nozzle arm can be blown off and removed efficiently. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

상기 제 1 기체 노즐은, 상기 제 1 기체 노즐로부터 토출된 기체가 상기 노즐 아암에 따라서 상기 노즐 아암의 긴 방향에 흐르도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the said 1st gas nozzle is comprised so that the gas discharged from the said 1st gas nozzle may flow in the longitudinal direction of the said nozzle arm according to the said nozzle arm.

이 구성에 의하면, 제1 기체 노즐로부터 토출된 기체가 노즐 아암을 따라서 긴 방향에 흐른다. 따라서, 제1 기체 노즐로부터 노즐 아암에 기체가 분출되는 범위가 넓어진다. 이것에 의해, 보다 넓은 범위로부터 처리액을 제거할 수 있다. 따라서, 노즐 아암에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.According to this configuration, the gas discharged from the first gas nozzle flows in the longitudinal direction along the nozzle arm. Therefore, the range which blows off a gas from a 1st gas nozzle to a nozzle arm becomes large. Thereby, a process liquid can be removed from a wider range. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

상기 제 1 기체 노즐은, 상기 노즐 아암의 측방으로부터 상기 노즐 아암의 하부로 향해서 기체를 토출하도록 구성되어 있어도 괜찮다. 이 경우, 상기 상측 경사부는, 상기 제 1 기체 노즐로부터의 기체가 분출되는 측에 향해 하강하고 있는 것이 바람직하다.The said 1st gas nozzle may be comprised so that gas may be discharged toward the lower part of the said nozzle arm from the side of the said nozzle arm. In this case, it is preferable that the said upper inclination part descends toward the side which the gas from a said 1st gas nozzle blows off.

이 구성에 의하면, 제1 기체 노즐로부터 토출된 기체가, 노즐 아암의 하부에 대해서 측방으로부터 분출된다. 상측 경사부는, 제1 기체 노즐로부터의 기체가 분출되는 측에 향해 하강하고 있다. 따라서, 상측 경사부에 부착한 처리액은, 제1 기체 노즐로부터의 기체가 분출되는 측에 향해 흘러 떨어진다. 바꾸어 말하면, 제1 기체 노즐로부터 토출된 기체는, 상측 경사부에 부착한 처리액이 모이는 위치에 분출된다. 따라서, 상측 경사부에 부착한 처리액을 효율적으로 제거할 수 있다.According to this structure, the gas discharged from the 1st gas nozzle is blown off from the side with respect to the lower part of a nozzle arm. The upper inclined portion descends toward the side from which the gas from the first gas nozzle is ejected. Therefore, the processing liquid attached to the upper inclined portion flows toward the side from which the gas from the first gas nozzle is ejected. In other words, the gas discharged from the first gas nozzle is ejected to a position where the processing liquid attached to the upper inclined portion collects. Therefore, the processing liquid adhering to the upper inclined portion can be removed efficiently.

상기 노즐 아암은, 소수성(疏水性) 재료에 의해서 형성되는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 노즐 아암이 소수성 재료에 의해서 형성되고 있으므로, 노즐 아암이 소수성을 가지고 있다. 따라서, 노즐 아암이 친수성(親水性)의 경우에 비해, 노즐 아암에 부착한 처리액은, 단시간에 또한 작은 힘으로 노즐 아암으로부터 제거된다. 더구나, 처리액이 튕겨지기 때문에, 노즐 아암에 유지되는 처리액의 양을 저감 할 수 있다. 따라서, 노즐 아암에 대한 처리액의 잔류량을 일층 저감 할 수 있다.It is preferable that the said nozzle arm is formed of a hydrophobic material. According to this configuration, since the nozzle arm is formed of a hydrophobic material, the nozzle arm has hydrophobicity. Therefore, compared with the case where the nozzle arm is hydrophilic, the processing liquid attached to the nozzle arm is removed from the nozzle arm in a short time and with a small force. Moreover, since the processing liquid is thrown off, the amount of the processing liquid held by the nozzle arm can be reduced. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be further reduced.

본 발명의 일실시 형태와 관계되는 기판 처리 장치는, 상기 노즐 아암의 상면으로 향해서 순수(純水)를 토출하는 순수 노즐을 더 포함한다.The substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention further contains the pure water nozzle which discharges pure water toward the upper surface of the said nozzle arm.

이 구성에 의하면, 순수 노즐로부터 토출된 순수가 노즐 아암의 상면에 공급된다. 이것에 의해, 노즐 아암의 상면에 부착하고 있는 파티클(particle) 등의 이물(異物)이나 처리액이 씻겨 흘러간다. 따라서, 노즐 아암의 상면에 부착하고 있는 이물이나 처리액이 기판 위에 낙하하고, 기판이 오염되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 전술과 같이, 노즐 아암에 공급된 순수는, 노즐 아암을 따라서 흘러 떨어지는 것에 의해 노즐 아암으로부터 단시간에 제거되므로, 노즐 아암에의 순수 공급이 종료한 후에, 노즐 아암으로부터 기판에 순수가 낙하하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.According to this structure, the pure water discharged from the pure water nozzle is supplied to the upper surface of a nozzle arm. As a result, foreign substances such as particles adhering to the upper surface of the nozzle arm and the treatment liquid are washed away. Therefore, it is possible to suppress or prevent the foreign matter and the processing liquid adhering to the upper surface of the nozzle arm from dropping on the substrate and contaminating the substrate. In addition, as described above, since the pure water supplied to the nozzle arm is removed from the nozzle arm in a short time by flowing along the nozzle arm, the pure water falls from the nozzle arm to the substrate after the pure water supply to the nozzle arm is finished. Can be suppressed or prevented.

본 발명의 일실시 형태에서는, 상기 노즐은, 상기 노즐 아암보다 하방에 배치된 노즐 하부를 포함한다. 이 경우, 상기 기판 처리 장치는, 상기 노즐 하부로 향해서 기체를 토출하는 제2 기체 노즐을 더 포함하는 것이 바람직하다.In one Embodiment of this invention, the said nozzle contains the nozzle lower part arrange | positioned below the said nozzle arm. In this case, it is preferable that the said substrate processing apparatus further includes the 2nd gas nozzle which discharges gas toward the said nozzle lower part.

이 구성에 의하면, 제2 기체 노즐로부터 토출된 기체가, 노즐 아암보다도 하방에 위치하는 노즐 하부에 분출된다. 노즐 하부는, 노즐 아암보다도 하방에 배치되어 있기 때문에, 노즐의 외표면(外表面)에 부착한 처리액이나, 노즐 아암을 따라 노즐로 이동한 처리액은, 노즐 하부로 향해 흘러 떨어진다. 따라서, 제2 기체 노즐로부터 토출된 기체는, 처리액이 모이는 위치에 분출된다. 그 때문에, 처리액을 효율적으로 제거할 수 있다.According to this structure, the gas discharged from the 2nd gas nozzle is blown off the nozzle lower located below a nozzle arm. Since the nozzle lower part is disposed below the nozzle arm, the processing liquid attached to the outer surface of the nozzle and the processing liquid moved to the nozzle along the nozzle arm flow down toward the nozzle lower part. Therefore, the gas discharged from the second gas nozzle is ejected to the position where the processing liquid is collected. Therefore, the processing liquid can be removed efficiently.

본 발명의 일실시 형태에서는, 상기 노즐 아암은, 상기 노즐을 유지하는 선단부(先端部)와 기단부(基端部)를 포함하는 봉(棒) 형상의 부재이며, 상기 제 1 기체 노즐은, 상기 제 1 기체 노즐로부터 토출된 기체가 상기 기단부로부터 상기 선단부로 향하는 방향으로 흐르도록 구성되어 있어, 상기 제 2 기체 노즐은, 상기 제 2 기체 노즐로부터 토출된 기체가 상기 기단부로부터 상기 선단부로 향하는 방향으로 흐르도록 구성되어 있다.In one embodiment of the present invention, the nozzle arm is a rod-shaped member including a tip end portion and a base end portion for holding the nozzle, and the first gas nozzle is the The gas discharged from the first gas nozzle is configured to flow in a direction from the base end to the tip, and the second gas nozzle is in a direction from which the gas discharged from the second gas nozzle is directed from the base to the tip. It is configured to flow.

이 구성에 의하면, 제1 기체 노즐로부터 토출된 기체는, 노즐 아암을 따라서 기단부로부터 선단부로 향하는 방향으로 흐른다. 같은 형태로, 제2 기체 노즐로부터 토출된 기체는, 노즐 하부를 따라서 기단부로부터 선단부로 향하는 방향으로 흐른다. 즉, 각 기체 노즐로부터 토출된 기체는, 같은 방향에 흐른다. 따라서, 제1 기체 노즐로부터 토출된 기체와 제2 기체 노즐로부터 토출된 기체가 충돌하고, 각 기체 노즐로부터 토출된 기체의 기세가 약해지는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이것에 의해, 노즐 및 노즐 아암에 부착하고 있는 처리액을 확실히 제거할 수 있다.According to this configuration, the gas discharged from the first gas nozzle flows in the direction from the proximal end to the distal end along the nozzle arm. In the same manner, the gas discharged from the second gas nozzle flows in the direction from the base end to the tip end along the lower part of the nozzle. That is, the gas discharged from each gas nozzle flows in the same direction. Therefore, it is possible to suppress or prevent the gas discharged from the first gas nozzle and the gas discharged from the second gas nozzle collide with each other and the force of the gas discharged from each gas nozzle is weakened. Thereby, the process liquid adhered to a nozzle and a nozzle arm can be reliably removed.

본 발명의 일실시 형태와 관계되는 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지 수단과, 상기 노즐이 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판의 상방에 위치하고 있는 처리 위치와, 상기 노즐이 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판의 상방으로 부터 퇴피하고 있는 대기 위치와의 사이에 상기 노즐 아암을 이동시키는 이동 수단을 더 포함한다. 이 경우에, 상기 제 1 기체 노즐은, 상기 대기 위치에 위치하고 있는 상기 노즐 아암의 하부로 향해서 기체를 토출하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes substrate holding means for holding a substrate, a processing position where the nozzle is located above the substrate held by the substrate holding means, and the nozzle is the substrate holding means. And moving means for moving the nozzle arm between the standby position evacuated from above the substrate held in the upper portion. In this case, it is preferable that the said 1st gas nozzle is comprised so that gas may be discharged toward the lower part of the said nozzle arm located in the said standby position.

이 구성에 의하면, 이동 수단의 구동력이 노즐 아암에 전달되는 것에 의해, 노즐 아암이 처리 위치와 대기 위치와의 사이에 이동한다. 제1 기체 노즐로부터 토출된 기체는, 대기 위치에 위치하고 있는 노즐 아암의 하부에 분출된다. 따라서, 제1 기체 노즐을 대기 위치에 배치할 수 있다. 즉, 제1 기체 노즐은, 노즐 아암과 함께 이동하도록 구성되어 있지 않아도 좋다. 따라서, 노즐 아암을 포함한 가동부의 대형화를 억제 또는 방지할 수 있다.According to this structure, the drive arm of a moving means is transmitted to a nozzle arm, and a nozzle arm moves between a processing position and a standby position. The gas discharged from the first gas nozzle is blown off the lower part of the nozzle arm located at the standby position. Therefore, the 1st gas nozzle can be arrange | positioned at a standby position. In other words, the first gas nozzle may not be configured to move together with the nozzle arm. Therefore, enlargement of the movable part including a nozzle arm can be suppressed or prevented.

상기 노즐 아암의 상기 적어도 일부는, 상기 처리 위치에 있어 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판의 상방에 위치하고 있는 부분을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the said at least part of the nozzle arm includes the part located above the board | substrate hold | maintained by the said board | substrate holding means in the said processing position.

이 구성에 의하면, 처리 위치에 있어서 기판 유지 수단에 유지된 기판의 상방에 위치하고 있는 부분이, 직교 단면을 가지고 있다. 따라서, 이 부분에 처리액이 부착했다고 하여도, 이 처리액은, 단시간에 제거된다. 그 때문에, 기판 위에서 노즐 아암을 이동시켰다고 하여도, 노즐 아암으로부터 기판에 처리액이 낙하하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이것에 의해, 기판의 오염이나 품질 저하를 억제 또는 방지할 수 있다.According to this configuration, the portion located above the substrate held by the substrate holding means at the processing position has an orthogonal cross section. Therefore, even if a process liquid adheres to this part, this process liquid is removed in a short time. Therefore, even if the nozzle arm is moved on the substrate, it is possible to suppress or prevent the processing liquid from falling from the nozzle arm to the substrate. As a result, contamination or deterioration of the substrate can be suppressed or prevented.

