KR20120087022A - 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법 - Google Patents

국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120087022A
KR20120087022A KR1020110008454A KR20110008454A KR20120087022A KR 20120087022 A KR20120087022 A KR 20120087022A KR 1020110008454 A KR1020110008454 A KR 1020110008454A KR 20110008454 A KR20110008454 A KR 20110008454A KR 20120087022 A KR20120087022 A KR 20120087022A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
local contact
solar cell
layer
substrate
electrode
Prior art date
Application number
KR1020110008454A
Other languages
English (en)
Inventor
이규민
Original Assignee
현대중공업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 현대중공업 주식회사 filed Critical 현대중공업 주식회사
Priority to KR1020110008454A priority Critical patent/KR20120087022A/ko
Publication of KR20120087022A publication Critical patent/KR20120087022A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 유전막을 사이에 둔 반도체층과 전극의 국부적 콘택을 용이하게 형성함과 함께 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법은 반도체층을 구비한 태양전지 기판을 준비하는 단계와, 상기 태양전지 기판 상에 국부콘택용 개구입자가 포함된 콜로이드 용액을 도포하는 단계와, 상기 콜로이드 용액의 용액 성분을 제거하는 단계와, 상기 기판 상에, 상기 국부콘택용 개구입자의 크기보다 작은 두께로 유전막을 적층하는 단계와, 상기 국부콘택용 개구입자를 제거하는 단계 및 상기 유전막을 포함한 기판 상에 전극을 적층하여, 상기 국부콘택용 개구입자가 제거된 부위를 통해 전극과 상기 반도체층을 전기적 연결시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법{Method for fabricating solar cell with local semiconductor-electrode contact}
본 발명은 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유전막을 사이에 둔 반도체층과 전극의 국부적 콘택을 용이하게 형성함과 함께 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(diode)라 할 수 있다. 태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양전지의 p-n 접합부에 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다.
태양전지의 광전변환 효율을 개선하기 위해 다양한 구조의 태양전지가 제시되고 있으며, 그 중 하나로 PERL(passivated emitter rear locally diffused)형 태양전지를 들 수 있다. PERL형 태양전지는 기판(p-type) 후면측에 국부적 반도체층(locally p+)이 구비되고, 국부적 반도체층을 포함한 기판 후면 상에 표면 부동화 및 반사방지 역할을 하는 패시베이션층(passivation layer)이 구비되며, 패시베이션층 상에 후면전극이 구비되는 구조를 갖는다.
이와 같은 PERL형 태양전지에 있어서, 이 때, 의 일부는 개구되며 개구된 부위를 통해 국부적 반도체층과 후면전극이 전기적으로 연결되는 구조(locally contact)를 이루는데, 패시베이션층의 역할을 극대화하기 위해서는 패시베이션층의 개구 부위가 최소화되어야 하며, 이와 함께 개구된 부위의 전기적 접촉 특성이 담보되어야 한다.
종래의 경우, 국부적 반도체층(도시하지 않음)이 형성된 기판(101) 후면 상에 패시베이션층(102)을 적층한 다음(도 1a 참조), 사진식각(photolithography) 또는 레이저 공정을 통해 패시베이션층(102)의 일부를 제거한 후(도 1b 참조) 패시베이션층(102)의 전면 상에 후면전극(103)을 형성(도 1c 참조)하는 방법을 택하고 있다. 그러나, 사진식각 공정의 경우 공정이 복잡하고 생산단가가 상승되는 단점이 있으며, 레이저 공정의 경우(미국등록특허 US 6,982,218호, 'Method of producing a semiconductor-metal contact through a dielectric layer'), 개구된 부위의 크기 축소가 제한적이라(10㎛ 미만 어려움) 전기적 특성 개선에 한계가 있다.
