JPH10275846A - Substrate-holding member and substrate-treating device using the same - Google Patents
Substrate-holding member and substrate-treating device using the sameInfo
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- JPH10275846A JPH10275846A JP8155797A JP8155797A JPH10275846A JP H10275846 A JPH10275846 A JP H10275846A JP 8155797 A JP8155797 A JP 8155797A JP 8155797 A JP8155797 A JP 8155797A JP H10275846 A JPH10275846 A JP H10275846A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマディス
プレイパネル)用ガラス基板などの各種被処理基板を保
持するための基板保持部材、および上記各種被処理基板
を処理するための基板処理装置に関する。The present invention relates to a substrate holding member for holding various substrates to be processed, such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device and a glass substrate for a PDP (plasma display panel), and the above various substrates to be processed. The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、複数枚の半
導体ウエハ(以下単に「ウエハ」という。 )を一括して
処理するバッチ式のウエハ処理装置が用いられる場合が
ある。この種のウエハ処理装置は、複数枚のウエハを一
括して薬液などに浸漬させ、これによりウエハ表面を洗
浄したりウエハ表面に形成された薄膜を除去したりする
ために用いられ、たとえばこのような薬液処理を行うた
めの複数の薬液処理部と、薬液処理後のウエハを水洗い
し、さらに減圧乾燥させる減圧乾燥部とを備えている。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a batch-type wafer processing apparatus for processing a plurality of semiconductor wafers (hereinafter, simply referred to as "wafers") collectively is sometimes used. This type of wafer processing apparatus is used to collectively immerse a plurality of wafers in a chemical solution or the like, thereby cleaning the wafer surface or removing a thin film formed on the wafer surface. A plurality of chemical processing units for performing a chemical processing, and a reduced-pressure drying unit for washing the wafer after the chemical processing with water and further drying under reduced pressure.
【0003】各処理部間のウエハの搬送には、たとえ
ば、ウエハ全域にわたって均一な処理を施すために、い
わゆるカセットレス方式が採用される。すなわち、上記
ウエハ処理装置は、複数の保持溝が設けられたウエハ保
持チャックを有し、各チャンバ間を移動できるウエハ搬
送ロボットを備えている。複数枚のウエハは、上記保持
溝にはまり込んだ状態でウエハ保持チャックに挟まれる
ようにして整列保持される。In order to carry out uniform processing over the entire area of a wafer, for example, a so-called cassetteless system is employed for transferring the wafer between the processing sections. That is, the wafer processing apparatus includes a wafer transfer robot having a wafer holding chuck provided with a plurality of holding grooves and capable of moving between each chamber. The plurality of wafers are aligned and held so as to be sandwiched by the wafer holding chuck while being fitted into the holding grooves.
【0004】減圧乾燥部は、純水によってウエハを水洗
いするとともに、IPA(イソプロピルアルコール)ベ
ーパを利用してウエハを乾燥させるものである。さらに
詳述すると、ウエハ保持ロボットによって搬送されてき
たウエハは、減圧乾燥部内の昇降可能なウエハガイドに
渡され、当該ウエハガイドによって一括して鉛直に整列
保持される。その後、ウエハガイドが下降させられ、純
水が貯留されている貯留槽に収容され、この貯留槽にて
水洗いされる。その後、IPAベーパが減圧乾燥部内に
供給されるとともに、ウエハガイドが上昇させられてウ
エハが純水から引き上げられる。その結果、ウエハに付
着している水滴がIPAベーパと置換され、水滴がウエ
ハから除去されるとともにウエハ表面がIPAベーパに
よって覆われる。さらに、この状態においてチャンバ内
が減圧される。その結果、ウエハ表面を覆っていたIP
Aベーパが蒸発する。これにより、ウエハが乾燥され
る。[0004] The reduced-pressure drying section is for washing the wafer with pure water and drying the wafer using IPA (isopropyl alcohol) vapor. More specifically, the wafer conveyed by the wafer holding robot is transferred to a vertically movable wafer guide in the reduced-pressure drying unit, and is collectively vertically aligned and held by the wafer guide. Thereafter, the wafer guide is lowered, accommodated in a storage tank storing pure water, and washed in the storage tank. Thereafter, the IPA vapor is supplied into the reduced-pressure drying section, and the wafer guide is raised to lift the wafer from pure water. As a result, the water droplets adhering to the wafer are replaced with the IPA vapor, the water droplets are removed from the wafer, and the wafer surface is covered with the IPA vapor. Further, in this state, the pressure in the chamber is reduced. As a result, the IP covering the wafer surface
A vapor evaporates. Thereby, the wafer is dried.
【0005】図16および図17は、ウエハガイドの構
成例を示すもので、図16はウエハガイドの構成を示す
側面図、図17はウエハガイドの構成を示す平面図であ
る。ウエハガイド600は、所定方向xに沿って複数枚
のウエハWを整列保持するような構成となっており、各
々のウエハWは3つの保持溝602によって保持される
ようになっている。FIGS. 16 and 17 show examples of the configuration of a wafer guide. FIG. 16 is a side view showing the configuration of the wafer guide, and FIG. 17 is a plan view showing the configuration of the wafer guide. The wafer guide 600 is configured to align and hold a plurality of wafers W along a predetermined direction x, and each wafer W is held by three holding grooves 602.
【0006】すなわち、ウエハガイド600は、所定方
向xに沿って長く延び、かつ並列に配置された3つのベ
ース部601と、各ベース部601に取り付けられた複
数の保持溝602とを有している。保持溝602は、ウ
エハWの幅にほぼ対応する長さだけずれて対向配置され
た一対の溝側部603、およびこれら一対の溝側部60
3によって挟まれた底の部分である溝底部604を有す
るものである。That is, the wafer guide 600 has three base portions 601 extending in the predetermined direction x and arranged in parallel, and a plurality of holding grooves 602 attached to each base portion 601. I have. The holding groove 602 includes a pair of groove side portions 603 opposed to each other and shifted by a length substantially corresponding to the width of the wafer W, and a pair of the groove side portions 60.
3 has a groove bottom portion 604 which is a bottom portion sandwiched between the grooves 3.
【0007】いずれかのベース部に取り付けられている
保持溝は、他の2つのベース部に取り付けられ、かつ当
該保持溝に対して方向xにほぼ直交する方向yに沿って
配列されている他の2つの保持溝とともに、1つのグル
ープを形成している。1つのグループ内の3つの保持溝
は、ウエハWの端面形状に沿うように、外側2つが中央
よりも上方に配置される位置関係となっており、この構
成により、1枚のウエハWは、1つのグループ内の3つ
の保持溝によって保持される。A holding groove attached to one of the base portions is attached to the other two base portions, and is arranged along a direction y substantially perpendicular to the direction x with respect to the holding groove. Together with the two holding grooves, a group is formed. The three holding grooves in one group have a positional relationship in which two outsides are arranged above the center so as to conform to the end face shape of the wafer W. With this configuration, one wafer W is It is held by three holding grooves in one group.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハWが
ウエハガイド600によって保持される場合、図17を
矢視方向fから見た図18に示すように、ウエハWの端
面が保持溝602の溝底部604に当接した状態で保持
される。すなわち、ウエハWは溝底部604に線接触し
た状態で保持される。したがって、ウエハWを引き上げ
る際に、ウエハWから流下する水滴が当該溝底部604
に残留し、液切れが悪いという不具合が生じていた。When the wafer W is held by the wafer guide 600, the end face of the wafer W is formed as shown in FIG. It is held in contact with the bottom 604. That is, the wafer W is held in a state of being in line contact with the groove bottom 604. Therefore, when the wafer W is lifted, water droplets flowing down from the wafer W are generated by the groove bottom 604.
And the problem of poor drainage occurred.
【0009】また、ウエハWがウエハガイド600によ
って保持されるときには、ウエハWの表面のうちいずれ
か一方が保持溝602の溝側部603に面接触するか
ら、上記の場合と同様に、液切れが悪くなる。そこで、
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、液切れ性
能が向上された基板保持部材およびそれを用いた基板処
理装置を提供することである。When the wafer W is held by the wafer guide 600, one of the surfaces of the wafer W comes into surface contact with the groove side portion 603 of the holding groove 602. Gets worse. Therefore,
An object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems and to provide a substrate holding member with improved liquid drainage performance and a substrate processing apparatus using the same.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記目
的を達成するための請求項1記載の発明は、一方向に向
けて開くように対向する第1傾斜面および第2傾斜面
と、この第1および第2傾斜面の交差部付近において基
板の厚み未満の幅に形成された溝底部とを含むほぼV字
状の保持溝を有し、上記第1および第2傾斜面にそれぞ
れ基板の両面の周縁部が当接することで、基板を保持す
るようにした基板保持部材である。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided a first inclined surface and a second inclined surface facing each other so as to open in one direction. A substantially V-shaped holding groove including a groove bottom formed to have a width less than the thickness of the substrate near the intersection of the first and second inclined surfaces; This is a substrate holding member configured to hold a substrate by contacting peripheral portions of both surfaces.