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 유체를 토출하는 노즐과 상기 노즐을 유지하고 있어, 수평면에 따르는 긴 방향으로 연장하고 있는 노즐 아암을 포함하고, 상기 긴 방향에 직교하며, 상기 노즐 아암의 적어도 일부의 직교 단면은, 상기 직교 단면에 있어서 가장 위에 위치하고 있는 정부, 상기 정부보다 측방에 위치하고 있는 측부, 상기 정부로부터 상기 측부까지 계속 하강하고 있는 상측 경사부를 포함하는 구성에 의하여, 노즐 아암에 처리액이 부착했다고 하여, 단시간에 노즐 아암으로부터 제거되기 때문에 노즐 아암에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있고, 기판 위에서 노즐 아암을 이동시켰다고 하여도 노즐 아암으로부터 기판에 처리액이 낙하하는 것을 억제 또는 방지할 수 있어서 기판의 오염이나 품질 저하를 억제 또는 방지할 수 있는 등의 효과가 있다.The substrate processing apparatus of this invention contains the nozzle which discharges the processing fluid which processes a board | substrate, and the said nozzle, and comprises the nozzle arm extended in the longitudinal direction along a horizontal plane, and orthogonal to the said longitudinal direction, and said nozzle The at least one orthogonal cross section of the arm has a nozzle arm including a top portion located at the top of the orthogonal cross section, a side portion located laterally than the top portion, and an upper inclined portion continuously descending from the top portion to the side portion. The process liquid is removed from the nozzle arm in a short time, the residual amount of the process liquid relative to the nozzle arm can be reduced, and even if the nozzle arm is moved on the substrate, the process liquid falls from the nozzle arm to the substrate. Can be suppressed or prevented, so that substrate contamination or quality deterioration can be suppressed or There is an effect such that you avoid.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태와 관계되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 측면도이다.
도 2는, 본 발명의 제1 실시 형태와 관계되는 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 3은, 본 발명의 제1 실시 형태와 관계되는 노즐 아암 및 이에 관계되는 구성의 측면도이다.
도 4는, 도 3에 나타나는 화살표 IV의 방향에서 본 노즐 아암의 단면도이다.
도 5는, 도 4의 일부를 확대한 도면이다.
도 6은, 노즐 및 노즐 아암을 세정할 때의 동작의 일례에 관하여 설명하기 위한 공정도이다.
도 7은, 노즐 아암에 순수가 공급되고 있을 때의 순수의 움직임의 일례에 관하여 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은, 노즐 아암에 질소 가스가 공급되고 있을 때의 순수의 움직임의 일례에 관하여 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는, 본 발명의 제2 실시 형태와 관계되는 노즐 아암의 단면도이다.
도 10은, 본 발명의 제3 실시 형태와 관계되는 노즐 아암의 단면도이다.
도 11은, 본 발명의 제4 실시 형태와 관계되는 노즐 아암의 단면도이다.FIG. 1: is a side view which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention.
2 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is a side view of a nozzle arm according to the first embodiment of the present invention and a configuration related thereto.
4 is a cross-sectional view of the nozzle arm seen in the direction of arrow IV shown in FIG. 3.
5 is an enlarged view of a part of FIG. 4.
6 is a process chart for explaining an example of the operation when cleaning the nozzle and the nozzle arm.
7 is a cross-sectional view for explaining an example of the movement of pure water when pure water is supplied to the nozzle arm.
8 is a cross-sectional view for explaining an example of the movement of pure water when nitrogen gas is supplied to the nozzle arm.
9 is a sectional view of a nozzle arm according to the second embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view of the nozzle arm according to the third embodiment of the present invention.
11 is a sectional view of a nozzle arm according to the fourth embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 발명의 실시의 형태를, 첨부 도면을 참조해 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.

도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태와 관계되는 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 측면도이다.FIG. 1: is a side view which shows schematic structure of the substrate processing apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment of this invention.

도 2는, 본 발명의 제1 실시 형태와 관련되는 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.2 is a plan view illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention.

기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 1매씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 수평으로 유지하여 회전시키는 스핀 척 (2)과 스핀 척(2)에 유지된 기판(W)의 상면으로 향해서 처리액을 토출하는 노즐(3), 노즐(3)을 유지하는 노즐 아암(4), 스핀 척(2)의 상방에 배치된 차단판(5), 이들의 구성요소 (2)~(5)를 수용하는 처리실(6)을 구획하는 격벽(도시하지 않음)을 갖추고 있다.더구나, 기판 처리 장치(1)는, 기판 처리 장치(1)에 구비된 장치의 동작이나 밸브의 개폐를 제어하는 제어장치(7)를 갖추고 있다.The substrate processing apparatus 1 is a sheet type substrate processing apparatus which processes the board | substrate W one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 2 for holding and rotating the substrate W horizontally and a nozzle 3 for discharging the processing liquid toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 2. And a nozzle arm 4 holding the nozzle 3, a blocking plate 5 disposed above the spin chuck 2, and a processing chamber 6 containing these components 2 to 5. In addition, the substrate processing apparatus 1 is equipped with the control apparatus 7 which controls the operation | movement of the apparatus with which the substrate processing apparatus 1 was equipped, and opening / closing of a valve | bulb.

스핀 척(2)은, 기판(W)을 수평으로 유지하여 그 기판(W)의 중심을 통과하는 연직 축선 주위에 회전가능한 원반상의 스핀 베이스(8)와 이 스핀 베이스(8)를 연직 축선 주위에 회전시키는 스핀 모터(9)를 포함한다. 스핀 척(2)은, 기판(W)을 수평 방향에 끼워 그 기판(W)을 수평으로 유지하는 협지식의 척(chuck)로 있어도 좋고, 비(非) 디바이스형성 면으로 있는 기판(W)의 이면(하면(下面))을 흡착하는 것에 의해 그 기판(W)을 수평으로 유지하는 진공식의 척으로 있어도 좋다. 제1 실시 형태에서는, 스핀 척(2)은, 예를 들어 협지식의 척이다.The spin chuck 2 has a disk-like spin base 8 rotatable around a vertical axis passing the center of the substrate W by keeping the substrate W horizontal and the spin base 8 around the vertical axis. And a spin motor 9 to rotate. The spin chuck 2 may be a clamping chuck that sandwiches the substrate W in the horizontal direction and holds the substrate W horizontally, and the substrate W is in a non-device forming surface. It may be a vacuum chuck that holds the substrate W horizontally by adsorbing the rear surface (lower surface) of the substrate. In the first embodiment, the spin chuck 2 is, for example, a clamping chuck.

노즐(3)은, 액체와 기체를 충돌시키는 것에 의해 복수의 액적(液滴)을 생성하고, 생성된 복수의 액적을 기판(W)을 향하여 토출하는 2유체 노즐이다. 제1 실시 형태에서는, 액체의 일례인 순수가, 노즐(3)에 공급되고, 기체의 일례인 질소 가스가, 노즐(3)에 공급된다. 노즐(3)은, 그 토출구가 하방(下方)으로 향해진 상태로 스핀 척(2)보다도 상방에 배치되어 있다. 노즐(3)은, 2유체 노즐에 한정하지 않고, 연속류의 상태로 처리액을 토출하는 스트레이트 노즐(straight nozzle)로 있어도 종고, 질소 가스등의 기체를 토출하는 노즐로 있어도 좋다.The nozzle 3 is a two-fluid nozzle which produces | generates several droplets by making liquid and gas collide, and discharges the generated several droplets toward the board | substrate W. As shown in FIG. In the first embodiment, pure water that is an example of a liquid is supplied to the nozzle 3, and nitrogen gas that is an example of a gas is supplied to the nozzle 3. The nozzle 3 is disposed above the spin chuck 2 in a state in which the discharge port is directed downward. The nozzle 3 may be not only a two-fluid nozzle but also a straight nozzle for discharging the processing liquid in a continuous flow state, or may be a nozzle for discharging gas such as nitrogen gas.

노즐(3)은, 노즐 아암(4)의 선단부(20)로 유지되고 있다. 노즐 아암(4)은, 수평면에 따르는 긴 방향(D1)에 연장되어 있다. 도 2에 나타나는 바와 같이, 노즐 아암(4)의 기단부(基端部)(21)는, 노즐 회전 기구(10)에 연결되고 있다. 노즐 회전 기구(10)는, 스핀 척(2)의 측방에 설치된 연직인 노즐 회전 축선(L1) 주위에, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)을 회전시킨다. 노즐 회전 기구(10)는, 노즐(3)이 스핀 척(2)의 상방에 위치하고 있는 처리 위치(도 1에 나타나는 위치 및 도 2에서 실선으로 나타나는 위치)와 노즐(3)이 스핀 척(2)의 상방으로부터 퇴피하고 있는 대기 위치(도 2에서 2점 쇄선으로 나타나는 위치)와의 사이에 노즐(3) 및 노즐 아암(4)을 수평으로 이동시킨다. 대기 위치에는, 처리액을 수용하는 포트(pot)(11)가 배치되어 있다. 포트(11)는, 상향 열린 용기이다. 포트(11)는, 노즐(3)이 대기 위치에 배치되어 있을 때, 노즐(3)의 하방에 위치하도록 배치되어 있다.The nozzle 3 is held by the tip portion 20 of the nozzle arm 4. The nozzle arm 4 extends in the longitudinal direction D1 along the horizontal plane. As shown in FIG. 2, the base end portion 21 of the nozzle arm 4 is connected to the nozzle rotation mechanism 10. The nozzle rotation mechanism 10 rotates the nozzle 3 and the nozzle arm 4 around the vertical nozzle rotation axis L1 provided on the side of the spin chuck 2. The nozzle rotation mechanism 10 includes a processing position (a position shown in FIG. 1 and a position indicated by a solid line in FIG. 2) in which the nozzle 3 is located above the spin chuck 2, and the nozzle 3 is a spin chuck 2. The nozzle 3 and the nozzle arm 4 are horizontally moved between the standby position (the position shown by the dashed-dotted and dashed line in FIG. 2) evacuating from above. In the standby position, a pot 11 for accommodating the processing liquid is disposed. The port 11 is a container opened upward. The port 11 is arrange | positioned so that it may be located under the nozzle 3, when the nozzle 3 is arrange | positioned in a standby position.

차단판(5)은, 기판(W)과 거의 같은 직경을 가지는 원판상의 부재이다. 차단판(5)은, 수평인 자세로 지축(支軸)(12)에 지지되어 있다. 지축(12)은, 차단판 승강기구(13) 및 차단판 회전기구(14)에 연결되고 있다. 차단판 승강기구(13)는, 차단판(5)의 하면(下面)이 기판(W)의 상면에 근접하고 있는 처리 위치와 처리 위치의 상방에 설치된 퇴피 위치(도 1에 나타나는 위치)와의 사이로, 차단판(5) 및 지축(12)을 승강시킨다. 차단판 회전기구(14)는, 기판(W)의 중심을 통과하는 연직 축선 주위에 차단판(5) 및 지축(12)을 회전시킨다. 지축(12)은, 원통형이다. 지축(12)의 내부 공간은, 차단판(5)의 중앙부를 연직 방향으로 관통하는 관통공(15)에 접속되어 있다. 제1 배관(16)은, 지축(12) 내에 삽입되고 있고, 제2 배관(17)은, 제1 배관(16)에 접속되고 있다. 제2 배관(17)에 개재 장치된 순수 밸브(18)가 열리면, 제2 배관(17)으로부터 제1 배관(16)에 순수가 공급되고, 순수 밸브(18)가 닫히게 되면, 제1 배관(16)에의 순수 공급이 정지된다. 제1 배관(16)에 공급된 순수는, 중심축 노즐(19)을 구성하는 제1 배관(16)의 하단부로부터 기판(W)의 상면 중앙부로 향해서 토출된다.The blocking plate 5 is a disk-like member having a diameter substantially the same as that of the substrate W. As shown in FIG. The blocking plate 5 is supported by the support shaft 12 in a horizontal posture. The support shaft 12 is connected to the blocking plate elevating mechanism 13 and the blocking plate rotating mechanism 14. The blocking plate elevating mechanism 13 is provided between a processing position where the lower surface of the blocking plate 5 is close to the upper surface of the substrate W and a retracted position (position shown in FIG. 1) provided above the processing position. , The blocking plate 5 and the support shaft 12 are raised and lowered. The blocking plate rotating mechanism 14 rotates the blocking plate 5 and the support shaft 12 around the vertical axis passing through the center of the substrate W. As shown in FIG. The support shaft 12 is cylindrical. The inner space of the support shaft 12 is connected to a through hole 15 penetrating the central portion of the blocking plate 5 in the vertical direction. The first pipe 16 is inserted into the support shaft 12, and the second pipe 17 is connected to the first pipe 16. When the pure water valve 18 interposed in the second pipe 17 is opened, pure water is supplied from the second pipe 17 to the first pipe 16, and when the pure water valve 18 is closed, the first pipe ( The pure water supply to 16 is stopped. The pure water supplied to the 1st piping 16 is discharged toward the upper surface center part of the board | substrate W from the lower end part of the 1st piping 16 which comprises the central axis nozzle 19. FIG.

중심축 노즐(19)로부터 기판(W)에 처리액을 공급할 경우에는, 예를 들어, 제어장치(7)가, 스핀 모터(9)를 제어하는 것에 의해, 스핀 척(2)에 유지된 기판(W)을 회전시킨다. 그리고, 제어장치(7)는, 차단판(5)을 처리 위치에 위치시킨 상태로, 회전 상태의 기판(W)의 상면으로 향하여 중심축 노즐(19)로부터 처리액을 토출시킨다. 중심축 노즐(19)로부터 토출된 처리액은, 기판(W)의 상면 중앙부에 공급된 후, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해서 기판(W)의 상면을 따라서 바깥쪽으로 퍼진다. 이것에 의해, 기판(W)의 상면 전역에 처리액이 공급되어 기판(W)이 처리된다.When supplying the processing liquid to the substrate W from the central axis nozzle 19, the substrate held by the spin chuck 2, for example, by the controller 7 controlling the spin motor 9. Rotate (W). And the control apparatus 7 discharges a process liquid from the central axis nozzle 19 toward the upper surface of the board | substrate W of a rotation state in the state which positioned the blocking plate 5 in the process position. The processing liquid discharged from the central axis nozzle 19 is supplied to the central portion of the upper surface of the substrate W, and then spreads out along the upper surface of the substrate W by centrifugal force caused by the rotation of the substrate W. As a result, the processing liquid is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and the substrate W is processed.