한편, PERL형 태양전지 이외에 패시베이션층을 사이에 두고 반도체층과 전극의 국부적 콘택(locally contact)이 유도되는 구조 예를 들어, IBC(interdigitated back contact)형 태양전지 등을 구현함에 있어서, 상술한 바와 같은 공정상 어려움이 예상된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 유전막을 사이에 둔 반도체층과 전극의 국부적 콘택을 용이하게 형성함과 함께 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법은 반도체층을 구비한 태양전지 기판을 준비하는 단계와, 상기 태양전지 기판 상에 국부콘택용 개구입자가 포함된 콜로이드 용액을 도포하는 단계와, 상기 콜로이드 용액의 용액 성분을 제거하는 단계와, 상기 기판 상에, 상기 국부콘택용 개구입자의 크기보다 작은 두께로 유전막을 적층하는 단계와, 상기 국부콘택용 개구입자를 제거하는 단계 및 상기 유전막을 포함한 기판 상에 전극을 적층하여, 상기 국부콘택용 개구입자가 제거된 부위를 통해 전극과 상기 반도체층을 전기적 연결시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체층은 태양전지 기판의 후면부 또는 전면부에 구비될 수 있다. 또한, 상기 반도체층은 이격되어 반복, 배치될 수 있으며 이 경우 서로 반대되는 도전형의 반도체층이 이격되어 반복, 배치된다.
상기 국부콘택용 개구입자는 0.1?100㎛의 크기를 가지며, 실리카 또는 폴리스티렌으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 전극과 반도체층의 콘택 면적은 상기 콜로이드 용액 내의 국부콘택용 개구입자의 농도에 의해 결정될 수 있다.
본 발명에 따른 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
마이크로 또는 나노 단위의 크기를 갖는 입자의 도포, 제거를 통해 전극과 반도체층의 접촉점을 마이크로 또는 나노미터 수준으로 축소할 수 있으며, 이에 따라 기존 레이저 공정 대비 동일한 개구율을 유지하면서 접촉점을 더 촘촘히 배치시켜 전극의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 콜로이드 용액 내의 입자 농도 또는 도포 공정을 제어함으로써 전극과 반도체층의 콘택 면적을 용이하게 제어할 수 있게 된다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 국부적 콘택 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 국부적 콘택 구조를 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 국부적 콘택 구조를 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도.
도 4a 및 도 4b는 각각 이방성 증착공정 및 등방성 증착고정에 따른 증착물질의 증착 패턴을 설명하기 위한 참고도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 국부적 콘택 구조를 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 국부적 콘택 구조를 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 순서도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 국부적 콘택 구조를 태양전지의 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 도 2에 도시한 바와 같이 반도체층(302)이 구비된 태양전지 기판(301)을 준비한다(S201). 상기 반도체층(302)은 상기 태양전지 기판(301)의 후면부에 구비되며, 기판(301)의 전면부에 구비될 수도 있다. 또한, 상기 반도체층(302)은 복수의 반도체층(302)이 일정 간격 이격된 형태로 구비될 수 있으며, 상기 복수의 반도체층(302)은 동일 도전형으로 구성되거나 서로 다른 도전형으로 구성될 수 있다. 서로 다른 도전형으로 구성되는 경우, 제 1 도전형의 반도체층(302)과 제 2 도전형의 반도체층(302)이 교번, 배치되는 구조를 이룬다. 여기서, 상기 제 1 도전형과 제 2 도전형은 서로 반대되는 도전형이며, 제 1 도전형은 n형 또는 p형이다.
이와 같은 상태에서, 상기 태양전지 기판(301) 상에 국부콘택용 개구입자(303)가 포함된 콜로이드 용액을 도포한다(S202). 상기 국부콘택용 개구입자(303)가 포함된 콜로이드 용액은 콜로이드 용액 내에서 국부콘택용 개구입자(303)가 고르게 분산된 형태를 이루어야 하며, 이를 위해 충분한 교반이 미리 이루어져야 한다. 상기 콜로이드 용액의 도포는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 역젖음(de-wetting) 방법 중 어느 하나를 이용할 수 있다.
