KR20120095358A - 산화안티몬 함유 유리 시트의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 배치 (batch)를 용융시키는 단계, 용융된 유리를 하나 이상의 성형 장치로 이송하는 단계, 및 상기 용융 단계 도중 또는 상기 용융된 유리를 하나 이상의 성형 장치로 이송하는 단계 도중에 2％ 내지 30％의 질량 농도의 산화안티몬을 포함하는 유리 프릿을 연속적으로 또는 번갈아 상기 배치에 첨가하는 성형 단계를 포함하는, 산화안티몬을 포함하는 유리 시트의 제조 방법에 관한 것이다. 바람직하게는, 유리 프릿은 하기 구성 성분을 포함한다 (단위: 중량％): SiO2 45 내지 65, Al2O3 0 내지 10, B2O3 0 내지 5, CaO 5 내지 20, MgO 0 내지 10, Na2O 5 내지 20, K2O 0 내지 10, BaO 0 내지 5, Li2O 0 내지 5, Sb2O3 5 내지 30.
Description
본 발명은 유리 프릿 (glass frit)의 분야에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 유리 시트의 제조에 사용될 수 있는 유리 프릿에 관한 것이다.
유리 시트는 많은 용도, 즉 건물 또는 자동차용 글레이징, 에너지 생산, 특히 광전 시스템 또는 태양 에너지 수집용 거울, 디스플레이 스크린 등의 용도에 유용하다.
에너지 생산을 위한 적용에서, 높은 광 투과율 및 에너지 투과율을 갖는 유리 (흔히 "고투명 (extra-clear)" 또는 "초고투명(ultra-clear)" 유리로 지칭됨)가 사용된다. 이들 유리는 소량의 산화철, 특히 소량의 제1철 (Fe2 +)을 함유하는데, 이는 제1철이 가시광 및 근적외 스펙트럼 (따라서 광전지의 최대 효율 범위 내)에서 특히 흡수율이 높기 때문이다. 광 투과율 및 에너지 투과율을 최대화하기 위해서, 유리에 화학적 산화제를 첨가하여 제1철을 산화시켜 제1철의 함량을 가능한 감소시키는 것이 통상적이다. 이에 따라 매우 낮은 산화환원값, 특히 0 또는 거의 0의 산화환원값이 얻어질 수 있다. "산화환원값"이라는 용어는 FeO 형태로 표현되는 산화 제1철의 중량 함량과 Fe2O3 형태로 표현되는 전체 산화철의 중량 함량 사이의 비를 의미하는 것으로 이해된다.
산화제 가운데, 예를 들어 특허출원 FR 2 317 242에 기재된 산화안티몬이 통상적으로 수 년간 사용되어 왔다. 5산화안티몬 (Sb2O5), 소듐 안티모네이트, 또는 3산화안티몬 (Sb2O3)에 의해 배치 혼합물에 안티몬이 첨가되는데, 후자의 경우 일반적으로 질산나트륨과 같은 질산염과 조합된다.
그러나 안티몬을 배치 혼합물에 첨가하는 것은 유리 제조에 있어서 문제가 없는 것은 아니다. 특히, 용융된 산화된 유리에 의한 적외선의 높은 투과율은 버너로부터 퍼니스 (furnace)의 바닥으로의 복사를 통해 열 전달을 촉진시키는 효과를 갖는다. 공업용 퍼니스 중 유리의 높이가 높은 것을 고려하면, 산화환원에 있어서의 작은 차이가 방사선 투과율에 매우 현저한 결과를 초래한다. 따라서 바닥에서 관찰되는 온도는 크게 상승하고, 이로 인해 퍼니스의 사용 수명에 해를 끼친다. 게다가, 산화안티몬은 용융된 유리를 액체 금속, 일반적으로는 주석 위에 붓는 플로트 공정을 포함하는 특정 유리 성형 공정에 비상용성이다. 이러한 이유로, 안티몬을 배치 혼합물에 첨가함으로써 산화안티몬을 사용하는 것은, 적어도 하나가 플로트 장치인 수 개의 성형 장치에 연결된 단일 퍼니스의 경우에는 가능하지 않다. 마지막으로, 산화안티몬의 저장 및 취급은 환경 및 노동 위생학 및 안전의 관점에서 엄격하게 제어되어야 한다.
