JP2012182371A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus including a nozzle arm which effectively prevents dripping.SOLUTION: A substrate processing apparatus includes: a nozzle discharging a process liquid; and a nozzle arm 4 holding the nozzle. The nozzle arm 4 extends in the longitudinal direction D1 along a horizontal surface. An orthogonal cross section C1 of at least a part of the nozzle arm 4 includes: a top part 45 located in the highest position in the orthogonal cross section C1; a side part 42 positioned on the lateral side relative to the top part 45; and an upper declining part 47 continuously declining from the top part 45 to the side part 42.

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, ceramic substrate, solar cell substrate and the like.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理が行われる。基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の上面に向けて処理液を吐出するノズルとを備えている。ノズルは、水平に延びるノズルアームの先端部に保持されている。ノズルアームは、ノズル揺動機構に連結されている。ノズル揺動機構は、スピンチャックの側方に設けられた鉛直な回転軸線まわりにノズルおよびノズルアームを回転させる。   In a manufacturing process of a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, a process using a processing liquid is performed on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device. A single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one includes, for example, a spin chuck that horizontally holds and rotates a substrate, and a nozzle that discharges a processing liquid toward the upper surface of the substrate held by the spin chuck. It has. The nozzle is held at the tip of a horizontally extending nozzle arm. The nozzle arm is connected to a nozzle swing mechanism. The nozzle swing mechanism rotates the nozzle and the nozzle arm around a vertical rotation axis provided on the side of the spin chuck.

この基板処理装置においてノズルから基板の上面に処理液が供給されるときは、ノズルおよびノズルアームがスピンチャックに保持された基板の上方に配置される。さらに、スピンチャックによって基板が鉛直軸線まわりに回転される。そして、回転状態の基板の上面に向けてノズルから処理液が吐出される。これにより、ノズルから基板の上面に処理液が供給される。ノズルから基板への処理液の供給が終了した後は、ノズル揺動機構が、基板の上方からノズルおよびノズルアームを退避させる。   In this substrate processing apparatus, when the processing liquid is supplied from the nozzle to the upper surface of the substrate, the nozzle and the nozzle arm are arranged above the substrate held by the spin chuck. Further, the substrate is rotated around the vertical axis by the spin chuck. Then, the processing liquid is discharged from the nozzle toward the upper surface of the rotating substrate. Thereby, the processing liquid is supplied from the nozzle to the upper surface of the substrate. After the supply of the processing liquid from the nozzle to the substrate is completed, the nozzle swing mechanism retracts the nozzle and the nozzle arm from above the substrate.

特開２０１０−１７７３７１号公報JP 2010-177371 A

基板処理装置において処理液を用いた処理が行われる場合、装置に配置されているノズルアームに処理液が付着することがある。ノズルアームは、基板の上方を移動する。したがって、ノズルアームに処理液が付着している状態でノズルアームが移動すると、ノズルアームに付着している処理液が、振り落とされて、基板上に落下する場合がある。たとえば、処理液の飛沫がノズルアームに付着し、ノズルアームを移動させたときにこの付着した処理液が基板上に落下する場合がある。薬液処理が行われた基板上に処理液が落下すると、薬液処理の均一性が低下する。また、乾燥処理が行われた基板上に処理液が落下すると、乾燥不良が発生する。   When processing using a processing liquid is performed in a substrate processing apparatus, the processing liquid may adhere to a nozzle arm arranged in the apparatus. The nozzle arm moves over the substrate. Therefore, when the nozzle arm moves while the processing liquid is attached to the nozzle arm, the processing liquid attached to the nozzle arm may be shaken off and fall on the substrate. For example, the spray of the processing liquid may adhere to the nozzle arm, and the attached processing liquid may fall on the substrate when the nozzle arm is moved. When the processing liquid falls on the substrate that has been subjected to the chemical processing, the uniformity of the chemical processing is reduced. Further, when the processing liquid falls on the substrate that has been subjected to the drying process, a drying failure occurs.

そこで、この発明の目的は、液切れのよいノズルアームを備える基板処理装置を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus including a nozzle arm that is capable of running out of liquid.

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を処理する処理流体を吐出するノズル（３）と、前記ノズルを保持しており、水平面に沿う長手方向（Ｄ１）に延びているノズルアーム（４、２０４、３０４、４０４）と、を含み、前記長手方向に直交する、前記ノズルアームの少なくとも一部の直交断面（Ｃ１、Ｃ２０１、Ｃ３０１、Ｃ４０１）は、前記直交断面において最も上に位置している頂部（４５、２４５、３４５、４４５）と、前記頂部より側方に位置している側部（４２、２４６、３４６、４４６）と、前記頂部から前記側部まで下降し続けている上側傾斜部（４７、２４７、３４７、４４７）と、を含む、基板処理装置（１）である。なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。   The invention described in claim 1 for achieving the above object is characterized in that a nozzle (3) for discharging a processing fluid for processing a substrate (W) and the nozzle are held in a longitudinal direction (D1) along a horizontal plane. An orthogonal cross section (C1, C201, C301, C401) of at least a part of the nozzle arm, which is orthogonal to the longitudinal direction, and includes an extending nozzle arm (4, 204, 304, 404). The top (45, 245, 345, 445) located on the top, the side (42, 246, 346, 446) located on the side of the top, and from the top to the side The substrate processing apparatus (1) includes an upper inclined portion (47, 247, 347, 447) that continues to descend. In this section, alphanumeric characters in parentheses represent reference numerals of corresponding components in the embodiments described later, but the scope of the claims is not limited by these reference numerals.

この構成によれば、ノズルを保持するノズルアームが、水平面に沿う長手方向に延びている。ノズルアームの少なくとも一部の直交断面（長手方向に直交する断面）は、頂部から側部まで下降し続けている上側傾斜部を含む。上側傾斜部が下降し続けているから、上側傾斜部に処理液が付着したとしても、この処理液は、上側傾斜部に沿って下に流れる。そして、この処理液は、ノズルアームから落下し除去される。すなわち、ノズルアームに処理液が付着したとしても、この処理液は、短時間でノズルアームから除去される。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を低減することができる。   According to this configuration, the nozzle arm that holds the nozzle extends in the longitudinal direction along the horizontal plane. An orthogonal cross section (a cross section orthogonal to the longitudinal direction) of at least a part of the nozzle arm includes an upper inclined portion that continues to descend from the top portion to the side portion. Since the upper inclined portion continues to descend, even if the processing liquid adheres to the upper inclined portion, the processing liquid flows downward along the upper inclined portion. Then, the processing liquid falls from the nozzle arm and is removed. That is, even if the processing liquid adheres to the nozzle arm, the processing liquid is removed from the nozzle arm in a short time. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

請求項２記載の発明は、前記直交断面は、前記直交断面において最も下に位置している底部（５０、２５０、３５０、４５０）と、前記側部から前記底部まで下降し続けている下側傾斜部（５２、２５２、３５２、４５２）と、をさらに含む、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ノズルアームの直交断面が、側部から底部まで下降し続けている下側傾斜部を含む。下側傾斜部が下降し続けているから、下側傾斜部に処理液が付着したとしても、この処理液は、下側傾斜部に沿って下に流れる。そして、この処理液は、ノズルアームから落下し除去される。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を低減することができる。 According to a second aspect of the present invention, the orthogonal cross section includes a bottom portion (50, 250, 350, 450) located at the lowest position in the orthogonal cross section, and a lower side that continues to descend from the side portion to the bottom portion. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising inclined portions (52, 252, 352, 452).
According to this configuration, the orthogonal cross section of the nozzle arm includes the lower inclined portion that continues to descend from the side portion to the bottom portion. Since the lower inclined portion continues to descend, even if the processing liquid adheres to the lower inclined portion, the processing liquid flows downward along the lower inclined portion. Then, the processing liquid falls from the nozzle arm and is removed. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

請求項３記載の発明は、前記直交断面は、前記直交断面において最も側方に位置している左右一対の側端（４２、４３）を含み、一方の側端は、前記頂部を含み、前記側部は、他方の側端を含み、前記上側傾斜部は、前記一方の側端から前記他方の側端まで下降し続けている、請求項１または２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、一方の側端が、頂部を含み、側部が、一方の側端とは反対側の他方の側端を含む。上側傾斜部は、頂部から側部まで延びている。したがって、上側傾斜部は、一方の側端から他方の側端まで延びている。すなわち、直交断面の上部は、一方の側端から他方の側端まで延びており、他方の側端に近づくほど下降している。そのため、直交断面の上部に付着した処理液は、共通の側端（他方の側端）に向かって流れ落ちる。これにより、直交断面の上部に付着している液滴同士を結合させて、その自重によって落下させることができる。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を低減することができる。 According to a third aspect of the present invention, the orthogonal cross section includes a pair of left and right side edges (42, 43) positioned most laterally in the orthogonal cross section, and one side end includes the top part, 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the side portion includes the other side end, and the upper inclined portion continues to descend from the one side end to the other side end.
According to this configuration, one side end includes the top portion, and the side portion includes the other side end opposite to the one side end. The upper inclined portion extends from the top portion to the side portion. Accordingly, the upper inclined portion extends from one side end to the other side end. That is, the upper part of the orthogonal cross section extends from one side end to the other side end, and descends toward the other side end. Therefore, the treatment liquid adhering to the upper part of the orthogonal cross section flows down toward the common side end (the other side end). Thereby, the droplets adhering to the upper part of the orthogonal cross section can be combined and dropped by their own weight. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

請求項４記載の発明は、前記ノズルアームの下部に向けて気体を吐出する第1気体ノズル（３５）をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１気体ノズルから吐出された気体がノズルアームの下部に吹き付けられる。前述のように、ノズルアームに付着した処理液は、ノズルアームに沿って下に流れる。すなわち、ノズルアームに付着した処理液は、ノズルアームの下部に集まる。この処理液が集まる位置に気体が吹き付けられる。これにより、ノズルアームに付着している処理液を吹き飛ばして効率的に除去することができる。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を低減することができる。 The invention according to claim 4 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a first gas nozzle (35) for discharging gas toward a lower portion of the nozzle arm.
According to this structure, the gas discharged from the 1st gas nozzle is sprayed on the lower part of a nozzle arm. As described above, the processing liquid adhering to the nozzle arm flows downward along the nozzle arm. That is, the processing liquid adhering to the nozzle arm collects at the lower part of the nozzle arm. Gas is blown to the position where the treatment liquid is collected. Thereby, the processing liquid adhering to the nozzle arm can be blown off and efficiently removed. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

請求項５記載の発明は、前記第1気体ノズルは、前記第1気体ノズルから吐出された気体が前記ノズルアームに沿って前記ノズルアームの長手方向に流れるように構成されている、請求項４記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１気体ノズルから吐出された気体がノズルアームに沿って長手方向に流れる。したがって、第１気体ノズルからノズルアームに気体が吹き付けられる範囲が広がる。これにより、より広い範囲から処理液を除去することができる。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を低減することができる。 According to a fifth aspect of the present invention, the first gas nozzle is configured such that the gas discharged from the first gas nozzle flows in the longitudinal direction of the nozzle arm along the nozzle arm. It is a substrate processing apparatus of description.
According to this configuration, the gas discharged from the first gas nozzle flows in the longitudinal direction along the nozzle arm. Accordingly, the range in which gas is blown from the first gas nozzle to the nozzle arm is widened. Thereby, the processing liquid can be removed from a wider range. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be reduced.

請求項６記載の発明は、前記第1気体ノズルは、前記ノズルアームの側方から前記ノズルアームの下部に向けて気体を吐出するように構成されており、前記上側傾斜部は、前記第1気体ノズルからの気体が吹き付けられる側に向かって下降している、請求項４または５記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１気体ノズルから吐出された気体が、ノズルアームの下部に対して側方から吹き付けられる。上側傾斜部は、第１気体ノズルからの気体が吹き付けられる側に向かって下降している。したがって、上側傾斜部に付着した処理液は、第１気体ノズルからの気体が吹き付けられる側に向かって流れ落ちる。言い換えると、第１気体ノズルから吐出された気体は、上側傾斜部に付着した処理液が集まる位置に吹き付けられる。したがって、上側傾斜部に付着した処理液を効率的に除去することができる。 According to a sixth aspect of the present invention, the first gas nozzle is configured to discharge gas from a side of the nozzle arm toward a lower portion of the nozzle arm, and the upper inclined portion includes the first inclined portion. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the substrate processing apparatus is lowered toward a side to which the gas from the gas nozzle is blown.
According to this structure, the gas discharged from the 1st gas nozzle is sprayed from the side with respect to the lower part of a nozzle arm. The upper inclined portion descends toward the side on which the gas from the first gas nozzle is blown. Therefore, the processing liquid adhering to the upper inclined portion flows down toward the side to which the gas from the first gas nozzle is sprayed. In other words, the gas discharged from the first gas nozzle is sprayed to a position where the processing liquid attached to the upper inclined portion gathers. Therefore, the processing liquid adhering to the upper inclined portion can be efficiently removed.