또한, 상기 콜로이드 용액 내에 포함되는 국부콘택용 개구입자(303)는, 반도체층과 전극 사이의 국부 콘택을 위한 (개구)공간을 제공하는 것으로서, 후속의 유전막(304) 증착시 등방성 증착공정을 이용하는 경우 입자(303)와 기판(301) 사이로 유전막(304) 물질이 침투되는 것을 고려하여 상기 국부콘택용 개구입자(303)의 직경은 후속의 국부콘택용 개구입자 제거를 인해 생성되는 공간의 크기보다 크도록 설정하는 것이 바람직하다. 상기 국부콘택용 개구입자(303)로는 실리카(silica) 또는 폴리스티렌(polystyrene)이 이용될 수 있다.
상기 국부콘택용 개구입자(303)가 포함된 콜로이드 용액의 도포 후, 기판(301)을 일정 온도로 가열하여 용액 성분을 휘발시킨다(S203). 이에 따라, 기판(301) 상에는 도 3a에 도시한 바와 같이 국부콘택용 개구입자(303)만이 존재한다. 상기 국부콘택용 개구입자(303)가 기판(301)(정확히는, 기판(301)의 반도체층(302))과 접촉하는 면적은 전극(305)과 반도체층(302) 사이의 국부적 콘택 면적에 상응함에 따라, 국부적 콘택 면적은 상기 콜로이드 용액 내의 국부콘택용 개구입자(303)의 농도 및 도포 공정의 공정조건에 의해 결정된다.
상기 국부콘택용 개구입자(303)가 기판(301) 상에 산재한 상태에서, 도 3b에 도시한 바와 같이 기판(301) 상에 유전막(304)을 적층한다(S204). 상기 유전막(304)의 두께는 상기 국부콘택용 개구입자(303)의 크기보다 작아야 하며, 그 이유는 입자(303) 표면에 증착되는 유전막 물질이 기판 표면의 유전막 물질과 결합되는 것을 최소화하여 입자(303)가 기판(301)으로부터 제거되는 것을 용이하게 하기 위함이다. 이를 만족시키기 위해 상기 유전막(304)은 5?100nm의 두께로 형성할 수 있다. 한편, 상기 유전막(304)의 적층은 Evaporation, Sputtering 등의 이방성(anisotropic) 증착공정 또는 ALD(atomic layer deposition), CVD(chemical vapor deposition) 등의 등방성(isotropic) 증착공정을 이용할 수 있다. 이방성 증착공정을 이용하는 경우(도 4a 참조), 입자(303)와 기판(301) 사이의 공간에 증착 물질이 침투하지 않아 개구되는 부위의 크기가 입자의 크기와 비슷해지며, 등방성 증착공정을 이용하는 경우(도 4b 참조), 입자(303)와 기판(301) 사이의 공간에 증착 물질이 침투하여 개구되는 부위의 크기가 입자의 크기보다 작아진다. 상기 유전막(304)은 Al2O3 또는 SiNx 등이 이용될 수 있다.
한편, 상기 유전막은 패시베이션층의 단일층으로 구성되거나, 패시베이션층과 보호층이 순차적으로 적층된 2중층 구조로 구성될 수 있다. 상기 패시베이션층은 표면 부동화 및 반사방지의 역할을 하며, 상기 보호층은 상기 패시베이션층을 외부 환경으로부터 보호하는 역할을 한다.
상기 유전막(304)이 적층된 상태에서, 초음파 세척 또는 물 세척 방법을 이용하여 상기 국부콘택용 개구입자(303)를 제거한다(S205). 상기 국부콘택용 개구입자(303)가 제거된 부위(304a)에는 기판(301)이 노출된다(도 3c 참조). 상기 국부콘택용 개구입자(303)의 제거 후 기판(301)을 일정 온도로 건조하여 수분 등을 제거하는 것이 바람직하며, 제거된 국부콘택용 개구입자(303)는 재활용할 수도 있다.