【0011】本発明によれば、保持溝の溝底部の幅が基
板の厚み未満であるから、基板は、その両面の周縁部に
おいて第1および第2傾斜面に点接触する。したがっ
て、この基板保持部材を一対の傾斜面が上方に開くよう
に配置して使用する場合に、濡れている基板を保持する
ときであっても、基板から流下する液体は保持溝から排
出されやすくなる。そのため、液切れ性能を向上でき
る。よって、濡れている基板を保持したまま乾燥する装
置に本発明を適用する場合において、基板を良好に乾燥
できる。そのため、高品質な基板を提供できる。According to the present invention, since the width of the groove bottom of the holding groove is smaller than the thickness of the substrate, the substrate makes point contact with the first and second inclined surfaces at the peripheral edges on both surfaces thereof. Therefore, when the substrate holding member is used with the pair of inclined surfaces arranged so as to open upward, even when holding a wet substrate, the liquid flowing down from the substrate is easily discharged from the holding groove. Become. Therefore, the liquid drainage performance can be improved. Therefore, when the present invention is applied to an apparatus for drying while holding a wet substrate, the substrate can be dried well. Therefore, a high-quality substrate can be provided.
【0012】請求項2記載の発明は、上記溝底部は、幅
方向に対して交差する奥行方向に沿って水平面に対して
傾斜していることを特徴とする請求項1に記載の基板保
持部材である。本発明によれば、溝底部が水平面に対し
て傾斜しているから、上記請求項1記載の発明に比べ
て、液切れ性能を一層向上できる。そのため、一層高品
質な基板を提供できる。According to a second aspect of the present invention, the substrate holding member according to the first aspect, wherein the groove bottom is inclined with respect to a horizontal plane along a depth direction crossing the width direction. It is. According to the present invention, since the groove bottom is inclined with respect to the horizontal plane, the liquid drainage performance can be further improved as compared with the first aspect of the present invention. Therefore, a higher quality substrate can be provided.
【0013】請求項3記載の発明は、水平面に対して傾
斜したテーパ面を、上記保持溝の両側に有することを特
徴とする請求項1または請求項2に記載の基板保持部材
である。本発明によれば、保持溝の両側がテーパ面とな
っているから、上記請求項1および請求項2に記載の発
明に比べて、液切れ性能をさらに一層向上できる。その
ため、さらに一層高品質な基板を提供できる。According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate holding member according to the first or second aspect, wherein tapered surfaces inclined with respect to a horizontal plane are provided on both sides of the holding groove. According to the present invention, since both sides of the holding groove are tapered, the liquid drainage performance can be further improved as compared with the inventions described in the first and second aspects. Therefore, an even higher quality substrate can be provided.
【0014】請求項4記載の発明は、上記溝底部に関連
して、液体が流出可能な排出部をさらに有することを特
徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板保持
部材である。本発明によれば、たとえば基板保持部材を
一対の傾斜面が上方に広がるように配置して使用する場
合、基板から流下した液体を排出部から流出させること
ができるから、液切れ性能をさらに一層向上できる。そ
のため、さらに一層高品質な基板を提供できる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate holding member according to any one of the first to third aspects, further comprising a discharge portion through which the liquid can flow out, in relation to the groove bottom. . According to the present invention, for example, when the substrate holding member is used with the pair of inclined surfaces disposed so as to expand upward, the liquid flowing down from the substrate can be discharged from the discharge unit, so that the liquid drainage performance is further improved. Can be improved. Therefore, an even higher quality substrate can be provided.
【0015】請求項5記載の発明は上記請求項1ないし
4のいずれかに記載の基板保持部材と、この基板保持部
材に保持された基板を浸漬するための処理液が貯留され
る貯留槽と、上記貯留槽に貯留された処理液に対して、
上記基板保持部材に保持された基板を浸漬または引き上
げるために、上記基板保持部材と処理液とを相対的に移
動させる移動手段とを含むことを特徴とする基板処理装
置である。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate holding member according to any one of the first to fourth aspects, and a storage tank for storing a processing liquid for immersing the substrate held by the substrate holding member. , For the treatment liquid stored in the storage tank,
A substrate processing apparatus comprising: a moving unit that relatively moves the substrate holding member and the processing liquid to immerse or lift the substrate held by the substrate holding member.
【0016】本発明によれば、貯留槽に貯留されている
処理液に基板を浸漬させて処理する装置において、上記
請求項1ないし4のいずれかに記載の基板保持部材が備
えられているから、基板を引き上げて処理液を除去する
ことで基板を乾燥させる場合でも、当該除去された処理
液が基板保持部材の溝底部に残留することがない。その
ため、基板を良好に乾燥させることができるから、高品
質な基板を提供できる。According to the present invention, an apparatus for immersing a substrate in a processing liquid stored in a storage tank for processing is provided with the substrate holding member according to any one of claims 1 to 4 above. Even when the substrate is dried by lifting the substrate to remove the processing liquid, the removed processing liquid does not remain on the groove bottom of the substrate holding member. Therefore, the substrate can be dried well, and a high-quality substrate can be provided.
【0017】請求項6記載の発明は、上記基板保持部材
は、基板周縁部の少なくとも3箇所で基板を保持するも
のであることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置
である。本発明によれば、基板は少なくともその周縁部
の3箇所において保持されるから、基板を安定して保持
できる。したがって、基板が傾倒するなどの不具合の発
生を防止できるから、たとえば上記基板保持部材が複数
枚の基板を一括して整列保持するものである場合でも、
基板同士が接触したりすることがない。そのため、基板
を傷つけることがないから、高品質な基板を提供でき
る。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, wherein the substrate holding member holds the substrate at at least three positions on the periphery of the substrate. According to the present invention, the substrate is held at least at three positions on the periphery thereof, so that the substrate can be held stably. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of troubles such as tilting of the substrate. For example, even when the substrate holding member aligns and holds a plurality of substrates collectively,
There is no contact between the substrates. Therefore, a high-quality substrate can be provided without damaging the substrate.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発
明の第1実施形態の基板処理装置である減圧乾燥装置が
適用されるウエットステーションの全体構成を示す斜視
図である。このウエットステーション1は、カセットC
に収納されている複数枚(たとえば26枚)のウエハW
に対して薬液処理を施すためのものである。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a wet station to which a reduced-pressure drying apparatus as a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention is applied. This wet station 1 has a cassette C
(For example, 26) wafers W stored in the wafer W
To perform chemical treatment on the
【0019】ウエットステーション1は、2カセット分
の枚数(たとえば52枚)のウエハWの向きを整えるた
めの整列部2と、向きが整えられた後のウエハWをカセ
ットCから一括して取り出すための取出部3と、取出部
3によってカセットから取り出されたウエハWに対して
薬液処理を施すための複数の薬液処理部4、5、6、
7、8および9と、薬液処理後の複数枚のウエハWを一
括して水洗いし、かつ減圧乾燥させる減圧乾燥部10と
を備えている。整列部2、取出部3、薬液処理部4〜9
および減圧乾燥部10は、所定の処理部配列方向aに沿
って直線状に配置されている。The wet station 1 has an alignment section 2 for adjusting the orientation of two cassettes (for example, 52) of wafers W (for example, 52), and for taking out the adjusted wafers W from the cassette C collectively. And a plurality of chemical processing units 4, 5, 6, for performing a chemical processing on the wafer W taken out of the cassette by the extraction unit 3.
7, 8 and 9 and a reduced-pressure drying unit 10 for collectively washing the plurality of wafers W after the chemical treatment with water and drying under reduced pressure. Alignment unit 2, take-out unit 3, chemical processing units 4 to 9
The reduced-pressure drying unit 10 is linearly arranged along a predetermined processing unit arrangement direction a.
【0020】薬液処理部4〜9は、複数枚のウエハWを
一括して所定の薬液に浸漬させることによってウエハW
を処理するものである。すなわち、各薬液処理部4〜9
の内部には、たとえばアンモニア、フッ酸、硫酸などの
薬液を貯留できる貯留槽(図示せず)が配置されてお
り、薬液が貯留されている貯留槽内にウエハWを浸漬さ
せることによって、ウエハWの表面が洗浄されたりウエ
ハWの表面に形成されている薄膜が除去されたりするよ
うになっている。The chemical processing sections 4 to 9 collectively immerse a plurality of wafers W in a predetermined chemical to
Is to be processed. That is, each of the chemical processing units 4 to 9
A storage tank (not shown) capable of storing a chemical such as ammonia, hydrofluoric acid, sulfuric acid, or the like is disposed inside the wafer, and the wafer W is immersed in the storage tank in which the chemical is stored. The surface of W is cleaned or the thin film formed on the surface of wafer W is removed.