본 발명의 목적은 상기 단점의 적어도 하나를 극복하는 것이다.
이러한 목적으로, 본 발명의 하나의 요지는, 배치 혼합물을 용융시키는 단계, 용융된 유리를 하나 이상의 성형 장치로 이송하는 단계, 및 상기 용융 단계 도중 또는 상기 용융된 유리를 하나 이상의 성형 장치로 이송하는 단계 도중에 2 내지 30％, 특히 2 내지 20％의 중량 함량의 산화안티몬을 포함하는 유리 프릿을 동시에 또는 번갈아 상기 배치 혼합물에 첨가하는 성형 단계를 포함하는, 산화안티몬을 포함하는 유리 시트의 제조 방법이다.
본 발명의 다른 요지는 2 내지 30％, 특히 2 내지 20％의 중량 함량의 산화안티몬을 포함하는 유리 프릿이다.
산화안티몬을 유리 프릿에 혼입시키는 사실로 유리 프릿의 취급을 용이하게 하는 것이 가능하다. 또한, 용융 단계 후에 프릿을 첨가함으로써, 바닥의 과도한 가열에 수반하는 퍼니스의 사용 수명 감소를 회피하는 것이 가능하다. 실제로, 퍼니스 중에서, 정상 산화환원값, 특히 낮은 철 함량을 갖는 유리의 경우 0.4 내지 0.5의 산화환원값을 갖고 따라서 투과율이 낮은 유리를 용융시키는 것이 가능하다. 용융 후, 및 용융 퍼니스와 성형 장치 사이의 이송 도중, 채널 또는 "공급기 (feeder)" 내에서, 본 발명에 따른 유리 프릿이 첨가될 수 있다. 놀랍게도, 이러한 첨가에 의해 안티몬을 배치 혼합물에 첨가하는 경우보다도 더 높은 수준으로 유리를 매우 강하게 산화시키는 것이 가능하며, 이때 어떤 식으로도 유리의 정련 및 균질성의 관점에서 품질이 저하되지 않는다.
본 발명에 따른 유리 프릿 또는 본 발명에 따른 방법 (따라서 첨가 전)에 사용되는 유리 프릿은 바람직하게는 하기 바람직한 특징 중 하나 이상을 임의의 가능한 조합으로 갖는다:
- 산화안티몬의 중량 함량은 바람직하게는 8 내지 15％이고; 대략 10％의 함량으로써 산업적 규모로 완벽하게 실행가능한 희석률로 0.2 내지 0.3％의 중량 함량을 얻는 것이 가능하다;
- 전체 안티몬에 대한 5가 안티몬 (Sb5 +)의 비율은 바람직하게는 20％ 이상이다. 이러한 비율은 뫼스바우어 (Moessbauer) 분광법으로 측정할 수 있다. 5가 안티몬의 양이 많으면 용융된 유리에 프릿을 첨가할 때 제1철을 보다 효과적으로 산화시킬 수 있다. 유리의 최종 산화 상태에 근접한 산화된 프릿은 또한 유리 중 황산염의 존재에 관련되거나 과도한 안티몬의 환원 도중 산소의 방출에 기인한 리보일링 (reboiling)의 위험을 회피하는 것을 가능하게 한다;
- 유리의 점도가 100 푸아즈 (1 푸아즈 = 0.1 Pa.s)인 온도는 바람직하게는 850 내지 1150 ℃이다;
- 1050 ℃의 온도에서 점도는 30 내지 300 푸아즈이다; 마지막 두 가지 바람직한 특징은 용융된 유리에 첨가되었을 때, 일반적으로는 1000 내지 1150 ℃에서 프릿의 용융을 촉진시킬 수 있고, 용융된 프릿과 용융된 유리의 혼합을 촉진시킬 수 있다;
- 프릿은 바람직하게는 하기 정의된 중량 범위 내에서 달라질 수 있는 함량으로 하기 구성 성분을 포함한다:
SiO2 45 내지 65％
Al2O3 0 내지 10％
B2O3 0 내지 5％, 바람직하게는 0
CaO 5 내지 20％
