KR20120086272A - 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

에칭 속도가 크고, 실리콘 산화물에 대한 실리콘 질화물의 에칭 선택비가 높은 액처리 방법, 액처리 장치 및 상기 방법을 기억한 기억 매체를 제공한다. 실리콘 질화물과 실리콘 산화물이 노출된 기판을 에칭 용액에 의해 에칭함에 있어서, 불소 이온원과 물과 비점 조절제를 혼합하여 에칭 용액을 조제하고, 이 에칭 용액에 의해 상기 기판을 에칭할 때에 실리콘 질화물의 에칭 속도가 100 Å/분 이상이 되고, 실리콘 산화물의 에칭 속도에 대한 실리콘 질화물의 에칭 속도의 비가 75 이상이 되도록, 당해 에칭 용액의 온도를 미리 설정한 시간 동안 140℃ 이상의 온도로 유지한 다음, 당해 에칭 용액에 의해 상기 기판을 에칭한다.

Description

액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING METHOD, LIQUID PROCESING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 실리콘 질화물을 에칭하는 기술에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에서 SiN(실리콘 질화물)막과 SiO2(실리콘 산화물)막이 표면에 노출된 기판에 대하여, SiN막을 선택적으로 에칭하여 제거하는 공정이 있다. SiN막의 선택적인 에칭 방법으로서 특허 문헌 1에는 불화 수소(HF)와 황산(H2SO4)과 물(H2O)을 포함하는 에칭 용액을 비점 온도까지 가열하여 에칭을 행하는 기술이 기재되어 있다. 그러나, 처리 시간을 짧게 하기 위하여 보다 높은 에칭 속도가 요구되고 있고 또한 SiO2막의 에칭 속도에 대한 SiN막의 에칭 속도의 비(선택비)도 충분하지 않다.
일본특허공개공보 2002-246378호 : 청구항 16, 단락 0093 ~ 0098, 도 18
본 발명은 이러한 배경 하에 이루어진 것으로, 에칭 속도가 높고 또한 실리콘 산화물에 대한 실리콘 질화물의 에칭 선택비가 높은 액처리 방법, 액처리 장치 및 상기 방법을 기억한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 액처리 방법은, 실리콘 질화물과 실리콘 산화물이 노출된 기판을 에칭 용액에 의해 에칭하는 액처리 방법으로서, 불소 이온원과 물과 비점 조절제를 혼합하여 에칭 용액을 조제하는 공정과, 상기 에칭 용액에 의해 상기 기판을 에칭할 때에 실리콘 질화물의 에칭 속도가 100 Å/분 이상이 되고, 실리콘 산화물의 에칭 속도에 대한 실리콘 질화물의 에칭 속도의 비가 75 이상이 되도록, 상기 에칭 용액의 온도를 미리 설정한 시간 동안 140℃ 이상의 온도로 유지하는 공정과, 상기 미리 설정한 시간 동안 140℃ 이상의 온도로 유지된 에칭 용액에 의해 상기 기판을 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 액처리 방법은 이하의 특징을 구비하고 있어도 좋다.
(a) 상기 불소 이온원은 불화 수소 또는 불화 암모늄인 것이다.
(b) 상기 비점 조절제는 황산 또는 디메틸 설폭시드인 것이다.
(c) 상기 140℃ 이상의 온도는 상기 에칭 용액이 비등하는 온도 미만인 것이다.
본 발명은 불소 이온원과 물과 비점 조절제를 혼합하여 조제된 에칭 용액을 140℃ 이상의 온도로 유지함으로써, 당해 에칭 용액이 실리콘 질화물을 선택적으로 에칭하는데 적합한 상태가 되어, 실리콘 질화물의 에칭 속도를 100 Å/분 이상으로 하고, 실리콘 산화물의 에칭 속도에 대한 실리콘 질화물의 에칭 속도의 비를 75 이상으로 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 에칭을 행하기 전의 웨이퍼 표면의 단면도이다.
도 2는 상기 에칭 후의 웨이퍼 표면의 단면도이다.
도 3은 상기 에칭을 행하는 액처리 장치의 횡단 평면도이다.
도 4는 상기 액처리 장치에 설치되어 있는 액처리 유닛의 종단 측면도이다.
도 5는 상기 액처리 유닛에의 에칭 용액의 공급 계통을 도시한 설명도이다.
도 6은 상기 에칭 용액의 공급 계통에 설치된 가열 탱크의 동작의 흐름을 나타낸 순서도이다.
도 7은 상기 가열 탱크의 가열 동작 및 여기에서 에칭 용액을 공급하는 동작의 타임 차트이다.
도 8은 에칭 용액의 공급 계통의 다른 예를 도시한 설명도이다.
도 9는 에칭 용액의 공급 계통의 또 다른 예를 도시한 설명도이다.
도 10은 실험예의 실험 결과를 나타낸 제 1 설명도이다.
도 11은 실험예의 실험 결과를 나타낸 제 2 설명도이다.
도 12는 실험예의 실험 결과를 나타낸 제 3 설명도이다.
본 발명의 실시예에 따른 액처리 장치(1)의 구체적인 구성을 설명하기 전에, 당해 액처리 장치(1)를 이용하여 에칭이 행해지는 웨이퍼(W)(기판)의 구성예에 대하여, 도 1, 도 2를 참조하여 간단히 설명한다. 도 1에 도시한 웨이퍼(W)에는 복수의 오목부(62)를 구비한 실리콘막(61)이 형성되고, 이 실리콘막(61)의 상면에는 SiO2막(63)이 적층되어 있다. 당해 SiO2막(63) 상에는 다른 SiO2막(64)이 적층되어 있고, 이에 의해 상기 오목부(62) 내는 당해 SiO2막(64)이 매립된 상태로 되어 있다. 이 상층측인 SiO2막(64)은 그 상부측이 오목부(62)보다 높은 위치까지 돌출되어 있다. 그리고, 이웃하는 오목부(62)끼리의 사이의 볼록부 상에 형성된 SiO2막(64)이 제거되고, 거기에 SiN막(65)이 매립되어 있다. 그 결과, 이 웨이퍼(W)의 표면은 SiN막(65)과 SiO2막(64)이 노출된 상태가 되어 있고, 액처리 장치(1)는 SiN을 선택적으로 에칭함으로써, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 SiN막(65)을 제거할 수 있다.