【0021】このウエットステーション1は、また、取
出部3から減圧乾燥部10までの間において、複数枚の
ウエハWを一括して搬送するためのウエハ搬送ロボット
11を備えている。ウエハ搬送ロボット11は、処理部
配列方向aに沿って移動可能なもので、処理部配列方向
aに関して開閉可能なウエハ保持チャック12を有して
いる。ウエハ保持チャック12は、ウエハ搬送ロボット
11に対して昇降自在に取り付けられている。この構成
により、薬液処理部4〜9および減圧乾燥部10の内部
にまで下降してウエハWの受け渡しを行うことができる
ようになっている。The wet station 1 further includes a wafer transfer robot 11 for transferring a plurality of wafers W at one time between the unloading section 3 and the reduced-pressure drying section 10. The wafer transfer robot 11 is movable along the processing unit arrangement direction a, and has a wafer holding chuck 12 that can be opened and closed in the processing unit arrangement direction a. The wafer holding chuck 12 is attached to the wafer transfer robot 11 so as to be able to move up and down. With this configuration, the wafer W can be transferred to the inside of the chemical processing units 4 to 9 and the reduced-pressure drying unit 10.
【0022】図2は、ウエハ保持チャック12の構成を
示す正面図である。ウエハ保持チャック12は、処理部
配列方向aに関して互いに対向するように配置された一
対のチャック部13を有している。各チャック部13
は、それぞれ、処理部配列方向aにほぼ直交するウエハ
配列方向bに関して所定間隔離れて配置された一対のア
ーム部14(一方側のみ図示)と、ウエハ配列方向bに
沿って延び、アーム部14の下端部においてアーム部同
士をつなぐ上下一対の保持部15とを有している。各チ
ャック部13の保持部15には、V字状の保持溝16が
多数形成されている。FIG. 2 is a front view showing the structure of the wafer holding chuck 12. The wafer holding chuck 12 has a pair of chuck portions 13 arranged to face each other in the processing unit arrangement direction a. Each chuck part 13
Are a pair of arms 14 (only one side is shown) arranged at a predetermined interval in a wafer arrangement direction b substantially orthogonal to the processing unit arrangement direction a, and extend along the wafer arrangement direction b. And a pair of upper and lower holding portions 15 connecting the arm portions at the lower end of the holding portion. A large number of V-shaped holding grooves 16 are formed in the holding portion 15 of each chuck portion 13.
【0023】ウエハWを保持する際には、互いに離れた
状態のチャック部13が互いに近づけられる。その結
果、各チャック部13の互いに対応する保持溝16にウ
エハWの周縁部が係合する。これにより、ウエハWは、
ウエハ保持チャック12に鉛直に保持される。そのた
め、複数枚のウエハWは、ウエハ保持チャック12にウ
エハ配列方向bに沿って鉛直に整列保持される。When holding the wafer W, the chuck portions 13 separated from each other are brought close to each other. As a result, the peripheral edges of the wafer W are engaged with the holding grooves 16 of the chuck portions 13 corresponding to each other. Thereby, the wafer W is
The wafer is held vertically by the wafer holding chuck 12. Therefore, the plurality of wafers W are vertically aligned and held by the wafer holding chuck 12 along the wafer arrangement direction b.
【0024】図3は、減圧乾燥部10の内部構成を薬液
処理部9が位置する側から見た断面図、図4は、減圧乾
燥部10の内部構成をウエハ保持ロボット11が位置す
る側から見た断面図である。減圧乾燥部10は、純水を
用いてウエハWに付着している薬液等を洗い流し、かつ
IPA(イソプロピルアルコール)ベーパを利用して洗
浄後のウエハWを乾燥させるためのものである。減圧乾
燥部10は、チャンバ20と、チャンバ20内において
複数枚のウエハWを一括して保持するためのウエハガイ
ド40と、ウエハガイド40を昇降させるためのリフタ
60と、チャンバ20内の下部に配置され、純水が貯留
される貯留槽80と、チャンバ20内の上部に配置さ
れ、ウエハWにパーティクルを含む空気が当たるのを防
止するための遮蔽部100とを備えている。FIG. 3 is a cross-sectional view of the internal configuration of the reduced-pressure drying unit 10 as viewed from the side where the chemical processing unit 9 is located. FIG. It is sectional drawing seen. The reduced-pressure drying section 10 is for washing away the chemical solution and the like adhering to the wafer W using pure water and drying the washed wafer W using IPA (isopropyl alcohol) vapor. The reduced-pressure drying unit 10 includes a chamber 20, a wafer guide 40 for collectively holding a plurality of wafers W in the chamber 20, a lifter 60 for raising and lowering the wafer guide 40, and a lower part in the chamber 20. A storage tank 80 is provided and stores pure water, and a shielding unit 100 is provided in an upper part of the chamber 20 and prevents air containing particles from hitting the wafer W.
【0025】チャンバ20は、平面視においてほぼ矩形
のもので、側壁21、22、23および24によって囲
まれている。チャンバ20の上面には、オートカバー1
20が装着されている。オートカバー120は、ウエハ
保持ロボット11が備えられている側と反対側の支点部
121を支点にして、開閉機構122によって自動的に
開閉することができる。これにより、オートカバー12
0の開き状態において、ウエハ保持チャック13がチャ
ンバ20内に進入することができるようになっている。The chamber 20 is substantially rectangular in plan view and is surrounded by side walls 21, 22, 23 and 24. An auto cover 1 is provided on the upper surface of the chamber 20.
20 are mounted. The auto cover 120 can be automatically opened and closed by an opening / closing mechanism 122 using a fulcrum 121 on a side opposite to the side on which the wafer holding robot 11 is provided as a fulcrum. Thereby, the auto cover 12
In the open state of 0, the wafer holding chuck 13 can enter the chamber 20.
【0026】また、チャンバ20の上面には、オートカ
バー120の閉じ状態において、オートカバー120と
チャンバ20との間をシールするためのリップシール1
23が設けられている。これにより、チャンバ20外か
らパーティクルを含む空気がチャンバ20内に進入する
のが防止されるとともに、IPAベーパがチャンバ20
外に漏れるのが防止される。A lip seal 1 is provided on the upper surface of the chamber 20 for sealing between the auto cover 120 and the chamber 20 when the auto cover 120 is closed.
23 are provided. This prevents air containing particles from entering the chamber 20 from outside the chamber 20 and prevents the IPA vapor from
It is prevented from leaking out.
【0027】遮蔽部100は、チャンバ20の側壁21
〜24の近傍に当該各側壁21〜24に沿うように配置
され、その上部にチャンバ20の内側に入り込む段差部
101a、102a、103aおよび104aが形成さ
れた4つの側壁101、102、103、104を有し
ており、これら4つの側壁101〜104によって収容
空間105を形成している。遮蔽部100の上面および
下面は、いずれも開口している。また、各側壁101〜
104のうちリフタ60が配置されている側の側壁10
2には、リフタ60を通過させるための上下方向に沿っ
て長い切欠き106が形成されている。The shielding portion 100 is provided on the side wall 21 of the chamber 20.
Are disposed along the side walls 21 to 24 in the vicinity of the first to fourth side walls, and four side walls 101, 102, 103, 104 formed with step portions 101 a, 102 a, 103 a, and 104 a entering the inside of the chamber 20 at the upper portion thereof And the four side walls 101 to 104 form a housing space 105. Both the upper and lower surfaces of the shielding unit 100 are open. Moreover, each side wall 101-
The side wall 10 of the side on which the lifter 60 is disposed
2, a notch 106 that is long in the vertical direction for allowing the lifter 60 to pass therethrough is formed.