또한, 노즐(3)로부터 기판(W에 처리액을 공급할 때에는, 예를 들어, 제어장치(7)가, 스핀 모터(9)를 제어하는 것에 의해, 스핀 척(2)에 유지된 기판(W)을 회전시킨다. 그리고, 제어장치(7)는, 노즐(3)을 처리 위치에 위치시킨 상태로, 회전 상태의 기판(W)의 상면으로 향하여 노즐(3)로부터 처리액을 토출시킨다. 제1 실시 형태에서는, 노즐(3)이 2유체 노즐이므로, 복수의 액적이, 노즐(3)로부터 기판(W)의 상면으로 향하여 분사된다. 이것에 의해, 기판(W)의 상면에 처리액이 공급되어 기판(W)이 처리된다.When the processing liquid is supplied from the nozzle 3 to the substrate W, for example, the controller 7 controls the spin motor 9 so that the substrate W held by the spin chuck 2 is maintained. The controller 7 discharges the processing liquid from the nozzle 3 toward the upper surface of the substrate W in the rotating state with the nozzle 3 positioned at the processing position. In the first embodiment, since the nozzle 3 is a two-fluid nozzle, a plurality of droplets are injected from the nozzle 3 toward the upper surface of the substrate W. Thereby, the processing liquid is sprayed on the upper surface of the substrate W. It is supplied and the board | substrate W is processed.

도 3은, 본 발명의 제1 실시 형태와 관계되는 노즐 아암(4) 및 이에 관련하는 구성의 측면도이다. 도 4는, 도 3에 나타나는 화살표 IV의 방향에서 본 노즐 아암(4)의 단면도이다.3 is a side view of the nozzle arm 4 according to the first embodiment of the present invention and the configuration related thereto. 4 is a cross-sectional view of the nozzle arm 4 seen in the direction of arrow IV shown in FIG. 3.

도 3은, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)이 대기 위치에 배치되어 있는 상태를 나타내고 있다.3 shows a state where the nozzle 3 and the nozzle arm 4 are arranged in the standby position.

노즐 아암(4)은, 선단부(20)와 기단부(21)을 포함하는 봉 형상의 부재이다. 즉, 노즐 아암(4)은, 선단부(20), 기단부(21), 기단부(21)와 선단부(20)를 접속하는 봉 형상의 아암부(22)를 포함한다. 아암부(22)는, 긴 방향(D1)에 연장하고 있다. 선단부(20) 및 기단부(21)는, 각각, 아암부(22)의 일단부 및 타단부에 결합되어 있다. 노즐(3)은, 선단부(20)에 유지되고 있다. 선단부(20)는, 기단부(21)로부터 이탈하는 방향으로 향하여 아암부(22)의 일단부에서 하방으로 연장하고 있다. 노즐(3)은, 기둥 형상이며, 연직인 자세로 선단부(20)에 유지되고 있다. 노즐(3)은, 선단부(20)로부터 하방으로 연장하는 노즐 하부(23)을 포함한다. 노즐 하부(23)는, 기단부(21) 및 아암부(22)보다도 하방에 배치되어 있다. 또한, 기단부(21)는, 볼트(24)에 의해 베이스(25)에 장착되고 있다. 노즐 회전 기구(10)의 구동력은, 베이스(25)를 개입시켜 노즐 아암(4)에 전달된다. 선단부(20) 및 아암부(22)는, 처리 위치에 있어 스핀 척(2)에 유지된 기판(W)의 상방에 위치하는 부분이다(도 2 참조).The nozzle arm 4 is a rod-shaped member including the distal end portion 20 and the proximal end portion 21. That is, the nozzle arm 4 includes the tip portion 20, the base end portion 21, the rod-shaped arm portion 22 connecting the base end portion 21 and the tip end portion 20. The arm part 22 extends in the longitudinal direction D1. The distal end 20 and the proximal end 21 are respectively coupled to one end and the other end of the arm part 22. The nozzle 3 is held by the tip portion 20. The distal end portion 20 extends downward from one end of the arm portion 22 toward the direction away from the proximal end portion 21. The nozzle 3 is columnar and is hold | maintained at the front-end | tip part 20 in a vertical attitude | position. The nozzle 3 includes a nozzle lower portion 23 extending downward from the tip portion 20. The nozzle lower part 23 is arrange | positioned below the base end part 21 and the arm part 22. As shown in FIG. The base end portion 21 is attached to the base 25 by bolts 24. The driving force of the nozzle rotating mechanism 10 is transmitted to the nozzle arm 4 via the base 25. The tip portion 20 and the arm portion 22 are portions located above the substrate W held by the spin chuck 2 at the processing position (see FIG. 2).

노즐 아암(4)은, 소수성 재료에 의해서 형성되어 있다. 소수성 재료로서는, 예를 들어, 폴리 테트라 플루오르 에틸렌 등의 불소 수지를 들 수 있다. 도 4에 나타나는 바와 같이, 아암부(22)는, 상면(26), 우측면(27), 좌측면(28) 및 V자 형상의 하면(29)을 포함한 5각형 형상의 직교 단면(C1)(긴 방향(D1)에 직교 하는 단면)을 가지고 있다. 아암부(22)의 직교 단면(C1)은, 아암부(22)의 일단부로부터 아암부(22)의 타단부까지 일정으로 있다. 즉, 직교 단면(C1)은, 아암부(22)의 일단부로부터 아암부(22)의 타단부까지 같은 형태로 같은 크기(같은 형태 같은 크기)이다. 아암부(22)에는, 노즐 아암(4)을 보강하는 봉 형상의 심재(芯材)(30)가 묻혀져 있다. 심재(30)는, 예를 들어, 스테인레스강에 의해서 형성되고 있다. 더구나. 아암부(22)의 내부에는, 노즐(3)에 액체를 공급하는 액체 공급관(31)과 노즐(3)에 기체를 공급하는 기체 공급관(32)이 삽입되어 있다. 심재(30), 액체 공급관(31) 및 기체 공급관(32)은, 아암부(22)내에서 긴 방향(D1)으로 연장하고 있다. 도 3에 나타나는 바와 같이, 액체 공급관(31) 및 기체 공급관(32)은, 아암부(22)로부터 선단부(20) 측에 돌출하여 있고, 노즐(3)에 접속되어 있다.The nozzle arm 4 is formed of a hydrophobic material. As a hydrophobic material, fluororesins, such as polytetrafluoroethylene, are mentioned, for example. As shown in FIG. 4, the arm portion 22 has a five-dimensional orthogonal cross section C1 including an upper surface 26, a right surface 27, a left surface 28, and a V-shaped lower surface 29 ( Cross section orthogonal to the long direction D1). The orthogonal cross section C1 of the arm part 22 is constant from one end of the arm part 22 to the other end of the arm part 22. That is, the orthogonal cross section C1 is the same size (same shape and same size) in the same form from the one end of the arm part 22 to the other end of the arm part 22. As shown in FIG. The arm part 22 is buried with a rod-shaped core material 30 for reinforcing the nozzle arm 4. The core material 30 is formed of stainless steel, for example. Moreover. The liquid supply pipe 31 which supplies a liquid to the nozzle 3, and the gas supply pipe 32 which supplies a gas to the nozzle 3 are inserted in the arm part 22. As shown in FIG. The core material 30, the liquid supply pipe 31, and the gas supply pipe 32 extend in the arm portion 22 in the longitudinal direction D1. As shown in FIG. 3, the liquid supply pipe 31 and the gas supply pipe 32 protrude from the arm part 22 to the tip end 20 side and are connected to the nozzle 3.

기판 처리 장치(1)는, 노즐 아암(4)에 순수를 공급하여 노즐 아암(4)을 세정하는 제1 순수 노즐(33)(순수 노즐) 및 제2 순수 노즐(34)과, 노즐 아암(4)에 기체를 공급하여 노즐 아암(4)에 부착하고 있는 순수를 제거하는 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)을 더 포함한다. 도 3에 나타나는 바와 같이, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)은, 노즐 아암(4)의 기단부(21)의 근방에 배치되어 있다. 제1 순수 노즐(33)은, 노즐 아암(4)의 상방에 배치되어 있고, 제2 순수 노즐(34)은, 노즐 아암(4)의 하방에 배치되어 있다. 또한, 도 4에 나타나는 바와 같이, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)은, 직교 단면(C1)의 폭 방향(긴 방향(D1)에 직교 하는 수평인 방향)에 관하여 중심을 통과하는 연직인 축선(CL1)상에 배치되어 있다. 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)은, 노즐 아암(4)과 함께 노즐 회전 축선(L1) 주위에 수평으로 이동하도록 유지되고 있다.The substrate processing apparatus 1 includes a first pure nozzle 33 (pure nozzle) and a second pure nozzle 34 for supplying pure water to the nozzle arm 4 to clean the nozzle arm 4, and a nozzle arm ( The first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 which supply gas to 4) and remove the pure water adhering to the nozzle arm 4 are further included. As shown in FIG. 3, the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34 are arrange | positioned in the vicinity of the base end part 21 of the nozzle arm 4. As shown in FIG. The first pure water nozzle 33 is disposed above the nozzle arm 4, and the second pure water nozzle 34 is disposed below the nozzle arm 4. 4, the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34 are centered with respect to the width direction (horizontal direction orthogonal to the long direction D1) of the orthogonal cross section C1. It is arrange | positioned on the perpendicular axis CL1 which passes through. The 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34 are hold | maintained so that it may move horizontally around the nozzle rotation axis L1 with the nozzle arm 4.

도 3에 나타나는 바와 같이, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)에는 공통의 순수 밸브(37)를 개입하여, 세정액으로서의 순수가 공급된다. 즉, 순수 밸브(37)가 열리면, 제1 순수 노즐(33)에 순수가 공급되어, 노즐 아암(4)으로 향하여 제1 순수 노즐(33)로부터 순수가 토출된다. 더구나, 순수 밸브(37)가 열리면, 제2 순수 노즐(34)에 순수가 공급되어, 노즐 아암(4)을 향하여 제2 순수 노즐(34)로부터 순수가 토출된다. 따라서, 순수 밸브(37)가 열리면, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)로부터 순수가 토출된다.As shown in FIG. 3, pure water as a cleaning liquid is supplied to the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 via a common pure water valve 37. That is, when the pure water valve 37 is opened, pure water is supplied to the first pure water nozzle 33, and pure water is discharged from the first pure water nozzle 33 toward the nozzle arm 4. Moreover, when the pure water valve 37 is opened, pure water is supplied to the second pure water nozzle 34, and pure water is discharged from the second pure water nozzle 34 toward the nozzle arm 4. Therefore, when the pure water valve 37 is opened, pure water is discharged from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34.

제1 순수 노즐(33)은, 제1 순수 노즐(33)로부터 예를 들어 수평에 순수가 토출되도록 배치되어 있다. 제1 순수 노즐(33)로부터 토출된 순수는, 노즐 아암(4)을 따라서 긴 방향(D1)으로 흐른다. 한편, 제2 순수 노즐(34)은, 제2 순수 노즐(34)로부터 예를 들어 경사 상향으로 순수가 토출되도록 배치되어 있다. 제2 순수 노즐(34)로부터 토출된 순수는, 노즐 아암(4)의 하부에 공급된다. 그리고, 노즐 아암(4)에 공급된 순수는, 노즐 아암(4)을 따라서 긴 방향(D1)으로 흐른다.The 1st pure water nozzle 33 is arrange | positioned so that pure water may be discharged horizontally from the 1st pure water nozzle 33, for example. The pure water discharged from the first pure water nozzle 33 flows in the longitudinal direction D1 along the nozzle arm 4. On the other hand, the 2nd pure water nozzle 34 is arrange | positioned so that pure water may be discharged from the 2nd pure water nozzle 34 upward, for example inclined upward. Pure water discharged from the second pure water nozzle 34 is supplied to the lower portion of the nozzle arm 4. The pure water supplied to the nozzle arm 4 flows along the nozzle arm 4 in the longitudinal direction D1.