그런 다음, 기판(301) 전면 상에 전극(305)을 적층한다(S206). 이에 따라, 도 3d에 도시한 바와 같이 상기 국부콘택용 개구입자(303)가 제거되어 기판(301)이 노출된 부위에는 전극(305)이 접촉하게 되어 궁극적으로, 상기 전극(305)과 기판(301)의 반도체층(302)이 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 국부콘택용 개구입자(303)가 제거된 부위(304a)를 매개로 상기 전극(305)과 반도체층(302)이 국부적 콘택(local contact)을 이루게 된다. 상기 전극(305)을 적층하는 방법은 스크린 프린팅법, sputtering, evaporation 등 제반 방법을 이용할 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이 상기 유전막은 패시베이션층과 보호층의 2중층으로 구성될 수 있는데, 이 경우 상술한 바와 같은 공정 이외에 다른 공정을 적용할 수 있다. 구체적으로, 도 5에 도시한 바와 같이 기판(601)이 준비된 상태에서(S501) 상기 기판(601) 상에 패시베이션층(603)을 형성하고(S502)(도 6a 참조), 상기 패시베이션층(603) 상에 국부콘택용 개구입자(604)를 포함한 콜로이드 용액을 도포한다(S503). 그런 다음, 콜로이드 용액 성분을 휘발시켜(S504) 패시베이션층(603) 상에 국부콘택용 개구입자(604)가 산재된 상태를 이룬 후(도 6b 참조), 상기 국부콘택용 개구입자(604)를 포함한 패시베이션층(603) 상에 보호층(605)을 적층한다(S505)(도 6c 참조). 이 때, 보호층(605)의 두께는 상기 국부콘택용 개구입자(604)보다 작아야 한다. 이와 같은 상태에서, 초음파 세척 등을 통해 상기 국부콘택용 개구입자(604)를 제거하여(S506) 패시베이션층(603)을 국부적으로 노출시킨다(도 6d 참조). 그런 다음, 프릿(frit)을 포함하는 도전성 페이스트(606)를 상기 보호층(605) 상에 스크린 프린팅한다(S507). 이어, 일정 온도에서 소성(firing)하면(S508), 상기 도전성 페이스트(606)는 상기 국부콘택용 개구입자(604)가 제거된 부위(604a)를 통해 패시베이션층(603)과 접촉하고 나아가 상기 패시베이션층(603)을 침투하여 패시베이션층(603) 하부의 기판(601) 즉, 반도체층(602)과 접촉하게 된다(S509)(도 6e 참조).
이와 같은 공정에 있어서, 상기 패시베이션층(603)은 상기 도전성 페이스트(606)의 소성시 상기 도전성 페이스트(606)의 침투가 가능한 물질로 구성되어야 하며, 반대로 상기 보호층(605)은 상기 도전성 페이스트(606)의 침투가 가능하지 않은 물질로 구성되어야 한다.
본 발명에 있어서, 전극(305)과 반도체층(302)의 콘택이 복수의 마이크로 또는 나노입자(303) 단위 접촉점(국부콘택용 개구입자(303)가 제거된 부위(304a))을 통해 이루어짐에 따라, 일부 접촉점에서의 콘택 불량이 발생되더라도 접촉점 단위의 불량임에 따라 전극(305)과 반도체층(302) 사이의 전기적 특성을 일정 수준으로 담보할 수 있게 된다. 또한, 전극(305)과 반도체층(302) 사이의 콘택 면적이 국부콘택용 개구입자(303)의 수에 따라 결정됨에 따라, 콜로이드 용액 내에 포함되는 국부콘택용 개구입자(303)의 농도 조절을 통해 전극(305)과 반도체층(302) 사이의 콘택 면적을 용이하게 조절할 수 있게 된다.
한편, 본 발명에 따른 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법은 반도체층과 전극이 국부적 콘택을 이루는 제반 태양전지에 적용될 수 있으며, 일 예로 PERL형 태양전지, IBC형 태양전지 등에 적용될 수 있다.