상술한 기능을 구비한 액처리 장치(1)의 구성에 대하여, 도 3 ~ 도 5를 참조하여 설명한다. 도 3의 횡단 평면도에 도시한 바와 같이, 액처리 장치(1)는 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 FOUP(100)를 재치(載置)하는 재치 블록(11)과, 재치 블록(11)에 재치된 FOUP(100)로부터의 웨이퍼(W)의 반입?반출을 행하는 반입출 블록(12)과, 반입출 블록(12)과 후단(後段)의 액처리 블록(14)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 블록(13)과, 웨이퍼(W)에 액처리를 실시하기 위한 액처리 블록(14)을 구비하고 있다.
재치 블록(11)은 복수의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 FOUP(100)를 재치대(111) 상에 재치한다. 반입출 블록(12)은 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 전달 블록(13)은 웨이퍼(W)의 전달을 행한다.
반입출 블록(12)은 제 1 웨이퍼 반송 기구(121)를 가지고 있다. 제 1 웨이퍼 반송 기구(121)는 웨이퍼(W)를 보지(保持)하는 반송 암(122) 및 반송 암(122)을 전후로 이동시키는 기구를 가지고 있다. 또한, 제 1 웨이퍼 반송 기구(121)는 FOUP(100)의 배열 방향으로 연장되는 수평 가이드(123)를 따라 이동하는 기구, 도시하지 않은 수직 가이드를 따라 이동하는 기구, 수평면 내에서 반송 암(122)을 회전시키는 기구를 가지고 있다. 이 제 1 웨이퍼 반송 기구(121)에 의해, FOUP(100)와 전달 블록(13)과의 사이에서 웨이퍼(W)가 반송된다.
전달 블록(13)은 웨이퍼(W)를 재치 가능한 전달 선반(131)을 가지고 있다. 전달 블록(13)에서는 이 전달 선반(131)을 통하여 반입출 블록(12) 및 액처리 블록(14)의 반송 기구 사이(기술한 제 1 웨이퍼 반송 기구(121) 및 후술하는 제 2 웨이퍼 반송 기구(143) 사이)에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
액처리 블록(14)은 복수의 액처리 유닛(2)이 배치된 액처리부(141)와, 웨이퍼(W)의 반송이 행해지는 반송부(142)를 하우징 내에 내장한 구성으로 되어 있다. 반송부(142)는 전달 블록(13)과의 접속부를 기단(基端)으로서 전후 방향으로 연장되는 공간 내에 제 2 웨이퍼 반송 기구(143)를 배치하여 이루어진다. 제 2 웨이퍼 반송 기구(143)는 웨이퍼(W)를 보지하는 반송 암(144) 및 반송 암(144)을 전후로 이동시키는 기구를 가지고 있다. 또한, 제 2 웨이퍼 반송 기구(143)는 전후 방향으로 연장되는 수평 가이드(145)를 따라 이동하는 기구, 수직 방향으로 설치된 도시하지 않은 수직 가이드를 따라 이동하는 기구, 수평면 내에서 반송 암(144)을 회전시키는 기구를 가지고 있다. 이 제 2 웨이퍼 반송 기구(143)에 의해, 기술한 전달 선반(131)과 각 액처리 유닛(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다.
액처리부(141)에는 반송부(142)를 형성하는 공간이 연장되는 방향을 따라, 복수 대, 예를 들면 6 대의 액처리 유닛(2)이 횡방향으로 나란히 배치되어 있다. 이 액처리부(141)는 반송부(142)를 사이에 두고 2 열로 설치되어 있고, 본 예의 액처리 장치(1)는 합계로 12 대의 액처리 유닛(2)을 구비하고 있다.
각 액처리부(141) 내에 설치되어 있는 액처리 유닛(2)은 웨이퍼(W)를 수평으로 보지하여 수직축을 중심으로 회전시키면서 그 표면(상면)으로 에칭 용액을 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 노출되어 있는 SiN막(65)을 선택적으로 에칭하는 역할을 한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 액처리 유닛(2)은 웨이퍼(W)를 흡착 보지하는 스핀 척(24)과, 이 스핀 척(24)을 하면측으로부터 지지하여 회전시키는 회전축(251)과, 이 회전축(251) 내에 관통하여 삽입되고, 반송 암(144)과의 사이에서의 전달 시에 웨이퍼(W)를 승강시키는 리프터(252)와, 웨이퍼(W)의 표면측으로 에칭 용액을 공급하기 위한 노즐부(28)와, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 떨어진 에칭 용액을 받아 외부로 배출하기 위한 내측 컵(23)과, 스핀 척(24) 및 내측 컵(23)을 수용하고, 액처리 유닛(2) 내의 분위기의 배기가 행해지는 외측 컵(22)을 구비하고 있다.
스핀 척(24)은 중앙에 개구부가 형성된 원판(圓板) 형상의 부재이며, 그 상면에는 웨이퍼(W)를 이면(하면)측으로부터 흡착 보지하기 위한 진공 펌프 등에 접속되는 도시하지 않은 흡인홀이 개공(開孔)되어 있다.
이 스핀 척(24)을 하면측으로부터 지지하는 회전축(251)은 액처리부(141) 내의 베이스 플레이트(27) 상에 설치된 축 받이부(253)에 회전 가능한 상태로 보지되어 있다. 회전축(251)은 그 하단부(下端部)가 베이스 플레이트(27)로부터 하방측으로 돌출되어 있고, 그 하단부에는 풀리부(264)가 설치되어 있다. 또한, 회전축(251)의 측방 위치에는 모터(261)가 설치되어 있고, 이 모터(261)의 회전축에도 풀리(262)가 설치되어 있다. 그리고, 이들 2 개의 풀리(262, 264)에 구동 벨트(263)를 권회함으로써 회전축(251)의 회전 기구가 구성되고, 모터(261)를 구동시킴으로써 회전축(251)을 원하는 회전 속도로 회전시킬 수 있다. 상술한 스핀 척(24), 회전축(251) 또는 그 회전 기구(261 ~ 264)는 본 실시예의 기판 보지부에 상당한다.
