KR20120098597A - Induction heating unit - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 208
- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims abstract description 129
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/10—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/36—Coil arrangements
- H05B6/44—Coil arrangements having more than one coil or coil segment
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
웨이퍼 표리면에서 온도차가 생기지 않게 하고, 웨이퍼 표면에 금속막 등이 형성되어 있는 경우에도 웨이퍼 자체의 발열에 의해 온도 분포에 불균형이 생기거나 금속막이 타서 손상되는 일을 없앨 수 있는 유도가열 장치를 제공한다.
웨이퍼(16)의 한 쪽 주면에 대향하여 배치되는 서셉터(18)와 다른 쪽 주면에 대향하여 배치되는 서셉터(20), 서셉터(18)가 웨이퍼(16)와 대향하는 면의 이면측에 배치되는 한 쪽 유도가열 코일군(22)과 서셉터(20)가 웨이퍼(16)와 대향하는 면의 이면측에 웨이퍼(16)를 기점으로 하여 한 쪽 유도가열 코일군(22)과 대칭으로 배치되는 다른 쪽 유도가열 코일군(24), 한 쪽 유도가열 코일군(22) 및 다른 쪽 유도가열 코일군(24)을 병렬로 또한 웨이퍼(16)를 기점으로 하여 면대칭인 배치 관계가 되는 유도가열 코일(22a?22f, 24a?24f)에 대해 투입하는 전류의 위상이 반대방향이 되도록 접속한 전원부(14)를 가지는 것을 특징으로 한다.Provides an induction heating apparatus which prevents temperature difference from occurring at the front and back of the wafer and prevents unevenness in the temperature distribution or damage due to burning of the metal film even when a metal film or the like is formed on the wafer surface. do.
The rear surface side of the surface where the susceptor 18 and the susceptor 18 disposed to face the other main surface and the susceptor 18 and the susceptor 18 disposed opposite the main surface of the wafer 16 are opposite to the wafer 16. One induction heating coil group 22 and the susceptor 20 disposed at the symmetry with one induction heating coil group 22 starting from the wafer 16 on the back surface side of the surface facing the wafer 16. The induction heating coil group 24, the induction heating coil group 22, and the induction heating coil group 24, which are arranged in parallel, are arranged in parallel, and are arranged in a plane symmetrical relationship with the wafer 16 as a starting point. It is characterized by having the power supply part 14 connected so that the phase of the electric current put into induction heating coils 22a-22f and 24a-24f may become a reverse direction.
Description
본 발명은 유도가열 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 기판을 싱글 웨이퍼 처리하는 경우에 적합한 유도가열 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an induction heating apparatus, and more particularly, to an induction heating apparatus suitable for processing a single wafer of a semiconductor substrate.
싱글 웨이퍼형 반도체를 열처리하는 유도가열 장치로는, 반도체 기판면 내에서의 온도 분포를 높은 정밀도로 제어하는 것을 목적으로 하여 본원 출원인은 특허문헌 1에 개시되어 있는 것과 같은 것을 제안하고 있다.As an induction heating apparatus for heat-treating a single wafer type semiconductor, the applicant of the present application proposes the same as that disclosed in
특허문헌 1에 개시되어 있는 유도가열 장치의 개요는 다음과 같다. 원환형상으로 형성한 복수의 유도가열 코일을 인접 배치하고 개개의 가열 존으로서 가열 범위가 정해진 가열 코일별로 투입하는 전력의 제어를 가능하게 한다. 유도가열 코일의 상면에는 발열체로서의 서셉터를 배치하고 있다. 그리고 서셉터의 상면에 피가열물로서의 웨이퍼를 배치한다.The outline of the induction heating apparatus disclosed in
이러한 구성의 유도가열 장치에 의하면 상호유도의 영향을 피하면서 인접 배치된 복수의 유도가열 코일에 투입하는 전력을 개별적으로 제어하는 것이 가능해진다. 따라서 웨이퍼의 면내 온도 분포를 높은 정밀도로 균일하게 혹은 임의의 온도 경사를 가지도록 가열 제어하는 것이 가능해진다.According to the induction heating apparatus of such a configuration, it is possible to individually control the electric power to be input to a plurality of induction heating coils arranged adjacent to each other while avoiding the influence of mutual induction. Therefore, it becomes possible to heat-control the in-plane temperature distribution of the wafer to have a high accuracy uniformly or to have an arbitrary temperature gradient.
특허문헌 1에 개시되어 있는 유도가열 장치에 의하면, 급속 가열이 가능해지고 웨이퍼의 면내 온도 분포 제어가 가능해진다.According to the induction heating apparatus disclosed in
한편으로 급속 가열에 대한 요망이 더욱 가속된 경우, 웨이퍼의 표리면 사이에서 온도차가 생겨 웨이퍼가 휘어지거나 할 가능성이 있다. 이를 해소하는 방법으로 웨이퍼를 한 쌍의 서셉터 사이에 끼워 웨이퍼를 표리 양면에서 가열하는 방법을 생각할 수 있다. 그러나 이 경우도 표리면의 가열 제어를 각각 독립적으로 행한 경우에는 웨이퍼 표리면의 온도 분포가 제각각이 되는 경우가 있다. 또한 표면에 금속막 등이 붙어 있는 웨이퍼를 가열하는 경우에는 누설자속의 영향으로 인해 웨이퍼 자체가 유도가열되어 웨이퍼 전체적으로 가열 균형이 깨져 버리거나 금속막이 타서 손상될 우려가 있다.On the other hand, when the demand for rapid heating is further accelerated, there is a possibility that a temperature difference occurs between the front and back surfaces of the wafer and the wafer may bend. As a method of eliminating this, a method may be conceived in which a wafer is sandwiched between a pair of susceptors to heat the wafer on both sides. However, also in this case, when the heating control of the front and back surfaces is independently performed, the temperature distribution of the front and back surfaces of the wafer may be different. In addition, in the case of heating a wafer having a metal film or the like on the surface, there is a possibility that the wafer itself is inductively heated due to the influence of the leakage magnetic flux, and thus, the heat balance of the entire wafer may be broken or the metal film may burn and be damaged.
그래서 본 발명에서는 피가열물인 웨이퍼 표리면에서 온도차가 생기지 않게 하고, 웨이퍼 표면에 금속막 등이 형성되어 있는 경우에도 웨이퍼 자체의 발열에 의해 온도 분포에 불균형이 생기거나 금속막이 타서 손상되는 일을 없앨 수 있는 유도가열 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, in the present invention, the temperature difference does not occur on the front and back surfaces of the wafer to be heated, and even when a metal film or the like is formed on the wafer surface, an unbalance in the temperature distribution occurs due to heat generation of the wafer itself, or the metal film burns and is damaged. It is an object of the present invention to provide an induction heating apparatus that can be used.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 관련된 유도가열 장치는, 피가열물의 한 쪽 주면에 대향하여 배치되는 한 쪽 발열체와 다른 쪽 주면에 대향하여 배치되는 다른 쪽 발열체, 상기 한 쪽 발열체에서 상기 피가열물과 대향하는 면의 이면측에 배치되는 한 쪽 유도가열 코일군과 상기 다른 쪽 발열체에서 상기 피가열물과 대향하는 면의 이면측에 상기 피가열물을 기점으로 하여 상기 한 쪽 유도가열 코일군과 대칭으로 배치되는 다른 쪽 유도가열 코일군, 상기 한 쪽 유도가열 코일군 및 상기 다른 쪽 유도가열 코일군을 병렬로 또한 상기 피가열물을 기점으로 하여 면대칭인 배치 관계가 되는 유도가열 코일에 대해 투입하는 전류의 위상이 반대방향이 되도록 접속한 전력 공급 수단을 가지는 것을 특징으로 한다.Induction heating apparatus according to the present invention for achieving the above object is, one heating element disposed to face one main surface of the object to be heated and the other heating element disposed to face the other main surface, the heating element to be heated in the one heating element The induction heating coil group on one side of the induction heating coil group disposed on the rear surface side of the surface facing the water and the other side of the heating element on the back side of the surface facing the heating object on the other heating element. For the induction heating coil group arranged in symmetry with respect to the other induction heating coil group, the one induction heating coil group, and the other induction heating coil group in parallel, and in a plane-symmetrical arrangement relationship based on the object to be heated. It is characterized by including the electric power supply means connected so that the phase of the electric current to input may be made into the opposite direction.
또한 상기와 같은 특징을 가지는 유도가열 장치에 있어서 상기 한 쪽 유도가열 코일군과 상기 다른 쪽 유도가열 코일군은 각각 원환형상으로 형성되어 동심원상으로 배치된 복수의 유도가열 코일로 이루어지는 것이 좋다.In addition, in the induction heating apparatus having the above characteristics, the one induction heating coil group and the other induction heating coil group are each formed in an annular shape, and preferably composed of a plurality of induction heating coils arranged concentrically.
이러한 구성으로 함으로써 동일 반경에서의 가열 영역이 단일 유도가열 코일로 완성되게 된다. 이 때문에 직경이 큰 웨이퍼의 싱글 웨이퍼 가열을 함에 있어서 방열과 가열의 균형을 제어하는 것이 용이해진다.With such a configuration, the heating region in the same radius is completed with a single induction heating coil. For this reason, it becomes easy to control the balance of heat dissipation and heating in single wafer heating of a large diameter wafer.
또한 상기와 같은 특징을 가지는 유도가열 장치에서는 상기 한 쪽 유도가열 코일군과 상기 다른 쪽 유도가열 코일군을 구성하는 각 유도가열 코일 중 대칭 배치된 유도가열 코일은 각각 세트를 이루고, 상기 전력 공급 수단은 각 세트를 이루는 유도가열 코일에 대해 동일한 전류치를 공급하기 위한 복수의 인버터를 가지도록 하는 것이 좋다.In addition, in the induction heating apparatus having the characteristics as described above, each of the induction heating coil group constituting the induction heating coil group and the other induction heating coil constituting the other induction heating coil symmetrically arranged each set, the power supply means It is preferable to have a plurality of inverters for supplying the same current value for each set of induction heating coil.
이러한 구성으로 함으로써 세트를 이루는 각 유도가열 코일에는 전류치가 동일한 전류가 공급되게 된다. 이 때문에 피가열물의 표리면에서의 가열 균형이 잡힌다. 따라서 피가열물(웨이퍼)이 휘어지는 것을 억제하는 것이 용이해진다.With such a configuration, each induction heating coil constituting the set is supplied with a current having the same current value. For this reason, the heating balance at the front and back surfaces of the object to be heated is balanced. Therefore, it becomes easy to suppress bending of a to-be-heated material (wafer).
그리고 상기와 같은 특징을 가지는 유도가열 장치에서는, 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 각각 t, 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체에서의 자속 침투깊이를 δ로 한 경우, t<1.5δ의 관계를 만족하도록 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 정하도록 하는 것이 좋다.In the induction heating apparatus having the above characteristics, when the thickness of the one heating element and the other heating element is t, and the magnetic flux penetration depth in the one heating element and the other heating element is δ, t <1.5 It is preferable to determine the thickness of the one heating element and the other heating element so as to satisfy the relationship of δ.
이러한 구성으로 한 경우, 발열체를 투과한 자속(누설자속)이 피가열물에 직접 도달할 가능성이 발생한다. 그러나 누설자속은 상기 구성에 의해 상쇄되게 된다. 발열체의 두께를 얇게 하게 되면 열용량의 감소에 따른 가열 효율의 증가를 초래하여 급속 온도상승에 유리해진다.In such a configuration, there is a possibility that the magnetic flux (leakage magnetic flux) that has passed through the heating element directly reaches the heated object. However, the leakage magnetic flux is canceled by the above configuration. When the thickness of the heating element is reduced, the heating efficiency is increased by decreasing the heat capacity, which is advantageous for rapid temperature rise.
상기와 같은 특징을 가지는 유도가열 장치에 의하면, 피가열물인 웨이퍼 표리면에서의 온도차 발생을 억제할 수 있다. 또한 웨이퍼 표면에 금속막 등이 형성되어 있는 경우에도 웨이퍼 자체의 발열에 의해 온도 분포에 불균형이 생기거나 금속막이 타서 손상되는 일을 없앨 수 있다.According to the induction heating apparatus having the above characteristics, it is possible to suppress the occurrence of the temperature difference on the front and back surfaces of the wafer to be heated. In addition, even when a metal film or the like is formed on the surface of the wafer, unevenness in the temperature distribution due to the heat generation of the wafer itself or the metal film burned out can be eliminated.
도 1은 실시형태에 관련된 유도가열 장치의 전체 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2는 가열부의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 전류 위상과 누설자속의 상쇄 관계를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 선형 보간에 의한 온도 예측의 예를 나타내는 도이다.
도 5는 선형 보간에 의한 온도 예측에 전력 지령치에 기초한 보정을 더한 온도 예측치의 예를 나타내는 도이다.
도 6은 온도 예측치에 기초하여 각 가열 존에 대한 전력 지령치를 정하는 경우의 예를 나타내는 도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a block diagram which shows the whole structure of the induction heating apparatus which concerns on embodiment.
2 is an exploded perspective view showing the configuration of the heating unit.
3 is a diagram for explaining a tradeoff between a current phase and a leakage magnetic flux.
4 is a diagram illustrating an example of temperature prediction by linear interpolation.
5 is a diagram illustrating an example of a temperature prediction value obtained by adding a correction based on a power command value to temperature prediction by linear interpolation.
6 is a diagram illustrating an example of a case where a power command value for each heating zone is determined based on a temperature predicted value.
이하, 본 발명의 유도가열 장치에 관련된 실시의 형태에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment which concerns on the induction heating apparatus of this invention is described in detail, referring drawings.
도 1은 실시형태에 관련된 유도가열 장치의 전체 구성을 나타내는 블록도이다. 도 2는 실시형태에 관련된 유도가열 장치의 가열부의 구성을 나타내는 분해 사시도이다. 실시형태에 관련된 유도가열 장치(10)는 가열부(12)와 전원부(전력 공급 수단; 14)를 기본으로 하여 구성된다. 가열부(12)는 한 쪽 발열체로서의 서셉터(18), 다른 쪽 발열체로서의 서셉터(20), 한 쪽 유도가열 코일군(22) 및 다른 쪽 유도가열 코일군(24)을 기본으로 하여 구성된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a block diagram which shows the whole structure of the induction heating apparatus which concerns on embodiment. 2 is an exploded perspective view showing the configuration of a heating unit of the induction heating apparatus according to the embodiment. The induction heating apparatus 10 which concerns on embodiment is comprised based on the
서셉터(18) 및 서셉터(20)는 피가열물로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼(16)라 한다)를 협지하도록, 웨이퍼(16)의 상면측 및 하면측에 각각 대향하도록 배치된다. 서셉터(18)와 웨이퍼(16) 및 웨이퍼(16)와 서셉터(20) 사이에는 도시하지 않은 지지 부재를 배치함으로써 소정의 공간을 유지하도록 하는 것이 바람직하다. 지지 부재의 구성 재료로는 자속의 영향을 받는 일이 없고 내열성이 높은 소재, 예를 들어 석영 등으로 하는 것이 좋다.The
이러한 구성으로 함으로써 웨이퍼(16)를 표면, 이면의 양쪽에서 가열하는 것이 가능해져 웨이퍼(16) 표리면에서의 온도차 발생을 억제할 수 있다. 또 웨이퍼(16) 표리면에서의 온도차 발생을 억제함으로써 표리면의 온도차에 기인하여 웨이퍼(16)가 휘는 현상도 억제할 수 있다.By such a configuration, the
한 쪽 유도가열 코일군(22)은 서셉터(18)에서의 웨이퍼 배치면과 반대측의 주면(이면)에 대향하여 배치된다. 서셉터(18)와 한 쪽 유도가열 코일군(22) 사이에는 도시하지 않은 지지 부재를 배치하도록 해도 되지만, 석영판(도시생략) 등에 의해 코일 배치 영역과 프로세스 영역을 차폐함으로써 오염(contamination)을 방지하는 것도 가능해진다. 한 쪽 유도가열 코일군(22)은 원환형상(대략 C 형)으로 형성한 복수의 유도가열 코일(22a?22f)을 동심원상으로 인접 배치하여 구성된다.One induction
다른 쪽 유도가열 코일군(24)은 서셉터(20)에서의 웨이퍼 배치면과 반대측의 주면에 대향하여 배치된다. 서셉터(20)와 다른 쪽 유도가열 코일군(24) 사이에는 도시하지 않은 지지 부재를 배치하도록 해도 되지만, 석영판(도시생략) 등에 의해 코일 배치 영역과 프로세스 영역을 차폐함으로써 오염을 방지하는 것도 가능해진다. 다른 쪽 유도가열 코일군(24)은 상기 서술한 한 쪽 유도가열 코일군(22)과 마찬가지로 원환형상(대략 C 형)으로 형성한 복수의 유도가열 코일(24a?24f)을 동심원상으로 인접 배치하여 구성된다. 여기서 한 쪽 유도가열 코일군(22)을 구성하는 유도가열 코일(22a?22f)과 다른 쪽 유도가열 코일군(24)을 구성하는 유도가열 코일(24a?24f)은 웨이퍼(16)를 기점으로 하여 두께 방향으로 면대칭 배치한다. 본 실시형태에서는 두께 방향으로 면대칭인 배치 관계가 되는 각 유도가열 코일(22a?22f, 24a?24f)에 대해 각각 세트를 구성하고 각 세트 단위로 개별의 가열 존(본 실시형태에서는 존 1?존 6)을 구성하기 위해 전원부(14)에 접속되며, 전원부의 상세한 것은 후술한다.The other induction
전원부(14)는 예를 들어 도 1에 나타내는 바와 같이 3상 교류 전원(28), 컨버터(30), 초퍼(32; 32a?32f), 인버터(34; 34a?34f) 및 온도 제어부(36)를 기본으로 하여 구성된다.For example, as shown in FIG. 1, the
컨버터(30)는 3상 교류 전원(28)에서 입력되는 3상 교류 전류를 직류로 변환하여 후단에 접속되는 초퍼(32)로 출력하는 순변환부이다. 초퍼(32)는 컨버터(30)에서 출력되는 전류의 통류율을 변화시켜 인버터(34)에 입력하는 전류의 전압을 변화시키는 전압 조정부이다.The