301 : 태양전지 기판 302 : 반도체층
303 : 국부콘택용 개구입자 304 : 유전막
305 : 전극

Claims (11)

  1. 반도체층을 구비한 태양전지 기판을 준비하는 단계;
    상기 태양전지 기판 상에 국부콘택용 개구입자가 포함된 콜로이드 용액을 도포하는 단계;
    상기 콜로이드 용액의 용액 성분을 제거하는 단계;
    상기 기판 상에, 상기 국부콘택용 개구입자의 크기보다 작은 두께로 유전막을 적층하는 단계;
    상기 국부콘택용 개구입자를 제거하는 단계; 및
    상기 유전막을 포함한 기판 상에 전극을 적층하여, 상기 국부콘택용 개구입자가 제거된 부위를 통해 전극과 상기 반도체층을 전기적 연결시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 태양전지 기판의 후면부 또는 전면부에 구비되는 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 이격되어 반복, 배치되는 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 서로 반대되는 도전형의 반도체층이 이격되어 반복, 배치되는 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 국부콘택용 개구입자는 0.1?100㎛의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 국부콘택용 개구입자는 실리카 또는 폴리스티렌으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 전극과 반도체층의 콘택 면적은 상기 콜로이드 용액 내의 국부콘택용 개구입자의 농도에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 유전막은 패시베이션층인 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 유전막은 패시베이션층과 보호층의 이중층 구조인 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  10. 반도체층을 구비한 태양전지 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 패시베이션층을 적층하는 단계;
    상기 패시베이션층 상에 국부콘택용 개구입자가 포함된 콜로이드 용액을 도포하는 단계;
    상기 콜로이드 용액의 용액 성분을 제거하는 단계;
    상기 패시베이션층 상에, 상기 국부콘택용 개구입자의 크기보다 작은 두께로 보호층을 적층하는 단계;
    상기 국부콘택용 개구입자를 제거하여 패시베이션층을 국부적으로 노출시키는 단계; 및
    상기 보호층 상에 전극을 적층하여, 상기 국부콘택용 개구입자가 제거된 부위를 통해 전극과 상기 반도체층을 전기적 연결시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 보호층 상에 전극을 적층하여, 상기 국부콘택용 개구입자가 제거된 부위를 통해 전극과 상기 반도체층을 전기적 연결시키는 단계는,
    상기 보호층 상에 프릿(frit)을 포함하는 도전성 페이스트를 프린팅하는 과정과,
    상기 도전성 페이스트를 소성하여, 상기 도전성 페이스트가 상기 국부콘택용 개구입자가 제거된 부위를 통해 상기 패시베이션층을 침투하여 기판의 반도체층과 접촉하는 과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법.
KR1020110008454A 2011-01-27 2011-01-27 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법 KR20120087022A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110008454A KR20120087022A (ko) 2011-01-27 2011-01-27 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110008454A KR20120087022A (ko) 2011-01-27 2011-01-27 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120087022A true KR20120087022A (ko) 2012-08-06

Family

ID=46872681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110008454A KR20120087022A (ko) 2011-01-27 2011-01-27 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120087022A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101027829B1 (ko) 후면전극형 태양전지의 제조방법
US20120222734A1 (en) Solar battery cell and method of manufacturing the same
US20140083498A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
TWI474488B (zh) 太陽能電池
KR20110118993A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20120109537A (ko) 유기 광전지 셀과, 그러한 셀을 포함하는 모듈
CN101803038A (zh) 薄膜太阳能电池元件及其制造方法
JP5882573B2 (ja) 太陽電池及びその製造方法
JP5667280B2 (ja) 太陽電池及びその製造方法
KR101038967B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
TW201340345A (zh) 太陽能電池
JP2014072209A (ja) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
KR101339808B1 (ko) 태양전지 셀의 후면 전계 영역 형성방법 및 그에 의한 태양전지 셀
KR101588458B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
EP2634816A1 (en) Solar battery cell and method of manufacturing the same
KR20120087022A (ko) 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법
TW201431108A (zh) 指叉狀背部電極太陽能電池之製造方法及其元件
KR20090110048A (ko) 투명 도전막, 이를 이용한 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101181625B1 (ko) 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
JP2009099435A (ja) 色素増感太陽電池
KR20120087023A (ko) 국부적 콘택 구조를 갖는 태양전지의 제조방법
KR101155192B1 (ko) 태양전지의 제조방법
KR20120063856A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101699315B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR101122048B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination