KR20120085085A - Cob type light emitting module and method of the light emitting module - Google Patents

Cob type light emitting module and method of the light emitting module Download PDF

Info

Publication number
KR20120085085A
KR20120085085A KR1020110006500A KR20110006500A KR20120085085A KR 20120085085 A KR20120085085 A KR 20120085085A KR 1020110006500 A KR1020110006500 A KR 1020110006500A KR 20110006500 A KR20110006500 A KR 20110006500A KR 20120085085 A KR20120085085 A KR 20120085085A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
lead frame
emitting device
openings
bonding
Prior art date
Application number
KR1020110006500A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
유철준
송영희
Original Assignee
삼성엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성엘이디 주식회사 filed Critical 삼성엘이디 주식회사
Priority to KR1020110006500A priority Critical patent/KR20120085085A/en
Publication of KR20120085085A publication Critical patent/KR20120085085A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PURPOSE: A COB(Chip On Board) type light emitting module and a manufacturing method thereof are provided to obtain connection reliability of a bonding wire by sealing a bonding wire with a superior mechanical property. CONSTITUTION: A lead frame(101) includes a plurality of openings(108). A light emitting device(103) is arranged on an upper side of the lead frame in order to respectively cover the plurality of openings. A bonding wire(105) electrically connects a bottom surface of the lead frame with the bottom surface of the light emitting device through the openings. A molding member(106) is formed around the openings of the lead frame in order to cover the bonding wire. A sealing member(107) is located on the molding member and on the light emitting device.

Description

칩 온 보드형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법{COB type light emitting module and method of the light emitting module}Chip on-board light emitting module and method of manufacturing the light emitting module {COB type light emitting module and method of the light emitting module}

개시된 발명은 칩 온 보드(chip on board; COB)형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 후몰딩(post-molding) 방식으로 제조하여 본딩 와이어의 접속 신뢰성, 열방출 성능 및 생산성이 향상된 COB형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.The disclosed invention relates to a chip on board (COB) type light emitting module and a manufacturing method of the light emitting module, and more particularly, by manufacturing in a post-molding method, connection reliability and heat emission of a bonding wire. The present invention relates to a COB type light emitting module having improved performance and productivity and a method of manufacturing the light emitting module.

발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 예를 들어 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기적인 신호를 빛으로 변화시키는 반도체 발광소자이다. 발광 다이오드와 같은 반도체 발광소자는 기존의 다른 발광체에 비해 수명이 길며, 낮은 전압을 사용하는 동시에 소비전력이 작다는 특성이 있다. 또한, 응답속도 및 내충격성이 우수할 뿐만 아니라 소형 경량화가 가능하다는 장점도 가지고 있다. 이러한 반도체 발광소자는 사용하는 반도체의 종류와 조성에 따라 각기 다른 파장의 빛을 발생할 수 있어서 필요에 따라 여러 가지 다른 파장의 빛을 만들어 사용할 수 있다. 최근에는 발광소자 칩을 이용한 조명 장치가 기존의 형광등이나 백열등을 대체하는 추세이다.A light emitting diode (LED) is a semiconductor light emitting device that converts an electrical signal into light using, for example, properties of a compound semiconductor. Semiconductor light emitting devices such as light emitting diodes have a longer lifespan than other light emitting devices, and use a low voltage and have low power consumption. In addition, it has the advantages of excellent response speed and impact resistance as well as small size and light weight. The semiconductor light emitting device may generate light having different wavelengths according to the type and composition of the semiconductor to be used, so that light having various wavelengths may be used as needed. Recently, a lighting device using a light emitting device chip has been replaced by a conventional fluorescent lamp or incandescent lamp.

고휘도의 조명 장치는 통상적으로 다수의 발광소자 패키지들을 기판 위에 배열한 발광 모듈의 형태로 제공된다. 일반적으로 발광 모듈은, 다수의 발광소자 칩들을 개별적으로 패키징하여 다수의 발광소자 패키지들을 각각 형성한 후, 다수의 발광소자 패키지들을 모듈용 기판 위에 실장하여 구성된다. 그런데 이러한 방식은 기판 위에 직접 발광소자 칩들을 실장하는 칩 온 보드(chip on board; COB) 방식에 비하여 제조비가 많이 들고, 열 방출 성능도 비교적 낮다.The high brightness lighting device is typically provided in the form of a light emitting module in which a plurality of light emitting device packages are arranged on a substrate. In general, the light emitting module is configured by individually packaging a plurality of light emitting device chips to form a plurality of light emitting device packages, and then mounting the plurality of light emitting device packages on the module substrate. However, this method is more expensive to manufacture than the chip on board (COB) method in which the light emitting device chips are directly mounted on the substrate, and the heat dissipation performance is relatively low.

한편 COB 방식으로 발광 모듈을 구성할 때, 기판 위에 몰딩 부재를 먼저 형성한 후 발광소자 칩들을 나중에 실장하게 되면, 와이어 본딩을 위하여 발광소자 칩과 몰딩 부재 사이에 어느 정도 간격이 필요하게 된다. 따라서, 발광소자 칩의 측면을 통해 방출되는 일부의 광을 이용하기 어려워서 발광 모듈의 휘도가 저하될 수 있으며, 발광 모듈의 소형화가 어렵다. 또한, 발광소자 칩 위에 형광층을 형성하기도 어려울 뿐만 아니라, 형광층 내의 형광체와 바인더 수지 사이의 열팽창 계수의 불일치로 인해 본딩 와이어의 변형을 초래할 수도 있다.On the other hand, when the light emitting module is configured in the COB method, if the molding member is first formed on the substrate and then the light emitting device chips are mounted later, some distance is required between the light emitting device chip and the molding member for wire bonding. Therefore, it is difficult to use some of the light emitted through the side of the light emitting device chip, so that the brightness of the light emitting module may be lowered, and it is difficult to miniaturize the light emitting module. In addition, it is difficult to form a fluorescent layer on the light emitting device chip, and may cause deformation of the bonding wire due to a mismatch in thermal expansion coefficient between the phosphor and the binder resin in the fluorescent layer.

제조 비용이 저렴하고 방열 효과가 우수하며 본딩 와이어의 접속 신뢰성이 향상된 칩 온 보드형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법을 제공한다.Provided are a chip on board light emitting module having low manufacturing cost, excellent heat dissipation effect, and improved bonding reliability of a bonding wire, and a method of manufacturing the light emitting module.

본 발명의 일 유형에 따르면, 다수의 개구부에 의해 전기적으로 서로 분리되어 있는 다수의 리드 프레임; 상기 다수의 개구부를 각각 덮도록 상기 리드 프레임 위에 각각 배치된 다수의 발광소자; 상기 개구부를 통하여 상기 리드 프레임의 저면과 상기 발광소자의 저면 사이를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어; 및 상기 발광소자의 발광면인 상부 표면을 제외한 상기 발광소자의 측면을 둘러싸도록 상기 리드 프레임의 상면에 형성되어 있으며, 또한 상기 본딩 와이어를 덮도록 상기 개구부 주위에 형성되어 있는 몰딩 부재;를 포함하는 발광 모듈이 제공될 수 있다.According to one type of the invention, a plurality of lead frames are electrically separated from each other by a plurality of openings; A plurality of light emitting elements disposed on the lead frame to respectively cover the plurality of openings; A bonding wire electrically connecting the bottom surface of the lead frame and the bottom surface of the light emitting device through the opening; And a molding member formed on an upper surface of the lead frame so as to surround a side surface of the light emitting device except for an upper surface, which is a light emitting surface of the light emitting device, and formed around the opening to cover the bonding wire. A light emitting module can be provided.

일 실시예에 따르면, 각각의 발광소자는 인접하는 두 리드 프레임 사이에 걸쳐서 상기 개구부를 덮도록 배치될 수 있다.According to an embodiment, each light emitting device may be disposed to cover the opening between two adjacent lead frames.

상기 발광 모듈은 상기 발광소자의 발광면 위에 형성된 형광층을 더 포함할 수 있다.The light emitting module may further include a fluorescent layer formed on the light emitting surface of the light emitting device.

일 실시예에 따르면, 상기 몰딩 부재는 상기 형광층의 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다.According to one embodiment, the molding member may be formed to surround the side of the fluorescent layer.

상기 발광 모듈은 상기 몰딩 부재와 각각의 발광소자 위로 배치된 렌즈 형태의 투명한 봉지 부재를 더 포함할 수 있다.The light emitting module may further include a transparent encapsulation member having a lens shape disposed on the molding member and each light emitting device.

또한, 상기 발광 모듈은 상기 개구부와 인접한 리드 프레임의 양단에 부분적으로 형성된 것으로 상기 본딩 와이어가 본딩될 본딩 영역을 더 포함할 수 있다.In addition, the light emitting module may be partially formed at both ends of the lead frame adjacent to the opening, and may further include a bonding region to which the bonding wire is to be bonded.

일 실시예에 따르면, 상기 본딩 영역은 상기 리드 프레임의 다른 부분보다 얇도록 단차를 가질 수 있다.According to one embodiment, the bonding region may have a step to be thinner than other portions of the lead frame.

한편, 본 발명의 다른 유형에 따르면, 다수의 개구부에 의해 전기적으로 서로 분리되어 있는 다수의 리드 프레임을 캐리어 필름 위에 배치하는 단계; 상기 다수의 개구부를 각각 덮도록 상기 리드 프레임 위에 다수의 발광소자를 각각 배치하는 단계; 각각의 개구부를 통해, 상기 발광소자의 저면과 상기 리드 프레임의 저면을 각각 본딩 와이어로 연결하는 단계; 상기 발광소자의 발광면인 상부 표면을 제외한 상기 발광소자의 측면을 둘러싸도록 상기 리드 프레임의 상면에 몰딩 부재를 형성하는 동시에, 상기 본딩 와이어를 덮도록 상기 개구부 주위에 몰딩 부재를 형성하는 단계; 및 상기 캐리어 필름을 제거하는 단계;를 포함하는 발광 모듈의 제조 방법이 제공될 수 있다.On the other hand, according to another type of the invention, the method comprising the steps of: arranging a plurality of lead frames electrically separated from each other by a plurality of openings on the carrier film; Disposing a plurality of light emitting elements on the lead frame to respectively cover the plurality of openings; Connecting the bottom surface of the light emitting element and the bottom surface of the lead frame to each other by bonding wires through respective openings; Forming a molding member on an upper surface of the lead frame to surround side surfaces of the light emitting device except for an upper surface, which is a light emitting surface of the light emitting device, and forming a molding member around the opening to cover the bonding wires; And removing the carrier film. A method of manufacturing a light emitting module may be provided.

일 실시예에 따르면, 상기 다수의 리드 프레임은 길게 연장된 한 쌍의 지지 프레임들 사이에 2차원 매트릭스의 형태로 배열되어 고정될 수 있다.According to one embodiment, the plurality of lead frames may be arranged and fixed in the form of a two-dimensional matrix between a pair of long extending support frames.

일 실시예에 따르면, 상기 다수의 리드 프레임들은, 인접한 리드 프레임들 사이 및 상기 리드 프레임과 지지 프레임 사이에 연결된 다수의 타이 바에 의해 상기 한 쌍의 지지 프레임들 사이에 고정될 수 있다.According to one embodiment, the plurality of lead frames may be fixed between the pair of support frames by a plurality of tie bars connected between adjacent lead frames and between the lead frame and the support frame.

상기 다수의 타이 바는 제 1 방향에 따른 상기 다수의 리드 프레임들의 열을 따라서만 형성되어 있으며, 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로는 형성되지 않을 수 있다.The plurality of tie bars are formed only along the rows of the plurality of lead frames in the first direction, and may not be formed in the second direction perpendicular to the first direction.

상기 발광 모듈의 제조 방법은, 상기 몰딩 부재가 형성된 후에, 상기 제 1 방향을 따라 상기 리드 프레임들 사이의 타이 바를 절단하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing the light emitting module may further include cutting the tie bars between the lead frames in the first direction after the molding member is formed.

일 실시예에 따르면, 각각의 리드 프레임은 상기 개구부와 인접한 리드 프레임의 양단에 부분적으로 형성된 것으로 상기 본딩 와이어가 본딩될 본딩 영역을 포함할 수 있으며, 상기 본딩 영역은 상기 리드 프레임의 다른 부분보다 얇도록 단차를 가질 수 있다.According to one embodiment, each lead frame is formed at both ends of the lead frame adjacent to the opening and may include a bonding region to which the bonding wires are to be bonded, wherein the bonding region is thinner than other portions of the lead frame. May have a step.

일 실시예에 따르면, 상기 캐리어 필름은 상기 다수의 리드 프레임들 사이의 개구부들 및 상기 개구부의 양측에 인접한 상기 리드 프레임의 본딩 영역에 대응하도록 형성된 다수의 개구부들을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the carrier film may include openings between the plurality of lead frames and a plurality of openings formed to correspond to bonding regions of the lead frame adjacent to both sides of the opening.

일 실시예에 따르면, 상기 캐리어 필름은 베이스 필름, 및 상기 베이스 필름 위에 형성된 것으로 감광성 접착제로 이루어진 점착층을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the carrier film may be formed on the base film, and the base film may include an adhesive layer made of a photosensitive adhesive.

개시된 칩 온 보드형 발광 모듈의 경우, 발광소자의 발광면의 반대쪽 면을 통해 리드 프레임의 아래쪽으로 와이어 본딩이 이루어진다. 따라서, 기계적 물성이 우수한 몰딩 재료로 본딩 와이어를 봉지할 수 있으므로, 본딩 와이어의 접속 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 별도의 패키지 없이 발광소자가 리드 프레임 위에 직접 배치되기 때문에 방열 효과가 향상될 수 있으며, 발광 모듈의 생산성 및 제조 비용도 절감할 수 있다.In the disclosed chip-on-board light emitting module, wire bonding is performed under the lead frame through a surface opposite to the light emitting surface of the light emitting device. Therefore, since the bonding wire can be encapsulated with a molding material excellent in mechanical properties, connection reliability of the bonding wire can be ensured. In addition, since the light emitting device is directly disposed on the lead frame without a separate package, the heat dissipation effect can be improved, and the productivity and manufacturing cost of the light emitting module can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈의 단면도 및 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈의 제조 방법을 개략적으로 보이는 단면도이다.
도 3은 도 2의 제조 방법에 사용되는 리드 프레임들의 어레이의 저면 구조를 개략적으로 도시한다.
도 4는 도 2의 제조 방법에 사용되는 캐리어 필름의 구조를 개략적으로 도시한다.
도 5는 캐리어 필름이 부착된 리드 프레임의 저면 구조를 개략적으로 도시한다.
도 6은 캐리어 필름이 부착된 리드 프레임의 상면 구조를 개략적으로 도시한다.
도 7은 도 3에 도시된 리드 프레임의 상면에 발광소자 및 몰딩 부재가 형성되어 있는 상태를 개략적으로 도시한다.1 is a schematic cross-sectional view and a plan view of a light emitting module according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a method of manufacturing a light emitting module according to an embodiment of the present invention.
3 schematically illustrates the bottom structure of an array of lead frames used in the manufacturing method of FIG. 2.
4 schematically illustrates the structure of a carrier film used in the manufacturing method of FIG. 2.
5 schematically illustrates the bottom structure of a lead frame to which a carrier film is attached.
6 schematically shows a top structure of a lead frame to which a carrier film is attached.
FIG. 7 schematically illustrates a state in which a light emitting device and a molding member are formed on an upper surface of the lead frame illustrated in FIG. 3.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 칩 온 보드형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.Hereinafter, a chip on board type light emitting module and a manufacturing method of the light emitting module will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size of each element in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 칩 온 보드형 발광 모듈(100)의 단면도 및 평면도를 개략적으로 도시하고 있다. 도 1의 (a)에 도시된 단면도를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈(100)은, 다수의 개구부(108)를 갖는 리드 프레임(101), 상기 다수의 개구부(108)를 각각 덮도록 리드 프레임(101)의 상면에 각각 배치된 다수의 발광소자(103), 각각의 개구부(108)를 통해 리드 프레임(101)의 저면과 발광소자(103)의 저면 사이를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(105) 및 발광소자(103)의 측면을 둘러싸도록 리드 프레임(101)의 상면에 형성되어 있으며 또한 본딩 와이어(105)를 덮도록 리드 프레임(101)의 개구부(108) 주위에 형성되어 있는 몰딩 부재(106)를 포함할 수 있다. 또한, 발광 모듈(100)은 몰딩 부재(106)와 발광소자(103) 위로 배치된, 예를 들어, 반구형 렌즈의 형태를 갖는 투명한 봉지 부재(107)를 더 포함할 수 있다. 도 1의 (b)에 도시된 평면도를 참조하면, 리드 프레임(101) 위에 다수의 발광소자(103)들이 일렬로 배열되어 있으며, 각각의 발광소자(103)를 덮도록 봉지 부재(107)가 배치되어 있는 것을 알 수 있다.1 is a schematic cross-sectional view and a plan view of a chip on board light emitting module 100 according to an embodiment of the present invention. Referring to the cross-sectional view illustrated in FIG. 1A, the light emitting module 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a lead frame 101 having a plurality of openings 108 and a plurality of openings 108. A plurality of light emitting elements 103 disposed on the top surface of the lead frame 101 so as to respectively cover the bottom surface of the lead frame 101 and the bottom surface of the light emitting element 103 through respective openings 108. It is formed on the upper surface of the lead frame 101 so as to surround side surfaces of the bonding wire 105 and the light emitting element 103 to be connected, and around the opening 108 of the lead frame 101 to cover the bonding wire 105. It may include a molding member 106 is formed. In addition, the light emitting module 100 may further include a transparent encapsulation member 107 disposed on the molding member 106 and the light emitting device 103, for example, having a hemispherical lens. Referring to the plan view of FIG. 1B, a plurality of light emitting elements 103 are arranged in a line on the lead frame 101, and the encapsulation member 107 is disposed to cover each light emitting element 103. It can be seen that it is arranged.

발광소자(103)는 예를 들어 발광 다이오드(light emitting diode; LED)와 같은 반도체 발광소자일 수 있다. 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 발광소자(103)는 개구부(108)를 덮도록 리드 프레임(101) 위에 배치될 수 있다. 발광소자(103)는 예를 들어 접착층(102)을 이용하여 리드 프레임(101) 위에 고정될 수 있다. 또한, 발광소자(103)의 상부 표면 위에는 형광층(104)이 더 도포될 수 있다. 형광층(104)은 발광소자(103)에서 방출되는 광에 의해 여기되어 백색광을 발생시키는 역할을 한다. 이를 위해 형광층(104)은 단수 또는 복수 종의 형광체를 소정의 배합비에 따라 수지 내에 분산시켜 형성될 수 있다. 실리콘 수지 또는 에폭시 수지와 같은 수지 내에 분산된 형광체의 종류 및 배합비는 발광소자(103)의 발광 특성에 따라 선택될 수 있다. 형광층(104)은 발광소자(103)의 상부 표면인 발광면 위에 전체적으로 도포될 수 있다. 그러나, 백색 발광이 요구되지 않는 경우에는 형광층(104)은 생략될 수도 있다.The light emitting device 103 may be, for example, a semiconductor light emitting device such as a light emitting diode (LED). As shown in FIG. 1A, the light emitting device 103 may be disposed on the lead frame 101 to cover the opening 108. The light emitting device 103 may be fixed on the lead frame 101 using, for example, an adhesive layer 102. In addition, the fluorescent layer 104 may be further applied on the upper surface of the light emitting device 103. The fluorescent layer 104 is excited by the light emitted from the light emitting element 103 and serves to generate white light. For this purpose, the fluorescent layer 104 may be formed by dispersing a single or a plurality of phosphors in a resin according to a predetermined compounding ratio. The type and compounding ratio of the phosphor dispersed in a resin such as a silicone resin or an epoxy resin may be selected according to the light emission characteristics of the light emitting device 103. The fluorescent layer 104 may be entirely coated on the light emitting surface, which is the upper surface of the light emitting device 103. However, if white light emission is not required, the fluorescent layer 104 may be omitted.

도 1에 도시된 발광소자(103)의 경우, 발광소자(103)의 발광면과 반대쪽 면인 발광소자(103)의 저면에 전극 패드(도시되지 않음)가 형성될 수 있다. 따라서, 본딩 와이어(105)의 일측 단부는 발광소자(103)의 저면에 형성된 전극 패드와 연결된다. 본딩 와이어(105)의 타측 단부는 리드 프레임(101)의 개구부(108)를 통과하여 리드 프레임(101)의 본딩 영역(101a)에 연결될 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에 따르면, 본딩 와이어(105)가 발광소자(103)의 상부면에 연결되지 않고 저면에 연결되기 때문에, 발광소자(103)의 상부면에는 전극 패드가 형성될 필요가 없다. 따라서 발광소자(103)의 상부면인 발광면의 면적이 상대적으로 증가할 수 있다. 또한, 발광소자(103)의 측면 주의에 와이어 본딩을 위한 추가적인 공간을 마련할 필요가 없기 때문에, 발광 모듈(100)의 전체적인 크기를 소형화 할 수 있다.In the case of the light emitting device 103 illustrated in FIG. 1, an electrode pad (not shown) may be formed on a bottom surface of the light emitting device 103, which is a surface opposite to the light emitting surface of the light emitting device 103. Therefore, one end of the bonding wire 105 is connected to the electrode pad formed on the bottom surface of the light emitting device 103. The other end of the bonding wire 105 may be connected to the bonding region 101a of the lead frame 101 through the opening 108 of the lead frame 101. According to the embodiment shown in FIG. 1, since the bonding wire 105 is connected to the bottom surface instead of the top surface of the light emitting device 103, an electrode pad need not be formed on the top surface of the light emitting device 103. none. Therefore, the area of the light emitting surface, which is the upper surface of the light emitting device 103, may be relatively increased. In addition, since it is not necessary to provide an additional space for wire bonding on the side of the light emitting device 103, the overall size of the light emitting module 100 can be reduced.

리드 프레임(101)은 외부의 전원(도시되지 않음)과 연결되어, 외부의 전원으로부터 본딩 와이어(105)를 통해 발광소자(103)에 전류를 인가하는 역할을 한다. 또한, 리드 프레임(101)은 발광소자(103)에서 발생하는 열을 외부로 발산시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 리드 프레임(101)은 도전성과 열전도성이 우수한 구리(Cu)와 같은 금속성 재료로 이루어질 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 모듈(100)은 개구부(108)를 중심으로 양측에 전기적으로 분리되어 각각 배치된 다수의 리드 프레임(101)들을 포함할 수 있다. 다수의 리드 프레임(101)들 사이의 다수의 개구부(108)는 발광소자(103)와 리드 프레임(101) 사이의 와이어 본딩을 위한 통로 역할 및 인접한 두 리드 프레임(101)을 전기적으로 분리하는 역할을 한다. 이러한 개구부(108)는 인접한 두 리드 프레임(101)들 사이의 공간일 수 있다. 발광소자(103)는 인접하는 두 리드 프레임(101) 사이에 걸쳐서 개구부(108)를 덮도록 배치될 수 있다. 이러한 구조에서, 하나의 리드 프레임(101)은 그 위에 배치된 인접한 두 발광소자(103)에 동일한 극성의 전압을 제공할 수 있다.The lead frame 101 is connected to an external power source (not shown) and serves to apply a current to the light emitting device 103 from the external power source through the bonding wire 105. In addition, the lead frame 101 may serve to dissipate heat generated from the light emitting device 103 to the outside. For example, the lead frame 101 may be made of a metallic material such as copper (Cu) having excellent conductivity and thermal conductivity. As shown in FIG. 1, the light emitting module 100 may include a plurality of lead frames 101 that are electrically separated from both sides of the opening 108, respectively. The plurality of openings 108 between the plurality of lead frames 101 serve as a passage for wire bonding between the light emitting element 103 and the lead frame 101 and electrically separate two adjacent lead frames 101. Do it. The opening 108 may be a space between two adjacent lead frames 101. The light emitting device 103 may be disposed to cover the opening 108 between two adjacent lead frames 101. In this structure, one lead frame 101 can provide a voltage of the same polarity to two adjacent light emitting elements 103 disposed thereon.

한편, 각각의 리드 프레임(101)의 양단에는 본딩 와이어(105)가 본딩될 본딩 영역(101a)이 형성되어 있다. 본딩 와이어(105)의 본딩을 용이하게 하고 본딩 와이어(105)가 몰딩 부재(106)에 의해 충분히 덮일 수 있도록, 본딩 영역(101a)은 리드 프레임(101)의 다른 부분보다 얇게 형성될 수 있다. 예를 들어, 리드 프레임(101)의 본딩 영역(101a)을 부분적으로 에칭함으로써, 본딩 영역(101a)이 단차지도록 리드 프레임(101)을 형성할 수 있다. 그러면 본딩 와이어(105)가 개구부(108) 밖으로 돌출하지 않을 수 있기 때문에, 몰딩 부재(106)에 의해 완전히 덮일 수 있다.Meanwhile, bonding regions 101a to which the bonding wires 105 are to be bonded are formed at both ends of each lead frame 101. The bonding region 101a may be formed thinner than other portions of the lead frame 101 to facilitate bonding of the bonding wire 105 and to allow the bonding wire 105 to be sufficiently covered by the molding member 106. For example, by partially etching the bonding region 101a of the lead frame 101, the lead frame 101 can be formed so that the bonding region 101a is stepped. Since the bonding wire 105 may not protrude out of the opening 108, it may be completely covered by the molding member 106.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 모듈(100)의 제조 방법을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 먼저, 도 2의 (a)를 참조하면, 다수의 개구부(108)를 갖는 일련의 리드 프레임(101)을 캐리어 필름(120) 위에 배열한다. 이때, 다수의 발광 모듈(100)을 한꺼번에 제조하기 위하여 2차원 배열된 리드 프레임(101)들의 어레이가 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 3에는 리드 프레임(101)들의 어레이의 저면 구조가 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 2차원 매트릭스의 형태로 배열된 다수의 리드 프레임(101)들이 길게 연장된 한 쌍의 지지 프레임(110)들 사이에 고정되어 있다. 인접한 리드 프레임(101)들 사이 및 리드 프레임(101)과 지지 프레임(110) 사이에는 다수의 가느다란 타이 바(tie bar)(115)가 연결되어 있다. 따라서, 타이 바(115)를 통해 다수의 리드 프레임(101)들이 한 쌍의 지지 프레임(110)들 사이에 고정될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 타이 바(115)는 세로의 열 방향으로만 형성되어 있으며, 가로의 행 방향으로는 형성되어 있지 않다. 이는, 가로 방향으로 인접한 리드 프레임(101)들이 전기적으로 서로 분리되도록 하기 위한 것이다. 타이 바(115)가 형성되어 있지 않은 가로 방향의 리드 프레임(101)들 사이의 공간은 개구부(108)가 된다. 개구부(108)의 양측에는 리드 프레임(101)의 일부를 부분 에칭하여 형성된 본딩 영역(101a)이 위치한다. 상기 개구부(108)와 본딩 영역(101a)에 대응하는 리드 프레임(101)의 상부면에 발광소자(103)가 배치될 영역(103a)이 도 3에 또한 도시되어 있다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating a method of manufacturing a light emitting module 100 according to an embodiment of the present invention. First, referring to FIG. 2A, a series of lead frames 101 having a plurality of openings 108 are arranged on a carrier film 120. In this case, in order to manufacture a plurality of light emitting modules 100 at once, an array of lead frames 101 arranged in two dimensions may be used. For example, FIG. 3 shows a bottom structure of an array of lead frames 101. Referring to FIG. 3, a plurality of lead frames 101 arranged in the form of a two-dimensional matrix are fixed between a pair of long extending support frames 110. A plurality of thin tie bars 115 are connected between adjacent lead frames 101 and between the lead frame 101 and the support frame 110. Therefore, the plurality of lead frames 101 may be fixed between the pair of support frames 110 through the tie bars 115. As shown in FIG. 3, the tie bars 115 are formed only in the vertical column direction, and are not formed in the horizontal row direction. This is to allow the lead frames 101 adjacent in the horizontal direction to be electrically separated from each other. The space between the lead frames 101 in the horizontal direction where the tie bars 115 are not formed is the opening 108. Bonding regions 101a formed by partially etching part of the lead frame 101 are located at both sides of the opening 108. Also shown in FIG. 3 is a region 103a in which the light emitting element 103 is to be disposed on an upper surface of the lead frame 101 corresponding to the opening 108 and the bonding region 101a.

한편, 캐리어 필름(120)은 발광 모듈(100)을 형성하는 동안 다수의 리드 프레임(101)들을 지지 및 고정하는 역할을 한다. 도 4에는 이러한 캐리어 필름(120)의 예시적인 구조가 개략적으로 도시되어 있다. 먼저, 도 4의 (a)에 도시된 평면도를 참조하면, 리드 프레임(101)들 사이의 개구부(108)들 및 상기 개구부(108)의 양측에 인접한 리드 프레임(101)의 본딩 영역(101a)에 대응하는 다수의 개구부(125)들이 캐리어 필름(120)에 형성되어 있다. 따라서, 캐리어 필름(120)에 형성된 개구부(125)를 통해 리드 프레임(101)의 개구부(108)와 본딩 영역(101a)이 외부로 노출될 수 있다.Meanwhile, the carrier film 120 supports and fixes the plurality of lead frames 101 while forming the light emitting module 100. 4 schematically illustrates an exemplary structure of such a carrier film 120. First, referring to the plan view illustrated in FIG. 4A, the openings 108 between the lead frames 101 and the bonding area 101a of the lead frame 101 adjacent to both sides of the openings 108 are shown. A plurality of openings 125 corresponding to are formed in the carrier film 120. Therefore, the opening 108 and the bonding region 101a of the lead frame 101 may be exposed to the outside through the opening 125 formed in the carrier film 120.

또한, 도 4의 (b)에 도시된 단면도를 참조하면, 캐리어 필름(120)은 베이스 필름(121)과 상기 베이스 필름(121) 위에 형성된 점착층(122)을 포함할 수 있다. 베이스 필름(121)은 예를 들어 내열성과 UV 투과성을 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 점착층(122)은 캐리어 필름(120) 위에 배열된 리드 프레임(101)들의 위치 안정성을 확보하기 위한 것이다. 예컨대, 점착층(122)은 UV에 의해 경화 가능한 감광성 접착제(photosensitive adhesive; PSA)로 이루어질 수 있다. 점착층(122)이 감광성 접착제로 이루어지는 경우, 발광 모듈(100)의 제작이 완료된 후 베이스 필름(121)을 통해 UV 광을 투과시켜 점착층(122)을 경화시키면, 리드 프레임(101)으로부터 캐리어 필름(120)를 쉽게 떼어낼 수 있다.In addition, referring to the cross-sectional view illustrated in FIG. 4B, the carrier film 120 may include a base film 121 and an adhesive layer 122 formed on the base film 121. The base film 121 may be made of, for example, a material having heat resistance and UV transmittance. The adhesive layer 122 is for securing positional stability of the lead frames 101 arranged on the carrier film 120. For example, the adhesive layer 122 may be made of a photosensitive adhesive (PSA) that is curable by UV. In the case where the adhesive layer 122 is formed of a photosensitive adhesive, after the production of the light emitting module 100 is completed, UV light is transmitted through the base film 121 to cure the adhesive layer 122. The film 120 can be easily peeled off.

도 5는 이러한 캐리어 필름(101)이 저면에 부착된 리드 프레임(101)의 저면 구조를 개략적으로 도시하고 있다. 도 5를 참조하면, 한 쌍의 지지 프레임(110)들 사이의 영역에 전체적으로 캐리어 필름(120)이 부착될 수 있다. 캐리어 필름(120)의 개구부(125)를 통해 리드 프레임(101)의 개구부(108)와 본딩 영역(101a)이 노출되어 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 도 6은 캐리어 필름(120)이 저면에 부착된 리드 프레임(101)의 상면 구조를 개략적으로 도시하고 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 지지 프레임(110)에 연결되어 있는 다수의 리드 프레임(101)들의 아래로 캐리어 필름(120)이 배치되어 있으며, 가로 방향으로 인접한 리드 프레임(101)들 사이로 개구부(108)가 형성되어 있다.FIG. 5 schematically illustrates the bottom structure of the lead frame 101 to which the carrier film 101 is attached to the bottom. Referring to FIG. 5, the carrier film 120 may be attached to the entire area between the pair of support frames 110. It can be seen that the opening 108 and the bonding region 101a of the lead frame 101 are exposed through the opening 125 of the carrier film 120. 6 schematically illustrates a top structure of the lead frame 101 having the carrier film 120 attached to the bottom surface thereof. As shown in FIG. 6, the carrier film 120 is disposed under the plurality of lead frames 101 connected to the support frame 110, and the openings are formed between the adjacent lead frames 101 in the horizontal direction. 108 is formed.

다시 도 2를 참조하면, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(101)들 사이의 개구부(108)들을 각각 덮도록 다수의 발광소자(103)를 배치한다. 각각의 발광소자(103)는 인접한 두 리드 프레임(101) 사이에 걸쳐서 배치될 수 있다. 이때, 접착층(102)을 이용하여 리드 프레임(101) 위에 발광소자(103)를 부착시킬 수 있다.Referring back to FIG. 2, as shown in FIG. 2B, a plurality of light emitting devices 103 are disposed to cover the openings 108 between the lead frames 101. Each light emitting device 103 may be disposed between two adjacent lead frames 101. In this case, the light emitting device 103 may be attached onto the lead frame 101 using the adhesive layer 102.

그런 후, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 발광소자(103)의 발광면인 상부 표면 위에 형광층(104)을 형성할 수 있다. 실시예에 따라서는, 형광층(104)이 발광면에 이미 형성되어 있는 발광소자(103)를 리드 프레임(101)에 부착하는 것도 가능하다. 만약 발광소자(103)가 자체적으로 백색광을 방출하는 경우에는 형광층(104)이 없을 수도 있다. 또한, 특정한 색의 광을 방출하는 발광 모듈(100)을 제조하는 경우에도, 발광소자(103) 위에 형광층(104)이 도포되지 않을 수 있다. 그리고, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 발광소자(103)의 저면과 리드 프레임(101)의 저면 사이를 본딩 와이어(105)로 연결한다. 이를 위해, 발광소자(103)의 저면에는 전극 패드(도시되지 않음)가 형성될 수 있으며, 리드 프레임(101)의 저면에도 개구부(108)의 양측으로 본딩 영역(101a)이 형성될 수 있다. 그러면, 상기 본딩 와이어(105)는 개구부(108)를 통과하여 발광소자(103)의 전극 패드와 리드 프레임(101)의 본딩 영역(101a)에 전기적으로 연결될 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 2C, the fluorescent layer 104 may be formed on the upper surface of the light emitting surface of the light emitting device 103. According to the embodiment, it is also possible to attach the light emitting element 103 in which the fluorescent layer 104 is already formed on the light emitting surface to the lead frame 101. If the light emitting device 103 emits white light by itself, the fluorescent layer 104 may not exist. In addition, even when manufacturing the light emitting module 100 that emits light of a specific color, the fluorescent layer 104 may not be applied on the light emitting device 103. As shown in FIG. 2C, a bonding wire 105 is connected between the bottom of the light emitting device 103 and the bottom of the lead frame 101. To this end, an electrode pad (not shown) may be formed on the bottom of the light emitting device 103, and bonding regions 101a may be formed on both sides of the opening 108 on the bottom of the lead frame 101. Then, the bonding wire 105 may be electrically connected to the electrode pad of the light emitting device 103 and the bonding region 101a of the lead frame 101 through the opening 108.

다음으로, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(101) 위의 다수의 발광소자(103)들의 측면을 둘러싸도록 몰딩 부재(106)를 형성한다. 이와 동시에, 개구부(108)와 본딩 와이어(105)를 함께 덮을 수 있도록 개구부(108) 주위에도 몰딩 부재(106)를 형성한다. 이를 위해, 몰딩 부재(106)의 재료는 캐리어 필름(120)의 개구부(125)를 통해 리드 프레임(101)의 개구부(108)로 제공될 수 있다. 예를 들어, 몰딩 부재(106)는, 발광소자(103)가 부착된 리드 프레임(101)을 금형틀 내에 배치시키고 트랜스퍼 몰딩(transfer molding) 방식으로 형성될 수 있다. 이때, 몰딩 부재(106)는 발광소자(103)의 발광면을 제외한 발광소자(103)의 측면 전체를 둘러쌀 수 있다. 실시예에 따라, 상기 몰딩 부재(106)는 형광층(104)을 제외하고 발광소자(103)의 측면만을 둘러쌀 수도 있으며 또는 형광층(104)의 발광소자(103)의 측면을 모두 둘러쌀 수도 있다.Next, as illustrated in FIG. 2D, the molding member 106 is formed to surround side surfaces of the plurality of light emitting devices 103 on the lead frame 101. At the same time, a molding member 106 is also formed around the opening 108 to cover the opening 108 and the bonding wire 105 together. To this end, the material of the molding member 106 may be provided to the opening 108 of the lead frame 101 through the opening 125 of the carrier film 120. For example, the molding member 106 may arrange the lead frame 101 to which the light emitting device 103 is attached in a mold and may be formed by a transfer molding method. In this case, the molding member 106 may surround the entire side surface of the light emitting device 103 except for the light emitting surface of the light emitting device 103. According to an embodiment, the molding member 106 may surround only the side surface of the light emitting device 103 except for the fluorescent layer 104, or may surround all of the side surfaces of the light emitting device 103 of the fluorescent layer 104. It may be.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광소자(103)를 리드 프레임(101) 위에 먼저 실장한 후, 나중에 몰딩 부재(106)를 형성할 수 있다. 따라서 몰딩 부재(106)를 먼저 형성하는 선몰딩 방식에 비하여, 발광소자(103)를 위치시키기 위한 공간이 절약될 수 있다. 이로 인해, 발광 모듈(100)의 크기를 더 소형화할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 몰딩 부재(106)가 발광소자(103)의 발광면을 제외한 측면 전체를 완전히 밀착하여 둘러쌀 수 있다. 따라서, 광반사율이 우수한 몰딩 재료를 사용할 경우, 발광소자(103)의 측면으로 부분적으로 방출되는 광을 몰딩 부재(106)가 반사하여 광의 재활용이 가능하다. 이를 위해, 본 발명의 일 실시예에서, 몰딩 부재(106)는 우수한 광반사율을 갖는 백색 몰딩 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 몰딩 부재(106)는 몰딩 수지 내에 TiO2와 같은 재료를 혼합하여 형성될 수 있다. 그러면 발광 모듈(100)의 광 방출 효율이 향상될 수 있다. 또한, 발광소자(103)의 측면으로 부분적으로 광이 방출되는 경우에도, 발광소자(103)의 상부 표면에만 형광층(104)을 도포하여도 되므로, 발광 모듈(100)의 광 품질의 산포를 줄일 수 있다. 만약 발광소자(103)의 상면을 통해서만 광이 방출되고 측면으로는 전혀 방출되지 않는다면, 백색이 아닌 유색 몰딩 재료를 사용할 수도 있다.As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, the light emitting device 103 may be mounted on the lead frame 101 first, and then the molding member 106 may be formed later. Therefore, compared to the line molding method of forming the molding member 106 first, space for positioning the light emitting device 103 can be saved. For this reason, the size of the light emitting module 100 can be further reduced. In addition, according to the present invention, the molding member 106 may surround the entire side surface of the light emitting device 103 except for the light emitting surface. Therefore, when a molding material having excellent light reflectance is used, the molding member 106 reflects the light partially emitted to the side surface of the light emitting element 103, thereby allowing the light to be recycled. To this end, in one embodiment of the present invention, the molding member 106 may be made of a white molding material having excellent light reflectivity. For example, the molding member 106 may be formed by mixing a material such as TiO 2 in the molding resin. Then, the light emission efficiency of the light emitting module 100 may be improved. In addition, even when the light is partially emitted to the side of the light emitting device 103, the fluorescent layer 104 may be applied only to the upper surface of the light emitting device 103, so that the distribution of the light quality of the light emitting module 100 Can be reduced. If light is emitted only through the upper surface of the light emitting device 103 and no light is emitted to the side, a colored molding material other than white may be used.

도 7은 리드 프레임(101)의 상면에 상술한 방식으로 발광소자(103)와 몰딩 부재(106)가 형성되어 있는 상태를 개략적으로 도시하고 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 가로 방향을 따라 인접한 리드 프레임(101)들 사이에 발광소자(103)가 각각 배치되어 있다. 몰딩 부재(106)는 한 쌍의 지지 프레임(110)들 사이의 전체 영역에 걸쳐 형성될 수 있다. 몰딩 부재(106)가 형성된 후에는, 도 2의 (e)에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(101)의 저면에 부착되어 있는 캐리어 필름(120)을 제거한다. 앞서 설명한 바와 같이, 만약 점착층(122)이 UV에 의해 경화 가능한 감광성 접착제로 이루어지는 경우, 캐리어 필름(120)의 하부로부터 UV를 조사하여 상기 점착층(122)을 경화시킬 수 있다. 그러면, 점착층(122)이 경화되면서 캐리어 필름(120)으로부터 리드 프레임(101)이 보다 용이하게 떨어질 수 있다.FIG. 7 schematically illustrates a state in which the light emitting device 103 and the molding member 106 are formed on the upper surface of the lead frame 101 in the above-described manner. As illustrated in FIG. 7, light emitting devices 103 are disposed between adjacent lead frames 101 along the horizontal direction. The molding member 106 may be formed over the entire area between the pair of support frames 110. After the molding member 106 is formed, as shown in FIG. 2E, the carrier film 120 attached to the bottom surface of the lead frame 101 is removed. As described above, if the adhesive layer 122 is made of a photosensitive adhesive that can be cured by UV, the adhesive layer 122 may be cured by irradiating UV from the lower portion of the carrier film 120. Then, as the adhesive layer 122 is cured, the lead frame 101 may be more easily separated from the carrier film 120.

그런 후에는, 도 7의 절단선(150)으로 표시된 바와 같이, 가로 방향을 따라 리드 프레임(101)들 사이의 타이 바(115)를 절단하여 다수의 발광 모듈(100)을 한번에 형성할 수 있다. 또는, 절단 공정을 먼저 수행한 후에 캐리어 필름(120)을 제거하는 것도 가능하다. 또한, 실시예에 따라, 개개의 발광소자(103)를 덮도록 렌즈 형태의 봉지 부재(107)를 더 형성할 수도 있다. 봉지 부재(107)는 몰딩 부재(106)를 형성한 후에 형성될 수도 있으며, 또는 캐리어 필름(120)을 제거한 후에나 절단 공정을 수행한 후에도 형성될 수 있다.Thereafter, as indicated by the cutting line 150 of FIG. 7, the tie bars 115 between the lead frames 101 may be cut along the horizontal direction to form a plurality of light emitting modules 100 at once. . Alternatively, the carrier film 120 may be removed after the cutting process is performed first. In addition, according to the exemplary embodiment, the encapsulation member 107 in the form of a lens may be further formed to cover the respective light emitting devices 103. The encapsulation member 107 may be formed after the molding member 106 is formed, or may be formed after removing the carrier film 120 or after performing a cutting process.

지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 칩 온 보드형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법에 대한 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.Thus far, an exemplary embodiment of a chip on board type light emitting module and a method of manufacturing the light emitting module has been described and illustrated in the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, it should be understood that such embodiments are merely illustrative of the invention and do not limit it. And it is to be understood that the invention is not limited to the details shown and described. This is because various other modifications may occur to those skilled in the art.

100.....발광 모듈 101.....리드 프레임
102.....접착층 103.....발광소자
104.....형광층 105.....본딩 와이어
106.....몰딩 부재 107.....봉지 부재
108.....개구부 110.....지지 프레임
115.....타이 바(tie bar) 120.....캐리어 필름
121.....베이스 필름 122.....점착층
125.....개구부 150.....절단선100 ..... Light Emitting Module 101 ..... Lead Frame
102 ..... Adhesive layer 103 ..... Light emitting element
104 ..... fluorescent layer 105 ..... bonding wire
106 ..... molding member 107 ..... sealing member
108 ..... opening 110 ..... support frame
115 ..... tie bar 120 ..... carrier film
121 ..... base film 122 ..... adhesive layer
125 ..... Opening 150 ..... Cutting line

Claims (15)

다수의 개구부에 의해 전기적으로 서로 분리되어 있는 다수의 리드 프레임;
상기 다수의 개구부를 각각 덮도록 상기 리드 프레임 위에 각각 배치된 다수의 발광소자;
상기 개구부를 통하여 상기 리드 프레임의 저면과 상기 발광소자의 저면 사이를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어; 및
상기 발광소자의 발광면인 상부 표면을 제외한 상기 발광소자의 측면을 둘러싸도록 상기 리드 프레임의 상면에 형성되어 있으며, 또한 상기 본딩 와이어를 덮도록 상기 개구부 주위에 형성되어 있는 몰딩 부재;를 포함하는 발광 모듈.A plurality of lead frames electrically separated from each other by a plurality of openings;
A plurality of light emitting elements disposed on the lead frame to respectively cover the plurality of openings;
A bonding wire electrically connecting the bottom surface of the lead frame and the bottom surface of the light emitting device through the opening; And
A molding member formed on an upper surface of the lead frame so as to surround a side surface of the light emitting device except for an upper surface, which is a light emitting surface of the light emitting device, and formed around the opening to cover the bonding wire; module. 제 1 항에 있어서,
각각의 발광소자는 인접하는 두 리드 프레임 사이에 걸쳐서 상기 개구부를 덮도록 배치되는 발광 모듈.The method of claim 1,
Wherein each light emitting element is disposed to cover the opening portion between two adjacent lead frames. 제 1 항에 있어서,
상기 발광소자의 발광면 위에 형성된 형광층을 더 포함하는 발광 모듈.The method of claim 1,
The light emitting module further comprises a fluorescent layer formed on the light emitting surface of the light emitting device. 제 3 항에 있어서,
상기 몰딩 부재는 상기 형광층의 측면을 둘러싸도록 형성된 발광 모듈.The method of claim 3, wherein
The molding member is formed to surround the side of the fluorescent layer. 제 1 항에 있어서,
상기 몰딩 부재와 각각의 발광소자 위로 배치된 렌즈 형태의 투명한 봉지 부재를 더 포함하는 발광 모듈.The method of claim 1,
The light emitting module further comprises a transparent sealing member in the form of a lens disposed on the molding member and each light emitting device. 제 1 항에 있어서,
상기 개구부와 인접한 리드 프레임의 양단에 부분적으로 형성된 것으로 상기 본딩 와이어가 본딩될 본딩 영역을 더 포함하는 발광 모듈.The method of claim 1,
And a bonding region partially formed at both ends of the lead frame adjacent to the opening and to which the bonding wire is to be bonded. 제 1 항에 있어서,
상기 본딩 영역은 상기 리드 프레임의 다른 부분보다 얇도록 단차를 갖는 발광 모듈.The method of claim 1,
The bonding module has a step so that the bonding region is thinner than other portions of the lead frame. 다수의 개구부에 의해 전기적으로 서로 분리되어 있는 다수의 리드 프레임을 캐리어 필름 위에 배치하는 단계;
상기 다수의 개구부를 각각 덮도록 상기 리드 프레임 위에 다수의 발광소자를 각각 배치하는 단계;
각각의 개구부를 통해, 상기 발광소자의 저면과 상기 리드 프레임의 저면을 각각 본딩 와이어로 연결하는 단계;
상기 발광소자의 발광면인 상부 표면을 제외한 상기 발광소자의 측면을 둘러싸도록 상기 리드 프레임의 상면에 몰딩 부재를 형성하는 동시에, 상기 본딩 와이어를 덮도록 상기 개구부 주위에 몰딩 부재를 형성하는 단계; 및
상기 캐리어 필름을 제거하는 단계;를 포함하는 발광 모듈의 제조 방법.Disposing a plurality of lead frames on the carrier film that are electrically separated from each other by a plurality of openings;
Disposing a plurality of light emitting elements on the lead frame to respectively cover the plurality of openings;
Connecting the bottom surface of the light emitting element and the bottom surface of the lead frame to each other by bonding wires through respective openings;
Forming a molding member on an upper surface of the lead frame to surround side surfaces of the light emitting device except for an upper surface, which is a light emitting surface of the light emitting device, and forming a molding member around the opening to cover the bonding wires; And
Removing the carrier film. 제 8 항에 있어서,
상기 다수의 리드 프레임은 길게 연장된 한 쌍의 지지 프레임들 사이에 2차원 매트릭스의 형태로 배열되어 고정되어 있는 발광 모듈의 제조 방법.The method of claim 8,
The plurality of lead frames are arranged in a form of a two-dimensional matrix between the pair of elongated support frame is fixed to the manufacturing method of the light emitting module. 제 9 항에 있어서,
상기 다수의 리드 프레임들은, 인접한 리드 프레임들 사이 및 상기 리드 프레임과 지지 프레임 사이에 연결된 다수의 타이 바에 의해 상기 한 쌍의 지지 프레임들 사이에 고정되는 발광 모듈의 제조 방법.The method of claim 9,
And the plurality of lead frames are fixed between the pair of support frames by a plurality of tie bars connected between adjacent lead frames and between the lead frame and the support frame. 제 10 항에 있어서,
상기 다수의 타이 바는 제 1 방향에 따른 상기 다수의 리드 프레임들의 열을 따라 형성되어 있으며, 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로는 형성되어 있지 않은 발광 모듈의 제조 방법.11. The method of claim 10,
The plurality of tie bars are formed along a row of the plurality of lead frames in a first direction and are not formed in a second direction perpendicular to the first direction. 제 11 항에 있어서,
상기 몰딩 부재가 형성된 후에, 상기 제 1 방향을 따라 상기 리드 프레임들 사이의 타이 바를 절단하는 단계를 더 포함하는 발광 모듈의 제조 방법.The method of claim 11,
After the molding member is formed, cutting the tie bars between the lead frames along the first direction. 제 8 항에 있어서,
각각의 리드 프레임은 상기 개구부와 인접한 리드 프레임의 양단에 부분적으로 형성된 것으로 상기 본딩 와이어가 본딩될 본딩 영역을 포함하며, 상기 본딩 영역은 상기 리드 프레임의 다른 부분보다 얇도록 단차를 갖는 발광 모듈의 제조 방법.The method of claim 8,
Each lead frame is formed at both ends of the lead frame adjacent to the opening and includes a bonding region to which the bonding wire is to be bonded, wherein the bonding region has a step so as to be thinner than other portions of the lead frame. Way. 제 13 항에 있어서,
상기 캐리어 필름은 상기 다수의 리드 프레임들 사이의 개구부들 및 상기 개구부의 양측에 인접한 상기 리드 프레임의 본딩 영역에 대응하도록 형성된 다수의 개구부들을 포함하는 발광 모듈의 제조 방법.The method of claim 13,
The carrier film may include openings between the plurality of lead frames and a plurality of openings formed to correspond to bonding regions of the lead frame adjacent to both sides of the opening. 제 8 항에 있어서,
상기 캐리어 필름은 베이스 필름, 및 상기 베이스 필름 위에 형성된 것으로 감광성 접착제로 이루어진 점착층을 포함하는 발광 모듈의 제조 방법.The method of claim 8,
The carrier film is a manufacturing method of a light emitting module comprising a base film and an adhesive layer formed on the base film and a photosensitive adhesive.
KR1020110006500A 2011-01-21 2011-01-21 Cob type light emitting module and method of the light emitting module KR20120085085A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110006500A KR20120085085A (en) 2011-01-21 2011-01-21 Cob type light emitting module and method of the light emitting module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110006500A KR20120085085A (en) 2011-01-21 2011-01-21 Cob type light emitting module and method of the light emitting module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120085085A true KR20120085085A (en) 2012-07-31

Family

ID=46715777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110006500A KR20120085085A (en) 2011-01-21 2011-01-21 Cob type light emitting module and method of the light emitting module

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120085085A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104201272A (en) * 2014-08-22 2014-12-10 深圳市晶台股份有限公司 Light-emitting diode (LED) full-color chip on board (COB) mode packaging method
CN104253190A (en) * 2013-06-27 2014-12-31 凌敬平 Encapsulation method of lighting-used LEDs
WO2015023099A1 (en) * 2013-08-16 2015-02-19 주식회사 루멘스 Chip-on-board type light emitting device package and method for manufacturing same
WO2017146489A1 (en) * 2016-02-23 2017-08-31 엘지이노텍 주식회사 Light-emitting module manufacturing method and display device
KR20170101718A (en) * 2016-02-29 2017-09-06 엘지이노텍 주식회사 Light emitting module, light emitting cabinet and display device
KR20170120245A (en) * 2016-04-20 2017-10-31 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus and method of manufacturing the same

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104253190A (en) * 2013-06-27 2014-12-31 凌敬平 Encapsulation method of lighting-used LEDs
WO2015023099A1 (en) * 2013-08-16 2015-02-19 주식회사 루멘스 Chip-on-board type light emitting device package and method for manufacturing same
US9748459B2 (en) 2013-08-16 2017-08-29 Lumens Co., Ltd. Method for manufacturing improved chip-on-board type light emitting device package and such manufactured chip-on-board type light emitting device package
CN104201272A (en) * 2014-08-22 2014-12-10 深圳市晶台股份有限公司 Light-emitting diode (LED) full-color chip on board (COB) mode packaging method
WO2017146489A1 (en) * 2016-02-23 2017-08-31 엘지이노텍 주식회사 Light-emitting module manufacturing method and display device
CN108702827A (en) * 2016-02-23 2018-10-23 Lg 伊诺特有限公司 light emitting module manufacturing method and display device
US10705370B2 (en) 2016-02-23 2020-07-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting module manufacturing method and display device
KR20170101718A (en) * 2016-02-29 2017-09-06 엘지이노텍 주식회사 Light emitting module, light emitting cabinet and display device
KR20170120245A (en) * 2016-04-20 2017-10-31 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8987022B2 (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the same
US9546762B2 (en) LED assembly
US7714342B2 (en) Chip coated light emitting diode package and manufacturing method thereof
US7755099B2 (en) Light emitting device package
KR101766299B1 (en) Light emitting device package and method of manufacturing the light emitting device package
US9512968B2 (en) LED module
KR101488451B1 (en) Multi chip led package
JP5470627B2 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
KR100634189B1 (en) Thin light emitting diode package and method for manufacturing the same
KR20120085085A (en) Cob type light emitting module and method of the light emitting module
US9209373B2 (en) High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink
KR101186648B1 (en) Light emitting diode package and method for fabricating the same diode
KR101039974B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the same, and light emitting device package
JP5936885B2 (en) Semiconductor light emitting device
KR101740484B1 (en) Light emitting device package and method of manufacturing the light emitting device package
JP6565672B2 (en) Light emitting device
KR20150042954A (en) Side-view light emitting device and method of making the same
KR101064094B1 (en) Light emitting device package
KR101129002B1 (en) Optical package and manufacturing method of the same
JP2017050345A (en) Manufacturing method for light-emitting device
KR100878398B1 (en) High power led package and fabrication method thereof
KR102142718B1 (en) Light emitting device and light apparatus having thereof
KR101146659B1 (en) Optical package and manufacturing method of the same
KR101158497B1 (en) Tape type light package and manufacturing method of the same
JP2014029947A (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Withdrawal due to no request for examination