또한, 도 3에 나타나는 바와 같이, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)은, 노즐 아암(4)보다도 하방에 배치되어 있다. 제1 기체 노즐(35)은, 노즐 아암(4)의 기단부(21) 측에 배치되어 있고, 제2 기체 노즐(36)은, 노즐 아암(4)의 선단부(20) 측에 배치되어 있다. 제1 기체 노즐(35)는, 평면으로 보아 노즐 아암(4)에 겹쳐지지 않도록 배치되어 있다(도 2 참조). 또한, 제2 기체 노즐(36)은, 노즐 하부(23)의 근방에 배치되어 있다. 제2 기체 노즐(36)은, 노즐 하부(23)에 대하여 수평 방향으로 대향하고 있다. 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)은, 각각, 대기 위치에 배치된 제1 스테이(stay)(38) 및 제2 스테이(39)에 의해서 유지되고 있다. 따라서, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)이 노즐 회전 축선(L1) 주위에 회전하면, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)은, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)에 대해서 상대 이동한다.In addition, as shown in FIG. 3, the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 are disposed below the nozzle arm 4. The first gas nozzle 35 is disposed on the proximal end 21 side of the nozzle arm 4, and the second gas nozzle 36 is disposed on the front end 20 side of the nozzle arm 4. The 1st gas nozzle 35 is arrange | positioned so that it may not overlap with the nozzle arm 4 by planar view (refer FIG. 2). In addition, the second gas nozzle 36 is disposed in the vicinity of the nozzle lower portion 23. The second gas nozzle 36 faces the nozzle lower portion 23 in the horizontal direction. The 1st gas nozzle 35 and the 2nd gas nozzle 36 are hold | maintained by the 1st stay 38 and the 2nd stay 39 arrange | positioned at a standby position, respectively. Therefore, when the nozzle 3 and the nozzle arm 4 rotate about the nozzle rotation axis L1, the 1st gas nozzle 35 and the 2nd gas nozzle 36 will become the nozzle 3 and the nozzle arm 4, respectively. Relative to).

도 3에 나타나는 바와 같이, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)에는 공통의 기체 밸브(40)를 개입시켜, 기체의 일례로 있는 질소 가스가 공급된다.. 즉, 기체 밸브(40)가 열리면, 제1 기체 노즐(35)에 질소 가스가 공급되어 노즐 아암(4)을 향하여 제1 기체 노즐(35)로부터 질소 가스가 토출된다. 더구나, 기체 밸브(40)가 열리면, 제2 기체 노즐(36)에 질소 가스가 공급되어 노즐(3)을 향하여 제2 기체 노즐(36)의 제2 기체 토출구로부터 질소 가스가 토출된다. 따라서, 기체 밸브(40)가 열리면, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)으로부터 질소 가스가 토출된다.As shown in FIG. 3, the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 are supplied with a nitrogen gas as an example of gas via a common gas valve 40. When 40 is opened, nitrogen gas is supplied to the first gas nozzle 35, and nitrogen gas is discharged from the first gas nozzle 35 toward the nozzle arm 4. In addition, when the gas valve 40 is opened, nitrogen gas is supplied to the second gas nozzle 36 to discharge the nitrogen gas from the second gas discharge port of the second gas nozzle 36 toward the nozzle 3. Thus, when the gas valve 40 is opened, nitrogen gas is discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36.

제1 기체 노즐(35)은, 제1 기체 노즐(35)로부터 예를 들어 경상 상방에 질소 가스가 토출되도록 배치되어 있다. 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스는, 노즐 아암(4)의 하부에 분출된다. 그리고, 노즐 아암(4)에 분출된 질소 가스는, 노즐 아암(4)의 하부를 따라서 긴 방향(D1)으로 흐른다. 더구나, 제1 기체 노즐(35) 및 노즐 아암(4)이 평면으로 보아 겹치지 않도록 배치되어 있으므로, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스는, 노즐 아암(4)의 하부에 대해서 측방으로부터 분출된다. 한편, 제2 기체 노즐(36)은, 제2 기체 노즐(36)로부터 예를 들어 수평에 질소 가스가 토출되도록 배치되어 있다. 제2 기체 노즐(36)로부터 토출된 질소 가스는, 노즐 하부(23)에 분출된다.The 1st gas nozzle 35 is arrange | positioned so that nitrogen gas may be discharged from the 1st gas nozzle 35 to upper surface, for example. The nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is blown off the lower portion of the nozzle arm 4. And the nitrogen gas blown into the nozzle arm 4 flows along the lower part of the nozzle arm 4 in the longitudinal direction D1. Moreover, since the 1st gas nozzle 35 and the nozzle arm 4 are arrange | positioned so that it may not overlap in plan view, the nitrogen gas discharged from the 1st gas nozzle 35 will be discharge | released from the side with respect to the lower part of the nozzle arm 4. Squirt. On the other hand, the 2nd gas nozzle 36 is arrange | positioned so that nitrogen gas may be discharged from the 2nd gas nozzle 36 horizontally, for example. The nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 is blown out to the nozzle lower portion 23.

도 5는, 도 4의 일부를 확대한 도면이다. 이하에서는, 노즐 아암(4)의 단면(아암부(22)의 직교 단면(C1))에 관하여 상세하게 설명한다.5 is an enlarged view of a part of FIG. 4. Hereinafter, the cross section (orthogonal cross section C1 of the arm part 22) of the nozzle arm 4 is demonstrated in detail.

전술과 같이, 직교 단면(C1)은, 예를 들어, 5각형 형상이다. 직교 단면(C1)은, 상부(41), 우측부(42)(측부, 타방의 측단), 좌측부(43)(일방의 측단) 및 하부(44)를 포함한다. 상부(41), 우측부(42), 좌측부(43) 및 하부(44)는, 각각, 상면(26), 우측면(27), 좌측면(28) 및 하면(29)의 일부이다. 상부(41)는, 수평면에 대하여 경사져 있다. 우측부(42) 및 좌측부(43)는, 상하 방향으로 연장하고 있다. 하부(44)는, 수평면에 대해서 경사져 있다. 하부(44)는, 예를 들어 V자 형상이다.As mentioned above, the orthogonal cross section C1 is pentagonal shape, for example. The orthogonal cross section C1 includes the upper part 41, the right part 42 (side part, the other side end), the left part 43 (one side end), and the lower part 44. The upper part 41, the right part 42, the left part 43, and the lower part 44 are a part of the upper surface 26, the right surface 27, the left surface 28, and the lower surface 29, respectively. The upper part 41 is inclined with respect to the horizontal plane. The right part 42 and the left part 43 extend in the vertical direction. The lower portion 44 is inclined with respect to the horizontal plane. The lower portion 44 is, for example, V-shaped.

상부(41)는, 좌단(45)(정부), 우단(46), 좌단(45)과 우단(46)을 접속하는 상측(上側) 경사부(47)를 포함한다. 상부(41)의 좌단(45)은, 직교 단면(C1)에서 가장 위에 위치하며 있다. 따라서, 상부(41)의 우단(46)은, 상부(41)의 좌단(45)보다도 하방에 위치하고 있다. 상측 경사부(47)는, 상부(41)의 우단(46)에 가까워지는 만큼 하강하도록 연속적으로 경사져 있다. 즉, 상부 경사부(47)는, 정부로서의 상부(41)의 좌단(45)으로부터 우측부(42)의 일부인 상부(41)의 우단(46)까지 계속 하강하고 있다. 상측 경사부(47)의 경사 각도는, 예를 들어 일정으로 있다. 상측 경사부(47)의 경사 각도는, 일정으로 한정하지 않고, 연속적으로 변화하고 있어도 좋다. 즉, 상측 경사부(47)는, 제1 실시 형태와 같은 직선이어도 좋고, 위(上) 또는 아래(下)에 볼록(凸)의 곡선으로 있어도 좋다.The upper portion 41 includes a left end 45 (government), a right end 46, an upper inclined portion 47 connecting the left end 45 and the right end 46. The left end 45 of the upper part 41 is located at the top of the orthogonal cross section C1. Therefore, the right end 46 of the upper part 41 is located below the left end 45 of the upper part 41. The upper inclined portion 47 is continuously inclined such that the upper inclined portion 47 descends as it approaches the right end 46 of the upper portion 41. That is, the upper inclination part 47 continues to descend from the left end 45 of the upper part 41 as a government part to the right end 46 of the upper part 41 which is a part of the right part 42. As shown in FIG. The inclination angle of the upper inclination part 47 is fixed, for example. The inclination angle of the upper inclination portion 47 is not limited to a constant and may be continuously changed. That is, the upper inclination part 47 may be a straight line like 1st Embodiment, and may be a convex curve on the upper side or the lower side.

또한, 하부(44)는, 좌단(48), 우단(49), 좌단(48)과 우단(49)의 사이에 배치된 하단(50)(저부), 좌단(48)과 하단(50)을 접속하는 좌측 경사부(51), 우단(49)과 하단(50)을 접속하는 우측 경사부(52)(하측 경사부)를 포함한다. 하단(50)은, 직교 단면(C1)에서 가장 아래에 위치하고 있다. 따라서, 하부(44)의 좌단(48) 및 우단(49)은, 하단(50)보다도 상방에 위치하고 있다. 좌측 경사부(51)는, 좌측부(43)의 일부인 하부(44)의 좌단(48)으로부터 저부로서의 하단(50)까지 계속 하강하도록 연속적으로 경사져 있다. 같은 형태로, 우측 경사부(52)는, 우측부(42)의 일부인 하부(44)의 우단(49)으로부터 저부로서의 하단(50)까지 계속 하강하도록 연속적으로 경사져 있다. 좌측 경사부(51) 및 우측 경사부(52)의 경사 각도는, 일정으로 있어도 종고, 연속적으로 변화하고 있어도 좋다. 더구나, 좌측 경사부(51)의 경사 각도나 변화 상태는, 우측 경사부(52)와 같은 것으로 있어도 좋고, 다르게 있어도 좋다. 하부(44)는, 직교 단면(C1)의 폭(좌우 방향에의 길이)이 하단(50)에 가까워지는 만큼 감소하도록 경사져 있다.In addition, the lower portion 44 includes a lower end 50 (bottom), a left end 48 and a lower end 50 disposed between the left end 48, the right end 49, the left end 48, and the right end 49. The left inclination part 51 to connect, the right inclination part 52 (lower inclination part) which connects the right end 49 and the lower end 50 are included. The lower end 50 is located most in the orthogonal cross section C1. Therefore, the left end 48 and the right end 49 of the lower portion 44 are located above the lower end 50. The left inclined portion 51 is continuously inclined so as to continuously descend from the left end 48 of the lower portion 44 that is part of the left portion 43 to the lower end 50 as the bottom portion. In the same way, the right inclination part 52 is continuously inclined so that it may continue to descend from the right end 49 of the lower part 44 which is a part of the right part 42 to the lower end 50 as a bottom part. The inclination angles of the left inclined portion 51 and the right inclined portion 52 may be constant or may vary continuously. In addition, the inclination angle and the change state of the left inclined portion 51 may be the same as the right inclined portion 52 or may be different. The lower part 44 is inclined so that the width (length in the left-right direction) of the orthogonal cross section C1 may decrease as the lower end 50 approaches.

또한, 좌측부(43)는, 상부(41)의 좌단(45)으로부터 하부(44)의 좌단(48)까지 하방으로 연장하고 있다. 상부(41)의 좌단(45), 좌측부(43) 및 하부(44)의 좌단(48)은, 직교 단면(C1)에 있어 가장 좌측방(左側方)에 위치하고 있다. 상부(41)의 좌단(45)은, 상부(41)의 일부임과 동시에, 좌측부(43)의 일부로도 있다. 같이 형태로, 하부(44)의 좌단(48)은, 하부(44)의 일부임과 동시에, 좌측부(43)의 일부로도 있다. 좌측부(43)는, 직교 단면(C1)에 있어 가장 측방(側方)에 위치하고 있는 일방의 측단(側端)이다.In addition, the left part 43 extends downward from the left end 45 of the upper part 41 to the left end 48 of the lower part 44. The left end 45 of the upper part 41, the left end 43, and the left end 48 of the lower part 44 are located in the leftmost direction in orthogonal cross section C1. The left end 45 of the upper part 41 is part of the upper part 41, and is also part of the left part 43. In the same manner, the left end 48 of the lower part 44 is part of the lower part 44 and also part of the left part 43. The left side part 43 is one side end located in the most lateral side in the orthogonal cross section C1.

또한, 우측부(42)는, 상부(41)의 우단(46)으로부터 하부(44)의 우단(49)까지 하방에 연장하고 있다. 상부(41)의 우단(46), 우측부(42), 및 하부(44)의 우단(49)는, 직교 단면(C1)에 있어 가장 우측방(右側方)에게 위치하고 있다. 상부(41)의 우단(46)은, 상부(41)의 일부임과 동시에, 우측부(42)의 일부로도 있다. 같이 형태로 하부(44)의 우단(49)은, 하부(44)의 일부임과 동시에, 우측부(42)의 일부로도 있다. 우측부(42)는, 직교 단면(C1)에 대해 가장 측방에 위치하고 있는 타방의 측단으로 있다. 즉, 우측부(42) 및 좌측부(43)는, 축선(CL1)에 대해 서로 반대 측에 배치된 좌우 한 쌍의 측단으로 있다.In addition, the right part 42 extends downward from the right end 46 of the upper part 41 to the right end 49 of the lower part 44. The right end 46 of the upper part 41, the right part 42, and the right end 49 of the lower part 44 are located in the rightmost direction in the orthogonal cross section C1. The right end 46 of the upper part 41 is a part of the upper part 41, and is also a part of the right part 42. As shown in FIG. In the same manner, the right end 49 of the lower portion 44 is part of the lower portion 44 and also part of the right portion 42. The right side part 42 is the other side end located in the most side with respect to the orthogonal cross section C1. That is, the right part 42 and the left part 43 are a pair of left and right side ends arrange | positioned on the opposite side with respect to the axis line CL1.