【0028】この構成により、ウエハガイド40が遮蔽
部100の下面側の開口を介して収容空間105内にウ
エハWが収まるまで上昇することができるようになって
いる。ウエハガイド40は、ウエハ配列方向bに沿って
長く形成され、このウエハ配列方向bと直交する処理部
配列方向aに関して互いに所定間隔だけ離れている4つ
のガイド部41、42、43および44と、これらガイ
ド部41〜44の先端部を互いに連結するための連結部
45とを備えている。ガイド部41には、当該ガイド部
41を挟んで対向し、かつウエハ配列方向bに沿って長
い2つの保持板46および47がそれぞれボルト52お
よび53によって取り付けられている。ガイド部44に
は、当該ガイド部44を挟んで対向し、かつウエハ配列
方向bに沿って長い2つの保持板48および49がボル
ト54および55によって取り付けられている。また、
ガイド部42および43には、それぞれ、当該各ガイド
部42および43の外側の面に、ウエハ配列方向bに沿
って長い1つの保持板50および51がボルト56およ
び57によって取り付けられている。With this configuration, the wafer guide 40 can be moved up through the opening on the lower surface side of the shielding portion 100 until the wafer W fits in the accommodation space 105. The wafer guide 40 is formed to be long along the wafer arrangement direction b, and includes four guide portions 41, 42, 43, and 44 which are separated from each other by a predetermined distance in a processing unit arrangement direction a orthogonal to the wafer arrangement direction b. A connecting portion 45 for connecting the distal ends of the guide portions 41 to 44 to each other is provided. Two holding plates 46 and 47 which are opposed to the guide portion 41 with the guide portion 41 interposed therebetween and which are long in the wafer arrangement direction b are attached by bolts 52 and 53, respectively. Two holding plates 48 and 49 which are opposed to the guide portion 44 with the guide portion 44 therebetween and which are long along the wafer arrangement direction b are attached by bolts 54 and 55. Also,
One holding plates 50 and 51 long along the wafer arrangement direction b are attached to the guide portions 42 and 43 by bolts 56 and 57 on the outer surfaces of the guide portions 42 and 43, respectively.
【0029】各保持板46〜51の上辺には、それぞ
れ、ほぼV字状の複数の保持溝58が形成されている。
いずれかの保持板に形成されている1つの保持溝は、他
の保持板の平面視において処理部配列方向aに沿う直線
上に位置する他の5つの保持溝とともに、1つのグルー
プを形成している。この1つのグループに含まれる6つ
の保持溝58はウエハWの周縁部の形状に沿うように配
置されている。1枚のウエハWは、1つのグループに含
まれる保持溝58にその周縁部が係合した状態で鉛直に
保持される。ウエハガイド40には、上述のような6つ
の保持溝58で構成されるグループがウエハ配列方向b
に関して複数形成されており、これによりウエハガイド
40では、複数枚のウエハWを一括してウエハ配列方向
bに沿って整列保持することができる。A plurality of substantially V-shaped holding grooves 58 are formed on the upper sides of the holding plates 46 to 51, respectively.
One holding groove formed in one of the holding plates forms one group together with the other five holding grooves located on a straight line along the processing unit arrangement direction a in plan view of the other holding plate. ing. The six holding grooves 58 included in this one group are arranged along the shape of the peripheral edge of the wafer W. One wafer W is held vertically with its peripheral edge engaged with the holding groove 58 included in one group. In the wafer guide 40, a group constituted by the six holding grooves 58 as described above has a wafer arrangement direction b.
Thus, the wafer guide 40 can collectively align and hold the plurality of wafers W along the wafer arrangement direction b.
【0030】このように、ウエハWは、6つの保持溝5
8によって保持されるから、保持状態が非常に安定す
る。したがって、ウエハWが倒れるなどの不具合の発生
を防止できる。そのため、ウエハWを傷つけることを回
避できるから、高品質なウエハWを提供できる。リフタ
60は、このようなウエハガイド40を予め定める下位
置(実線で示す)と上位置(二点鎖線で示す)との間で
昇降させる。下位置は、貯留槽80の内部であって、貯
留槽80内に純水が貯留されている場合に、当該純水に
ウエハWが完全に浸漬されるような位置に設定されてい
る。上位置は、ウエハガイド40に保持されているウエ
ハWの下端部が遮蔽部100の収容空間105内に完全
に収まるような位置に設定されている。ウエハガイド4
0が下位置まで下降されるのは、主として、ウエハWに
純水洗浄処理を施す場合である。また、ウエハガイド4
0が上位置まで上昇されるのは、ウエハ保持チャック1
2からウエハWを受け取る場合、および純水洗浄処理が
終了した後にウエハWを乾燥させる場合である。As described above, the wafer W has six holding grooves 5
8, the holding state is very stable. Therefore, it is possible to prevent a problem such as a fall of the wafer W. Therefore, it is possible to avoid damaging the wafer W, so that a high-quality wafer W can be provided. The lifter 60 raises and lowers the wafer guide 40 between a predetermined lower position (shown by a solid line) and an upper position (shown by a two-dot chain line). The lower position is inside the storage tank 80 and is set to a position such that when pure water is stored in the storage tank 80, the wafer W is completely immersed in the pure water. The upper position is set such that the lower end of the wafer W held by the wafer guide 40 is completely contained in the storage space 105 of the shielding unit 100. Wafer guide 4
0 is lowered to the lower position mainly when the wafer W is subjected to pure water cleaning processing. In addition, the wafer guide 4
0 is raised to the upper position because the wafer holding chuck 1
2 and a case where the wafer W is dried after the pure water cleaning process is completed.
【0031】リフタ60は、ガイド部41〜44を側壁
22側で連結し、支持する支持アーム61と、支持アー
ム61の上端に取り付けられた支持部62と、支持部6
2の下端に取り付けられ、下方に向けて延びた支持軸6
3と、この支持軸63を上下方向に移動させる昇降機構
64とを備えている。なお、参照符号78は、ウエハW
を乾燥させる際に用いられるIPAベーパから昇降機構
64などを保護したり、昇降機構64で発生するパーテ
ィクルがチャンバ20内に侵入するのを防止するための
ベローズである。The lifter 60 connects the guide portions 41 to 44 on the side wall 22 side and supports them, a support portion 62 attached to the upper end of the support arm 61, and a support portion 6.
Support shaft 6 attached to the lower end of
3 and an elevating mechanism 64 for moving the support shaft 63 in the vertical direction. Reference numeral 78 indicates the wafer W
This is a bellows for protecting the elevating mechanism 64 and the like from IPA vapor used when drying is performed, and for preventing particles generated by the elevating mechanism 64 from entering the chamber 20.
【0032】図5は、昇降機構64を説明するために、
図3をg方向から見た側面図である。昇降機構64は、
基台65と、基台65の上部に取り付けられ、上方に向
けて延びたボールねじ機構66と、基台65に取り付け
られ、内部にモータMが設けられたモータ収容部67と
を備えている。ボールねじ機構66は、鉛直方向に沿っ
て長く形成されたボールねじ軸68と、ボールねじ軸6
8に取り付けられ、リニアガイド69に沿って鉛直方向
に移動自在な昇降テーブル70とを含む。ボールねじ軸
68は、ボールねじ機構66の上端部66aおよび下端
部66bに軸受71および72を介して回転自在に取り
付けられている。昇降テーブル70は、連結部73を介
して支持軸63に連結されている。ボールねじ軸68に
は、プーリ74が取り付けられいる。プーリ74には、
モータMの回転軸75に取り付けられたプーリ76との
間に、ベルト77が巻き掛けられている。FIG. 5 is a view for explaining the lifting mechanism 64.
It is the side view which looked at FIG. 3 from g direction. The lifting mechanism 64 is
A base 65, a ball screw mechanism 66 attached to the upper portion of the base 65 and extending upward, and a motor housing 67 attached to the base 65 and having a motor M provided therein are provided. . The ball screw mechanism 66 includes a ball screw shaft 68 elongated along the vertical direction and a ball screw shaft 6.
8 and a vertically movable table 70 that is vertically movable along a linear guide 69. The ball screw shaft 68 is rotatably attached to upper and lower ends 66 a and 66 b of the ball screw mechanism 66 via bearings 71 and 72. The elevating table 70 is connected to the support shaft 63 via a connecting portion 73. A pulley 74 is attached to the ball screw shaft 68. The pulley 74 has
A belt 77 is wound around a pulley 76 attached to a rotation shaft 75 of the motor M.
【0033】この構成により、モータMの駆動力がベル
ト77を介してボールねじ軸66に伝達されるようにな
っている。その結果、昇降テーブル70が上下方向に沿
って移動するから、結局、支持軸63が上下方向に移動
する。これにより、リフタ60が昇降する。その結果、
ウエハガイド40が昇降する。図3および図4に戻っ
て、貯留槽80は、平面視においてほぼ矩形のもので、
側壁81、82、83および84、ならびに底壁85を
有し、上面が開口している。貯留槽80の底壁85付近
にはノズル86が配置されている。ノズル86には、図
示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路8
7が連結されている。純水供給路87の途中部には、純
水供給弁88が介装されている。この構成により、純水
供給弁88の開閉を制御することで、貯留槽80に純水
を供給することができる。With this configuration, the driving force of the motor M is transmitted to the ball screw shaft 66 via the belt 77. As a result, since the lifting table 70 moves in the vertical direction, the support shaft 63 eventually moves in the vertical direction. As a result, the lifter 60 moves up and down. as a result,
The wafer guide 40 moves up and down. Returning to FIGS. 3 and 4, the storage tank 80 is substantially rectangular in plan view.
It has side walls 81, 82, 83 and 84, and a bottom wall 85, and the upper surface is open. A nozzle 86 is arranged near the bottom wall 85 of the storage tank 80. The nozzle 86 has a pure water supply path 8 through which pure water is guided from a pure water tank (not shown).
7 are connected. A pure water supply valve 88 is interposed in the middle of the pure water supply passage 87. With this configuration, pure water can be supplied to the storage tank 80 by controlling opening and closing of the pure water supply valve 88.
【0034】貯留槽80の側壁81〜84の上辺には、
所定間隔で所定深さのV字状のノッチ90が複数個形成
されている。この構成により、貯留槽80に貯留されて
いる純水をノッチ90を介して貯留槽80の外部にオー
バーフローさせることができる。これにより、元々ウエ
ハWに付着していて純水洗浄処理中に純水中に溶けだし
た薬液やパーティクル等を貯留槽80外に排出すること
ができる。On the upper side of the side walls 81 to 84 of the storage tank 80,
A plurality of V-shaped notches 90 having a predetermined depth are formed at predetermined intervals. With this configuration, the pure water stored in the storage tank 80 can overflow to the outside of the storage tank 80 via the notch 90. As a result, the chemical solution, particles, and the like originally attached to the wafer W and dissolved in the pure water during the pure water cleaning process can be discharged out of the storage tank 80.
【0035】チャンバ20の底壁25には、チャンバ2
0外にまで延びたドレン排出路26が連結されている。
これにより、純水洗浄処理中に貯留槽80からオーバー
フローされた薬液やパーティクル等の溶けだした純水を
チャンバ20外に排出することができる。また、貯留槽
80の底壁85には、ドレン弁91が介装されたドレン
排出路92が連結されている。この構成により、ドレン
弁91の開閉を制御することで、貯留槽80に貯留され
ている純水を貯留槽80の外部に排出することができ
る。これにより、純水洗浄処理後において使用済の純水
を排出することができるようになっている。The bottom wall 25 of the chamber 20 has a chamber 2
A drain discharge path 26 extending to outside 0 is connected.
Thereby, the pure water in which the chemical solution or particles overflowed from the storage tank 80 during the pure water cleaning process and have been dissolved can be discharged out of the chamber 20. Further, a drain discharge path 92 in which a drain valve 91 is interposed is connected to the bottom wall 85 of the storage tank 80. With this configuration, by controlling the opening and closing of the drain valve 91, the pure water stored in the storage tank 80 can be discharged to the outside of the storage tank 80. Thereby, the used pure water can be discharged after the pure water cleaning process.
【0036】収容空間105内の上部には、ウエハ配列
方向bに沿って長く延びた2つのIPA管140が配置
されている。IPA管140には、IPAベーパをチャ
ンバ20内に供給するためのIPA吐出孔141が複数
形成されている。IPA吐出孔141からは、純水洗浄
処理後の乾燥処理時においてIPAベーパが吐出される
ようになっている。一方、純水洗浄処理後においては、
ウエハガイド40が上位置に向けて上昇させられる。こ
の上昇途中において、チャンバ20内に供給されたIP
AベーパとウエハWの表面に付着している水滴とが置換
される。すなわち、ウエハW表面から水滴が除去される
とともに、ウエハW表面がIPAベーパによって覆われ
る。Two IPA tubes 140 extending long in the wafer arrangement direction b are arranged in the upper part of the accommodation space 105. The IPA pipe 140 has a plurality of IPA discharge holes 141 for supplying IPA vapor into the chamber 20. IPA vapor is discharged from the IPA discharge hole 141 during the drying process after the pure water cleaning process. On the other hand, after the pure water cleaning process,
The wafer guide 40 is raised toward the upper position. During this ascent, the IP supplied into the chamber 20 is
The A vapor is replaced with water droplets adhering to the surface of the wafer W. That is, the water droplets are removed from the surface of the wafer W, and the surface of the wafer W is covered with the IPA vapor.
【0037】排出路26の途中部には、排気管30が連
結されている。また、純水供給路87は、純水排出弁9
5が介装された純水排出路96を介して、排気管30に
接続されている。排気管30には、減圧ポンプ31が接
続されている。減圧ポンプ31は、乾燥処理時に駆動さ
れるようになっている。この場合、チャンバ20内の空
気が排気管30を介して吸引され、チャンバ20内が減
圧される。その結果、ウエハW表面を覆っているIPA
ベーパが蒸発する。これにより、ウエハWを乾燥させる
ことができる。An exhaust pipe 30 is connected to an intermediate portion of the discharge path 26. The pure water supply path 87 is connected to the pure water discharge valve 9.
5 is connected to the exhaust pipe 30 via a pure water discharge path 96 in which the filter 5 is interposed. A vacuum pump 31 is connected to the exhaust pipe 30. The decompression pump 31 is driven during the drying process. In this case, the air in the chamber 20 is sucked through the exhaust pipe 30, and the pressure in the chamber 20 is reduced. As a result, the IPA covering the surface of the wafer W
The vapor evaporates. Thereby, the wafer W can be dried.
【0038】また、減圧ポンプ31が駆動されると同時
に、純水排出弁95が開成される。その結果、ノズル8
6から閉成状態にある純水供給弁88に至る純水供給路
87内の純水が純水排出路96を介して吸引される。こ
れにより、純水供給路87が乾燥されるようになってい
る。ところで、チャンバ20内の空気が吸引されると
き、もしもリップシール123のシール面が劣化してい
れば、チャンバ20外からパーティクルを含む空気がチ
ャンバ20内に吸い込まれる。しかし、乾燥処理時には
ウエハWは完全に収容空間105に収められており、ま
た、チャンバ20外から吸い込まれてきた空気は遮蔽部
100の側壁101〜104に沿って収容空間105内
を通らずに排気管30に導かれるから、ウエハWにパー
ティクルを含む空気が当たることはない。At the same time that the pressure reducing pump 31 is driven, the pure water discharge valve 95 is opened. As a result, the nozzle 8
The pure water in the pure water supply path 87 from 6 to the pure water supply valve 88 in the closed state is sucked through the pure water discharge path 96. Thus, the pure water supply passage 87 is dried. By the way, when the air in the chamber 20 is sucked, if the sealing surface of the lip seal 123 has deteriorated, air containing particles is sucked into the chamber 20 from outside the chamber 20. However, at the time of the drying process, the wafer W is completely contained in the accommodation space 105, and the air sucked from outside the chamber 20 does not pass through the accommodation space 105 along the side walls 101 to 104 of the shielding portion 100. Since the wafer W is guided to the exhaust pipe 30, air containing particles does not hit the wafer W.
【0039】図6は、保持溝58の構成を示すために、
保持板46の上端付近を図4のe方向から見た正面図、
図7は、保持溝58の構成を示す斜視図、図8は、図6
のVIII-VIII 断面図である。以下では、保持板46に形
成された保持溝58を例にとって、図6ないし図8を参
照しつつ、保持溝58の構成について説明する。なお、
以下の説明では、ウエハ配列方向bに直交する水平方向
を奥行方向dと呼ぶことにする。FIG. 6 shows the structure of the holding groove 58.
FIG. 4 is a front view of the vicinity of the upper end of the holding plate 46 viewed from the direction e in FIG.
FIG. 7 is a perspective view showing the configuration of the holding groove 58, and FIG.
VIII-VIII sectional view of FIG. Hereinafter, the configuration of the holding groove 58 will be described with reference to FIGS. 6 to 8 taking the holding groove 58 formed in the holding plate 46 as an example. In addition,
In the following description, a horizontal direction orthogonal to the wafer arrangement direction b will be referred to as a depth direction d.
【0040】保持板46の上端付近には、保持板46の
背面部153から正面部152に向けて傾斜したテーパ
面155が形成されている。保持溝58は、そのテーパ
面155が形成されている箇所に、保持板46の長手方
向であるウエハ配列方向bに沿って連続的に形成されて
いる。すなわち、保持溝58のウエハ配列方向bに関す
る両側は、テーパ面となっている。In the vicinity of the upper end of the holding plate 46, a tapered surface 155 inclined from the rear surface 153 to the front surface 152 of the holding plate 46 is formed. The holding groove 58 is formed continuously at a position where the tapered surface 155 is formed along the wafer arrangement direction b which is the longitudinal direction of the holding plate 46. That is, both sides of the holding groove 58 in the wafer arrangement direction b are tapered.