리프터(252)의 상단면에는 웨이퍼(W)를 하면측으로부터 지지하기 위한 지지 핀이 설치되어 있고, 그 하단측에는 리프터(252)를 승강시키기 위한 승강 모터(265)가 설치되어 있다. 그리고, 리프터(252) 전체를 상승, 하강시켜 스핀 척(24)의 개구부로부터 리프터(252)를 돌출 및 함몰시킴으로써, 지지 핀 상에 웨이퍼(W)를 지지하고, 반송 암(144)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치와 스핀 척(24) 상의 처리 위치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 승강시킬 수 있다.
내측 컵(23)은 스핀 척(24)에 보지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치된 원환(圓環) 형상의 부재이며, 저면(底面)에 접속된 배액용 배관(231)을 통하여 내부의 에칭액 등을 배출할 수 있다. 외측 컵(22)은 내측 컵(23)과의 사이의 간극으로부터 유입된 기류를 배기하는 역할을 하고, 그 저면에는 배기용의 배기 라인(221)이 접속되어 있다. 외측 컵(22) 및 내측 컵(23)의 상면에는 웨이퍼(W)보다 대구경(大口徑)인 개구부가 형성되어 있고, 리프터(252)에 지지된 웨이퍼(W)는 이 개구부를 통하여 상하 방향으로 이동할 수 있다. 액처리 유닛(2)은 본 실시예의 에칭부에 상당한다.
웨이퍼(W)의 상면으로 에칭 용액을 공급하는 노즐부(28)는 노즐 암(281)에 지지되어 있고, 스핀 척(24)에 보지된 웨이퍼(W)의 상방의 처리 위치와, 이 처리 위치로부터 퇴피한 퇴피 위치와의 사이에서 이동할 수 있다. 노즐부(28)는 웨이퍼(W)의 표면으로 에칭 용액을 공급하는 계통에 접속되어 있다.
이어서, 각 액처리 유닛(2)으로 에칭 용액을 공급하는 계통의 구성에 대하여, 도 5를 참조하여 설명한다. 본 실시예에 따른 액처리 장치(1)는 불소 이온원과 물과 비점 조절제를 포함하는 에칭 용액을 사용한다. 불소 이온원으로서는, 예를 들면 불화 수소(HF) 또는 불화 암모늄(NH4F)이 적합하지만, 에칭 용액 내에서 불소 이온(F＋)을 공급하는 것이 가능하면 다른 물질이어도 좋다. 물은 에칭 용액에 수산화물 이온(OH－)을 공급하는 역할을 하고, 불소 이온과 수산화물 이온과의 작용에 의해 SiN이 에칭되는 것이라 생각된다.
여기서, 불소 이온과 물을 포함하는 에칭 용액은 온도를 높게 함으로써 불소 이온 또는 수산화물 이온이 활성화되어, SiN을 에칭하는 선택성을 높일 수 있다. 한편, 가열에 의해 에칭 용액이 증발하면, 이 증기와 함께 불소 이온이 소실되어 에칭 속도가 저하된다는 것도 파악되고 있다. 비점 조절제는 에칭 용액의 비점을 높게 함으로써, 가열된 에칭 용액 중의 불소 이온 농도가 저하되는 것을 억제하는 역할을 한다. 비점 조절제로서는 황산(H2SO4) 또는 디메틸 설폭시드((CH3)2SO) 등 수용액의 비점을 상승시키는 작용을 가지는 화합물이 채용된다.
에칭 용액의 각 성분의 농도는 특정한 농도 범위에 한정되지 않지만, 예를 들면 불소 이온원을 0.005 ~ 0.02 wt%, 비점 조절제를 70 ~ 95 wt% 포함하고, 나머지는 물에 의해 구성하는 경우 등이 고려된다. 이와 같이 하여 구성되는 에칭 용액에 대하여, 추가로 계면 활성제 등을 첨가하여, 도 1에 도시한 바와 같이, SiN막(65)이 매립된 미세한 구조 내로 에칭 용액을 쉽게 진입시킬 수 있도록 해도 좋다.
본 예의 액처리 장치(1)는 상술한 에칭 용액의 원료를 저장하는 원료 저장부로서 황산 저장부(36) 및 불산 저장부(37)를 구비하고 있다. 황산 저장부(36)에는, 예를 들면 80 wt%의 농황산(濃黃酸)이 저류되고, 불산 저장부(37)에는, 예를 들면 0.01 wt%의 희불산이 저류되어 있다. 황산 저장부(36) 및 불산 저장부(37)는 혼합부인 혼합 탱크(35)에 접속되어 있고, 이 혼합 탱크(35)에서 불소 이온원(HF), 물, 비점 조절제(H2SO4)를 원하는 농도로 포함하는 에칭 용액이 조제되어, 각 액처리 유닛(2)으로 공급된다. 상기 혼합 탱크(35), 황산 저장부(36), 불산 저장부(37)는 본 실시예의 에칭 용액 공급부를 구성하고 있다.
또한, 본 실시예에 따른 액처리 장치(1)에는 혼합 탱크(35)와 각 액처리 유닛(2)의 노즐부(28)와의 사이에 가열부(3A, 3B)가 설치되어 있고, 에칭 용액을 가열함으로써 SiN의 에칭 속도 및 그 선택성을 높인 상태에서 웨이퍼(W)로 공급할 수 있도록 되어 있다. 여기서, 에칭 용액에 포함되는 불소 이온은 SiO2를 에칭하는 능력도 구비하고 있어, SiN과 SiO2가 노출된 웨이퍼(W)의 표면으로 당해 에칭 용액을 공급하면, 이들 SiN, SiO2의 쌍방이 에칭된다.