제1 기체 노즐(35)은, 노즐 아암(4)의 측방으로부터 노즐 아암(4)의 하부로 향하여 기체를 토출하도록 구성되어 있다. 즉, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스는, 노즐 아암(4)의 우측면(27)이나 하면(29)에 대해서 우측방으로부터 분출된다. 전술과 같이, 상측 경사부(47)는, 상부(41)의 우단(46)에 가까워지는 만큼 하강하도록 경사져 있다. 따라서, 상측 경사부(47)는, 제1 기체 노즐(35)로부터의 기체가 분출되는 측으로 향하여 하강하고 있다(도 8 참조).The first gas nozzle 35 is configured to discharge gas from the side of the nozzle arm 4 toward the lower portion of the nozzle arm 4. That is, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is ejected from the right side with respect to the right surface 27 and the lower surface 29 of the nozzle arm 4. As mentioned above, the upper inclination part 47 is inclined so that it may descend as it approaches the right end 46 of the upper part 41. As shown in FIG. Therefore, the upper inclination part 47 descends toward the side which the gas from the 1st gas nozzle 35 blows off (refer FIG. 8).

도 6은, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)을 세정할 때의 동작의 일례에 대해 설명하기 위한 공정도이다. 도 7은, 노즐 아암(4)에 순수가 공급되고 있을 때의 순수의 움직임의 일례에 관하여 설명하기 위한 단면도이다. 도 8은, 노즐 아암(4)에 질소 가스가 공급되고 있을 때의 순수의 움직임의 일례에 관하여 설명하기 위한 단면도이다. 이하에서는, 도 3을 참조한다. 또한, 이하의 설명에서는 도 1, 도 6, 도 7 및 도 8을 적당히 참조한다.FIG. 6 is a process chart for explaining an example of an operation when cleaning the nozzle 3 and the nozzle arm 4. FIG. 7: is sectional drawing for demonstrating an example of the movement of pure water when the pure water is supplied to the nozzle arm 4. As shown in FIG. FIG. 8: is sectional drawing for demonstrating an example of the movement of the pure water when nitrogen gas is supplied to the nozzle arm 4. FIG. Hereinafter, reference is made to FIG. 3. In addition, in the following description, FIGS. 1, 6, 7 and 8 are referred to suitably.

노즐(3) 및 노즐 아암(4)의 세정은, 예를 들어, 스핀 척(2)에 기판(W)이 유지되어 있지 않은 상태로 행해진다. 또한, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)의 세정에서는, 최초로, 예를 들어 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)로부터 노즐 아암(4)을 향하여 순수가 토출된다(도 6의 스텝 S1, 제1 순수 공급 공정). 구체적으로는, 제어장치(7)는, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)을 대기 위치에 위치시킨 상태로, 순수 밸브(37)를 열고, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)로부터 순수를 토출시킨다.The cleaning of the nozzle 3 and the nozzle arm 4 is performed in a state in which the substrate W is not held in the spin chuck 2, for example. In addition, in the washing | cleaning of the nozzle 3 and the nozzle arm 4, pure water is discharged toward the nozzle arm 4 from the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34 for the first time (FIG. Step S1 of 6, 1st pure water supply process). Specifically, the controller 7 opens the pure water valve 37 in a state where the nozzle 3 and the nozzle arm 4 are positioned at the standby position, and the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle. Pure water is discharged from (34).

제1 순수 노즐(33)로부터 토출된 순수의 대부분은, 아암부(22)의 상면(26)에 공급되고, 제1 순수 노즐(33)로부터 토출된 순수의 일부는, 아암부(22)의 우측면(27) 및 좌측면(28)에 공급된다. 아암부(22)의 상면(26)이 수평면에 대해서 경사져 있으므로, 아암부(22)의 상면(26)에 공급된 순수는, 선단부(20)로 향해 긴 방향(D1)으로 이동하면서, 상면(26)을 따라서 하방에 흐른다(도 7 참조). 그리고, 상부(41)의 우단(46)에 도달한 순수는, 상부(41)의 우단(46)으로부터 측방에 비산하거나 우측면(27)을 따라서 하방으로 흐르거나 한다. 또한, 우측면(27) 및 좌측면(28)에 공급된 순수는, 선단부(20)로 향하여 긴 방향(D1)으로 이동하면서, 우측면(27) 또는 좌측면(28)을 따라서 하방으로 흐른다.Most of the pure water discharged from the first pure water nozzle 33 is supplied to the upper surface 26 of the arm portion 22, and a part of the pure water discharged from the first pure water nozzle 33 is formed of the arm portion 22. It is supplied to the right side 27 and the left side 28. Since the upper surface 26 of the arm portion 22 is inclined with respect to the horizontal plane, the pure water supplied to the upper surface 26 of the arm portion 22 moves upward in the longitudinal direction D1 toward the tip portion 20, while the upper surface ( 26) and flows downward (see FIG. 7). And the pure water which reached the right end 46 of the upper part 41 scatters to the side from the right end 46 of the upper part 41, or flows downward along the right side surface 27. As shown in FIG. In addition, the pure water supplied to the right side 27 and the left side 28 flows downward along the right side 27 or the left side 28 while moving in the longitudinal direction D1 toward the tip portion 20.

그리고, 도 7에 나타나는 바와 같이, 우측면(27)의 하단(하부(44)의 우단(49)) 및 좌측면(28)의 하단(하부(44)의 좌단(48))에 도달한 순수는, 우측면(27) 또는 좌측면(28)으로부터 낙하하거나 하면(29)을 따라서 하방으로 흐르거나 한다.And as shown in FIG. 7, the pure water which reached the lower end (right end 49 of the lower part 44) of the right side 27, and the lower end (left end 48 of the lower part 44) of the left side 28 is Then, it falls from the right side 27 or the left side 28 or flows downward along the lower side 29.

한편, 제2 순수 노즐(34)로부터 토출된 순수의 대부분은, 아암부(22)의 하면(29)에 공급되어, 제2 순수 노즐(34)로부터 토출된 순수의 일부는, 아암부(22)의 우측면(27) 및 좌측면(28)에 공급된다. 전술과 같이, 우측면(27) 및 좌측면(28)에 공급된 순수는, 우측면(27) 또는 좌측면(28)으로부터 낙하하거나 하면(29)를 따라서 하방으로 흐르거나 한다. 그 한편으로, 아암부(22)의 하면(29)이 수평면에 대해서 경사져 있으므로, 아암부(22)의 하면(29)에 공급된 순수는, 선단부(20)로 향하여 긴 방향(D1)으로 이동하면서, 하면(29)을 따라서 하방으로 흐른다(도 7 참조). 즉, 아암부(22)의 하면(29)에 공급된 순수는, 하단(50)으로 향하여 이동하도록 하면(29)을 따라서 흐른다. 그리고, 하단(50)에 도달한 순수는, 노즐 아암(4)으로부터 낙하한다.On the other hand, most of the pure water discharged from the second pure water nozzle 34 is supplied to the lower surface 29 of the arm portion 22, and a part of the pure water discharged from the second pure water nozzle 34 is the arm portion 22. Is supplied to the right side 27 and the left side 28 of. As described above, the pure water supplied to the right side 27 and the left side 28 falls from the right side 27 or the left side 28 or flows downward along the bottom side 29. On the other hand, since the lower surface 29 of the arm portion 22 is inclined with respect to the horizontal plane, the pure water supplied to the lower surface 29 of the arm portion 22 moves in the longitudinal direction D1 toward the tip portion 20. While flowing downward along the lower surface 29 (see FIG. 7). That is, the pure water supplied to the lower surface 29 of the arm portion 22 flows along the lower surface 29 to move toward the lower end 50. And the pure water which reached | attained the lower end 50 falls from the nozzle arm 4.

이와 같이, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)로부터 토출된 순수는, 아암부(22)의 상면(26), 우측면(27), 좌측면(28), 및 하면(29)에 공급된다. 이것에 의해, 아암부(22)에 부착하고 있는 파티클 등의 이물이나 처리액이 순수에 의해서 씻겨 흘러간다. 또한, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)로부터 아암부(22)에 공급된 순수는, 선단부(20)로 향하여 긴 방향(D1)으로 흐른다. 그리고, 선단부(20)의 근방에 도달한 순수는, 아암부(22)로부터 선단부(20)로 이동하고, 선단부(20)나 노즐(3)을 따라서 하방으로 흐른다. 이것에 의해, 선단부(20)나 노즐(3)에 부착하고 있는 이물 등이 순수에 의해서 씻겨 흘러간다. 그리고, 선단부(20)나 노즐(3)로부터 낙하한 순수는, 포트(11)에 의해서 수용된다.Thus, the pure water discharged from the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34 is the upper surface 26, the right surface 27, the left surface 28, and the lower surface 29 of the arm part 22. Is supplied. As a result, foreign matter such as particles adhering to the arm portion 22 and the processing liquid are washed off by pure water. In addition, the pure water supplied to the arm part 22 from the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34 flows toward the front-end | tip part 20 in a longitudinal direction D1. And the pure water which reached the vicinity of the tip part 20 moves to the tip part 20 from the arm part 22, and flows downward along the tip part 20 and the nozzle 3. As shown in FIG. Thereby, the foreign material etc. which adhere to the tip part 20 and the nozzle 3 wash away with pure water. The pure water dropped from the tip portion 20 and the nozzle 3 is received by the port 11.

다음에, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)로부터 노즐(3) 및 노즐 아암(4)을 향하여 질소 가스가 토출된다(도 6의 스텝 S2, 제1 기체 공급 공정). 구체적으로는, 제어장치(7)는, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)을 대기 위치에 위치시킨 상태로, 기체 밸브(40)를 열고, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)로부터 질소 가스를 토출시킨다.Next, nitrogen gas is discharged from the 1st gas nozzle 35 and the 2nd gas nozzle 36 toward the nozzle 3 and the nozzle arm 4 (step S2 of FIG. 6, a 1st gas supply process). Specifically, the controller 7 opens the gas valve 40 in a state where the nozzle 3 and the nozzle arm 4 are positioned in the standby position, and the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle. Nitrogen gas is discharged from 36.

제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스의 대부분은, 아암부(22)의 하면(29)에 분출되고, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스의 일부는, 아암부(22)의 우측면(27) 및 좌측면(280에 분출된다(도 8 참조). 아암부(22)의 하면(29)에 분무된 질소 가스는, 하면(29)을 따라서 선단부(20) 쪽으로 긴 방향(D1)으로 흐른다. 또한, 아암부(22)의 우측면(27) 및 좌측면(28)에 분출된 질소 가스는, 우측면(27) 또는 좌측면(28)을 따라서 선단부(20) 쪽으로 긴 방향(D1)으로 흐른다. 이것에 의해, 아암부(22)의 하면(29), 우측면(27), 및 좌측면(28)에 부착하고 있는 순수가, 질소 가스에 의해서 날려 버려져서 제거된다.Most of the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is ejected to the lower surface 29 of the arm part 22, and a part of the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is the arm part 22. (I.e., Fig. 8) is sprayed on the right side 27 and the left side 280 of the arm. In addition, nitrogen gas ejected to the right side 27 and the left side 28 of the arm portion 22 extends in the longitudinal direction toward the tip 20 along the right side 27 or the left side 28. This flows to (D1), whereby the pure water adhering to the lower surface 29, the right surface 27, and the left surface 28 of the arm portion 22 is blown off by nitrogen gas and removed.

한편, 제2 기체 노즐(36)으로부터 토출된 질소 가스의 대부분은, 노즐 하부(23)에 분출된다. 또한, 제1 기체 노즐(35)로부터 아암부(22)를 향해서 토출되어 선단부(20)의 근방에 도달한 질소 가스는, 선단부(20)나 노즐(3)에 따라서 흐른다. 따라서, 선단부(20)에는, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스가 분출되어, 노즐(3)에는, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)로부터 토출된 질소 가스가 분출된다. 이것에 의해, 선단부(20)나 노즐(3)에 부착하고 있는 순수가 날려 버려져서 제거된다.On the other hand, most of the nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 is ejected to the nozzle lower portion 23. Moreover, nitrogen gas discharged toward the arm part 22 from the 1st gas nozzle 35 and reached the vicinity of the tip part 20 flows along the tip part 20 or the nozzle 3. Therefore, the nitrogen gas discharged from the 1st gas nozzle 35 is blown into the front-end | tip part 20, and the nitrogen gas discharged from the 1st gas nozzle 35 and the 2nd gas nozzle 36 to the nozzle 3 is carried out. Is ejected. As a result, pure water adhering to the tip 20 and the nozzle 3 is blown off and removed.

이와 같이, 제1 기체 노즐(35)로부터 질소 가스가 토출되는 것에 의해, 아암부(22)의 하면(29), 우측면(27), 및 좌측면(28)으로부터 순수가 제거된다. 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스는, 아암부(22)의 상면(26)에 대부분 공급되지 않지만, 아암부(22)의 상면(26)에 공급된 순수는, 상면(26)의 경사에 의해서 흘러 떨어지는 것에 의해, 상면(26)으로부터 제거된다. 따라서, 아암부(22)의 하면(29), 우측면(27), 및 좌측면(28)으로부터 순수를 제거하는 것에 의해, 아암부(22) 전체로부터 순수를 제거할 수 있다. 더구나, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스는, 노즐(3)이나 선단부(20)에도 공급되므로, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)에 부착하고 있는 순수를 효율적으로 제거할 수 있다.In this way, the nitrogen gas is discharged from the first gas nozzle 35 to remove pure water from the lower surface 29, the right surface 27, and the left surface 28 of the arm portion 22. Most of the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is not supplied to the upper surface 26 of the arm portion 22, but the pure water supplied to the upper surface 26 of the arm portion 22 is the upper surface 26. It is removed from the upper surface 26 by flowing down by the inclination of. Accordingly, the pure water can be removed from the entire arm portion 22 by removing pure water from the lower surface 29, the right surface 27, and the left surface 28 of the arm portion 22. In addition, since the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is also supplied to the nozzle 3 and the tip 20, the pure water adhering to the nozzle 3 and the nozzle arm 4 can be efficiently removed. have.

다음에, 중심축 노즐(19)로부터 노즐(3) 및 노즐 아암(4)의 선단부(20)를 향해서 순수가 토출된다(도 6의 스텝 S3, 제2 순수 공급 공정). 구체적으로는, 제어장치(7)는, 차단판(5)을 대기 위치에 위치시킨 상태로, 노즐 회전 기구(10)를 제어하고, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)을 처리 위치에 이동시킨다(도 1 참조).즉, 제어장치(7)는, 노즐(3)을 중심축 노즐(19)의 하방으로 이동시킨다. 그리고, 제어장치(7)는, 노즐(3)이 중심축 노즐(19)의 하방에 위치하는 상태로, 순수 밸브(18)를 열고, 중심축 노즐(19)로부터 노즐(3)을 향하여 순수를 토출시킨다.Next, pure water is discharged from the central axis nozzle 19 toward the tip portion 20 of the nozzle 3 and the nozzle arm 4 (step S3 in FIG. 6, the second pure water supplying step). Specifically, the controller 7 controls the nozzle rotation mechanism 10 in a state where the blocking plate 5 is positioned at the standby position, and moves the nozzle 3 and the nozzle arm 4 to the processing position. That is, the controller 7 moves the nozzle 3 below the central axis nozzle 19. And the control apparatus 7 opens the pure water valve 18 in the state in which the nozzle 3 is located below the central axis nozzle 19, and pure water toward the nozzle 3 from the central axis nozzle 19. Discharge.

중심축 노즐(19)로부터 토출된 순수의 대부분은, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)의 선단부(20)에 공급된다. 즉, 노즐(3) 및 선단부(20)에는, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)로부터 뿐만이 아니고, 중심축 노즐(19)로부터도 순수가 공급된다.Most of the pure water discharged from the central axis nozzle 19 is supplied to the tip portion 20 of the nozzle 3 and the nozzle arm 4. In other words, pure water is supplied to the nozzle 3 and the tip portion 20 not only from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34, but also from the central axis nozzle 19.

이것에 의해, 노즐(3) 및 선단부(20)에 순수가 충분히 공급된다. 특히, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)로부터의 순수가 충분히 공급되지 않는 범위(노즐(3)의 오목부(凹)나, 노즐 아암(4)의 만곡부)에도 확실히 순수가 공급된다. 이것에 의해, 노즐(3) 및 선단부(20)에 부착하고 있는 이물이나 처리액이 확실히 제거된다.As a result, pure water is sufficiently supplied to the nozzle 3 and the tip 20. In particular, the pure water from the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34 is certainly not purely supplied to the range (the recessed part of the nozzle 3 and the curved part of the nozzle arm 4). Is supplied. Thereby, the foreign material and processing liquid adhering to the nozzle 3 and the tip part 20 are reliably removed.

다음에, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)로부터 노즐(3) 및 노즐 아암(4)을 향하여 질소 가스가 토출된다(도 6의 스텝 S4, 제2 기체 공급 공정). 구체적으로는, 제어장치(7)는, 차단판(5)을 대기 위치에 위치시킨 상태로, 노즐 회전 기구(10)를 제어하고, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)을 대기 위치에 이동시킨다. 그리고, 제어장치(7)는, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)를 대기 위치에 위치시킨 상태로, 기체 밸브(40)를 열고, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)으로부터 질소 가스를 토출시킨다. 전술과 같이, 노즐(3), 선단부(20) 및 아암부(22)에 부착하고 있는 순수는, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)로부터 토출된 질소 가스에 의해서 제거된다. 이것에 의해, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)이 건조되어, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)의 세정이 완료한다.Next, nitrogen gas is discharged from the 1st gas nozzle 35 and the 2nd gas nozzle 36 toward the nozzle 3 and the nozzle arm 4 (step S4 of FIG. 6, 2nd gas supply process). Specifically, the controller 7 controls the nozzle rotation mechanism 10 in a state where the blocking plate 5 is positioned at the standby position, and moves the nozzle 3 and the nozzle arm 4 to the standby position. Let's do it. And the control apparatus 7 opens the gas valve 40 in the state which positioned the nozzle 3 and the nozzle arm 4 in the standby position, and the 1st gas nozzle 35 and the 2nd gas nozzle 36 Nitrogen gas is discharged. As described above, the pure water adhering to the nozzle 3, the tip 20, and the arm 22 is removed by the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36. . Thereby, the nozzle 3 and the nozzle arm 4 are dried, and washing | cleaning of the nozzle 3 and the nozzle arm 4 is completed.

이상과 같은 제1 실시 형태에서는, 노즐(3)을 유지하는 노즐 아암(4)이, 수평면에 따르는 긴 방향(D1)으로 연장하고 있다. 아암부(22)의 직교 단면(C1)은, 정부(좌단(45))에서 우측부(42)까지 계속 하강하고 있는 상측 경사부(47)를 포함한다. 상측 경사부(47)가 계속 하강하고 있기 때문에, 상측 경사부(47)에 처리액이 부착했다고 해도, 이 처리액은, 상측 경사부(47)를 따라서 아래로 흐른다. 그리고, 이 처리액은, 노즐 아암(4)으로부터 낙하해 제거된다. 즉, 노즐 아암(4)에 처리액이 부착했다고 해도, 이 처리액은, 단시간에 노즐 아암(4)으로부터 제거된다. 따라서, 노즐 아암(4)에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.In the first embodiment as described above, the nozzle arm 4 holding the nozzle 3 extends in the longitudinal direction D1 along the horizontal plane. The orthogonal cross section C1 of the arm part 22 includes the upper inclination part 47 which continues descending from the top part (left end 45) to the right part 42. As shown in FIG. Since the upper inclined portion 47 continues to descend, even if the processing liquid adheres to the upper inclined portion 47, the processing liquid flows downward along the upper inclined portion 47. And this process liquid falls out from the nozzle arm 4, and is removed. That is, even if the processing liquid adheres to the nozzle arm 4, the processing liquid is removed from the nozzle arm 4 in a short time. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

또한, 제1 실시 형태에서는, 직교 단면(C1)이, 우측부(42)로부터 저부(하단 (44))까지 계속 하강하고 있는 우측 경사부(52)와 좌측부(43)로부터 저부까지 계속 하강하고 있는 좌측 경사부(51)를 포함한다. 우측 경사부(52) 및 좌측 경사부(51)가 저부까지 계속 하강하고 있기 때문에, 우측 경사부(52) 및 좌측 경사부(51)에 처리액이 부착했다고 해도, 이 처리액은, 우측 경사부(52) 및 좌측 경사부(51)를 따라서 아래에 흐른다. 그리고, 이 처리액은, 노즐 아암(4)으로부터 낙하해 제거된다. 따라서, 노즐 아암(4)에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.In addition, in 1st Embodiment, the orthogonal cross section C1 continues to descend from the right inclined part 52 and the left part 43 which continue descending from the right part 42 to the bottom part (lower end 44), and continues to descend. Left inclined portion 51; Since the right inclination part 52 and the left inclination part 51 continue to descend to the bottom part, even if a process liquid adheres to the right inclination part 52 and the left inclination part 51, this process liquid inclines to the right side. It flows along the part 52 and the left inclination part 51 below. And this process liquid falls out from the nozzle arm 4, and is removed. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

또한, 제1 실시 형태에서는, 직교 단면(C1)의 일방의 측단이, 정부(좌단(45))를 포함해, 우측부(42)가, 직교 단면(C1)의 타방의 측단을 포함한다. 상측 경사부(47)은, 정부에서 우측부(42)까지 연장하고 있다. 따라서, 상측 경사부(47)는, 일방의 측단으로부터 타단의 측단까지 연장하고 있다. 즉, 직교 단면(C1)의 상부(41)는, 일방의 측단으로부터 타방의 측단까지 연장하고 있고, 타방의 측단에 가까워지는 만큼 하강하고 있다. 그 때문에, 직교 단면(C1)의 상부(41)에 부착하여 있는 처리액은, 공통의 측단(타방의 측단)으로 향하여 흘러 떨어진다. 이것에 의해, 직교 단면(C1)의 상부(41)에 부착하고 있는 액적들을 결합시키고, 그 자중에 의해서 낙하시킬 수 있다. 따라서, 노즐 아암(4)에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.In addition, in 1st Embodiment, one side end of the orthogonal cross section C1 includes the government part (left end 45), and the right side 42 contains the other side end of the orthogonal cross section C1. The upper inclined portion 47 extends from the top to the right portion 42. Therefore, the upper inclined portion 47 extends from one side end to the side end of the other end. That is, the upper part 41 of the orthogonal cross section C1 extends from one side end to the other side end, and descend | falls so that it may approach to the other side end. Therefore, the processing liquid adhering to the upper part 41 of the orthogonal cross section C1 flows toward the common side end (the other side end). Thereby, the droplets adhering to the upper part 41 of the orthogonal cross section C1 can be combined, and it can fall by its own weight. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

또한, 제1 실시 형태에서는, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스가 노즐 아암(4)의 하부에 분출된다. 전술과 같이, 노즐 아암(4)에 부착한 처리액은, 노즐 아암(4)을 따라서 아래에 흐른다. 즉, 노즐 아암(4)에 부착한 처리액은, 노즐 아암(4)의 하부에 모인다. 이 처리액이 모이는 위치에 질소 가스가 분출된다. 이것에 의해, 노즐 아암(4)에 부착하고 있는 처리액을 날려 버려 효율적으로 제거할 수 있다. 따라서, 노즐 아암(4)에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.In addition, in 1st Embodiment, the nitrogen gas discharged from the 1st gas nozzle 35 is blown off the nozzle arm 4 below. As described above, the processing liquid attached to the nozzle arm 4 flows down along the nozzle arm 4. That is, the processing liquid attached to the nozzle arm 4 collects in the lower part of the nozzle arm 4. Nitrogen gas is blown off to the position where this process liquid collects. Thereby, the process liquid adhering to the nozzle arm 4 can be blown off and removed efficiently. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

또한, 제1 실시 형태에서는, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스가 노즐 아암(4)을 따라서 긴 방향(D1)으로 흐른다. 따라서, 제1 기체 노즐(35)로부터 노즐 아암(4)에 질소 가스가 분출되는 범위가 넓어진다. 이것에 의해, 보다 넓은 범위로부터 처리액을 제거할 수 있다. 따라서, 노즐 아암(4)에 대한 처리액의 잔류량을 저감 할 수 있다.In addition, in 1st Embodiment, the nitrogen gas discharged from the 1st gas nozzle 35 flows along the nozzle arm 4 in the longitudinal direction D1. Therefore, the range in which nitrogen gas is ejected from the first gas nozzle 35 to the nozzle arm 4 is widened. Thereby, a process liquid can be removed from a wider range. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

또한, 제1 실시 형태에서는, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스가, 노즐 아암(4)의 하부에 대해서 측방으로부터 분출된다. 상측 경사부(47)는, 제1 기체 노즐(35)로부터의 질소 가스가 분출되는 측으로 향해 하강하고 있다. 따라서, 상측 경사부(47)에 부착한 처리액은, 제1 기체 노즐(35)로부터의 질소 가스가 분출되는 측으로 향하여 흘러 떨어진다. 바꾸어 말하면, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스는, 상측 경사부(47)에 부착한 처리액이 모이는 위치에 분출된다. 따라서, 상측 경사부(47)에 부착한 처리액을 효율적으로 제거할 수 있다.In addition, in 1st Embodiment, the nitrogen gas discharged from the 1st gas nozzle 35 is ejected from the side with respect to the lower part of the nozzle arm 4. The upper inclined portion 47 descends toward the side where the nitrogen gas from the first gas nozzle 35 is ejected. Therefore, the process liquid attached to the upper inclination part 47 flows toward the side from which the nitrogen gas from the 1st gas nozzle 35 blows off. In other words, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is ejected to a position where the processing liquid attached to the upper inclined portion 47 collects. Therefore, the process liquid attached to the upper inclination part 47 can be removed efficiently.