【0041】保持溝58は、奥行方向dに沿って水平面
に対して傾斜した溝底部150、および溝底部150か
ら上方に向けて開くように対向する一対の傾斜面151
を含むもので、正面側から見た場合に、各傾斜面151
の傾斜辺151aおよび151bによってV溝が形成さ
れている。溝底部150は、一対の傾斜面151が交差
して形成する谷線部であり、保持板46の正面部152
上の端部Pと、背面部153上であって、端部Pよりも
上方に設定された端部Qとの間を結ぶ直線となってい
る。すなわち、溝底部150は、保持板46の背面部1
53から正面部152に向けて下方に傾斜し、そのウエ
ハ配列方向bに関する長さ幅(以下「溝底部150の
幅」という。)は、ほぼ0である。The holding groove 58 has a groove bottom 150 inclined with respect to the horizontal plane along the depth direction d, and a pair of inclined surfaces 151 facing the groove bottom 150 so as to open upward.
When viewed from the front side, each inclined surface 151
V-grooves are formed by the inclined sides 151a and 151b. The groove bottom 150 is a valley formed by a pair of inclined surfaces 151 intersecting with each other.
It is a straight line that connects the upper end P and the end Q set above the end P on the back surface 153. That is, the groove bottom 150 is located on the rear surface 1 of the holding plate 46.
The length inclining downward from 53 toward the front portion 152 and its length width in the wafer arrangement direction b (hereinafter referred to as “width of groove bottom portion 150”) is substantially zero.
【0042】傾斜面151は、溝底部150を底辺とす
る三角形状のものである。すなわち、一対の傾斜面15
1の正面側から見て左側の一方は、端部Pおよび端部
Q、ならびに端部PおよびQよりも上方の背面部153
上の上端R1を頂点としている。この場合、端部Qと上
端R1とを結ぶ線分が傾斜辺151aに対応する。他方
は、端部PおよびQ、ならびに上端R1と同じ高さで、
かつ上端R1に対してウエハ配列方向bに関して所定間
隔だけずれた上端R2を頂点としている。この場合、端
部Qと上端R2とを結ぶ線分が傾斜辺151bに対応す
る。The inclined surface 151 has a triangular shape with the bottom 150 as the bottom. That is, the pair of inclined surfaces 15
One of the left side as viewed from the front side of No. 1 is an end portion P and an end portion Q, and a back portion 153 above the end portions P and Q.
The upper end R1 is the vertex. In this case, a line segment connecting the end Q and the upper end R1 corresponds to the inclined side 151a. The other is at the same height as the ends P and Q and the upper end R1,
The upper end R2, which is shifted from the upper end R1 by a predetermined distance in the wafer arrangement direction b, is set as the vertex. In this case, a line segment connecting the end Q and the upper end R2 corresponds to the inclined side 151b.
【0043】ウエハ保持チャック12からウエハWがウ
エハガイド40に渡されるとき、ウエハWは、保持溝5
8に係合するように渡される。一方、溝底部150の幅
は上述のとおりほぼ0である。この場合、一対の傾斜面
151の各傾斜辺151aおよび151bによって形成
されるV溝の幅は、その下端部において0となる。すな
わち、ウエハWの厚みmよりも小さい値となる。したが
って、ウエハWは、当該ウエハWの両面の周縁部がそれ
ぞれ一対の傾斜面151の各傾斜辺151aおよび15
1bに当接した状態となる。When the wafer W is transferred from the wafer holding chuck 12 to the wafer guide 40, the wafer W
8 to be engaged. On the other hand, the width of the groove bottom 150 is substantially zero as described above. In this case, the width of the V-groove formed by each of the inclined sides 151a and 151b of the pair of inclined surfaces 151 is zero at the lower end. That is, the value is smaller than the thickness m of the wafer W. Therefore, the wafer W is formed such that the peripheral edges of both sides of the wafer W are respectively inclined sides 151 a and 15 a of the pair of inclined surfaces 151.
1b.
【0044】ウエハWの周縁部は円弧状になっているか
ら、ウエハWは保持溝58に対して点接触する。そのた
め、水滴が付着している状態でウエハWが保持されてい
て、当該水滴がウエハWから流下した場合であっても、
当該水滴は保持溝58に溜まらずに、保持板46の下方
に排出される。より詳述すれば、純水洗浄処理が終了し
てウエハWが純水から引き上げられた後においては、ウ
エハWに多量の水滴が付着している。この付着している
水滴は重力の作用によって流下する。この流下した水滴
は、ウエハWと保持溝58とが点接触していることか
ら、溝底部150に導かれる。その結果、当該水滴は下
方に傾斜している溝底部150によって端部P側に導か
れ、最終的に、保持板46の下方に排出される。Since the peripheral portion of the wafer W has an arc shape, the wafer W comes into point contact with the holding groove 58. Therefore, even when the wafer W is held in a state where water droplets are attached and the water droplets flow down from the wafer W,
The water droplets are discharged below the holding plate 46 without collecting in the holding groove 58. More specifically, after the pure water cleaning process is completed and the wafer W is lifted from the pure water, a large amount of water droplets adhere to the wafer W. The attached water drops flow down by the action of gravity. The dropped water droplet is guided to the groove bottom 150 because the wafer W and the holding groove 58 are in point contact with each other. As a result, the water droplet is guided to the end P side by the groove bottom 150 inclined downward, and finally discharged below the holding plate 46.
【0045】以上のようにこの第1実施形態によれば、
保持溝58の溝底部150の幅をウエハWの厚みm未満
とし、かつ溝底部150を水平面に対して傾斜させてい
るから、溝底部150に流下してきた水滴が排出しやす
くなっている。しかも、保持溝58の両側はテーパ面1
55となっているから、隣接する保持溝58の間に落下
した水滴を排出しやすくなっている。したがって、ウエ
ハWが保持溝に線接触および面接触する従来の装置に比
べて、液切れ性能を格段に向上できる。そのため、たと
えば乾燥処理時にウエハWに水滴が付着したままとなる
ことがないから、ウォーターマークなどがウエハWに形
成されることはない。よって、高品質なウエハを提供で
きる。As described above, according to the first embodiment,
Since the width of the groove bottom 150 of the holding groove 58 is less than the thickness m of the wafer W and the groove bottom 150 is inclined with respect to the horizontal plane, water drops flowing down to the groove bottom 150 are easily discharged. Moreover, both sides of the holding groove 58 are tapered surfaces 1
Since it is 55, it is easy to discharge water droplets dropped between the adjacent holding grooves 58. Therefore, the liquid drainage performance can be remarkably improved as compared with a conventional apparatus in which the wafer W makes line contact and surface contact with the holding groove. Therefore, for example, a water mark does not remain on the wafer W during the drying process, so that a watermark or the like is not formed on the wafer W. Therefore, a high quality wafer can be provided.
【0046】図9は、本発明の第2実施形態の基板保持
部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す正面
図、図10は、保持溝の構成を示す斜視図、および図1
1は、図9のXI-XI 断面図である。なお、図9ないし図
11では、上記図6ないし図8と同じ機能部分について
は同一の参照符号を使用する。上記第1実施形態では、
保持溝58を単一のV溝によって構成しているのに対し
て、この第2実施形態では、保持溝58を、奥行方向d
に関して互いにずれた第1V溝200および第2V溝2
20によって構成している。FIG. 9 is a front view showing a configuration of a holding groove formed on a holding plate which is a substrate holding member according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a perspective view showing the configuration of the holding groove. 1
1 is a sectional view taken along the line XI-XI in FIG. 9 to 11, the same reference numerals are used for the same functional portions as those in FIGS. 6 to 8. In the first embodiment,
While the holding groove 58 is constituted by a single V groove, in the second embodiment, the holding groove 58 is formed in the depth direction d.
The first V-groove 200 and the second V-groove 2
20.
【0047】さらに詳述すれば、第1V溝200は、奥
行方向dに関する保持板46の中央付近の端部Sと保持
板46の背面部153上の端部Tとの間に水平に形成さ
れた第1溝底部201、および第1溝底部201から上
方に向けて開くように対向する一対の第1傾斜面202
を含む。第1傾斜面202は、三角形状のもので、第1
溝底部201の各端部SおよびT、ならびに各端部Sお
よびTよりも上方に設定された背面部153上の上端U
1およびU2をそれぞれ頂点としている。また、第1溝
底部201の幅はほぼ0にされている。第2V溝220
は、第1溝底部201の端部Sから保持板46の正面部
152上の端部Vまで下降する第2溝底部221、およ
び第2溝底部221から上方に向けて開くように対向す
る一対の第2傾斜面222を含む。一対の第2傾斜面2
22は、三角形状のもので、第2溝底部220の各端部
SおよびV、ならびに上端U1およびU2をそれぞれ頂
点としている。More specifically, the first V-shaped groove 200 is formed horizontally between an end S near the center of the holding plate 46 in the depth direction d and an end T on the back surface 153 of the holding plate 46. First groove bottom 201, and a pair of first inclined surfaces 202 opposing open from the first groove bottom 201 upward.
including. The first inclined surface 202 has a triangular shape,
Each end S and T of the groove bottom 201, and the upper end U on the back surface 153 set above each end S and T
1 and U2 are the vertices. The width of the first groove bottom 201 is substantially zero. Second V-groove 220
Are a second groove bottom 221 descending from the end S of the first groove bottom 201 to an end V on the front part 152 of the holding plate 46, and a pair of opposing arms that open upward from the second groove bottom 221. The second inclined surface 222 is included. A pair of second inclined surfaces 2
Reference numeral 22 denotes a triangular shape having the ends S and V of the second groove bottom 220 and the upper ends U1 and U2 as vertices.
【0048】ウエハ保持チャック12からウエハWがウ
エハガイド40に渡されるとき、ウエハWは、第1V溝
200に係合するように渡される。一方、第1V溝20
0の第1溝底部201の幅は上述のとおりほぼ0であ
る。すなわち、ウエハWの厚みmよりも小さい値であ
る。したがって、ウエハWは、当該ウエハWの両面の周
縁部がそれぞれ第1傾斜面202に点接触した状態とな
る。そのため、水滴が付着している状態でウエハWが保
持され、当該水滴がウエハWから流下した場合であって
も、当該水滴は保持溝58に溜まらずに、保持板46の
下方に排出される。すなわち、流下した水滴は、ウエハ
Wと保持溝58とが点接触していることから、第1溝底
部201に導かれる。そして、第1溝底部201から溢
れ出した水滴は、背面部153またはその反対側の下方
に傾斜している第2溝底部221に導かれ、最終的に、
保持板46の下方に排出される。When the wafer W is transferred from the wafer holding chuck 12 to the wafer guide 40, the wafer W is transferred so as to be engaged with the first V groove 200. On the other hand, the first V groove 20
The width of the first groove bottom 201 of 0 is almost 0 as described above. That is, the value is smaller than the thickness m of the wafer W. Therefore, the wafer W is in a state where the peripheral portions of both surfaces of the wafer W are in point contact with the first inclined surface 202, respectively. Therefore, even when the wafer W is held in a state where water droplets are attached and the water droplets flow down from the wafer W, the water droplets are discharged to below the holding plate 46 without collecting in the holding grooves 58. . That is, the dropped water droplets are guided to the first groove bottom 201 because the wafer W and the holding groove 58 are in point contact with each other. Then, the water droplets overflowing from the first groove bottom 201 are guided to the second groove bottom 221 inclined downward on the back surface 153 or the opposite side, and finally,
It is discharged below the holding plate 46.
【0049】以上のようにこの第2実施形態によって
も、ウエハWが保持される第1V溝200の第1溝底部
201の幅をウエハWの厚みm未満としているから、上
記第1実施形態と同様に、液切れ性能を格段に向上でき
る。しかも、ウエハWを辺ではなく面で保持しているか
ら、上記第1実施形態に比べて、ウエハWとV溝とが当
接する部分の強度が大きく、またウエハWの保持安定性
を向上できる。As described above, also in the second embodiment, the width of the first groove bottom 201 of the first V-shaped groove 200 for holding the wafer W is set to be less than the thickness m of the wafer W. Similarly, the drainage performance can be significantly improved. Moreover, since the wafer W is held not by the side but by the surface, the strength of the portion where the wafer W and the V-groove abut is larger than in the first embodiment, and the holding stability of the wafer W can be improved. .
【0050】図12は、本発明の第3実施形態の基板保
持部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す正
面図、図13は、保持溝の構成を示す斜視図、図14
は、図12のXIV-XIV 断面図である。なお、図12ない
し図14では、上記図6ないし図8と同じ機能部分につ
いては同一の参照符号を使用する。上記第2実施形態で
は、第1傾斜面202および第2傾斜面222の上端点
を共通としているのに対して、この第3実施形態では、
第1傾斜面202および第2傾斜面222の各上端点を
異なる位置に設定している。すなわち、一対の第2傾斜
面222の上端点は上記第1実施形態と同様に上端U1
およびU2であるのに対して、一対の第1傾斜面202
の上端点は端部U1およびU2よりも下方の背面部15
3上の上端X1およびX2とされている。また、これに
関連して、第2傾斜面222は、第2溝底部221の両
端部SおよびV、上端U1またはU2ならびに上端X1
またはX2を頂点とする四角形状の面となる。FIG. 12 is a front view showing a configuration of a holding groove formed in a holding plate which is a substrate holding member according to a third embodiment of the present invention. FIG. 13 is a perspective view showing a configuration of the holding groove.
FIG. 14 is a sectional view taken along the line XIV-XIV of FIG. In FIGS. 12 to 14, the same reference numerals are used for the same functional parts as in FIGS. 6 to 8. In the second embodiment, the upper end points of the first inclined surface 202 and the second inclined surface 222 are common, whereas in the third embodiment,
The upper end points of the first inclined surface 202 and the second inclined surface 222 are set at different positions. That is, the upper end points of the pair of second inclined surfaces 222 are at the upper end U1 as in the first embodiment.
And U2, the pair of first inclined surfaces 202
Upper end point of the rear portion 15 below the ends U1 and U2.
3 are upper ends X1 and X2. In this connection, the second inclined surface 222 includes both ends S and V of the second groove bottom 221, an upper end U1 or U2, and an upper end X1.
Or it becomes a square-shaped surface having X2 as a vertex.
【0051】このように、この第3実施形態によって
も、上記第2実施形態と同様に、液切れ性能を向上する
ことができ、またウエハWの保持安定性を向上できる。
図15は、本発明の第4実施形態の基板保持部材である
保持板に形成された保持溝の構成を示す断面図である。
なお、図15では、上記図14と同じ機能部分について
は同一の参照符号を使用する。As described above, also in the third embodiment, the liquid drainage performance can be improved and the holding stability of the wafer W can be improved as in the second embodiment.
FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a holding groove formed in a holding plate that is a substrate holding member according to a fourth embodiment of the present invention.
In FIG. 15, the same reference numerals are used for the same functional portions as in FIG.
【0052】この第4実施形態の特徴は、上記第2また
は第3実施形態における保持溝58の第1溝底部201
に、背面部153に形成された横穴251と第1溝底部
201とを連通し、かつ下方に向けて延びた複数の排水
孔250が形成されている点である。この構成によれ
ば、第1溝底部201に導かれてきた水滴を、第2溝底
部221だけでなく、排水孔250および横穴251を
介しても保持板46の下方に排出することができるか
ら、上記第2および第3実施形態に比べて、液切れ性能
を一層向上できる。The feature of the fourth embodiment is that the first groove bottom 201 of the holding groove 58 in the second or third embodiment is used.
In addition, a plurality of drain holes 250 are formed which communicate with the horizontal hole 251 formed in the back surface 153 and the first groove bottom 201 and extend downward. According to this configuration, the water droplets guided to the first groove bottom 201 can be discharged below the holding plate 46 not only through the second groove bottom 221 but also through the drain hole 250 and the horizontal hole 251. The liquid drainage performance can be further improved as compared with the second and third embodiments.
【0053】なお、第1溝底部201ではなく、たとえ
ば第2溝底部221に排水孔250を形成するようにし
てもよく、また、排水孔250の代わりに溝を形成する
ようにしてもよい。本発明の実施の形態の説明は以上の
とおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定される
ものではない。たとえば上記実施形態では、本発明をウ
エハガイド40に設けられた保持溝58に適用する場合
について説明している。しかし、本発明は、たとえばウ
エハ保持チャック12のチャック部13に形成されてい
る保持部15に対しても、本発明を適用することができ
る。要は、ウエハWを保持する構成として溝を有する部
材であれば、本発明を適用することができる。The drain hole 250 may be formed in, for example, the second groove bottom 221 instead of the first groove bottom 201, or a groove may be formed in place of the drain hole 250. Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, the case where the present invention is applied to the holding groove 58 provided in the wafer guide 40 is described. However, the present invention can be applied to, for example, the holding unit 15 formed on the chuck unit 13 of the wafer holding chuck 12. In short, the present invention can be applied to any member having a groove as a configuration for holding the wafer W.
【0054】また、上記実施形態では、純水洗浄処理後
に、ウエハWを保持しているウエハガイド40をリフタ
60によって上昇させ、これによりウエハWを純水から
引き上げ、乾燥処理を行う構成について本発明を適用す
る場合を例にとっている。しかし、本発明は、たとえば
純水洗浄処理後に、ウエハガイド40を上昇させないま
ま純水を貯留槽80から排出し、この状態において乾燥
処理を行うようにした構成に対しても適用することがで
きる。要は、貯留槽80に貯留されている純水とウエハ
Wを保持するウエハガイド40とを相対的に移動させる
構成に対して、本発明を適用することができる。In the above embodiment, the wafer guide 40 holding the wafer W is lifted by the lifter 60 after the pure water cleaning process, whereby the wafer W is pulled up from the pure water and the drying process is performed. The case where the invention is applied is taken as an example. However, the present invention can be applied to a configuration in which pure water is discharged from the storage tank 80 without raising the wafer guide 40 after the pure water cleaning processing, and the drying processing is performed in this state. . In short, the present invention can be applied to a configuration in which the pure water stored in the storage tank 80 and the wafer guide 40 holding the wafer W are relatively moved.
【0055】さらに、上記実施形態では、本発明を、薬
液処理後に純水を用いて洗浄し、その後乾燥させる装置
に適用する場合について説明している。しかし、本発明
は、たとえば薬液にウエハWを浸漬させてウエハWに対
して薬液処理を施す装置に対しても適用することができ
る。さらにまた、上記実施形態では、基板としてウエハ
Wを適用する場合について説明している。しかし、基板
としては、液晶表示装置用ガラス基板やPDP(プラズ
マディスプレイパネル)用ガラス基板など他の各種の被
処理基板を適用することができる。たとえば、液晶表示
装置用ガラス基板であれば、ウエハWと異なり、周縁部
が直線状になっているから、線接触する状態で溝底部に
接触する。しかし、従来の装置では、液晶表示装置用ガ
ラス基板のような角型基板は面接触して保持されるか
ら、従来の装置よりも液切れ性能を向上することができ
る。Further, in the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to an apparatus for cleaning with pure water after chemical treatment and thereafter drying the same is described. However, the present invention can be applied to, for example, an apparatus in which a wafer W is immersed in a chemical solution to perform a chemical process on the wafer W. Furthermore, in the above embodiment, the case where the wafer W is applied as the substrate has been described. However, as the substrate, various other substrates to be processed such as a glass substrate for a liquid crystal display device and a glass substrate for a PDP (plasma display panel) can be applied. For example, in the case of a glass substrate for a liquid crystal display device, unlike the wafer W, since the peripheral portion is straight, the glass substrate is in line contact with the groove bottom. However, in a conventional device, a rectangular substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device is held in surface contact, so that the liquid drainage performance can be improved as compared with the conventional device.
【0056】その他、特許請求の範囲に記載された範囲
において種々の設計変更を施すことが可能である。In addition, various design changes can be made within the scope described in the claims.
【図1】本発明の第1実施形態の基板処理装置である減
圧乾燥装置を含むウエットステーションの全体構成を示
す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a wet station including a reduced-pressure drying apparatus which is a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】ウエハ保持チャックを示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing a wafer holding chuck.
【図3】減圧乾燥部の内部構成を薬液処理部が位置する
側から見た断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an internal configuration of a reduced-pressure drying unit as viewed from a side where a chemical solution processing unit is located.
【図4】減圧乾燥部の内部構成をウエハ保持ロボットが
位置する側から見た断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the internal configuration of the reduced-pressure drying unit as viewed from a side where a wafer holding robot is located.
【図5】昇降機構を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a lifting mechanism.
【図6】ウエハガイドの保持板に形成された保持溝の構
成を示すために、図4をd方向から見た正面図である。FIG. 6 is a front view of FIG. 4 viewed from the direction d to show a configuration of a holding groove formed in a holding plate of the wafer guide.
【図7】保持溝の構成を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view illustrating a configuration of a holding groove.
【図8】図6のVIII-VIII 断面図である。FIG. 8 is a sectional view taken along the line VIII-VIII in FIG. 6;
【図9】本発明の第2実施形態の基板保持部材である保
持板に形成された保持溝の構成を示す正面図である。FIG. 9 is a front view illustrating a configuration of a holding groove formed in a holding plate that is a substrate holding member according to a second embodiment of the present invention.
【図10】保持溝の構成を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a configuration of a holding groove.
【図11】図9のXI-XI 断面図である。FIG. 11 is a sectional view taken along line XI-XI of FIG. 9;
【図12】本発明の第3実施形態の基板保持部材である
保持板に形成された保持溝の構成を示す正面図である。FIG. 12 is a front view illustrating a configuration of a holding groove formed in a holding plate that is a substrate holding member according to a third embodiment of the present invention.
【図13】保持溝の構成を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing a configuration of a holding groove.
【図14】図12のXIV-XIV 断面図である。14 is a sectional view taken along the line XIV-XIV in FIG.
【図15】本発明の第4実施形態の基板保持部材である
保持板に形成された保持溝の構成を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a holding groove formed in a holding plate that is a substrate holding member according to a fourth embodiment of the present invention.
【図16】従来のウエハガイドを側方から見た図であ
る。FIG. 16 is a side view of a conventional wafer guide.
【図17】従来のウエハガイドを上方から見た図であ
る。FIG. 17 is a view of a conventional wafer guide as viewed from above.
【図18】図17を矢視方向fから見た図である。FIG. 18 is a view of FIG. 17 as viewed from an arrow direction f.
10 減圧乾燥部 40 ウエハガイド 58 保持溝 60 リフタ 80 貯留槽 150 溝底部 151 傾斜面 155 テーパ面 200 第1V溝 201 第1溝底部 202 第1傾斜面 250 排水孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Decompression drying part 40 Wafer guide 58 Holding groove 60 Lifter 80 Storage tank 150 Groove bottom 151 Inclined surface 155 Tapered surface 200 1st V-groove 201 1st groove bottom 202 First inclined surface 250 Drainage hole
Claims (6)
傾斜面と、この一対の傾斜面の交差部付近において基板
の厚み未満の幅に形成された溝底部とを含むほぼV字状
の保持溝を有し、上記一対の傾斜面にそれぞれ基板の両
面の周縁部が当接することで、基板を保持するようにし
た基板保持部材。1. A substantially V-shape including a pair of inclined surfaces facing each other so as to open in one direction, and a groove bottom formed with a width less than the thickness of the substrate near an intersection of the pair of inclined surfaces. A substrate holding member having a holding groove, and holding the substrate by bringing the peripheral edges of both surfaces of the substrate into contact with the pair of inclined surfaces.
行方向に沿って水平面に対して傾斜していることを特徴
とする請求項1に記載の基板保持部材。2. The substrate holding member according to claim 1, wherein the groove bottom is inclined with respect to a horizontal plane along a depth direction intersecting the width direction.
保持溝の両側に有することを特徴とする請求項1または
請求項2に記載の基板保持部材。3. The substrate holding member according to claim 1, wherein tapered surfaces inclined with respect to a horizontal plane are provided on both sides of the holding groove.
排出部をさらに有することを特徴とする請求項1ないし
請求項3のいずれかに記載の基板保持部材。4. The substrate holding member according to claim 1, further comprising a discharge portion through which a liquid can flow out, in relation to said groove bottom portion.
基板保持部材と、 この基板保持部材に保持された基板を浸漬するための処
理液が貯留される貯留槽と、 上記貯留槽に貯留された処理液に対して、上記基板保持
部材に保持された基板を浸漬または引き上げるために、
上記基板保持部材と処理液とを相対的に移動させる移動
手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。5. A substrate holding member according to any one of claims 1 to 4, a storage tank for storing a processing liquid for immersing the substrate held by the substrate holding member, For immersing or lifting the substrate held by the substrate holding member with respect to the stored processing liquid,
A substrate processing apparatus, comprising: a moving unit that relatively moves the substrate holding member and the processing liquid.
とも3箇所で基板を保持するものであることを特徴とす
る請求項5記載の基板処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the substrate holding member holds the substrate at at least three positions on the periphery of the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8155797A JP3714763B2 (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Substrate holding member and substrate processing apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8155797A JP3714763B2 (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Substrate holding member and substrate processing apparatus using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10275846A true JPH10275846A (en) | 1998-10-13 |
JP3714763B2 JP3714763B2 (en) | 2005-11-09 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3714763B2 (en) |
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JP2023507012A (en) * | 2019-12-18 | 2023-02-20 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | Improved apparatus for drying semiconductor substrates |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6042143B2 (en) * | 2012-09-11 | 2016-12-14 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate holding member and substrate processing apparatus including the same |
-
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- 1997-03-31 JP JP8155797A patent/JP3714763B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP3714763B2 (en) | 2005-11-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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