MgO 0 내지 10％
Na2O 5 내지 20％
K2O 0 내지 10％
BaO 0 내지 5％, 바람직하게는 0
Li2O 0 내지 5％
Sb2O3 5 내지 30％;
- 프릿의 조성은 유리하게는 붕소, 비소, 전이원소의 산화물, 예컨대 CoO, CuO, Cr2O3 및 MnO2, 희토류의 산화물, 예컨대 CeO2, La2O3 및 Nd2O3, 또는 원소 상태의 착색제, 예컨대 Se, Ag, Cu 및 Au를 함유하지 않는다;
- 유리 프릿은 유리하게는 단편의 형태이고, 그의 최대 치수는 10 mm 이하, 심지어 2 mm 이하여서, 유리 배스에 의한 유리 프릿의 융해 및 증해 (digestion)를 촉진시킨다; 그러나 상기 최대 치수는 용융된 유리에 기체, 특히 공기가 도입되지 않도록 바람직하게는 0.1 mm 이상이다.
본 발명의 다른 요지는 본 발명에 따른 프릿의 수득 방법이다. 프릿은 바람직하게는 분체상 배치 혼합물을 용융시킴으로써 수득된다. 용융은 연속식이거나 (예를 들어 탱크 퍼니스 내) 또는 회분식 (예를 들어 포트 퍼니스 내)일 수 있다. 용융된 프릿을 얻는 데 필요한 에너지는 화염 (예를 들어 오버헤드 또는 서브머지형 (submerged) 버너) 또는 전기 (예를 들어 용융 유리 배스에 잠긴 전극, 특히 몰리브덴으로 이루어진 전극)에 의해 공급될 수 있다.
원료는 통상적으로 실리카 규사, 장석, 하석 섬장암, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 석회석 및 백운석으로부터 선택된다. 안티몬 담체는 가능한 5가 안티몬이 풍부한 프릿을 얻도록 바람직하게는 3가 산화안티몬(Sb2O3)보다는 5가 산화안티몬 (Sb2O5)이다. 동일한 이유로, 용융 온도는 바람직하게는 1400 ℃ 이하, 특히 1350 ℃ 이하 또는 1300 ℃ 이하인데, 이는 최저 온도에서 보다 산화된 프릿을 유지할 수 있다는 것이 관찰되었기 때문이다. 동일한 목적으로, 황산염 또는 질산염, 예를 들어 황산나트륨 또는 질산나트륨과 같은 산화제를 배치 혼합물에 혼입시키는 것이 가능하다.
프릿의 성형은 특히 롤링 후 분쇄 및 밀링하여 플레이크를 수득함으로써 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 유리 시트의 수득 방법에서, 유리 프릿은 바람직하게는 용융된 유리를 하나 이상의 성형 장치로 이송하는 단계 도중에만 첨가하는 것이 바람직하다. 실제로, 이러한 실시양태에서 본 발명이 대부분의 이점을 제공한다. 상기 첨가는 바람직하게는 용융된 유리의 온도가 1200 내지 1350 ℃, 특히 1200 내지 1300 ℃일 때 수행된다.
성형은 바람직하게는 몇 개의 롤 사이에서 압연함으로써 수행된다. 캐스팅 롤 중 하나 이상은 바람직하게는 텍스쳐 처리되어 있어 (textured), 유리 시트의 면 중 적어도 하나에 양각 (relief)을 형성할 수 있다. 본 명세서의 이후에서 보다 자세히 설명하는 바와 같이, 특정 양각은 빛을 포획하고 광전지로의 에너지량을 증가시키게 할 수 있다. 예를 들어 후르콜 (Fourcault) 연신 방법 또는 다운드로우 (down-draw) 유형의 방법과 같은 다른 성형 방법이 가능하다.
유리 시트는 용융 및 가공의 용이함을 이유로 소다-석회-실리카 유형의 조성을 갖는 것이 바람직하다. 그러나, 다른 유형의 유리, 특히 보로실리케이트, 알루미노실리케이트 또는 알루미노보로실리케이트 유형의 유리를 사용할 수 있다.
"소다-석회-실리카 유형의 조성"이라는 표현은, 형성 산화물로서 실리카 (SiO2) 및 산화나트륨 (소다 Na2O) 및 산화칼슘 (석회 CaO)를 포함하는 조성을 의미하는 것으로 이해된다. 이러한 조성은 바람직하게는 하기 정의된 중량 범위 내에서 달라질 수 있는 함량으로 하기 구성 성분을 포함한다:
SiO2 60 - 75％
Al2O3 0 - 10％
B2O3 0 - 5％, 바람직하게는 0
CaO 5 - 15％
MgO 0 - 10％
Na2O 5 - 20％
K2O 0 - 10％
BaO 0 - 5％, 바람직하게는 0
본 발명에 따라 수득된 유리 시트는 바람직하게는 ISO 9050: 2003 표준에 규정된 광 투과율이 3.2 mm의 두께에 대해 90％ 이상, 특히 90.5％ 이상, 또는 심지어 91％ 이상이다.
본 발명에 따라 수득된 유리 시트는 바람직하게는 ISO 9050: 2003 표준에 따라 계산한 에너지 투과율 (TE)이 3.2 mm의 두께에 대해 90％ 이상, 특히 90.5％ 이상, 또는 심지어 91％ 이상, 또는 심지어 91.5％ 이상이다.
본 발명에 따라 수득된 유리 시트의 화학적 조성은 바람직하게는 Fe2O3로 표현되는 산화철을 중량 함량으로 0.003％ 내지 0.05％, 특히 0.007％ 내지 0.02％, 또는 0.015％ 이하로 포함한다. 이러한 함량은 높은 광 투과율을 달성하는 것을 가능하게 한다. 그러나 0.005％ 미만의 함량은 얻기 어려운데, 이는 이것이 매우 철저한, 따라서 고비용의 원료 정제를 의미하기 때문이다.
산화안티몬의 첨가로 인해, 얻어진 산화환원값은 일반적으로 0.1 이하, 바람직하게는 0.05 이하, 또는 심지어 0이다.
본 발명에 따라 수득된 유리 시트는 바람직하게는 평탄하거나 만곡되어 있다. 유리 시트가 태양 에너지 수집용 포물선형 거울의 제조에 사용되도록 의도된 경우, 유리 시트는 원통-포물선 형상으로 만곡된 것이 유리하다. 본 발명에 따른 유리 시트는 임의의 크기일 수 있으며, 일반적으로는 0.5 내지 6 미터이다. 그의 두께는 일반적으로 1 내지 10 mm, 특히 2 내지 6 mm이다.
본 발명에 따라 수득된 유리 시트는 바람직하게는 이미 언급된 것들을 제외하고는 (특히 380 내지 1000 nm의 파장의) 가시광선 또는 적외선을 흡수하는 작용제를 전혀 포함하지 않는다. 특히, 본 발명에 따른 조성물은 바람직하게는 전이원소의 산화물, 예컨대 CoO, CuO, Cr2O3 및 MnO2, 희토류의 산화물, 예컨대 CeO2, La2O3 및 Nd2O3, 또는 원소 상태의 다른 착색제, 예컨대 Se, Ag, Cu 및 Au로부터 선택된 작용제를 함유하지 않거나, 이들의 어느 것도 함유하지 않는다. 이들 작용제는 매우 흔히 매우 낮은 함량에서, 어떤 경우는 수 ppm (1 ppm = 0.0001％) 이하 정도에서도 나타나는 매우 강력한 바람직하지 않은 착색 효과를 갖는다. 따라서 이들의 존재는 유리의 투과율을 매우 크게 감소시킨다.
용융은 전극을 사용하여 그리고/또는 오버헤드 버너 및/또는 서브머지형 버너 및/또는 화염이 원료 또는 유리 배스에 영향을 주도록 퍼니스의 지붕에 배치된 버너를 사용하여 가열된 연속 퍼니스에서 수행될 수 있다. 원료는 일반적으로 분체상이고, 천연 물질 (모래, 장석, 석회석, 백운석 및 하석 섬장암 등) 또는 합성 물질 (탄산나트륨 또는 탄산칼륨, 무수붕소, 황산나트륨 등)을 포함할 수 있다. 원료는 퍼니스에 장입된 후 용어의 물리적 의미에서 용융 반응을 일으키고 유리 배스로 유도된 다양한 화학 반응물이 수득된다. 용융된 유리는 이어서 성형 단계로 이송되어 이 때 유리 시트가 그의 형상을 갖게 될 것이다.
본 발명에 따라 수득된 유리 시트의 적어도 한 면에는 하나 이상의 추가의 기능성을 제공하는 하나 이상의 박층 또는 하나 이상의 다층으로 코팅될 수 있다: 반사방지층 또는 반대로 반사층 (예를 들어 거울용 은 도금층), 전도층 (예를 들어 불소 도핑 또는 안티몬 도핑된 산화주석, 또는 알루미늄 도핑 또는 갈륨 도핑된 산화아연 또는 혼합 인듐 주석 산화물 기재), 저방사율 또는 태양광 보호층 (예를 들어 일반적으로 다른 층으로 보호된 은 기재), 오염 방지 또는 자가세정층 (예를 들어 특히 아나타제 형태로 결정화된 산화티탄 기재). 유리 시트가 거울에, 특히 태양 에너지 수집용 거울에 사용하도록 의도된 것인 경우, 시트는 하나 이상의 도료층으로 산화에 대해 보호된 은 층으로 코팅된다.
본 발명에 따라 수득되는 유리 시트는 유리하게는 광전지, 태양 전지, 태양 에너지 수집용 평탄형 또는 포물선형 거울, 또는 LCD (액정 디스플레이) 유형의 백라이트 디스플레이 스크린용 확산기에 사용된다. 본 발명에 따라 수득되는 유리 시트는 또한 유기 발광 다이오드 기재의 스크린 또는 평탄형 램프에도 사용될 수 있다.
광전 분야에 적용되는 경우, 그리고 전지의 에너지 효율을 최대화하기 위하여, 추가로 또는 대안적으로 몇 가지의 개선이 이루어질 수 있다:
- 유리 시트는 유리하게는, 예를 들어 SnO2:F, SnO2:Sb, ZnO:Al 또는 ZnO:Ga를 기재로 하는 하나 이상의 얇고 투명한 전기전도층으로 코팅될 수 있다. 이 층들은 예컨대 화학 증착(CVD) 또는 스퍼터링, 특히 자기장에 의해 증강된 스퍼터링(마그네트론 스퍼터링법)에 의한 퇴적과 같은 다양한 퇴적 방법에 의해 기재 상에 퇴적될 수 있다. CVD법에서, 할라이드 또는 유기금속 전구체는 기화되어 캐리어 가스에 의해 고온 유리의 표면으로 이동되고, 이들은 여기서 열 영향 하에서 분해되어 얇은 층을 형성한다. CVD법의 이점은, 특히 플로트법인 경우, 유리 시트의 성형 공정 중에 사용할 수 있다는 점이다. 따라서, 유리 시트가 주석 배스 상에, 주석 배스의 출구에 또는 유리 융해로(lehr)에 있을 때, 즉 유리 시트를 어닐링할 때 기계적 응력을 제거하기 위해 층을 퇴적시킬 수 있다. 투명한 전기전도층으로 코팅된 유리 시트는 이어서, 광전지를 형성하기 위하여 비정질 또는 다결정질 규소, 황동광 (특히 CIS - CuInSe2 또는 CIGS - CuInGaSe2 유형), 또는 CdTe를 기재로 하는 반도체로 코팅될 수 있다. 이는 특히, 비정질 규소, CIS 또는 CdTe를 기재로 하는 제2의 얇은 층일 수 있다. 이러한 경우, CVD법의 다른 장점은 보다 우수한 거칠기를 얻는다는 것에 있으며, 이는 반도체에 흡수되는 광자의 양을 증가시키는 광-포획 현상을 일으킨다.
- 유리 시트는 그의 면 중 적어도 하나가 반사방지 코팅으로 코팅될 수 있다. 이 코팅은 하나의 층(예를 들어 굴절률이 낮은 다공성 실리카 기재) 또는 수 개의 층을 포함할 수 있다. 후자의 경우, 굴절률이 높은 층과 굴절률이 낮은 층이 교호하고 굴절률이 낮은 층으로 종결되는, 유전 물질을 기재로 한 층으로 구성된 다층 스택이 바람직하다. 특히, 출원 WO 01/94989 또는 WO 2007/077373에 기술된 다층 스택일 수 있다. 반사방지 코팅은 또한 마지막 층으로서 출원 WO 2005/110937에 교시된 바와 같이 광촉매 산화티탄을 기재로 한 자가세정 및 오염방지층을 포함할 수 있다. 이에 따라 장기간 지속되는 낮은 반사율을 얻을 수 있다. 광전 분야에의 적용에서, 반사방지 코팅은 외면, 즉 대기와 접촉하는 면에 배치되며, 선택적인 투명한 전기전도층은 반도체 측에서 내면 상에 배치된다.
- 유리 시트의 표면은 출원 WO 03/046617, WO 2006/134300, WO 2006/134301 또는 WO 2007/015017에 기술된 바와 같이 텍스쳐 처리될 수 있고, 예를 들어 무늬 (특히 피라미드 형태의 무늬)를 가질 수 있다. 이러한 텍스쳐 처리는 일반적으로 유리를 성형하기 위한 압연 공정을 이용하여 수득된다.
본 발명은 이하의 비제한적 대표적 실시양태의 상세한 설명을 읽고나면 보다 잘 이해될 것이다.
도 1은 다양한 실시예에 대해 얻어진 투과율의 광학 스펙트럼을 나타낸다.
실시예
안티몬을 함유하는 2개의 프릿을 제조하였다. 이들의 조성을 하기 표 1에 나타내었다 (중량％로 나타냄). 표에 나타낸 바와 같이, 산화나트륨 (Na2O)의 일부는 질산염 형태로 첨가하고 나머지 부분은 탄산염 형태로 첨가하였다. 1300 ℃에서 2시간 동안 용융시켜 2개의 프릿을 얻었다. 이들은 직경이 수 밀리미터인 입자를 밀링하여 형성되었다.
| 산화물 | 프릿 A (％) | 프릿 B (％) |
| SiO2 | 55 | 60 |
| Na2O (질산염) | 10 | 10 |
| Na2O (탄산염) | 15 | 10 |
| CaO | 9 | 10 |
| Sb2O3 | 10 | 10 |
| Li2O | 1 | 0 |
각각의 프릿을 사용하여 유리를 수득하였으며, 그의 조성은 다음과 같다 (중량％로 나타냄):
SiO2 71.3
Al2O3 0.55
CaO 9.5
MgO 4.0
Na2O 13.85
Fe2O3 0.03
Sb2O3 0.50
시험에 따라, 프릿을 배치 혼합물 (용융 단계 전) 또는 용융 단계 후에 1300 ℃에서 첨가하였다.
비교 시험 C2에 따라, 등량의 안티몬을 5산화안티몬의 형태로 배치 혼합물에 첨가하였다.
비교예 C1의 경우, 안티몬을 첨가하지 않았다.
하기 표 2에는 얻어진 산화환원값 및 에너지 투과율값을 요약하였으며, 각각의 경우 사용된 프릿 (A 또는 B) 및 프릿 도입 방법 (배치 혼합물에 첨가 ("배치" 모드) 또는 용융 후 첨가 ("공급기" 모드)에 의해)을 나타내었다.
TE로 나타낸 에너지 투과율은 3.2 mm 두께의 유리에 대해 ISO 9050: 2003 표준에 따라 계산하였다.
| 시험 | 프릿 | 프릿 도입 | 산화환원값 | TE (％) |
| C1 | - | - | 0.25 | 89.4 |
| C2 | - | - | 0.09 | 90.1 |
| 1 | A | 배치 | 0.09 | 90.1 |
| 2 | B | 배치 | 0.09 | 90.3 |
| 3 | A | 공급기 | 0.02 | 90.6 |
| 4 | B | 공급기 | 0.05 | 90.6 |
산화안티몬을 프릿의 형태로 배치 혼합물에 첨가함으로써, 5산화안티몬을 첨가하였을 때와 유사한 정도로 산화환원값을 낮추는 것이 가능하다.
한편, 용융 단계 후 프릿을 첨가하는 것은 산화환원값을 낮추는 관점에서 더욱 효과적이며, 광 투과율 및 에너지 투과율이 훨씬 높은 유리 시트를 얻는 것을 가능하게 한다.
도 1의 광학 스펙트럼에서도 산화의 효과를 확인할 수 있는데, 제1철에 기인한 흡수 밴드 (1000 nm 부근에 중심이 있음)에서의 감소를 확인할 수 있다.
프릿 A는 프릿 B보다 우수한 결과를 얻는 것을 가능하게 하는데, 아마도 유동성이 더 크기 때문일 것이다.
Claims (14)
- 배치 혼합물 (batch mix)을 용융시키는 단계, 용융된 유리를 하나 이상의 성형 장치로 이송하는 단계, 및 상기 용융 단계 도중 또는 상기 용융된 유리를 하나 이상의 성형 장치로 이송하는 단계 도중에 2 내지 30％의 중량 함량의 산화안티몬을 포함하는 유리 프릿을 동시에 또는 번갈아 상기 배치 혼합물에 첨가하는 성형 단계를 포함하는, 산화안티몬을 포함하는 유리 시트의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 유리 프릿의 산화안티몬의 중량 함량이 8 내지 15％인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 유리 프릿 중 전체 안티몬에 대한 5가 안티몬 (Sb5+)의 비율이 20％ 이상인 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 유리의 점도가 100 푸아즈인 유리 프릿의 온도가 850 내지 1150 ℃인 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1050 ℃의 온도에서 유리 프릿의 점도가 30 내지 300 푸아즈인 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 유리 프릿이 하기 정의된 중량 범위 내에서 달라질 수 있는 함량으로 하기 구성 성분을 포함하는 것인 방법:
SiO2 45 내지 65％
Al2O3 0 내지 10％
B2O3 0 내지 5％, 바람직하게는 0
CaO 5 내지 20％
MgO 0 내지 10％
Na2O 5 내지 20％
K2O 0 내지 10％
BaO 0 내지 5％, 바람직하게는 0
Li2O 0 내지 5％
Sb2O3 5 내지 30％. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 유리 프릿이 단편의 형태이고, 그의 최대 치수가 10 mm 이하, 심지어 2 mm 이하인 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 용융된 유리를 하나 이상의 성형 장치로 이송하는 단계 도중에만 유리 프릿이 첨가되는 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 성형이 수 개의 롤 사이에서 압연함으로써 수행되는 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 유리 시트가 소다-석회-실리카 유형의 조성을 갖고, Fe2O3로 표현되는 산화철을 중량 함량으로 0.003％ 내지 0.05％, 특히 0.007％ 내지 0.02％로 포함하는 것인 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 유리 시트의 산화환원값이 0.1 이하, 특히 0.05 이하, 또는 심지어 0인 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, ISO 9050: 2003 표준에 규정된 유리 시트의 광 투과율이 3.2 mm의 두께에 대해 90％ 이상, 특히 91％ 이상인 방법.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 방법에 의해 수득될 수 있는 유리 시트.
- 제13항에 따른 유리 시트의, 광전지, 태양 전지, 태양 에너지 수집용 평탄형 또는 포물선형 거울, 또는 LCD (액정 디스플레이) 유형의 백라이트 디스플레이 스크린용 확산기에서의 용도.
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