또한, 제1 실시 형태에서는, 노즐 아암(4)이 소수성을 가지고 있다. 따라서, 노즐 아암(4)이 친수성의 경우에 비해, 노즐 아암(4)에 부착한 처리액은, 단시간에 또한 작은 힘으로 노즐 아암(4)로부터 제거된다. 더구나, 처리액이 튕겨져나가기 때문에, 노즐 아암(4)에 유지되는 처리액의 양을 저감 할 수 있다. 따라서, 노즐 아암(4)에 대한 처리액의 잔류량을 한층 저감 할 수 있다.In addition, in 1st Embodiment, the nozzle arm 4 has hydrophobicity. Therefore, as compared with the case where the nozzle arm 4 is hydrophilic, the processing liquid attached to the nozzle arm 4 is removed from the nozzle arm 4 in a short time and with a small force. Moreover, since the processing liquid is thrown out, the amount of the processing liquid held by the nozzle arm 4 can be reduced. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be further reduced.

또한, 제1 실시 형태에서는, 제1 순수 노즐(33)로부터 토출된 순수가 노즐 아암(4)의 상면(26)에 공급된다. 이것에 의해, 노즐 아암(4)의 상면(26)에 부착하고 있는 파티클 등의 이물이나 처리액이 씻겨 흘러간다. 따라서, 노즐 아암(4)의 상면(26)에 부착하고 있는 이물이나 처리액이 기판(W)상에 낙하하고, 기판(W)가 오염되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 전술과 같이, 노즐 아암(4)에 공급된 순수는, 노즐 아암(4)에 따라서 흘러 떨어지는 것으로 노즐 아암(4)으로부터 단시간에 제거되므로, 노즐 아암(4)에의 순수의 공급이 종료한 후에, 노즐 아암(4)으로부터 기판(W)에 순수가 낙하하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.In addition, in 1st Embodiment, the pure water discharged from the 1st pure water nozzle 33 is supplied to the upper surface 26 of the nozzle arm 4. As a result, foreign matter such as particles adhering to the upper surface 26 of the nozzle arm 4 and the processing liquid are washed away. Therefore, foreign matter and processing liquid adhering to the upper surface 26 of the nozzle arm 4 fall on the substrate W and the contamination of the substrate W can be suppressed or prevented. In addition, as mentioned above, since the pure water supplied to the nozzle arm 4 flows along the nozzle arm 4, and is removed from the nozzle arm 4 in a short time, supply of the pure water to the nozzle arm 4 is complete | finished. Subsequently, it is possible to suppress or prevent the pure water from falling from the nozzle arm 4 to the substrate W. FIG.

또한, 제1 실시 형태에서는, 제2 기체 노즐(36)로부터 토출된 질소 가스가, 노즐 아암(4)보다 하방에 위치하는 노즐 하부(23)에 분출된다. 노즐 하부(23_는, 노즐 아암(4)보다도 하방에 배치되어 있기 때문에, 노즐(3)의 외표면에 부착한 처리액이나, 노즐 아암(4)를 따라서 노즐(3)에 이동한 처리액은, 노즐 하부(23)로 향하여 흘러 떨어진다.In addition, in 1st Embodiment, the nitrogen gas discharged | emitted from the 2nd gas nozzle 36 is blown off to the nozzle lower part 23 located below the nozzle arm 4. Since the nozzle lower part 23_ is disposed below the nozzle arm 4, the processing liquid attached to the outer surface of the nozzle 3 or the processing liquid moved to the nozzle 3 along the nozzle arm 4. Silver flows toward the nozzle lower part 23 and falls.

따라서, 제2 기체 노즐(36)로부터 토출된 질소 가스는, 처리액이 모이는 위치에 분출된다. 그 때문에, 처리액을 효율적으로 제거할 수 있다.Therefore, the nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 is ejected to the position where the processing liquid collects. Therefore, the processing liquid can be removed efficiently.

또한, 제1 실시 형태에서는, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스는, 노즐 아암(4)에 따라서 기단부(21)로부터 선단부(20)로 향하는 방향(D2)(도 3 참조)으로 흐른다. 같이 형태로, 제2 기체 노즐(36)로부터 토출된 질소 가스는, 노즐 하부(23)에 따라서 기단부(21)로부터 선단부(20)로 향하는 방향(D2)으로 흐른다. 즉, 각 기체 노즐(35, 36)로부터 토출된 질소 가스는, 같은 방향으로 흐른다. 따라서, 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스와 제2 기체 노즐(36)로부터 토출된 질소 가스가 충돌하고, 각 기체 노즐(35, 36)로부터 토출된 질소 가스의 기세가 약해지는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 이것에 의해, 노즐(3) 및 노즐 아암(4)에 부착하고 있는 처리액을 확실히 제거할 수 있다.In addition, in 1st Embodiment, the nitrogen gas discharged from the 1st gas nozzle 35 is directed to the direction D2 (refer FIG. 3) from the base end part 21 to the front end part 20 according to the nozzle arm 4. Flow. In the same manner, the nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 flows in the direction D2 from the base end portion 21 toward the tip end portion 20 along the nozzle lower portion 23. That is, nitrogen gas discharged from each gas nozzle 35 and 36 flows in the same direction. Therefore, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 and the nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 collide with each other, and the momentum of the nitrogen gas discharged from the respective gas nozzles 35 and 36 is weakened. Can be suppressed or prevented. Thereby, the process liquid adhered to the nozzle 3 and the nozzle arm 4 can be reliably removed.

또한, 제1 실시 형태에서는, 노즐 회전 기구(10)의 구동력이 노즐 아암(4)에 전달되는 것에 의해, 노즐 아암(4)이 처리 위치와 대기 위치와의 사이로 이동한다. 제1 기체 노즐(35)로부터 토출된 질소 가스는, 대기 위치에 위치하고 있는 노즐 아암(4)의 하부에 분출된다. 따라서, 제1 기체 노즐(35)을 노즐 아암(4)의 대기 위치에 배치할 수 있다. 즉, 제1 기체 노즐(35)은, 노즐 아암(4)와 함께 이동하도록 구성되어 있지 않아도 좋다. 따라서, 노즐 아암(4)을 포함하는 가동부의 대형화를 억제 또는 방지할 수 있다.In addition, in the first embodiment, the driving force of the nozzle rotating mechanism 10 is transmitted to the nozzle arm 4 so that the nozzle arm 4 moves between the processing position and the standby position. The nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is blown off the lower portion of the nozzle arm 4 located at the standby position. Therefore, the 1st gas nozzle 35 can be arrange | positioned at the standby position of the nozzle arm 4. That is, the 1st gas nozzle 35 does not need to be comprised so that it may move with the nozzle arm 4. Therefore, the enlargement of the movable part containing the nozzle arm 4 can be suppressed or prevented.

또한, 제1 실시 형태에서는, 처리 위치에 있어 스핀 척(2)에 유지된 기판(W)의 상방에 위치하고 있는 부분, 즉, 아암부(22)가, 직교 단면(C1)을 가지고 있다. 따라서, 아암부(22)에 처리액이 부착했다고 해도, 이 처리액은, 단시간에 제거된다. 그 때문에, 기판(W)상에서 노즐 아암(4)을 이동시켰다고 하여도, 노즐 아암(4)으로부터 기판(W)에 처리액이 낙하하는 것을 확실히 억제 또는 방지할 수 있다. 이것에 의해, 기판(W)의 오염이나 품질 저하를 억제 또는 방지할 수 있다.In addition, in 1st Embodiment, the part located above the board | substrate W hold | maintained by the spin chuck 2 in the process position, ie, the arm part 22, has the orthogonal cross section C1. Therefore, even if the process liquid adheres to the arm part 22, this process liquid is removed in a short time. Therefore, even if the nozzle arm 4 is moved on the substrate W, it is possible to reliably suppress or prevent the processing liquid from falling from the nozzle arm 4 to the substrate W. FIG. As a result, contamination or deterioration of the substrate W can be suppressed or prevented.

본 발명의 실시의 형태의 설명은 이상이지만, 본 발명은, 전술의 제1 실시 형태의 내용으로 한정되는 것이 아니고, 다른 형태로 실시할 수 있다.Although description of embodiment of this invention is the above, this invention is not limited to the content of 1st embodiment mentioned above, It can implement in another form.

예를 들어, 전술의 제1 실시 형태에서는, 직교 단면(C1)이, 도 5에 나타나는 5각형 형상인 경우에 관해서 설명했다. 그러나, 직교 단면(C1)의 형상은, 도 5의 상하가 반전된 형상이어도 좋다. 즉, 직교 단면(C1)의 상부가, 도립(倒立) V자 모양으로, 직교 단면(C1)의 하부가, 일방의 측단으로부터 타방의 측단까지 연장하는 사선으로 있어도 좋다. 더구나, 직교 단면(C1)은, 5각형 형상 이외의 다각형이어도 좋다.For example, in 1st Embodiment mentioned above, the case where the orthogonal cross section C1 is a pentagon shape shown in FIG. 5 was demonstrated. However, the shape of the orthogonal cross section C1 may be a shape in which the top and bottom of FIG. 5 are inverted. That is, the upper portion of the orthogonal cross section C1 may have an inverted V shape, and the lower portion of the orthogonal cross section C1 may have an oblique line extending from one side end to the other side end. In addition, the orthogonal cross section C1 may be a polygon other than a pentagonal shape.

구체적으로는, 예를 들어 도 9에 나타내는 노즐 아암(204)과 같이, 노즐 아암(204)의 직교 단면(C201)은, 삼각형 형상이어도 좋다. 직교 단면(C201)은, 정부(245), 측부(246), 상측 경사부(247)를 포함한다. 또한, 직교 단면(C201)은, 저부(250)D와 하측 경사부(252)를 포함한다.Specifically, like the nozzle arm 204 shown in FIG. 9, the orthogonal cross section C201 of the nozzle arm 204 may have a triangular shape. The orthogonal cross section C201 includes the top part 245, the side part 246, and the upper inclined part 247. In addition, the orthogonal cross section C201 includes a bottom portion 250D and a lower inclined portion 252.

또한, 도 10에 나타나는 노즐 아암(304)과 같이, 노즐 아암(304)의 직교 단면(C301)은, 4각형 형상이어도 좋다. 직교 단면(C301)은, 정부(345), 측부(346), 상측 경사부(347)를 포함한다. 또한, 직교 단면(C301)은, 저부(350), 하측 경사부(352)를 포함한다.In addition, like the nozzle arm 304 shown in FIG. 10, the orthogonal cross section C301 of the nozzle arm 304 may have a quadrangular shape. The orthogonal end surface C301 includes the top part 345, the side part 346, and the upper inclination part 347. In addition, the orthogonal cross section C301 includes a bottom portion 350 and a lower inclined portion 352.

또한, 전술의 제1 실시 형태에서는, 직교 단면(C1)이, 복수의 직선에 의해서 구획되고 있는 경우에 대해 설명했지만, 직교 단면(C1)은, 직선 및 곡선을 포함하고 있어도 좋고, 곡선에 의해서 구획되고 있어도 좋다.In addition, although the case where the orthogonal cross section C1 was divided by the some straight line was demonstrated in 1st Embodiment mentioned above, the orthogonal cross section C1 may contain the straight line and a curve, You may be partitioned.

구체적으로는, 예를 들어 도 11에 나타나는 노즐 아암(404)과 같이, 노즐 아암(404)의 직교 단면(C401)은, 하측의 볼록(凸)의 곡선과 수평면에 대해서 경사져 있는 직선에 의해서 구획되고 있어도 좋다. 직교 단면(C401)은, 정부(445), 측부(446), 상측 경사부(447)를 포함한다. 또한, 직교 단면(C401)은, 저부(450)와 하측 경사부(452)를 포함한다.Specifically, like the nozzle arm 404 shown in FIG. 11, the orthogonal cross section C401 of the nozzle arm 404 is divided by the curve of the lower convex and the straight line which inclines with respect to a horizontal plane. You may become. The orthogonal cross section C401 includes the top 445, the side 446, and the upper inclined portion 447. In addition, the orthogonal cross section C401 includes a bottom portion 450 and a lower inclined portion 452.

또한, 전술의 제1 실시 형태에서는, 아암부(22)가, 아암부(22)의 일단부로부터 아암부(22)의 타단부까지 일정의 단면(직교 단면(C1))을 가지고 있는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 아암부(22)의 단면은, 변화하고 있어도 좋다.In addition, in the above-mentioned 1st Embodiment, when the arm part 22 has a fixed cross section (orthogonal cross section C1) from the one end of the arm part 22 to the other end of the arm part 22, Explained. However, the cross section of the arm part 22 may change.

구체적으로는, 임의의 2개의 위치에 있어서의 아암부(22)의 단면이 상사(동형)이며, 아암부(22)의 단면적(크기)이 연속적으로 변화하고 있어도 좋다. 이 경우, 아암부(22)의 단면적은, 아암부(22)의 일단부(선단부(20) 측의 단부)에 가까워지는 만큼 감소하고 있어도 좋다. 또한, 아암부(22)의 단면 형상(직교 단면(C1)의 형상)은, 아암부(22)의 일단부에 가까워지는지에 따라서 연속적으로 변화하고 있어도 좋다. 이 경우, 아암부(22)의 단면적은, 일정으로 있어도 좋고, 아암부(22)의 일단부에 가까워지는 만큼 감소하고 있어도 좋다.Specifically, the cross section of the arm part 22 in arbitrary two positions is similar (same type), and the cross-sectional area (size) of the arm part 22 may change continuously. In this case, the cross-sectional area of the arm part 22 may be reduced as it approaches one end part (end part of the front end part 20 side) of the arm part 22. As shown in FIG. In addition, the cross-sectional shape (shape of the orthogonal cross section C1) of the arm part 22 may change continuously depending on whether it approaches the one end part of the arm part 22. As shown in FIG. In this case, the cross-sectional area of the arm part 22 may be constant, and may decrease as it approaches the one end part of the arm part 22. As shown in FIG.

또한, 전술의 제1 실시 형태에서는, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)로부터 노즐 아암(4)에 순수가 공급되는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34) 이외의 노즐로부터 노즐 아암(4)에 순수가 공급되어도 좋다.In addition, in 1st Embodiment mentioned above, the case where pure water is supplied to the nozzle arm 4 from the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34 was demonstrated. However, pure water may be supplied to the nozzle arm 4 from nozzles other than the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34.

구체적으로는, 차단판(5)의 상면에 순수를 공급하는 순수 노즐(553)(도 1 참조)이 설치되고 있어도 괜찮다. 이 경우, 제어장치(7)는, 차단판 회전기구(14)를 제어하는 것에의해 차단판(5)을 회전시키면서, 회전 상태의 차단판(5)의 상면으로 향해서 순수 노즐(553)로부터 순수를 토출시켜도 괜찮다. 순수 노즐(553)로부터 토출된 순수는, 차단판(5)의 상면에 공급되어 차단판(5)의 회전에 의한 원심력에 의해서 차단판(5)의 주위에 뿌리쳐진다. 따라서, 차단판(5)으로부터 뿌리쳐진 순수는, 처리실(6)을 구획하는 격벽(도시하지 않음)에 충돌해 튀어오른다. 그리고, 튀어오른 순수가 노즐 아암(4)에 공급된다. 이것에 의해, 노즐 아암(4)에 부착하고 있는 이물이나 처리액이 씻겨 흘러간다.Specifically, the pure water nozzle 553 (refer FIG. 1) which supplies pure water to the upper surface of the blocking plate 5 may be provided. In this case, the control apparatus 7 rotates the blocking plate 5 by controlling the blocking plate rotating mechanism 14, and pure water from the pure water nozzle 553 toward the upper surface of the blocking plate 5 in the rotating state. May be discharged. The pure water discharged from the pure water nozzle 553 is supplied to the upper surface of the blocking plate 5 and sprinkled around the blocking plate 5 by centrifugal force by the rotation of the blocking plate 5. Therefore, the pure water sprayed from the blocking plate 5 collides with the partition (not shown) which partitions the process chamber 6, and it springs up. Then, the spring water is supplied to the nozzle arm (4). As a result, the foreign matter and the processing liquid attached to the nozzle arm 4 are washed away.

또한, 전술의 제1 실시 형태에서는, 노즐(3)을 유지하는 선단부(20)가 노즐 아암(4)에 설치되어 있는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 선단부(20)가 설치되지 않고, 아암부(22)의 일단부에 노즐(3)이 유지되고 있어도 좋다. 즉, 아암부(22)의 일단부가, 노즐(3)을 유지하는 선단부로 있어도 좋다.In addition, in 1st Embodiment mentioned above, the case where the front-end | tip part 20 which hold | maintains the nozzle 3 is provided in the nozzle arm 4 was demonstrated. However, the tip portion 20 may not be provided, and the nozzle 3 may be held at one end of the arm portion 22. In other words, one end of the arm portion 22 may be a tip portion for holding the nozzle 3.

또한, 전술의 제1 실시 형태에서는, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)으로부터 토출되는 기체가 질소 가스인 경우에 대해 설명했다. 그러나, 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)로부터 토출되는 기체는, 질소 가스에 한정하지 않고, 아르곤 가스등의 질소 가스 이외의 불활성 가스여도 괜찮고, 건조공기나, 청정 공기여도 괜찮다.In addition, in 1st Embodiment mentioned above, the case where the gas discharged from the 1st gas nozzle 35 and the 2nd gas nozzle 36 was nitrogen gas was demonstrated. However, the gas discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 is not limited to nitrogen gas, and may be an inert gas other than nitrogen gas such as argon gas, or dry air or clean air. .

또한, 전술의 제1 실시 형태에서는, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 기체 노즐(36)로부터 수평에 유체(순수 또는 질소 가스)가 토출되어, 제2 순수 노즐(34) 및 제1 기체 노즐(35)로부터 경사 상향으로 유체가 토출되는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 제1 순수 노즐(33) 및 제2 기체 노즐(36)로부터의 유체의 토출 방향은, 경사 상향 또는 경사 하향이어도 괜찮다. 또, 제2 순수 노즐(34) 및 제1 기체 노즐(35)로부터의 순수의 토출 방향은, 수평 방향이어도 괜찮다.In addition, in the above-described first embodiment, the fluid (pure water or nitrogen gas) is discharged horizontally from the first pure water nozzle 33 and the second gas nozzle 36, and the second pure water nozzle 34 and the first gas are discharged. The case where the fluid is discharged inclined upwardly from the nozzle 35 was demonstrated. However, the discharge direction of the fluid from the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd gas nozzle 36 may be inclined upward or downward. In addition, the discharge direction of the pure water from the 2nd pure water nozzle 34 and the 1st gas nozzle 35 may be a horizontal direction.

또한, 전술의 제1 실시 형태에서는, 공통의 순수 밸브(37)를 개입시켜 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)에 순수가 공급되어 공통의 기체 밸브(40)를 개입시켜 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)에 질소 가스가 공급되는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 각각 밸브를 개입시켜 제1 순수 노즐(33) 및 제2 순수 노즐(34)에 순수가 공급되어도 괜찮다. 같은 형태로, 각각 밸브를 개입시켜 제1 기체 노즐(35) 및 제2 기체 노즐(36)에 질소 가스가 공급되어도 괜찮다.In addition, in the above-described first embodiment, pure water is supplied to the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 through the common pure water valve 37 to intervene through the common gas valve 40. The case where nitrogen gas is supplied to the 1st gas nozzle 35 and the 2nd gas nozzle 36 was demonstrated. However, pure water may be supplied to the 1st pure water nozzle 33 and the 2nd pure water nozzle 34 through a valve, respectively. In the same manner, nitrogen gas may be supplied to the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 via a valve, respectively.

그 외, 특허 청구의 범위에 기재된 사항의 범위에서 여러 가지의 설계 변경을 가하는 것이 가능하다.In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

1 : 기판 처리 장치 2 : 스핀 척
3 : 노즐 4 : 노즐 아암
5 : 차단판 6 : 처리실
7 : 제어장치 8 : 스핀 베이스
9 : 스핀 모터 10 : 노즐 회전 기구
13 : 차단판 승강기구 14 : 차단판 회전기구
20 : 선단부 21 : 기단부
22 : 아암부 33 : 제1 순수 노즐
34 : 제2 순수 노즐 35 : 제1 기체 노즐
36 : 제2 기체 노즐 41 : 상부
42 : 우측부 43 : 좌측부
44 :하단 45 : 좌단(정부)
46 :우단 47 : 상측 경사부
C1 : 직교 단면 D1 : 긴 방향
W : 기판1: substrate processing apparatus 2: spin chuck
3: nozzle 4: nozzle arm
5: blocking plate 6: processing chamber
7: control device 8: spin base
9: spin motor 10: nozzle rotating mechanism
13: blocking plate lifting mechanism 14: blocking plate rotating mechanism
20: distal end 21: proximal end
22: arm part 33: the first pure nozzle
34: 2nd pure water nozzle 35: 1st gas nozzle
36: second gas nozzle 41: upper part
42: right part 43: left part
44: lower 45: left (government)
46: right 47: upper inclined portion
C1: orthogonal cross section D1: long direction
W: substrate

Claims (12)

기판을 처리하는 처리 유체를 토출하는 노즐과
상기 노즐을 유지하고, 수평면을 따라서 긴 방향으로 연장하고 있는 노즐 아암을 포함하고,
상기 긴 방향에 직교하고, 상기 노즐 아암의 적어도 일부의 직교 단면은, 상기 직교 단면에 있어 가장 위에 위치하고 있는 정부,
상기 정부보다 측방에 위치하고 있는 측부,
상기 정부로부터 상기 측부까지 계속 하강하고 있는 상측 경사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Nozzles for discharging the processing fluid for processing the substrate;
A nozzle arm that holds the nozzle and extends in a longitudinal direction along a horizontal plane,
Orthogonal to the longitudinal direction and at least a portion orthogonal cross section of the nozzle arm is located at the top of the orthogonal cross section,
The side which is located to the side from the above government,
And an upper inclined portion continuously descending from the government to the side portion. 제 1 항에 있어서,
상기 직교 단면은, 상기 직교 단면에 있어 가장 아래에 위치하고 있는 저부,
상기 측부로부터 상기 저부까지 계속 하강하고 있는 하측 경사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The orthogonal cross section is a bottom portion located at the bottom of the orthogonal cross section,
And a lower inclined portion continuously descending from the side portion to the bottom portion. 제 1 항에 있어서,
상기 직교 단면은, 상기 직교 단면에 있어 가장 측방에 위치하고 있는 좌우 한 쌍의 측단을 포함하고,
일방의 측단은, 상기 정부를 포함하며, 상기 측부는, 타방의 측단을 포함하며,
상기 상측 경사부는, 상기 일방의 측단으로부터 상기 타방의 측단까지 계속 하강하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The orthogonal cross section includes a pair of left and right side ends which are positioned most laterally in the orthogonal cross section,
One side end includes the government, and the side part includes the other side end,
The said upper inclination part continues to descend from the said one side end to the said other side end, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,
상기 노즐 아암의 하부로 향하여 기체를 토출하는 제1 기체 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And a first gas nozzle for discharging gas toward the lower portion of the nozzle arm. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 기체 노즐은, 상기 제 1 기체 노즐로부터 토출된 기체가 상기 노즐 아암을 따라서 상기 노즐 아암의 긴 방향에 흐르도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 4, wherein
The said 1st gas nozzle is comprised so that the gas discharged from the said 1st gas nozzle may flow in the longitudinal direction of the said nozzle arm along the said nozzle arm. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 기체 노즐은, 상기 노즐 아암의 측방으로부터 상기 노즐 아암의 하부로 향하여 기체를 토출하도록 구성되어 있고,
상기 상측 경사부는, 상기 제 1 기체 노즐로부터의 기체가 분출되는 측에 향해 하강하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 4, wherein
The first gas nozzle is configured to discharge gas from the side of the nozzle arm toward the lower part of the nozzle arm,
The said upper inclined part descends toward the side which the gas from a said 1st gas nozzle blows off, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 4 항에 있어서,
상기 노즐 아암은, 소수성 재료에 의해서 형성되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 4, wherein
The said nozzle arm is formed of the hydrophobic material, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 4 항에 있어서,
상기 노즐 아암의 상면으로 향해서 순수를 토출하는 순수 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 4, wherein
And a pure water nozzle for discharging pure water toward the upper surface of the nozzle arm. 제 1 항에 있어서,
상기 노즐은, 상기 노즐 아암보다 하방에 배치된 노즐 하부를 포함하고,
상기 기판 처리 장치는, 상기 노즐 하부로 향해서 기체를 토출하는 제2 기체 노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The nozzle includes a nozzle lower portion disposed below the nozzle arm,
The substrate processing apparatus further comprises a second gas nozzle for discharging gas toward the lower portion of the nozzle. 제 9 항에 있어서,
상기 노즐 아암은, 상기 노즐을 유지하는 선단부와 기단부를 포함하는 봉 형상의 부재이며,
상기 제 1 기체 노즐은, 상기 제 1 기체 노즐로부터 토출된 기체가 상기 기단부로부터 상기 선단부로 향하는 방향으로 흐르도록 구성되며,
상기 제 2 기체 노즐은, 상기 제 2 기체 노즐로부터 토출된 기체가 상기 기단부로부터 상기 선단부로 향하는 방향으로 흐르도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The nozzle arm is a rod-shaped member including a tip portion and a base portion for holding the nozzle,
The first gas nozzle is configured such that the gas discharged from the first gas nozzle flows in a direction from the base end to the tip end,
The said 2nd gas nozzle is comprised so that the gas discharged from the said 2nd gas nozzle may flow in the direction from the said base end to the said tip part. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
기판을 유지하는 기판 유지 수단과
상기 노즐이 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판의 상방에 위치하고 있는 처리 위치, 상기 노즐이 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판의 상방으로부터 퇴피하고 있는 대기 위치와의 사이에 상기 노즐 아암을 이동시키는 이동 수단을 더 포함하며,
상기 제 1 기체 노즐은, 상기 대기 위치에 위치하고 있는 상기 노즐 아암의 하부로 향해서 기체를 토출하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Substrate holding means for holding a substrate;
Moving means for moving the nozzle arm between a processing position where the nozzle is located above the substrate held by the substrate holding means and a standby position where the nozzle is evacuated from above the substrate held by the substrate holding means; More,
The said 1st gas nozzle is comprised so that a gas may be discharged toward the lower part of the said nozzle arm located in the said standby position, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 11 항에 있어서,
상기 노즐 아암의 상기 적어도 일부는, 상기 처리 위치에 있어 상기 기판 유지 수단에 유지된 기판의 상방에 위치하고 있는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
The at least part of the nozzle arm includes a portion located above the substrate held by the substrate holding means at the processing position.
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