인버터(34)는 초퍼(32)에 의해 전압 조정된 직류 전류를 교류 전류로 변환하여 유도가열 코일군(22, 24)에 공급하는 역변환부이다. 또한 본 실시형태에서 예로 드는 유도가열 장치(10)의 인버터(34)는 유도가열 코일군(22, 24)과 공진 콘덴서를 직렬로 배치한 직렬공진형 인버터로 한다. 또 각 가열 존을 구성하는 세트를 이루는 유도가열 코일(예를 들어 유도가열 코일(22a)과 유도가열 코일(24a), 유도가열 코일(22b)과 유도가열 코일(24b), … 등)에는 각각 세트 단위로 개별적으로 인버터(34) 및 초퍼(32)가 접속되어 있다. 인버터(34)로부터 유도가열 코일(22a?22f, 24a?24f)에 공급되는 출력 전류의 제어는 온도 제어부(36)로부터의 입력 신호에 기초하여 행하는 것으로 한다. 각 인버터(34a?34f)에는 한 쪽 유도가열 코일군(22)과 다른 쪽 유도가열 코일군(24)에서의 대칭 위치에 위치하는 각 유도가열 코일(세트를 이루는 유도가열 코일)이 병렬로 접속되어 있다. 또한 각 인버터(34)는 도 3에 나타내는 바와 같이 각 세트를 이루는 유도가열 코일(22a?22f, 24a?24f)에 대해 투입 전류의 위상이 역방향이 되도록 접속되어 있다.The inverter 34 is an inverting part which converts the direct current adjusted by the chopper 32 into an alternating current and supplies it to the induction
이러한 구성으로 한 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이 서셉터(18)를 투과한 유도가열 코일(22a)로부터의 누설자속과 서셉터(20)를 투과한 유도가열 코일(24a)로부터의 누설자속의 선회 방향이 서로 역방향이 된다. 이 때문에 2개의 누설자속은 서로 상쇄되게 된다.In such a configuration, as shown in FIG. 3, the leakage magnetic flux from the
여기서 만약 웨이퍼(16)의 표면에 금속막이 형성되어 있는 경우, 기존에는 누설자속이 웨이퍼(16) 표면의 금속막에 대해서도 투입되게 되어 웨이퍼(16) 표면에서는 와전류에 의한 발열이 발생하게 된다. 이에 반해 본 실시형태에 관련된 유도가열 장치(10)에서는 금속막을 통한 발열의 요인이 되는 누설자속을 상쇄시킴으로써 누설자속에 의한 금속막의 직접 가열을 피하여 웨이퍼(16) 전체적으로 가열 균형이 깨지는 것을 피할 수 있다.Here, if a metal film is formed on the surface of the
기존에 누설자속의 발생을 억제하는 구성의 하나로는 단순하게 서셉터(18, 20)의 두께를 두껍게 하는 수단이 생각되고 있었다. 그러나 본 실시형태에 관련된 구성으로 한 경우, 서셉터(18, 20)의 두께는 자속의 누설이 발생하는 범위로까지 얇게 할 수 있게 된다. 서셉터(18, 20)를 투과한 누설자속은 금속막을 가지는 웨이퍼에 영향을 주는 일 없이 상쇄되기 때문이다.Conventionally, a means for thickening the
여기서 서셉터(18, 20)에 대한 전류의 침투깊이를 δ로 한 경우, 서셉터(18, 20)의 두께 t를 1.5δ 미만, 즉 t와 δ의 관계로 t<1.5δ를 만족하도록 두께를 정하면 자속의 누설이 발생하기 때문에, 누설자속 상쇄에 의한 효과를 살릴 수 있다. 또한 서셉터(18, 20)의 두께를 얇게 하는 것을 이용하면 서셉터의 열용량이 감소하여 투입 자속에 대한 발열비율이 증가하게 된다. 이 때문에 웨이퍼(16)를 급속 온도상승시키는 경우에 유리해진다.In this case, when the penetration depth of the current into the
온도 제어부(36)는 온도 센서(26; 26a?26c)에 의해 검출된 서셉터(20)의 온도를 비교하여 온도검출점 간의 온도 경사를 구하고 이 온도 경사에 기초하여 예상(예측)한 가열 존 간의 온도 균형에 따라 각 유도가열 코일(22a?22f, 24a?24f)에 투입하는 전력을 정하여, 인버터(34) 및 초퍼(32)에 대해 제어 신호(입력 신호)를 출력하는 역할을 한다.The
상기와 같은 구성의 전원부(14)에 의하면, 컨버터(30)에서 출력된 전류의 전압을 초퍼(32)에 의해 제어하고 초퍼(32)에서 출력된 직류 전류를 인버터(34)에 의해 변환, 주파수 조정할 수 있다. 이 때문에 초퍼(32)에 의해 출력 전력을 제어할 수 있고, 복수의 코일이 인접해 배치된 한 쪽 유도가열 코일군(22) 및 다른 쪽 유도가열 코일군(24)에 투입되는 전류의 주파수와의 위상을 인버터(34)에 의해 조정할 수 있다. 그리고 출력 전류에서의 주파수의 위상을 동기(위상차를 O으로 하는 것 또는 O에 근사시키는 것), 혹은 정해진 간격으로 유지함으로써 인접 배치된 유도가열 코일(22a?22f, 24a?24f) 사이의 상호유도의 영향을 회피할 수 있다. 또한 복수의 유도가열 코일(22a?22f, 24a?24f) 각각에 대한 투입 전력을 제어함으로써 서셉터(18, 20), 나아가 웨이퍼(16)의 온도 분포 제어를 할 수 있다.According to the
상기와 같은 구성의 유도가열 장치(10)에서는 웨이퍼(16)를 열처리할 때 다음과 같은 제어가 이루어진다. 먼저 복수의 유도가열 코일(22a?22f, 24a?24f) 각각에 대해 소정의 전력을 투입하고 서셉터(18, 20)를 가열한 후, 세트를 이루는 유도가열 코일(예를 들어 유도가열 코일(22a)과 유도가열 코일(24a), 유도가열 코일(22b)과 유도가열코일(24b)… 등) 사이에 배치된 온도 센서(26) 각각에 의해 발열체의 온도를 검출하여 온도 제어부(36)에 송신한다. 온도 제어부(36)에서는 먼저 검출점(본 실시형태의 경우 3점)의 온도에서 각 가열 존에서의 서셉터(20)의 온도를 추측하는 선형 보간을 실시한다. 여기서 선형 보간이라는 것은 도 4에 나타내는 바와 같이 검출점의 온도를 직선으로 이어서 그 직선상에 각 가열 존의 위치 관계를 연결하는(직선상에 가열 존의 위치를 플롯하는) 것에 의해 직선상의 플롯점에서의 온도를 각 가열 존의 온도로 추측하는 것이다.In the induction heating apparatus 10 having the above-described configuration, the following control is performed when the
다음에 온도 제어부(36)에서는 선형 보간에 의해 얻어진 추측 온도와 현재 각 유도가열 코일(24a?24f(22a?22f))에 대해 투입하고 있는 전력치(지령치)를 관련짓는 것에 의해 선형 보간에 의해 얻어진 추측 온도를 보정한다(도 5 참조). 구체적으로는 현재의 지령치가 존 1<존 2이면 존 2의 온도가 높다고 추측할 수 있다. 이 때문에 존 1을 낮게 존 2를 높게 보정하는 것이 되면 된다. 이러한 보정을 함으로써 각 가열 존 간의 온도 균형을 고려한 온도 예측치를 얻을 수 있다. 또 보정에 관해서는 존 1을 가열하는 유도가열 코일(22a, 24a)에 주어지고 있는 지령치와 존 2를 가열하는 유도가열 코일(22b, 24b)에 주어지고 있는 지령치의 비율(존 1/존 2 또는 존 2/존 1)로부터 도출할 수 있는 기울기를, 선형 보간에 의해 얻어진 검출점에 겹친다. 그리고 겹쳐서 얻어진 단속적인 직선을 각각 직선으로 연결하는 것에 의해 각 가열 존 간의 온도 균형을 고려한 온도 예측치를 얻는 것으로 해도 된다. 여기서 온도 예측치를 얻는 보정은 장치별 특성에 따라 시험 혹은 시뮬레이션을 실시하여 그 결과에 맞추어 보정하는 것이 적합하다.Next, the
이와 같이 하여 얻어진 온도 예측치에 대해 온도 제어부(36)는 온도 기울기(가열 존 간을 잇는 직선의 기울기)가 없어지는 가열(온도 보정)을 행하는 전력 지령치를 산출한다(도 6 참조). 여기에서 전력 지령치의 산출은 장치별 특성에 따라 시험 혹은 시뮬레이션을 실시하여 시뮬레이션 등의 결과에 맞춘 산출방법이 채택된다.The
대략적인 온도 보정으로는 온도 예측치에 따라 얻어지는 기울기와 반대의 기울기를 가지는(도 6에 나타내는 꺾은선 그래프의 상하를 반전시킨 기울기) 그래프에 따른 비율의 전력 지령치를 각 가열 존에 대한 온도 보정치로 하면 된다.As an approximate temperature correction, when the power command value of the ratio according to the graph which has the inclination opposite to the inclination obtained by the temperature prediction value (the inclination which inverted the up and down of the broken line graph shown in FIG. 6) is made into the temperature correction value for each heating zone, do.
이렇게 하여 얻어진 전력 지령치를 각 유도가열 코일군(22, 24)에 접속된 인버터(34) 및 초퍼(32)에 출력하는 것에 의해 각 유도가열 코일(22a?22f, 24a?24f)에 대한 투입 전력이 제어된다.The input power to each
상기한 바와 같은 구성의 유도가열 장치(10)에 의해 웨이퍼(16)를 가열하면, 웨이퍼(16) 표리면에서의 온도차를 억제할 수 있다. 또한 웨이퍼(16)의 표면에 금속막 등이 형성되어 있는 경우에도 웨이퍼(16) 자체가 발열하여 생기는 온도 분포의 불균일을 없앨 수 있다.When the
도 1에 나타내는 실시형태에서는 세트를 이루는 유도가열 코일(예를 들어 유도가열 코일(22a)과 유도가열 코일(24a))은 공통의 인버터 및 초퍼에 접속되는 구성으로 하였다. 그러나 세트를 이루는 유도가열 코일에 대해 각각 개별 인버터 및 초퍼를 접속함으로써 보다 상세한 온도 분포 제어를 하는 것도 가능하다.In the embodiment shown in FIG. 1, a set induction heating coil (for example,
10: 유도가열 장치 12: 가열부
14: 전원부 16: 웨이퍼
18: 서셉터 20: 서셉터
22: 한 쪽 유도가열 코일군 22a?22f: 유도가열 코일
24: 다른 쪽 유도가열 코일군 24a?24f: 유도가열 코일
26(26a?26c): 온도 센서 28: 3상 교류 전원
30: 컨버터 32(32a?32f): 초퍼
34(34a?34b): 인버터 36: 온도 제어부10: induction heating device 12: heating unit
14: power supply unit 16: wafer
18: susceptor 20: susceptor
22: one side induction
24: Induction heating coil group on the
26 (26a-26c): temperature sensor 28: three-phase AC power
30: Converter 32 (32a-32f): Chopper
34 (34a-34b): Inverter 36: Temperature control
Claims (8)
상기 한 쪽 발열체에서 상기 피가열물과 대향하는 면의 이면측에 배치되는 한 쪽 유도가열 코일군과 상기 다른 쪽 발열체에서 상기 피가열물과 대향하는 면의 이면측에 상기 피가열물을 기점으로 하여 상기 한 쪽 유도가열 코일군과 대칭으로 배치되는 다른 쪽 유도가열 코일군,
상기 한 쪽 유도가열 코일군 및 상기 다른 쪽 유도가열 코일군을 병렬로 또한 상기 피가열물을 기점으로 하여 면대칭인 배치 관계가 되는 유도가열 코일에 대해 투입하는 전류의 위상이 반대방향이 되도록 접속한 전력 공급 수단,
을 가지는 것을 특징으로 하는 유도가열 장치.One heating element disposed to face one main surface of the object to be heated and the other heating element disposed to face the other main surface,
The induction heating coil group disposed on the rear surface side of the surface facing the object to be heated in the one heating element and the heated object starting from the rear surface side of the surface facing the heated object in the other heating element. The other induction heating coil group disposed symmetrically with the one induction heating coil group,
The one induction heating coil group and the other induction heating coil group are connected in parallel to each other so that the phase of the current to be input to the induction heating coil having a plane-symmetrical arrangement relationship from the object to be heated is connected in the opposite direction. Power supply means,
Induction heating apparatus, characterized in that having a.
상기 한 쪽 유도가열 코일군과 상기 다른 쪽 유도가열 코일군은 각각 원환형상으로 형성되어 동심원상으로 배치된 복수의 유도가열 코일로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유도가열 장치.The method of claim 1,
The one induction heating coil group and the other induction heating coil group are each formed in an annular shape, characterized in that composed of a plurality of induction heating coils arranged concentrically.
상기 한 쪽 유도가열 코일군과 상기 다른 쪽 유도가열 코일군을 구성하는 각 유도가열 코일 중 대칭 배치된 유도가열 코일은 각각 세트를 이루고,
상기 전력 공급 수단은 각 세트를 이루는 유도가열 코일에 대해 동일한 전류치를 공급하기 위한 복수의 인버터를 가지는 것을 특징으로 하는 유도가열 장치.The method of claim 1,
Among the induction heating coils constituting the one induction heating coil group and the other induction heating coil group, symmetrically arranged induction heating coils each form a set,
And said power supply means has a plurality of inverters for supplying the same current value for each set of induction heating coils.
상기 한 쪽 유도가열 코일군과 상기 다른 쪽 유도가열 코일군을 구성하는 각 유도가열 코일 중 대칭 배치된 유도가열 코일은 각각 세트를 이루고,
상기 전력 공급 수단은 각 세트를 이루는 유도가열 코일에 대해 동일한 전류치를 공급하기 위한 복수의 인버터를 가지는 것을 특징으로 하는 유도가열 장치.The method of claim 2,
Among the induction heating coils constituting the one induction heating coil group and the other induction heating coil group, symmetrically arranged induction heating coils each form a set,
And said power supply means has a plurality of inverters for supplying the same current value for each set of induction heating coils.
상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 각각 t, 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체에서의 자속 침투깊이를 δ로 한 경우,
t<1.5δ
의 관계를 만족하도록 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 정한 것을 특징으로 하는 유도가열 장치.The method of claim 1,
When the thickness of the one heating element and the other heating element is t and the magnetic flux penetration depth in the one heating element and the other heating element is δ,
t <1.5δ
Induction heating apparatus characterized in that the thickness of the one heating element and the other heating element is determined so as to satisfy the relationship.
상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 각각 t, 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체에서의 자속 침투깊이를 δ로 한 경우,
t<1.5δ
의 관계를 만족하도록 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 정한 것을 특징으로 하는 유도가열 장치.The method of claim 2,
When the thickness of the one heating element and the other heating element is t and the magnetic flux penetration depth in the one heating element and the other heating element is δ,
t <1.5δ
Induction heating apparatus characterized in that the thickness of the one heating element and the other heating element is determined so as to satisfy the relationship.
상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 각각 t, 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체에서의 자속 침투깊이를 δ로 한 경우,
t<1.5δ
의 관계를 만족하도록 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 정한 것을 특징으로 하는 유도가열 장치.The method of claim 3,
When the thickness of the one heating element and the other heating element is t and the magnetic flux penetration depth in the one heating element and the other heating element is δ,
t <1.5δ
Induction heating apparatus characterized in that the thickness of the one heating element and the other heating element is determined so as to satisfy the relationship.
상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 각각 t, 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체에서의 자속 침투깊이를 δ로 한 경우,
t<1.5δ
의 관계를 만족하도록 상기 한 쪽 발열체와 상기 다른 쪽 발열체의 두께를 정한 것을 특징으로 하는 유도가열 장치.The method of claim 4, wherein
When the thickness of the one heating element and the other heating element is t and the magnetic flux penetration depth in the one heating element and the other heating element is δ,
t <1.5δ
Induction heating apparatus characterized in that the thickness of the one heating element and the other heating element is determined so as to satisfy the relationship.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2011-016800 | 2011-01-28 | ||
JP2011016800A JP4901998B1 (en) | 2011-01-28 | 2011-01-28 | Induction heating device |
PCT/JP2011/072372 WO2012101867A1 (en) | 2011-01-28 | 2011-09-29 | Induction heating device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120098597A true KR20120098597A (en) | 2012-09-05 |
KR101196555B1 KR101196555B1 (en) | 2012-11-01 |
Family
ID=46060702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127006262A KR101196555B1 (en) | 2011-01-28 | 2011-09-29 | Induction heating unit |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4901998B1 (en) |
KR (1) | KR101196555B1 (en) |
CN (1) | CN102763487B (en) |
WO (1) | WO2012101867A1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5127987B1 (en) * | 2012-02-16 | 2013-01-23 | 三井造船株式会社 | Induction heating device |
DE102016119328A1 (en) | 2016-10-11 | 2018-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Heating device, method and system for the production of semiconductor chips in the wafer composite |
CN114521035B (en) * | 2020-11-18 | 2024-04-16 | 中国科学院微电子研究所 | Direct induction heating device and heating method for wafer |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006319123A (en) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Sumco Corp | Apparatus and method for epitaxial growth |
JP5226206B2 (en) * | 2006-12-22 | 2013-07-03 | 三井造船株式会社 | Heat treatment method and heat treatment apparatus using induction heating |
JP5127532B2 (en) * | 2008-03-27 | 2013-01-23 | 三井造船株式会社 | Wafer heat treatment system |
-
2011
- 2011-01-28 JP JP2011016800A patent/JP4901998B1/en active Active
- 2011-09-29 KR KR1020127006262A patent/KR101196555B1/en active IP Right Grant
- 2011-09-29 WO PCT/JP2011/072372 patent/WO2012101867A1/en active Application Filing
- 2011-09-29 CN CN201180004202.8A patent/CN102763487B/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102763487A (en) | 2012-10-31 |
CN102763487B (en) | 2014-04-23 |
WO2012101867A1 (en) | 2012-08-02 |
JP4901998B1 (en) | 2012-03-21 |
JP2012156111A (en) | 2012-08-16 |
KR101196555B1 (en) | 2012-11-01 |
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|
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|
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