따라서, 본 발명자들은 상기 에칭 용액을 이용하여, 높은 에칭 속도를 발휘하고 SiN을 선택적으로 에칭하는 것이 가능한 조건의 탐색을 행했다. 그 결과, 후술하는 실험예에 나타낸 바와 같이, 에칭 용액을 140℃ 이상으로 가열한 상태로 유지하면, SiN에 대하여 100 Å/분 이상의 에칭 속도를 발휘시키고 SiO2의 에칭 속도에 대한 SiN의 에칭 속도의 비(이하, 선택비라고 함)가 75 이상이 되는 타이밍이 존재하는 것을 발견했다.
이러한 타이밍이 나타나는 이유는 명백하지 않지만, 에칭 용액을 140℃ 이상에서 유지하는 시간이 짧으면, 불소 이온과 수산화물 이온과의 존재비가 적절하지 않아, SiN의 에칭과 SiO2의 에칭이 병행하여 진행되므로, 높은 선택비가 얻어지지 않는 것이 아닐까 생각된다. 한편, 상기한 시간을 너무 길게 하면, 에칭 용액의 증발에 수반하는 불소 이온 농도의 저하가 현저해져, SiN의 에칭 속도가 낮아지는 것이 아닐까 추측하고 있다.
따라서, 본 예의 액처리 장치(1)에 설치된 가열부(3A, 3B)는 혼합 탱크(35)로부터 도입된 에칭 용액을 가열하고, 예를 들면 에칭 속도가 100 Å/분 이상인 175 Å/분, 선택비가 75 이상인 78이 될 때까지, 미리 설정한 시간 동안 140℃ 이상인, 예를 들면 170℃로 유지하는 것이 가능한 구성으로 되어 있다. ‘미리 설정한 시간’은 사전의 실험에 의해 파악할 수 있다.
상술한 작용을 얻기 위하여, 본 예의 가열부(3A, 3B)는 가열 중의 에칭 용액을 저장하는 가열 탱크(31)와, 에칭 용액의 가열을 실행하는 가열 기구(33)와, 이들 가열 탱크(31)와 가열 기구(33)와의 사이에서 에칭 용액을 순환시키는 순환 펌프(32)와, 이들을 접속시키는 배관 부재를 구비하고 있다. 도면 중 34는 가열 탱크(31) 내의 온도 검출부이다.
가열 탱크(31)는 가열된 에칭 용액을, 예를 들면 대기압 분위기 하에서 저장하는 역할을 한다. 가열 탱크(31)에는 도시하지 않은 배기관이 접속되어 있고, 에칭 용액으로부터 증발한 증기는 이 배기관을 통하여 제해(除害) 설비 등의 외부로 배출된다. 가열 기구(33)는 가열 증기 또는 고온의 오일 등의 열매(熱媒)에 의해 에칭 용액을 가열하는 열 교환기로서 구성해도 좋고, 배관 부재에 테이프 히터 등을 감아 에칭 용액을 가열해도 좋고, 에칭 용액을 원하는 온도로 가열하는 기능을 구비하고 있으면 특정한 구성에 한정되지 않는다.
에칭 용액은 140℃ 이상, 바람직하게는 165℃ 이상의 온도로 가열함으로써, SiN의 에칭에 필요한 불소 이온 또는 수산화물 이온이 쉽게 생성되게 된다. 가열 온도의 상한치는 특별히 존재하지 않고 기기 제약까지 가열하는 것이 가능하지만, 에칭 용액을 비등(沸騰)시키면 불소 이온 농도의 저하가 격심해지므로, 비점 온도 이하인, 예를 들면 190℃ 이하로 유지하는 것이 적절하다.
후술하는 실시예에도 예시하는 바와 같이, SiN의 에칭 속도가 100 Å/분 이상, 선택비가 75 이상이 되는 시간은 몇 분 ~ 수십 분 정도의 시간의 범위이기 때문에, 각 액처리 유닛(2)으로 에칭 용액을 공급 가능해질 때까지 준비 시간을 필요로 한다. 따라서, 본 실시예의 액처리 장치(1)는 복수의 가열부(3A, 3B)를 구비하고 있고, 이들 가열부(3A, 3B)에서 병행하여 에칭 용액의 준비(에칭 용액의 온도를 미리 설정한 시간 동안 140℃ 이상의 온도로 유지하는 것)가 실행 가능하다. 도 5에는 2 개의 가열부(3A, 3B)를 설치한 예를 도시하고 있지만, 가열부(3A, 3B)의 설치수는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 액처리 유닛(2)의 설치 대수 또는 에칭 용액의 가열에 필요로 하는 시간(승온(昇溫)하는 시간 또는 140℃ 이상으로 유지하는 시간), 1 회의 처리에서의 에칭 용액의 공급량 등에 의해, 가열부(3A, 3B)의 설치수는 적절히 선택할 수 있다.
각 가열부(3A, 3B)에서 준비된 에칭 용액은 전환 밸브(301, 302)에 의해 공급처가 선택되고, 처리 대상인 웨이퍼(W)를 보지한 액처리 유닛(2)의 노즐부(28)로 공급된다.
도 5에 도시한 도면 부호 4는 처리 후의 웨이퍼(W)로부터 에칭 용액을 제거하는 순수 등의 린스액을 공급하는 린스액 공급부이며, 도면 부호 401은 그 전환 밸브이다.
이상에 설명한 구성을 구비한 액처리 장치(1)에는 도 3, 도 5에 도시한 바와 같이 제어부(5)가 접속되어 있다. 제어부(5)는, 예를 들면 도시하지 않은 CPU와 기억부를 구비한 컴퓨터로 이루어지고, 기억부에는 액처리 장치(1)의 작용, 즉 액처리 장치(1) 내로 웨이퍼(W)를 반입하고, 웨이퍼(W)의 에칭을 행하고 나서 린스 세정을 한 다음, 웨이퍼(W)를 반출할 때까지의 동작에 따른 제어에 대한 스텝(명령)군이 포함된 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되고, 이로부터 컴퓨터에 인스톨된다.
특히, 본 예의 액처리 장치(1)에 따른 제어부(5)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 가열부(3A, 3B)의 순환 펌프(32), 가열 기구(33), 온도 검출부(34) 및 전환 밸브(301, 302)와 접속되어 있고, 에칭 용액을 140℃ 이상의 설정 온도까지 가열하고, 미리 설정한 시간 동안 이 온도 상태를 유지하도록 각 부에 제어 신호를 출력하는 역할을 한다. 각 가열 탱크(31) 내의 에칭 용액의 온도는 온도 검출부(34)에서 검출되고, 제어부(5)에 입력된다.
이상에 설명한 구성을 구비한 액처리 장치(1)의 작용에 대하여 설명하면, 우선 재치 블록(11)에 재치된 FOUP(100)로부터 제 1 웨이퍼 반송 기구(121)에 의해 1 매의 웨이퍼(W)를 취출하여 전달 선반(131)에 재치하고, 이 동작을 연속적으로 행한다. 전달 선반(131)에 재치된 웨이퍼(W)는 반송부(142) 내의 제 2 웨이퍼 반송 기구(143)에 의해 차례로 반송되어, 어느 한 액처리 유닛(2)으로 반입되어, 스핀 척(24)에 보지된다.
이들 동작과 병행하여, 에칭 용액 공급부측에서는, 도 6의 순서도에 나타낸 바와 같이, 동작이 실행된다. 즉, 혼합 탱크(35)에서는 황산 저장부(36) 및 불산 저장부(37)로부터 황산 및 DHF를 소정의 혼합비로 도입하여 도시하지 않은 믹서 등으로 혼합하고, 불소 이온원(HF)과 물과 비점 조절제(H2SO4)가 미리 설정된 혼합비로 포함되는 상온의 에칭 용액을 조제해 둔다. 그리고, 가열부(3A, 3B)측에서 에칭 용액을 도입하는 것이 가능한 상태가 되면(시작), 혼합 탱크(35)로부터 가열 탱크(31)로 에칭 용액을 이송한다(스텝(S101)).
가열부(3A, 3B)에서는 소정량의 에칭 용액을 도입하고, 순환 펌프(32) 및 가열 기구(33)를 가동시켜 가열 탱크(31) 내의 에칭 용액을 가열한다(스텝(S102)). 그리고, 가열 탱크(31) 내의 에칭 용액이 140℃ 이상의 설정 온도(예를 들면, 170℃)에 도달할 때까지 가열을 행하고(스텝(S103); NO), 그 온도가 설정 온도에 도달하면(스텝(S103); YES), 가열 기구(33)의 출력을 조정하여 에칭 용액의 온도를 설정 온도로 일정하게 유지함과 동시에 계시(計時)를 개시한다(스텝(S104)).
이리 하여, 에칭 속도가 100 Å/분 이상(예를 들면, 175 Å/분), 선택비가 75 이상(예를 들면, 78)이 되는 설정 시간(예를 들면, 6분)이 경과할 때까지 이 상태를 유지하고(스텝(S105); NO), 설정 시간이 경과하면(스텝(S105); YES), 액처리 유닛(2) 내의 웨이퍼(W)로 에칭 용액을 공급 가능한 상태에서 대기한다(스텝(S106), 종료). 즉, 설정 온도는 기판을 에칭 처리할 때의 에칭 용액의 온도(기판 처리 온도)이다.
이 때, 액처리 유닛(2)에서는 회전축(251)을 작동시켜 스핀 척(24)에 보지된 웨이퍼(W)를 회전시키고, 그 회전 속도가 설정치에 도달하면, 에칭 용액의 공급 준비가 갖추어진 가열부(3A, 3B)의 전환 밸브(301, 302)를 작동시켜 노즐부(28)로부터 웨이퍼(W)의 표면의 중앙부로 에칭 용액을 공급한다. 웨이퍼(W)로 공급된 에칭 용액은 원심력의 작용에 의해 웨이퍼(W)의 전체 면에 확산되고, 그 표면에 노출된 SiN 및 SiO2와 접촉한다. 이 때, 에칭 용액은 가열부(3A, 3B)에서 미리 설정된 시간 동안 140℃ 이상의 온도로 유지되고 있음으로써, 에칭 속도가 100 Å/분 이상, 선택비가 75 이상으로 SiN을 선택적으로 에칭할 수 있다.
여기서, 가열부(3A, 3B)에서 에칭 용액의 공급 준비를 행하는 타이밍과, 각 액처리 유닛(2)에서의 처리 타이밍을 조정하는 방법의 예로서, 가열부(3A, 3B)는 각 액처리 유닛(2)의 웨이퍼(W)의 처리, 반송 스케줄에 기초하여, 웨이퍼(W)로 에칭 용액을 공급하는 것이 가능해지는 타이밍으로부터 역산(逆算)하여 에칭 용액의 이송, 가열 및 가열 상태의 유지를 행한다. 이에 따라, SiN의 에칭에 최적인 상태가 되도록 준비된 에칭 용액의 활성이 저하되기 전에 웨이퍼(W)의 표면으로 에칭 용액을 공급할 수 있다.
그리고, 예를 들면 3A를 ‘제 1 가열부’, 3B를 ‘제 2 가열부’라고 했을 때, 도 7의 타임 차트에 나타낸 바와 같이, 제 1 가열부(3A), 제 2 가열부(3B)로의 에칭 용액의 송액, 가열 기구(33)에 의한 가열, 노즐부(28)로의 에칭 용액의 공급은 각 액처리 유닛(2)으로의 웨이퍼(W)의 반송 타이밍에 대응한 시간차를 두고 실행된다. 실제로, 액처리 장치(1)는 액처리부(141)에 설치된 액처리 유닛(2)의 대수에 대응하는 충분한 수의 가열부(3A, 3B)를 구비하고 있다. 이리 하여, 액처리 유닛(2)측에서 웨이퍼(W)가 반송되어 에칭이 개시 가능해진 타이밍과, 가열부(3A, 3B)측에서 에칭 용액의 공급 준비가 완료되는 타이밍을 일치시키는 것이 가능해진다. 그 결과, SiN에 대한 높은 에칭 속도와 선택비를 가지는 에칭 용액이 웨이퍼(W)의 처리, 반송 스케줄에 따라 각 액처리 유닛으로 공급된다.
가열 탱크(31) 내의 에칭 용액을 소정의 공급 속도 및 공급 시간으로 공급하여, 웨이퍼(W) 표면에 노출되어 있는 SiN막(65)을 제거하여, 도 2에 도시한 상태가 되면, 웨이퍼(W)로의 에칭 용액의 공급을 종료한다. 이어서, 린스액 공급부(4)의 전환 밸브(401)를 전환하여 회전하는 웨이퍼(W)로 린스액을 공급하고, 웨이퍼(W)의 표면에 남아 있는 에칭 용액을 린스 세정한다. 이 후, 린스액의 공급을 정지시키는 한편, 웨이퍼(W)의 회전을 계속하여 린스액의 털어내기 건조를 행하고, 액처리 유닛(2)에서의 일련의 액처리를 종료한다.
반송 암(144)은 액처리를 종료한 액처리 유닛(2)으로부터 웨이퍼(W)를 반출하여 전달 선반(131)에 재치하고, 제 1 웨이퍼 반송 기구(121)에 의해 전달 선반(131)으로부터 FOUP(100)로 웨이퍼(W)를 되돌린다. 그리고, 액처리 장치(1)에 설치된 복수의 액처리 유닛(2)에 의해, 복수 매의 웨이퍼(W)에 대한 액처리가 차례로 행해진다.
본 실시예에 따른 액처리 유닛(2)에 의하면, 불소 이온원(HF 또는 NH4F 등)과 물과 비점 조절제(H2SO4 또는 (CH3)2SO 등)를 혼합하여 조제된 에칭 용액을 140℃ 이상의 온도로 유지함으로써, 에칭 용액이 실리콘 질화물을 선택적으로 에칭하는데 적합한 상태가 되어, SiN의 에칭 속도를 100 Å/분 이상으로 하고, 선택비를 75 이상으로 할 수 있다. 여기서, 에칭 용액을 이용한 에칭은 플라즈마 등을 이용한 에칭과 비교하여 반도체의 적층 구조가 형성된 웨이퍼(W)에 입히는 데미지가 적고, 또한 보다 높은 선택비를 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.
액처리 유닛(2)에의 에칭 용액의 공급 계통의 구성은 도 5에 도시한 예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 8에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W) 복수 매분의 에칭 용액을 저장 가능한 가열 탱크(31)를 구비한 가열부(3C)를 설치하고, 이 가열부(3C)에 복수 대의 액처리 유닛(2)을 접속시켜도 좋다. 이 경우, 가열부(3C)에 접속된 모든 액처리 유닛(2)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 완료되는 타이밍에 맞추어 에칭 용액의 준비를 행하고, 반송이 완료되면 개폐 밸브(303)를 개방하여 각 액처리 유닛(2)으로 병행하여 에칭 용액을 공급하여 SiN의 에칭을 행한다.
또한, 1 매의 웨이퍼(W)로 에칭 용액을 공급하는 시간이 길어질 경우에는 그 사이에 SiN의 에칭 속도 또는 선택비가 저하된다. 따라서, 도 9에 도시한 바와 같이, 1 대의 액처리 유닛(2)에 복수 대의 가열부(3A, 3B)를 접속시키고, 이들 가열부(3A, 3B) 간에 시간차를 두고 에칭 용액의 준비를 행해도 좋다. 이 경우에는, 개폐 밸브(304, 305)를 개방하여 노즐부(28)로 에칭 용액을 공급하는 타이밍을 늦춤으로써, 에칭의 시간이 장시간에 걸쳐질 경우에도 SiN의 에칭 속도 또는 선택비가 높은 상태의 에칭 용액을 공급하는 것이 가능해진다. 설명을 간단히 하기 위하여, 도 9에서는 1 대의 액처리 유닛(2)에 복수의 가열부(3A, 3B)를 설치한 예를 도시했지만, 1 대의 액처리 유닛(2)으로 공급되는 에칭 용액을 복수의 가열부(3A, 3B)를 이용하여 시간을 늦추어 준비하는 방법은 도 5에 도시한 복수 대의 액처리 유닛(2)에 대하여 각각 복수 대의 가열부(3A, 3B)가 접속된 공급 계통에서도 실현 가능하다.
또한, 도 5, 8, 9에 도시한 예에서는 가열 기구(33)를 가열 탱크(31)로부터 분리하여 설치한 예를 도시했지만, 가열 기구의 구성은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 가열 탱크(31)에 테이프 히터 등을 감아 가열 탱크(31)의 본체를 가열해도 좋다.
또한, 예를 들면 혼합 탱크(35)에서 에칭 용액을 140℃ 이하인, 예를 들면 50 ~ 100℃ 정도의 온도까지 예열해 둠으로써, 가열부(3A, 3B) 내에서의 온도 상승 시간을 짧게 해도 좋다.
또한, 에칭 용액이 140℃ 이상이 되고 나서 이 온도를 유지하는 시간의 기간 중 당해 온도는 일정해도 좋고 변화해도 좋다. 이 온도를 변화시킬 경우에는 에칭 용액의 온도가 140℃에 도달한 시점으로부터 시간의 계측을 개시해도 좋고, 미리 설정한 온도(예를 들면, 170℃)에 도달하고 나서 계측을 개시해도 좋다. 에칭 용액의 온도 상승 프로파일과 SiN의 에칭 속도, 선택비와의 관계를 예비 실험 등에 의해 파악해 두면, 상기 시간은 특정할 수 있다.
이 외에, 에칭 용액 공급부의 일부를 구성하는 혼합 탱크(35)는 필수적인 구성 요소가 아니고, 예를 들면 황산 저장부(36), 불산 저장부(37)로부터 가열부(3A, 3B)의 가열 탱크(31)로 직접 황산 또는 DHF를 공급하여 에칭 용액을 조제한 다음, 액처리 유닛(2)으로 공급할 준비를 행해도 좋다.