請求項７記載の発明は、前記ノズルアームは、疎水性材料によって形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ノズルアームが疎水性材料によって形成されているので、ノズルアームが疎水性を有している。したがって、ノズルアームが親水性の場合に比べて、ノズルアームに付着した処理液は、短時間でかつ小さい力でノズルアームから除去される。さらに、処理液がはじかれるから、ノズルアームに保持される処理液の量を低減することができる。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を一層低減できる。 A seventh aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, wherein the nozzle arm is made of a hydrophobic material.
According to this configuration, since the nozzle arm is formed of a hydrophobic material, the nozzle arm is hydrophobic. Therefore, compared with the case where the nozzle arm is hydrophilic, the treatment liquid adhering to the nozzle arm is removed from the nozzle arm in a short time and with a small force. Furthermore, since the processing liquid is repelled, the amount of the processing liquid held by the nozzle arm can be reduced. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm can be further reduced.

請求項８記載の発明は、前記ノズルアームの上面（２６）に向けて純水を吐出する純水ノズル（３３）をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、純水ノズルから吐出された純水がノズルアームの上面に供給される。これにより、ノズルアームの上面に付着しているパーティクル等の異物や処理液が洗い流される。したがって、ノズルアームの上面に付着している異物や処理液が基板上に落下して、基板が汚染されることを抑制または防止できる。さらに、前述のように、ノズルアームに供給された純水は、ノズルアームに沿って流れ落ちることによりノズルアームから短時間で除去されるので、ノズルアームへの純水の供給が終了した後に、ノズルアームから基板に純水が落下することを抑制または防止することができる。 8. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a pure water nozzle (33) for discharging pure water toward the upper surface (26) of the nozzle arm. It is.
According to this configuration, pure water discharged from the pure water nozzle is supplied to the upper surface of the nozzle arm. Thereby, foreign matters such as particles adhering to the upper surface of the nozzle arm and the processing liquid are washed away. Therefore, it is possible to suppress or prevent contamination of the substrate due to the foreign matter or processing liquid adhering to the upper surface of the nozzle arm falling on the substrate. Furthermore, as described above, the pure water supplied to the nozzle arm is removed from the nozzle arm in a short time by flowing down along the nozzle arm, so that after the supply of pure water to the nozzle arm is finished, the nozzle It is possible to suppress or prevent the pure water from dropping from the arm to the substrate.

請求項９記載の発明は、前記ノズルは、前記ノズルアームよりも下方に配置されたノズル下部（２３）を含み、前記基板処理装置は、前記ノズル下部に向けて気体を吐出する第２気体ノズル（３６）をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第２気体ノズルから吐出された気体が、ノズルアームよりも下方に位置するノズル下部に吹き付けられる。ノズル下部は、ノズルアームよりも下方に配置されているから、ノズルの外表面に付着した処理液や、ノズルアームを伝ってノズルに移動した処理液は、ノズル下部に向かって流れ落ちる。したがって、第２気体ノズルから吐出された気体は、処理液が集まる位置に吹き付けられる。そのため、処理液を効率的に除去することができる。 According to a ninth aspect of the present invention, the nozzle includes a nozzle lower part (23) disposed below the nozzle arm, and the substrate processing apparatus discharges gas toward the nozzle lower part. (36) It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-8 which further contains.
According to this structure, the gas discharged from the 2nd gas nozzle is sprayed on the nozzle lower part located below a nozzle arm. Since the lower part of the nozzle is disposed below the nozzle arm, the processing liquid attached to the outer surface of the nozzle and the processing liquid that has moved to the nozzle through the nozzle arm flow down toward the lower part of the nozzle. Therefore, the gas discharged from the second gas nozzle is sprayed to a position where the processing liquid is collected. Therefore, the processing liquid can be removed efficiently.

請求項１０記載の発明は、前記ノズルアームは、前記ノズルを保持する先端部（２０）と、基端部（２１）とを含む棒状の部材であり、前記第１気体ノズルは、前記第１気体ノズルから吐出された気体が前記基端部から前記先端部に向かう方向（Ｄ２）に流れるように構成されており、前記第２気体ノズルは、前記第２気体ノズルから吐出された気体が前記基端部から前記先端部に向かう方向に流れるように構成されている、請求項９記載の基板処理装置である。   According to a tenth aspect of the present invention, the nozzle arm is a rod-shaped member including a distal end portion (20) for holding the nozzle and a proximal end portion (21), and the first gas nozzle is the first gas nozzle. The gas discharged from the gas nozzle is configured to flow in a direction (D2) from the base end portion toward the tip end portion, and the second gas nozzle is configured such that the gas discharged from the second gas nozzle is The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the substrate processing apparatus is configured to flow in a direction from a proximal end portion toward the distal end portion.

この構成によれば、第１気体ノズルから吐出された気体は、ノズルアームに沿って基端部から先端部に向かう方向に流れる。同様に、第２気体ノズルから吐出された気体は、ノズル下部に沿って基端部から先端部に向かう方向に流れる。すなわち、各気体ノズルから吐出された気体は、同じ向きに流れる。したがって、第１気体ノズルから吐出された気体と、第２気体ノズルから吐出された気体とが衝突して、各気体ノズルから吐出された気体の勢いが弱まることを抑制または防止することができる。これにより、ノズルおよびノズルアームに付着している処理液を確実に除去することができる。   According to this configuration, the gas discharged from the first gas nozzle flows along the nozzle arm in a direction from the proximal end portion toward the distal end portion. Similarly, the gas discharged from the second gas nozzle flows in a direction from the base end toward the tip along the lower part of the nozzle. That is, the gas discharged from each gas nozzle flows in the same direction. Therefore, it is possible to suppress or prevent the gas discharged from the first gas nozzle and the gas discharged from the second gas nozzle from colliding to weaken the momentum of the gas discharged from each gas nozzle. Thereby, the process liquid adhering to a nozzle and a nozzle arm can be removed reliably.

請求項１１記載の発明は、基板を保持する基板保持手段（２）と、前記ノズルが前記基板保持手段に保持された基板の上方に位置している処理位置と、前記ノズルが前記基板保持手段に保持された基板の上方から退避している待機位置との間で前記ノズルアームを移動させる移動手段（１０）と、をさらに含み、前記第1気体ノズルは、前記待機位置に位置している前記ノズルアームの下部に向けて気体を吐出するように構成されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置である。   The invention according to claim 11 is the substrate holding means (2) for holding the substrate, the processing position where the nozzle is located above the substrate held by the substrate holding means, and the nozzle is the substrate holding means. Moving means (10) for moving the nozzle arm to and from a standby position retracted from above the substrate held by the substrate, wherein the first gas nozzle is located at the standby position It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-10 comprised so that gas may be discharged toward the lower part of the said nozzle arm.

この構成によれば、移動手段の駆動力がノズルアームに伝達されることにより、ノズルアームが処理位置と待機位置との間で移動する。第１気体ノズルから吐出された気体は、待機位置に位置しているノズルアームの下部に吹き付けられる。したがって、第１気体ノズルを待機位置に配置することができる。すなわち、第１気体ノズルは、ノズルアームと共に移動するように構成されていなくてもよい。したがって、ノズルアームを含む可動部の大型化を抑制または防止することができる。   According to this configuration, the driving force of the moving means is transmitted to the nozzle arm, so that the nozzle arm moves between the processing position and the standby position. The gas discharged from the first gas nozzle is blown to the lower part of the nozzle arm located at the standby position. Therefore, the first gas nozzle can be arranged at the standby position. That is, the first gas nozzle may not be configured to move with the nozzle arm. Therefore, the enlargement of the movable part including the nozzle arm can be suppressed or prevented.

請求項１２記載の発明は、前記ノズルアームの前記少なくとも一部は、前記処理位置において前記基板保持手段に保持された基板の上方に位置している部分（２２）を含む、請求項１１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理位置において基板保持手段に保持された基板の上方に位置している部分が、直交断面を有している。したがって、この部分に処理液が付着したとしても、この処理液は、短時間で除去される。そのため、基板上でノズルアームを移動させたとしても、ノズルアームから基板に処理液が落下することを抑制または防止できる。これにより、基板の汚染や品質低下を抑制または防止できる。 The invention according to claim 12 is the invention according to claim 11, wherein the at least part of the nozzle arm includes a portion (22) positioned above the substrate held by the substrate holding means in the processing position. A substrate processing apparatus.
According to this configuration, the portion located above the substrate held by the substrate holding means at the processing position has an orthogonal cross section. Therefore, even if the treatment liquid adheres to this portion, the treatment liquid is removed in a short time. Therefore, even if the nozzle arm is moved on the substrate, it is possible to suppress or prevent the processing liquid from dropping from the nozzle arm to the substrate. Thereby, it is possible to suppress or prevent substrate contamination and quality degradation.

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。1 is a side view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態に係るノズルアームおよびこれに関連する構成の側面図である。It is a side view of the nozzle arm which concerns on 1st Embodiment of this invention, and the structure relevant to this. 図３に示す矢印ＩＶの方向から見たノズルアームの断面図である。It is sectional drawing of the nozzle arm seen from the direction of arrow IV shown in FIG. 図４の一部を拡大した図である。It is the figure which expanded a part of FIG. ノズルおよびノズルアームを洗浄するときの動作の一例について説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating an example of operation | movement when wash | cleaning a nozzle and a nozzle arm. ノズルアームに純水が供給されているときの純水の動きの一例について説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating an example of a motion of a pure water when the pure water is supplied to the nozzle arm. ノズルアームに窒素ガスが供給されているときの純水の動きの一例について説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating an example of a motion of the pure water when nitrogen gas is supplied to the nozzle arm. 本発明の第２実施形態に係るノズルアームの断面図である。It is sectional drawing of the nozzle arm which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係るノズルアームの断面図である。It is sectional drawing of the nozzle arm which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係るノズルアームの断面図である。It is sectional drawing of the nozzle arm which concerns on 4th Embodiment of this invention.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す側面図である。図２は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。
基板処理装置１は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック２と、スピンチャック２に保持された基板Ｗの上面に向けて処理液を吐出するノズル３と、ノズル３を保持するノズルアーム４と、スピンチャック２の上方に配置された遮断板５と、これらの構成２〜５を収容する処理室６を区画する隔壁（図示せず）とを備えている。さらに、基板処理装置１は、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置７を備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates W one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 2 that horizontally holds and rotates a substrate W, a nozzle 3 that discharges a processing liquid toward the upper surface of the substrate W held on the spin chuck 2, and a nozzle that holds the nozzle 3. The arm 4, a blocking plate 5 disposed above the spin chuck 2, and a partition wall (not shown) that partitions the processing chamber 6 that houses these configurations 2 to 5 are provided. Further, the substrate processing apparatus 1 includes a control device 7 that controls the operation of the apparatus provided in the substrate processing apparatus 1 and the opening / closing of a valve.

スピンチャック２は、基板Ｗを水平に保持して当該基板Ｗの中心を通る鉛直軸線まわりに回転可能な円盤状のスピンベース８と、このスピンベース８を鉛直軸線まわりに回転させるスピンモータ９とを含む。スピンチャック２は、基板Ｗを水平方向に挟んで当該基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより当該基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。第１実施形態では、スピンチャック２は、たとえば挟持式のチャックである。   The spin chuck 2 holds a substrate W horizontally and can rotate around a vertical axis passing through the center of the substrate W, and a spin motor 9 that rotates the spin base 8 around a vertical axis. including. The spin chuck 2 may be a holding chuck that horizontally holds the substrate W while holding the substrate W in a horizontal direction, or by adsorbing the back surface (lower surface) of the substrate W that is a non-device forming surface. A vacuum chuck that holds the substrate W horizontally may be used. In the first embodiment, the spin chuck 2 is, for example, a clamping chuck.