또한, 도 3 ~ 도 5에 도시한 액처리 장치(1)에서는 웨이퍼(W)를 수직축을 중심으로 회전시키면서 에칭 용액을 공급하는, 이른바 스핀 도포에 의해 에칭을 행하는 액처리 유닛(2)의 예를 도시했지만, 에칭부의 구성은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 수평 보지된 웨이퍼(W)의 상방에 폭이 넓은 개구부를 구비한 노즐부(28)를 배치하고, 노즐부(28)를 이동시키면서 에칭 용액을 토출시킴으로써, 정지된 상태의 웨이퍼(W)의 전체 면으로 에칭 용액을 공급해도 좋다(스캔 도포).
또한, 처리조 내에 에칭 용액을 준비하고, 여기에 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 가로로 배치한 상태 또는 수직 방향으로 세로로 배치한 상태로 1 매 또는 복수 매 침지시켜 에칭을 행하는 침지 방식의 에칭부를 채용하는 것도 가능하다. 이 경우에는, 에칭부의 처리조와 가열부(3A, 3B)의 가열 탱크(31)를 공통화해도 좋다.
그리고, 도 1, 도 2에 도시한 웨이퍼(W)의 예에서는 웨이퍼(W)의 표면에 SiO2막(64) 또는 SiN막(65)이 모두 노출된 상태로 되어 있지만, 이들 막(64, 65) 중 일부를 레지스트막 등으로 덮어 SiN막(65)의 일부를 에칭함으로써, 패터닝을 행해도 좋은 것은 물론이다.
[실험예]
불소 이온원과 물과 비점 조절제를 혼합하여 에칭 용액을 조제하고, 140℃ 이상으로 유지하는 시간을 변경하여 SiN 및 SiO2가 노출된 웨이퍼(W)의 표면에 스핀 도포에 의해 에칭 용액을 공급하여 에칭을 행했다.
A. 실험 조건
하기의 조성의 에칭 용액을 170℃로 가열하고, 당해 온도를 유지하는 시간을 0 ~ 12분(실험예 3에서는 0 ~ 9분)의 범위에서 변화시켜, 웨이퍼(W)로 공급하여 SiN 및 SiO2의 에칭 속도, 선택비를 계측했다. 각 에칭에서는 100 rpm으로 회전하는 웨이퍼(W)의 표면으로 1000 ml의 에칭 용액을 3 분에 걸쳐 공급했다.
(실험예 1)
에칭 용액의 조성
불소 이온원: HF(0.05 wt%), NH4F(0.05 wt%)
물(14.21 wt%)
비점 조절제: H2SO4(85.69 wt%)
(실험예 2)
에칭 용액의 조성
불소 이온원: HF(0.12 wt%), NH4F(0.12 wt%)
물(23.61 wt%)
비점 조절제: H2SO4(76.15 wt%)
(실험예 3)
에칭 용액의 조성
불소 이온원: HF(0.12 wt%), NH4F는 첨가하지 않음
물(24.4 wt%)
비점 조절제: H2SO4(75.48 wt%)
(실험예 1 ~ 3)에 따른 에칭 용액의 각 성분 농도를(표 1) 정리했다.
불소 이온원 H2O 비점 조절제
HF NH4F H2SO4
실험예 1 0.05 0.05 14.21 85.69
실험예 2 0.12 0.12 23.61 76.15
실험예 3 0.12 0 24.4 75.48
B. 실험 결과
(실험예 1 ~ 3)에 따른 실험의 결과를 도 10 ~ 도 12에 나타낸다. 각 그래프의 횡축은 에칭 용액의 가열을 개시하고 나서의 시간을 나타내고 있고, 에칭 용액의 온도가 170℃에 이르고 나서의 경과 시간(170℃의 온도로 유지한 시간)을 괄호 내에 병기하고 있다. 좌측의 종축은 SiN 및 SiO2의 에칭 속도[Å/분], 우측의 종축은 ‘(SiN의 에칭 속도) / (SiO2의 에칭 속도)’로 계산되는 선택비를 나타내고 있다.
각 경과 시간에서의 SiN의 에칭 속도는 우측으로 상승하는 사선으로 해칭한 칼럼으로 나타내고, SiO2의 에칭 속도는 우측으로 하강하는 사선으로 해칭한 칼럼으로 나타나 있다. 또한, 선택비는 검은 색의 삼각 ‘▲’ 플롯되어 있다.
도 10에 나타낸 (실험예 1)의 결과에 따르면, 이 에칭 용액은 SiO2보다 SiN을 에칭하는 능력이 높은 것을 알 수 있다. 그리고, 에칭 용액의 온도가 170℃에 도달하고 나서의 경과 시간이 길어짐에 따라, SiN, SiO2 모두 에칭 속도도 저하되고 있다. 이는, 가열 후의 시간의 경과에 수반하여, 에칭 용액 중의 불소 이온 농도가 저하되고 있기 때문이 아닐까 생각된다. 한편, 선택비는 경과 시간의 증대에 따라 위로 볼록한 곡선을 그리며 증감하고 있다. 그리고, 경과 시간이 9 분인 타이밍에서, SiN의 에칭 속도가 100 Å/분 이상, 선택비가 75 이상의 성능이 발휘되는 상태가 되어 있는 것을 확인할 수 있다.
도 11에 나타낸 (실험예 2)의 결과에서도 (실험예 1)과 거의 동일한 경향이 보여지고, SiN, SiO2의 에칭 속도는 에칭 용액의 온도가 170℃에 도달하고 나서의 경과 시간이 길어짐에 따라 저하되고, 선택비는 경과 시간의 증대에 따라 위로 볼록한 곡선을 그리며 증감하고 있다. 그리고, 경과 시간이 9 분인 타이밍에서, SiN의 에칭 속도가 100 Å/분 이상, 선택비가 75 이상의 성능이 발휘되는 상태가 되었다.
도 12에 나타낸 (실험예 3)의 결과에서는 170℃에 도달하고 나서의 시간의 경과에 따라 SiN, SiO2의 에칭 속도가 저하되고 있는 점은 (실험예 1, 2)와 동일했다. 한편, 선택비에 대해서는 경과 시간의 증대에 따라 커지는 경향이 보여지고, 실험을 행한 시간 범위에서는 도 10, 도 11에 나타난 피크는 볼 수 없었다. 단, SiN의 에칭 속도가 하한치(100 Å/분)를 하회한 9 분보다 긴 시간 가열하는 것은 행하지 않았기 때문에, 더 긴 시간 가열을 행하면, (실험예 1, 2)와 동일한 경향을 나타낼 가능성도 있다. 이 (실험예 3)에서는 경과 시간이 6 분인 타이밍에서, SiN의 에칭 속도가 100 Å/분 이상, 선택비가 75 이상의 성능이 발휘되는 상태가 되어 있는 것을 확인할 수 있었다.
이상의 실험 결과로부터, 불소 이온원, 물, 비점 조절제를 포함하는 에칭 용액의 조성을 변경할 경우라도, 각각의 에칭 용액에는 170℃로 가열하여 그 상태를 유지했을 때, SiN의 에칭 속도가 100 Å/분 이상, 선택비가 75 이상이 되는 시간이 존재하는 것이 확인할 수 있었다. 그리고, 에칭 용액의 가열 온도가 140℃인 경우에서도, 이러한 시간이 존재하는 것은 확인되어 있다.
W : 웨이퍼
1 : 액처리 장치
2 : 액처리 유닛
3A ~ 3C : 가열부
35 : 혼합 탱크
36 : 황산 보지부
37 : 불산 보지부

Claims (17)

  1. 실리콘 질화물과 실리콘 산화물이 노출된 기판을 에칭 용액에 의해 에칭하는 액처리 방법으로서,
    불소 이온원과 물과 비점 조절제를 혼합하여 에칭 용액을 조제하는 공정과,
    조제된 상기 에칭 용액을 140℃ 이상의 기판 처리 온도에 도달할 때까지 가열하는 공정과,
    상기 에칭 용액이 상기 기판 처리 온도에 도달한 시점으로부터, 상기 에칭 용액의 온도를 미리 설정된 제 1 시간 동안 상기 기판 처리 온도에서 유지하는 공정과,
    상기 제 1 시간이 경과하면, 상기 기판 처리 온도로 유지된 상기 에칭 용액에 의해 상기 기판을 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 시간은, 상기 에칭 용액이, 상기 기판을 에칭할 때에 실리콘 질화물의 에칭 속도가 100 Å/분 이상이 되고, 실리콘 산화물의 에칭 속도에 대한 실리콘 질화물의 에칭 속도의 비가 75 이상이 되는 상태가 되도록 하기 위하여 필요한 시간인 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭하는 공정은, 상기 기판 처리 온도에 도달한 시점으로부터, 미리 설정된 제 2 시간 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 시간은, 상기 에칭 용액이, 상기 기판을 에칭할 때에 실리콘 질화물의 에칭 속도가 100 Å/분 이상이 되고, 실리콘 산화물의 에칭 속도에 대한 실리콘 질화물의 에칭 속도의 비가 75 이상이 되는 상태를 유지할 수 있는 시간인 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 불소 이온원은 불화 수소 또는 불화 암모늄인 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 비점 조절제는 황산 또는 디메틸 설폭시드인 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 온도는 상기 에칭 용액이 비등하는 온도 미만인 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  8. 실리콘 질화물과 실리콘 산화물이 노출된 기판을 에칭 용액에 의해 에칭하기 위한 액처리 장치로서,
    불소 이온원과 물과 비점 조절제를 혼합하여 조제된 에칭 용액을 공급하기 위한 에칭 용액 공급부와,
    상기 에칭 용액을 가열하기 위한 가열부와,
    상기 가열부에서 가열된 에칭 용액을 기판으로 공급하여 에칭을 행하는 에칭부와,
    조제된 상기 에칭 용액을 140℃ 이상의 기판 처리 온도에 도달할 때까지 가열하고, 상기 에칭 용액이 상기 기판 처리 온도에 도달한 시점으로부터, 상기 에칭 용액의 온도를 미리 설정된 제 1 시간 동안 상기 기판 처리 온도로 유지하고, 상기 제 1 시간이 경과하면 상기 기판 처리 온도로 유지된 상기 에칭 용액에 의해 상기 기판을 에칭하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 시간은, 상기 에칭 용액이, 상기 기판을 에칭할 때에 실리콘 질화물의 에칭 속도가 100 Å/분 이상이 되고, 실리콘 산화물의 에칭 속도에 대한 실리콘 질화물의 에칭 속도의 비가 75 이상이 되는 상태가 되도록 하기 위하여 필요한 시간인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판은, 상기 기판 처리 온도에 도달한 시점으로부터, 미리 설정된 제 2 시간 동안 에칭되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 시간은, 상기 에칭 용액이, 상기 기판을 에칭할 때에 실리콘 질화물의 에칭 속도가 100 Å/분 이상이 되고, 실리콘 산화물의 에칭 속도에 대한 실리콘 질화물의 에칭 속도의 비가 75 이상이 되는 상태를 유지할 수 있는 시간인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 에칭 용액 공급부는 적어도 불소 이온원과 비점 조절제를 개별적으로 저장하는 원료 저장부와,
    상기 가열부에 의한 가열이 행해지기 전에, 이들 개별적으로 저장된 불소 이온원과 비점 조절제를 혼합하여 에칭 용액을 조제하는 혼합부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 불소 이온원은 불화 수소 또는 불화 암모늄인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 비점 조절제는 황산 또는 디메틸 설폭시드인 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 가열부는, 140℃ 이상이며, 상기 에칭 용액이 비등하는 온도 미만의 온도 범위인 상기 기판 처리 온도까지 상기 에칭 용액을 가열하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 에칭부는, 기판을 수평으로 보지(保持)하여 수직축을 중심으로 회전시키는 기판 보지부와, 상기 가열부에서 가열된 에칭 용액을 회전하는 기판의 상면에 토출하는 노즐부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  17. 액처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체로서,
    상기 프로그램은 청구항 1 에 기재된 액처리 방법을 실행하기 위한 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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