ノズル３は、液体と気体とを衝突させることにより複数の液滴を生成し、生成された複数の液滴を基板Ｗに向けて吐出する二流体ノズルである。第１実施形態では、液体の一例である純水が、ノズル３に供給され、気体の一例である窒素ガスが、ノズル３に供給される。ノズル３は、その吐出口が下方に向けられた状態でスピンチャック２よりも上方に配置されている。ノズル３は、二流体ノズルに限らず、連続流の状態で処理液を吐出するストレートノズルであってもよいし、窒素ガスなどの気体を吐出するノズルであってもよい。   The nozzle 3 is a two-fluid nozzle that generates a plurality of droplets by causing a liquid and a gas to collide, and discharges the generated plurality of droplets toward the substrate W. In the first embodiment, pure water that is an example of a liquid is supplied to the nozzle 3, and nitrogen gas that is an example of a gas is supplied to the nozzle 3. The nozzle 3 is disposed above the spin chuck 2 with its discharge port directed downward. The nozzle 3 is not limited to the two-fluid nozzle, and may be a straight nozzle that discharges the processing liquid in a continuous flow state or a nozzle that discharges a gas such as nitrogen gas.

ノズル３は、ノズルアーム４の先端部２０で保持されている。ノズルアーム４は、水平面に沿う長手方向Ｄ１に延びている。図２に示すように、ノズルアーム４の基端部２１は、ノズル回転機構１０に連結されている。ノズル回転機構１０は、スピンチャック２の側方に設けられた鉛直なノズル回転軸線Ｌ１まわりに、ノズル３およびノズルアーム４を回転させる。ノズル回転機構１０は、ノズル３がスピンチャック２の上方に位置している処理位置（図１に示す位置および図２において実線で示す位置）と、ノズル３がスピンチャック２の上方から退避している待機位置（図２において二点鎖線で示す位置）と、の間でノズル３およびノズルアーム４を水平に移動させる。待機位置には、処理液を受け止めるポッド１１が配置されている。ポッド１１は、上向きに開いた容器である。ポッド１１は、ノズル３が待機位置に配置されているときに、ノズル３の下方に位置するように配置されている。   The nozzle 3 is held by the tip 20 of the nozzle arm 4. The nozzle arm 4 extends in the longitudinal direction D1 along the horizontal plane. As shown in FIG. 2, the base end portion 21 of the nozzle arm 4 is connected to the nozzle rotating mechanism 10. The nozzle rotation mechanism 10 rotates the nozzle 3 and the nozzle arm 4 around a vertical nozzle rotation axis L1 provided on the side of the spin chuck 2. The nozzle rotating mechanism 10 includes a processing position where the nozzle 3 is positioned above the spin chuck 2 (the position shown in FIG. 1 and the position indicated by the solid line in FIG. 2), and the nozzle 3 is retracted from above the spin chuck 2. The nozzle 3 and the nozzle arm 4 are moved horizontally between the standby position (the position indicated by the two-dot chain line in FIG. 2). A pod 11 for receiving the processing liquid is disposed at the standby position. The pod 11 is a container opened upward. The pod 11 is disposed so as to be positioned below the nozzle 3 when the nozzle 3 is disposed at the standby position.

遮断板５は、基板Ｗとほぼ同じ直径を有する円板状の部材である。遮断板５は、水平な姿勢で支軸１２に支持されている。支軸１２は、遮断板昇降機構１３および遮断板回転機構１４に連結されている。遮断板昇降機構１３は、遮断板５の下面が基板Ｗの上面に近接している処理位置と、処理位置の上方に設けられた退避位置（図１に示す位置）との間で、遮断板５および支軸１２を昇降させる。遮断板回転機構１４は、基板Ｗの中心を通る鉛直軸線まわりに遮断板５および支軸１２を回転させる。支軸１２は、円筒状である。支軸１２の内部空間は、遮断板５の中央部を鉛直方向に貫通する貫通孔１５に接続されている。第１配管１６は、支軸１２内に挿入されており、第２配管１７は、第１配管１６に接続されている。第２配管１７に介装された純水バルブ１８が開かれると、第２配管１７から第１配管１６に純水が供給され、純水バルブ１８が閉じられると、第１配管１６への純水の供給が停止される。第１配管１６に供給された純水は、中心軸ノズル１９を構成する第１配管１６の下端部から基板Ｗの上面中央部に向けて吐出される。   The blocking plate 5 is a disk-shaped member having substantially the same diameter as the substrate W. The blocking plate 5 is supported by the support shaft 12 in a horizontal posture. The support shaft 12 is connected to a shield plate lifting mechanism 13 and a shield plate rotating mechanism 14. The shield plate lifting mechanism 13 is provided between the processing position where the lower surface of the shield plate 5 is close to the upper surface of the substrate W and the retreat position (position shown in FIG. 1) provided above the processing position. 5 and the support shaft 12 are moved up and down. The shielding plate rotating mechanism 14 rotates the shielding plate 5 and the support shaft 12 around a vertical axis passing through the center of the substrate W. The support shaft 12 is cylindrical. The internal space of the support shaft 12 is connected to a through hole 15 that penetrates the central portion of the blocking plate 5 in the vertical direction. The first pipe 16 is inserted into the support shaft 12, and the second pipe 17 is connected to the first pipe 16. When the pure water valve 18 interposed in the second pipe 17 is opened, pure water is supplied from the second pipe 17 to the first pipe 16, and when the pure water valve 18 is closed, the pure water is supplied to the first pipe 16. Water supply is stopped. The pure water supplied to the first pipe 16 is discharged from the lower end portion of the first pipe 16 constituting the central axis nozzle 19 toward the center of the upper surface of the substrate W.

中心軸ノズル１９から基板Ｗに処理液を供給するときには、たとえば、制御装置７が、スピンモータ９を制御することにより、スピンチャック２に保持された基板Ｗを回転させる。そして、制御装置７は、遮断板５を処理位置に位置させた状態で、回転状態の基板Ｗの上面に向けて中心軸ノズル１９から処理液を吐出させる。中心軸ノズル１９から吐出された処理液は、基板Ｗの上面中央部に供給された後、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に広がる。これにより、基板Ｗの上面全域に処理液が供給され、基板Ｗが処理される。   When supplying the processing liquid from the central axis nozzle 19 to the substrate W, for example, the control device 7 controls the spin motor 9 to rotate the substrate W held by the spin chuck 2. Then, the control device 7 discharges the processing liquid from the central axis nozzle 19 toward the upper surface of the rotating substrate W in a state where the blocking plate 5 is located at the processing position. The processing liquid discharged from the central axis nozzle 19 is supplied to the center of the upper surface of the substrate W, and then spreads outward along the upper surface of the substrate W by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W. Thereby, the processing liquid is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and the substrate W is processed.

また、ノズル３から基板Ｗに処理液を供給するときには、たとえば、制御装置７が、スピンモータ９を制御することにより、スピンチャック２に保持された基板Ｗを回転させる。そして、制御装置７は、ノズル３を処理位置に位置させた状態で、回転状態の基板Ｗの上面に向けてノズル３から処理液を吐出させる。第１実施形態では、ノズル３が二流体ノズルであるので、複数の液滴が、ノズル３から基板Ｗの上面に向けて噴射される。これにより、基板Ｗの上面に処理液が供給され、基板Ｗが処理される。   When supplying the processing liquid from the nozzle 3 to the substrate W, for example, the control device 7 controls the spin motor 9 to rotate the substrate W held on the spin chuck 2. And the control apparatus 7 discharges a process liquid from the nozzle 3 toward the upper surface of the board | substrate W of a rotation state in the state which located the nozzle 3 in the process position. In the first embodiment, since the nozzle 3 is a two-fluid nozzle, a plurality of droplets are ejected from the nozzle 3 toward the upper surface of the substrate W. Thereby, the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W, and the substrate W is processed.

図３は、本発明の第１実施形態に係るノズルアーム４およびこれに関連する構成の側面図である。図４は、図３に示す矢印ＩＶの方向から見たノズルアーム４の断面図である。図３は、ノズル３およびノズルアーム４が待機位置に配置されている状態を示している。
ノズルアーム４は、先端部２０と基端部２１とを含む棒状の部材である。すなわち、ノズルアーム４は、先端部２０と、基端部２１と、基端部２１と先端部２０とを接続する棒状のアーム部２２とを含む。アーム部２２は、長手方向Ｄ１に延びている。先端部２０および基端部２１は、それぞれ、アーム部２２の一端部および他端部に結合されている。ノズル３は、先端部２０に保持されている。先端部２０は、基端部２１から離れる方向に向かってアーム部２２の一端部から下方に延びている。ノズル３は、柱状であり、鉛直な姿勢で先端部２０に保持されている。ノズル３は、先端部２０から下方に延びるノズル下部２３を含む。ノズル下部２３は、基端部２１およびアーム部２２よりも下方に配置されている。また、基端部２１は、ボルト２４によってベース２５に取り付けられている。ノズル回転機構１０の駆動力は、ベース２５を介してノズルアーム４に伝達される。先端部２０およびアーム部２２は、処理位置においてスピンチャック２に保持された基板Ｗの上方に位置する部分である（図２参照）。 FIG. 3 is a side view of the nozzle arm 4 and the configuration related thereto according to the first embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view of the nozzle arm 4 as seen from the direction of the arrow IV shown in FIG. FIG. 3 shows a state in which the nozzle 3 and the nozzle arm 4 are arranged at the standby position.
The nozzle arm 4 is a rod-shaped member including a distal end portion 20 and a proximal end portion 21. That is, the nozzle arm 4 includes a distal end portion 20, a proximal end portion 21, and a rod-shaped arm portion 22 that connects the proximal end portion 21 and the distal end portion 20. The arm part 22 extends in the longitudinal direction D1. The distal end portion 20 and the proximal end portion 21 are coupled to one end portion and the other end portion of the arm portion 22, respectively. The nozzle 3 is held at the tip portion 20. The distal end portion 20 extends downward from one end portion of the arm portion 22 in a direction away from the proximal end portion 21. The nozzle 3 has a columnar shape and is held by the tip portion 20 in a vertical posture. The nozzle 3 includes a nozzle lower portion 23 extending downward from the tip portion 20. The nozzle lower portion 23 is disposed below the base end portion 21 and the arm portion 22. In addition, the base end portion 21 is attached to the base 25 with a bolt 24. The driving force of the nozzle rotating mechanism 10 is transmitted to the nozzle arm 4 via the base 25. The tip portion 20 and the arm portion 22 are portions located above the substrate W held by the spin chuck 2 at the processing position (see FIG. 2).

ノズルアーム４は、疎水性材料によって形成されている。疎水性材料としては、たとえば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂が挙げられる。図４に示すように、アーム部２２は、上面２６、右側面２７、左側面２８、およびＶ字状の下面２９を含む五角形状の直交断面Ｃ１（長手方向Ｄ１に直交する断面）を有している。アーム部２２の直交断面Ｃ１は、アーム部２２の一端部からアーム部２２の他端部まで一定である。すなわち、直交断面Ｃ１は、アーム部２２の一端部からアーム部２２の他端部まで同じ形で同じ大きさ（同形同大）である。アーム部２２には、ノズルアーム４を補強する棒状の芯材３０が埋め込まれている。芯材３０は、たとえば、ステンレス鋼によって形成されている。さらに、アーム部２２の内部には、ノズル３に液体を供給する液体供給管３１と、ノズル３に気体を供給する気体供給管３２とが差し込まれている。芯材３０、液体供給管３１、および気体供給管３２は、アーム部２２内で長手方向Ｄ１に延びている。図３に示すように、液体供給管３１および気体供給管３２は、アーム部２２から先端部２０側に突出しており、ノズル３に接続されている。   The nozzle arm 4 is made of a hydrophobic material. Examples of the hydrophobic material include fluororesins such as polytetrafluoroethylene. As shown in FIG. 4, the arm portion 22 has a pentagonal orthogonal cross section C1 (a cross section orthogonal to the longitudinal direction D1) including an upper surface 26, a right side surface 27, a left side surface 28, and a V-shaped lower surface 29. ing. The orthogonal cross section C <b> 1 of the arm portion 22 is constant from one end portion of the arm portion 22 to the other end portion of the arm portion 22. That is, the orthogonal cross section C1 has the same shape and the same size (the same shape and the same size) from one end of the arm portion 22 to the other end of the arm portion 22. A rod-shaped core material 30 that reinforces the nozzle arm 4 is embedded in the arm portion 22. The core material 30 is made of stainless steel, for example. Furthermore, a liquid supply pipe 31 that supplies liquid to the nozzle 3 and a gas supply pipe 32 that supplies gas to the nozzle 3 are inserted into the arm portion 22. The core member 30, the liquid supply pipe 31, and the gas supply pipe 32 extend in the longitudinal direction D <b> 1 within the arm portion 22. As shown in FIG. 3, the liquid supply pipe 31 and the gas supply pipe 32 protrude from the arm portion 22 toward the distal end portion 20 and are connected to the nozzle 3.

基板処理装置１は、ノズルアーム４に純水を供給してノズルアーム４を洗浄する第１純水ノズル３３（純水ノズル）および第２純水ノズル３４と、ノズルアーム４に気体を供給してノズルアーム４に付着している純水を除去する第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６とをさらに含む。図３に示すように、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４は、ノズルアーム４の基端部２１の近傍に配置されている。第１純水ノズル３３は、ノズルアーム４の上方に配置されており、第２純水ノズル３４は、ノズルアーム４の下方に配置されている。さらに、図４に示すように、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４は、直交断面Ｃ１の幅方向（長手方向Ｄ１に直交する水平な方向）に関する中心を通る鉛直な軸線ＣＬ１上に配置されている。第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４は、ノズルアーム４と共にノズル回転軸線Ｌ１まわりに水平に移動するように保持されている。   The substrate processing apparatus 1 supplies pure water to the nozzle arm 4 and supplies gas to the first pure water nozzle 33 (pure water nozzle) and the second pure water nozzle 34 for cleaning the nozzle arm 4 and the nozzle arm 4. The first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 for removing pure water adhering to the nozzle arm 4 are further included. As shown in FIG. 3, the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 are disposed in the vicinity of the base end portion 21 of the nozzle arm 4. The first pure water nozzle 33 is disposed above the nozzle arm 4, and the second pure water nozzle 34 is disposed below the nozzle arm 4. Further, as shown in FIG. 4, the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 are on a vertical axis CL1 passing through the center in the width direction of the orthogonal cross section C1 (horizontal direction orthogonal to the longitudinal direction D1). Is arranged. The first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 are held so as to move horizontally around the nozzle rotation axis L1 together with the nozzle arm 4.

図３に示すように、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４には共通の純水バルブ３７を介して、洗浄液としての純水が供給される。すなわち、純水バルブ３７が開かれると、第１純水ノズル３３に純水が供給され、ノズルアーム４に向けて第１純水ノズル３３から純水が吐出される。さらに、純水バルブ３７が開かれると、第２純水ノズル３４に純水が供給され、ノズルアーム４に向けて第２純水ノズル３４から純水が吐出される。したがって、純水バルブ３７が開かれると、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４から純水が吐出される。   As shown in FIG. 3, pure water as a cleaning liquid is supplied to the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 via a common pure water valve 37. That is, when the pure water valve 37 is opened, pure water is supplied to the first pure water nozzle 33, and pure water is discharged from the first pure water nozzle 33 toward the nozzle arm 4. Further, when the pure water valve 37 is opened, pure water is supplied to the second pure water nozzle 34, and pure water is discharged from the second pure water nozzle 34 toward the nozzle arm 4. Therefore, when the pure water valve 37 is opened, pure water is discharged from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34.

第１純水ノズル３３は、第１純水ノズル３３からたとえば水平に純水が吐出されるように配置されている。第１純水ノズル３３から吐出された純水は、ノズルアーム４に沿って長手方向Ｄ１に流れる。一方、第２純水ノズル３４は、第２純水ノズル３４からたとえば斜め上向きに純水が吐出されるように配置されている。第２純水ノズル３４から吐出された純水は、ノズルアーム４の下部に供給される。そして、ノズルアーム４に供給された純水は、ノズルアーム４に沿って長手方向Ｄ１に流れる。   The 1st pure water nozzle 33 is arrange | positioned so that a pure water may be discharged from the 1st pure water nozzle 33 horizontally, for example. The pure water discharged from the first pure water nozzle 33 flows along the nozzle arm 4 in the longitudinal direction D1. On the other hand, the second pure water nozzle 34 is arranged so that pure water is discharged from the second pure water nozzle 34, for example, obliquely upward. The pure water discharged from the second pure water nozzle 34 is supplied to the lower part of the nozzle arm 4. The pure water supplied to the nozzle arm 4 flows along the nozzle arm 4 in the longitudinal direction D1.

また、図３に示すように、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６は、ノズルアーム４よりも下方に配置されている。第１気体ノズル３５は、ノズルアーム４の基端部２１側に配置されており、第２気体ノズル３６は、ノズルアーム４の先端部２０側に配置されている。第1気体ノズル３５は、平面視においてノズルアーム４に重なり合わないように配置されている（図２参照）。また、第２気体ノズル３６は、ノズル下部２３の近傍に配置されている。第２気体ノズル３６は、ノズル下部２３に対して水平方向に対向している。第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６は、それぞれ、待機位置に配置された第１ステー３８および第２ステー３９によって保持されている。したがって、ノズル３およびノズルアーム４がノズル回転軸線Ｌ１まわりに回転すると、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６は、ノズル３およびノズルアーム４に対して相対移動する。   Further, as shown in FIG. 3, the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 are disposed below the nozzle arm 4. The first gas nozzle 35 is disposed on the proximal end portion 21 side of the nozzle arm 4, and the second gas nozzle 36 is disposed on the distal end portion 20 side of the nozzle arm 4. The first gas nozzle 35 is disposed so as not to overlap the nozzle arm 4 in plan view (see FIG. 2). Further, the second gas nozzle 36 is disposed in the vicinity of the nozzle lower portion 23. The second gas nozzle 36 faces the nozzle lower portion 23 in the horizontal direction. The first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 are respectively held by a first stay 38 and a second stay 39 arranged at the standby position. Therefore, when the nozzle 3 and the nozzle arm 4 rotate around the nozzle rotation axis L <b> 1, the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 move relative to the nozzle 3 and the nozzle arm 4.

図３に示すように、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６には共通の気体バルブ４０を介して、気体の一例である窒素ガスが供給される。すなわち、気体バルブ４０が開かれると、第１気体ノズル３５に窒素ガスが供給され、ノズルアーム４に向けて第１気体ノズル３５から窒素ガスが吐出される。さらに、気体バルブ４０が開かれると、第２気体ノズル３６に窒素ガスが供給され、ノズル３に向けて第２気体ノズル３６の第２気体吐出口から窒素ガスが吐出される。したがって、気体バルブ４０が開かれると、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６から窒素ガスが吐出される。   As shown in FIG. 3, nitrogen gas, which is an example of gas, is supplied to the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 via a common gas valve 40. That is, when the gas valve 40 is opened, nitrogen gas is supplied to the first gas nozzle 35, and nitrogen gas is discharged from the first gas nozzle 35 toward the nozzle arm 4. Further, when the gas valve 40 is opened, nitrogen gas is supplied to the second gas nozzle 36, and nitrogen gas is discharged from the second gas discharge port of the second gas nozzle 36 toward the nozzle 3. Therefore, when the gas valve 40 is opened, nitrogen gas is discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36.

第１気体ノズル３５は、第１気体ノズル３５からたとえば斜め上向きに窒素ガスが吐出されるように配置されている。第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスは、ノズルアーム４の下部に吹き付けられる。そして、ノズルアーム４に吹き付けられた窒素ガスは、ノズルアーム４の下部に沿って長手方向Ｄ１に流れる。さらに、第1気体ノズル３５およびノズルアーム４が平面視において重なり合わないように配置されているので、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスは、ノズルアーム４の下部に対して側方から吹き付けられる。一方、第２気体ノズル３６は、第２気体ノズル３６からたとえば水平に窒素ガスが吐出されるように配置されている。第２気体ノズル３６から吐出された窒素ガスは、ノズル下部２３に吹き付けられる。   The first gas nozzle 35 is arranged such that nitrogen gas is discharged from the first gas nozzle 35 obliquely upward, for example. Nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is blown to the lower part of the nozzle arm 4. The nitrogen gas blown to the nozzle arm 4 flows in the longitudinal direction D1 along the lower portion of the nozzle arm 4. Further, since the first gas nozzle 35 and the nozzle arm 4 are arranged so as not to overlap in a plan view, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is laterally with respect to the lower portion of the nozzle arm 4. Be sprayed. On the other hand, the second gas nozzle 36 is arranged such that, for example, nitrogen gas is discharged from the second gas nozzle 36 horizontally. Nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 is blown to the nozzle lower portion 23.

図５は、図４の一部を拡大した図である。以下では、ノズルアーム４の断面（アーム部２２の直交断面Ｃ１）について詳細に説明する。
前述のように、直交断面Ｃ１は、たとえば、五角形状である。直交断面Ｃ１は、上部４１、右側部４２（側部、他方の側端）、左側部４３（一方の側端）、および下部４４を含む。上部４１、右側部４２、左側部４３、および下部４４は、それぞれ、上面２６、右側面２７、左側面２８、および下面２９の一部である。上部４１は、水平面に対して傾斜している。右側部４２および左側部４３は、上下方向に延びている。下部４４は、水平面に対して傾斜している。下部４４は、たとえばＶ字状である。 FIG. 5 is an enlarged view of a part of FIG. Below, the cross section (the orthogonal cross section C1 of the arm part 22) of the nozzle arm 4 is demonstrated in detail.
As described above, the orthogonal cross section C1 has, for example, a pentagonal shape. The orthogonal cross section C <b> 1 includes an upper portion 41, a right side portion 42 (side portion, the other side end), a left side portion 43 (one side end), and a lower portion 44. The upper part 41, the right side part 42, the left side part 43, and the lower part 44 are part of the upper surface 26, the right side surface 27, the left side surface 28, and the lower surface 29, respectively. The upper part 41 is inclined with respect to the horizontal plane. The right side portion 42 and the left side portion 43 extend in the vertical direction. The lower part 44 is inclined with respect to the horizontal plane. The lower part 44 is V-shaped, for example.

上部４１は、左端４５（頂部）と、右端４６と、左端４５と右端４６とを接続する上側傾斜部４７とを含む。上部４１の左端４５は、直交断面Ｃ１において最も上に位置している。したがって、上部４１の右端４６は、上部４１の左端４５よりも下方に位置している。上側傾斜部４７は、上部４１の右端４６に近づくほど下降するように連続的に傾斜している。すなわち、上側傾斜部４７は、頂部としての上部４１の左端４５から右側部４２の一部である上部４１の右端４６まで下降し続けている。上側傾斜部４７の傾斜角度は、たとえば一定である。上側傾斜部４７の傾斜角度は、一定に限らず、連続的に変化していてもよい。すなわち、上側傾斜部４７は、第１実施形態のような直線であってもよいし、上または下に凸の曲線であってもよい。   The upper portion 41 includes a left end 45 (top portion), a right end 46, and an upper inclined portion 47 that connects the left end 45 and the right end 46. The left end 45 of the upper portion 41 is located at the uppermost position in the orthogonal cross section C1. Therefore, the right end 46 of the upper portion 41 is located below the left end 45 of the upper portion 41. The upper inclined portion 47 is continuously inclined so as to descend as it approaches the right end 46 of the upper portion 41. That is, the upper inclined portion 47 continues to descend from the left end 45 of the upper portion 41 as the top portion to the right end 46 of the upper portion 41 that is a part of the right side portion 42. The inclination angle of the upper inclined portion 47 is, for example, constant. The inclination angle of the upper inclined portion 47 is not limited to a constant value, and may change continuously. That is, the upper inclined portion 47 may be a straight line as in the first embodiment, or may be a curved line convex upward or downward.

また、下部４４は、左端４８と、右端４９と、左端４８と右端４９との間に配置された下端５０（底部）と、左端４８と下端５０とを接続する左側傾斜部５１と、右端４９と下端５０とを接続する右側傾斜部５２（下側傾斜部）とを含む。下端５０は、直交断面Ｃ１において最も下に位置している。したがって、下部４４の左端４８および右端４９は、下端５０よりも上方に位置している。左側傾斜部５１は、左側部４３の一部である下部４４の左端４８から底部としての下端５０まで下降し続けるように連続的に傾斜している。同様に、右側傾斜部５２は、右側部４２の一部である下部４４の右端４９から底部としての下端５０まで下降し続けるように連続的に傾斜している。左側傾斜部５１および右側傾斜部５２の傾斜角度は、一定であってもよいし、連続的に変化していてもよい。さらに、左側傾斜部５１の傾斜角度や変化の状態は、右側傾斜部５２と同じであってもよいし、異なっていてもよい。下部４４は、直交断面Ｃ１の幅（左右方向への長さ）が下端５０に近づくほど減少するように傾斜している。   The lower portion 44 includes a left end 48, a right end 49, a lower end 50 (bottom portion) disposed between the left end 48 and the right end 49, a left inclined portion 51 connecting the left end 48 and the lower end 50, and a right end 49. And a right inclined portion 52 (lower inclined portion) that connects the lower end 50 to each other. The lower end 50 is located at the lowest position in the orthogonal cross section C1. Therefore, the left end 48 and the right end 49 of the lower part 44 are located above the lower end 50. The left inclined portion 51 is continuously inclined so as to continue to descend from the left end 48 of the lower portion 44 that is a part of the left side portion 43 to the lower end 50 as the bottom portion. Similarly, the right inclined portion 52 is continuously inclined so as to continue to descend from the right end 49 of the lower portion 44 which is a part of the right portion 42 to the lower end 50 as the bottom portion. The inclination angles of the left inclined part 51 and the right inclined part 52 may be constant or may change continuously. Further, the inclination angle and the state of change of the left inclined portion 51 may be the same as or different from those of the right inclined portion 52. The lower portion 44 is inclined so that the width (length in the left-right direction) of the orthogonal cross section C1 decreases as it approaches the lower end 50.

また、左側部４３は、上部４１の左端４５から下部４４の左端４８まで下方に延びている。上部４１の左端４５、左側部４３、および下部４４の左端４８は、直交断面Ｃ１において最も左側方に位置している。上部４１の左端４５は、上部４１の一部であると共に、左側部４３の一部でもある。同様に、下部４４の左端４８は、下部４４の一部であると共に、左側部４３の一部でもある。左側部４３は、直交断面Ｃ１において最も側方に位置している一方の側端である。   The left side portion 43 extends downward from the left end 45 of the upper portion 41 to the left end 48 of the lower portion 44. The left end 45 of the upper part 41, the left side part 43, and the left end 48 of the lower part 44 are located on the leftmost side in the orthogonal cross section C1. The left end 45 of the upper part 41 is a part of the upper part 41 and also a part of the left side part 43. Similarly, the left end 48 of the lower part 44 is a part of the lower part 44 and also a part of the left side part 43. The left side portion 43 is one side end located on the most side in the orthogonal cross section C1.

また、右側部４２は、上部４１の右端４６から下部４４の右端４９まで下方に延びている。上部４１の右端４６、右側部４２、および下部４４の右端４９は、直交断面Ｃ１において最も右側方に位置している。上部４１の右端４６は、上部４１の一部であると共に、右側部４２の一部でもある。同様に、下部４４の右端４９は、下部４４の一部であると共に、右側部４２の一部でもある。右側部４２は、直交断面Ｃ１において最も側方に位置している他方の側端である。すなわち、右側部４２および左側部４３は、軸線ＣＬ１に対して互いに反対側に配置された左右一対の側端である。   The right side portion 42 extends downward from the right end 46 of the upper portion 41 to the right end 49 of the lower portion 44. The right end 46 of the upper part 41, the right side part 42, and the right end 49 of the lower part 44 are located on the rightmost side in the orthogonal cross section C1. The right end 46 of the upper part 41 is a part of the upper part 41 and also a part of the right side part 42. Similarly, the right end 49 of the lower part 44 is a part of the lower part 44 and also a part of the right side part 42. The right side portion 42 is the other side end located on the most side in the orthogonal cross section C1. That is, the right side portion 42 and the left side portion 43 are a pair of left and right side ends disposed on opposite sides with respect to the axis line CL1.

第１気体ノズル３５は、ノズルアーム４の側方からノズルアーム４の下部に向けて気体を吐出するように構成されている。すなわち、第1気体ノズル３５から吐出された窒素ガスは、ノズルアーム４の右側面２７や下面２９に対して右側方から吹き付けられる。前述のように、上側傾斜部４７は、上部４１の右端４６に近づくほど下降するように傾斜している。したがって、上側傾斜部４７は、第1気体ノズル３５からの気体が吹き付けられる側に向かって下降している（図８参照）。   The first gas nozzle 35 is configured to discharge gas from the side of the nozzle arm 4 toward the lower portion of the nozzle arm 4. That is, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is blown from the right side against the right side surface 27 and the lower surface 29 of the nozzle arm 4. As described above, the upper inclined portion 47 is inclined so as to descend toward the right end 46 of the upper portion 41. Accordingly, the upper inclined portion 47 is lowered toward the side to which the gas from the first gas nozzle 35 is blown (see FIG. 8).

図６は、ノズル３およびノズルアーム４を洗浄するときの動作の一例について説明するための工程図である。図７は、ノズルアーム４に純水が供給されているときの純水の動きの一例について説明するための断面図である。図８は、ノズルアーム４に窒素ガスが供給されているときの純水の動きの一例について説明するための断面図である。以下では、図３を参照する。また、以下の説明では、図１、図６、図７および図８を適宜参照する。   FIG. 6 is a process diagram for explaining an example of an operation when the nozzle 3 and the nozzle arm 4 are cleaned. FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining an example of the movement of pure water when pure water is supplied to the nozzle arm 4. FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining an example of the movement of pure water when nitrogen gas is supplied to the nozzle arm 4. In the following, reference is made to FIG. In the following description, FIGS. 1, 6, 7, and 8 are referred to as appropriate.

ノズル３およびノズルアーム４の洗浄は、たとえば、スピンチャック２に基板Ｗが保持されていない状態で行われる。また、ノズル３およびノズルアーム４の洗浄では、最初に、たとえば第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４からノズルアーム４に向けて純水が吐出される（図６のステップＳ１、第１純水供給工程）。具体的には、制御装置７は、ノズル３およびノズルアーム４を待機位置に位置させた状態で、純水バルブ３７を開いて、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４から純水を吐出させる。   The nozzle 3 and the nozzle arm 4 are cleaned, for example, in a state where the substrate W is not held on the spin chuck 2. In the cleaning of the nozzle 3 and the nozzle arm 4, first, for example, pure water is discharged from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 toward the nozzle arm 4 (step S1, FIG. 1 pure water supply process). Specifically, the control device 7 opens the pure water valve 37 in a state where the nozzle 3 and the nozzle arm 4 are positioned at the standby position, and the pure water is supplied from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34. To discharge.

第１純水ノズル３３から吐出された純水の大部分は、アーム部２２の上面２６に供給され、第１純水ノズル３３から吐出された純水の一部は、アーム部２２の右側面２７および左側面２８に供給される。アーム部２２の上面２６が水平面に対して傾斜しているので、アーム部２２の上面２６に供給された純水は、先端部２０に向かって長手方向Ｄ１に移動しながら、上面２６に沿って下方に流れる（図７参照）。そして、上部４１の右端４６に達した純水は、上部４１の右端４６から側方に飛散したり、右側面２７に沿って下方に流れたりする。また、右側面２７および左側面２８に供給された純水は、先端部２０に向かって長手方向Ｄ１に移動しながら、右側面２７または左側面２８に沿って下方に流れる。そして、図７に示すように、右側面２７の下端（下部４４の右端４９）および左側面２８の下端（下部４４の左端４８）に達した純水は、右側面２７または左側面２８から落下したり、下面２９に沿って下方に流れたりする。   Most of the pure water discharged from the first pure water nozzle 33 is supplied to the upper surface 26 of the arm portion 22, and a part of the pure water discharged from the first pure water nozzle 33 is the right side surface of the arm portion 22. 27 and left side 28. Since the upper surface 26 of the arm portion 22 is inclined with respect to the horizontal plane, the pure water supplied to the upper surface 26 of the arm portion 22 moves along the upper surface 26 while moving in the longitudinal direction D1 toward the distal end portion 20. It flows downward (see FIG. 7). The pure water that has reached the right end 46 of the upper portion 41 scatters laterally from the right end 46 of the upper portion 41 or flows downward along the right side surface 27. Further, the pure water supplied to the right side surface 27 and the left side surface 28 flows downward along the right side surface 27 or the left side surface 28 while moving in the longitudinal direction D1 toward the distal end portion 20. Then, as shown in FIG. 7, the pure water that has reached the lower end of the right side surface 27 (the right end 49 of the lower portion 44) and the lower end of the left side surface 28 (the left end 48 of the lower portion 44) falls from the right side surface 27 or the left side surface 28. Or flows downward along the lower surface 29.

一方、第２純水ノズル３４から吐出された純水の大部分は、アーム部２２の下面２９に供給され、第２純水ノズル３４から吐出された純水の一部は、アーム部２２の右側面２７および左側面２８に供給される。前述のように、右側面２７および左側面２８に供給された純水は、右側面２７または左側面２８から落下したり、下面２９に沿って下方に流れたりする。その一方で、アーム部２２の下面２９が水平面に対して傾斜しているので、アーム部２２の下面２９に供給された純水は、先端部２０に向かって長手方向Ｄ１に移動しながら、下面２９に沿って下方に流れる（図７参照）。つまり、アーム部２２の下面２９に供給された純水は、下端５０に向かって移動するように下面２９に沿って流れる。そして、下端５０に達した純水の一部は、ノズルアーム４から落下する。   On the other hand, most of the pure water discharged from the second pure water nozzle 34 is supplied to the lower surface 29 of the arm part 22, and a part of the pure water discharged from the second pure water nozzle 34 is supplied to the arm part 22. It is supplied to the right side surface 27 and the left side surface 28. As described above, the pure water supplied to the right side surface 27 and the left side surface 28 falls from the right side surface 27 or the left side surface 28 or flows downward along the lower surface 29. On the other hand, since the lower surface 29 of the arm portion 22 is inclined with respect to the horizontal plane, the pure water supplied to the lower surface 29 of the arm portion 22 moves in the longitudinal direction D1 toward the distal end portion 20 while It flows downward along 29 (see FIG. 7). That is, the pure water supplied to the lower surface 29 of the arm portion 22 flows along the lower surface 29 so as to move toward the lower end 50. A part of the pure water that has reached the lower end 50 falls from the nozzle arm 4.

このように、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４から吐出された純水は、アーム部２２の上面２６、右側面２７、左側面２８、および下面２９に供給される。これにより、アーム部２２に付着しているパーティクルなどの異物や処理液が純水によって洗い流される。また、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４からアーム部２２に供給された純水は、先端部２０に向かって長手方向Ｄ１に流れる。そして、先端部２０の近傍に達した純水は、アーム部２２から先端部２０に移動し、先端部２０やノズル３に沿って下方に流れる。これにより、先端部２０やノズル３に付着している異物等が純水によって洗い流される。そして、先端部２０やノズル３から落下した純水は、ポッド１１によって受け止められる。   As described above, the pure water discharged from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 is supplied to the upper surface 26, the right side surface 27, the left side surface 28, and the lower surface 29 of the arm portion 22. As a result, foreign matters such as particles adhering to the arm portion 22 and the processing liquid are washed away with pure water. The pure water supplied from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 to the arm portion 22 flows in the longitudinal direction D1 toward the tip portion 20. The pure water that has reached the vicinity of the tip 20 moves from the arm 22 to the tip 20 and flows downward along the tip 20 and the nozzle 3. Thereby, the foreign material adhering to the front-end | tip part 20 and the nozzle 3 is washed away with a pure water. The pure water dropped from the tip 20 or the nozzle 3 is received by the pod 11.

次に、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６からノズル３およびノズルアーム４に向けて窒素ガスが吐出される（図６のステップＳ２、第１気体供給工程）。具体的には、制御装置７は、ノズル３およびノズルアーム４を待機位置に位置させた状態で、気体バルブ４０を開いて、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６から窒素ガスを吐出させる。   Next, nitrogen gas is discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 toward the nozzle 3 and the nozzle arm 4 (step S2 in FIG. 6, first gas supply step). Specifically, the control device 7 opens the gas valve 40 with the nozzle 3 and the nozzle arm 4 positioned at the standby position, and discharges nitrogen gas from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36. .

第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスの大部分は、アーム部２２の下面２９に吹き付けられ、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスの一部は、アーム部２２の右側面２７および左側面２８に吹き付けられる（図８参照）。アーム部２２の下面２９に吹き付けられた窒素ガスは、下面２９に沿って先端部２０の方へ長手方向Ｄ１に流れる。また、アーム部２２の右側面２７および左側面２８に吹き付けられた窒素ガスは、右側面２７または左側面２８に沿って先端部２０の方へ長手方向Ｄ１に流れる。これにより、アーム部２２の下面２９、右側面２７、および左側面２８に付着している純水が、窒素ガスによって吹き飛ばされ除去される。   Most of the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is blown to the lower surface 29 of the arm portion 22, and a part of the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is part of the right side surface 27 of the arm portion 22 and It sprays on the left side surface 28 (refer FIG. 8). Nitrogen gas blown to the lower surface 29 of the arm portion 22 flows in the longitudinal direction D1 toward the distal end portion 20 along the lower surface 29. Further, the nitrogen gas blown to the right side surface 27 and the left side surface 28 of the arm portion 22 flows in the longitudinal direction D1 toward the distal end portion 20 along the right side surface 27 or the left side surface 28. Thereby, the pure water adhering to the lower surface 29, the right side surface 27, and the left side surface 28 of the arm portion 22 is blown off by the nitrogen gas and removed.

一方、第２気体ノズル３６から吐出された窒素ガスの大部分は、ノズル下部２３に吹き付けられる。また、第１気体ノズル３５からアーム部２２に向けて吐出され、先端部２０の近傍に達した窒素ガスは、先端部２０やノズル３に沿って流れる。したがって、先端部２０には、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスが吹き付けられ、ノズル３には、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６から吐出された窒素ガスが吹き付けられる。これにより、先端部２０やノズル３に付着している純水が吹き飛ばされ除去される。   On the other hand, most of the nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 is blown to the nozzle lower portion 23. Further, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 toward the arm portion 22 and reaching the vicinity of the tip portion 20 flows along the tip portion 20 and the nozzle 3. Therefore, nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is blown to the tip portion 20, and nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 is blown to the nozzle 3. Thereby, the pure water adhering to the front-end | tip part 20 and the nozzle 3 is blown off and removed.

このように、第１気体ノズル３５から窒素ガスが吐出されることにより、アーム部２２の下面２９、右側面２７、および左側面２８から純水が除去される。第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスは、アーム部２２の上面２６に殆ど供給されないが、アーム部２２の上面２６に供給された純水は、上面２６の傾斜によって流れ落ちることにより、上面２６から除去される。したがって、アーム部２２の下面２９、右側面２７、および左側面２８から純水を除去することにより、アーム部２２全体から純水を除去することができる。さらに、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスは、ノズル３や先端部２０にも供給されるので、ノズル３およびノズルアーム４に付着している純水を効率的に除去することができる。   Thus, pure water is removed from the lower surface 29, the right side surface 27, and the left side surface 28 of the arm portion 22 by discharging the nitrogen gas from the first gas nozzle 35. The nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is hardly supplied to the upper surface 26 of the arm portion 22, but the pure water supplied to the upper surface 26 of the arm portion 22 flows down due to the inclination of the upper surface 26, thereby causing the upper surface 26. Removed from. Therefore, pure water can be removed from the entire arm portion 22 by removing pure water from the lower surface 29, the right side surface 27, and the left side surface 28 of the arm portion 22. Furthermore, since the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is also supplied to the nozzle 3 and the tip portion 20, the pure water adhering to the nozzle 3 and the nozzle arm 4 can be efficiently removed. .

次に、中心軸ノズル１９からノズル３およびノズルアーム４の先端部２０に向けて純水が吐出される（図６のステップＳ３、第２純水供給工程）。具体的には、制御装置７は、遮断板５を待機位置に位置させた状態で、ノズル回転機構１０を制御して、ノズル３およびノズルアーム４を処理位置に移動させる（図１参照）。すなわち、制御装置７は、ノズル３を中心軸ノズル１９の下方に移動させる。そして、制御装置７は、ノズル３が中心軸ノズル１９の下方に位置する状態で、純水バルブ１８を開いて、中心軸ノズル１９からノズル３に向けて純水を吐出させる。   Next, pure water is discharged from the central axis nozzle 19 toward the nozzle 3 and the tip 20 of the nozzle arm 4 (step S3 in FIG. 6, second pure water supply step). Specifically, the control device 7 controls the nozzle rotating mechanism 10 with the blocking plate 5 positioned at the standby position, and moves the nozzle 3 and the nozzle arm 4 to the processing position (see FIG. 1). That is, the control device 7 moves the nozzle 3 below the central axis nozzle 19. Then, the control device 7 opens the pure water valve 18 in a state where the nozzle 3 is positioned below the central axis nozzle 19 and discharges pure water from the central axis nozzle 19 toward the nozzle 3.

中心軸ノズル１９から吐出された純水の大部分は、ノズル３およびノズルアーム４の先端部２０に供給される。すなわち、ノズル３および先端部２０には、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４からだけでなく、中心軸ノズル１９からも純水が供給される。これにより、ノズル３および先端部２０に純水が十分に供給される。特に、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４からの純水が十分に供給されない範囲（ノズル３の凹部や、ノズルアーム４の湾曲部）にも確実に純水が供給される。これにより、ノズル３および先端部２０に付着している異物や処理液が確実に除去される。   Most of the pure water discharged from the central axis nozzle 19 is supplied to the tip 3 of the nozzle 3 and the nozzle arm 4. That is, pure water is supplied to the nozzle 3 and the tip portion 20 not only from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 but also from the central axis nozzle 19. Thereby, pure water is sufficiently supplied to the nozzle 3 and the tip portion 20. In particular, pure water is reliably supplied even to a range where the pure water from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 is not sufficiently supplied (a concave portion of the nozzle 3 or a curved portion of the nozzle arm 4). Thereby, the foreign material and processing liquid adhering to the nozzle 3 and the front-end | tip part 20 are removed reliably.

次に、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６からノズル３およびノズルアーム４に向けて窒素ガスが吐出される（図６のステップＳ４、第２気体供給工程）。具体的には、制御装置７は、遮断板５を待機位置に位置させた状態で、ノズル回転機構１０を制御して、ノズル３およびノズルアーム４を待機位置に移動させる。そして、制御装置７は、ノズル３およびノズルアーム４を待機位置に位置させた状態で、気体バルブ４０を開いて、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６から窒素ガスを吐出させる。前述のように、ノズル３、先端部２０、およびアーム部２２に付着している純水は、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６から吐出された窒素ガスによって除去される。これにより、ノズル３およびノズルアーム４が乾燥し、ノズル３およびノズルアーム４の洗浄が完了する。   Next, nitrogen gas is discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 toward the nozzle 3 and the nozzle arm 4 (step S4 in FIG. 6, second gas supply step). Specifically, the control device 7 controls the nozzle rotating mechanism 10 with the blocking plate 5 positioned at the standby position, and moves the nozzle 3 and the nozzle arm 4 to the standby position. Then, the control device 7 opens the gas valve 40 in a state where the nozzle 3 and the nozzle arm 4 are positioned at the standby position, and discharges nitrogen gas from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36. As described above, the pure water adhering to the nozzle 3, the tip portion 20, and the arm portion 22 is removed by the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36. Thereby, the nozzle 3 and the nozzle arm 4 are dried, and the cleaning of the nozzle 3 and the nozzle arm 4 is completed.

以上のように第１実施形態では、ノズル３を保持するノズルアーム４が、水平面に沿う長手方向Ｄ１に延びている。アーム部２２の直交断面Ｃ１は、頂部（左端４５）から右側部４２まで下降し続けている上側傾斜部４７を含む。上側傾斜部４７が下降し続けているから、上側傾斜部４７に処理液が付着したとしても、この処理液は、上側傾斜部４７に沿って下に流れる。そして、この処理液は、ノズルアーム４から落下し除去される。すなわち、ノズルアーム４に処理液が付着したとしても、この処理液は、短時間でノズルアーム４から除去される。したがって、ノズルアーム４に対する処理液の残留量を低減することができる。   As described above, in the first embodiment, the nozzle arm 4 that holds the nozzle 3 extends in the longitudinal direction D1 along the horizontal plane. The orthogonal cross section C <b> 1 of the arm portion 22 includes an upper inclined portion 47 that continues to descend from the top portion (left end 45) to the right side portion 42. Since the upper inclined portion 47 continues to descend, even if the processing liquid adheres to the upper inclined portion 47, the processing liquid flows downward along the upper inclined portion 47. Then, the processing liquid falls from the nozzle arm 4 and is removed. That is, even if the processing liquid adheres to the nozzle arm 4, the processing liquid is removed from the nozzle arm 4 in a short time. Therefore, the remaining amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

また第１実施形態では、直交断面Ｃ１が、右側部４２から底部（下端４４）まで下降し続けている右側傾斜部５２と、左側部４３から底部まで下降し続けている左側傾斜部５１とを含む。右側傾斜部５２および左側傾斜部５１が底部まで下降し続けているから、右側傾斜部５２および左側傾斜部５１に処理液が付着したとしても、この処理液は、右側傾斜部５２および左側傾斜部５１に沿って下に流れる。そして、この処理液は、ノズルアーム４から落下し除去される。したがって、ノズルアーム４に対する処理液の残留量を低減することができる。   In the first embodiment, the right-side inclined portion 52 in which the orthogonal cross section C1 continues to descend from the right side portion 42 to the bottom (lower end 44) and the left-side inclined portion 51 continues to descend from the left side 43 to the bottom. Including. Since the right inclined portion 52 and the left inclined portion 51 continue to descend to the bottom, even if the processing liquid adheres to the right inclined portion 52 and the left inclined portion 51, the processing liquid remains in the right inclined portion 52 and the left inclined portion. Flows down along 51. Then, the processing liquid falls from the nozzle arm 4 and is removed. Therefore, the remaining amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

また第１実施形態では、直交断面Ｃ１の一方の側端が、頂部（左端４５）を含み、右側部４２が、直交断面Ｃ１の他方の側端を含む。上側傾斜部４７は、頂部から右側部４２まで延びている。したがって、上側傾斜部４７は、一方の側端から他方の側端まで延びている。すなわち、直交断面Ｃ１の上部４１は、一方の側端から他方の側端まで延びており、他方の側端に近づくほど下降している。そのため、直交断面Ｃ１の上部４１に付着した処理液は、共通の側端（他方の側端）に向かって流れ落ちる。これにより、直交断面Ｃ１の上部４１に付着している液滴同士を結合させて、その自重によって落下させることができる。したがって、ノズルアーム４に対する処理液の残留量を低減することができる。   In the first embodiment, one side end of the orthogonal cross section C1 includes the top portion (left end 45), and the right side portion 42 includes the other side end of the orthogonal cross section C1. The upper inclined portion 47 extends from the top portion to the right side portion 42. Accordingly, the upper inclined portion 47 extends from one side end to the other side end. That is, the upper part 41 of the orthogonal cross section C1 extends from one side end to the other side end, and descends as it approaches the other side end. Therefore, the processing liquid adhering to the upper portion 41 of the orthogonal cross section C1 flows down toward the common side end (the other side end). Thereby, the droplets adhering to the upper portion 41 of the orthogonal cross section C1 can be combined and dropped by their own weight. Therefore, the remaining amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

また第１実施形態では、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスがノズルアーム４の下部に吹き付けられる。前述のように、ノズルアーム４に付着した処理液は、ノズルアーム４に沿って下に流れる。すなわち、ノズルアーム４に付着した処理液は、ノズルアーム４の下部に集まる。この処理液が集まる位置に窒素ガスが吹き付けられる。これにより、ノズルアーム４に付着している処理液を吹き飛ばして効率的に除去することができる。したがって、ノズルアーム４に対する処理液の残留量を低減することができる。   In the first embodiment, nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is blown to the lower part of the nozzle arm 4. As described above, the processing liquid attached to the nozzle arm 4 flows downward along the nozzle arm 4. That is, the processing liquid adhering to the nozzle arm 4 collects in the lower part of the nozzle arm 4. Nitrogen gas is blown to the position where the treatment liquid is collected. Thereby, the processing liquid adhering to the nozzle arm 4 can be blown off and efficiently removed. Therefore, the remaining amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

また第１実施形態では、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスがノズルアーム４に沿って長手方向Ｄ１に流れる。したがって、第１気体ノズル３５からノズルアーム４に窒素ガスが吹き付けられる範囲が広がる。これにより、より広い範囲から処理液を除去することができる。したがって、ノズルアーム４に対する処理液の残留量を低減することができる。   In the first embodiment, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 flows along the nozzle arm 4 in the longitudinal direction D1. Therefore, the range in which nitrogen gas is blown from the first gas nozzle 35 to the nozzle arm 4 is widened. Thereby, the processing liquid can be removed from a wider range. Therefore, the remaining amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be reduced.

また第１実施形態では、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスが、ノズルアーム４の下部に対して側方から吹き付けられる。上側傾斜部４７は、第１気体ノズル３５からの窒素ガスが吹き付けられる側に向かって下降している。したがって、上側傾斜部４７に付着した処理液は、第１気体ノズル３５からの窒素ガスが吹き付けられる側に向かって流れ落ちる。言い換えると、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスは、上側傾斜部４７に付着した処理液が集まる位置に吹き付けられる。したがって、上側傾斜部４７に付着した処理液を効率的に除去することができる。   In the first embodiment, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is blown from the side to the lower part of the nozzle arm 4. The upper inclined portion 47 is lowered toward the side to which the nitrogen gas from the first gas nozzle 35 is blown. Therefore, the treatment liquid adhering to the upper inclined portion 47 flows down toward the side where the nitrogen gas from the first gas nozzle 35 is blown. In other words, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is sprayed to a position where the processing liquid attached to the upper inclined portion 47 gathers. Therefore, the treatment liquid adhering to the upper inclined portion 47 can be efficiently removed.

また第１実施形態では、ノズルアーム４が疎水性を有している。したがって、ノズルアーム４が親水性の場合に比べて、ノズルアーム４に付着した処理液は、短時間でかつ小さい力でノズルアーム４から除去される。さらに、処理液がはじかれるから、ノズルアーム４に保持される処理液の量を低減することができる。したがって、ノズルアーム４に対する処理液の残留量を一層低減できる。   In the first embodiment, the nozzle arm 4 is hydrophobic. Therefore, compared with the case where the nozzle arm 4 is hydrophilic, the treatment liquid adhering to the nozzle arm 4 is removed from the nozzle arm 4 in a short time and with a small force. Furthermore, since the processing liquid is repelled, the amount of the processing liquid held in the nozzle arm 4 can be reduced. Therefore, the residual amount of the processing liquid with respect to the nozzle arm 4 can be further reduced.

また第１実施形態では、第１純水ノズル３３から吐出された純水がノズルアーム４の上面２６に供給される。これにより、ノズルアーム４の上面２６に付着しているパーティクル等の異物や処理液が洗い流される。したがって、ノズルアーム４の上面２６に付着している異物や処理液が基板Ｗ上に落下して、基板Ｗが汚染されることを抑制または防止できる。さらに、前述のように、ノズルアーム４に供給された純水は、ノズルアーム４に沿って流れ落ちることによりノズルアーム４から短時間で除去されるので、ノズルアーム４への純水の供給が終了した後に、ノズルアーム４から基板Ｗに純水が落下することを抑制または防止することができる。   In the first embodiment, pure water discharged from the first pure water nozzle 33 is supplied to the upper surface 26 of the nozzle arm 4. Thereby, foreign matters such as particles adhering to the upper surface 26 of the nozzle arm 4 and the processing liquid are washed away. Therefore, it is possible to suppress or prevent contamination of the substrate W due to the foreign matter or processing liquid adhering to the upper surface 26 of the nozzle arm 4 falling on the substrate W. Further, as described above, the pure water supplied to the nozzle arm 4 is removed from the nozzle arm 4 in a short time by flowing down along the nozzle arm 4, so the supply of pure water to the nozzle arm 4 is completed. After that, it is possible to suppress or prevent the pure water from dropping from the nozzle arm 4 to the substrate W.

また第１実施形態では、第２気体ノズル３６から吐出された窒素ガスが、ノズルアーム４よりも下方に位置するノズル下部２３に吹き付けられる。ノズル下部２３は、ノズルアーム４よりも下方に配置されているから、ノズル３の外表面に付着した処理液や、ノズルアーム４を伝ってノズル３に移動した処理液は、ノズル下部２３に向かって流れ落ちる。したがって、第２気体ノズル３６から吐出された窒素ガスは、処理液が集まる位置に吹き付けられる。そのため、処理液を効率的に除去することができる。   In the first embodiment, the nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 is blown to the nozzle lower portion 23 located below the nozzle arm 4. Since the nozzle lower part 23 is disposed below the nozzle arm 4, the treatment liquid adhering to the outer surface of the nozzle 3 and the treatment liquid moved to the nozzle 3 through the nozzle arm 4 are directed toward the nozzle lower part 23. And run down. Therefore, the nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 is blown to the position where the processing liquid is collected. Therefore, the processing liquid can be removed efficiently.

また第１実施形態では、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスは、ノズルアーム４に沿って基端部２１から先端部２０に向かう方向Ｄ２（図３参照）に流れる。同様に、第２気体ノズル３６から吐出された窒素ガスは、ノズル下部２３に沿って基端部２１から先端部２０に向かう方向Ｄ２に流れる。すなわち、各気体ノズル３５、３６から吐出された窒素ガスは、同じ向きに流れる。したがって、第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスと、第２気体ノズル３６から吐出された窒素ガスとが衝突して、各気体ノズル３５、３６から吐出された窒素ガスの勢いが弱まることを抑制または防止することができる。これにより、ノズル３およびノズルアーム４に付着している処理液を確実に除去することができる。   In the first embodiment, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 flows along the nozzle arm 4 in the direction D <b> 2 (see FIG. 3) from the proximal end portion 21 toward the distal end portion 20. Similarly, the nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 flows along the nozzle lower portion 23 in the direction D2 from the base end portion 21 toward the tip end portion 20. That is, the nitrogen gas discharged from each gas nozzle 35, 36 flows in the same direction. Therefore, the nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 and the nitrogen gas discharged from the second gas nozzle 36 collide, and the momentum of the nitrogen gas discharged from the gas nozzles 35 and 36 is reduced. It can be suppressed or prevented. Thereby, the process liquid adhering to the nozzle 3 and the nozzle arm 4 can be removed reliably.

また第１実施形態では、ノズル回転機構１０の駆動力がノズルアーム４に伝達されることにより、ノズルアーム４が処理位置と待機位置との間で移動する。第１気体ノズル３５から吐出された窒素ガスは、待機位置に位置しているノズルアーム４の下部に吹き付けられる。したがって、第１気体ノズル３５をノズルアーム４の待機位置に配置することができる。すなわち、第１気体ノズル３５は、ノズルアーム４と共に移動するように構成されていなくてもよい。したがって、ノズルアーム４を含む可動部の大型化を抑制または防止することができる。   In the first embodiment, the driving force of the nozzle rotating mechanism 10 is transmitted to the nozzle arm 4 so that the nozzle arm 4 moves between the processing position and the standby position. The nitrogen gas discharged from the first gas nozzle 35 is blown to the lower part of the nozzle arm 4 located at the standby position. Therefore, the first gas nozzle 35 can be disposed at the standby position of the nozzle arm 4. That is, the first gas nozzle 35 may not be configured to move with the nozzle arm 4. Therefore, the enlargement of the movable part including the nozzle arm 4 can be suppressed or prevented.

また第１実施形態では、処理位置においてスピンチャック２に保持された基板Ｗの上方に位置している部分、すなわち、アーム部２２が、直交断面Ｃ１を有している。したがって、アーム部２２に処理液が付着したとしても、この処理液は、短時間で除去される。そのため、基板Ｗ上でノズルアーム４を移動させたとしても、ノズルアーム４から基板Ｗに処理液が落下することを確実に抑制または防止できる。これにより、基板Ｗの汚染や品質低下を抑制または防止できる。   In the first embodiment, the portion positioned above the substrate W held by the spin chuck 2 at the processing position, that is, the arm portion 22 has an orthogonal cross section C1. Therefore, even if the treatment liquid adheres to the arm portion 22, the treatment liquid is removed in a short time. Therefore, even if the nozzle arm 4 is moved on the substrate W, it is possible to reliably suppress or prevent the processing liquid from dropping from the nozzle arm 4 to the substrate W. Thereby, the contamination and quality deterioration of the substrate W can be suppressed or prevented.

この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の第１実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の第１実施形態では、直交断面Ｃ１が、図５に示す五角形状である場合について説明した。しかし、直交断面Ｃ１の形状は、図５の上下が反転された形状であってもよい。すなわち、直交断面Ｃ１の上部が、倒立Ｖ字状で、直交断面Ｃ１の下部が、一方の側端から他方の側端まで延びる斜線であってもよい。さらに、直交断面Ｃ１は、五角形以外の多角形であってもよい。 Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the contents of the first embodiment described above, and various modifications can be made within the scope of the claims.
For example, in the first embodiment described above, the case where the orthogonal cross section C1 has the pentagonal shape shown in FIG. 5 has been described. However, the shape of the orthogonal cross section C1 may be a shape in which the top and bottom of FIG. That is, the upper part of the orthogonal cross section C1 may be an inverted V shape, and the lower part of the orthogonal cross section C1 may be a diagonal line extending from one side end to the other side end. Further, the orthogonal cross section C1 may be a polygon other than a pentagon.

具体的には、たとえば図９に示すノズルアーム２０４のように、ノズルアーム２０４の直交断面Ｃ２０１は、三角形状であってもよい。直交断面Ｃ２０１は、頂部２４５と、側部２４６と、上側傾斜部２４７とを含む。さらに、直交断面Ｃ２０１は、底部２５０と、下側傾斜部２５２とを含む。
また、図１０に示すノズルアーム３０４のように、ノズルアーム３０４の直交断面Ｃ３０１は、四角形状であってもよい。直交断面Ｃ３０１は、頂部３４５と、側部３４６と、上側傾斜部３４７とを含む。さらに、直交断面Ｃ３０１は、底部３５０と、下側傾斜部３５２とを含む。 Specifically, for example, like the nozzle arm 204 shown in FIG. 9, the orthogonal cross section C201 of the nozzle arm 204 may be triangular. The orthogonal cross section C201 includes a top portion 245, a side portion 246, and an upper inclined portion 247. Further, the orthogonal cross section C201 includes a bottom portion 250 and a lower inclined portion 252.
Further, like the nozzle arm 304 shown in FIG. 10, the orthogonal cross section C301 of the nozzle arm 304 may be rectangular. The orthogonal cross section C301 includes a top portion 345, a side portion 346, and an upper inclined portion 347. Further, the orthogonal cross section C301 includes a bottom portion 350 and a lower inclined portion 352.

また、前述の第１実施形態では、直交断面Ｃ１が、複数の直線によって区画されている場合について説明したが、直交断面Ｃ１は、直線および曲線を含んでいてもよいし、曲線によって区画されていてもよい。
具体的には、たとえば図１１に示すノズルアーム４０４のように、ノズルアーム４０４の直交断面Ｃ４０１は、下側に凸の曲線と、水平面に対して傾斜している直線とによって区画されていてもよい。直交断面Ｃ４０１は、頂部４４５と、側部４４６と、上側傾斜部４４７とを含む。さらに、直交断面Ｃ４０１は、底部４５０と、下側傾斜部４５２とを含む。 In the first embodiment, the case where the orthogonal cross section C1 is defined by a plurality of straight lines has been described. However, the orthogonal cross section C1 may include a straight line and a curve, or may be defined by a curve. May be.
Specifically, for example, like the nozzle arm 404 shown in FIG. 11, the orthogonal cross section C <b> 401 of the nozzle arm 404 may be partitioned by a downward convex curve and a straight line inclined with respect to the horizontal plane. Good. The orthogonal cross section C401 includes a top portion 445, a side portion 446, and an upper inclined portion 447. Further, the orthogonal cross section C401 includes a bottom portion 450 and a lower inclined portion 452.

また、前述の第１実施形態では、アーム部２２が、アーム部２２の一端部からアーム部２２の他端部まで一定の断面（直交断面Ｃ１）を有している場合について説明した。しかし、アーム部２２の断面は、変化していてもよい。
具体的には、任意の２つの位置におけるアーム部２２の断面が相似（同形）であり、アーム部２２の断面積（大きさ）が連続的に変化していてもよい。この場合、アーム部２２の断面積は、アーム部２２の一端部（先端部２０側の端部）に近づくほど減少していてもよい。また、アーム部２２の断面形状（直交断面Ｃ１の形状）は、アーム部２２の一端部に近づくに従って連続的に変化していてもよい。この場合、アーム部２２の断面積は、一定であってもよいし、アーム部２２の一端部に近づくほど減少していてもよい。 In the first embodiment described above, the case where the arm portion 22 has a certain cross section (orthogonal cross section C1) from one end portion of the arm portion 22 to the other end portion of the arm portion 22 has been described. However, the cross section of the arm portion 22 may be changed.
Specifically, the cross section of the arm portion 22 at any two positions may be similar (same shape), and the cross sectional area (size) of the arm portion 22 may be continuously changed. In this case, the cross-sectional area of the arm portion 22 may decrease as it approaches one end portion of the arm portion 22 (end portion on the distal end portion 20 side). Further, the cross-sectional shape of the arm portion 22 (the shape of the orthogonal cross-section C1) may continuously change as it approaches one end portion of the arm portion 22. In this case, the cross-sectional area of the arm portion 22 may be constant, or may decrease as it approaches one end portion of the arm portion 22.

また、前述の第１実施形態では、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４からノズルアーム４に純水が供給される場合について説明した。しかし、第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４以外のノズルからノズルアーム４に純水が供給されてもよい。
具体的には、遮断板５の上面に純水を供給する純水ノズル５５３（図１参照）が設けられていてもよい。この場合、制御装置７は、遮断板回転機構１４を制御することにより遮断板５を回転させながら、回転状態の遮断板５の上面に向けて純水ノズル５５３から純水を吐出させてもよい。純水ノズル５５３から吐出された純水は、遮断板５の上面に供給され、遮断板５の回転による遠心力によって遮断板５の周囲に振り切られる。したがって、遮断板５から振り切られた純水は、処理室６を区画する隔壁（図示せず）に衝突して跳ね返る。そして、跳ね返った純水がノズルアーム４に供給される。これにより、ノズルアーム４に付着している異物や処理液が洗い流される。 In the first embodiment described above, the case where pure water is supplied from the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 to the nozzle arm 4 has been described. However, pure water may be supplied to the nozzle arm 4 from a nozzle other than the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34.
Specifically, a pure water nozzle 553 (see FIG. 1) for supplying pure water may be provided on the upper surface of the blocking plate 5. In this case, the control device 7 may discharge pure water from the pure water nozzle 553 toward the upper surface of the rotating shielding plate 5 while rotating the shielding plate 5 by controlling the shielding plate rotating mechanism 14. . The pure water discharged from the pure water nozzle 553 is supplied to the upper surface of the blocking plate 5 and is shaken off around the blocking plate 5 by the centrifugal force generated by the rotation of the blocking plate 5. Therefore, the pure water shaken off from the blocking plate 5 collides with a partition wall (not shown) that partitions the processing chamber 6 and rebounds. Then, the boiled pure water is supplied to the nozzle arm 4. As a result, the foreign matter and the processing liquid adhering to the nozzle arm 4 are washed away.

また、前述の第１実施形態では、ノズル３を保持する先端部２０がノズルアーム４に設けられている場合について説明した。しかし、先端部２０が設けられておらず、アーム部２２の一端部にノズル３が保持されていてもよい。すなわち、アーム部２２の一端部が、ノズル３を保持する先端部であってもよい。
また、前述の第１実施形態では、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６から吐出される気体が窒素ガスである場合について説明した。しかし、第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６から吐出される気体は、窒素ガスに限らず、アルゴンガスなどの窒素ガス以外の不活性ガスであってもよいし、乾燥空気や、清浄空気であってもよい。 Further, in the first embodiment described above, the case where the tip end portion 20 that holds the nozzle 3 is provided in the nozzle arm 4 has been described. However, the tip 20 may not be provided, and the nozzle 3 may be held at one end of the arm 22. That is, one end portion of the arm portion 22 may be a tip portion that holds the nozzle 3.
In the first embodiment described above, the case where the gas discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 is nitrogen gas has been described. However, the gas discharged from the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 is not limited to nitrogen gas, and may be an inert gas other than nitrogen gas such as argon gas, or dry air or clean air. It may be.

また、前述の第１実施形態では、第１純水ノズル３３および第２気体ノズル３６から水平に流体（純水または窒素ガス）が吐出され、第２純水ノズル３４および第１気体ノズル３５から斜め上向きに流体が吐出される場合について説明した。しかし、第１純水ノズル３３および第２気体ノズル３６からの流体の吐出方向は、斜め上向きまたは斜め下向きであってもよい。また、第２純水ノズル３４および第１気体ノズル３５からの純水の吐出方向は、水平方向であってもよい。   In the first embodiment described above, fluid (pure water or nitrogen gas) is discharged horizontally from the first pure water nozzle 33 and the second gas nozzle 36, and from the second pure water nozzle 34 and the first gas nozzle 35. The case where the fluid is discharged obliquely upward has been described. However, the discharge direction of the fluid from the first pure water nozzle 33 and the second gas nozzle 36 may be obliquely upward or obliquely downward. Further, the discharge direction of the pure water from the second pure water nozzle 34 and the first gas nozzle 35 may be a horizontal direction.

また、前述の第１実施形態では、共通の純水バルブ３７を介して第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４に純水が供給され、共通の気体バルブ４０を介して第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６に窒素ガスが供給される場合について説明した。しかし、別々のバルブを介して第１純水ノズル３３および第２純水ノズル３４に純水が供給されてもよい。同様に、別々のバルブを介して第１気体ノズル３５および第２気体ノズル３６に窒素ガスが供給されてもよい。   In the first embodiment, pure water is supplied to the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 via the common pure water valve 37, and the first gas is supplied via the common gas valve 40. The case where nitrogen gas is supplied to the nozzle 35 and the second gas nozzle 36 has been described. However, pure water may be supplied to the first pure water nozzle 33 and the second pure water nozzle 34 via separate valves. Similarly, nitrogen gas may be supplied to the first gas nozzle 35 and the second gas nozzle 36 via separate valves.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１ 基板処理装置
２ スピンチャック（基板保持手段）
３ ノズル
４ ノズルアーム
１０ ノズル回転機構（移動手段）
２０ 先端部
２１ 基端部
２２ アーム部（ノズルアームの少なくとも一部）
２３ ノズル下部
２６ ノズルアームの上面
３３ 第１純水ノズル（純水ノズル）
３５ 第1気体ノズル
３６ 第２気体ノズル
４２ 右側部（側部、他方の側端）
４３ 左側部（一方の側端）
４５ 左端（頂部）
４７ 上側傾斜部
５０ 下端（底部）
５２ 右側傾斜部（下側傾斜部）
２０４ ノズルアーム
２４５ 頂部
２４６ 側部
２４７ 上側傾斜部
２５０ 底部
２５２ 下側傾斜部
３０４ ノズルアーム
３４５ 頂部
３４６ 側部
３４７ 上側傾斜部
３５０ 底部
３５２ 下側傾斜部
４０４ ノズルアーム
４４５ 頂部
４４６ 側部
４４７ 上側傾斜部
４５０ 底部
４５２ 下側傾斜部
Ｃ１ 直交断面
Ｃ２０１ 直交断面
Ｃ３０１ 直交断面
Ｃ４０１ 直交断面
Ｄ１ 長手方向
Ｄ２ 基端部から先端部に向かう方向
Ｗ 基板 1. Substrate processing apparatus 2. Spin chuck (substrate holding means)
3 Nozzle 4 Nozzle arm 10 Nozzle rotation mechanism (moving means)
20 tip 21 base end 22 arm (at least part of nozzle arm)
23 Nozzle lower part 26 Upper surface 33 of nozzle arm First pure water nozzle (pure water nozzle)
35 1st gas nozzle 36 2nd gas nozzle 42 Right side part (side part, other side end)
43 Left side (one side edge)
45 Left edge (top)
47 Upper inclined part 50 Lower end (bottom part)
52 Right slope (lower slope)
204 Nozzle arm 245 Top 246 Side 247 Upper slope 250 Bottom 252 Lower slope 304 Nozzle arm 345 Top 346 Side 347 Upper slope 350 Bottom 352 Lower slope 404 Nozzle arm 445 Top 446 Side 447 Upper slope 450 Bottom 452 Lower inclined portion C1 Orthogonal cross section C201 Orthogonal cross section C301 Orthogonal cross section C401 Orthogonal cross section D1 Longitudinal direction D2 Direction from base end to tip W

Claims (12)

基板を処理する処理流体を吐出するノズルと、
前記ノズルを保持しており、水平面に沿う長手方向に延びているノズルアームと、を含み、
前記長手方向に直交する、前記ノズルアームの少なくとも一部の直交断面は、前記直交断面において最も上に位置している頂部と、前記頂部より側方に位置している側部と、前記頂部から前記側部まで下降し続けている上側傾斜部と、を含む、基板処理装置。 A nozzle for discharging a processing fluid for processing the substrate;
A nozzle arm holding the nozzle and extending in a longitudinal direction along a horizontal plane,
An orthogonal cross section of at least a part of the nozzle arm, which is orthogonal to the longitudinal direction, includes a top portion that is located at the top of the orthogonal cross section, a side portion that is located laterally from the top portion, and the top portion. And an upper inclined portion that continues to descend to the side portion. 前記直交断面は、前記直交断面において最も下に位置している底部と、前記側部から前記底部まで下降し続けている下側傾斜部と、をさらに含む、請求項１記載の基板処理装置。   2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the orthogonal cross section further includes a bottom portion located at a lowest position in the orthogonal cross section and a lower inclined portion that continues to descend from the side portion to the bottom portion. 前記直交断面は、前記直交断面において最も側方に位置している左右一対の側端を含み、
一方の側端は、前記頂部を含み、前記側部は、他方の側端を含み、
前記上側傾斜部は、前記一方の側端から前記他方の側端まで下降し続けている、請求項１または２記載の基板処理装置。 The orthogonal cross section includes a pair of left and right side edges that are located most laterally in the orthogonal cross section,
One side end includes the top, and the side includes the other side end,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the upper inclined portion continues to descend from the one side end to the other side end. 前記ノズルアームの下部に向けて気体を吐出する第1気体ノズルをさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a first gas nozzle that discharges gas toward a lower portion of the nozzle arm. 前記第1気体ノズルは、前記第1気体ノズルから吐出された気体が前記ノズルアームに沿って前記ノズルアームの長手方向に流れるように構成されている、請求項４記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the first gas nozzle is configured such that the gas discharged from the first gas nozzle flows in the longitudinal direction of the nozzle arm along the nozzle arm. 前記第1気体ノズルは、前記ノズルアームの側方から前記ノズルアームの下部に向けて気体を吐出するように構成されており、
前記上側傾斜部は、前記第1気体ノズルからの気体が吹き付けられる側に向かって下降している、請求項４または５記載の基板処理装置。 The first gas nozzle is configured to discharge gas from the side of the nozzle arm toward the lower portion of the nozzle arm,
The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the upper inclined portion descends toward a side to which gas from the first gas nozzle is blown. 前記ノズルアームは、疎水性材料によって形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the nozzle arm is formed of a hydrophobic material. 前記ノズルアームの上面に向けて純水を吐出する純水ノズルをさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a pure water nozzle that discharges pure water toward an upper surface of the nozzle arm. 前記ノズルは、前記ノズルアームよりも下方に配置されたノズル下部を含み、
前記基板処理装置は、前記ノズル下部に向けて気体を吐出する第２気体ノズルをさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The nozzle includes a lower nozzle portion disposed below the nozzle arm,
The said substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-8 which further contains the 2nd gas nozzle which discharges gas toward the said nozzle lower part. 前記ノズルアームは、前記ノズルを保持する先端部と、基端部とを含む棒状の部材であり、
前記第１気体ノズルは、前記第１気体ノズルから吐出された気体が前記基端部から前記先端部に向かう方向に流れるように構成されており、
前記第２気体ノズルは、前記第２気体ノズルから吐出された気体が前記基端部から前記先端部に向かう方向に流れるように構成されている、請求項９記載の基板処理装置。 The nozzle arm is a rod-shaped member including a distal end portion that holds the nozzle and a proximal end portion,
The first gas nozzle is configured such that the gas discharged from the first gas nozzle flows in a direction from the base end portion toward the tip end portion,
The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the second gas nozzle is configured such that the gas discharged from the second gas nozzle flows in a direction from the base end portion toward the tip end portion. 基板を保持する基板保持手段と、
前記ノズルが前記基板保持手段に保持された基板の上方に位置している処理位置と、前記ノズルが前記基板保持手段に保持された基板の上方から退避している待機位置との間で前記ノズルアームを移動させる移動手段と、をさらに含み、
前記第1気体ノズルは、前記待機位置に位置している前記ノズルアームの下部に向けて気体を吐出するように構成されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。 Substrate holding means for holding the substrate;
The nozzle between a processing position where the nozzle is located above the substrate held by the substrate holding means and a standby position where the nozzle is retracted from above the substrate held by the substrate holding means Moving means for moving the arm, and
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first gas nozzle is configured to discharge a gas toward a lower portion of the nozzle arm located at the standby position. . 前記ノズルアームの前記少なくとも一部は、前記処理位置において前記基板保持手段に保持された基板の上方に位置している部分を含む、請求項１１記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the at least part of the nozzle arm includes a portion positioned above the substrate held by the substrate holding unit at the processing position.
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